KR20030092207A - 반도체소자 제조장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체소자 제조장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체소자 제조장치는, 반도체소자 제조공정이 수행되는 공정챔버A, 상기 공정챔버A의 내부압력을 조절하도록 상기 공정챔버A와 연결된 진공펌프A, 반도체소자 제조공정이 수행되는 공정챔버B, 상기 공정챔버B의 내부압력을 조절하도록 상기 공정챔버B와 연결된 진공펌프B, 개폐가 가능한 차단수단을 개재하여 상기 공정챔버A 및 공정챔버B를 서로 연결하는 연결통로, 상기 연결통로의 내부압력을 조절하도록 상기 연결통로와 연결된 진공펌프C 및 상기 연결통로에 설치된 웨이퍼 이송용 로봇아암을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 웨이퍼 이동간에 웨이퍼가 외부환경에 노출됨으로써 오염되는 것을 방지하고, 반도체소자 제조공정이 수행되는 공정챔버의 내부압력을 조절하기 위하여 반복적으로 진공펌프를 가동 및 중지시킴으로써 발생하는 로스타임의 발생을 방지할 있는 효과가 있다.

Description

반도체소자 제조장치{Apparatus for manufacturing semiconductor device}
본 발명은 반도체소자 제조장치에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 웨이퍼 이동간에 웨이퍼의 오염 및 로스타임의 발생을 방지할 수 있는 반도체소자 제조장치에 관한 것이다.
통상, 최근에 반도체소자는 256MDRAM 및 1GDRAM 등으로 고집적화됨에 따라 미세한 파티클(Particle)에 의해서도 불량이 발생함으로써 파티클에 의해서 반도체소자가 오염되는 것이 최소화되도록 연구 개발이 진행되고 있다.
이와 같이 파티클에 의해서 영향을 최소화하기 위해서 반도체소자 제조공정이 수행되는 클린룸(Clean room)은 고도의 청정도가 유지되도록 관리가 되고 있으며, 실질적으로 반도체소자 제조공정이 진행되는 공정챔버 역시 파티클에 의한 영향을 최소화하도록 고진공상태로 유지 관리되고 있다.
도1은 종래의 반도체소자 제조장치의 개략적인 구성도이다.
종래의 반도체소자 제조장치는, 도1에 도시된 바와 같이 진공펌프A(12)에 의해서 내부압력이 조절되는 상태에서 증착, 확산 및 식각 등의 반도체소자 제조공정이 진행되는 공정챔버A(10)를 구비한다.
그리고, 상기 공정챔버A(10)와 인접하여 진공펌프B(22)에 의해서 내부압력이 조절되는 상태에서 증착, 확산 및 식각 등의 반도체소자 제조공정이 진행되는 공정챔버B(20)를 구비한다.
이때, 상기 공정챔버A(10)에서 반도체소자 제조공정이 수행된 웨이퍼는 공정챔버A(10)에서 방출되어 작업자 및 로봇아암 등의 이동수단(2)에 의해서 공정챔버B(20)로 이동하도록 되어 있다.
따라서, 일련의 반도체소자 제조공정이 수행된 웨이퍼는 진공펌프A(12)에 의해서 내부압력이 조절된 공정챔버A(10)로 투입되어 증착, 확산 및 식각 등의 특정 단위 반도체소자 제조공정이 진행된다.
이어서, 상기 진공펌프A(12)의 가동을 중지시킴으로써 공정챔버A(10)의 내부압력을 상압상태로 조절한 후, 상기 공정챔버A(10)에서 특정 단위 반도체소자 제조공정이 수행된 웨이퍼는, 작업자, 로봇아암 등의 이동수단(2)에 의해서공정챔버A(10)에서 방출되어 진공펌프B(22)에 의해서 내부압력이 조절된 공정챔버B(20)로 이동된다.
