KR100774227B1 - 기계적 성질이 개선된 연료 전지용 신규 막 - Google Patents

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Abstract

본 발명은
하기 화학식 1A 및/또는 1B의 아졸 반복 단위를 포함하는 하나 이상의 중합체(a) 0.1 내지 99.9중량% 및
하기 화학식 2A, 2B, 2C, 2D, 2E, 2F 및/또는 2G의 반복 단위를 포함하고 설폰산 기를 포함하지 않는 폴리설폰(b) 0.1 내지 99.9중량%를 포함하는 중합체 블렌드로 이루어진 하나 이상의 층(A)를 포함하는, 산 도핑된(acid-doped) 단층 또는 다층 중합체 막에 관한 것이다:
[화학식 1A]
Figure 112006075042727-pct00040
[화학식 1B]
Figure 112006075042727-pct00041
[식 중,
라디칼 Ar, Ar1 및 Ar2는 4가, 2가 또는 3가 방향족 또는 헤테로방향족 기이고,
라디칼 X는 반복 단위 내에서 동일하고 산소원자, 황원자, 또는 수소원자를 함유하는 아미노기, 탄소수 1 내지 20의 기, 바람직하게는 분지형 또는 비분지형 알킬 또는 알콕시 기, 또는 추가의 라디칼로서 아릴 기이다]
[화학식 2A]
Figure 112006075042727-pct00042
[화학식 2B]
Figure 112006075042727-pct00043
[화학식 2C]
Figure 112006075042727-pct00044
[화학식 2D]
Figure 112006075042727-pct00045
[화학식 2E]
Figure 112006075042727-pct00046
[화학식 2F]
Figure 112006075042727-pct00047
[화학식 2G]
Figure 112006075042727-pct00048
[식 중,
R은 동일하거나 상이하고 각각 서로 독립적으로 1,2-페닐렌, 1,3-페닐렌, 1,4-페닐렌, 4,4'-비페닐, 2가 헤테로방향족 라디칼, 2가 C10-방향족 라디칼 또는 2가 C14-방향족 라디칼이다].
또한, 본 발명은 당해 도핑된 중합체 막의 제조방법, 연료 전지, 전기분해, 커패시터(capacitor), 충전지 시스템 및 전색성(electrochromic) 제품에서의 이의 용도 및 본 발명의 하나 이상의 중합체 막을 포함하는 막 전극 유니트에 관한 것이다.
중합체 막, 도핑, 아졸 반복 단위, 연료 전지, 양성자 전도성, 수소 투과율

Description

기계적 성질이 개선된 연료 전지용 신규 막{Novel membranes having improved mechanical properties, for use in fuel cells}
본 발명은 아졸 반복 단위를 갖는 중합체를 포함하는 중합체 블렌드로 구성된 층을 포함하는 산 도핑된(acid-doped) 단층 또는 다층 중합체 막, 당해 중합체 막의 제조방법 및 이의 용도에 관한 것이다.
본 발명은 중합체 막 분야에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 산 도핑된 중합체 막에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 산 도핑된 중합체 막의 제조방법 및 이의 용도에 관한 것이다.
본 발명에 따라 도핑된 중합체 막은 다양하게 사용할 수 있다. 당해 막은 기계적 성질이 우수하기 때문에, 연료 전지의 중합체 막으로서 특히 중요하다.
연료 전지용 폴리아졸 막이 이미 공지되어 있다. 기본 막(basic membrane)을 진한 인산 또는 황산으로 도핑하면 당해 막은 다중 전해질 막 연료 전지[PEM(polyelectrolyte membrane) 연료 전지]에서 양성자 전도체로서 작용한다. 이러한 막은 막 전극 유니트(MEE; membrane electrode unit)가 100 내지 200℃에서 작동할 수 있게 하며, 이렇게 하여 개질(reforming)시 부산물로서 형성된 일산화탄소에 대한 촉매의 내성을 상당히 증가시켜 기체 조제 또는 기체 정제가 상당히 단순화된다.
이들 막의 단점은 E 모듈러가 낮고 인열 강도가 낮으며 유동 상한값이 낮아 기계적으로 불안정하고, 수소 및 산소에 대한 투과율이 비교적 높다는 것이다.
