KR100773933B1 - 유기 발광 소자의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기 발광 소자의 제조 단가를 현저히 낮출 수 있게 하는 유기 발광 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 유기 발광 소자의 제조 방법은, 투명 기판 위에 어느 한 방향으로 배열되는 복수의 양전극층을 형성하는 단계; 제 1 감광막에 대한 노광 및 현상 공정을 통해 상기 투명 기판 및 복수의 양전극층 위에 격자 형태의 절연막을 형성하여, 상기 양전극층 상에 복수의 화소 개구부를 정의하는 단계; 제 2 감광막에 대한 노광 및 현상 공정을 통해 상기 복수의 양전극층과 직교하는 방향으로 배열된 절연막 위에 격벽을 형성하는 단계; 상기 절연막 및 격벽이 형성된 투명 기판에 자외선을 조사하는 단계; 상기 화소 개구부의 양전극층 위에 유기 박막층을 형성하는 단계; 및 상기 유기 박막층 위에 음전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
유기 발광 소자, 감광막, 자외선 조사

Description

유기 발광 소자의 제조 방법{MANUFACTURING PROCESS OF ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE}
도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 평면도이고,
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법을 도 1의 a-a' 방향을 따라 순차적으로 나타낸 단면도이다.
본 발명은 유기 발광 소자의 제조 단가를 현저히 낮출 수 있게 하는 유기 발광 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 유기 발광 소자는 평판 디스플레이 소자의 하나로서 투명 기판 상의 양전극층과 음전극층 사이에 유기 발광층을 포함하는 유기 박막층 등을 개재하여 구성하며, 매우 얇은 두께의 매트릭스 형태를 이룬다.
이러한 유기 발광 소자는 15V 이하의 낮은 전압으로 구동이 가능하고, 다른 디스플레이 소자, 예를 들어, TFT-LCD에 비해 휘도, 시야각 및 소비 전력 등에서 우수한 특성을 나타낸다. 더구나, 유기 발광 소자는 다른 디스플레이 소자에 비해 1㎲의 빠른 응답 속도를 가지기 때문에 동영상 구현이 필수적인 차세대 멀티미디어용 디스플레이에 적합한 소자이다.
한편, 종래에는 이하에서 약술하는 제조 방법을 통해 상기 유기 발광 소자를 제조하였다.
우선, 기판 위에 어느 한 방향으로 배열된 복수의 양전극층을 형성한다. 그리고 나서, 상기 기판의 전면에 감광막을 형성하고, 상기 감광막에 대한 노광 및 현상 공정 등을 진행해 상기 감광막을 패터닝함으로서, 상기 기판 및 양전극층 위에 격자 형태의 절연막을 형성한다. 이러한 격자 형태의 절연막에 의해 상기 양전극층 상에 복수의 화소 개구부가 정의된다. 또한, 상기 절연막은 상기 복수의 양전극층과 직교하는 방향으로 음전극층이 타고 넘어갈 수 있도록 정경사 단면을 가지게 형성된다.
상기 절연막을 형성한 후에는, 상기 절연막 중 상기 복수의 양전극층이 배열된 방향과 직교하는 방향의 절연막 위에, 역경사 단면을 가지는 격벽을 형성한다. 이러한 격벽 역시 감광막에 대한 노광 및 현상 공정 등을 진행해 형성할 수 있다. 그리고, 상기 격벽이 역경사 단면을 가지게 형성됨으로서, 상기 복수의 양전극층이 배열된 방향을 따라 서로 인접하는 음전극층이 연결되어 단락되는 것을 방지할 수 있다.
상기 격벽을 형성한 후에는, 상기 화소 개구부의 양전극층 위에 유기 발광층 등을 포함하는 유기 박막층을 형성하고, 이러한 유기 박막층 위에 음전극층을 형성함으로서 최종적으로 유기 발광 소자를 제조한다.
