KR100760433B1 - ＣａＣｕ3Ｔｉ4Ｏ12를 혼입한 동조식 소자 - Google Patents

ＣａＣｕ3Ｔｉ4Ｏ12를 혼입한 동조식 소자 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유전체 CaCu3Ti4O12를 혼입한 동조식 소자를 제공한다. CaCu3Ti4O12는 교차지 및 3층 축전기, 공면 도파로, 및 마이크로스트립을 포함하는, 위상 천이기, 정합 회로망, 발진기, 필터, 공진기 및 안테나와 같은 동조식 소자에 특히 유용하다.
동조식 소자, 유전체, 동조능

Description

ＣａＣｕ3Ｔｉ4Ｏ12를 혼입한 동조식 소자 {Tunable Devices Incorporating CaCu3Ti4O12}
본 발명은 유전체 재료 CaCu3Ti4O12를 혼입한 동조식 소자를 제공한다.
축전용량을 증가시키는 데 유전체 재료를 사용하는 것은 잘 알려져 있고, 오랜기간 동안 이용되어 왔다. 초기의 축전기 유전체는 2개의 범주로 나누어졌다. 유전체의 제1 범주는 온도로부터 비교적 독립적인 유전 상수를 가지지만, 이 유전 상수의 값이 예를 들면 5 내지 10으로 낮다. 전기 자기(瓷器) 및 운모와 같은 재료가 이 범주에 속한다. 유전체의 제2 범주는, 예를 들면 1000 이상의 매우 높은 유전 상수를 갖지만, 매우 온도 의존적이다. 그 예로는 바륨 티타네이트 BaTiO3이 있다.
유전체 재료의 축전용량이 그의 유전 상수에 비례하기 때문에, 고 유전 상수 재료가 바람직하다. 동조(tuning) 또는 공진(resonance) 회로에 허용되기 위해서는, 유전체는 최소의 온도 의존성을 나타내는 유전 상수를 가져야 하는데, 만약 그렇지 않으면 주변 온도의 적은 변화에도 회로가 공진되지 않을 것이다. 다른 응용분야는 최소 주파수 의존성을 나타내는 유전 상수를 요한다. 또한, 가능한 적은 손실 또는 소산(消散) 인자를 가지는 것이 바람직하다.
많은 마이크로파 소자의 경우, 중요한 재료 특징으로는 유전체 동조능(tunability), 즉 전압이 인가될 때의 유전 상수의 변화 및 낮은 유전 손실이 있다. 바륨 스트론튬 티타네이트 Ba1-xSrxTiO3은 일부 이와 같은 용도로 사용된 바 있지만, 보다 나은 특성을 가진 재료에 대한 요구가 여전히 존재한다.
데샨브레스(Deschanvres) 등은 문헌(Bull. Soc. Chim. Fr.4077 (1967))에서 페로브스카이트(perovskite) 구조이고 격자 상수가 0.7393 nm인 CaCu3Ti4O12의 제조를 보고하고 있다.
보슈(Bochu) 등은 문헌(J. Solid State Chem.29,291 (1979))에서 CaCu3Ti4O12 및 관련 티타네이트의 합성 및 구조를 개시하고, 격자 상수가 0.7391 nm이라고 보고하고 있다.
얀드로프스키(Yandrofski) 등의 US 5,472,935는 동조가능한 강유전체를 혼입한, 동조식 마이크로파 및 밀리미터파 소자를 개시하고 있다.
<발명의 요약>
본 발명은 유전체 CaCu3Ti4O12를 혼입한 동조식 소자를 제공한다.
CaCu3Ti4O12는 교차지(interdigital) 및 3층(trilayer) 축전기, 공면 도파로, 및 마이크로스트립(microstrip)을 포함하는, 위상 천이기, 정합 회로망, 발진기, 필터, 공진기 및 안테나와 같은 동조식 소자에 특히 유용하다.
또한, 본 발명은 유전 상수 9000 초과의 유전체 재료를 필요로 하는 전기 소자를 제공하는 데, 이 때 유전체는 CaCu3Ti4O12이다.