케레스(Kerres, J.) 등은 설폰화 폴리에테르 에테르 케톤 sPEEK 빅트렉스(
Figure 112006075042727-pct00049
Victrex) 또는 폴리에테르 설폰 sPSU 우델(
Figure 112006075042727-pct00050
Udel) 및 설폰 브릿지에 대해 오르토 위치에서 디아민화된 PSU 우델, 폴리(4-비닐피리딘), 폴리(벤즈이미다졸) PBI 셀라졸(
Figure 112006075042727-pct00051
Celazole) 또는 폴리(에틸렌이민) PEI로 이루어진 막을 제공하였다[참조: Kerres, Jochen; Ullrich, Andreas; Meier, Frank; Haring, Thomas "Synthesis and characterization of novel-acid-base polymer blends for application in membrane fuel cells" Solid State Ionics 125, 243 to 249, 1999]. 이들 막은 이온 교환 용량(IEC; ion exchange capacity)(IEC = SO3H의 meq/건조 막의 g) 1에서 양성자 전도성이 양호하고, 열 안정성이 양호하다.
그러나, 이들은 대기압하에 100℃ 초과의 온도에서 막의 전도율이 수분 손실로 인해 감소한다는 단점을 갖는다. 이러한 이유 때문에, 이들 막은 대기압하에 100℃ 초과의 온도에서 연료 전지에 사용할 수 없다.
선행 기술의 관점에서, 본 발명의 목적은 성질이 개선된 도핑된 중합체 막을 제공하는 것이다. 본 발명의 중합체 막은 양성자 전도성이 양호하고 수소 및 산소에 대한 투과율이 낮다.
본 발명의 추가의 목적은 연료 전지에 사용할 수 있는 도핑된 중합체 막을 제공하는 것이다. 특히, 도핑된 중합체 막은 대기압하에 100℃ 초과의 온도에서 연료 전지에 사용하는 데 적합하다.
또한, 본 발명의 목적은 간단한 방법으로 저렴하고 산업적 규모로 수행할 수 있는 도핑된 중합체 막의 제조방법을 제공하는 것이다.
이들 목적 및 본원에서 간단하게 논의한 관계로부터 용이하게 추론 또는 결론 내릴 수 있는 추가의 목적은 청구의 범위 제1항의 모든 특징을 갖는 산 도핑된 중합체 막에 의해 달성된다. 본 발명의 도핑된 중합체 막의 유리한 양태는 청구의 범위 제1항을 인용하는 종속항에 청구되어 있다. 본 발명의 도핑된 중합체 막의 제조방법은 방법 청구항으로 기재되어 있는 반면, 용도 카테고리의 청구항은 본 발명에 따라 도핑된 중합체 막의 바람직한 용도를 청구한다.
하기 화학식 1A 및/또는 1B의 아졸 반복 단위를 포함하는 하나 이상의 중합체(a) 0.1 내지 99.9중량% 와 혼합된
화학식 2A, 2B, 2C, 2D, 2E, 2F 및/또는 2G의 반복 단위를 포함하고 설폰산기를 포함하지 않는 폴리설폰(b) 99.9 내지 0.1중량%를 포함하는, 중합체 블렌드로 이루어진 하나 이상의 층(A)를 포함하는, 산 도핑된 단층 또는 다층 중합체 막을 제공함으로써, 기계적 성질이 개선되고, 특히 E 모듈러스가 증가하고 파열 강도가 개선된 도핑된 중합체 막을 제공할 수 있으며, 이는 쉽게 예견할 수 없었던 것이다:
Figure 112003013735758-pct00001
Figure 112003013735758-pct00002
[식 중,
라디칼 Ar, Ar1 및 Ar2는 4가, 2가 또는 3가 방향족 또는 헤테로방향족 기이고,
라디칼 X는 반복 단위 내에서 동일하고 각각 산소원자, 황원자, 또는 수소원자를 함유하는 아미노기, 탄소수 1 내지 20의 기, 바람직하게는 분지형 또는 비분지형 알킬 또는 알콕시 기, 또는 추가의 라디칼로서 아릴 기이다]
Figure 112003013735758-pct00003
Figure 112003013735758-pct00004
Figure 112003013735758-pct00005
Figure 112003013735758-pct00006
Figure 112003013735758-pct00007
Figure 112003013735758-pct00008
Figure 112003013735758-pct00009
[식 중,
라디칼 R은 동일하거나 상이하고 각각 서로 독립적으로 1,2-페닐렌, 1,3-페닐렌, 1,4-페닐렌, 4,4'-비페닐, 2가 헤테로방향족 라디칼, 2가 C10-방향족 라디칼 및/또는 2가 C14-방향족 라디칼이다].
