KR100790081B1 - 옥시란 또는 티이란을 함유하는 수지 및 경화제의재사용가능한 조성물 - Google Patents

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다까히사 도바
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Abstract

본 발명은 옥시란 또는 티이란 탄소 원자들 중 3개 이상이 알킬, 알케닐 또는 아릴 치환기로 치환된 하나 이상의 옥시란 또는 티이란 결합을 갖는 경화성 수지를 무수물, 아민, 아미드, 이미다졸 및 이들의 조합으로부터 선택되는 경화제와 함께 포함하는, 반도체 소자를 회로판에 접속시키기 위한 언더필 밀봉재로 유용하며 반도체 소자로부터 보다 쉽게 분리하여 재사용할 수 있는 조성물에 관한 것이다.
열 경화성 수지, 옥시란, 티이란, 언더필 밀봉재.

Description

옥시란 또는 티이란을 함유하는 수지 및 경화제의 재사용가능한 조성물 {Reworkable Composition of Oxirane(s)- or Thiirane(s)-Containing Resin and Curing Agent}
본 발명은 예를 들어, 캐리어 기판 상에 대형 집적회로 ("LSI")와 같은 반도체 칩을 갖는, 칩 크기 또는 칩 규모의 팩키지 ("CSP"), 볼 격자 어레이 ("BGA"), 랜드 격자 어레이 ("LGA") 등과 같은 회로판 반도체 소자 상에 도포하는 데 유용한 열경화성 수지 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 조성물은 적당한 조건 하에서 재사용할 수 있다.
<관련 기술의 간단한 설명>
최근에, 카메라-집적 비데오 테이프 레코더 ("VTR") 및 휴대용 전화 셋트와 같은 다수의 소형 전자 제품은 LSI 장치의 크기를 원하는 만큼 축소시킨다. 그 결과, CSP, BGA 및 LGA는 팩키지의 크기를 실질적으로 베어칩 (bare chip)의 크기로 축소시키는 데 사용한다. 이러한 CSP, BGA 및 LGA는 그들의 많은 작동 특징을 보유하면서 전자 장치의 특성을 개선시키므로, LSI와 같은 반도체 베어칩을 보호하고 그의 시험을 용이하게 하는 역할을 한다.
통상적으로, CSP/BGA/LGA 조립체는 땝납 접속 등을 이용하여 회로판 상의 전도체에 접속시킨다. 그러나, 형성된 CSP/BGA/LGA/회로판 구조가 열 사이클링에 노 출되는 경우, 종종 회로판과 CSP/BGA/LGA 사이의 땝납 접속의 신뢰성이 의심스럽게 된다. 최근에, CSP/BGA/LGA 조립체를 회로판 상에 장착한 후, 열 사이클링에 의한 스트레스를 없애기 위해 종종 CSP/BGA/LGA 조립체와 회로판 사이의 공간을 밀봉 수지로 채워서 (종종 언더필 밀봉 (underfill sealing)으로 불림) 구조의 열충격성을 개선시키고 구조의 신뢰성을 상승시킨다.
그러나, 열경화성 수지를 전형적으로 언더필 밀봉재로 사용하기 때문에, CSP/BGA/LGA 조립체를 회로판 상에 장착한 후에 파손되는 경우, 구조를 전체적으로 파괴하거나 손상시키지 않으면서 CSP/BGA/LGA 조립체를 교체하기 매우 어렵다.
따라서, CSP/BGA/LGA 조립체를 회로판 상에 장착하는 것과 실질적으로 유사한, 베어칩을 회로판 상에 장착하는 기술이 필요하다. 이러한 기술들 중, 일본 특허 공개 제102343/93호에 개시된 한 기술은 베어칩을 고정시키고 광경화성 접착제를 사용하여 상기 베어칩을 회로판에 부착시키는 방법을 수반하는데, 상기 접착제에 의한 부착이 실패하는 경우, 이 베어칩은 회로판으로부터 제거된다. 그러나, 이 기술은 회로판이 후면으로부터 광에 노출되게 하는 투명 기재 (예를 들어, 유리)를 포함하고, 생성 구조가 약한 열충격성을 나타내는 경우로 제한된다.
일본 특허 공개 제69280/94호에는 베어칩을 고정시키고 소정의 온도에서 경화될 수 있는 수지를 사용하여 베어칩을 기판에 부착시키는 방법이 개시되어 있다. 부착이 실패하는 경우, 이 베어칩은 소정의 온도보다 더 높은 온도에서 수지를 연화시킴으로써 기판으로부터 제거한다. 그러나, 어떠한 특수 수지도 개시되어 있지 않고, 기판 상에 남아 있는 수지를 처리하는 것에 대한 내용은 없다. 따라서, 상 기 개시된 방법은 불완전한 것이다.
일본 특허 공개 제77264/94호에 기재된 바와 같이, 용매를 사용하여 회로판으로부터 잔류 수지를 제거하는 것이 통상적이다. 그러나, 용매를 사용하여 수지를 팽윤시키는 것은 시간 소모적인 공정이고, 통상적으로 용매로 사용되는 부식성 유기산이 회로판의 신뢰도를 감소시킬 수 있다. 대신에, 상기 문헌에 개시된 내용은 전자기적 방사로 조사하여 잔류 수지를 제거하는 방법에 관한 것이다.
일본 특허 공개 제251516/93호에는 비스페놀 A 타입 에폭시 수지 CV5183 또는 CV5183S (Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.)를 사용하는 장착 방법도 개시되어 있다. 그러나, 개시된 제거 방법이 칩의 용이한 제거를 일관되게 허용하지 않고, 경화 단계가 승온에서 길고, 상기 문헌의 방법의 생산성이 대체적으로 낮다.
물론, 반도체 칩을 기판으로부터 제거하거나 기판 상에서 교체하는 기계적 방법, 예컨대, 제거하거나 교체할 칩을 절단하는 방법이 공지되어 있다 (미국 특허 제5,355,580 (Tsukada)).
열가소성 언더필 수지는 반도체 칩 부착에 사용하는 것으로 알려져 있다 (미국 특허 제5,783,867호 (Belke, Jr.)). 그러나, 이러한 열가소성 수지는 상대적으로 적당한 온도 조건 하에 누출되는 경향이 있다. 반대로, 열경화성 수지는 최종 사용 작업 온도 하에서 보통 열 안정성이 보다 더 높은 매트릭스로 경화된다.
미국 특허 제5,512,613호 (Afzali-Ardakani), 제5,560,934호 (Afzali-Ardakani) 및 제5,932,682호 (Buchwalter) 각각은 디에폭시드의 두 에폭시기를 연 결하는 유기 결합 잔기가 산에 의해 절단될 수 있는 아시클릭 아세탈기를 포함하는 디에폭시드 성분을 기재로 하는 재사용가능한 열경화성 조성물을 개시하고 있다. 재사용가능한 조성물의 기재를 형성하는, 산에 의해 절단될 수 있는 아시클릭 아세탈기를 갖는 경화된 열경화성 성분을 산성 환경 하에 두기만 하면 연화가 달성되고 그의 접착성이 대부분 상실된다.
미국 특허 제5,872,158호 (Kuczynski) 및 제6,008,266호 (Kuczynski) 각각에는 아세탈 디아크릴레이트 및 아세탈 디에폭시드 각각을 기재로 하며 반응 생성물이 묽은 산 중에서 용해될 수 있는 것으로 보고되어 있는, 광화학선작용 방사에 노출시 경화될 수 있는 열경화성 조성물이 개시되어 있다.
미국 특허 제5,760,337호 (Iyer)에는 반도체 소자와 이것이 부착되는 기판 사이에 형성되는 틈을 채우기 위한 재사용가능한 열 가교결합 수지가 기재되어 있다. 이들 수지는 (1보다 많은 관능기를 갖는) 디에노필을 2,5-디알킬 치환 푸란-함유 중합체와 반응시켜 제조한다.
국제 특허 공개 제PCT/US98/00858호에는 캐리어 기판 상에 장착된 반도체 칩을 포함하는 반도체 소자와, 이 반도체 소자가 전기적으로 접속되어 있는 회로판 사이의 언더필을 밀봉할 수 있는 열경화성 수지 조성물이 개시되어 있다. 이 조성물에는 에폭시 수지 약 100 중량부, 경화제 약 3 내지 약 60 중량부 및 가소제 약 1 내지 약 90 중량부가 포함된다. 여기서, 경화된 열경화성 성분 주위의 영역을 약 10초 내지 약 1분의 시간동안 약 190 내지 약 260℃의 온도에서 가열하면 연화가 이루어지고 접착성의 대부분이 손실된다.
미국 특허 제5,948,922호 (Ober) 및 제5,973,033호 (Ober) 각각은 3차옥시카르보닐 결합을 갖는 특정 부류의 화합물들; 및 이러한 화합물들을 기재로 하며 경화시 재사용가능한 열 분해성 조성물에 관한 것이다.
당분야의 현수준에도 불구하고, 우수한 생산성, 열충격성 및 기계적 스트레스 흡수성을 제공하면서, 기판이 쉽게 가공될 수 있게 하고 기판 상에 남아 있는 반도체 소자 또는 기판 자체의 통합성을 손상시킬 수 있는 극한 조건을 적용하지 않으면서 반도체 소자로부터 용이하게 분리될 수 있는 언더필 밀봉재가 바람직하다. 또한, 재사용가능할 수 있도록 하기 위해 쉽게 구입가능하고 저렴한 출발 물질로부터 제조할 수 있는 에폭시 물질을 기재로 하는 물질을 제공하는 바람직하다.
<발명의 요약>
본 발명은 경화성 수지 성분; 및 무수물 성분, 질소 함유 성분 (예컨대, 아민 또는 아자 화합물), 아미드 화합물 및(또는) 이미다졸 화합물 및 이들의 조합물을 비롯한 경화제 성분을 포함하는 열경화성 수지 조성물을 제공하는데, 상기 경화성 수지 성분의 적어도 일부는 경우에 따라 옥시란 및(또는) 티이란 탄소상의 치환가능한 위치들 중 3곳 이상이 탄소원자수 1 내지 약 12의 알킬, 알케닐 또는 아릴 치환기 (하나 이상의 헤테로원자 또는 할로겐에 의해 치환되거나 단속될 수 있음)로 치환된 옥시란, 티이란 및 이들의 조합으로부터 선택되는 하나 이상의 결합을 갖는 화합물이다.
또한, 본 발명은 구조가 본 명세서에 자세히 기재되어 있는 신규 디에폭시드-함유 화합물을 제공한다.
이 조성물들의 반응 생성물은 조성물을 경화시키는 데 이용되는 온도를 초과하는 온도와 같은 승온에 노출시 연화될 수 있다. 이러한 온도 노출은 본 발명의 조성물의 반응 생성물의 재사용가능한 특성을 제공한다. 하기 논의된 잔류 성분들은 조성물이 상업적인 용도, 특히 마이크로전자공학 산업에 유용할 수 있도록 하는, 조성물 및 반응 생성물의 물성 및 특성을 제공한다.
본 발명의 조성물은 언더필 밀봉 수지로 유용하며, 캐리어 기판 상에 장착된 반도체 칩을 포함하는 CSP/BGA/LGA 조립체와 같은 반도체 소자가 단시간 열 경화에 의해 회로판에 단단히 부착될 수 있게 하고 우수한 생산성을 가질 수 있게 한다. 본 발명의 조성물의 반응 생성물은 우수한 열충격성을 나타내고, 반도체 소자 또는 접속부의 파손시 조성물이 경화되는 온도를 초과하는 온도에서 국소 가열함으로써 반도체 소자가 회로판으로부터 용이하게 제거될 수 있게 한다. 이것은 (남아있는 기능성 반도체 소자가 여전히 전기적으로 부착되어 있는) 회로판을 재사용하여 생산 공정의 수율 향상 및 생산 비용의 절감을 달성할 수 있게 한다.
본 발명의 조성물은 글로브 탑 (glob top), 다이 (die) 부착 및 열경화성 조성물의 다른 용도와 같은, 언더필의 밀봉 이외의 마이크로전자공학 분야에 사용할 수도 있다.
본 발명의 다른 이점 및 장점은 도면과 함께 "발명의 상세한 설명" 단락을 읽은 후 보다 더 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 열경화성 수지 조성물이 사용되는 장착 구조의 예를 보여 주는 횡단면도를 나타낸다.
도 2는 반도체 소자가 부착되어 있는 회로판으로부터 상기 반도체 소자를 제거하기 위해 본 발명에 따른 경화된 열경화성 수지 조성물을 재사용하는 데 유용한 공정의 순서도이다.
도 3은 리모넨 디에폭시드 (정사각형), 미국 특허 제5,948,922호 (Ober)의 화합물 XVI (원형), 시판되는 디에폭시드화 디시클로지방족 에스테르 (ERL 4221) (폐쇄된 정사각형) 및 비스페놀 F 에폭시 수지 (RE-404-S)의 시판되는 디글리시딜 에테르 (별모양)을 기재로 하는 조성물을 무수물 경화제로 경화시켜 얻은 경화된 반응 생성물의 TGA 곡선을 나타낸다.
도 4는 테르피넨 디에폭시드 (정사각형), '922 특허 및 '033 특허의 화합물 XVI (원형), ERL 4221 (폐쇄된 정사각형) 및 RE-404-S (별모양)을 기재로 하는 조성물을 무수물 경화제로 경화시켜 얻은 경화된 반응 생성물의 TGA 곡선을 나타낸다.
도 5는 다양한 비율의 리모넨 디에폭시드와 RE404-S, 및 RE-404-S (별모양)를 기재로 하는 조성물을 이미다졸/디시안디아미드 경화제로 경화시켜 얻은 경화된 반응 생성물의 TGA 곡선을 나타낸다.
도 6은 리모넨 디에폭시드/RE-404-S (원형), '922 특허 및 '033 특허의 화합물 XVI (정사각형), ERL 4221 (다이아몬드형) 및 RE-404-S (별모양)을 기재로 하는 조성물을 이미다졸/디시안디아미드 경화제로 경화시켜 얻은 경화된 반응 생성물의 TGA 곡선을 나타낸다.
도 7은 다양한 비율의 감마-테르피넨 디에폭시드와 RE-404-S, 및 RE-404-S (별모양)를 기재로 하는 조성물을 이미다졸/디시안디아미드 경화제로 경화시켜 얻은 경화된 반응 생성물의 TGA 곡선을 나타낸다.
도 8은 감마-테르피넨 디에폭시드/RE-404-S (원형), '922 특허 및 '033 특허의 화합물 XVI (정사각형), ERL 4221 (다이아몬드형) 및 RE-404-S를 기재로 하는 조성물을 이미다졸/디시안디아미드 경화제로 경화시켜 얻은 경화된 반응 생성물의 TGA 곡선을 나타낸다.
도 9는 다양한 비율의 메틸시클로펜타디엔 이량체 디에폭시드와 RE-404-S, 및 RE-404-S (별모양)를 기재로 하는 조성물을 무수물 경화제로 경화시켜 얻은 경화된 반응 생성물의 TGA 곡선을 나타낸다.
도 10은 메틸시클로펜타디엔 이량체 디에폭시드 (원형), '922 특허 및 '033 특허의 화합물 XVI (정사각형), ERL 4221 (다이아몬드형) 및 RE-404-S (별모양)를 기재로 하는 조성물을 무수물 경화제로 경화시켜 얻은 경화된 반응 생성물의 TGA 곡선을 나타낸다.
도 11은 다양한 비율의 에틸리덴 노르보르넨 디에폭시드와 RE-404-S, 및 RE-404-S (별모양)를 기재로 하는 조성물을 무수물 경화제로 경화시켜 얻은 경화된 반응 생성물의 TGA 곡선을 나타낸다.
도 12는 에틸리덴 노르보르넨 디에폭시드 (원형), '922 특허 및 '033 특허의 화합물 XVI (정사각형), ERL 4221 (다이아몬드형) 및 RE-404-S를 기재로 하는 조성물을 무수물 경화제로 경화시켜 얻은 경화된 반응 생성물의 TGA 곡선을 나타낸다.
도 13은 다양한 비율의 노폴 에폭시드 글리시딜 에테르와 RE-404-S, 및 RE-404-S (별모양)를 기재로 하는 조성물을 무수물 경화제로 경화시켜 얻은 경화된 반응 생성물의 TGA 곡선을 나타낸다.
도 14는 노폴 에폭시드 글리시딜 에테르 (원형), '922 특허 및 '033 특허의 화합물 XVI (정사각형), ERL 4221 (다이아몬드형) 및 RE-404-S를 기재로 하는 조성물을 무수물 경화제로 경화시켜 얻은 경화된 반응 생성물의 TGA 곡선을 나타낸다.
도 15는 노폴 글리시딜 에테르의 1H HMR 스펙트럼을 나타낸다.
도 16은 노폴 글리시딜 에테르의 FT-IR 스펙트럼을 나타낸다.
도 17은 노폴 에폭시드 글리시딜 에테르의 1H NMR 스펙트럼을 나타낸다.
도 18은 노폴 에폭시드 글리시딜 에테르의 FT-IR 스펙트럼을 나타낸다.
상기한 바와 같이, 열경화성 수지 조성물은 예를 들어, 반도체 소자와 이 반도체 소자가 전기적으로 접속되어 있는 회로판 사이의 언더필 밀봉재와 같은 마이크로전자 조립 분야에 유용할 수 있다. 물론, 상기 조성물은 글로브 탑 및 댐 앤 필 (dam and fill)을 비롯한 직접 칩 부착 분야와 같은 다른 마이크로전자 조립 분야에서도 사용할 수 있다. 또한, 상기 조성물은 열경화성 에폭시, 또는 드물게는 다른 열경화성 또는 열가소성 접착제, 코팅 및 밀봉 조성물을 사용할 수 있는 광범위한 분야에서 사용할 수 있다.
예를 들어, 상기 조성물은 성분 일부가 중간체/최종 생성물로서 가치가 있는 제품의 조립에 사용되어 결핍된 성분 일부가 발견되는 경우 상기 제품의 조립 및 해체를 용이하게 할 수 있다. 이 경우, 결핍 성분 부품(들)은 중간체/최종 생성물(들)로부터 용이하게 제거할 수 있고, 전체 중간체/최종 생성물(들)을 손상시키지 않으면서 교체할 수 있다. 또한, 해체가 진행될 수 있는 속도는 처리량을 높은 수준으로 유지하게 한다. 이러한 것들 중에서 비-마이크로전자공학적인 것의 예가 인공보철 장치의 조립이다.
본 발명의 조성물은 넓게 (a) 에폭시 수지 성분 및 (b) 무수물 화합물, 아민 화합물, 아미드 화합물, 이미다졸 화합물 및 이들의 조합으로부터 선택되는 경화제 성분을 포함하는데, 상기 에폭시 수지 적어도 일부는 경우에 따라 옥시란 및(또는) 티이란 탄소 상에 있는 치환가능한 위치들 중 3곳 이상이 각각 탄소 원자수 1 내지 약 12의 알킬, 알케닐 또는 아릴 치환기 (하나 이상의 헤테로원자 또는 할로겐에 의해 치환되거나 단속될 수 있음)로 치환된 옥시란, 티이란 및 이들의 조합으로부터 선택되는 하나 이상의 결합을 갖는 화합물이며, 단, 이 화합물은 화학식 II의 에폭시 화합물을 그의 유일한 성분으로서 포함하지 않는다.
