KR100783068B1 - 유기실란계 화합물 및 이를 포함하는 레지스트 하층막용하드마스크 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로디바이스의 제조방법 - Google Patents
유기실란계 화합물 및 이를 포함하는 레지스트 하층막용하드마스크 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로디바이스의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100783068B1 KR100783068B1 KR1020060026194A KR20060026194A KR100783068B1 KR 100783068 B1 KR100783068 B1 KR 100783068B1 KR 1020060026194 A KR1020060026194 A KR 1020060026194A KR 20060026194 A KR20060026194 A KR 20060026194A KR 100783068 B1 KR100783068 B1 KR 100783068B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- formula
- compound
- organosilane
- weight
- methyl
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F8/00—Chemical modification by after-treatment
- C08F8/12—Hydrolysis
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/045—Polysiloxanes containing less than 25 silicon atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/06—Preparatory processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
Description
필름 제조에 사용된 샘플 | 광학 특성 (193nm) | 광학 특성 (248nm) | ||
n(굴절율) | k(흡광계수) | n(굴절율) | k(흡광계수) | |
비교예 | 1.44 | 0.70 | 2.02 | 0.27 |
실시예 1 | 1.73 | 0.20 | 1.53 | 0.00 |
필름 제조에 사용된 샘플 | 패턴특성 | |
EL 마진(△mJ/exposure energy mJ) | DoF 마진 (㎛) | |
비교예 | 0.2 | 0.2 |
실시예 2 | 0.2 | 0.2 |
필름 제조에 사용된 샘플 | 에칭 후 패턴 모양 |
비교예 | 테이퍼진 모양, 거친 표면 |
실시예 2 | 수직모양 |
Claims (11)
- (a)화학식 1 및 화학식 2로 표시되는 화합물 중 어느 하나 이상,(b)화학식 3으로 표시되는 화합물,(c)화학식 4로 표시되는 화합물 및(d)화학식 5 및 화학식 6 중 어느 하나 이상의 화합물을 반응시켜 생성되는 (1)가수분해물 및 상기 가수분해물의 중합반응으로 생성되는 유기실란계 중합체의 혼합물 또는 (2)상기 유기실란계 중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기실란계 화합물.[화학식 1][RO]3Si-(CH2)l-R'(R: 메틸기 또는 에틸기 , l: 0~5 , R': 아로마틱기 또는 치환된 아로마틱기.)[화학식 2][RO]3Si-R'(R: 메틸기 또는 에틸기 , R': 아로마틱기 또는 치환된 아로마틱기.)[화학식 3]R1-Si-(OR2)a(OR3)b(OR4)c(R1: 메틸기 또는 에틸기, R2 ~ R4는 각각 주쇄가 1~4개의 알킬기 또는 페닐기로서, 서로 같거나 다를 수 있고, a,b,c는 각각 0<a≤3, 0<b≤3, 0<c≤3으로서 a+b+c=3임.)[화학식 4][RO]3Si-H(R은 메틸 또는 에틸.)[화학식 5][RO]3Si-(CH2)lOC(=O)C(CH3)=CH2(l:0~5, R은 메틸 또는 에틸.)[화학식 6][RO]3Si-CH2CH=CH2(R은 메틸 또는 에틸.)
- 제 1항에 있어서, 상기 (a)화학식 1 및 화학식 2로 표시되는 화합물 중 어느 하나 이상,(b) 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물,(c)상기 화학식 4로 표시되는 화합물 및(d)상기 화학식 5 및 화학식 6 중 어느 하나 이상의 화합물을 산촉매의 존재하에 반응시켜 생성되는 것을 특징으로 하는 유기실란계 화합물.
- 제 2항에 있어서, 상기 산 촉매는 질산 (nitric acid), 황산(sulfuric acid), p-톨루엔 술폰산 모노 하이드레이트(p-toluenesulfonic acid mono hydrate), 디에틸설페이트(diethylsulfate), 2,4,4,6-테트라브로모시클로헥사디엔온, 벤조인 토실레이트, 2-니트로벤질 토실레이트 및 유기 술폰산의 알킬 에스테르류로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기실란계 화합물.
- 제 1항에 있어서, 상기 유기실란계 화합물은 화학식 1 또는 화학식 2의 화합물 중 어느 하나 이상의 화합물 5 내지 85중량부와 화학식 3의 화합물 5 내지 85중량부, 화학식 4의 화합물 5 내지 85중량부 및 화학식 5 또는 화학식 6의 화합물 중 어느 하나 이상의 화합물 5 내지 85중량부의 혼합물을 반응시켜 생성된 것을 특징으로 하는 유기실란계 화합물.
- 제 1항 기재의 유기실란계 화합물과 용매로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물.