동시에, 본 발명의 도핑된 중합체 막은 일련의 추가의 이점을 나타낸다. 이들은 특히 다음을 포함한다:
⇒ 당해 도핑된 중합체 막은 양성자 전도성이 양호하다.
⇒ 당해 도핑된 중합체 막은 단지 수소 및 산소에 대한 투과율이 낮다.
⇒ 총 두께가 10 내지 100㎛의 범위인 매우 얇은 도핑된 중합체 막 조차도 100℃에서 재료 성질이 충분히 양호하고, 특히 기계적 안정성이 매우 높고 수소 및 산소에 대한 투과율이 낮다.
⇒ 당해 도핑된 중합체 막의 성질 프로파일은 다층 구조를 사용함으로써 더욱 개선시킬 수 있다.
⇒ 당해 도핑된 중합체 막은 특히 대기압하에 100℃ 초과의 온도에서 연료 전지에 사용하는 데 적합하다.
⇒ 비교적 값비싼 폴리아졸의 일부를 비교적 저렴한 폴리설폰으로 대체하는 경우, 제조비용이 보다 저렴한 도핑된 중합체 막을 제공할 수 있다.
⇒ 당해 도핑된 중합체 막은 간단한 방법으로 산업적 규모로 제조할 수 있다.
본 발명에 따라서, 당해 중합체 막은 하기 화학식 1A 및/또는 1B의 아졸 반복 단위를 포함하는 하나 이상의 중합체 0.1 내지 99.9중량%를 포함하는 중합체 블렌드로 이루어진 하나 이상의 층(A)을 포함한다:
[화학식 1A]
Figure 112003013735758-pct00010
[화학식 1B]
Figure 112003013735758-pct00011
[식 중, 라디칼 Ar, Ar1 및 Ar2는 각각 하나 이상의 환을 가질 수 있는 4가, 2가 또는 3가 방향족 또는 헤테로방향족 기이다]. 바람직한 기는 벤젠, 나프탈렌, 비페틸, 디페닐 에테르, 디페닐메탄, 디페닐디메틸메탄, 비스페논, 디페닐 설폰, 퀴놀린, 피리딘, 안트라센 및 펜안트라센으로부터 유도되며, 이들은 또한 치환될 수 있다. Ar1은 임의의 치환 형태를 가질 수 있다. 페닐렌의 경우, Ar1은 예를 들면, 오르토-, 메타- 또는 파라-페닐렌일 수 있다. 특히 바람직한 기는 치환될 수 있는 벤젠 및 비페닐로부터 유도된다.
라디칼 X는 각각 산소원자(벤즈옥사졸 단위), 황원자(벤조티아졸 단위), 또는 수소원자를 함유하는 아미노기(벤즈이미다졸 단위), 탄소수 1 내지 20의 기, 바람직하게는 분지형 또는 비분지형 알킬 또는 알콕시기, 또는 추가의 라디칼로서 아릴 기이다. 바람직한 알킬 기는 탄소수 1 내지 4의 단쇄 알킬기, 예를 들면, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필 및 3급-부틸 기이다. 바람직한 방향족 기는 페닐 또는 나프틸 기이다. 알킬기 및 방향족 기는 치환될 수 있다. 바람직한 치환체는 할로겐 원자, 예를 들면, 불소, 아미노기 또는 단쇄 알킬기, 예를 들면, 메틸 또는 에틸기이다.
본 발명의 목적을 위해 화학식 1A의 반복 단위를 포함하는 폴리아졸을 사용하는 경우, 라디칼 X는 반복 단위 내에서 동일해야 한다.
본 발명의 목적을 위해 사용된 폴리아졸은 원칙적으로, 예를 들면, 상이한 라디칼 X를 갖는, 상이한 반복 단위를 포함할 수 있다. 그러나, 바람직하게는 동일한 반복 단위만을 포함한다.
본 발명의 바람직한 양태에서, 아졸 반복 단위를 포함하는 중합체는 서로 상이한 둘 이상의 화학식 1A 및/또는 1B의 단위를 포함하는 공중합체이다.
본 발명의 특히 바람직한 양태에서, 아졸 반복 단위를 포함하는 중합체는 화학식 1A 및/또는 1B의 단위만으로 이루어진 폴리아졸이다.
