KR20070011761A - 반도체 소자 제조 장치 - Google Patents

반도체 소자 제조 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20070011761A
KR20070011761A KR1020050066304A KR20050066304A KR20070011761A KR 20070011761 A KR20070011761 A KR 20070011761A KR 1020050066304 A KR1020050066304 A KR 1020050066304A KR 20050066304 A KR20050066304 A KR 20050066304A KR 20070011761 A KR20070011761 A KR 20070011761A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
vacuum chamber
gas
cleaning
source gas
supply pipe
Prior art date
Application number
KR1020050066304A
Other languages
English (en)
Inventor
정관욱
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050066304A priority Critical patent/KR20070011761A/ko
Publication of KR20070011761A publication Critical patent/KR20070011761A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets

Abstract

진공 챔버 내에 잔류하는 불소 이온의 양을 최소화하여 박막 트랜지스터의 문턱전압 특성을 개선할 수 있는 반도체 소자 제조 장치가 제공된다. 반도체 소자 제조 장치는, 증착막이 형성될 기판이 배치되고, 내부에 플라즈마가 생성되는 진공 챔버와, 증착막의 소스 가스를 진공 챔버 내에 제공하는 소스 가스 공급관과, 진공 챔버를 세정하는 불소를 포함하는 세정 가스를 진공 챔버 내에 제공하는 세정 가스 공급관을 포함한다.
박막 트랜지스터, 문턱전압, 불소