Figure 112002031859518-pct00001
상기 식에서,
각 R은 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, tert-부틸, C1-4 알콕시, 할로겐, 시아노 및 니트로로 구성된 군으로부터 독립적으로 선택되고,
R1 및 R2는 수소, 메틸, 에틸 및 프로필로 구성된 군으로부터 각각 독립적으로 선택되며, 단, R1 및 R2 둘 다 수소일 수 없고,
R3는 프로필 및 이소프로필로부터 독립적으로 선택되며, 단, R3a 및 R3b 중 적어도 하나, 및 R3c 및 R3d 중 적어도 하나는 메틸, 에틸, 프로필 및 이소프로필로 구성된 군으로부터 독립적으로 선택되고,
m은 0 또는 1이다.
이들 조성물의 반응 생성물은 조성물을 경화시키기 위해 선택된 온도를 초과하는 온도와 같은 승온 조건에 노출시 연화될 수 있다. 기판으로부터의 탈착은 조성물을 경화시키는 데 이용되는 온도보다 더 높은 온도에서 일어난다. 예를 들어, 기판과의 부착 중 적어도 약 50%가 전형적으로 약 200℃를 초과하는 온도에서 손실된다.
전형적으로, 본 발명의 조성물에는 조성물의 총 중량을 기준으로 약 10 내지 약 70 중량%, 예컨대, 약 15 내지 약 60 중량%, 바람직하게는 약 30 내지 약 50 중량%의 경화성 수지 성분; 및 경화성 수지 성분의 총 중량을 기준으로 하여 선택된 경화제의 유형 및 종류에 따라 다른 1 내지 약 100 중량%의 경화제 성분이 포함되어 있고, 이 성분 중 약 25 내지 약 75 중량%, 예컨대, 약 35 내지 약 65 중량%, 바람직하게는 약 45 내지 약 55 중량%가, 옥시란 및(또는) 티이란 탄소 상의 치환가능한 위치들 중 3곳 이상이 각각 탄소 원자수 1 내지 약 12의 알킬, 알케닐 또는 아릴 치환기 (하나 이상의 헤테로원자 또는 할로겐에 의해 치환되거나 단속될 수 있음)로 치환된 옥시란, 티이란 및 이들의 조합으로부터 선택되는 하나 이상의 결합을 갖는 화합물로 구성되어 있다.
물론, 특정 목적을 위한 조성물에 바람직한 특정 성질 세트에 따라 이들 값은 다소 달라질 수 있다. 이러한 변동은 당업자에 의해 과도한 실험 없이 달성될 수 있으므로, 본 발명의 범위 내에 포함된다.
본 발명의 경화성 수지 성분은 다관능 에폭시 수지와 같은 임의의 통상적인 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 통상적으로, 다관능 에폭시 수지는 에폭시 수지 성분의 총 중량의 약 10 내지 약 80 중량%, 예컨대, 약 15 내지 약 75 중량%, 바람직하게는 약 25 내지 약 60 중량%의 양으로 포함시켜야 한다. 비스페놀-F-타입 에폭시 수지의 경우, 바람직하게는 이 수지의 양은 경화성 수지 성분의 중량을 기준으로 약 15 내지 약 60 중량%, 예컨대, 약 30 내지 약 50 중량%이어야 한다.
다관능 에폭시 수지의 예에는 비스페놀-A-타입 에폭시 수지, 비스페놀-F-타입 에폭시 수지 (일본 소재의 니폰 가야꾸사의 RE-404-S와 같은 비스페놀-F-타입 에폭시 수지의 디글리시딜 에테르), 페놀 노볼락-타입 에폭시 수지 및 클레졸 노볼락-타입 에폭시 수지 (예컨대, 뉴욕 하우쏘른 소재의 시바 스페셜 케미칼의 ""ARALDITE" ECN 1871)가 포함된다.
다른 적당한 에폭시 수지에는 방향족 아민과 에피클로로히드린을 기재로 하 는 폴리에폭시 화합물, 예를 들어, N,N,N',N'-테트라글리시딜-4,4'-디아미노디페닐 메탄; N-디글리시딜-4-아미노페닐 글리시딜 에테르; 및 N,N,N',N'-테트라글리시딜-1,3-프로필렌 비스-4-아미노벤조에이트가 포함된다.
본원에 사용하기에 적합한 에폭시 수지에는 페놀계 화합물의 폴리글리시딜 유도체, 예컨대, 상표명 "EPON"으로 시판되는 것들, 예컨대, "EPON" 828, "EPON" 1001, "EPON" 1009 및 "EPON" 1031 (Shell Chemical Co.); "DER" 331, "DER" 332, "DER" 334 및 "DER" 542 (Dow Chemical Co.); 및 "BREN-S" (Nippon Kayaku)도 포함된다. 다른 적합한 에폭시 수지에는 폴리올 등으로부터 제조된 폴리에폭시드 및 페놀-포름알데히드 노볼락의 폴리글리시딜 유도체가 포함되고, 이 중 페놀-포름알데히드 노볼락의 폴리글리시딜 유도체는 상표명 "DEN", 예컨대, "DEN" 431, "DEN" 438및 "DEN" 439 (Dow Chemical)으로 시판된다. 크레졸 유도체도 상표명 "ARALDITE", 예컨대, "ARALDITE" ECN 1235, "ARALDITE" ECN 1273 및 "ARALDITE" ECN 1299 (Ciba Specialty Chemicals)로 시판된다. SU-8은 인터레즈, 인크 (Interez, Inc.)로부터 시판되는 비스페놀-A-타입 에폭시 노볼락이다. 아민, 아미노알콜 및 폴리카르복실산의 폴리글리시딜 부가 생성물도 본 발명에 유용하며, 그의 시판되는 수지에는 "GLYAMINE" 135, "GLYAMINE" 125 및 "GLYAMINE" 115 (F.I.C. Corporation); "ARALDITE" MY-720, "ARALDITE" 0500 및 "ARALDITE" 0510 (Ciba Specialty Chemicals); 및 PGA-X와 PGA-C (Sherwin-Williams Co.)가 포함된다.
본원에 사용하기에 적합한 또다른 에폭시 수지에는 알킬렌 산화물 잔기를 갖는 지방족 에폭시가 포함되고, 이 지방족 에폭시의 예에는 일차, 이차 및 삼차 알 킬렌 디올 디글리시딜 에테르와 같은 에테르 결합을 함유하는 일관능 에폭시, 이관능 에폭시 또는 다관능 에폭시; 및 모노알킬렌 또는 폴리알킬렌 옥시드 잔기 (예컨대, 에틸렌 옥시드, 프로필렌 옥시드, 부틸렌 옥시드, 펜틸렌 옥시드 및 헥실렌 옥시드 잔기)를 함유하는 에폭시가 포함되나, 이에 제한되지 않는다.
Figure 112002031859518-pct00002
(상기 식 중, n은 1 내지 약 18의 정수임)
예를 들어, 상기 화학식의 화합물 각각은 개별적으로 또는 함께 에폭시 수지 성분의 적어도 일부로 사용하기에 적합하다.
알킬렌 옥시드 잔기를 갖는 시클로지방족 에폭시의 예에는 알킬렌 에테르 잔기를 함유하는 일관능 시클로헥실 에폭시, 이관능 시클로헥실 에폭시 또는 다관능 시클로헥실 에폭시; 수화 비스페놀-A-타입 에폭시; 및 수화 비스페놀-F-타입 에폭시가 포함된다. 하기에 나타낸 시판되는 DME-100 (1,4-시클로헥산 디메탄올 디글 리시딜 에테르, New Japan Chemical Co., Ltd.)가 이러한 것들의 한 예이다.
Figure 112002031859518-pct00003
알킬렌 옥시드 잔기를 갖는 방향족 에폭시의 예에는 알킬렌 에테르 잔기를 함유하는 비스페놀-A-타입 에폭시와 같은 일관능 에폭시, 이관능 에폭시 또는 다관능 에폭시; 비스페놀-F-타입 에폭시; 페놀 노볼락 타입 에폭시; 및 크레졸 노볼락 타입 에폭시가 포함된다.
이러한 에폭시의 예에는 하기에 나타낸 시판되는 BEO-60E (에톡실화 비스페놀 A 디-글리시딜 에테르, New Japan Chemical Co., Ltd.) 및 BPO-20E (프로필옥실화 비스페놀 A 디-글리시딜 에테르, New Japan Chemical Co., Ltd.)가 포함된다.
<BEO-60E>
Figure 112002031859518-pct00004
상기 식 중, n은 약 1 내지 20의 정수이고, BPO-60E의 경우 n은 1이다.
<BPO-20E>
Figure 112002031859518-pct00005
상기 식 중, n은 약 1 내지 20의 정수이고, BEO-60E의 경우 n은 3이다.
물론, 다양한 에폭시 수지들의 조합도 본원에 사용하기에 바람직하다.
경화 후 적당한 조건 하에서 그 자체가 "재사용가능한" 본 발명의 조성물에는 옥시란 또는 티이란 탄소상의 치환가능한 위치들 중 3곳 이상이 각각 탄소 원자수 1 내지 약 12의 알킬, 알케닐 또는 아릴 치환기 (하나 이상의 헤테로원자 또는 할로겐에 의해 치환되거나 단속될 수 있음)로 치환된 하나 이상의 옥시란 또는 티이란을 갖는 화합물이 포함된다. 경화제와 반응시키는 경우, 이들 옥시란 또는 티이란 화합물은 3차 에스테르 (경화제가 무수물을 기재로 한 것인 경우) 또는 3차 에테르 (경화제가 질소를 기재로 한 것, 예를 들어, 이미다졸인 경우)를 형성하고, 이 결합은 승온 및(또는) 산성 환경과 같은 적당한 조건 하에서 조절 분해될 수 있다고 생각된다.
이러한 화합물의 구체적인 예에는 2,10-디메틸-6-메틸렌-4,8-비스(2-메틸-1-프로페닐-2,4,7,9-운데카테트라엔 (CAS Reg. No. 249664-51-7), 4-[(4E 또는 4Z)-1,5-디메틸-4-헵테닐리덴 또는 옥테닐리덴]-1-메틸-시클로헥산 (CAS Reg. Nos. 221269-56-3, 221269-55-2, 20946240-8, 209462-39-5), 1,1'-[(1E 또는 1Z, 3E 또는 3Z)-5-(1,1-디메틸-2-프로페닐)-3-(3-메틸-2-부테닐)-1,3-펜타디엔-1,5-디일]비스-벤젠 (CAS Reg. No. 207513-40-4), 4,6-디메틸-[S 또는 R-(E 또는 Z, Z 또는 E)]-2,5-옥타디엔 (CAS Reg. No. 203515-58-6, 203515-52-0), 2,6,10,14-테트라메틸-7-(3-메틸-4-펜테닐)-2,5,9,13-펜타데카테트라엔 (CAS Reg. No. 202134-68-7), 7-에틸-3,11-디메틸-(3Z 또는 3E, 6E 또는 6Z, 10Z 또는 10E)-1,3,6,10-트리데카테트라엔 (CAS Reg. No. 189387-61-9), 3,4,8-트리메틸-1,4,7-노나트리엔 (CAS Reg. No. 179981-39-6), 13-에틸-9-메틸-1,9,12-펜타데카테트라엔 (CAS Reg. No.174189-19-6), 1-메틸-4-(2-메틸-6-헵테닐리덴)-시클로헥산 (CAS Reg. No. 170274-84-7), 2,6,11-트리메틸-(E 또는 Z)-2,5,10-도데카트리엔 (CAS Reg. No. 169524-63-4), 2,6-디메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-2,6,9-테트라데카트리엔 (CAS Reg.No. 169265-90-1), 7-(3-메틸-2-부테닐-(E 또는 Z)-6-도데센 (CAS Reg. No. 168141-30-8), 6-(3-메틸-2-부테닐)-(E 또는 Z)-6-도데센 (CAS Reg. No. 168141-25-1), 2,4,6,6,8-펜타메틸-2,4,7-노나트리엔 (CAS Reg. No. 164993-09-9), 3,7-디메틸-11-(메틸)-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔 (CAS Reg. No. 162189-16-4), 5-[3-메틸-1-(2-메틸-1-프로페닐)-2-부테닐리덴]-1,3-시클로펜타디엔 (CAS Reg. No. 162143-83-1), 4-[(4E 또는 4Z)-1,5-디메틸-4-헵테닐리덴]-1-메틸-(4Z 또는 4E)-시클로헥산 (CAS Reg. No. 160359-81-9), 3,7,11-트리메틸-1,3,6,10-도코사테트라엔 (CAS Reg. No. 159085-88-8), 3,7,11,15-테트라메틸-1,3,6,10-헥사데카테트라엔 (CAS Reg. No. 158729-00-1), 9-에틸-2,6-디메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-2,6,9-도데카트리엔 (CAS Reg. No. 157337-30-9), 2-메틸-5-프로필-(E 또는 Z)-2,5-노나디엔 (CAS Reg. No. 157337-25-2), 3,7,11-트리메틸-(Z 또는 E, E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔 (CAS Reg. Nos. 154579-52-9, 154579-50-7, 154579-49-4, 154579-40-5), 4,8,12-트리메틸-(Z 또는 E, E 또는 Z, E)-2,4,7,11-트리데카테트라엔 (CAS Reg. Nos. 154579-51-8, 154579-47-2), 1-메틸-4-(2-메틸-6-헵테닐리덴)- (E 또는 Z)-시클로헥산 (CAS Reg. No. 152252-96-5), 3-에틸-7,11-디메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔 (CAS Reg. No. 152195-83-0), 2,6,6,9-테트 라메틸-7-(2-메틸-1-프로페닐)-2,4,8-데카트리엔 (CAS Reg. No. 150280-97-0), 2,7-디메틸-4,5-비스(2-메틸-1-프로페닐)-2,6-옥타디엔 (CAS Reg. No. 150280-96-9), 3,7-디메틸-1,3,6-옥타트리엔 (CAS Reg. No. 147727-60-4), 2-메틸-5-(1-메틸에틸리덴)-시클로헥산 (CAS Reg. No. 147727-51-3), 2,6-디메틸-5-(1-메틸에틸리덴)-1,3-시클로헥사디엔 (CAS Reg. No. 138434-36-3), 2,6-디메틸-2,5-데카디엔 또는 옥타디엔 (CAS Reg. Nos. 134956-14-2, 128144-73-0), 7-에틸-3,11-디메틸-1,3,6,10-도데카테트라엔 (CAS Reg. No. 134779-29-6), 2-메틸-(E 또는 Z)-2,5-옥타디엔 (CAS Reg. No. 133797-14-5), 7-에틸-3,11-디메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔 (CAS Reg. No. 127941-96-2), 2,7,11-트리메틸-(E 또는 Z)-2,5,10-도데카트리엔 (CAS Reg. No. 124745-43-3), 6,10-디메틸-(Z 또는 E, Z 또는 E)-2,6,9-운데카트리엔-4-인 (CAS Reg. No. 122305-03-7), 2,6-디메틸-(Z 또는 E)-2,5-도데카디엔 (CAS Reg. No. 121403-30-3), 2,7-디메틸-4,5-비스(2-메틸-1-프로페닐)-2,4,6-옥타트리엔 (CAS Reg. No. 117712-68-2), 2,3,6,7-테트라메틸-1,3,6-옥타트리엔 (CAS Reg. No. 117527-68-1), 2-메틸-5-프로필-(Z 또는 E)-2,5-도데카디엔 (CAS Reg. No. 116893-95-9), 2-메틸-5-(1-메틸에틸)-(E 또는 Z)-2,5-도데카디엔 (CAS Reg. No. 116893-93-7), 2-메틸-(Z 또는 E)-2,5-도데카디엔 (CAS Reg. No. 116893-92-6), 2,4,4-트리메틸-(E 또는 Z)-2,5-헵타디엔 (CAS Reg. No. 116786-15-3), 2,6-디메틸-2,5-옥타디엔 (CAS Reg. No. 116668-48-5), 3,4,7,11-테트라메틸-(E 또는 Z, Z 또는 E)-1,3,6,10-도데카트라엔 (CAS Reg. Nose 114091-33-7, 114091-32-6), 3,7,11-트리메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔 (CAS Reg. No. 113244-64-7), 4,8-디메틸-1,4,7-노나트리엔 (CAS Reg. No. 110559-67-6), 3,7,11,15-테트라메틸-1,3,6,10,14-헥사데카펜타엔 (CAS Reg. No. 110249-03-1), 2-메틸-(Z 또는 E)-2,5-펜타데카디엔 (CAS Reg. Nos. 108181-16-4, 108181-15-3), 2-메틸-5-(1-메틸에틸리덴)-2-데센 (CAS Reg. No. 107909-37-5), 2,6-디메틸-2,5,7-데카트리엔 (CAS Reg. No. 105694-90-4), 4,8-디메틸-2,4,7-노나트리엔 (CAS Reg. No. 105694-88-0), 15,19,23-트리메틸-15,18,22-헵타트리아콘타트리엔 (CAS Reg. No. 104519-12-2), 8-(2-메틸-1-프로페닐)-6-테트라데센 (CAS Reg. No. 10229-83-2), 3,7,11-트리메틸-(E 또는 Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔 (CAS Reg. No. 97885-54-6), 3,4-디데히드로-2-(3-메틸-2-부테닐)-카로텐 (CAS Reg. No. 97231-43-1), 7-에틸-3,11-디메틸-1,3,6,10-도데카테트라엔 (CAS Reg. No. 96890-21-0), 1,3-디메틸-4-프로필리덴-시클로펜텐 (CAS Reg. No. 96095-54-4), 2,7,11-트리메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔 (CAS Reg. No. 93517-88-5), 6,10-디메틸-1,4,6,9-운데카테트라엔 (CAS Reg. No. 93308-70-4), 2-(1-메틸에틸)-5-(1-메틸에틸리덴)-1,3-시클로헥사디엔 (CAS Reg. No. 92545-19-2), 2-에틸-5-에틸리덴시클로헥사디엔 (CAS Reg. No. 92545-18-1), 2-메틸-5-(1-메틸에틸리덴)-1,3-시클로헥사디엔 (CAS Reg. No. 92545-16-9), 3,7,10-트리메틸-(Z 또는 E, E 또는 Z)-1,3,6-운데카트리엔 (CAS Reg. No. 91203-72-4), 4-(1,5-디메틸-4-헥세닐리덴)-1-메틸-시클로헥센 (CAS Reg. No. 90458-95-0), 1-메틸-4-(1-메틸에틸리덴)-시클로헥센 (CAS Reg. No. 83259-95-4), 2,5-디메틸-(Z 또는 E)-2,5-헵타디엔 (CAS Reg. Nos. 83180-40-9, 83180-39-6), 2-메틸-5-(1-메틸에틸리덴)-1,3-시클로 헥사디엔 (CAS Reg. No. 81719-66-6), 2,6,10-트리메틸-(E 또는 Z, Z 또는 E)-2,6,9-테트라데카트리엔 (CAS Reg. No. 80873-82-1), 6-메틸-(Z 또는 E, E 또는 Z)-2,5-도데카디엔 (CAS Reg. Nos. 80873-79-6, 80873-78-5), 2,3,6-트리메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6-옥타트리엔 (CAS Reg. No. 80651-22-5), 테트라히드로-3,7,11-트리메틸-1,3,6,10-도데카테트라엔 (CAS Reg. No. 80338-47-2), 3,4,7,11-테트라메틸-1,3,6,10-도데카테트라엔 (CAS Reg. No. 7983-34-9), 3,4,7,11-테트라메틸-(Z 또는 E, Z 또는 E)-1,3,6,10-도데카테트라엔 (CAS Reg. No. 79383-33-8), 2,6-디메틸-4-메틸렌-2,5-헵타디엔 (CAS Reg. No. 77832-43-6), 