중합체 내의 아졸 반복 단위의 수는 바람직하게는 10 이상이다. 특히 바람직한 중합체는 아졸 반복 단위를 100개 이상 함유한다.
본 발명의 목적을 위해, 벤즈이미다졸 반복 단위를 포함하는 중합체를 사용하는 것이 바람직하다. 벤즈이미다졸 반복 단위를 포함하는 매우 유리한 중합체의 예는 하기 화학식 1C의 화합물이다:
Figure 112003013735758-pct00012
[식 중,
n은 10 이상의 정수, 바람직하게는 100 이상의 정수이다].
본 발명에 따라서, 당해 중합체 블렌드는 설폰산 기를 포함하지 않는 폴리설폰 99.9 내지 0,1 중량%를 포함한다. 폴리설폰산은 연결용 설폰 기를 포함하는 하기 화학식 2A, 2B, 2C, 2D, 2E, 2F 및/또는 2G의 반복 단위를 포함한다:
[화학식 2A]
Figure 112003013735758-pct00013
[화학식 2B]
Figure 112003013735758-pct00014
[화학식 2C]
Figure 112003013735758-pct00015
[화학식 2D]
Figure 112003013735758-pct00016
[화학식 2E]
Figure 112003013735758-pct00017
[화학식 2F]
Figure 112003013735758-pct00018
[화학식 2G]
Figure 112003013735758-pct00019
[식 중,
라디칼 R은 동일하거나 상이하고 각각 서로 독립적으로 1,2-페닐렌, 1,3-페닐렌, 1,4-페닐렌, 4,4'-비페닐, 2가 헤테로방향족 라디칼, 2가 C10-방향족 라디칼 및/또는 2가 C14-방향족 라디칼이다. 헤테로방향족 라디칼의 예는 피리딘 및 퀴놀린이다. C10-방향족 라디칼의 예는 나프탈린이고, C14-방향족 라디칼의 예는 페난트렌이다].
본 발명의 목적을 위해 바람직한 폴리설폰은 단독중합체 및 공중합체, 예를 들면, 랜덤 공중합체, 예를 들면, 빅트렉스 720 P 및 아스트렐(
Figure 112006075042727-pct00052
Astrel)을 포함한다. 특히 바람직한 폴리설폰은 다음과 같다:
Figure 112003013735758-pct00020
Figure 112003013735758-pct00021
[식 중, n > 0이다]
삭제
Figure 112003013735758-pct00022
Figure 112003013735758-pct00023
Figure 112003013735758-pct00024
Figure 112003013735758-pct00025
[식 중, n < 0이다]
삭제
Figure 112003013735758-pct00026
매우 특히 바람직한 폴리설폰은 라델 R이다.
본 발명에 따라 사용할 수 있는 폴리설폰은, 경우에 따라, 치환될 수 있다. 그러나, 하기 화학식 3의 양성자화 설폰산 기와 하기 화학식 4의 양성자화 가능한 설폰산 염 기는 도핑된 중합체 막의 기계적 성질에 손상을 줄 수 있기 때문에, 당해 폴리설폰은 이들 기 중 어느 것도 함유해서는 안 된다:
-SO3H
-SO3 -M+
[식 중,
M+는 무기 양이온 또는 유기 양이온이다].
본 발명의 바람직한 양태에서, 폴리설폰은 치환되지 않는다.
본 발명의 또 다른 바람직한 양태에서, 폴리설폰의 수평균 분자량은 30000g/mol을 초과한다.
본 발명의 중합체 막은 도핑된다. 본 발명의 목적을 위해, 도핑된 중합체 막은, 도핑제의 존재로 인해 도핑되지 않은 중합체 막에 비해 양성자 전도율이 증가된 중합체 막이다. 본 발명의 중합체 막용 도핑제는 산이다. 본원에서, 산은 모든 공지된 루이스 산 및 브뢴스테드 산, 바람직하게는 무기 루이스 산 및 무기 브뢴스테드 산을 포함한다. 또한, 다중산, 특히 이소폴리산 및 헤테로폴리산 및 각종 산들의 혼합물을 사용할 수도 있다. 본 발명의 목적을 위해, 헤테로폴리산은 부분적으로 혼합된 무수물로서 금속(바람직하게는 Cr, Mo, V 및 W) 및 비금속(바람직하게는 As, I, P, Se, Si 및 Te)의 약한 다가 옥소 산으로부터 형성되는 둘 이상의 상이한 중심 원자를 갖는 무기 다중산이다. 이들은 특히 12-몰리브도인산 및 12-텅스토인산을 포함한다.