그런데, 일반적인 반도체 소자 또는 다른 디스플레이 소자의 제조 공정 등에서 사용되는 감광막의 경우에는, 이러한 감광막을 이용해 하부층을 패터닝하고 나서 제거되는 것이기 때문에, 감광막 내의 유기 용매 또는 수분 등이 완전히 제거되지 않아도 좋다. 그러나, 상술한 유기 발광 소자의 제조 방법에서 사용되는 감광막의 경우, 유기 발광 소자가 최종 제조된 후에도, 이러한 감광막이 절연막 및 격벽 등의 형태로 투명 기판 위에 남아 있기 때문에, 상기 감광막 내의 유기 용매 또는 수분 등이 하드베이크 등의 공정을 통해 완전히 제거되지 않으면 안된다.
특히, 유기 발광 소자의 유기 박막층이나 음전극층 등은 반드시 불활성 기체 분위기 또는 진공 상태에서 형성하여야 할 정도로 수분이나 산소 등에 매우 취약하게 되는데, 만일, 상기 절연막 및 격벽 등을 이루는 감광막 내의 유기 용매 또는 수분이 완전히 제거되지 못할 경우, 유기 발광 소자의 제조 공정 또는 사용 중에 상기 감광막 내에 잔류하던 유기 용매 또는 수분이 아웃개싱(outgassing)되어, 상기 유기 박막층 및 음전극층 등을 크게 손상시킬 수 있으며, 이 때문에, 유기 발광 소자의 신뢰성 및 품질이 크게 저하될 수 있다.
이로 인해, 상기 유기 발광 소자의 제조 공정 중에는, 상기 절연막 또는 격벽을 형성하고 나서, 예를 들어, 200℃ 이상의 온도로 상기 절연막 또는 격벽을 이루는 감광막을 하드베이크함으로서, 상기 감광막 내에 잔류하는 유기 용매 또는 수분을 완전히 제거하여야 한다.
그러나, 통상적인 감광막은 유리 전이 온도가 비교적 낮고 비교적 작은 내열성을 가지기 때문에, 이를 200℃ 이상의 온도로 하드베이크하면, 감광막 패턴이 손상되거나 무너지는 등의 문제가 발생할 수 있다. 이 때문에, 유기 발광 소자의 제조 방법에서는, 유리 전이 온도가 매우 높고 큰 내열성을 가지는 폴리이미드계 감광막 등을 사용하여 상기 절연막 또는 격벽을 형성하고 있는데, 이러한 폴리이미드계 감광막 등은 통상적인 감광막의 약 10배 이상의 고가이기 때문에, 유기 발광 소자의 제조 단가를 크게 상승시키는 일 요인이 되고 있다.
이에 본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하여, 유기 발광 소자의 제조 단가를 현저히 낮출 수 있게 하는 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 투명 기판 위에 어느 한 방향으로 배열되는 복수의 양전극층을 형성하는 단계; 제 1 감광막에 대한 노광 및 현상 공정을 통해 상기 투명 기판 및 복수의 양전극층 위에 격자 형태의 절연막을 형성하여, 상기 양전극층 상에 복수의 화소 개구부를 정의하는 단계; 제 2 감광막에 대한 노광 및 현상 공정을 통해 상기 복수의 양전극층과 직교하는 방향으로 배열된 절연막 위에 격벽을 형성하는 단계; 상기 투명 기판에 자외선을 조사하는 단계; 상 기 투명 기판을 하드베이크하는 단계; 상기 화소 개구부의 양전극층 위에 유기 박막층을 형성하는 단계; 및 상기 유기 박막층 위에 음전극층을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
상기 본 발명에 의한 유기 발광 소자의 제조 방법에서, 일 구현예로서, 상기 제 1 감광막 및 제 2 감광막이 함께 단일층의 감광막을 이루고, 상기 절연막 및 격벽이 일체화된 구조로 형성될 수 있다. 이 때, 상기 단일층의 감광막은 상변환 감광막일 수 있다.