Description

반도체 소자 제조 장치{Apparatus for manufacturing semiconductor device}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 소자 제조 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 의한 반도체 소자 제조 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
10: 진공 챔버 20: 전극
30: 지지대 40: 기판
50: 고주파 전원 60: 배기관
70: 소스 가스 공급관 72: 세정 가스 공급관
80: 혼합기 100: 반도체 소자 제조 장치
200: 반도체 소자 제조 장치
본 발명은 반도체 소자 제조 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 PECVD용 진공 챔버를 세정한 후 진공 챔버 내에 잔류하는 불소 이온의 양을 최소화할 수 있 는 반도체 소자 제조 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치(Liquid Crystal Display)는 투과형 평판표시장치로서, 핸드폰(mobile phone), PDA, 노트북컴퓨터와 같은 각종 전자기기에 널리 적용되고 있다. 이러한 액정 표시 장치는 경박단소화가 가능하고 고화질을 구현할 수 있다는 점에서 다른 평판표시장치에 비해 현재 많은 실용화가 이루어지고 있는 실정이다. 더욱이, 디지털TV나 고화질TV, 벽걸이용 TV에 대한 요구가 증가함에 따라 TV에 적용할 수 있는 대면적 액정 표시 장치에 대한 연구가 더욱 활발히 이루어지고 있다.
일반적으로 액정 표시 장치는 액정분자를 동작시키는 방법에 따라 몇 가지 방식으로 나누어질 수 있지만, 현재에는 반응속도가 빠르고 잔상이 적다는 점에서 주로 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor) LCD가 주로 사용되고 있다.
이러한 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터를 구성하는 게이트 절연막을 형성할 때 주로 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정을 이용한다. 이러한 공정은 대부분 진공상태의 진공 챔버 내에서 이루어진다. 진공 챔버에는 공정 라인을 통해 연속적으로 기판이 로딩(loading)되며, 진공 챔버내에서 기판에 증착막이 형성된 후 진공 챔버 외부로 언로딩(unloading)된다.
한편, 진공 챔버에서는 적층 공정시 진공 챔버의 벽면에 이물질이 부착되기 때문에, 소정 회수의 공정이 진행된 후에는 이를 세정해야만 한다. 통상적으로, 5∼8회의 PECVD 공정이 종료된 후에는 진공 챔버를 세정해야만 한다. 이와 같이, 진공 챔버를 세정하지 않는 경우 적층 공정시 진공 챔버 벽면에 부착된 이물질이 증착막에 달라붙게 되어 기판의 불량이 발생하게 된다.
특히, 게이트 절연막을 증착한 후 진공 챔버의 벽면에 부착된 게이트 절연막을 제거하기 위해 NF3 플라즈마를 사용하여 진공 챔버 내부를 세정한다. 그러나 이와 같이 NF3 플라즈마를 이용한 세정 공정 후에 진공 챔버 내에는 잔류가스성분, 즉 불소 이온이 잔류하게 된다. 이러한 진공 챔버에 잔류하는 불소 이온은 액정 표시 장치의 특성에 큰 영향을 미친다.
예를 들어, 반도체층을 형성할 때 이러한 불소 이온이 진공 챔버의 벽면으로부터 튀어나와 반도체층에 침투하면, 박막 트랜지스터의 채널특성이 영향을 받게 되어 박막 트랜지스터의 문턱전압(threshold voltage)이 변하게 된다. 따라서, 진공 챔버를 세정한 후 PECVD 공정에 의해 증착막을 형성할 때마다 박막 트랜지스터의 문턱전압 특성에 편차가 발생하게 된다.
