KR100782368B1 - 반도체 제조장치 - Google Patents

반도체 제조장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100782368B1
KR100782368B1 KR1020070007469A KR20070007469A KR100782368B1 KR 100782368 B1 KR100782368 B1 KR 100782368B1 KR 1020070007469 A KR1020070007469 A KR 1020070007469A KR 20070007469 A KR20070007469 A KR 20070007469A KR 100782368 B1 KR100782368 B1 KR 100782368B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
main chamber
subchamber
semiconductor manufacturing
sub
Prior art date
Application number
KR1020070007469A
Other languages
English (en)
Inventor
백동석
편희수
이정배
강성욱
이준성
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020070007469A priority Critical patent/KR100782368B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100782368B1 publication Critical patent/KR100782368B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 외부의 기판을 메인 챔버 내부로 이송하기 위한 구성을 갖춘 반도체 제조장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 제조장치는 내부가 진공으로 유지되는 메인 챔버와, 외부 공간 및 메인 챔버와 각각 선택적으로 연통되어 외부의 기판이 메인 챔버로 이송될 수 있게 하며 진공압을 전달받아 내부가 상기 메인 챔버와 대응하도록 감압되는 서브 챔버를 포함하여, 서브 챔버가 로드록 챔버의 역할과 트랜스퍼 챔버의 역할을 동시에 수행하게 되므로 구성이 간단해질 뿐만 아니라 공정이 단순해질 수 있게 되는 작용효과가 있다.