5-에틸-2-메틸-2,5-헵타디엔 (CAS Reg. No. 78811-91-3), 2,5-디메틸-2,5-헵타디엔 또는 옥타디엔 (CAS Reg. Nos. 78811-90-2, 78811-89-9), 3,7,11-트리메틸-도데카트리엔 (CAS Reg. No. 78339-48-7), 2,4,6,6,8-펜타메틸-(E 또는 Z)-2,4,7-노나트리엔 (CAS Reg. No. 78310-14-2), 3,7-디에틸-11-메틸-1,3,6,10-트리데카테트라엔 (CAS Reg. No. 78216-57-6), 7-에틸-3,11-디메틸-1,3,6,10-트리데카테트라엔 (CAS Reg. No. 78183-46-7), 2,6-디메틸-(E 또는 Z)-2,5-도데카디엔 (CAS Reg. No. 77958-38-4), 2,6,10-트리메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-2,6,9-테트라데카트리엔 (CAS Reg. No. 77958-36-2), 3,7,11,15-테트라메틸-(Z 또는 E, E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,10,14-헥사데카펜타엔 (CAS Reg. No. 77898-98-7), 3,7,11,15-테트라메틸-(3E 또는 3Z, 6E 또는 6Z, 10E 또는 10Z)-1,3,6,10,14-헥사데카펜타엔 (CAS Reg. No. 77898-97-6), 1-에테닐-4-(1-메틸에틸리덴)-시클로헥센 (CAS Reg. No. 77142-28-0), 1-메틸-6-메틸렌-4-(1-메틸에틸리덴)-시클로헥센 (CAS Reg. No. 77142-23-5), 3,7,11-트리 메틸-1,3,6-도데카트리엔 (CAS Reg. No. 74253-06-8), 4-(1,5-디메틸헥실리덴)-1-메틸-시클로헥센 (CAS Reg. No. 74253-05-7), 7-에틸-3,11-디메틸-(3Z 또는 3E, 6E 또는 6Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔 (CAS Reg. No. 73690-00-3), 1,3,3',4,4',16-헥사데히드로-1,2-디히드로-2,2'-비스(3-카로텐) (CAS Reg. No. 77365-74-9), 7-메틸-(Z 또는 E, Z 또는 E)-3,6-도데카디엔 (CAS Reg. Nos. 72858-64-1, 72858-63-0), 6-에틸리덴-2,3,10-트리메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,9-운데카트리엔 (CAS Reg. No. 72564-39-7), 2,3,6,7,10,11-헥사메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔 (CAS Reg. No. 72564-36-4), 2,3,6,7-테트라메틸-(E 또는 Z)-1,3,6-옥타트리엔 (CAS Reg. No. 72564-35-3), 2,7,11-트리메틸-1,3,6,11-도데카테트라엔 (CAS Reg. No. 71803-35-5), 3,7,11,15,19,23,27,31,35-노나메틸-1,3,6,10,14,18,22,26,30,34-헥사트리아콘타데카엔 (CAS Reg. No. 71278-21-2), 2,6-디메틸-9-프로필-2,6,9-트리데카트리엔 (CAS Reg. No. 70602-78-7), 3,6-디메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6-옥타트리엔 (CAS Reg. No. 70569-76-5), 3,7-디에틸-11-메틸-(3Z 또는 3E, 6E 또는 6Z), 1,3,6,10-트리데카테트라엔 (CAS Reg. No. 70239-70-2), 7-에틸-3,11-디메틸-(3Z 또는 3E, 6E 또는 6Z)-1,3,6,10-트리데카테트라엔 (CAS Reg. No. 70234-77-4), 1-메틸-4-(5-메틸-4-헥세닐리덴)-(4E 또는 4Z)-시클로헥센 (CAS Reg. No. 66916-06-9), 2,6,10-트리메틸-(Z 또는 E)-2,5,9-운데카트리엔 (CAS Reg. Nos. 68974-97-0, 68974-96-9), 2,6,7,7-테트라메틸-(Z 또는 E)-2,5-옥타디엔 (CAS Reg. Nos. 68974-95-8, 68974-94-7), 2,6,10,11,11-펜타메틸-2,6,9-도데카트리엔 (CAS Reg. No. 68965-68-4), 2,6,10-트 리메틸-2,6,9-테트라데카트리엔 (CAS Reg. No. 68965-67-3), 2,6-디메틸-(Z 또는 E)-2,5-데카디엔 (CAS Reg. Nos. 68965-66-2, 68965-65-1), 6,10-디메틸-1,6,9-운데카트리엔-4-인 (CAS Reg. No. 68483-39-6), 2,3,6-트리메틸-2,5-헵타디엔 (CAS Reg. No. 67796-57-0), 2,4-디메틸-(E 또는 Z)-2,5-헵타디엔 (CAS Reg. No. 67796-55-8), 2,7,11-트리메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,11-도데카테트라엔 (CAS Reg. No. 67023-83-0), 6-에틸-3-메틸-2,5-데카디엔 (CAS Reg. No. 65668-94-2), 2,6,10-트리메틸-(Z 또는 E)-2,5-운데카디엔 (CAS Reg. Nos. 64583-07-9, 64583-04-6), 3,7-디메틸-3,6-옥타디엔-1-인 (CAS Reg. No. 64547-65-5), 2,7,10-트리메틸-1,6,9-운데카트리엔 (CAS Reg. No. 61058-91-1), 4,5-디메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z, E 또는 Z)-3,5,8-운데카트리엔 (CAS Reg. No. 59681-86-6), 4,5-디메틸-2,5,8-운데카트리엔 (CAS Reg. No. 59681-84-4), 1'-[4-메틸-2-(2-메틸-1-프로페닐)-1,3-펜타디에닐리덴]비스-벤젠, 1 (CAS Reg. No. 55861-06-8), 4-(1,5-디메틸-4-헥세닐리덴)-1-메틸-(4E 또는 4Z)-시클로헥센 (CAS Reg. No. 53585-13-0), 2,6,11,15-테트라메틸-(Z 또는 E)-2,6,9,14-헥사데카테트라엔 (CAS Reg. Nos. 53254-62-9, 53254-61-8), [3-메틸-1-(2-메틸-1-프로페닐)-2-부테닐]-벤젠 (CAS Reg. No. 53210-24-5), 2,6,11-트리메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-2,6,9-도데카트리엔 (CAS Reg. No. 51795-79-0), 2,6-디메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-2,6,9-도데카트리엔 (CAS Reg. No. 51795-74-5), 2,3,6,7,10,11-헥사메틸-1,3,6,11-도데카테트라엔 (CAS Reg. No. 45214-38-8), 19-메틸-1-(2-메틸-1-2,4,6,8,10,12,14,16,18-에이코사노나에닐륨 (CAS Reg. No. 40544-26-1), 17-메틸-1-(2-메틸-1-프로페닐)- 2,4,6,8,10,12,14,16-옥타데카옥타에닐륨 (CAS Reg. No. 40544-25-0), 15-메틸-1-(2-메틸-1-프로페닐)-2,4,6,8,10,12,14-헥사데카헵타에닐륨 (CAS Reg. No. 40544-24-9), 13-메틸-1-(2-메틸-1-프로페닐)-2,4,6,8,10,12-테트라데카헥사에닐륨 (CAS Reg. No. 40544-23-8), 11-메틸-1-(2-메틸-1-프로페닐)-2,4,6,8,10-도데카펜타에닐륨 (CAS Reg. No. 40544-22-7), 9-메틸-1-(2-메틸-1-프로페닐)-2,4,6,8-데카테트라에닐륨 (CAS Reg. No. 40544-21-6), 7-메틸-1-(2-메틸-1-프로페닐)-2,4,6-옥타트리에닐륨 (CAS Reg. No. 40544-20-5), 4-에틸리덴-2,6-디메틸-2,5-헵타디엔 (CAS Reg. No. 39117-23-2), 3,7,11-트리메틸-(E 또는 Z)-3,6,11-도데카트리엔-1-인 (CAS Reg. No. 36629-58-0), 3,7-디메틸-(3E 또는 3Z)-3,6-옥타디엔-1-인 (CAS Reg. Nos. 36602-32-1, 36602-31-0), 3,7-디메틸-(E 또는 Z)-3,6-노나디엔-1-인 (CAS Reg. Nos. 36597-67-8, 36597-66-7), 3,6,7-트리메틸-(E 또는 Z)-3,6-옥타디엔-1-인 (CAS Reg. Nos. 36597-64-5, 36957-63-4), 7-에틸-3-메틸-(E 또는 Z)-3,6-노나디엔-1-인 (CAS Reg. Nos. 36597-61-2, 36597-60-1), 3,7,11-트리메틸-(Z 또는 E)-3,6,11-도데카트리엔-1-인 (CAS Reg. Nos. 36597-58-7, 36597-56-5, 36597-56-4), 2,3,6,7,10,11-헥사메틸-1,3,6,11-도데카테트라엔 (CAS Reg. No. 34888-55-6), 2,6-디메틸-2,5-헵타디엔 (CAS Reg. No. 34484-31-6), 2-메틸-2,5-헵타디엔 (CAS Reg. No. 34484-29-2), 3,6,10-트리메틸-2,5,7,10-도데타테트라엔 (CAS Reg. No. 32945-35-0), 2,7,10-트리메틸-1,3,7,10-도데카테트라엔 (CAS Reg. No. 32925-31-8), 3,6-디메틸-1,3,6-옥타트리엔 (CAS Reg. No. 32778-25-9), 12-(2,2-디메틸-6-메틸렌시클로헥실)-3,8,8-트리메틸-11-메틸렌-(E 또는 Z)-(S)-1,3,6-도데카트리엔 (CAS Reg. No. 29738-44-1), 오시멘 (CAS Reg. No. 29223-32-3), 3,7,11-트리메틸-(3Z 또는 3E, 6Z 또는 6E)-1,3,6,10-도데카테트라엔 (CAS Reg. Nos. 28973-99-1, 28973-98-0, 26560-14-5), 2-메틸-4-메틸렌-2,5-헵타디엔 (CAS Reg. No. 24498-9-5), 3,8,8,14,18-펜타메틸-11-메틸렌-(E 또는 Z)-1,3,6,13,17-노나데카펜타엔 (CAS Reg. No. 23192-59-8), 2,7-디메틸-2,5-옥타디엔 (CAS Reg. No. 20733-73-7), 3,8,8,14,18-펜타메틸-11-메틸렌-(E 또는 Z, E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,13,17-노나데카펜타엔 (CAS Reg. No. 19953-95-8), 6,10-디메틸-2,4,6,9-운데카테트라엔 (CAS Reg. No. 19048-50-1), 2-메틸-(Z 또는 E)-2,5-헵타디엔 (CAS Reg. No. 18316-09-1), 2-메틸-(E 또는 Z)-2,5-헵타디엔 (CAS Reg. No. 18316-08-0), 3,7-디메틸-1,3,6-옥타트리엔 (CAS Reg. No. 13877-91-3), 4-(1,5-디메틸-4-헥세닐리덴)-1-메틸-(4Z 또는 4E)-시클로헥센 (CAS Reg. No. 13062-00-5), 2,6,10,14,19,22,27,31-옥타메틸-2,6,10,14,16,18,22,26,30-도트리아콘타노나엔 (CAS Reg. No. 13050-81-2), 2,6-디메틸-2,5-헵타디엔 (CAS Reg. No. 6090-16-0), 4-(1,5-디메틸-4-헥세닐리덴)-1-메틸-시클로헥센 (CAS Reg. No. 5957-36-8), 3,7-디메틸-(3E 또는 3Z)-1,3,6-옥타트리엔 (CAS Reg. No. 3779-61-1), 2,6,10,14,19,23,31-헵타메틸-2,5,10,14,16,18,22,26,29-도트리아콘타노나엔 (CAS Reg. No. 3625-51-2), 3,7-디메틸-(3Z 또는 3E)-1,3,6-옥타트리엔 (CAS Reg. No. 3338-55-4), 3-메틸-1-(2-메틸-1-프로페닐-(E 또는 Z)-2-펜테닐 (CAS Reg. No. 3229-66-1), 2,6-디메틸-4-(2-메틸프로페닐)-1,3,5-헵타트리엔 (CAS Reg. No. 1606-44-6), 2,6-디메틸-4-메틸렌-2,5-헵타디엔 (CAS Reg. No. 927-02-6), 1-메틸- 4-(1-메틸에틸리덴)-시클로헥센 (CAS Reg. No. 586-62-9), 3,7,11-트리메틸-(3E 또는 3Z, 6E 또는 6Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔 (CAS Reg. No. 502-61-4), 4-(1,5-디메틸-4-헥세닐리덴)-1-메틸-시클로헥센 (CAS Reg. No. 495-62-5), 이소프렌, 미르센, 디히드로미렌, 리날로올, 테르피넨 (α, β 및 γ), 리모넨, 테르피놀렌, 멘타디엔 (p-3,8 또는 p-2,4), 게라니올, 네롤, 게라닐아세테이트, 네릴 아세테이트, 네롤리돌 (CAS Reg. No. 7212-44-4), 파르네솔 (CAS Reg. No. 4602-14-0), 데히드로네롤리돌 (CAS Reg. No. 2387-68-0), α-비사볼롤, 발란센, 누트카텐, 누트카톤, 디메틸-2,4,6-옥타트리엔, β-펠란드렌스 (CAS Reg. No. 6153-17-9), 피페리톨 (-, 시스 및 +, 트랜스) (CAS Reg. Nos. 65733-28-0, 65733-2-9), 1-메틸-1,4-시클로헥사디엔, 메틸 시클로펜타디엔 이량체, 에틸리덴 노르보르넨, 디펜텐, 카르베스트렌, 카르본 (- 또는 +), 알로오시멘 [4-트랜스-6-시스 (CAS Reg. No. 7216-56-0) 및 4-트랜스-6-트랜스 (CAS Reg. No. 3016-19-1)], 알로오시메놀 (CAS Reg. No. 18479-54-4), 이오노머 (CAS Reg. Nos. 127-41-3, 14901-07-6), 구아이아줄렌, 라노스테롤 (CAS Reg. No. 76-63-0), 스쿠알렌 (CAS Reg. No. 111-02-4), 리코펜 (CAS Reg. No. 502-65-8), 및 카로텐 [β및 γ(CAS Reg. Nos. 7235-40-7, 472-94-5)]으로부터 제조된 디옥시란 또는 폴리옥시란 및 디티이란 또는 폴리티이란 화합물들이 포함된다.
물론, 통상의 에폭시 화합물의 존재 또는 부재하에 이들 화합물의 조합을 사용할 수 있으나, 단, 이들 화합물로부터 단독 성분으로서 미국 특허 제5,948,922호 (Ober) 및 제5,973,033호 (Ober)의 교시 내용에 포함되는 화합물은 제외된다. 즉, 이들 화합물로부터 단독 성분으로서 제외되는 것은 하기 화학식의 에폭시 화합물이다:
Figure 112002031859518-pct00006

상기 식에서, R은 독립적으로 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, tert-부틸, C1-4알콕시, 할로겐, 시아노 및 니트로로부터 선택되고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 메틸, 에틸 및 프로필로부터 선택되나, 단, R1과 R2 모두가 수소일 수는 없고, R3은 독립적으로 수소, 메틸, 에틸, 프로필 및 이소프로필로부터 선택되나, 단, R3a와 R3b 중 적어도 하나 및 R3c와 R3d 중 적어도 하나는 독립적으로 메틸, 에틸, 프로필 및 이소프로필로부터 선택되며, m은 0 또는 1이다.
특히 바람직한 화학식 I의 에폭시 또는 옥시란 화합물에는 리모넨 디에폭시드 및 감마-테르피넨 디에폭시드가 포함된다. 리모넨 디에폭시드는 일본 다이셀 화학 주식회사(Daicel Chem. Co., Ltd.)의 상표명 "CELLOXIDE" 3000으로 구입할 수 있다.
특히 바람직한 다른 에폭시 또는 옥시란 화합물에는 메틸 시클로펜타디엔 디에폭시드 이량체 ("MCPD 이량체"), 에틸리덴 노르보르넨 디에폭시드 ("ENB 디에폭시드") 및 노폴 에폭시드 글리시딜 에테르 ("NEGE")가 포함된다.
옥시란 또는 티이란 탄소상의 치환가능한 위치들 중 3곳 이상이, 탄소원자수 1 내지 약 12의 알킬, 알케닐 또는 아릴 치환기 (하나 이상의 헤테로원자 또는 할로겐에 의해 치환되거나 단속될 수 있음)로 각각 치환된 하나 이상의 옥시란 또는 티이란 결합을 갖는 에폭시 화합물이 경화성 수지 성분에서 하나 이상 존재하는 것은 적어도 부분적으로 작동하지 않는 어셈블리로부터 작동하는 전기 부품의 회복, 교환, 회수 및(또는) 재순환을 가능하게 한다.
옥시란 결합(들)을 갖는 화합물은 올레핀계 불포화 화합물로부터 제조할 수 있으며, 이들 중 많은 수가 2개 이상의 올레핀 결합을 갖고, 이들 올레핀 결합 중 적어도 하나는 에폭시 탄소의 치환가능한 위치들 중 적어도 3곳이, 탄소 원자수 1 내지 약 12의 알킬, 알케닐 또는 아릴 치환기 (하나 이상의 헤테로원자 또는 할로겐에 의해 치환되거나 단속될 수 있음)로 치환된다. 이어서 이러한 올레핀계 불포화 화합물은 올레핀 결합과 반응하여 옥시란 결합을 갖는 본 발명의 화합물을 형성하기에 적합한 양 및 조건하에서 에폭시화제와 접촉할 수 있다.
옥시란 결합을 형성하는데 유용한 적합한 에폭시화제에는 과산 (예를 들면, 퍼아세트산, 퍼벤조산, 메타-클로로퍼벤조산, 텅스텐산/과산화수소) (미국 특허 제4,562,276호 (Venturello) 및 제5,274,140호 (Venturello) 등 참조)이 포함되며, 반응은 올레핀 결합의 에폭시화가 거의 실질적으로 완결될 때까지, 통상적으로는 2 내지 18 시간의 기간 내에 수행된다.
하나 이상의 티이란 결합을 갖는 본 발명의 화합물의 제조에 있어서는 그 내용이 본원에서 참고로 포함되는 미국 특허 제3,378,522호 (Martin)에 기재된 바와 같은 통상의 합성 방법을 사용할 수 있다.
따라서, 특히 바람직한 화학식 I의 에피술피드 또는 티이란 화합물에는 리모넨, 감마-테르피넨, 메틸 시클로펜타디엔 이량체, 에틸리덴 노르보르넨 및 노폴 글리시딜 에테르의 에피술피드 또는 티이란이 포함된다.
무기 충전제 성분으로는 많은 물질들이 유용할 수도 있다. 예를 들면, 무기 충전제 성분에는 종종 퓸드 실리카와 같은 보강 실리카가 포함될 수 있으며, 이들 표면의 화학적 성질이 변형되도록 비처리 또는 처리될 수 있다. 실질적으로는 임의의 보강 퓸드 실리카가 사용될 수 있다.
특히 바람직한 것은 일본 아드마테츠(Admatechs)에서 상표명 SO-E5로 시판되는 실리카와 같은 이온 농도가 낮고, 입자 크기가 비교적 작은 것이다 (예를 들면, 약 2 미크론 범위와 같은 약 2 내지 10 미크론 범위).
무기 충전제 성분으로 사용하기에 바람직한 다른 물질에는 산화알루미늄, 질화규소, 질화알루미늄, 실리카-코팅된 질화알루미늄, 질화붕소 및 이들의 조합으로 구성되거나 포함하는 물질이 포함된다.