본 발명에 따르는 특히 바람직한 도핑제는 황산 및 인산이다. 매우 특히 바람직한 도핑제는 인산(H3PO4)이다.
도핑도(degree of doping)를 사용하여 본 발명의 중합체 막의 전도율에 영향을 미칠 수 있다. 전도율은 최대 값에 도달할 때까지 도핑제의 농도가 증가함에 따라 증가한다. 본 발명에 따르면, 도핑도는 중합체의 반복 단위 1mol당 산의 mol 로서 기재되어 있다. 본 발명의 목적을 위해, 도핑도는 3 내지 15, 특히 6 내지 12인 것이 바람직하다.
본 발명의 중합체 막의 특성 스펙트럼은 이의 조성을 변화시켜 변경할 수 있다. 본 발명의 바람직한 양태에서, 중합체 블렌드는
화학식 1A 및/또는 1B의 아졸 반복 단위를 포함하는 중합체(a) 50 내지 99중량% 와 혼합된
설폰산 기를 포함하지 않는 폴리설폰(b) 1 내지 50중량%를 포함한다.
본 발명의 특히 바람직한 양태에서, 중합체 블렌드는
화학식 1A 및/또는 1B의 아졸 반복 단위를 포함하는 중합체(a) 70 내지 95중량% 및
설폰산 기를 포함하지 않는 폴리설폰(b) 5 내지 30중량%를 포함한다.
도핑된 중합체 막은 단층 또는 다층 구조이다. 다층 구조의 경우 이의 재료 성질, 예를 들면, E 모듈러스, 인장 강도 및 양성자 전도율을 목적하는 방식으로 변화시킬 수 있다. 바람직하게는 본 발명의 중합체 막은 각각 본 발명에 따르는 중합체 블렌드로부터 수득할 수 있고 폴리설폰(b)의 함량이 서로 상이한 두 개의 층 (A) 및 (B)를 적어도 포함한다. 또한, 두 개의 층 (A) 및 (B)의 두께도 상이한 것이 특히 유리하다.
본 발명에 따르면, 각각 본 발명에 따르는 중합체 블렌드로부터 수득할 수 있고 중간 층(C)의 폴리설폰(b)의 함량이 두 개의 외부 층 (A) 및 (B)의 폴리설폰(b)의 함량과 상이한 세 개의 층 (A), (B) 및 (C)를 적어도 포함하는, 도 핑된 중합체 막이 특히 바람직하다. 층 두께를 상이하게 하는 것이 또한 유리할 수 있다. 본 발명의 특히 바람직한 양태에서, 도핑된 중합체 막은 세 개의 층 (A), (B) 및 (C)를 포함한다. 본원에서, 외부 층 (A) 및 (B)는 중간 층(C)보다 더 얇고 폴리설폰(b)의 함량이 중간 층(C)의 폴리설폰(b)의 함량보다 더 높다. 본 발명의 매우 특히 바람직한 양태에서, 중간 층(C)는 폴리설폰을 함유하지 않는다.
본 발명의 중합체 막의 성질은 이의 총 두께에 의해 어느 정도 조절할 수 있다. 그러나, 심지어 매우 얇은 중합체 막도 기계적 성질이 매우 양호하고 물 및 산소에 대한 투과율이 낮다. 따라서, 이들은 막 전극 유니트의 가장자리 영역을 강화시킬 필요없이 이들은 100℃를 초과하는 온도, 특히 120℃를 초과하는 온도에서 연료 전지에 사용하는 데 적합하다. 본 발명의 도핑된 중합체 막의 총 두께는 바람직하게는 5 내지 100㎛, 유리하게는 10 내지 90㎛, 특히 20 내지 80㎛의 범위이다.
본 발명의 중합체 막은 과거에 공지되어 있는 도핑된 중합체 막에 비해 재료성질이 향상된다. 특히, 기계적 성질이 매우 양호하고 수소 및 산소에 대한 투과율이 낮다. 본 발명의 특히 바람직한 양태에서, 이의 실온에서의 양성자 전도율은 30mS/cm를 초과하고 100℃에서 10분 후의 E 모듈러스는 10MPa을 초과한다.