Description

반도체 제조장치{SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS}
도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조장치의 개략적인 구성을 보인 개략도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1: 메인 챔버 2: 서브챔버
3: 이송로봇 4: 제 1 도어밸브
5: 제 2 도어밸브
본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 외부의 기판을 메인 챔버 내부로 이송하기 위한 구성을 갖춘 반도체 제조장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조장치는 각종 주요 공정이 이루어지며 내부가 진공으로 유지되는 메인 챔버와, 반도체 제조장치의 외부에 적재되어 있는 웨이퍼 등의 기판을 내부로 이송하는 제 1 이송로봇이 내부에 설치되며 기판이 내부로 이송된 후 메인 챔버와 대응하도록 진공으로 감압되는 로드록 챔버(load lock chamber)와, 로드록 챔버 내로 이송된 기판을 메인 챔버로 안내하는 제 2 이송로봇이 배치되어 있는 트랜스퍼 챔버(transfer chamber)를 포함한다.
따라서, 반도체 제조장치의 외부에 적재되어 있는 기판이 로드록 챔버 내의 이송로봇에 의해 로드록 챔버 내로 이송되도록 한 후, 로드록 챔버 내부가 메인 챔버와 대응하도록 진공으로 감압되도록 하고, 이러한 상태에서 로드록 챔버 내의 기판이 트랜스퍼 챔버에 마련되어 있는 제 2 이송로봇에 의해 메인 챔버로 이송된다.
그런데 이러한 종래의 반도체 제조장치는 로드록 챔버와 트랜스퍼 챔버가 별도로 형성되어 있을 뿐만 아니라 이송을 위한 제 1 이송로봇과 제 2 이송로봇을 포함하고 있으므로 구조가 복잡하고, 그에 따라 기판을 메인 챔버 내로 이송하는 공정이 복잡하게 이루어진다는 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 구조가 간단하고 공정을 단순화 할 수 있는 반도체 제조장치를 제공하는 것이다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 제조장치는 내부가 진공으로 유지되는 메인 챔버와, 외부 공간 및 상기 메인 챔버와 각각 선택적으로 연통되어 외부의 기판이 상기 메인 챔버로 이송될 수 있게 하며 진공압을 전달받아 내부가 상기 메인 챔버와 대응하도록 진공으로 감압되는 서브 챔버를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 서브 챔버에는 외부의 기판을 내부로 이송하고 상기 서브 챔버 내부의 기판을 상기 메인 챔버로 이송하는 이송로봇이 포함되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 서브 챔버에는 외부 공간과 상기 서브 챔버 내부를 선택적으로 연통시키는 제 1 도어밸브가 구비되며, 상기 메인 챔버와 상기 서브 챔버 사이에는 상기 서브 챔버 내부와 상기 메인 챔버 내부를 선택적으로 연통시키는 제 2 도어밸브가 구비되는 것을 특징으로 한다.
이하에서는 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 반도체 제조장치는 도 1에 도시한 바와 같이, 주요 공정이 이루어지며 내부가 진공으로 유지되는 메인 챔버(1)와, 메인 챔버(1)에 연결되며 반도체 제조장치의 외부에 적재되어 있는 웨이퍼나 마스크 등의 기판이 메인 챔버(1)로 이송되게 하는 서브 챔버(2)를 포함한다.
메인 챔버(1)에서는 웨이퍼에 도포된 포토레지스트의 일정 영역에 빛을 쪼여 레티클의 패널을 웨이퍼에 옮기는 노광공정 등이 내부에서 수행되도록 되어 있으며, 서브 챔버(2)에는 기판을 이송하는 이송로봇(3)이 포함되어 외부의 기판을 메인 챔버(1)로 이송할 수 있도록 되어 있다.
서브 챔버(2)는 반도체 제조장치 외부의 공간 및 메인 챔버(1)와 각각 선택적으로 연통되어 이송로봇(3)에 의해 외부의 기판이 내부로 이송되거나 내부로 이송된 기판이 이송로봇(3)에 의해 다시 메인 챔버(1)로 이송될 수 있도록 되어 있는 것으로, 도시하지는 않았으나 이러한 서브 챔버(2)에는 진공압을 발생시키는 진공 장치로부터 진공압을 전달받아 내부의 압력이 메인 챔버(1)와 마찬가지로 진공으로 감압될 수 있도록 되어 있다.
따라서, 서브 챔버(2)에는 이송로봇(3)에 의해 외부의 기판이 내부로 이송된 후 내부의 압력이 진공으로 감압되고, 서브 챔버(2) 내부의 감압이 완료된 후에는 서브 챔버(2) 내로 이송된 기판이 다시 이송로봇(3)에 의해 메인 챔버(1)로 이송되게 된다.
이때, 서브 챔버(2)가 외부 공간과 연통되어 외부의 기판이 서브 챔버(2) 내로 이송될 수 있도록 하기 위하여 서브 챔버(2)의 일측에는 서브 챔버(2)의 내부와 외부를 선택적으로 연통시켜 이송로봇(3)에 의해 외부로부터 기판이 서브 챔버(2) 내부로 이송될 수 있도록 하는 제 1 도어밸브(4)가 구비되어 있으며, 서브 챔버(2)의 내부와 메인 챔버(1)의 내부가 연통되어 서브 챔버(2) 내의 기판이 메인 챔버(1)로 이송될 수 있도록 하기 위하여 메인 챔버(1)와 서브 챔버(2) 사이에는 메인 챔버(1)의 내부와 서브 챔버(2)의 내부를 선택적으로 연통시켜 이송로봇(3)에 의해 서브 챔버(2) 내의 기판이 메인 챔버(1) 내로 이송될 수 있도록 하는 제 2 도어밸브(5)가 구비되어 있다.
다음은 이와 같이 구성된 본 발명에 따른 반도체 제조장치의 동작을 설명한다.
먼저, 서브 챔버(2)의 제 1 도어밸브(4)가 개방되어 제 1 도어밸브(4)를 통해 반도체 제조장치의 외부 공간에 적재되어 있는 웨이퍼나 마스크 등의 기판이 서브 챔버(2) 내부에 배치되어 있는 이송로봇(3)에 의해 서브 챔버(2) 내로 이송된 후, 제 1 도어밸브(4)는 폐쇄되어 서브 챔버(2)의 내부는 반도체 제조장치의 외부 공간과 단절된다. 계속해서 서브 챔버(2) 내부는 진공장치에서 전달된 진공압에 의해 메인 챔버(1)와 대응하도록 진공으로 감압되고 감압이 완료된 후에는 제 2 도어밸브(5)가 개방되어 메인 챔버(1)와 서브 챔버(2)는 연통된다. 이러한 상태에서 서브 챔버(2) 내부로 이송된 기판은 다시 이송로봇(3)에 의해 메인 챔버(1)로 이송된 후, 제 2 도어밸브(5)는 폐쇄되어 메인 챔버(1)와 서브 챔버(2)는 서로 단절된다.
따라서 본 발명에 따른 반도체 제조장치에 포함되어 있는 서브 챔버(2)는 내부로 기판을 이송한 후, 진공상태인 메인 챔버(1)와 대응하도록 내부의 압력을 진공으로 낮추는 로드록 챔버(load lock chamber)의 역할과 로드록 챔버 내의 기판을 메인 챔버(1)로 이송하기 위한 이송로봇(3)이 포함된 트랜스퍼 챔버(transfer chamber)의 역할을 동시에 수행하게 되는 것이다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조장치는 내부로 기판이 이송되고 내부가 진공으로 감압된 후 내부의 기판이 다시 메인 챔버로 이송되게 하는 서브 챔버를 포함하여, 서브 챔버가 로드록 챔버의 역할과 트랜스퍼 챔버의 역할을 동시에 수행하게 되므로 구성이 간단해질 뿐만 아니라 공정이 단순해질 수 있게 되는 작용효과가 있다.