무기 충전제 성분은 본 발명의 조성물중에 70 중량% 이하, 예를 들어 약 5 내지 약 60 중량%, 특히 약 10 내지 약 50 중량%, 더욱 특히 약 15 내지 약 40 중량%, 더더욱 특히 약 20 내지 약 35 중량%, 예컨대 약 30 중량%의 양으로 존재할 수 있다.
경화제 성분은 본 발명의 조성물의 에폭시 수지 성분의 중합을 촉매화할 수 있는 물질을 포함해야 한다. 본 발명에서 사용하기에 바람직한 경화제에는 무수물 성분, 질소 함유 성분, 예를 들어 아민 화합물, 아미드 화합물, 및 이미다졸 화합물, 또는 이들의 조합이 포함된다.
본원에서 사용하기에 적합한 무수물 화합물에는 모노- 및 폴리-무수물, 예컨대 헥사히드로프탈산 무수물("HHPA"), 메틸 헥사히드로프탈산 무수물("MHHPA") (미국 사우스 캐롤라이나주 콜롬비아소재의 린다우 케미칼스, 인크(Lindau Chemicals, Inc.)에서 시판됨, 단독으로 사용하거나 조합으로서 사용함, 조합은 상표명 "LINDRIDE" 62C로 이용가능) 및 5-(2,5-디옥소테트라히드롤)-3-메틸-3-시클로헥센-1,2-디카르복실산 무수물 (미국 캔자스주 리우드소재 크리스케브사(ChrisKev Co.)에서 상표명 B-4400으로 시판됨)이 포함된다.
물론, 이들 무수물 화합물의 조합도 본 발명의 조성물에서 사용하기에 바람직하다.
질소 함유 화합물에는 아민 화합물, 예를 들면 폴리아민 및 디- 및 트리-아자 화합물, 개질 아민 화합물, 아미드 화합물, 이미다졸 화합물, 및 이들의 조합이 포함된다.
아민 화합물의 예에는 다음과 같은 알킬 폴리 아민이 포함된다: 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라아민, 디에틸아미노프로필아민 및 퀴녹살린.
디- 또는 트리-아자 화합물의 예로는 다음과 같은 화합물들이 포함되고,
Figure 112002031859518-pct00007
1,5-디아자비시클로[4.3.0]논-5-엔;
Figure 112002031859518-pct00008
1,8-디아자비시클로[5.4.0]운데스-7-엔("DBU"); 및
Figure 112002031859518-pct00009
1,5,7-트리아자비시클로[4.4.0]데스-5-엔;
비시클로 모노- 및 디-아자 화합물에는 다음과 같은 화합물들이 포함된다.
Figure 112002031859518-pct00010
퀴누클리딘; 및
Figure 112002031859518-pct00011
1,4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄
개질 아민 화합물의 예로는 아민 화합물을 에폭시 화합물에 첨가함으로써 생성된 에폭시 아민 첨가물이 포함된다.
물론, 이들 아민 화합물의 조합도 본 발명의 조성물에서 사용하기에 바람직하다.
아미드 화합물의 예로는 디시안디아미드와 같은 시아노-관능화 아미드가 포 함된다.
이미다졸 화합물은 이미다졸, 이소이미다졸, 및 치환 아미다졸, 예를 들면 알킬-치환 아미다졸 (예컨대, 2-메틸 이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2,4-디메틸이미다졸, 부틸이미다졸, 2-헵타데세닐-4-메틸이미다졸, 2-운데세닐이미다졸, 1-비닐-2-메틸이미다졸, 2-n-헵타데실이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-프로필-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-구안아미노에틸-2-메틸이미다졸 및 이미다졸과 트리멜리트산의 부가 생성물, 2-n-헵타데실-4-메틸이미다졸 등, 일반적으로 알킬 치환기 각각은 약 17개 이하의 탄소 원자를 함유하고, 바람직하게는 약 6개 이하의 탄소 원자를 함유함) 및 아릴-치환 아미다졸 (예컨대, 페닐이미다졸, 벤질이미다졸, 2-메틸-4,5-디페닐이미다졸, 2,3,5-트리페닐이미다졸, 2-스티릴이미다졸, 1-(도데실 벤질)-2-메틸이미다졸, 2-(2-히드록실-4-t-부틸페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 2-(2-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 2-(3-히드록시페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 2-(p-디메틸아미노페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 2-(2-히드록시페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 디(4,5-디페닐-2-이미다졸)-벤젠-1,4,2-나프틸-4,5-디페닐이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 2-p-메톡시스티릴이미다졸 등, 일반적으로 아릴 치환기 각각은 약 10개 이하의 탄소 원자를 함유하고, 바람직하게는 약 8개 이하의 탄소 원자를 함유함)로부터 선택될 수 있다.
시판되는 이미다졸 화합물은 예를 들어, 미국 펜실바니아주 알렌타운 소재 에어 프러덕츠(Air Products)의 상표명 "CUREZOL" 1B2MZ 및 미국 노스 캐롤라이나주 모간톤 소재 신트론, 인크.(Synthron Inc.)의 상표명 "ACTIRON" NXJ-60으로 구입할 수 있다.
개질 이미다졸 화합물의 예로는 이미다졸 화합물을 에폭시 화합물에 첨가하여 형성된 이미다졸 첨가 생성물이 포함된다. 예를 들면, 일본 도쿄 소재의 아지노모토사(Ajinomoto Co., Inc.)에서 시판되는 "AJICURE" PN-23은 EPON 828 (비스페놀-A-타입 에폭시 수지, 에폭시 등가물 184-194, 쉘 케미칼사(Shell Chemical Co.)에서 시판됨), 2-에틸-4-메틸이미다졸 및 프탈산 무수물의 첨가 생성물으로 여겨진다. 아지노모토사에서 시판되는 다른 화합물에는 "AMICURE" MY-24, "AMICURE" GG-216 및 "AMICURE" ATU CARBAMATE가 포함된다. 또한, 아사히-시바 리미티드 (Asahi-Ciba, Ltd.)에서 시판되는 "NOVACURE" HX-3722 (비스페놀 A 에폭시중에 분산된 이미다졸/비스페놀 A 에폭시 첨가 생성물) 및 "NOVACURE" HX-3921 HP도 사용할 수 있다.
물론, 이들 이미다졸 화합물의 조합도 본 발명의 조성물에서 사용하기에 적합하다.
경화제 성분은, 물론 경화제 성분의 종류 및 동등성에 따라 경화성 수지 성분의 중량을 기준으로 약 1 내지 약 100 중량%, 예를 들면 약 3 내지 약 50 중량%의 양으로 사용될 수 있다.
또한, 조성물은 실란 및(또는) 티타네이트와 같은 유동화제를 포함할 수도 있다.
본원에서 사용하기에 적합한 실란에는 옥틸 트리메톡시 실란 (미국 코넥티커트주 댄버리 소재 OSI 스페셜티즈사(Specialties Co.)의 상표명 A-137로 시판됨) 및 메타크릴옥시 프로필 트리메톡시 실란 (OSI의 상표명 A-174로 시판됨)이 포함된다.
본원에서 사용하기에 적합한 티타네이트에는 티탄 IV 테트라키스 [2,2-비스[(2-프로페닐옥시)메틸]-1-부탄올레이토-0] [비스(디트리데실포스피토-0), 디히드로겐]2 (미국 뉴저지주 베이욘 소재 켄리치 페트로케미칼, 인크(Kenrich Petrochemical Inc.)의 상표명 KR-55로 시판됨)이 포함된다.
유동화제가 사용되는 경우, 유동화제는 조성물 총 중량을 기준으로 약 5 중량% 이하, 예를 들면 약 0.05 중량% 내지 약 2 중량%, 바람직하게는 약 0.1 내지 약 1 중량%의 양으로 사용될 수 있다.
또한, 실란, 글리시딜 트리메톡시실란 (OSI의 상표명 A-187로 시판됨) 또는 감마-아미노 프로필 트리에톡시실란 (OSI의 상표명 A-1100으로 시판됨)과 같은 부착 촉진제가 사용될 수도 있다.
부착 촉진제가 사용되는 경우, 부착 촉진제는 조성물의 총 중량을 기준으로 약 1 내지 약 20 중량%, 예를 들면 약 5 내지 약 15 중량%, 바람직하게는 약 8 내지 약 12 중량%의 양으로 사용될 수 있다.
또한, 시아네이트 에스테르가 본 발명의 조성물에 사용될 수 있다. 본 발명의 조성물의 성분으로서 유용한 시아네이트 에스테르는 디시아네이토벤젠, 트리시 아네이토벤젠, 디시아네이토나프탈렌, 트리시아네이토나프탈렌, 디시아네이토비페닐, 비스(시아네이토페닐)메탄 및 그의 알킬 유도체, 비스(디할로시아네이토페닐)프로판, 비스(시아네이토페닐)에테르, 비스(시아네이토페닐)술피드, 비스(시아네이토페닐)프로판, 트리스(시아네이토페닐)포스파이트, 트리스(시아네이토페닐)포스페이트, 비스(할로시아네이토페닐)메탄, 시아네이트화 노볼락, 비스[시아네이토페닐(메틸에틸리덴)]벤젠, 시아네이트화 비스페놀-말단 열가소성 올리고머, 및 이들의 조합으로부터 선택할 수 있다.
더욱 구체적으로, 각 분자에서 하나 이상의 시아네이트 에스테르기를 갖는 아릴 화합물은 일반적으로 화학식 Ar(OCN)m (여기서, Ar은 방향족기이고, m은 2 내지 5의 정수임)으로 나타낼 수 있다. 방향족기 Ar은 6개 이상의 탄소 원자를 함유해야 하며, 예를 들면 벤젠, 비페닐, 나프탈렌, 안트라센, 피렌 등과 같은 방향족 탄화수소로부터 유도될 수 있다. 또한, 방향족기 Ar은 2개 이상의 방향족 고리가 브릿지기를 통해 서로 연결되어 있는 다핵 방향족 탄화수소로부터 유도될 수 있다. 노볼락형 페놀성 수지로부터 유도된 방향족기, 즉, 이들 페놀성 수지의 시아네이트 에스테르도 또한 포함된다. 또한, 방향족기 Ar은 고리에 부착된 비반응성 치환기를 더 포함할 수도 있다.
이러한 시아네이트 에스테르의 예에는 1,3-디시아네이토벤젠; 1,4-디시아네이토벤젠; 1,3,5-트리시아네이토벤젠; 1,3-, 1,4-, 1,6-, 1,8-, 2,6- 또는 2,7-디시아네이토나프탈렌; 1,3,6-트리시아네이토나프탈렌; 4,4'-디시아네이토-비페닐; 비스(4-시아네이토페닐)메탄 및 3,3',5,5'-테트라메틸 비스(4-시아네이토페닐)메탄; 2,2-비스(3,5-디클로로-4-시아네이토페닐)프로판; 2,2-비스(3,5-디브로모-4-디시아네이토페닐)프로판; 비스(4-시아네이토페닐)에테르; 비스(4-시아네이토페닐)술피드; 2,2-비스(4-시아네이토페닐)프로판; 트리스(4-시아네이토페닐)-포스파이트; 트리스(4-시아네이토페닐)포스페이트; 비스(3-클로로-4-시아네이토페닐)메탄; 시아네이트화 노볼락; 1,3-비스[4-시아네이토페닐-1-(메틸에틸리덴)]벤젠 및 시아네이트화 비스페놀-말단 폴리카르보네이트 또는 다른 열가소성 올리고머가 포함된다.
다른 시아네이트 에스테르에는 각각의 내용이 본원에서 참고로 포함되는 미국 특허 제4,477,629호 및 제4,528,366호에 기재된 시아네이트; 각각의 내용이 본원에서 참고로 포함되는 영국 특허 제1,305,702호에 기재된 시아네이트 에스테르 및 국제 특허 공개 WO 85/02184에 기재된 시아네이트 에스테르가 포함된다. 물론, 본 발명의 조성물의 이미다졸 성분에서 이들 시아네이트 에스테르의 조합도 또한 본원에서 바람직하게 사용된다.
본원에서 사용하기에 특히 바람직한 시아네이트 에스테르는 미국 뉴욕주 태리타운 소재 시바 스페셜티 케미칼스(Ciba Specialty Chemicals)의 상표명 "AROCY" L10 [1,1-디(4-시아네이토페닐에탄)]으로 구입할 수 있다.
시아네이트 에스테르가 사용되는 경우, 시아네이트 에스테르는 에폭시 수지 성분의 총 중량을 기준으로, 약 1 내지 약 20 중량%, 예를 들면 약 5 내지 약 15 중량%, 바람직하게는 약 8 내지 약 12 중량%의 양으로 사용될 수 있다.
또한, 통상적인 첨가제가 본 발명의 조성물에 사용되어 조성물, 경화 반응 생성물, 또는 이들 모두의 바람직한 특정 물성을 얻을 수 있다.
예를 들면, 특정한 경우 (특히, 무기 충전제 성분이 큰 부피로 사용되는 경우) 반응성 희석제와 같이, 경화성 수지 성분을 위한 반응성 공단량체 성분을 포함하는 것이 바람직할 수 있다.
본원에서 사용하기에 적합한 반응성 희석제는 일관능성 또는 특정 다관능성 에폭시 수지 및 에피술피드를 포함할 수 있다. 반응성 희석제의 점도는 경화성 수지 성분의 점도보다 낮아야 한다. 일반적으로, 반응성 희석제의 점도는 약 250 cps 미만이어야 한다. 일관능성 에폭시 수지가 반응성 희석제로서 포함되는 경우, 이러한 수지는 경화성 수지 성분의 중량을 기준으로 약 50 중량% 이하의 양으로 사용되어야 한다.
일관능성 에폭시 수지는 탄소 원자수 약 6 내지 약 28개의 알킬기가 포함된 에폭시기를 가져야 하며, 예로는 C6-28알킬 글리시딜 에테르, C6-28 지방산 글리시딜 에스테르 및 C6-28알킬페놀 글리시딜 에테르가 포함된다.
시판되는 일관능성 에폭시 수지 반응성 희석제에는 미국 미시건주 리치몬드 소재 퍼시픽 에폭시 폴리머즈(Pacific Epoxy Polymers)의 상표명 PEP-6770 (네오데칸도산의 글리시딜 에스테르), PEP-6740 (페닐 글리시딜 에테르) 및 PEP-6741 (부틸 글리시딜 에테르)가 포함된다.
시판되는 다관능성 에폭시 수지 반응성 희석제에는 퍼시픽 에폭시 폴리머즈의 상표명 PEP-6752 (트리메틸올프로판 트리실리시딜 에테르) 및 PEP-6760 (디글리 시딜 아닐린)이 포함된다.
본 발명의 조성물은 또한 지포제, 균염제, 염료 및 안료와 같은 다른 첨가제를 더 포함할 수 있다. 또한, 광중합 개시제가 본 발명의 조성물에 포함될 수 있으나, 단, 이러한 개시제는 본 발명의 조성물로부터 생성되는 조성물 또는 반응 생성물의 특성에 불리한 영향을 주지 않는다.
또한, 본 발명은 하기 화학식 III, IV 및 V로 나타낸 신규 디에폭시드 함유 화합물을 포함한다.
Figure 112002031859518-pct00012
Figure 112002031859518-pct00013
Figure 112002031859518-pct00014
상기 식에서, R4, R5, R6, R7, R8 및 R9는 각각 수소, 탄소 원자수 1 내지 8의 알킬, 탄소 원자수 2 내지 8의 알케닐 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되고, X 및 X1은 각각 0 및 S로부터 선택된다.
이러한 신규 디에폭시드 함유 화합물의 더욱 구체적인 예로는 하기 화학식 VI, VII, VIII, IX, X, XI, XII 및 XIII의 화합물이 포함된다.
Figure 112002031859518-pct00015
Figure 112002031859518-pct00016
Figure 112002031859518-pct00017
Figure 112002031859518-pct00018
Figure 112002031859518-pct00019
Figure 112002031859518-pct00020
Figure 112002031859518-pct00021
Figure 112002031859518-pct00022
본 발명의 열경화성 수지 조성물은 모든 성분들이 함께 혼합되어 있는 원-팩 타입(one-pack type) 또는 경화성 성분(들)이 한 부분에 포함되고 경화제가 다른 부분에 별도로 저장되어 사용전에만 함께 혼합되는 투-팩 타입(two-pack type)으로 될 수 있다.
사용하는 동안, 본 발명에 따른 열경화성 수지 조성물은 반도체 칩과 회로판 사이의 공간을 쉽게 침투하고 흐르거나, 또는 적어도 가열 또는 사용 조건 하에서 점도가 감소되어 쉽게 침투하고 흐르는 것으로 나타난다.
일반적으로, 열경화성 수지 조성물이 회로판과 반도체 소자 사이의 공간 (예, 10 내지 500 ㎛)에 침투하는 능력을 개선시키기 위해, 무기 충전제 성분의 존재량 (존재한다면)에 따라 25℃의 온도에서 점도가 500 내지 70,000 cps, 예컨대 800 내지 20,000 cps에 도달하도록 다양한 성분의 유형 및 비율을 선택함으로써 본 발명의 열경화성 수지 조성물을 제조하는 것이 바람직하다. 상기 점도에서, 조성물의 겔화 시간 또한 약 150℃의 온도에서 구체적인 시간 (예컨대 15초, 또는 1 또는 2분)으로 맞추어질 것이다. 이러한 경우, 본 발명의 조성물은 약 6시간 후 점도가 전혀 증가되지 않거나 거의 증가되지 않아야 한다. 이러한 겔화 시간에서, 조성물은 회로판과 반도체 소자 사이의 공간 (예를 들어 10 내지 500 ㎛)으로 비교적 신속히 침투하며, 조성물의 도포를 덜 효과적이게 만드는 점도의 증가 없이 수많은 어셈블리가 충전될 수 있다.
도 1은 본 발명의 열경화성 수지 조성물이 도포 및 경화된, 마운팅된 구조체 (즉, FC 팩키지)를 도시한 것이다.
FC 팩키지 (4)는 반도체 칩 (베어 칩) (2)와 캐리어 기판 (1) (예, 회로판)을 접속시키고, 이들 사이의 공간을 적합하게는 열경화성 수지 조성물 (3)로 밀봉시킴으로써 형성된다.
보다 구체적으로, 예를 들어 SBB 기술을 이용한 FC 반도체 소자의 어셈블리에서는, 반도체 칩 (2)가 전도성 접착제 페이트스 (예컨대 금속 충전된 에폭시)를 갖는 기판 상을 통과하여 반도체 칩 (2) 위에 층을 형성할 수 있다. 이 층은 보통 프린팅 메카니즘에 의해 형성된다. 전도성 접착제 페이스트는 캐리어 기판 또는 반도체 칩 위에 도포될 수 있다. 이를 위한 한 방법은 국제 특허 공개 공보 제PCT/FR95/00898호에 청구되고 기재된 스텐실을 이용하는 것이다. 별법으로, 이러한 접속은 이방성 전도성 접착제에 의해 이루어질 수도 있다 (참조, 국제 특허 공개 공보 제PCT/US97/13677호).
그 후, 반도체 (2)가 캐리어 기판 (1) 위에서 전극 (5 및 6)과 함께 정렬되고, 전도성 접착제 페이스트 또는 땜납의 패턴화층 (7 및 8)로 코팅되는 방식으로 반도체 칩 (2)가 캐리어 기판 (2) 상에 위치한다. 보통 열경화 메카니즘이 이용되나, 다양한 방식으로 전도성 접착제 페이스트를 경화시킬 수 있다.