또한, 상기 본 발명에 의한 유기 발광 소자의 제조 방법에서, 다른 구현예로서, 상기 제 1 감광막은 포지티브 감광막이고, 상기 제 2 감광막은 네가티브 감광막일 수 있으며, 이 경우에는, 상기 절연막 및 격벽이 서로 분리된 2층 구조로 형성될 수 있다.
상기 본 발명에 의한 유기 발광 소자 제조 방법의 다른 구현예에서, 상기 절연막의 형성 단계와 격벽의 형성 단계 사이에, 상기 투명 기판에 자외선을 조사하는 단계; 및 상기 투명 기판을 하드베이크하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 본 발명에 의한 유기 발광 소자의 제조 방법에서, 상기 자외선의 조사 단계에서는, 220-320nm 파장의 자외선을 조사할 수 있으며, 보다 구체적으로, 초기 온도 80℃에서 140-200℃까지 승온하면서, 220-320nm의 자외선을 200-1500mW/cm2의 파워로 조사할 수 있다.
그리고, 상기 본 발명에 의한 유기 발광 소자의 제조 방법에서, 상기 투명 기판을 하드베이크하는 단계에서는, 200℃ 이상의 온도로 30분 이상 하드베이크할 수 있다.
이하 첨부한 도면을 참고로 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.
도면에서는 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 또한, 본 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.
도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 평면도이고, 도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법을 도 1의 a-a' 방향을 따라 순차적으로 나타낸 단면도이다.
도 1a 및 도 2a를 참조하면, 본 실시예에 따라 유기 발광 소자를 형성함에 있어서는, 우선, 투명 기판(100) 위에 어느 한 방향으로 배열되는 복수의 양전극층(102)을 형성한다. 상기 투명 기판(100)은 유리 또는 플라스틱으로 이루어질 수 있고, 상기 복수의 양전극층(102)은 ITO 또는 IZO와 같은 투명 도전 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 양전극층(102)은 상기 투명 기판(100) 위에 상기 투명 도전 물질을 증착 형성하고, 이러한 투명 도전 물질 위에 감광막 패턴을 형성해 이를 통 해 상기 투명 도전 물질을 식각함으로서 형성할 수 있다. 상기 양전극층(102)을 형성한 후에는 상기 감광막 패턴을 제거한다.
그리고 나서, 도 1b 및 도 2b를 참조하면, 상기 투명 기판(100) 및 복수의 양전극층(102) 위에 격자 형태로 이루어진 절연막(104)을 형성한다. 이러한 격자 형태의 절연막(104)에 의해 상기 양전극층(102) 상에 복수의 화소 개구부(106)가 정의된다. 그리고, 상기 절연막(104)은, 예를 들어, 포지티브 감광막에 대한 노광 및 현상 공정을 통하여 상기 복수의 화소 개구부(106)를 정의하는 격자 형태로 형성될 수 있다. 또한, 상기 절연막(104)은 상기 복수의 양전극층(102)과 직교하는 방향으로 추후에 형성될 음전극층이 타고 넘어갈 수 있도록 정경사 단면을 가지게 형성된다.
그런데, 상기 포지티브 감광막에 대한 노광 및 현상 공정을 통하여 상기 격자 형태의 절연막(104)을 형성하면, 이러한 절연막(104)을 이루는 상기 포지티브 감광막 내에는 어느 정도의 유기 용매 또는 수분이 잔류한다. 만일, 이러한 잔류 유기 용매 또는 수분을 그대로 유지할 경우 추후의 제조 공정 또는 최종 제조된 유기 발광 소자의 사용 중에, 이러한 절연막(104) 내의 잔류 유기 용매 또는 수분이 아웃개싱(outgassing)되어, 추후에 형성될 유기 박막층 또는 음전극층이 손상되고 유기 발광 소자의 신뢰성이 저하될 수 있다.
이에 본 실시예에서는, 상기 절연막(104)을 형성한 후에, 상기 절연막(104)이 형성된 투명 기판(100)에 자외선을 조사하고, 계속하여, 상기 투명 기판(100)에 하드베이크 공정을 진행한다.