Claims (3)

  1. 내부가 진공으로 유지되는 메인 챔버와, 외부 공간 및 상기 메인 챔버와 각각 선택적으로 연통되어 외부의 기판이 상기 메인 챔버로 이송될 수 있게 하며 진공압을 전달받아 내부가 상기 메인 챔버와 대응하도록 진공으로 감압되는 서브 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 서브 챔버에는 외부의 기판을 내부로 이송하고 상기 서브 챔버 내부의 기판을 상기 메인 챔버로 이송하는 이송로봇이 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 서브 챔버에는 외부 공간과 상기 서브 챔버 내부를 선택적으로 연통시키는 제 1 도어밸브가 구비되며, 상기 메인 챔버와 상기 서브 챔버 사이에는 상기 서브 챔버 내부와 상기 메인 챔버 내부를 선택적으로 연통시키는 제 2 도어밸브가 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
KR1020070007469A 2007-01-24 2007-01-24 반도체 제조장치 KR100782368B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070007469A KR100782368B1 (ko) 2007-01-24 2007-01-24 반도체 제조장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070007469A KR100782368B1 (ko) 2007-01-24 2007-01-24 반도체 제조장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100782368B1 true KR100782368B1 (ko) 2007-12-07

Family

ID=39139694

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070007469A KR100782368B1 (ko) 2007-01-24 2007-01-24 반도체 제조장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100782368B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980036868U (ko) * 1996-12-16 1998-09-15 구자홍 반도체 제조장비용 이송로봇의 웨이퍼(Wefer) 고정장치
KR20000063022A (ko) * 1999-03-26 2000-10-25 미다라이 후지오 다공질체의 세정방법 및 다공질체, 비다공질막 및접합기판의 제작방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980036868U (ko) * 1996-12-16 1998-09-15 구자홍 반도체 제조장비용 이송로봇의 웨이퍼(Wefer) 고정장치
KR20000063022A (ko) * 1999-03-26 2000-10-25 미다라이 후지오 다공질체의 세정방법 및 다공질체, 비다공질막 및접합기판의 제작방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20120322015A1 (en) Apparatus and method for treating substrate
US9748124B2 (en) Vacuum processing apparatus and operating method thereof
JPH04206547A (ja) 装置間搬送方法
KR20140001589U (ko) 슬릿 밸브 도어들을 구비한 로드 락 챔버
CN103681405A (zh) 具有内晶圆载体缓冲区的半导体装置和方法
KR100782368B1 (ko) 반도체 제조장치
JPH06314730A (ja) 真空処理装置
JP2000150613A (ja) 被処理体の搬送装置
KR100439036B1 (ko) 반도체 제조설비
TW202331908A (zh) 閘閥及驅動方法
JPH04254350A (ja) マルチチャンバプロセス装置を用いたウエハ処理方法
KR20060114574A (ko) 반도체 제조 장비의 로드락 챔버
KR101043775B1 (ko) 반도체 제조용 장비의 로드락 챔버
KR20060120324A (ko) 반도체 제조장비의 멀티챔버 장치
KR20120117316A (ko) 기판처리장치
JP3470701B2 (ja) ロードロック装置とその運転方法
US11965241B2 (en) Cluster tools, systems, and methods having one or more pressure stabilization chambers
KR101884632B1 (ko) 기판식각장치의 기판 식각 제어방법
KR20230030165A (ko) 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
JPH11186355A (ja) ロードロック機構、基板処理装置および基板処理方法
JP2022109860A (ja) 基板処理装置
KR100905396B1 (ko) 로드락 챔버의 진공장치 및 이를 이용한 로드락 챔버의압력 전환 방법
KR20030092207A (ko) 반도체소자 제조장치
KR20020071165A (ko) 반도체 제조 공정에서의 웨이퍼 로딩방법
KR20030069509A (ko) 조명장치가 마련된 반도체 설비의 로드락 챔버

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121031

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131031

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141031

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151030

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181031

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191031

Year of fee payment: 13