도핑된 중합체 막의 제조방법이 공지되어 있다. 본 발명의 바람직한 양태에서, 당해 막은 본 발명에 따르는 중합체 블렌드를 실온 내지 100℃의 온도 범위 및 대기압 또는 초대기압에서 적합한 시간, 바람직하게는 0.5 내지 96시간, 특히 바람직하게는 1 내지 72시간 동안 진한 산, 바람직하게는 매우 진한 인산으로 습윤화시 킴으로써 수득한다.
본 발명의 목적을 위해, "중합체 블렌드"는 중합체들의 물리적 혼합물이다. 중합체 블렌드의 제조방법은 공지되어 있다. 이들은, 예를 들면, 용매를 증발시킴으로써 블렌딩시킬 중합체를 함유하는 용액으로부터 수득할 수 있다. 용매는 자기-지지(self-supporting)되고 바람직하게는 투명한 필름이 수득되도록 증발시키는 것이 바람직하다. 본 발명의 목적을 위해, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, 디메틸 설폭사이드, N-메틸피롤리돈 또는 이들 용매들의 혼합물을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 도핑된 중합체 막의 가능한 용도는 특히 연료 전지, 전기분해, 커패시터(capacitor) 및 축전지 시스템에서의 용도를 포함한다. 당해 도핑된 중합체 막은 이의 성질 프로파일로 인해 연료 전지에 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 본 발명에 따르는 하나 이상의 중합체 막을 포함하는 막 전극 유니트를 제공한다. 막 전극 유니트에 대한 추가의 정보는 기술 문헌, 특히 명백하게 본원에 참고로 인용되어 있는 미국 특허 제4,191,618호, 제4,212,714호 및 제4,333,805호를 참조한다. 아래에서 본 발명을 실시예 및 비교실시예를 사용하여 설명하지만, 본 발명이 이들 실시예로 제한되는 것은 아니다.
1. 실시예
(a) PBI-DMAc 용액의 제조
셀라졸[제조사: 셀라네제(Celanese)]을 2 내지 4시간에 걸쳐 200℃의 온도에 서 N,N-디메틸아세트아미드(셀라졸의 15중량%)에 용해시킨다.
(b) 폴리설폰 용액의 제조
폴리설폰인 라델-R 5700[제조사: 아모코(Amoco)]{또는 폴리에테르 설폰인 울트라손(
Figure 112006075042727-pct00053
Ultrason) E 6000[제조사: 바스프(BASF)]}을 N,N-디메틸아세트아미드 또는 N-메틸피롤리돈(셀라졸의 15중량%)에 용해시킨다. 폴리설폰 용액을 실온에서 가압 여과기를 통해 여과한다.
(c) 용액 상태의 중합체 혼합물의 제조
PBI-DMAc 용액 및 폴리설폰 용액을 60 내지 95℃의 온도에서 저속 앵커(anchor) 교반기를 사용하여 혼합한다. 폴리벤즈이미다졸 용액에 의해 나타나는 바이센베르크 효과(Weissenberg effect)의 결과, 교반기 온도가 더 낮거나 회전 속도가 더 빠르면 용액의 적어도 부분적인 해혼합(demixing)이 유도된다. 혼합된 용액을 80℃의 온도에서 15분 이상 동안 진공탈기시킨다.
(d) 중합체 막의 제조
당해 용액을 닥터 블레이드(doctor blade)를 사용하여 저-분진 환경[라미나 유동 상자(laminar flow box)] 속에서 유리 판 위에 두께가 약 250㎛가 되도록 도포하고, 분진 여과기가 장착된 대류 건조 오븐 속에서 120℃ 이하의 온도에서 건조 시킨다. 건조시킨 중합체 막을 유리 판으로부터 박리시킨다.
(e) 중합체 막의 도핑
중합체 막을 실온에서 72시간 동안 85% 농도의 인산으로 습윤화시킨다.
2. 비교실시예
빅트렉스 폴리에테르 케톤(PEK)을 DE 제19847782 A1호(2000년 4월 20일)에 기재된 바와 같이 설폰화 생성물로 전환시킨다. 설폰화 생성물의 설폰화도는 42%이다. 설폰산 중합체를 50℃에서 5% 농도의 수산화나트륨 수용액 속에서 밤새 교반함으로써 나트륨 염으로 전환시키고, 여과제거한 후, 세척하고 건조시킨다.
설폰산 중합체를 N,N-디메틸아세트아미드 또는 N-메틸피롤리돈(15중량%)에 용해시킨다. 폴리설폰 용액을 실온에서 가압 여과기를 통해 여과한다.