우선, 상기 자외선을 조사하는 공정에서는, 예를 들어, 220-320nm 파장의 자외선을 투명 기판(100)에 조사할 수 있으며, 보다 구체적으로, 초기 온도 80℃에서 140-200℃까지 승온하면서, 220-320nm의 자외선을 200-1500mW/cm2의 파워로 조사할 수 있다.
이와 같이, 상기 절연막(104)이 형성된 투명 기판(100)에, 선택적으로 열을 가하면서, 자외선을 조사하는 경우, 상기 자외선 또는 선택적으로 부가되는 열에 의한 에너지가 상기 절연막(104)을 이루는 포지티브 감광막 내에 포함된 C-C, C-H, C-O, O-O 또는 O-H 등의 화학 결합 에너지보다 큰 값을 가지므로, 상기 절연막(104) 내의 각 화학 결합이 끊어져 라디칼 또는 이온 등의 상태를 띄게 되며, 이러한 라디칼 또는 이온 등이 서로 가교 결합을 형성하면서, 상기 절연막(104)이 경화된다.
이에 따라, 비교적 낮은 유리 전이 온도 및 작은 내열성을 갖는 통상적인 포지티브 감광막으로 상기 절연막(104)을 형성하더라도, 상기 자외선 조사 공정을 통해 이를 경화시킴으로서, 종래 기술에 의한 유기 발광 소자에서 사용되던 폴리이미드계 감광막 등과 비견되는, 예를 들어, 200℃ 이상의 높은 유리 전이 온도 및 큰 내열성을 나타내도록 변화시킬 수 있다.
한편, 상기 자외선 조사 공정을 진행한 후에는, 예를 들어, 상기 절연막(104)이 형성된 투명 기판(100)을 200℃ 이상의 온도로 30분 이상 하드베이크한다. 이러한 하드베이크 공정을 진행하면, 상기 절연막(104) 내에 잔류하는 유기 용매 또는 수분이 완전히 제거될 수 있고, 이에 따라, 추후 공정 또는 최종 제조된 유기 발광 소자의 사용 중에 상기 절연막(104) 내의 잔류 유기 용매 또는 수분이 아웃개싱(outgassing)되어 추후에 형성될 유기 박막층 또는 음전극층이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 절연막(104)은 하드베이크 공정 전의 상기 자외선 조사 공정에 의해 경화되어, 예를 들어, 200℃ 이상의 높은 유리 전이 온도 및 큰 내열성을 가지게 변화되었기 때문에, 통상적인 포지티브 감광막으로 상기 절연막(104)을 형성한 경우에도, 상기 하드베이크 공정 중에 상기 절연막(104)이 손상되거나 무너지는 일 없이 상기 절연막(104) 내의 잔류 유기 용매 또는 수분을 완전히 제거할 수 있다.
상기 하드베이크 공정까지를 진행한 후에는, 도 1c 및 도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 절연막(104) 중 상기 복수의 양전극층(102)이 배열된 방향과 직교하는 방향의 절연막(104) 위에, 역경사 단면을 가지는 격벽(108)을 형성한다. 이러한 격벽은 통상적인 네가티브 감광막에 대한 노광 및 현상 공정 등을 진행해 형성할 수 있다. 그리고, 상기 격벽(108)이 역경사 단면을 가지게 형성됨으로서, 상기 복수의 양전극층(102)이 배열된 방향을 따라 인접하는 음전극층이 연결되어 단락되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 상기 격벽(108)을 형성한 후에도, 상기 절연막(104)을 형성한 후와 마찬가지로, 상기 격벽(108)이 형성된 투명 기판(100)에 자외선을 조사하고, 계속하여, 상기 투명 기판(100)을 하드베이크한다. 이러한 자외선 조사 공정 및 하드베이 크 공정의 구체적인 조건은, 이미 상술한 절연막(104) 형성 공정 후의 자외선 조사 공정 및 하드베이크 공정과 대동소이하므로, 이에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
상기 격벽(108)을 형성한 후에 상기 자외선 조사 공정 및 하드베이크 공정을 순차 진행하면, 상술한 절연막(104)의 경우와 마찬가지 원리로, 상기 격벽(108)이 자외선 공정에서, 예를 들어, 200℃ 이상의 높은 유리 전이 온도 및 큰 내열성을 가지게 변화될 수 있으며, 하드베이크 공정에서 상기 격벽(108) 내의 잔류 유기 용매 또는 수분이 완전히 제거될 수 있다.