신뢰도를 개선시키기 위해, 반도체 칩 (2)와 캐리어 기판 (1) 사이의 공간을 열경화성 수지 조성물 (3)으로 밀봉시킨다. 열경화성 수지 조성물의 경화된 생성물은 상기 공간을 완전히 충전시켜야 한다.
반도체 칩은 보통 폴리이미드-, 폴리-벤조시클로부탄- 또는 실리콘 니트리드-기재 물질로 코팅되어 환경적 부식을 부동화시킨다.
캐리어 기판은 Al2O3, SiN3 및 물라이트 (Al2O3-SiO 2)의 세라믹 기판; 내열성 수지의 기판 또는 테이프, 예컨대 폴리이미드; 유리 강화된 에폭시; 회로판으로도 일반적으로 이용되는 ABS 및 페놀성 기판 등으로부터 제작될 수 있다. 반도체 칩과 캐리어 기판 사이에는 임의의 전기 접속, 예컨대 고융점 땜납 또는 전기 (또는 이방성) 전도성 접착제 등에 의한 접속이 이용될 수 있다. 접속을 촉진시키기 위해 특히 SBB 기술에서는 전극을 와이어 결합 범프로서 형성할 수 있다.
반도체 칩을 캐리어 기판에 전기 접속시킨 후, 생성된 구조체에 대해 보통 접속성 시험 등을 수행한다. 상기 시험을 통과하면, 하기 설명되는 바와 같이 열경화성 수지 조성물을 이용하여 반도체 칩을 캐리어 기판에 고정시킨다. 이같은 방법에서 실패할 경우, 열경화성 수지 조성물을 이용하여 반도체 칩을 캐리어 기판에 고정시키기 전에 반도체 칩을 제거할 수 있다.
적합한 도포 수단, 예컨대 디스펜서를 이용하여, 본 발명에 따른 열경화성 수지 조성물을 전기 접속된 반도체 칩의 주변부에 도포한다. 조성물은 캐리어 기판과 반도체 칩 사이의 공간으로 모세관 작용에 의해 침투한다.
다음, 열을 가함으로써 열경화성 수지 조성물을 열경화시킨다. 이 가열의 초기 단계 동안, 열경화성 수지 조성물은 점도가 상당히 감소되어 유동성이 증가되며, 이로써 캐리어 기판과 반도체 칩 사이의 공간으로 보다 용이하게 침투할 수 있다. 또한, 캐리어 기판을 예열시킴으로써 열경화성 수지 조성물을 캐리어 기판과 반도체 칩 사이의 전체 공간으로 충분히 침투시킨다.
본 발명의 열경화성 수지 조성물은 보통 약 0.5 내지 30분 동안 약 120 내지 약 180℃ 범위의 온도로 가열하여 경화시킬 수 있다. 그러나, 일반적으로 조성물을 도포한 후, 조성물의 초기 경화 시간은 약 1분으로 설정되고, 완전 경화는 약 165℃의 온도에서 약 5분 내지 약 15분 후에 관찰된다. 따라서, 본 발명의 조성물은 비교적 중온 및 단시간의 경화 조건에서 이용될 수 있으며, 이로써 매우 양호한 생산성이 달성될 수 있다.
도포되는 열경화성 수지 조성물의 양은 캐리어 기판과 반도체 칩 사이의 공간을 거의 완전히 충전시키도록 적합하게 조정되어야 하며, 물론 그 양은 적용에 따라 매우 달라질 수 있다.
본 발명의 열경화성 수지 조성물의 경화된 반응 생성물은 본원에서 이용되는 적용을 위해 우수한 접착력, 내열성 및 전기적 특성, 및 허용가능한 기계적 특성, 예컨대 굴곡-균열 내성, 내약품성, 내수성 등을 나타낸다.
본 발명의 열경화성 수지 조성물을 이용하는 마운팅 공정에서는, 반도체 소자를 상기 기재한 바와 같이 회로판 위에 마운팅시킨 후, 생성된 구조체를 반도체 소자의 특성, 반도체 소자와 회로판 사이의 접속, 다른 전기적 특성, 및 밀봉 상태에 대해 시험한다. 실패한 경우에는, 하기하는 방식으로 도 2에 도시한 흐름도에 나타낸 바와 같이 복구시킬 수 있다.
실패한 반도체 소자 둘레 영역을 약 190 내지 약 260℃의 온도에서 약 10초 내지 약 2분 동안 가열한다 (도 2의 단계 1 참조). 바람직하게는, 온도를 약 210 내지 약 220℃의 범위로 유지시켜야 하고, 가열 시간은 30초 내지 2분의 범위이어 야 한다. 가열 건으로 실패한 부위에 고온 공기를 가하는 것과 같이 국부 가열하는 것이 특히 바람직하다.
땜납을 용융시키고 수지를 부분 증착에 의해 연화시켜 결합 강도를 감소시킨 후, 예를 들어 핀셋 또는 집게를 이용하거나 또는 자동화 공정을 통해 반도체 소자를 잡아 당겨서 기판으로부터 제거할 수 있다.
반도체 소자 (4)를 제거한 후에는, 열경화성 수지 조성물의 경화된 반응 생성물의 잔류물 및 땜납의 잔류물이 회로판 (5) 위에 남아 있다. 열경화성 수지 조성물의 경화된 반응 생성물의 잔류물은, 예를 들어 잔류물을 소정 온도로 가열하여 연화시킨 후 폐기시킴으로써 제거할 수 있다. 땝납의 잔류물은, 예를 들어 땝납 흡수 망상 와이어를 이용하여 제거할 수 있다 (도 2의 단계 2 참조). 별법으로, 약 25,000 rpm 이상의 드레멜에 이어서 평말단 마모 브러쉬 (flat-end horse hair brush)를 이용하면 목적하는 결과가 달성될 것이다.
마지막으로, 새로운 반도체 칩을 회로판 (상기 기재된 바와 같이 플럭싱에 의해 세척된 것) 위에 다시 마운팅시킬 수 있다 (도 2의 단계 3 참조). 마운팅시킨 후, 본 발명에 따른 열경화성 수지 조성물을 반도체 소자와 회로판 사이의 영역에 분배하여 경화시킬 수 있다 (도 2의 단계 4 참조). 이로써 실패 부위의 복구가 완료된다.
실패 부위가 회로판에서 발견되면, 반도체 소자의 바닥에 남아 있는 열경화성 수지 조성물의 경화된 반응 생성물의 잔류물 및 땝납의 잔류물을 상기 기재된 것과 동일한 방식으로 제거함으로써 반도체 소자를 재이용할 수 있다.
본 발명은 하기 실시예를 참고하여 보다 쉽게 설명될 것이다.
<에폭시드의 합성>
리모넨 [125 g (477 mmol)] 및 메틸렌 클로라이드 (1000 ml)을 반응 플라스크에 첨가하였고, 생성된 용액을 빙조를 이용하여 약 0 내지 약 10℃ 범위의 온도로 냉각시켰다. 다음, 70％ m-클로로퍼벤조산 [259.5 g (1050 mmol)]을 소량씩 증가시키면서 약 110분에에 걸쳐 온도를 약 15℃ 미만으로 유지시키고 교반하면서 첨가하였다. 온도를 약 15℃ 미만으로 유지시키면서 반응 혼합물을 밤새 교반하였다. m-클로로벤조산이 침전물로 형성되었고, 이를 여과 제거하고, 유기 여액을 10％ 수성 Na2SO3 500 ml로 2회, 포화 Na2CO3 수용액 500 ml로 2회, 및 물 500 ml로 2회 세척하였다. 유기층을 분리하고, 무수 MgS04 상에서 건조시킨 다음 여과하였다. 다음, 염기성 알루미나 (50 g)을 유기 여액에 첨가하고, 혼합물을 약 45분 동안 교반한 다음 여과하였다. 유기 용매를 감압하에 제거하고, 생성된 생성물을 진공 증류하였다. 리모넨 디에폭시드가 120.7 g (86％ 수율)의 양으로 수득되었다.
Figure 112002031859518-pct00023
감마-테르피넨 디에폭시드, 메틸 시클로펜타디엔 이합체 디에폭시드 및 에틸리덴 노르보르넨 디에폭시드를 동일한 방식으로 제조하였다. 이들의 스펙트럼 데 이타는 다음과 같다:
Figure 112002031859518-pct00024
이들 디엔 디에폭시드의 수율 및 비점을 하기 표 1에 나타내었다.
Figure 112002031859518-pct00025
노폴 에폭시드 글리시딜 에테르는 다음과 같이 제조하였다:
기계적 교반기, 온도계 및 응축기가 장착된 4-목 1000 ml 반응 플라스크에 수성 NaOH 200 ml (50 중량％), 에피브로모히드린 (144.3 g, 1.03 mol) 및 테트라부틸암모늄 히드로겐 술페이트 (4.2 g, 12 mmol)을 첨가하였다. 혼합물을 실온에서 약 20분 동안 강력 교반하여 담황색이 되었다. 다음, 혼합물을 얼음/물 조에서 약 10℃의 온도로 냉각시켰다. 혼합물에 (1R)-(-)-노폴 (50 g, 295 mmol)을 약 30 분에 걸쳐 적가하였다. 첨가하는 동안 반응 온도를 약 10℃ 또는 그 근처의 온도로 유지시켰다. 얼음/물 조를 제거하고, 혼합물을 밤새 교반하면서 주위 온도로 가온시켰다. 다음, 빙온수 500 ml을 약 15분에 걸쳐 첨가하여 반응 혼합물을 켄칭시키고, 약 20분 더 교반하였다. 혼합물을 2리터 분리 깔대기에 옮기고, 여기서 디에틸 에테르 200 ml로 2회 추출하였다. 다음, 유기 부분을 포화 수성 NaCl 200 ml로 2회 세척하고, 분리하고, 무수 MgSO4 상에서 건조시킨 다음, 여과하였다. 여과한 후, 용매를 감압하에 제거하였다. 조 생성물을 진공 증류하여, 주위 온도에서 비점이 약 94-96℃인 노폴 글리시딜 에테르 약 48.1 g (74％)을 수득하였다. 스펙트럼 데이타는 다음과 같다:
Figure 112002031859518-pct00026
기계적 교반기, 온도계 및 응축기가 장착된 4-목 500 ml 플라스크에 노폴 글리시딜 에테르 (48.2 g, 205.4 mmol) 및 메틸렌 클로라이드 (250 ml)을 첨가하였다. 이 용액에 70％ m-클로로퍼옥시벤조산 (53 g, 215 mmol)을 약 2시간에 걸쳐 첨가하였다. 첨가하는 동안 얼음/물 조를 이용하여 반응 온도를 약 15℃ 미만으로 유지시켰다. 첨가 완료 후, 반응 혼합물을 밤새 교반하고, 얼음/물 조에서 약 20℃ 미만의 온도로 유지시켰다. m-클로로벤조산이 침전물로 형성되었고, 이를 여과하고, 유기 여액을 10％ 수성 Na2SO3 200 ml로 2회, 포화 수성 NaHCO3 200 ml로 2 회, 및 물 200 ml로 2회 세척하였다. 유기층을 분리하고, 무수 MgSO4 상에서 건조시키고 여과하였다. 용매를 감압하에 제거하고, 조 생성물을 진공 증류하였다. 800 mTorr에서 비점이 110-113℃인 노폴 에폭시드 글리시딜 에테르 약 46.5 g (91 ％)을 수득하였다.
Figure 112002031859518-pct00027
<열경화성 수지 조성물>
제법
열경화성 수지 조성물 (샘플 번호 1)은 개방 용기에서 실온에서 약 10분 동안 하기 성분들을 함께 혼합하여 제조하였다.
1. 상기와 같이 제조된 리모넨 디에폭시드 51.7 중량％를 포함하는 에폭시 수지 성분, 및
2. MHHPA 46.5 중량％, 벤질디메틸 아민 0.8 중량％, 및 에틸렌 글리콜 1 중량％를 포함하는 경화제 성분.
4가지 추가의 조성물 (샘플 번호 2-5)를 리모넨 디에폭시드 대신에 동량의 감마-테르피넨 디에폭시드, '922호 특허의 화합물 XVI, 및 시판되는 에폭시 수지인 ERL-4221 및 RE-404-S를 이용하여 상기 방식으로 제조하였다 [표 2(a) 참조].
추가의 열경화성 수지 조성물 (샘플 번호 6)은 상기 기재된 바와 같이 하기 성분들을 함께 혼합하여 제조하였다:
1. 리모넨 디에폭시드 51.7 중량％를 포함하는 에폭시 수지 성분, 및
2. 디시안디아미드 4.7 중량％ 및 이미다졸 (상표명 "아크티론" NXJ-60 ("ACTIRON" NXJ-60)하에 신트론, 인크. (Synthron, Inc.)로부터 시판됨) 1.9 중량％를 포함하는 경화제 성분.
4가지 추가의 조성물 (샘플 번호 7-10)은 리모넨 디에폭시드 대신에 동량의 감마-테르피넨 디에폭시드, '922호 특허의 화합물 XVI, 및 시판되는 에폭시 수지인 ERL-4221 및 RE-404-S를 이용하여 샘플 번호 6과 마찬가지로 제조하였다 [표 2(a) 참조].
Figure 112002031859518-pct00028
추가의 열경화성 수지 조성물 (샘플 번호 11)은 리모넨 디에폭시드/RE-404-S 조합으로부터 이미다졸/디시안디아미드 경화제를 이용하여 상기 기재된 바와 같이 하기 성분들을 함께 혼합하여 제조하였다:
1. 리모넨 디에폭시드 74.7 중량％ 및 RE-404-S 18.7 중량％를 포함하는 에폭시 수지 성분, 및
2. 디시안디아미드 4.7 중량％ 및 이미다졸, NXJ-60 1.9 중량％를 포함하는 경화제 성분.
2가지 추가의 조성물 (샘플 번호 12-13)은, 리모넨 디에폭시드의 중량％를 감소시키고 RE-404-S의 중량％를 증가시킨 것을 제외하고는 샘플 번호 11과 마찬가지로 제조하였다 [표 2(b) 참조].
추가의 열경화성 수지 조성물 (샘플 번호 14)은 테르피넨 디에폭시드/RE-404-S 조합을 기재로 하여 이미다졸/디시안디아미드 경화제를 이용하여 상기 기재된 바와 같이 하기 성분들을 함께 혼합하여 제조하였다:
1. 테르피넨 디에폭시드 74.7 중량％ 및 RE-404-S 18.7 중량％를 포함하는 에폭시 수지 성분, 및
2. 디시안디아미드 4.7 중량％ 및 이미다졸, NXJ-60 1.9 중량％를 포함하는 경화제 성분.
2가지 추가의 조성물 (샘플 번호 15-16)은 테르피넨 디에폭시드의 중량％를 감소시키고 RE-404-S의 중량％를 증가시킨 것을 제외하고는 샘플 번호 14와 마찬가지로 제조하였다 [표 2(b) 참조].
추가의 열경화성 수지 조성물 (샘플 번호 17)은 리모넨 디에폭시드/RE-404-S 조합을 기재로 하여 이미다졸/디시안디아미드 경화제를 이용하여 상기 기재된 바와 같이 하기 성분들을 함께 혼합하여 제조하였다:
1. 리모넨 디에폭시드 39.17 중량％ 및 RE-404-S 26.11 중량％를 포함하는 에폭시 수지 성분,
2. 이미다졸, NXJ-60 1.4 중량％ 및 디시안디아미드 3.14 중량％를 포함하는 경화제 성분,
3. 무기 충전제 성분, SO-E5 실리카 30 중량％, 및
4. 실란인 옥틸 (A-137, 0.06 중량％) 및 글리시딜 (A-187, 0.06 중량％), 및 티타네이트 (KR-55, 0.06 중량％)를 포함하는 유동화제.
5가지 추가의 조성물 (샘플 번호 18-21 및 25)은 리모넨 디에폭시드/RE-404-S 비율을 변화시키고, 샘플 번호 21 및 25의 경우에는 유동화제의 성분들의 중량％도 변화시킨 것을 제외하고는 마찬가지 방법으로 제조하였다 [표 2(b) 및 2(c) 참조].
Figure 112002031859518-pct00029
추가의 열경화성 수지 조성물 (샘플 번호 22)은 리모넨 디에폭시드/RE-404-S 조합을 기재로 하여 무수물 경화제를 이용하여 상기 기재된 바와 같이 하기 성분들을 함께 혼합하여 제조하였다:
1. 리모넨 디에폭시드 10.83 중량％ 및 RE-404-S 16.24 중량％를 포함하는 에폭시 수지 조성물,
2. 린드리드 (LINDRIDE) 62C 24.36 중량％, B-4400 2.71 중량％ 및 이미다졸, NXJ-60 0.11 중량％를 포함하는 경화제 성분,
3. 무기 충전제 성분, SO-E5 실리카 45 중량％,
4. 실란 (A-137, 0.09 중량％) 및 (A-187, 0.12 중량％), 및 티타네이트 (KR-55, 0.45 중량％)를 포함하는 유동화제, 및
5. 적색 안료 0.1 중량％.
2가지 추가의 조성물 (샘플 번호 23-24)은 리모넨 디에폭시드/RE-404-S 비율을 변화시키고, 무수물 경화제의 성분들의 중량％를 변화시키고, 무기 충전제 성분의 중량％를 변화시킨 것을 제외하고는 마찬가지로 제조하였다 [표 2(c) 참조].
Figure 112002031859518-pct00030
추가의 열경화성 수지 조성물 (샘플 번호 26)은 리모넨 디에폭시드 (상표명 "셀록시드" 3000 ("CELLOXIDE" 3000)하에 일본 소재의 다이셀 케미컬 코포레이션, 리미티드 (Daicel Chem. Co., Ltd.)로부터 시판됨)를 기재로 하여, 잠재성 경화제 (상표명 "노바큐어" HX-3921 HP ("NOVACURE" HX-3921 HP)하에 일본 소재의 아사이-시바, 리미티드 (Asahi-Ciba, Ltd.)로부터 시판됨)를 이용하고, 제2 에폭시 수지는 사용하지 않고 상기 기재된 바와 같이 하기 성분들을 함께 혼합하여 제조하였다:
1. 리모넨 디에폭시드 40 중량％를 포함하는 에폭시 수지 성분, 및
2. "노바큐어" HX-3921 HP 60 중량％를 포함하는 경화제 성분.
4가지 추가의 조성물 (샘플 번호 27-30)은 리모넨 디에폭시드/잠재성 경화제 비율을 변화시키고, 무기 충전제 성분을 다양한 중량％로 포함시키고, 샘플 번호 30에서는 제2 에폭시 수지를 포함시키는 것을 제외하고는 마찬가지 방법으로 제조하였다 [표 2(c) 참조].
Figure 112002031859518-pct00031
샘플 번호 31 및 32는 각각 에틸리덴 노르보르넨 디에폭시드 및 메틸 시클로펜타디엔 이합체 디에폭시드로부터 무수물 경화제를 이용하여 경화시켜 제조된 열경화성 수지 조성물이다. 샘플 번호 33-35는 다양한 비율의 리모넨 디에폭시드/RE-404-S 조합 (샘플 번호 21-25와 마찬가지임)을 기재로 하여 무수물 경화제, 이미다졸 경화제, 또는 둘다를 이용하여 경화시켜 제조한 열경화성 수지 조성물이다. 샘플 번호 36-40은 리모넨 디에폭시드를 기재로 하여 잠재성 경화제 (상표명 "노바큐어" HX-03921 HP하에 일본 소재의 아사이-시바, 리미티드로부터 시판됨)를 이용하여 경화시키고 무기 충전제를 사용하거나 사용하지 않고 제조한 열경화성 수지 조성물이다 [표 2(d) 참조].