마지막으로, 상기 공정챔버B(20) 내부에서는 특정 단위 반도체소자 제조공정이 수행된 웨이퍼 상에 증착, 확산 및 식각 등의 다른 특정 단위 반도체소자 제조공정이 수행된다.
이후, 상기 진공펌프B(22)의 가동을 중지시켜 공정챔버B(20)의 내부압력을 상압상태로 조절한 후, 상기 공정챔버B(20) 내부에서 다른 특정 반도체소자 제조공정이 수행된 웨이퍼를 외부로 방출시킨다.
그러나, 상기 웨이퍼는 공정챔버A(10)에서 증착, 확산 및 식각 등의 특정 단위공정을 진행한 후, 공정챔버B(20)로 이동하는 과정에 외부에 노출되어 외부환경에 영향을 받아 오염되는 문제점이 있었다.
그리고, 상기 진공상태의 공정챔버A(10) 및 공정챔버B(20)는 내부압력을 조절하기 위하여 진공펌프A(12) 및 진공펌프B(22)를 가동 및 중지를 반복하여 수행하여야 함으로써 공정챔버A(10) 및 공정챔버B(20)의 내부압력을 조절하는 데 많은 로스타임이 발생하고 있다.
본 발명의 목적은, 웨이퍼 이동간에 웨이퍼가 외부환경에 노출됨으로써 오염되는 것을 방지할 수 있는 반도체소자 제조장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 반도체소자 제조공정이 수행되는 공정챔버의 내부압력을 조절하기 위하여 반복적으로 진공펌프를 가동 및 중지시킴으로써 발생하는 로스타임의 발생을 방지할 있는 반도체소자 제조장치를 제공하는 데 있다.
도1은 종래의 반도체소자 제조장치의 개략적인 구성도이다.
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조장치의 구성도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
2, 4 : 이동수단 10, 30 : 공정챔버A
12, 32 : 진공펌프A 20, 40 : 공정챔버B
22, 42 : 진공펌프B 50 : 연결통로
52 : 진공펌프C 54 : 차단수단
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체소자 제조장치는, 반도체소자 제조공정이 수행되는 공정챔버A; 상기 공정챔버A의 내부압력을 조절하도록 상기 공정챔버A와 연결된 진공펌프A; 반도체소자 제조공정이 수행되는 공정챔버B; 상기 공정챔버B의 내부압력을 조절하도록 상기 공정챔버B와 연결된 진공펌프B; 개폐가 가능한 차단수단을 개재하여 상기 공정챔버A 및 공정챔버B를 서로 연결하는 연결통로; 상기 연결통로의 내부압력을 조절하도록 상기 연결통로와 연결된 진공펌프C; 및 상기 연결통로에 설치된 웨이퍼 이송용 로봇아암;을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 연결통로는 외부에서 내부의 상황을 확인할 수 있도록 투명질로 형성함이 바람직하다.
그리고, 상기 차단수단은 게이트밸브 또는 도어(Door)로 이루어질 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세히 설명한다.
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자 제조장치를 설명하기 위한 구성도이다.
본 발명에 따른 반도체소자 제조장치는, 도2에 도시된 바와 같이 진공펌프A(32)에 의해서 내부압력이 조절되는 상태에서 증착, 확산 및 식각 등의 반도체소자 제조공정이 진행되는 공정챔버A(30)를 구비한다.
그리고, 상기 공정챔버A(40)와 인접하여 진공펌프B(42)에 의해서 내부압력이 조절되는 상태에서 증착, 확산 및 식각 등의 반도체소자 제조공정이 진행되는 공정챔버B(40)를 구비한다.
또한, 상기 공정챔버A(30)의 일측부 및 공정챔버B(40)의 일측부가 개폐가능한 도어(Door), 게이트밸브(Gate valve) 등의 차단수단(54a, 54b)을 개재하여 투명재질의 연결통로(50)에 의해서 서로 연결되어 있다.
이때, 상기 연결통로(50)는 진공펌프C(52)에 의해서 내부압력이 조절되도록 되어 있고, 상기 연결통로(50) 내부에는 공정챔버A에서 특정 단위 반도체소자 제조공정이 수행된 웨이퍼를 공정챔버B로 이송하는 로봇아암 등의 이송수단(4)이 설치되어 있다.
따라서, 일련의 반도체소자 제조공정이 수행된 웨이퍼는 진공펌프A(32)에 의해서 내부압력이 조절된 공정챔버A(30)로 투입되어 증착, 확산 및 식각 등의 특정 단위 반도체소자 제조공정이 진행된다.
이어서, 상기 진공펌프A(32)가 가동되는 상태에서 진공펌프C(52)에 의해서 내부압력이 진공상태로 조절된 연결통로(50)의 도어, 게이트밸브 등의 일측 차단수단(54a)을 개방한다.
다음으로, 상기 이송수단(4)은 차단수단(54a)을 통해서 공정챔버A(30)에서 특정 단위 반도체소자 제조공정이 수행된 웨이퍼를 잡아 타측 차단수단(54b)을 통해서 진공펌프B(42)에 의해 내부압력이 진공상태로 조절된 공정챔버B(40)로 이송한다.
이때, 상기 연결통로(50)는 투명재질로 형성됨으로써 외부의 작업자는 이송수단(4)에 의해서 웨이퍼가 이송되는 과정을 관찰하여 이상 발생시 신속하게 조치할 수 있다.
그리고, 상기 공정챔버A(30)에서 특정 단위 반도체소자 제조공정이 수행된 웨이퍼가 진공펌프C(52)에 의해 내부압력이 진공상태로 조절된 연결통로(50)를 통해서 이동함으로써 웨이퍼가 외부환경에 노출되어 오염되는 것을 방지한다.
또한, 상기 공정챔버A(30)와 연결통로(50) 사이에 부압력 차가 발생하지 않으므로 공정챔버A(30)의 내부압력을 조절하기 위하여 진공펌프A(32)의 가동을 중지시키는 등에 따라 발생하는 로스타임은 존재하지 않는다.
마지막으로, 상기 공정챔버B(40) 내부에서는 특정 단위 반도체소자 제조공정이 수행된 웨이퍼 상에 증착, 확산 및 식각 등의 다른 특정 단위 반도체소자 제조공정이 수행된다.
그리고, 본 실시예에서는 공정챔버A(30) 및 공정챔버B(40) 즉 2개의 공정챔버에 대해서 한정하여 설명하였으나 이를 응용하여 복수의 공정챔버를 각각 연결통로(50)로 연결할 수 있음은 당연하다할 것이다.
본 발명에 의하면, 특정 공정챔버에서 다른 공정챔버로 웨이퍼가 이송되는 과정에 웨이퍼가 외부환경에 노출되어 오염되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
그리고, 특정 공정챔버와 다른 특정 공정챔버 사이에 진공상태의 연결통로가 구비됨으로써 공정챔버의 내부압력의 조절에 따른 로스타임을 줄일 수 있는 효과가있다.
이상에서는 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (4)

  1. 반도체소자 제조공정이 수행되는 공정챔버A;
    상기 공정챔버A의 내부압력을 조절하도록 상기 공정챔버A와 연결된 진공펌프A;
    반도체소자 제조공정이 수행되는 공정챔버B;
    상기 공정챔버B의 내부압력을 조절하도록 상기 공정챔버B와 연결된 진공펌프B;
    개폐가 가능한 차단수단을 개재하여 상기 공정챔버A 및 공정챔버B를 서로 연결하는 연결통로;
    상기 연결통로의 내부압력을 조절하도록 상기 연결통로와 연결된 진공펌프C;및
    상기 연결통로에 설치된 웨이퍼 이송용 로봇아암;
    을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 연결통로는 투명재질로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 차단수단은 게이트밸브로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 차단수단은 도어(Door)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조장치.
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