중합체의 용해는 실시예 1(b)에서와 유사한 방법으로 수행한다. 나트륨 염의 유리 산으로의 전환은 당해 블렌드 막을 인산으로 처리함으로써 수행한다. 용액 상태의 중합체 혼합물의 제조, 중합체 막의 제조 및 막의 도핑을 위의 실시예에서와 유사한 방법으로 수행한다.
3. 인산 농도의 측정
도핑된 막을 정확히 1ℓ의 증류수 속에서 밤새 교반한다. 이어서, 당해 막을 물로부터 꺼내어 150℃ 및 20 내지 50mbar에서 3시간 동안 건조시킨다. 건조된 막의 중량을 측정한다. 표준 수산화나트륨 용액으로 적정함으로써 물의 산 함량을 측정한다.
막의 건조 질량 및 적정 테이타로부터 각각의 중합체의 반복 단위당 산 분자의 수를 계산한다. 수득된 결과는 표 1에 요약되어 있다.
Figure 112003013735758-pct00027

4. 전도율의 측정
백금 전극(와이어, 직경 0.25mm) 및 짜흐너(Zahner) IM 6 임피던스 분광계를 사용함으로써 4극 정렬로 실온에서 측정한다. 수득된 스펙트럼은 병렬 회로, 커패시터 및 저항으로 이루어진 간단한 모델을 사용하여 맞춘다. 샘플의 크기는 도핑 전에 측정한다. 결과는 표 2에 나타내었다.
Figure 112003013735758-pct00028

5. 기계적 성질의 측정
쯔비크(Zwick) 시험기로 일축 인장 시험을 수행하여 기계적 성질을 측정한다(셀 하중 100N). 시험 시편의 형태는 도핑되지 않은 상태에서 측정한다. 도핑되지 않은 상태의 시편은 폭이 15mm이고 공기압 작동 처크(chuck) 사이의 시편의 길이는 100mm이다. 초기 힘은 0.1N이고 시험 속도는 100mm/분이다.
샘플을 100℃로 예열시킨 샘플 챔버 속에 설치하고 샘플 챔버를 밀폐시킨 후, 정확히 10분 후 측정을 시작한다. 결과는 표 3에 요약되어 있다.
Figure 112003013735758-pct00029

Claims (17)

  1. 하기 화학식 1A 및/또는 1B의 아졸 반복 단위를 포함하는 하나 이상의 중합체(a) 0.1 내지 99.9중량% 과 혼합된
    하기 화학식 2A, 2B, 2C, 2D, 2E, 2F 및/또는 2G의 반복 단위를 포함하고 설폰산 기를 포함하지 않는 폴리설폰(b) 99.9 내지 0.1 중량%를 포함하는 중합체 블렌드로 이루어진 하나 이상의 층(A)를 포함하는, 산 도핑된(acid-doped) 단층 또는 다층 중합체 막:
    [화학식 1A]
    Figure 112006075042727-pct00030
    [화학식 1B]
    Figure 112006075042727-pct00031
    [식 중,
    라디칼 Ar, Ar1 및 Ar2는 4가, 2가 또는 3가 방향족 또는 헤테로방향족 기이고,
    라디칼 X는 반복 단위 내에서 동일하고 각각 산소원자, 황원자, 또는 수소원자를 함유하는 아미노기, 탄소수 1 내지 20의 기이다]
    [화학식 2A]
    Figure 112006075042727-pct00032
    [화학식 2B]
    Figure 112006075042727-pct00033
    [화학식 2C]
    Figure 112006075042727-pct00034
    [화학식 2D]
    Figure 112006075042727-pct00035
    [화학식 2E]
    Figure 112006075042727-pct00036
    [화학식 2F]
    Figure 112006075042727-pct00037
    [화학식 2G]
    Figure 112006075042727-pct00038
    [식 중,
    라디칼 R은 동일하거나 상이하고 각각 서로 독립적으로 1,2-페닐렌, 1,3-페닐렌, 1,4-페닐렌, 4,4'-비페닐, 2가 헤테로방향족 라디칼, 2가 C10-방향족 라디칼 또는 2가 C14-방향족 라디칼이다].
  2. 제1항에 있어서, 중합체 내의 아졸 반복 단위의 수가 10 이상인 산 도핑된 단층 또는 다층 중합체 막.