추가의 열경화성 수지 조성물 (샘플 번호 41)은 리모넨 디에폭시드 (상표명 "셀록시드" 3000하에 일본 소재의 다이셀 케미컬 코포레이션, 리미티드로부터 시판됨)를 기재로 하여, 잠재성 경화제 (상표명 "노바큐어" HX-03921 HP하에 일본 소재의 아사이-시바, 리미티드로부터 시판됨)를 이용하여 경화시키고, 제2 에폭시 수지는 사용하지 않고, 상기 기재된 바와 같이 하기 성분들을 함께 혼합하여 제조하였다:
1. 리모넨 디에폭시드 40 중량％를 포함하는 에폭시 수지 성분, 및
2. "노바큐어" HX-3921 HP 60 중량％를 포함하는 경화제 성분.
9가지 추가의 조성물 (샘플 번호 42-49)은 에폭시 수지의 양과 유형을 언급한 바와 같이 변화시키고, 무기 충전제 성분을 다양한 중량％로 포함시키고, 샘플 번호 43 및 46-49에서는 제2 에폭시 수지를 포함시키고, 샘플 번호 47 및 48에서는 제3 에폭시 수지를 포함시키는 것을 제외하고는 마찬가지로 제조하였다 [표 2(e) 참조].
Figure 112002031859518-pct00032
하기 표 2(f)에, 무수물 경화제를 이용하여 경화시킨 상이한 비율의 RE-404-S와 메틸 시클로펜타디엔 이합체 디에폭시드, 에틸리덴 노르보르넨 디에폭시드 또는 노폴 에폭시드 글리시딜 에테르 조합을 샘플 번호 50-58로 나타내었고, 무수물 경화제를 이용하여 경화시킨 노폴 에폭시 글리시딜 에테르를 샘플 번호 59로 나타내었다.
Figure 112002031859518-pct00033
<저장 안정성>
조성물은 제조하자 마자 이용하나 (하기 참조), 점도가 증가되지 않으면서 약 -40℃의 온도에서 약 3 내지 약 6달 동안 저장할 수 있다.
제조한 후, 조성물을 비반응성 플라스틱으로 제조된 10 ml 시린지로 옮겼다.
<마운팅/언더필 공정>
크림 땜납 (PS10R-350A-F92C; 하리마 케미컬즈, 인크. (Harima Chemicals, Inc.) 제조)을 이용하여, 20 ㎟의 패키지, 0.5 mm의 전극 직경, 1.0 mm의 전극 피 치를 갖는 CSP, 및 알루미나로 제조된 캐리어 기판을, 회로판이 그위에 형성된 1.6 mm 두께의 유리 강화된 에폭시판 위에 마운팅시켰다.
특정 샘플 (샘플 번호 17-25)을 시린지에 연결된 12G 니들을 통해 상기와 같이 이미 형성된 캐리어 기판과 반도체 소자의 어셈블리 사이의 접합부로 분배하였다.
상기와 같이 분배한 후, 어셈블리를 온도가 약 165℃로 유지되는 오븐으로 옮겼다. 약 1분 후 조성물이 초기 경화되었고, 그 온도에서 그 후로 약 15분 후 완전히 경화되었다.
모든 샘플을 언더필 밀봉재로서 사용하기 보다는, 특정 샘플 (샘플 번호 1-16)을 알루미나 디쉬 위에 분배하여, 약 100℃의 승온에 약 2시간 동안 노출시킨 후, 약 140℃의 승온에 약 6시간 동안 노출시키는 단계적인 방식으로 경화시켜, 최종적으로 경화된 조성물이 관찰되었다.
<물리적 특성>
비경화된 및 경화된 상태 둘다에서 조성물은 측정가능하고 목적하는 필요에 따라 특정한 제형을 선택하는 최종 사용자에게 유용한 변수인 다양한 특성을 갖는다.
예를 들어, 비경화된 상태에서는 유동 시간이 중요하고, 경화된 상태에서는 경화 스케쥴이 중요하다.
유속은 최종 사용자가 제작 공정, 예컨대 회로 어셈블리 작업 동안에 접착제를 도포시킬 속도를 결정할 수 있게 한다. 이는 스페이서로서 금속 쐐기를 이용하 여 서로 평행하게 정렬시킨 유리 슬라이드들 사이의 0.25 ㎛ 갭으로 조성물을 통과시킴으로써 측정할 수 있다. 다음, 조성물이 슬라이드들 사이를 유동하는 데 필요한 시간을 약 0.25 인치 간격으로 약 1 인치 길이에서 측정하였다. 조성물의 유동 시간 (초)을 3회 측정의 평균값으로서 하기 표 3에 나타내었다.
경화 스케쥴은 특정 온도에서 경화를 개시시키는데 필요한 구체적인 시간을 말한다. 본 발명에 따라 제조된 특정 샘플에 대한 경화 스케쥴은 하기 표 3에서 보다 상세하게 알 수 있다.
Figure 112002031859518-pct00034
조성물이 그의 경화 스케쥴에 따라 경화되기 때문에, (공)중합 반응의 효과를 결정하는 데 반응 발열량 또는 엔탈피가 도움이 된다. 이 때, 반응 발열량은 시차 주사 열량계 ("DSC")로 측정한다.
피크 온도("T피크") 및 개시 온도 ("T개시")는 DSC 측정에 의해 측정할 수 있다. 이들 값은 적당한 최소 경화 시간, 경화 온도 범위, 최고 반응 온도, 및 각 온도에서의 상대적 경화 시간에 대한 정보를 제공한다 [표 4(a), 4(b) 및 4(c) 참조].
Figure 112002031859518-pct00035
Figure 112002031859518-pct00036
Figure 112002031859518-pct00037
경화된 상태에서는, 조성물을 결정하기 위해 최종 사용자에 따라 다양한 특성이 유용하다.
예를 들어, 접착성은 경화된 반응 생성물에 의해 형성된 결합의 강도에 대한 정보를 제공하며, 데이타는 표 5에 나타내었다. 이러한 접착성 평가에서, 다이 전단 접착성은, 언더필 밀봉재 (땝납 마스크 또는 칩 결합 접착제 없음)로서 경화된 반응 생성물에 의해 회로판에 부착된 다이를 떼어내는 데 필요한 전단 강도의 양 (Kgf)을 측정하는 세바스쳔 (Sebastion) 5 다이 전단력 측정 장치에 의해 측정한다.
Figure 112002031859518-pct00038
경화된 반응 생성물이 제어가능하게 분해될 수 있는 용이성은 재사용가능성을 결정한다. 경화된 반응 생성물의 중량이 온도 증가시에 시간에 따라 손실되는 정도는 열중량 분석법 ("TGA")에 의해 측정할 수 있으며, 이는 경화된 반응 생성물이 분해되는 온도 (또는 범위)에 대한 정보를 제공한다.
도 3-4는 무수물 경화제를 이용한 샘플 번호 1-5의 경화된 반응 생성물에 대한 TGA 데이타를 시판되는 에폭시 ERL-4221 (샘플 번호 4) 및 RE-404-S (샘플 번호 5), 및 '922호 및 '033호 특허의 화합물 XVI (샘플 번호 3)을 기재로 한 조성물의 경화된 반응 생성물에 대한 TGA 데이타와 비교하여 도시한 것이다.
도 5-6은 이미다졸/디시안디아미드 경화제를 이용한 샘플 번호 7-10의 경화된 반응 생성물에 대한 TGA 데이타를 시판되는 에폭시 ERL-4221 (샘플 번호 9) 및 RE-404-S (샘플 번호 10), 및 '922호 및 '033호 특허의 화합물 XVI (샘플 번호 8)을 기재로 한 조성물의 경화된 반응 생성물에 대한 TGA 데이타와 비교하여 도시한 것이다.
도 7-8은 이미다졸/디시안디아미드 경화제를 이용한 샘플 번호 10 및 11-16의 경화된 반응 생성물에 대한 TGA 데이타를 시판되는 RE-404-S를 기재로 한 조성물의 경화된 반응 생성물, 및 리모넨 디에폭시드/RE-404-S의 80:20, 70:30 및 60:40 조합 (샘플 번호 11-13) 및 테르피넨 디에폭시드 (샘플 번호 14-16)의 경화된 반응 생성물에 대한 TGA 데이타와 비교하여 도시한 것이다.
도 9-10은 샘플 번호 5 (RE-404-S), 32 (메틸 시클로펜타디엔 이합체 디에폭시드), 및 50-52 (메틸 시클로펜타디엔 이합체 디에폭시드/RE-404-S의 80:20, 60:40 및 40:60 조합으로 RE-404-S를 가짐)의 무수물 경화된 반응 생성물, 및 메틸 시클로펜타디엔 이합체 디에폭시드 (샘플 번호 32), 시판되는 에폭시 ERL-4221 (샘플 번호 4) 및 RE-404-S (샘플 번호 5), 및 '922호 및 '033호 특허의 화합물 XVI (샘플 번호 3)의 무수물 경화된 반응 생성물에 대한 TGA 데이타를 도시한 것이다.
도 11-12는 샘플 번호 5, 31 (에틸리덴 노르보르넨 디에폭시드), 53-55 (에틸리덴 노르보르넨 디에폭시드/RE-404-S의 80:20, 60:40 및 40:60 조합으로 RE-404-S를 가짐)의 무수물 경화된 반응 생성물, 및 에틸리덴 노르보르넨 디에폭시드 (샘플 번호 31), 시판되는 에폭시 ERL-4221 (샘플 번호 4) 및 RE-404-S (샘플 번호 5), 및 '922호 및 '033호 특허이 화합물 XVI (샘플 번호 3)의 무수물 경화된 반응 생성물에 대한 TGA 데이타를 도시한 것이다.
도 13-14는 샘플 번호 5, 55-58 및 59 (노폴 에폭시드 글리시딜 에테르) (노폴 에폭시드 글리시딜 에테르/RE404-S의 80:20, 60:40 및 40:60 조합으로 RE-404-S를 가짐)의 무수물 경화된 반응 생성물, 및 노폴 에폭시드 글리시딜 에테르 (샘플 번호 59), 시판되는 에폭시 ERL-4221 (샘플 번호 4) 및 RE-404-S (샘플 번호 5), 및 '922호 및 '033호 특허의 화합물 XVI (샘플 번호 3)의 무수물 경화된 반응 생성물에 대한 TGA 데이타를 도시한 것이다.
TGA 데이타는 본 발명의 조성물의 경화된 반응 생성물 (예, 샘플 번호 1-2 및 7-8)이 참고로 상기 제조된 시판되는 에폭시 수지 기재의 조성물의 경화된 반응 생성물보다 낮은 온도에서 분해되어 중량 손실이 일어난다는 것을 나타낸다.
실제 재사용가능성의 입증을 위해 샘플 번호 17-25, 42-46 및 49의 조성물을 이용하여 회로판에 고정시킨 다이 둘레의 영역을 고온 공기 발생기로 약 280℃의 공기 온도 (다이 온도 약 215-220℃)로 약 1 내지 약 2분 동안 가열하였다. 다음, 핀셋을 이용하여 약 20 내지 약 30초 동안 다이를 회로판으로부터 잡아 당기거나 비틀어서 다이를 제거할 수 있다. 다음, 회로판을 약 25,000 rpm의 드레멜을 이용한 후, 평말단 마모 브러스를 이용하여 세척하였다. 보통, 회로판 클리닝은 약 2 내지 약 3분 내에 이루어진다.
또한, 샘플 번호 26-30은 약 100℃의 온도로 약 60분 동안 국부 가열함으로써 재사용할 수 있다. 이들 샘플에 대해 재사용가능성 데이타가 관찰되었지만, 관찰된 데이타는 승온에서 단시간 동안으로 마찬가지로 개선될 것이다.
리모넨 디에폭시드 없이 에폭시 수지 성분의 밸런스를 이용하여 RE-404-S 에 폭시 수지를 이용하여 제조된 열경화성 수지 조성물 (예, 샘플 번호 5 또는 10)은 상기와 같이 분배 및 경화시켰을 때는 상기 기재된 방식으로 다이가 제거되지 않는다.
다음, 실패한 반도체 칩의 부위를 플럭싱시켜야 하고, 새로운 반도체 칩을 통상적인 플립 칩 기술을 이용하여 부착시킬 수 있다. 다음, 본원에 기재된 바와 같이, 본 발명의 열경화성 수지 조성물을 새로 교체된 반도체 칩의 주변 둘레에 도포하고, 적절한 온도로 가열하여 경화시킬 수 있다.
상기 기재된 샘플들은 본 발명의 조성물을 한정하는 것이 아니라 이를 설명을 위해 제시된 것이다. 여러 추가의 실시태양이 청구항에 정의된 본 발명의 개념 및 범위에 포함된다.

Claims (39)

  1. (a) 경화성 수지 성분, 및
    (b) 무수물 화합물, 아민 화합물, 아미드 화합물, 이미다졸 화합물 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 경화제 성분
    을 포함하는 조성물로서, 상기 성분 (a)의 적어도 일부는 옥시란 또는 티이란 탄소 상의 치환가능한 위치들 중 3곳 이상이 탄소원자수 1 내지 약 12의 알킬, 알케닐 또는 아릴 치환기 (하나 이상의 헤테로원자 또는 할로겐에 의해 치환되거나 단속될 수 있음)로 각각 치환된 옥시란 및 티이란으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 결합을 갖는 화합물 I이며, 단 이 화합물 I은 그의 유일한 성분으로서 하기 화학식 II의 화합물 내의 에폭시 화합물을 포함하지 않는 것인, 열경화성 수지 조성물.
    <화학식 II>
    Figure 112006021489217-pct00039
    상기 식에서,
    R은 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, tert-부틸, C1-4알콕시, 할로겐, 시아노 및 니트로로 이루어진 군으로부터 각각 독립적으로 선택되고,
    R1 및 R2는 수소, 메틸, 에틸 및 프로필로 이루어진 군으로부터 각각 독립적으로 선택되며, 단 R1 및 R2가 둘 다 수소일 수는 없고,
    R3는 프로필 및 이소프로필로부터 독립적으로 선택되며, 단 R3a 및 R3b 중 적어도 하나와 R3c 및 R3d 중 적어도 하나는 메틸, 에틸, 프로필 및 이소프로필로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되고,
    m은 0 또는 1이다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 조성물의 반응 생성물이 조성물을 경화시키는데 사용되는 온도보다 높은 온도 조건에 노출되었을 때 연화되어 그의 부착성을 상실할 수 있는 것인 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 경화성 수지 성분이, 옥시란 탄소 상의 치환가능한 위치들 중 3곳 이상이 탄소원자수 1 내지 약 12의 알킬, 알케닐 또는 아릴 치환기 (하나 이상의 헤테로원자 또는 할로겐에 의해 치환되거나 단속될 수 있음)로 치환된 하나 이상의 옥시란 결합을 갖는 화합물을 포함하는 것인 조성물.