따라서, 높은 유리 전이 온도 및 큰 내열성을 가진 폴리이미드계 감광막 등을 사용하는 대신, 통상적인 네가티브 감광막을 사용해 상기 격벽(108)을 형성하더라도, 상기 격벽(108)이 손상되거나 무너지는 일 없이 상기 격벽(108) 내의 잔류 유기 용매 또는 수분을 완전히 제거할 수 있으며, 이에 따라, 상기 잔류 유기 용매 또는 수분에 의해 추후에 형성될 유기 박막층 또는 음전극층이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 상술한 제조 공정에서는, 2 개층의 분리된 감광막, 즉, 포지티브 감광막과 네가티브 감광막을 각각 사용해 상기 절연막(104)과 격벽(108)을 분리 형성함으로서, 상기 절연막(104) 및 격벽(108)을 서로 분리된 2층 구조로 형성하는 본 발명의 일 구현예를 설명하였다.
그러나, 이러한 본 발명의 일 구현예와는 달리, 본 발명의 다른 구현예로서, 단일층의 포지티브 감광막 또는 상변환 감광막 등을 이용하고, 하프톤 마스크를 사 용하거나 상기 상변환 감광막에 대한 상변환 공정 등을 이용하는 한편 각 노광 공정의 노광량을 조절함으로서, 상기 절연막(104) 및 격벽(108)을 일체화된 구조로 형성할 수도 있다. 다만, 상기 일체화된 절연막(104) 및 격벽(108)의 형성 방법은 대한민국 특허 등록 제 408091 호, PCT/KR2004/002366 호 및 대한민국 특허 출원 제 2004-99179 호 등에 당업자에게 자명하게 상세히 개시되어 있으므로, 이에 관한 더 이상의 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
그런데, 이와 같이, 단일층의 포지티브 감광막 등을 사용해 상기 일체화된 절연막(104) 및 격벽(108)을 형성하는 경우, 절연막(104)의 형성 공정 후와 격벽(108)의 형성 공정 후에 각각 별도로 자외선 조사 공정 및 하드베이크 공정을 진행할 필요 없이, 상기 일체화된 절연막(104) 및 격벽(108)의 구조를 모두 형성하고 나서, 단일 단계의 자외선 조사 공정 및 하드베이크 공정을 진행하여 본 실시예에 따른 작용, 효과를 얻을 수 있다.