또한 종래에는 증착막 형성을 위한 소스 가스와 진공 챔버 세정을 위한 세정 가스가 하나의 가스 혼합기로 들어와 동일한 가스 공급관을 통해 진공 챔버로 전달되는 구조로 형성되어 있다. 따라서 가스 혼합기에 잔류하는 세정 가스, 특히 NF3로부터 분리된 불소 이온에 의해 소스 가스가 오염되어 박막 트랜지스터의 문턱전압 특성에 큰 편차가 발생하게 된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 진공 챔버 내에 잔류하는 불소 이온의 양을 최소화하여 박막 트랜지스터의 문턱전압 특성을 개선할 수 있는 반도체 소자 제조 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 반도체 소자 제조 장치는, 증착막이 형성될 기판이 배치되고, 내부에 플라즈마가 생성되는 진공 챔버와, 상기 증착막의 소스 가스를 상기 진공 챔버 내에 제공하는 소스 가스 공급관과, 상기 진공 챔버를 세정하는 불소를 포함하는 세정 가스를 상기 진공 챔버 내에 제공하는 세정 가스 공급관을 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 소자 제조 장치에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 소자 제조 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 소자 제조 장치(100)는 진공 챔버(10)와, 진공 챔버(10)에 소스 가스를 제공하는 소스 가스 공급관(70)과, 진공 챔버(10)에 세정 가스를 제공하는 세정 가스 공급관(72)을 포함한다. 본 발명의 반도체 소자 제조 장치(100)는 PECVD용 진공 챔버를 포함하며, 액정 표시 장치를 구성하는 게이트 절연막, 반도체층 또는 보호층 등을 제조할 때 사용될 수 있다.
진공 챔버(10) 내에는 기판(40)을 지지하는 지지대(30)가 배치되어 있다. 지지대(30)에는 히터(미도시)가 연결되어 지지대(30) 및 그 위의 기판(40)을 가열할 수도 있다.
진공 챔버(10) 내에서 지지대(30)의 상부에는 가스 분출구를 겸한 전극(20)이 배치되어 있다. 소스 가스 공급관(70) 및 세정 가스 공급관(72)으로부터 공급되는 가스가 전극(20)의 분출구로부터 진공 챔버(10)의 내부로 공급된다. 그리고, 진공 챔버(10) 내의 가스는 배기관(60)을 통하여 외부로 배출된다.
진공 챔버(10)와 전극(20)은 서로 절연되어 배치되고, 둘 사이에는 고주파 전원(50)으로부터 13.56MHz의 고주파 전압이 인가된다. 따라서 고주파 전원(50)에 의해 진공 챔버(10) 내에 플라즈마가 발생한다.
진공 챔버(10) 내의 기판(40) 상에 소정의 증착막을 형성하기 위한 소스 가스로는 예를 들어, TEOS(TetraEthylOrthoSilicate) 가스와, TEOS 가스의 캐리어인 He 가스와, O2 가스가 사용될 수 있다. TEOS 가스, He 가스 및 O2 가스는 각각 질량 유량 조절기(Mass Flow Controller, MFC)와 밸브(valve)를 통하여 혼합기(80)에 공급된다. 이들 소스 가스는 혼합기(80) 안에서 혼합되고 소스 가스 공급관(70)과 전극(20)을 통하여 진공 챔버(10) 내에 제공된다.
진공 챔버(10) 벽면에 적층된 이물질을 제거하기 위한 세정 가스로는 예를 들어, NF3 가스가 사용될 수 있고, 진공 챔버(10) 내에 이물질을 제거한 후 잔류하는 불소 이온을 제거하기 위한 세정 가스로는 예를 들어, H2 가스가 사용될 수 있다. NF3 가스와 H2 가스는 각각 질량 유량 조절기와 밸브를 통하여 합류된 후 다른 밸브를 거쳐 세정 가스 공급관(72)을 통하여 진공 챔버(10) 내에 제공된다.
이하 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 소자 제조 장치의 세정 방법을 자세히 설명한다.
우선, 진공 챔버(10) 내의 지지대(30) 상부에 기판(40)(또는 액정패널)을 로딩(loading)한 후 소스 가스를 혼합기(80)와 소스 가스 공급관(70)을 통해 진공 챔버(10) 내에 제공한다. 그리고 증착막을 형성하기 위해 고주파 전원(50)을 사용하여 PECVD 공정을 진행한다. 여기서 TEOS 가스, He 가스 및 O2 가스를 소스 가스로 사용하는 경우 기판(40) 상에는 SiO2 증착막이 형성될 수 있다. 이러한 증착막은 액정 표시 장치에서 게이트 절연막, 반도체층 또는 보호층으로 사용될 수 있다.
이어서, PECVD 공정 중에 진공 챔버(10)의 벽면에 달라붙는 이물질, 즉 SiO2막을 제거하기 위해 세정 가스인 NF3 가스를 세정 가스 공급관(72)을 통하여 진공 챔버(10) 내에 충진한다. 그 후 고주파 전원(50)을 공급하여 NF3 플라즈마를 형성한다. NF3 플라즈마에 의해 플라즈마 양이온은 벽면으로 가속되며, 이 가속된 플라즈마 양이온이 벽면에 적층된 불순물과 결합되어 배기된다.