- 화학식 1 또는 화학식 2의 화합물 중 어느 하나 이상의 화합물 5 내지 85중량부와 화학식 3의 화합물 5 내지 85중량부, 화학식 4의 화합물 5 내지 85중량부 및 화학식 5 또는 화학식 6의 화합물 중 어느 하나 이상의 화합물 5 내지 85중량부의 혼합물을 반응시켜 생성되는 하기 화학식 8의 유기실란계 중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물.[화학식 1][RO]3Si-(CH2)l-R'(R: 메틸기 또는 에틸기 , l: 0~5 , R': 아로마틱기 또는 치환된 아로마틱기.)[화학식 2][RO]3Si-R'(R: 메틸기 또는 에틸기 , R': 아로마틱기 또는 치환된 아로마틱기.)[화학식 3]R1-Si-(OR2)a(OR3)b(OR4)c(R1: 메틸기 또는 에틸기, R2 ~ R4는 각각 주쇄가 1~4개의 알킬기 또는 페닐기로서, 서로 같거나 다를 수 있고, a,b,c는 각각 0<a≤3, 0<b≤3, 0<c≤3으로서 a+b+c=3임.)[화학식 4][RO]3Si-H(R은 메틸 또는 에틸.)[화학식 5][RO]3Si-(CH2)lOC(=O)C(CH3)=CH2(l: 0~5, R은 메틸 또는 에틸.)[화학식 6][RO]3Si-CH2CH=CH2(R은 메틸 또는 에틸.)[화학식 8](l은 0~5, n은 98~282)
- 제 6항에 있어서, 상기 하드마스크 조성물은 추가로 가교제, 라디칼 안정제, 계면활성제 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물.
- 제 6항에 있어서, 상기 하드마스크 조성물은 추가로 피리딘 p-톨루엔술폰산(Pyridine p-toluenesulfonic acid), 2,4,4,6-테트라브로모시클로헥사디엔온, 벤조인 토실레이트, 2-니트로벤질 토실레이트, 및 유기 술폰산의 다른 알킬 에스테르로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물.
- (a) 기판 상에 재료 층을 제공하는 단계;(b) 재료 층 위로 유기물로 이루어진 하드마스크 층을 형성시키는 단계;(c) 재료 층 위로 제 6항 내지 제 9항 중 어느 한 항 기재의 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물을 이용한 반사방지 하드마스크 층을 형성시키는 단계;(d) 반사방지 하드마스크 층 위로 방사선-민감성 이미지화 층을 형성시키는 단계;(e) 방사선-민감성 이미지화 층을 패턴 방식으로 방사선에 노출시킴으로써 이미지화 층 내에서 방사선-노출된 영역의 패턴을 생성시키는 단계;(f) 방사선-민감성 이미지화 층 및 상기 반사방지 하드마스크 층의 부분을 선택적으로 제거하여 유기물 함유 하드마스크 재료 층의 부분을 노출시키는 단계;(g) 패턴화된 반사방지 하드마스크 층 및 유기물 함유 하드마스크 재료 층의 부분을 선택적으로 제거하여 재료층의 부분을 노출시키는 단계; 및(h) 재료 층의 노출된 부분을 에칭함으로써 패턴화된 재료 형상을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법.
- 제 10항 기재의 제조방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 디바이스.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060026194A KR100783068B1 (ko) | 2006-03-22 | 2006-03-22 | 유기실란계 화합물 및 이를 포함하는 레지스트 하층막용하드마스크 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로디바이스의 제조방법 |
US11/610,786 US20070212886A1 (en) | 2006-03-13 | 2006-12-14 | Organosilane polymers, hardmask compositions including the same and methods of producing semiconductor devices using organosilane hardmask compositions |
PCT/KR2007/000003 WO2007105859A1 (en) | 2006-03-13 | 2007-01-15 | Organosilane polymers, hardmask compositions including the same and methods of producing semiconductor devices using organosilane hardmask compositions |
EP07700795A EP2004726A1 (en) | 2006-03-13 | 2007-01-15 | Organosilane polymers, hardmask compositions including the same and methods of producing semiconductor devices using organosilane hardmask compositions |
CN2007800026349A CN101370854B (zh) | 2006-03-13 | 2007-01-15 | 有机硅烷聚合物和含有该聚合物的硬掩模组合物以及使用有机硅烷硬掩模组合物制造半导体装置的方法 |
TW096103178A TW200734375A (en) | 2006-03-13 | 2007-01-29 | Organosilane polymers, hardmask compositions including the same and methods of producing semiconductor devices using organosilane hardmask compositions |
US12/868,025 US20100320573A1 (en) | 2006-03-13 | 2010-08-25 | Organosilane polymers, hardmask compositions including the same and methods of producing semiconductor devices using organosilane hardmask compositions |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060026194A KR100783068B1 (ko) | 2006-03-22 | 2006-03-22 | 유기실란계 화합물 및 이를 포함하는 레지스트 하층막용하드마스크 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로디바이스의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070095687A KR20070095687A (ko) | 2007-10-01 |
KR100783068B1 true KR100783068B1 (ko) | 2007-12-07 |
Family
ID=38802864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060026194A KR100783068B1 (ko) | 2006-03-13 | 2006-03-22 | 유기실란계 화합물 및 이를 포함하는 레지스트 하층막용하드마스크 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로디바이스의 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100783068B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101288572B1 (ko) * | 2008-12-17 | 2013-07-22 | 제일모직주식회사 | 보관안정성이 우수한 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3969310A (en) | 1974-08-29 | 1976-07-13 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicone rubber compositions |
US5384383A (en) | 1994-01-31 | 1995-01-24 | Dow Corning Corporation | Pristine phenylpropylalkylsiloxanes |
KR20000030659A (ko) * | 2000-03-10 | 2000-06-05 | 최재운 | 고방식, 고방청용 청정 무기 피복조성물 및 그 제조방법 |
KR20040099326A (ko) * | 2002-04-16 | 2004-11-26 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 하드마스크 층에 사용하기 위한 반사방지 SiO 함유조성물 |
KR20050003838A (ko) * | 2003-07-04 | 2005-01-12 | 주식회사 신성엔지니어링 | 초친수 코팅 조성물, 초친수성 전열관 및 그 코팅 방법 |
KR20050025311A (ko) * | 2005-01-04 | 2005-03-14 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 하드마스크 층으로서 반사방지 규소 함유 조성물 |
-
2006
- 2006-03-22 KR KR1020060026194A patent/KR100783068B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3969310A (en) | 1974-08-29 | 1976-07-13 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicone rubber compositions |
US5384383A (en) | 1994-01-31 | 1995-01-24 | Dow Corning Corporation | Pristine phenylpropylalkylsiloxanes |
KR20000030659A (ko) * | 2000-03-10 | 2000-06-05 | 최재운 | 고방식, 고방청용 청정 무기 피복조성물 및 그 제조방법 |
KR20040099326A (ko) * | 2002-04-16 | 2004-11-26 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 하드마스크 층에 사용하기 위한 반사방지 SiO 함유조성물 |
KR20050003838A (ko) * | 2003-07-04 | 2005-01-12 | 주식회사 신성엔지니어링 | 초친수 코팅 조성물, 초친수성 전열관 및 그 코팅 방법 |
KR20050025311A (ko) * | 2005-01-04 | 2005-03-14 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 하드마스크 층으로서 반사방지 규소 함유 조성물 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070095687A (ko) | 2007-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4421566B2 (ja) | フォトレジスト下層膜用ハードマスク組成物及びこれを利用した半導体集積回路デバイスの製造方法 | |
KR100930672B1 (ko) | 실리콘계 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 반도체집적회로 디바이스의 제조방법 | |
KR100796047B1 (ko) | 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물, 이를 이용한 반도체집적회로 디바이스의 제조방법 및 그로부터 제조된 반도체집적회로 디바이스 | |
KR100930673B1 (ko) | 반사방지 하드마스크 조성물 및 이를 이용한재료의 패턴화 방법 | |
KR100896451B1 (ko) | 카본 함량이 개선된 고 내에칭성 반사방지 하드마스크조성물, 이를 이용한 패턴화된 재료 형상의 제조방법 | |
KR100816735B1 (ko) | 반사방지 하드마스크 조성물, 이를 이용한 패턴화된 재료형상의 제조방법 및 반도체 집적회로 디바이스 | |
US20100320573A1 (en) | Organosilane polymers, hardmask compositions including the same and methods of producing semiconductor devices using organosilane hardmask compositions | |
JP2007258683A (ja) | 有機シラン系重合体を含むレジスト下層膜用ハードマスク組成物およびこれを用いた半導体集積回路デバイスの製造方法 | |
KR101266290B1 (ko) | 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 | |
KR100866015B1 (ko) | 반사방지 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 재료의 패턴화방법 | |
KR100909384B1 (ko) | 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 및 이를 이용한반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 | |
KR100760522B1 (ko) | 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 및 이를 이용한반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 | |
KR101344795B1 (ko) | 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 | |
KR100844019B1 (ko) | 카본 함량이 개선된 고 내에칭성 반사방지 하드마스크조성물, 이를 이용한 패턴화된 재료 형상의 제조방법 | |
KR20070095736A (ko) | 유기실란계 중합체를 포함하는 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 | |
KR20110079194A (ko) | 포토레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용하는 반도체 소자의 제조 방법 | |
KR100713231B1 (ko) | 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 및 이를 이용한반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 | |
KR101288573B1 (ko) | 칼릭스 알렌이 함유된 고 내에칭성 반사방지 하드마스크 조성물, 이를 이용한 패턴화된 재료 형상의 제조방법 | |
KR100783064B1 (ko) | 유기실란계 화합물, 이를 포함하는 레지스트 하층막용하드마스크 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로디바이스의 제조방법 | |
KR100725793B1 (ko) | 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 및 이를 이용한반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 | |
KR100725794B1 (ko) | 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 및 이를 이용한반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 | |
KR100783068B1 (ko) | 유기실란계 화합물 및 이를 포함하는 레지스트 하층막용하드마스크 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로디바이스의 제조방법 | |
KR20110079202A (ko) | 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 | |
KR101432607B1 (ko) | 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 | |
KR100725795B1 (ko) | 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 및 이를 이용한반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121114 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130913 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140917 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151020 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161028 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171019 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181025 Year of fee payment: 12 |