즉, 상기 일체화된 절연막(104) 및 격벽(108)을 형성하고 나서, 단일 단계의 자외선 조사 공정 및 하드베이크 공정을 진행하더라도, 상기 일체화된 절연막(104) 및 격벽(108)이 자외선 공정에서, 예를 들어, 200℃ 이상의 높은 유리 전이 온도 및 큰 내열성을 가지게 변화될 수 있으며, 하드베이크 공정에서 상기 일체화된 절연막(104) 및 격벽(108) 내의 잔류 유기 용매 또는 수분이 완전히 제거될 수 있다. 따라서, 높은 유리 전이 온도 및 큰 내열성을 가진 폴리이미드계 감광막 등을 사용하는 대신, 통상적인 포지티브 감광막 등을 사용해 상기 일체화된 절연막(104) 및 격벽(108)을 형성하더라도, 이러한 절연막(104) 및 격벽(108)이 손상되거 나 무너지는 일 없이 잔류 유기 용매 또는 수분을 완전히 제거할 수 있으며, 이에 따라, 상기 잔류 유기 용매 또는 수분에 의해 추후에 형성될 유기 박막층 또는 음전극층이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 도 1d 및 도 2d를 참조하면, 상술한 공정을 통해 절연막(104) 및 격벽(108) 내에 잔류하는 유기 용매 및 수분 등을 완전히 제거한 후에는, 유기 발광 소자의 통상적인 제조 방법에 따라, 상기 화소 개구부(106)의 양전극층(102) 위에, 유기 발광층 등을 포함하는 유기 박막층(110)을 형성하고, 상기 유기 박막층(110) 위에 음전극층(112)을 형성한다. 여기서, 상기 유기 박막층(110)은 유기 발광층 외에 정공 수송층, 전자 수송층, 정공 주입층 또는 전자 주입층 등의 유기 박막을 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 음전극층(112)은 알루미늄(Al), 산화칼슘(CaO), 구리(Cu), 알루미늄 합금 또는 구리 합금 등의 저저항 금속 물질로 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 음전극층(112)은 상기 격벽(108) 사이에서 상기 복수의 양전극층(102)이 배열된 방향과 직교하는 방향으로 연결되도록 형성되고, 상기 격벽(108)의 상부면 위에도 일부의 음전극층(112)이 형성된다.
상술한 바와 같이, 본 실시예에 따르면, 고가의 폴리이미드계 감광막 등을 사용하는 대신, 통상적인 감광막을 사용하더라도, 절연막 및 격벽 등이 손상되거나 무너지는 일 없이 상기 절연막 및 격벽 내에 잔류하는 유기 용매 또는 수분 등을 완전히 제거하여, 신뢰성 높은 유기 발광 소자를 제조할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발 명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 종래에 사용되던 폴리이미드계 감광막 등에 비해, 10배 이상 저렴한 통상적인 감광막을 사용하더라도, 절연막 및 격벽 등이 손상되거나 무너지는 일 없이 상기 절연막 및 격벽 내에 잔류하는 유기 용매 또는 수분 등을 완전히 제거하여, 신뢰성 높은 유기 발광 소자를 제조할 수 있다.
이에 따라, 유기 발광 소자의 제조 단가를 현저히 낮출 수 있다.

Claims (8)

  1. 투명 기판 위에 어느 한 방향으로 배열되는 복수의 양전극층을 형성하는 단계;
    제 1 감광막에 대한 노광 및 현상 공정을 통해 상기 투명 기판 및 복수의 양전극층 위에 격자 형태의 절연막을 형성하여, 상기 양전극층 상에 복수의 화소 개구부를 정의하는 단계;
    제 2 감광막에 대한 노광 및 현상 공정을 통해 상기 복수의 양전극층과 직교하는 방향으로 배열된 절연막 위에 격벽을 형성하는 단계;
    상기 투명 기판에 자외선을 조사하는 단계;
    상기 투명 기판을 하드베이크하는 단계;
    상기 화소 개구부의 양전극층 위에 유기 박막층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기 박막층 위에 음전극층을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 감광막 및 제 2 감광막이 함께 단일층의 감광막을 이루고, 상기 절연막 및 격벽이 일체화된 구조로 형성되는 유기 발광 소자의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 단일층의 감광막은 상변환 감광막인 유기 발광 소자의 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 감광막은 포지티브 감광막이고, 상기 제 2 감광막은 네가티브 감광막인 유기 발광 소자의 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 절연막의 형성 단계와 상기 격벽의 형성 단계 사이에,
    상기 투명 기판에 자외선을 조사하는 단계; 및
    상기 투명 기판을 하드베이크하는 단계를 더 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 자외선의 조사 단계에서는, 220-320nm 파장의 자외선을 조사하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 자외선의 조사 단계에서는, 초기 온도 80℃에서 140-200℃까지 승온하면서, 220-320nm의 자외선을 200-1500mW/cm2의 파워로 조사하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명 기판을 하드베이크하는 단계에서는, 200℃ 이상의 온도로 30분 이상 하드베이크하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
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