그 후, H2 가스를 세정 가스 공급관(72)을 통하여 진공 챔버(10) 내에 충진하여 고주파 전원(50)을 이용하여 H2 플라즈마를 형성한다. H2 플라즈마에 의해 진공 챔버(10) 내에 남아 있는 많은 양의 불소 이온이 H2 플라즈마 이온과 결합하여 제거된다.
이와 같이 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 소자 제조 장치(100)는 PECVD 공정의 소스 가스와 진공 챔버(10)를 세정하기 위한 세정 가스를 각각 별개의 가스 공급관을 통해 제공함으로써 세정 가스에 의해 소스 가스가 오염되는 것을 방지할 수 있다. 즉, TEOS 가스, He 가스 및 O2 가스와 같은 소스 가스는 혼합기(80) 안에서 혼합된 후 소스 가스 공급관(70)을 통하여 진공 챔버(10) 내에 제공된다. 그리고 PECVD 공정에 의해 오염된 진공 챔버(10)의 내벽을 세정하기 위한 NF3 가스와 이러한 NF3 가스에 의해 진공 챔버(10) 내에 잔류하는 불소 이온을 제거하기 위한 H2 가스는 별도의 세정 가스 공급관(72)을 통하여 진공 챔버(10) 내에 제공된다.
만약 하나의 혼합기 안에서 소스 가스와 세정 가스가 교대로 공급되고 이러한 혼합기로부터 진공 챔버까지 하나의 가스 공급관이 설치된 경우를 생각해보자. 우선 소스 가스는 혼합기 내에서 혼합된 후 진공 챔버로 전달되어 PECVD 공정이 진 행된다. 그 후 NF3 가스가 다시 혼합기와 가스 공급관을 통해 진공 챔버로 전달된다. 이 때 진공 챔버 내는 물론 NF3 가스가 통과하는 혼합기 및 가스 공급관 내에 불소 이온이 잔류하여 이들을 오염시킬 수 있다. 그리고 진공 챔배 내의 불소 이온을 제거 하기 위해 H2 가스가 혼합기 및 가스 공급관을 통하여 진공 챔버 내로 제공된 후 H2 플라즈마를 생성시켜 불소 이온을 제거한다. 그러나, 진공 챔버와는 달리 혼합기 및 가스 공급관 내에는 H2 플라즈마가 형성되지 않기 때문에 이들에 잔류하는 불소 이온은 쉽게 제거되지 않는다. 따라서 후속하는 소스 가스가 혼합기와 가스 공급관을 통해 진공 챔버로 공급될 때 불소 이온에 의해 오염될 수 있다.
이와는 달리 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 소자 제조 장치(100)의 경우, 소스 가스와 세정 가스를 제공하는 가스 공급관을 별도로 구비함으로써 혼합기 및 가스 공급관 내에 소스 가스가 불소 이온에 오염되는 것을 사전에 방지할 수 있다.
반도체 소자 제조 장치(100)의 세정 공정은 한 진공 챔버(10) 내에서 복수의 PECVD 공정이 종료할 때마다 진행된다. 다시 말해서, 진공 챔버(10) 내에 연속적으로 공급되는 복수개의 기판(40)에 PECVD 공정을 종료한 후 세정 공정을 진행한다.
이와 같은 세정 공정을 거친 후 PECVD 공정을 진행하여 진공 챔버(10) 내에서 박막 트랜지스터를 형성하는 경우 이들 기판(40) 상에 형성된 박막 트랜지스터의 특성, 특히 문턱전압의 편차를 줄임으로써 균일한 특성을 갖는 박막 트랜지스터 를 갖는 액정 표시 장치를 제조할 수 있다.
이하 도 2를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 의한 반도체 소자 제조 장치를 설명한다. 설명의 편의상, 도 1에 도시된 실시예의 도면에 나타낸 각 부재와 동일 기능을 갖는 부재는 동일 부호로 나타내고, 따라서 그 설명은 생략한다. 본 실시예의 반도체 소자 제조 장치(200)는 도 2에 나타낸 바와 같이 다음을 제외하고는 기본적으로 동일한 구조를 갖는다. 즉, 도 2에 도시된 바와 같이, 소스 가스와 교대로 H2 가스가 혼합기(80)와 소스 가스 공급관(70)을 통하여 진공 챔버(10) 내로 제공될 수 있다. 이전 실시예와 마찬가지로 세정 가스 공급관(72)을 통하여 H2 가스가 공급되며, 더불어 H2 가스가 혼합기(80)와 소스 가스 공급관(70)을 통하여 진공 챔버(10) 내로 제공될 수 있다.
이 때 혼합기(80)로 제공되는 H2 가스는 진공 챔버(10) 내에 잔류하는 불소 이온을 제거하는 세정 가스의 역할뿐만 아니라 혼합기(80) 내에 잔류하는 소스 가스를 제거하는 퍼지(purge) 가스의 역할도 할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치에 의하면, 진공 챔버 내에 잔류하는 불소 이온의 양을 최소화하여 박막 트랜지스터의 균일한 문턱전압 특성을 구현할 수 있다.