  4. 제3항에 있어서, 하나 이상의 옥시란 결합을 갖는 화합물이 2,10-디메틸-6-메틸렌-4,8-비스(2-메틸-1-프로페닐 2,4,7,9-운데카테트라엔, 4-[(4E 또는 4Z)-1,5-디메틸-4-헵테닐리덴 또는 옥테닐리덴]-1-메틸-시클로헥센, 1,1'-[(1E 또는 1Z, 3E 또는 3Z)-5-(1,1-디메틸-2-프로페닐)-3-(3-메틸-2-부테닐)-1,3-펜타디엔-1,5-디일]비스-벤젠, 4,6-디메틸-[S 또는 R-(E 또는 Z, Z 또는 E)]-2,5-옥타디엔, 2,6,10,14-테트라메틸-7-(3-메틸-4-펜테닐)-2,5,9,13-펜타데카테트라엔, 7-에틸-3,11-디메틸-(3Z 또는 3E, 6E 또는 6Z, 1OZ 또는 10E)-1,3,6,10-트리데카테트라엔, 3,4,8-트리메틸-1,4,7-노나트리엔, 13-에틸-9-메틸-1,9,12-펜타데카테트라엔, 1-메틸-4-(2-메틸-6-헵테닐리덴)-시클로헥센, 2,6,11-트리메틸-(E 또는 Z)-2,5,10-도데카트리엔, 2,6-디메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-2,6,9-테트라데카트리엔, 7-(3-메틸-2-부테닐-(E 또는 Z)-6-도데센, 6-(3-메틸-2-부테닐)-(E 또는 Z)-6-도데센, 2,4,6,6,8-펜타메틸-2,4,7-노나트리엔, 3,7-디메틸-11-(메틸)-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔, 5-[3-메틸-1-(2-메틸-1-프로페닐)-2-부테닐리덴]-1,3-시클로펜타디엔, 4-[(4E 또는 4Z)-1,5-디메틸-4-헵테닐리덴]-1-메틸-(4Z 또는 4E)-시클로헥센, 3,7,11-트리메틸-1,3,6,10-도코사테트라엔, 3,7,11,15-테트라메틸-1,3,6,10-헥사데카테트라엔, 9-에틸-2,6-디메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-2,6,9-도데카트리엔, 2-메틸-5-프로필-(E 또는 Z)-2,5-노나디엔, 3,7,11-트리메틸-(Z 또는 E, E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔, 4,8,12-트리메틸-(Z 또는 E, E 또는 Z, E)-2,4,7,11-트리데카테트라엔, 1-메틸-4-(2-메틸-6-헵테닐리덴)-(E 또는 Z)-시클로헥센, 3-에틸-7,11-디메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔, 2,6,6,9-테트라메틸-7-(2-메틸-1-프로페닐)-2,4,8-데카트리엔, 2,7-디메틸-4,5-비스(2-메틸-1-프로페닐)-2,6-옥타디엔, 3,7-디메틸-1,3,6-옥타트리엔, 2-메틸-5-(1-메틸에틸리덴)-시클로헥센, 2,6-디메틸-5-(1-메틸에틸리덴)-1,3-시클로헥사디엔, 2,6-디메틸-2,5-데카디엔 또는 옥타디엔, 7-에틸-3,11-디메틸-1,3,6,10-도데카테트라엔, 2-메틸-(E 또는 Z)-2,5-옥타디엔, 7-에틸-3,11-디메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔, 2,7,11-트리메틸-(E 또는 Z)-2,5,10-도데카트리엔, 6,10-디메틸-(Z 또는 E, Z 또는 E)-2,6,9-운데카트리엔-4-인, 2,6-디메틸-(Z 또는 E)-2,5-도데카디엔, 2,7-디메틸-4,5-비스(2-메틸-1-프로페닐)-2,4,6-옥타트리엔, 2,3,6,7-테트라메틸-1,3,6-옥타트리엔, 2-메틸-5-프로필-(Z 또는 E)-2,5-도데카디엔, 2-메틸-5-(1-메틸에틸)-(E 또는 Z)-2,5-도데카디엔, 2-메틸-(Z 또는 E)-2,5-도데카디엔, 2,4,4-트리메틸-(E 또는 Z)-2,5-헵타디엔, 2,6-디메틸-2,5-옥타디엔, 3,4,7,11-테트라메틸-(E 또는 Z, Z 또는 E)-1,3,6,10-도데카테트라엔, 3,7,11-트리메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔, 4,8-디메틸-1,4,7-노나트리엔, 3,7,11,15-테트라메틸-1,3,6,10,14-헥사데카펜타엔, 2-메틸-(Z 또는 E)-2,5-펜타데카디엔, 2-메틸-5-(1-메틸에틸리덴)-2-데센, 2,6-디메틸-2,5,7-데카트리엔, 4,8-디메틸-2,4,7-노나트리엔, 15,19,23-트리메틸-15,18,22-헵타트리아콘타트리엔, 8-(2-메틸-1-프로페닐)-6-테트라데센, 3,7,11-트리메틸-(E 또는 Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔, 3,4-디데히드로-2-(3-메틸-2-부테닐)-카로텐, 7-에틸-3,11-디메틸-1,3,6,10-도데카테트라엔, 1,3-디메틸-4-프로필리덴-시클로펜텐, 2,7,11-트리메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔, 6,10-디메틸-1,4,6,9-운데카테트라엔, 2-(1-메틸에틸)-5-(1-메틸에틸리덴)-1,3-시클로헥사디엔, 2-에틸-5-에틸리덴-시클로헥사디엔, 2-메틸-5-(1-메틸에틸리덴)-1,3-시클로헥사디엔, 3,7,10-트리메틸-(Z 또는 E, E 또는 Z)-1,3,6-운데카트리엔, 4-(1,5-디메틸-4-헥세닐리덴)-1-메틸-시클로헥센, 1-메틸-4-(1-메틸에틸리덴)-시클로헥센, 2,5-디메틸-(Z 또는 E)-2,5-헵타디엔, 2-메틸-5-(1-메틸에틸리덴)-1,3-시클로헥사디엔, 2,6,10-트리메틸-(E 또는 Z, Z 또는 E)-2,6,9-테트라데카트리엔, 6-메틸-(Z 또는 E, E 또는 Z)-2,5-도데카디엔, 2,3,6-트리메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6-옥타트리엔, 테트라히드로-3,7,11-트리메틸-1,3,6,10-도데카테트라엔, 3,4,7,11-테트라메틸-1,3,6,10-도데카테트라엔, 3,4,7,11-테트라메틸-(Z 또는 E, Z 또는 E)-1,3,6,10-도데카테트라엔, 2,6-디메틸-4-메틸렌-2,5-헵타디엔, 5-에틸-2-메틸-2,5-헵타디엔, 2,5-디메틸-2,5-헵타디엔 또는 옥타디엔, 3,7,11-트리메틸-도데카트리엔, 2,4,6,6,8-펜타메틸-(E 또는 Z)-2,4,7-노나트리엔, 3,7-디에틸-11-메틸-1,3,6,10-트리데카테트라엔, 7-에틸-3,11-디메틸-1,3,6,10-트리데카테트라엔, 2,6-디메틸-(E 또는 Z)-2,5-도데카디엔, 2,6,10-트리메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-2,6,9-테트라데카트리엔, 3,7,11,15-테트라메틸-(Z 또는 E, E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,10,14-헥사데카펜타엔, 3,7,11,15-테트라메틸-(3E 또는 3Z, 6E 또는 6Z, 10E 또는 10Z)-1,3,6,10,14-헥사데카펜타엔, 1-에테닐-4-(1-메틸에틸리덴)-시클로헥센, 1-메틸-6-메틸렌-4-(1-메틸에틸리덴)-시클로헥센, 3,7,11-트리메틸-1,3,6-도데카트리엔, 4-(1,5-디메틸헥실리덴)-1-메틸시클로헥센, 7-에틸-3,11-디메틸-(3Z 또는 3E, 6E 또는 6Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔, 1,3,3',4,4',16-헥사데히드로-1,2-디히드로-2,2'-비스-3-카로텐, 7-메틸-(Z 또는 E, Z 또는 E)-3,6-도데카디엔, 6-에틸리덴-2,3,10-트리메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,9-운데카트리엔, 2,3,6,7,10,11-헥사메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔, 2,3,6,7-테트라메틸-(E 또는 Z)-1,3,6-옥타트리엔, 2,7,11-트리메틸-1,3,6,11-도데카테트라엔, 3,7,11,15,19,23,27,31,35-노나메틸-1,3,6,10,14,18,22,26,30,34-헥사트리아콘타데카엔, 2,6-디메틸-9-프로필-2,6,9-트리데카트리엔, 3,6-디메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6-옥타트리엔, 3,7-디에틸-11-메틸-(3Z 또는 3E, 6E 또는 6Z)-1,3,6,10-트리데카테트라엔, 7-에틸-3,11-디메틸-(3Z 또는 3E, 6E 또는 6Z)-1,3,6,10-트리데카테트라엔, 1-메틸-4-(5-메틸-4-헥세닐리덴)-(4E 또는 4Z)-시클로헥센, 2,6,10-트리메틸-(Z 또는 E)-2,5,9-운데카트리엔, 2,6,7,7-테트라메틸-(Z 또는 E)-2,5-옥타디엔, 2,6,10,11,11-펜타메틸-2,6,9-도데카트리엔, 2,6,10-트리메틸-2,6,9-테트라데카트리엔, 2,6-디메틸-(Z 또는 E)-2,5-데카디엔, 6,10-디메틸-1,6,9-운데카트리엔-4-인, 2,3,6-트리메틸-2,5-헵타디엔, 2,4-디메틸-(E 또는 Z)-2,5-헵타디엔, 2,7,11-트리메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,11-도데카테트라엔, 6-에틸-3-메틸-2,5-데카디엔, 2,6,10-트리메틸-(Z 또는 E)-2,5-운데카디엔, 3,7-디메틸-3,6-옥타디엔-1-인, 2,7,10-트리메틸-1,6,9-운데카트리엔, 4,5-디메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z, E 또는 Z)-3,5,8-운데카트리엔, 4,5-디메틸-2,5,8-운데카트리엔, 1'-[4-메틸-2-(2-메틸-1-프로페닐)-1,3-펜타디에닐리덴]비스-벤젠, 1,4-(1,5-디메틸-4-헥세닐리덴)-1-메틸-(4E 또는 4Z)-시클로헥센, 2,6,11,15-테트라메틸-(Z 또는 E)-2,6,9,14-헥사데카테트라엔, [3-메틸-1-(2-메틸-1-프로페닐)-2-부테닐]-벤젠, 2,6,11-트리메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-2,6,9-도데카트리엔, 2,6-디메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-2,6,9-도데카트리엔, 2,3,6,7,10,11-헥사메틸-1,3,6,11-도데카테트라엔, 19-메틸-1-(2-메틸-1-2,4,6,8,10,12,14,16,18-에이코사노나에닐리움, 17-메틸-1-(2-메틸-1-프로페닐)-2,4,6,8,10,12,14,16-옥타데카옥타에닐리움, 15-메틸-1-(2-메틸-1-프로페닐)-2,4,6,8,10,12,14-헥사데카헵타에닐리움, 13-메틸-1-(2-메틸-1-프로페닐)-2,4,6,8,10,12-테트라데카헥사에닐리움, 11-메틸-1-(2-메틸-1-프로페닐)-2,4,6,8,10-도데카펜타에닐리움, 9-메틸-1-(2-메틸-1-프로페닐)-2,4,6,8-데카테트라에닐리움, 7-메틸-1-(2-메틸-1-프로페닐)-2,4,6-옥타트리에닐리움, 4-에틸리덴-2,6-디메틸-2,5-헵타디엔, 3,7,11-트리메틸-(E 또는 Z)-3,6,11-도데카트리엔-1-인, 3,7-디메틸-(3E 또는 3Z)-3,6-옥타디엔-1-인, 3,7-디메틸-(E 또는 Z)-3,6-노나디엔-1-인, 3,6,7-트리메틸-(E 또는 Z)-3,6-옥타디엔-1-인, 7-에틸-3-메틸-(E 또는 Z)-3,6-노나디엔-1-인, 3,7,11-트리메틸-(Z 또는 E)-3,6,11-도데카트리엔-1-인, 2,3,6,7,10,11-헥사메틸-1,3,6,11-도데카테트라엔, 2,6-디메틸-2,5-헵타디엔, 2-메틸-2,5-헵타디엔, 3,6,10-트리메틸-2,5,7,10-도데카테트라엔, 2,7,10-트리메틸-1,3,7,10-도데카테트라엔, 3,6-디메틸-1,3,6-옥타트리엔, 12-(2,2-디메틸-6-메틸렌시클로헥실)-3,8,8-트리메틸-11-메틸렌-(E 또는 Z)-(S)-1,3,6-도데카트리엔, 오시멘, 3,7,11-트리메틸-(3Z 또는 3E, 6Z 또는 6E)-1,3,6,10-도데카테트라엔, 2-메틸-4-메틸렌-2,5-헵타디엔, 3,8,8,14,18-펜타메틸-11-메틸렌-(E 또는 Z)-1,3,6,13,17-노나데카펜타엔, 2,7-디메틸-2,5-옥타디엔, 3,8,8,14,18-펜타메틸-11-메틸렌-(E 또는 Z, E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,13,17-노나데카펜타엔, 6,10-디메틸-2,4,6,9-운데카테트라엔, 2-메틸-(Z 또는 E)-2,5-헵타디엔, 2-메틸-(E 또는 Z)-2,5-헵타디엔, 3,7-디메틸-1,3,6-옥타트리엔, 4-(1,5-디메틸-4-헥세닐리덴)-1-메틸-(4Z 또는 4E)-시클로헥센, 2,6,10,14,19,22,27,31-옥타메틸-2,6,10,14,16,18,22,26,30-도트리아콘타노나엔, 2,6-디메틸-2,5-헵타디엔, 4-(1,5-디메틸-4-헥세닐리덴)-1-메틸시클로헥센, 3,7-디메틸-(3E 또는 3Z)-1,3,6-옥타트리엔, 2,6,10,14,19,23,31-헵타메틸-2,5,10,14,16,18,22,26,29-도트리아콘타노나엔, 3,7-디메틸-(3Z 또는 3E)-1,3,6-옥타트리엔, 3-메틸-1-(2-메틸-1-프로페닐-(E 또는 Z)-2-펜테닐, 2,6-디메틸-4-(2-메틸프로페닐)-1,3,5-헵타트리엔, 2,6-디메틸-4-메틸렌-2,5-헵타디엔, 1-메틸-4-(1-메틸에틸리덴)-시클로헥센, 3,7,11-트리메틸-(3E 또는 3Z, 6E 또는 6Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔, 4-(1,5-디메틸-4-헥세닐리덴)-1-메틸-시클로헥센, 이소프렌, 미르센, 디히드로미렌, 리날로올, 테르피넨 (α, β 및 γ), 리모넨, 테르피놀렌, 멘타디엔 (p-3,8 또는 p-2,4), 게라니올, 네롤, 게라닐아세테이트, 네릴 아세테이트, 네롤리돌, 파르네솔, 데히드로네롤리돌, α-비사볼롤, 발란센, 누트카텐, 누트카톤, 디메틸-2,4,6-옥트라트리엔, β-펠란드렌스, 피페리톨 (-, 시스 및 +, 트랜스), 1-메틸-1,4-시클로헥사디엔, 메틸 시클로펜타디엔 이량체, 에틸리덴 노르보르넨, 디펜텐, 카르베스트렌, 카르본 (- 또는 +), 알로오시멘 (4-트랜스-6-시스 및 4-트랜스-6-트랜스), 알로오시메놀, 이오노머, 구아이아줄렌, 라노스테롤, 스쿠알렌, 리코펜, 카로텐 (β 및 γ), 노폴 글리시딜 에테르 및 이들의 조합으로부터 제조되는 옥시란으로 이루어진 군으로부터 선택되는 구성원인 조성물.
  5. 제3항에 있어서, 하나 이상의 옥시란 결합을 갖는 화합물이 리모넨 디에폭시 드, 감마-테르피넨 디에폭시드, 메틸 시클로펜타디엔 디에폭시드 이량체, 에틸리덴 노르보르넨 디에폭시드, 노폴 에폭시드 글리시딜 에테르 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 구성원인 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 경화제 성분 중 무수물 성분이 헥사히드로프탈산 무수물, 메틸 헥사히드로프탈산 무수물, 5-(2,5-디옥소테트라히드롤)-3-메틸-3-시클로헥센-1,2-디카르복실산 무수물 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있는 것인 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 경화제 성분 중 아민 화합물이 1,5-디아자비시클로[4.3.0]논-5-엔, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]운데스-7-엔, 1,5,7-트리아자비시클로[4.4.0]데스-5-엔, 퀴누클리딘, 1,4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있는 것인 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 경화제 성분 중 아미드 화합물이 디시안디아미드인 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 경화제 성분의 이미다졸 화합물이 이미다졸, 이소이미다졸, 2-메틸 이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2,4-디메틸이미다졸, 부틸이미다졸, 2-헵타데세닐-4-메틸이미다졸, 2-운데세닐이미다졸, 1-비닐-2-메틸이미다졸, 2-n-헵타데실이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-프로필-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-구아나미노에틸-2-메틸이미다졸, 이미다졸과 트리멜리트산의 부가 생성물, 이미다졸과 2-n-헵타데실-4-메틸이미다졸의 부가 생성물, 페닐이미다졸, 벤질이미다졸, 2-메틸-4,5-디페닐이미다졸, 2,3,5-트리페닐이미다졸, 2-스티릴이미다졸, 1-(도데실 벤질)-2-메틸이미다졸, 2-(2-히드록실-4-t-부틸페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 2-(2-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 2-(3-히드록시페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 2-(p-디메틸아미노페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 2-(2-히드록시페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 디(4,5-디페닐-2-이미다졸)-벤젠-1,4,2-나프틸-4,5-디페닐이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 2-p-메톡시스티릴이미다졸 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있는 것인 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 경화제 성분이 에폭시 수지 성분의 중량을 기준으로 약 1 내지 약 100 중량%의 양으로 사용되는 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 무기 충전제 성분을 추가로 포함하는 조성물.
  12. 제11항에 있어서, 무기 충전제 성분이 보강 실리카, 산화 알루미늄, 질화규소, 질화알루미늄, 실리카-코팅된 질화알루미늄, 질화붕소 및 이들의 조합으로 구성되거나 이들을 포함하는 물질들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 조성물.
  13. 제11항에 있어서, 무기 충전제 성분의 이온 농도가 낮으며 그의 입도가 약 2 내지 10 미크론인 조성물.
  14. 제1항에 있어서, 유동화제를 추가로 포함하는 조성물.
  15. 제14항에 있어서, 유동화제가 실란, 티타네이트 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 구성원인 조성물.
  16. 제14항에 있어서, 유동화제가 옥틸 트리메톡시 실란, 메타크릴옥시 프로필 트리메톡시 실란, 티탄 IV 테트라키스 [2,2-비스[(2-프로페닐옥시)메틸]-1-부타놀레이토-0] [비스(디트리데실포스피토-O), 디히드로겐]2 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 구성원인 조성물.
  17. 제1항에 있어서, 부착 촉진제를 추가로 포함하는 조성물.
  18. 제17항에 있어서, 부착 촉진제가 글리시딜 트리메톡시실란, 감마-아미노 프로필 트리에톡시실란 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 구성원인 조성물.
  19. 제1항에 있어서, 시아네이트 에스테르를 추가로 포함하는 조성물.
  20. 제19항에 있어서, 시아네이트 에스테르가 디시아네이토벤젠, 트리시아네이토벤젠, 디시아네이토나프탈렌, 트리시아네이토나프탈렌, 디시아네이토비페닐, 비스(시아네이토페닐)메탄 및 이들의 알킬 유도체, 비스(디할로시아네이토페닐)프로판, 비스(시아네이토페닐)에테르, 비스(시아네이토페닐)술피드, 비스(시아네이토페닐)프로판, 트리스(시아네이토페닐)포스피트, 트리스(시아네이토페닐)포스페이트, 비스(할로시아네이토페닐)메탄, 시아네이트화 노볼락, 비스[시아네이토페닐(메틸에틸리덴)]벤젠, 시아네이트화 비스페놀-말단의 열가소성 올리고머 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 구성원인 조성물.
  21. 제1항에 있어서, 캐리어 기판상에 마운팅된 반도체 칩을 포함하는 반도체 소자와 이 반도체 소자가 전기적으로 접속되어 있는 회로판 사이에서 언더필을 밀봉할 수 있는 조성물.
  22. 제1항에 있어서, 캐리어 기판상에 마운팅된 반도체 칩을 포함하는 반도체 소자와 이 반도체 소자가 전기적으로 접속되어 있는 회로판 사이에서 언더필을 밀봉할 수 있는 조성물로서,
    조성물의 총 중량을 기준으로 약 10 내지 70 중량% 범위의 양으로 존재하는 경화성 수지 성분,
    경화성 수지 성분의 중량을 기준으로 1 내지 약 100 중량% 범위의 양으로 존재하는 경화제 성분,
    조성물의 총 중량을 기준으로 약 70 중량% 이하의 양으로 존재하는 무기 충전제 성분, 및
    조성물의 중량을 기준으로 약 2 중량% 이하의 양으로 존재하는 유동화제
    를 포함하는 조성물.
  23. 제1항에 있어서, 경화성 수지 성분이, 티이란 탄소 상의 치환가능한 위치들 중 3곳 이상이 탄소원자수 1 내지 약 12의 알킬, 알케닐 또는 아릴 치환기 (하나 이상의 헤테로원자 또는 할로겐에 의해 치환되거나 단속될 수 있음)로 치환된 하나 이상의 티이란 결합을 갖는 화합물을 포함하는 것인 조성물.
  24. 제23항에 있어서, 하나 이상의 티이란 결합을 갖는 화합물이 2,10-디메틸-6-메틸렌-4,8-비스(2-메틸-1-프로페닐 2,4,7,9-운데카테트라엔, 4-[(4E 또는 4Z)-1,5-디메틸-4-헵테닐리덴 또는 옥테닐리덴]-1-메틸-시클로헥센, 1,1'-[(1E 또는 1Z, 3E 또는 3Z)-5-(1,1-디메틸-2-프로페닐)-3-(3-메틸-2-부테닐)-1,3-펜타디엔-1,5-디일]비스-벤젠, 4,6-디메틸-[S 또는 R-(E 또는 Z, Z 또는 E)]-2,5-옥타디엔, 2,6,10,14-테트라메틸-7-(3-메틸-4-펜테닐)-2,5,9,13-펜타데카테트라엔, 7-에틸-3,11-디메틸-(3Z 또는 3E, 6E 또는 6Z, 1OZ 또는 10E)-1,3,6,10-트리데카테트라엔, 3,4,8-트리메틸-1,4,7-노나트리엔, 13-에틸-9-메틸-1,9,12-펜타데카테트라엔, 1-메틸-4-(2-메틸-6-헵테닐리덴)-시클로헥센, 2,6,11-트리메틸-(E 또는 Z)-2,5,10-도데카트리엔, 2,6-디메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-2,6,9-테트라데카트리엔, 7-(3-메틸-2-부테닐-(E 또는 Z)-6-도데센, 6-(3-메틸-2-부테닐)-(E 또는 Z)-6-도데센, 2,4,6,6,8-펜타메틸-2,4,7-노나트리엔, 3,7-디메틸-11-(메틸)-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔, 5-[3-메틸-1-(2-메틸-1-프로페닐)-2-부테닐리덴]-1,3-시클로펜타디엔, 4-[(4E 또는 4Z)-1,5-디메틸-4-헵테닐리덴]-1-메틸-(4Z 또는 4E)-시클로헥센, 3,7,11-트리메틸-1,3,6,10-도코사테트라엔, 3,7,11,15-테트라메틸-1,3,6,10-헥사데카테트라엔, 9-에틸-2,6-디메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-2,6,9-도데카트리엔, 2-메틸-5-프로필-(E 또는 Z)-2,5-노나디엔, 3,7,11-트리메틸-(Z 또는 E, E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔, 4,8,12-트리메틸-(Z 또는 E, E 또는 Z, E)-2,4,7,11-트리데카테트라엔, 1-메틸-4-(2-메틸-6-헵테닐리덴)-(E 또는 Z)-시클로헥센, 3-에틸-7,11-디메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔, 2,6,6,9-테트라메틸-7-(2-메틸-1-프로페닐)-2,4,8-데카트리엔, 2,7-디메틸-4,5-비스(2-메틸-1-프로페닐)-2,6-옥타디엔, 3,7-디메틸-1,3,6-옥타트리엔, 2-메틸-5-(1-메틸에틸리덴)-시클로헥센, 2,6-디메틸-5-(1-메틸에틸리덴)-1,3-시클로헥사디엔, 2,6-디메틸-2,5-데카디엔 또는 옥타디엔, 7-에틸-3,11-디메틸-1,3,6,10-도데카테트라엔, 2-메틸-(E 또는 Z)-2,5-옥타디엔, 7-에틸-3,11-디메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔, 2,7,11-트리메틸-(E 또는 Z)-2,5,10-도데카트리엔, 6,10-디메틸-(Z 또는 E, Z 또는 E)-2,6,9-운데카트리엔-4-인, 2,6-디메틸-(Z 또는 E)-2,5-도데카디엔, 2,7-디메틸-4,5-비스(2-메틸-1-프로페닐)-2,4,6-옥타트리엔, 2,3,6,7-테트라메틸-1,3,6-옥타트리엔, 2-메틸-5-프로필-(Z 또는 E)-2,5-도데카디엔, 2-메틸-5-(1-메틸에틸)-(E 또는 Z)-2,5-도데카디엔, 2-메틸-(Z 또는 E)-2,5-도데카디엔, 2,4,4-트리메틸-(E 또는 Z)-2,5-헵타디엔, 2,6-디메틸-2,5-옥타디엔, 3,4,7,11-테트라메틸-(E 또는 Z, Z 또는 E)-1,3,6,10-도데카테트라엔, 3,7,11-트리메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔, 4,8-디메틸-1,4,7-노나트리엔, 3,7,11,15-테트라메틸-1,3,6,10,14-헥사데카펜타엔, 2-메틸-(Z 또는 E)-2,5-펜타데카디엔, 2-메틸-5-(1-메틸에틸리덴)-2-데센, 2,6-디메틸-2,5,7-데카트리엔, 4,8-디메틸-2,4,7-노나트리엔, 15,19,23-트리메틸-15,18,22-헵타트리아콘타트리엔, 8-(2-메틸-1-프로페닐)-6-테트라데센, 3,7,11-트리메틸-(E 또는 Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔, 3,4-디데히드로-2-(3-메틸-2-부테닐)-카로텐, 7-에틸-3,11-디메틸-1,3,6,10-도데카테트라엔, 1,3-디메틸-4-프로필리덴-시클로펜텐, 2,7,11-트리메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔, 6,10-디메틸-1,4,6,9-운데카테트라엔, 2-(1-메틸에틸)-5-(1-메틸에틸리덴)-1,3-시클로헥사디엔, 2-에틸-5-에틸리덴-시클로헥사디엔, 2-메틸-5-(1-메틸에틸리덴)-1,3-시클로헥사디엔, 3,7,10-트리메틸-(Z 또는 E, E 또는 Z)-1,3,6-운데카트리엔, 4-(1,5-디메틸-4-헥세닐리덴)-1-메틸-시클로헥센, 1-메틸-4-(1-메틸에틸리덴)-시클로헥센, 2,5-디메틸-(Z 또는 E)-2,5-헵타디엔, 2-메틸-5-(1-메틸에틸리덴)-1,3-시클로헥사디엔, 2,6,10-트리메틸-(E 또는 Z, Z 또는 E)-2,6,9-테트라데카트리엔, 6-메틸-(Z 또는 E, E 또는 Z)-2,5-도데카디엔, 2,3,6-트리메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6-옥타트리엔, 테트라히드로-3,7,11-트리메틸-1,3,6,10-도데카테트라엔, 3,4,7,11-테트라메틸-1,3,6,10-도데카테트라엔, 3,4,7,11-테트라메틸-(Z 또는 E, Z 또는 E)-1,3,6,10-도데카테트라엔, 2,6-디메틸-4-메틸렌-2,5-헵타디엔, 5-에틸-2-메틸-2,5-헵타디엔, 2,5-디메틸-2,5-헵타디엔 또는 옥타디엔, 3,7,11-트리메틸-도데카트리엔, 2,4,6,6,8-펜타메틸-(E 또는 Z)-2,4,7-노나트리엔, 3,7-디에틸-11-메틸-1,3,6,10-트리데카테트라엔, 7-에틸-3,11-디메틸-1,3,6,10-트리데카테트라엔, 2,6-디메틸-(E 또는 Z)-2,5-도데카디엔, 2,6,10-트리메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-2,6,9-테트라데카트리엔, 3,7,11,15-테트라메틸-(Z 또는 E, E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,10,14-헥사데카펜타엔, 3,7,11,15-테트라메틸-(3E 또는 3Z, 6E 또는 6Z, 10E 또는 10Z)-1,3,6,10,14-헥사데카펜타엔, 1-에테닐-4-(1-메틸에틸리덴)-시클로헥센, 1-메틸-6-메틸렌-4-(1-메틸에틸리덴)-시클로헥센, 3,7,11-트리메틸-1,3,6-도데카트리엔, 4-(1,5-디메틸헥실리덴)-1-메틸시클로헥센, 7-에틸-3,11-디메틸-(3Z 또는 3E, 6E 또는 6Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔, 1,3,3',4,4',16-헥사데히드로-1,2-디히드로-2,2'-비스-3-카로텐, 7-메틸-(Z 또는 E, Z 또는 E)-3,6-도데카디엔, 6-에틸리덴-2,3,10-트리메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,9-운데카트리엔, 2,3,6,7,10,11-헥사메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔, 2,3,6,7-테트라메틸-(E 또는 Z)-1,3,6-옥타트리엔, 2,7,11-트리메틸-1,3,6,11-도데카테트라엔, 3,7,11,15,19,23,27,31,35-노나메틸-1,3,6,10,14,18,22,26,30,34-헥사트리아콘타데카엔, 2,6-디메틸-9-프로필-2,6,9-트리데카트리엔, 3,6-디메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6-옥타트리엔, 3,7-디에틸-11-메틸-(3Z 또는 3E, 6E 또는 6Z)-1,3,6,10-트리데카테트라엔, 7-에틸-3,11-디메틸-(3Z 또는 3E, 6E 또는 6Z)-1,3,6,10-트리데카테트라엔, 1-메틸-4-(5-메틸-4-헥세닐리덴)-(4E 또는 4Z)-시클로헥센, 2,6,10-트리메틸-(Z 또는 E)-2,5,9-운데카트리엔, 2,6,7,7-테트라메틸-(Z 또는 E)-2,5-옥타디엔, 2,6,10,11,11-펜타메틸-2,6,9-도데카트리엔, 2,6,10-트리메틸-2,6,9-테트라데카트리엔, 2,6-디메틸-(Z 또는 E)-2,5-데카디엔, 6,10-디메틸-1,6,9-운데카트리엔-4-인, 2,3,6-트리메틸-2,5-헵타디엔, 2,4-디메틸-(E 또는 Z)-2,5-헵타디엔, 2,7,11-트리메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,11-도데카테트라엔, 6-에틸-3-메틸-2,5-데카디엔, 2,6,10-트리메틸-(Z 또는 E)-2,5-운데카디엔, 3,7-디메틸-3,6-옥타디엔-1-인, 2,7,10-트리메틸-1,6,9-운데카트리엔, 4,5-디메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z, E 또는 Z)-3,5,8-운데카트리엔, 4,5-디메틸-2,5,8-운데카트리엔, 1'-[4-메틸-2-(2-메틸-1-프로페닐)-1,3-펜타디에닐리덴]비스-벤젠, 1,4-(1,5-디메틸-4-헥세닐리덴)-1-메틸-(4E 또는 4Z)-시클로헥센, 2,6,11,15-테트라메틸-(Z 또는 E)-2,6,9,14-헥사데카테트라엔, [3-메틸-1-(2-메틸-1-프로페닐)-2-부테닐]-벤젠, 2,6,11-트리메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-2,6,9-도데카트리엔, 2,6-디메틸-(E 또는 Z, E 또는 Z)-2,6,9-도데카트리엔, 2,3,6,7,10,11-헥사메틸-1,3,6,11-도데카테트라엔, 19-메틸-1-(2-메틸-1-2,4,6,8,10,12,14,16,18-에이코사노나에닐리움, 17-메틸-1-(2-메틸-1-프로페닐)-2,4,6,8,10,12,14,16-옥타데카옥타에닐리움, 15-메틸-1-(2-메틸-1-프로페닐)-2,4,6,8,10,12,14-헥사데카헵타에닐리움, 13-메틸-1-(2-메틸-1-프로페닐)-2,4,6,8,10,12-테트라데카헥사에닐리움, 11-메틸-1-(2-메틸-1-프로페닐)-2,4,6,8,10-도데카펜타에닐리움, 9-메틸-1-(2-메틸-1-프로페닐)-2,4,6,8-데카테트라에닐리움, 7-메틸-1-(2-메틸-1-프로페닐)-2,4,6-옥타트리에닐리움, 4-에틸리덴-2,6-디메틸-2,5-헵타디엔, 3,7,11-트리메틸-(E 또는 Z)-3,6,11-도데카트리엔-1-인, 3,7-디메틸-(3E 또는 3Z)-3,6-옥타디엔-1-인, 3,7-디메틸-(E 또는 Z)-3,6-노나디엔-1-인, 3,6,7-트리메틸-(E 또는 Z)-3,6-옥타디엔-1-인, 7-에틸-3-메틸-(E 또는 Z)-3,6-노나디엔-1-인, 3,7,11-트리메틸-(Z 또는 E)-3,6,11-도데카트리엔-1-인, 2,3,6,7,10,11-헥사메틸-1,3,6,11-도데카테트라엔, 2,6-디메틸-2,5-헵타디엔, 2-메틸-2,5-헵타디엔, 3,6,10-트리메틸-2,5,7,10-도데카테트라엔, 2,7,10-트리메틸-1,3,7,10-도데카테트라엔, 3,6-디메틸-1,3,6-옥타트리엔, 12-(2,2-디메틸-6-메틸렌시클로헥실)-3,8,8-트리메틸-11-메틸렌-(E 또는 Z)-(S)-1,3,6-도데카트리엔, 오시멘, 3,7,11-트리메틸-(3Z 또는 3E, 6Z 또는 6E)-1,3,6,10-도데카테트라엔, 2-메틸-4-메틸렌-2,5-헵타디엔, 3,8,8,14,18-펜타메틸-11-메틸렌-(E 또는 Z)-1,3,6,13,17-노나데카펜타엔, 2,7-디메틸-2,5-옥타디엔, 3,8,8,14,18-펜타메틸-11-메틸렌-(E 또는 Z, E 또는 Z, E 또는 Z)-1,3,6,13,17-노나데카펜타엔, 6,10-디메틸-2,4,6,9-운데카테트라엔, 2-메틸-(Z 또는 E)-2,5-헵타디엔, 2-메틸-(E 또는 Z)-2,5-헵타디엔, 3,7-디메틸-1,3,6-옥타트리엔, 4-(1,5-디메틸-4-헥세닐리덴)-1-메틸-(4Z 또는 4E)-시클로헥센, 2,6,10,14,19,22,27,31-옥타메틸-2,6,10,14,16,18,22,26,30-도트리아콘타노나엔, 2,6-디메틸-2,5-헵타디엔, 4-(1,5-디메틸-4-헥세닐리덴)-1-메틸시클로헥센, 3,7-디메틸-(3E 또는 3Z)-1,3,6-옥타트리엔, 2,6,10,14,19,23,31-헵타메틸-2,5,10,14,16,18,22,26,29-도트리아콘타노나엔, 3,7-디메틸-(3Z 또는 3E)-1,3,6-옥타트리엔, 3-메틸-1-(2-메틸-1-프로페닐-(E 또는 Z)-2-펜테닐, 2,6-디메틸-4-(2-메틸프로페닐)-1,3,5-헵타트리엔, 2,6-디메틸-4-메틸렌-2,5-헵타디엔, 1-메틸-4-(1-메틸에틸리덴)-시클로헥센, 3,7,11-트리메틸-(3E 또는 3Z, 6E 또는 6Z)-1,3,6,10-도데카테트라엔, 4-(1,5-디메틸-4-헥세닐리덴)-1-메틸-시클로헥센, 이소프렌, 미르센, 디히드로미렌, 리날로올, 테르피넨 (α, β 및 γ), 리모넨, 테르피놀렌, 멘타디엔 (p-3,8 또는 p-2,4), 게라니올, 네롤, 게라닐아세테이트, 네릴 아세테이트, 네롤리돌, 파르네솔, 데히드로네롤리돌, α-비사볼롤, 발란센, 누트카텐, 누트카톤, 디메틸-2,4,6-옥트라트리엔, β-펠란드렌스, 피페리톨 (-, 시스 및 +, 트랜스), 1-메틸-1,4-시클로헥사디엔, 메틸 시클로펜타디엔 이량체, 에틸리덴 노르보르넨, 디펜텐, 카르베스트렌, 카르본 (- 또는 +), 알로오시멘 (4-트랜스-6-시스 및 4-트랜스-6-트랜스), 알로오시메놀, 이오노머, 구아이아줄렌, 라노스테롤, 스쿠알렌, 리코펜, 카로텐 (β 및 γ), 노폴 글리시딜 에테르 및 이들의 조합으로부터 제조되는 티이란으로 이루어진 군으로부터 선택되는 구성원인 조성물.
  25. 제1항에 있어서, 티이란 화합물이 리모넨, 테르피넨, 노폴, 에틸리덴 노르보르넨, 메틸 시클로펜타디엔 이량체 및 이들의 조합으로부터 제조되는 티이란으로 이루어진 군으로부터 선택되는 구성원인 조성물.
  26. (a) 캐리어 기판 상에 마운팅된 반도체 칩을 포함하는 반도체 소자와 이 반도체 소자가 전기적으로 접속되어 있는 회로판, 또는 반도체 칩과 이 반도체 칩이 전기적으로 접속되어 있는 회로판 사이에 제1항 내지 제25항 중 어느 한 항에 따른 조성물을 제공하는 단계, 및 (b) 이렇게 제공된 조성물을 적절한 조건에 노출시켜 반응 생성물을 형성시키는 단계를 포함하는, 상기 반도체 소자와 상기 회로판, 또는 상기 반도체 칩과 상기 회로판 사이에서 언더필을 밀봉하는 방법.
  27. (a) 캐리어 기판 상에 마운팅된 반도체 칩을 포함하는 반도체 소자와 이 반도체 소자가 전기적으로 접속되어 있는 회로판, 또는 반도체 칩과 이 반도체 칩이 전기적으로 접속되어 있는 회로판 사이에서 언더필 밀봉을 형성하는 제1항 내지 제25항 중 어느 한 항에 따른 조성물의 반응 생성물을 적절한 조건에 노출시켜 연화시킴으로써 부착성을 상실시키는 단계를 포함하는, 상기 반응 생성물을 재사용하는 방법.
  28. 제27항에 있어서, (b) 반도체 칩 또는 반도체 소자를 회로판으로부터 제거하는 단계, 및 (c) 임의로, 회로판의 표면을 세정하여 남아 있는 임의의 경화 반응 생성물을 제거하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  29. (a) 2개 이상의 올레핀 결합을 갖는 올레핀계 불포화 화합물을 제공하는 단계, 및
    (b) 올레핀 결합과 반응시켜 에폭시드 화합물을 형성하기에 적절한 양 및 조건으로 에폭시화제를 제공하는 단계
    를 포함하며, 상기 올레핀 결합 중 적어도 하나는 올레핀 탄소 상의 치환가능한 위치들 중 3곳 이상이 탄소원자수 1 내지 약 12의 알킬, 알케닐 또는 아릴 치환기 (하나 이상의 헤테로원자 또는 할로겐에 의해 치환되거나 단속될 수 있음)로 치환된 것인, 제1항 내지 제25항 중 어느 한 항에 따른 조성물에 사용되는 에폭시 화합물의 제조 방법.
  30. (a) 2개 이상의 올레핀 결합을 갖는 올레핀계 불포화 화합물을 제공하는 단계,
    (b) 올레핀 결합과 반응시켜 에폭시드 화합물을 형성하기에 적절한 양 및 조건으로 에폭시화제를 제공하는 단계, 및
    (c) 에폭시드 화합물과 반응시켜 에피술피드 화합물을 형성하기에 적절한 양 및 조건으로 에피술피드화제를 제공하는 단계
    를 포함하며, 상기 올레핀 결합 중 적어도 하나는 올레핀 탄소 상의 치환가능한 위치들 중 3곳 이상이 탄소원자수 1 내지 약 12의 알킬, 알케닐 또는 아릴 치환기 (하나 이상의 헤테로원자 또는 할로겐에 의해 치환되거나 단속될 수 있음)로 치환된 것인, 제1항 내지 제25항 중 어느 한 항에 따른 조성물에 사용되는 에피술피드 화합물의 제조 방법.
  31. 제1항 내지 제25항 중 어느 한 항에 따른 조성물로부터 형성된 반응 생성물.
  32. 반도체 소자 및 이 반도체 소자가 전기적으로 접속되어 있는 회로판을 포함하며, 이 반도체 소자와 회로판 사이에 제1항 내지 제25항 중 어느 한 항에 따른 열경화성 수지 조성물을 언더필 밀봉재로 사용하여 조립한 전자 소자로서, 상기 조성물을 경화시키는데 사용되는 온도보다 높은 온도 조건에 상기 조성물의 반응 생성물을 노출시켜 연화시키면 그의 부착성을 상실하게 되는 것인, 전자 소자.
  33. 하기 화학식 V의 화합물.
    <화학식 V>
    Figure 112006021489217-pct00040
    상기 식에서, R4, R5, R6, R7, R8 및 R9은 수소, 탄소원자수 1 내지 8의 알킬, 탄소원자수 2 내지 8의 알케닐 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 각각 선택되며, X 및 X1은 O 및 S로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
  34. 하기 화학식 IV의 화합물.
    <화학식 IV>
    Figure 112006021489217-pct00041
    상기 식에서, R4, R5, R6, R7, R8 및 R9은 수소, 탄소원자수 1 내지 8의 알킬, 탄소원자수 2 내지 8의 알케닐 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 각각 선택되며, X 및 X1은 O 및 S로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
  35. 하기 화학식 V의 화합물.
    <화학식 V>
    Figure 112006021489217-pct00042
    상기 식에서, R4, R5, R6, R7, R8 및 R9은 수소, 탄소원자수 1 내지 8의 알킬, 탄소원자수 2 내지 8의 알케닐 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 각각 선택되며, X 및 X1은 O 및 S로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
  36. 하기 화학식의 화합물.
    Figure 112002031859518-pct00043
  37. 하기 화학식 X의 화합물.
    <화학식 X>
    Figure 112002031859518-pct00044
  38. 하기 화학식 VI, VIII, IX, XI 및 XII의 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물.
    <화학식 VI>
    Figure 112002031859518-pct00045
    <화학식 VIII>
    Figure 112002031859518-pct00046
    <화학식 IX>
    Figure 112002031859518-pct00047
    <화학식 XI>
    Figure 112002031859518-pct00048
    <화학식 XII>
    Figure 112002031859518-pct00049
  39. 하기 화학식 XIII의 화합물.
    <화학식 XIII>
    Figure 112002031859518-pct00050
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