  3. 제1항에 있어서, 중합체(a)가 하기 화학식 1C의 벤즈이미다졸 반복 단위를 포함하는 중합체인, 산 도핑된 단층 또는 다층 중합체 막:
    [화학식 1C]
    Figure 112006075042727-pct00039
    [식 중, n은 10 이상의 정수이다].
  4. 제1항에 있어서, 폴리설폰이 유형 빅트렉스(
    Figure 112006075042727-pct00054
    Victrex) 200 P, 빅트렉스(
    Figure 112006075042727-pct00055
    Victrex) 720 P, 라델(
    Figure 112006075042727-pct00056
    Radel), 라델(
    Figure 112006075042727-pct00057
    Radel) R, 빅트렉스(
    Figure 112006075042727-pct00058
    Victrex) HTA, 아스트렐(
    Figure 112006075042727-pct00059
    Astrel) 또는 우델(
    Figure 112006075042727-pct00060
    Udel)인, 산 도핑된 단층 또는 다층 중합체 막.
  5. 제1항에 있어서, 폴리설폰이 유형 라델(
    Figure 112006075042727-pct00061
    Radel) R인, 산 도핑된 단층 또는 다층 중합체 막.
  6. 제1항에 있어서, 무기 루이스 또는 브뢴스테드 산으로 도핑된, 산 도핑된 단층 또는 다층 중합체 막.
  7. 제1항에 있어서, 중합체 블렌드가
    화학식 1A 및/또는 1B의 아졸 반복 단위를 포함하는 중합체(a) 50 내지 99중량% 과 혼합된
    화학식 2A, 2B, 2C, 2D, 2E, 2F 및/또는 2G의 반복 단위를 포함하고 설폰산 기를 포함하지 않는 폴리설폰(b) 1 내지 50중량%를 포함하는, 산 도핑된 단층 또는 다층 중합체 막.
  8. 제1항에 있어서, 각각 제1항에 정의된 바와 같은 중합체 블렌드로부터 수득할 수 있고 폴리설폰(b)의 함량이 서로 상이한 두 개의 층 (A) 및 (B)를 적어도 포함하는, 산 도핑된 단층 또는 다층 중합체 막.
  9. 제1항에 있어서, 각각 제1항에 정의된 바와 같은 중합체 블렌드로부터 수득할 수 있고 중간 층(C)의 폴리설폰(b)의 함량이 두 개의 외부 층 (A) 및 (B)의 폴리설폰(b)의 함량과 상이한 세 개의 층 (A), (B) 및 (C)를 적어도 포함하는, 산 도핑된 단층 또는 다층 중합체 막.
  10. 제9항에 있어서, 중간 층(C)가 폴리설폰(b)를 함유하지 않는, 산 도핑된 단층 또는 다층 중합체 막.
  11. 제1항에 있어서, 총 두께가 5 내지 100㎛인, 산 도핑된 단층 또는 다층 중합체 막.
  12. 제1항에 있어서, 실온에서의 양성자 전도율이 30mS/cm 초과이고 100℃에서 10분 후의 E 모듈러스가 10MPa 초과인, 산 도핑된 단층 또는 다층 중합체 막.
  13. 제1항 내지 제12항 중의 어느 한 항에 정의된 바와 같은 중합체 블렌드를 실온 내지 100℃의 온도 범위 및 대기압 또는 초대기압에서 적합한 시간 동안 진한 산으로 습윤화시킴을 포함하는, 제1항 내지 제12항 중의 어느 한 항에 청구된 산 도핑된 단층 또는 다층 중합체 막의 제조방법.
  14. 연료 전지, 전기분해, 커패시터(capacitor) 또는 축전지 시스템에서의, 제1항 내지 제12항 중의 어느 한 항에 청구된 산 도핑된 단층 또는 다층 중합체 막을 이용하는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 연료 전지에서 이용하는 방법.
  16. 제1항 내지 제12항 중의 어느 한 항에 청구된 산 도핑된 단층 또는 다층 중합체 막을 하나 이상 포함하는 막 전극 유니트(membrane electrode unit).
  17. 제6항에 있어서, 염산, 황산 및/또는 인산으로 도핑된, 산 도핑된 단층 또는 다층 중합체 막.
KR1020037005434A 2000-10-21 2003-04-18 기계적 성질이 개선된 연료 전지용 신규 막 KR100774227B1 (ko)

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