Claims (5)

  1. 증착막이 형성될 기판이 배치되고, 내부에 플라즈마가 생성되는 진공 챔버;
    상기 증착막의 소스 가스를 상기 진공 챔버 내에 제공하는 소스 가스 공급관; 및
    상기 진공 챔버를 세정하는 불소를 포함하는 세정 가스를 상기 진공 챔버 내에 제공하는 세정 가스 공급관을 포함하는 반도체 소자 제조 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 소스 가스는 TEOS 가스, He 가스 및 O2 가스인 반도체 소자 제조 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 세정 가스는 NF3 가스인 반도체 소자 제조 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 세정 가스 공급관은 상기 진공 챔버 내에 잔류하는 불소 이온을 제거하는 H2 가스를 더 제공하는 반도체 소자 제조 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 소스 가스 공급관에 개재되어 상기 소스 가스를 혼합하는 혼합기를 더 포함하고,
    상기 혼합기와 상기 소스 가스 공급관을 통하여 상기 소스 가스와 교대로 H2 가스가 제공되는 반도체 소자 제조 장치.
KR1020050066304A 2005-07-21 2005-07-21 반도체 소자 제조 장치 KR20070011761A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050066304A KR20070011761A (ko) 2005-07-21 2005-07-21 반도체 소자 제조 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050066304A KR20070011761A (ko) 2005-07-21 2005-07-21 반도체 소자 제조 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070011761A true KR20070011761A (ko) 2007-01-25

Family

ID=38012350

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050066304A KR20070011761A (ko) 2005-07-21 2005-07-21 반도체 소자 제조 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070011761A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100817272B1 (ko) * 2007-01-19 2008-03-27 삼성전자주식회사 사용자 피부에 대한 센서의 밀착도를 측정하는 체지방 측정장치 및 그 방법
KR100855002B1 (ko) * 2007-05-23 2008-08-28 삼성전자주식회사 플라즈마 이온 주입시스템

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100817272B1 (ko) * 2007-01-19 2008-03-27 삼성전자주식회사 사용자 피부에 대한 센서의 밀착도를 측정하는 체지방 측정장치 및 그 방법
KR100855002B1 (ko) * 2007-05-23 2008-08-28 삼성전자주식회사 플라즈마 이온 주입시스템

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8646407B2 (en) Film formation apparatus for semiconductor process and method for using the same
KR100954243B1 (ko) 반도체 처리용 성막 장치 및 방법과 컴퓨터로 판독 가능한 매체
US7964241B2 (en) Film formation method and apparatus for semiconductor process
US8343594B2 (en) Film formation method and apparatus for semiconductor process
CN100477116C (zh) 硅氧化膜的形成方法和硅氧化膜的形成装置
US7507676B2 (en) Film formation method and apparatus for semiconductor process
KR101141913B1 (ko) 반도체 처리용 성막 장치 및 그 사용 방법
CN101191200B (zh) 用于半导体工艺腔室的烟气挡板及分布器
KR100983452B1 (ko) 실리콘 질화막의 형성 방법
US20050255712A1 (en) Method of cvd for forming silicon nitride film on substrate
US20060205231A1 (en) Film formation method and apparatus for semiconductor process
US8178398B2 (en) Manufacturing method of display device
US8518834B2 (en) Method and apparatus for forming oxide film on carbon film
KR20070011761A (ko) 반도체 소자 제조 장치
KR20100128863A (ko) 원자층 증착장치 및 방법
JPH0790589A (ja) シリコン酸化膜の形成方法
US20080292811A1 (en) Chamber idle process for improved repeatability of films
KR20060135184A (ko) 화학기상증착장비 및 증착방법
KR20080105525A (ko) 실리콘을 포함한 박막 형성방법
KR101610781B1 (ko) 어닐링 장치 및 어닐링 방법
JP2002363754A (ja) 薄膜製造装置および製造方法
KR100805390B1 (ko) 챔버의 증착 방법
KR100807794B1 (ko) 증착장치
JP3134824B2 (ja) プラズマｃｖｄ装置および成膜方法
JP2002359250A (ja) 薄膜トランジスタ形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination