KR100767184B1 - 전자부품 냉각장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 프린트회로기판 상에 전자부품을 장착하는 단계;상기 전자부품 상에 상하 길이방향으로 형성된 탄소나노튜브와 고분자 수지로 구성된 방열 시트를 정렬하여 위치시키는 단계;상기 방열 시트 상에 히트싱크를 정렬하여 위치시키는 단계; 및상기 방열 시트를 리플로우(reflow)시키는 단계를 포함하며,상기 방열 시트는 기판 상에 수직으로 성장된 탄소나노튜브 사이에 고분자 수지를 함침시켜서 형성하되,상기 탄소나노튜브 사이에 고분자 수지를 함침시키는 방법은,상기 탄소나노튜브가 수직으로 형성된 기판 상에 액체상태(A-stage)의 고분자 수지를 바르고, 이를 진공챔버 내에 위치시키는 단계;상기 진공챔버를 대기압으로 벤트(vent)시켜 고분자 수지를 탄소나노튜브 사이로 함침시키는 단계; 및상기 탄소나노튜브 사이에 고분자 수지가 함침된 기판을 꺼내어 건조시켜서, 고분자 수지를 액체상태에서 무른상태(B-stage)로 변화시키는 단계를 포함하는 냉각장치의 제조방법.
- 프린트회로기판 상에 전자부품을 장착하는 단계;상기 전자부품 상에 상하 길이방향으로 형성된 탄소나노튜브와 고분자 수지로 구성된 방열 시트를 정렬하여 위치시키는 단계;상기 방열 시트 상에 히트싱크를 정렬하여 위치시키는 단계; 및상기 방열 시트를 리플로우(reflow)시키는 단계를 포함하며,상기 방열 시트를 형성하는 방법은,기판 상에 다수의 나노호올이 형성된 나노-템플리트를 형성하는 단계;상기 나노호올 내부에 탄소나노튜브를 성장시키는 단계;상기 나노-템플리트를 제거하여 탄소나노튜브가 수직으로 형성된 기판을 형성하는 단계;상기 탄소나노튜브가 사이에 고분자 수지를 함침시키는 단계; 및상기 기판의 상하부면을 연마하여 고분자 수지와 탄소나노튜브로 형성된 방열 시트를 형성하는 단계를 포함하는 냉각장치의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 사이에 고분자 수지를 함침시키는 단계는,상기 탄소나노튜브가 수직으로 형성된 기판 상에 액체상태(A-stage)의 고분 자 수지를 바르고, 이를 진공챔버 내에 위치시키는 단계;상기 진공챔버를 대기압으로 벤트(vent)시켜 고분자 수지를 탄소나노튜브 사이로 함침시키는 단계; 및상기 탄소나노튜브 사이에 고분자 수지가 함침된 기판을 꺼내어 건조시켜서, 고분자 수지를 액체상태에서 무른상태(B-stage)로 변화시키는 단계를 포함하는 냉각장치의 제조방법.
- 프린트회로기판 상에 전자부품을 장착하는 단계;상기 전자부품 상에 상하 길이방향으로 형성된 탄소나노튜브와 고분자 수지로 구성된 방열 시트를 정렬하여 위치시키는 단계;상기 방열 시트 상에 히트싱크를 정렬하여 위치시키는 단계; 및상기 방열 시트를 리플로우(reflow)시키는 단계를 포함하며,상기 방열 시트를 형성하는 방법은,기판 상에 다수의 나노호올이 형성된 나노-템플리트를 형성하는 단계;상기 나노호올 내부에 탄소나노튜브를 성장시키는 단계;상기 나노-템플리트의 상부에서 상부 탄소나노튜브를 돌출시키는 단계;상기 상부 탄소나노튜브 사이에 고분자 수지를 함침시키는 단계;상기 나노-템플리트 하부에서 하부 탄소나노튜브를 돌출시키는 단계; 및상기 하부 탄소나노튜브 사이에 고분자 수지를 함침시키는 단계를 포함하는 냉각장치의 제조방법.
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