CaCu3Ti4O12는 높은 유전 상수를 필요로하는 소자 뿐만 아니라 동조식 소자에 이점을 제공하는 유전체 특성을 가진다. CaCu3Ti4O12는 1 kHz 내지 1 MHz의 주파수 범위에 걸쳐 9000 초과의 유전 상수를 가진다.
CaCu3Ti4O12는 하기 방법에 의해 합성될 수 있다. 화학량론적 양의 전구체를 완전히 혼합한다. 전구체 CaC03, CuO 및 Ti02가 바람직하다. 혼합된 전구체 분말을 약 1000 ℃에서 약 12 시간 동안 하소한다. 하소된 분말을 재분쇄하고, 직경 12.7 mm/두께 1 내지 2 mm의 디스크로 압착한다. 이 디스크를 약 1100 ℃에서 24 시간 동안 공기 중에서 소결시킨다. 하소와 소결 단계 모두에서, 승온 구배 속도는 실온(즉, 약 20 ℃)으로부터 하소 또는 소결 온도까지 약 200 ℃/시간이고, 냉각 속도는 하소 또는 소결 온도로부터 실온(즉, 약 20 ℃)까지 약 150 ℃/시간이다.
CaCu3Ti4O12는 입방식 페로브스카이트(perovskite) Im3 구조로 결정화된다.
유전체 측정은 디스크 샘플 상에서 수행하였다. 디스크 형 샘플의 표면을 미세한 연마재 모래 또는 금강사(金剛砂) 종이로 연마하였다. 은 도료 전극제를 표면에 도포하고, 70 내지 100 ℃에서 건조시켰다. 축전용량 및 유전 손실을 25 ℃에서 1 kHz 내지 1 MHz의 주파수 범위에 걸쳐 휴렛-패커드(Hewlett-Packard) 4275A 및 4284A LCR 브리쥐(bridge)를 사용하는 2단자 방법으로 측정하였다. 축전용량 C 및 소산 인자를 상기 브리쥐로부터 직접 판독하였다. 유전 상수 (K)를 측정된 축전용량 C로부터 관계식 K = (100 ℃ t)/ (8.854 A) (식 중, t는 디스크 형 샘플의 두께(cm)이고, A는 전극의 면적(㎠)임)을 이용하여 피코패럿으로 계산하였다. 디스크의 편평한 전극 표면을 통해 전압을 인가하고, 동조능을 인가된 전압과 관련된 유전 상수의 변화를 측정하여 계산하였다. 동조능 T를 방정식 T = [K(0)-K(V)]/K(0)] (식 중, K(0)는 인가된 전압이 없는 경우의 유전 상수이고, K(V)는 인가된 전압 V가 있는 경우의 유전 상수임)로부터 계산하였다. 동조능을 주어진 인가된 전기장에 대한 백분율로서 일반적으로 나타내어 T에 대한 상기 결과에 100을 곱하거나, 또는 T = (상수)E (식 중, T는 동조능 (%)이고, E는 전기장이고, 상수는 특정 재료에 대한 대수 지표이다)로 기재한다.
CaCu3Ti4O12를 하기 방법으로 제조하였다. 출발 탄산염 및 산화물 CaC0 3, CuO 및 Ti02의 적절한 양을 화학량론 비에 따라 칭량하고, 아게이트 모르타르(agate mortar)중에서 완전히 혼합하였다. 사용되는 전구체량(g)을 하기 표 1에 나타낸다. 혼합된 분말을 1000 ℃에서 12 시간 동안 하소하였다. 하소된 분말을 재분쇄하고, 직경 12.7 mm/두께 1 내지 2 mm의 디스크로 압착하였다. 이 디스크를 1100 ℃에서 24 시간 동안 공기 중에서 소결시켰다. 하소 및 소결 단계 모두에서, 온도 를 실온(즉, 약 20 ℃)으로부터 하소 또는 소결 온도까지 200 ℃/시간의 속도로 상승시키고, 온도를 하소 또는 소결 온도로부터 실온(즉, 약 20 ℃)까지 150 ℃/시간의 속도로 감소시켰다.
X선 분말 회절 패턴을 지멘스(Siemens) D5000 회절기로 기록하였다. 이 데이타는 CaCu3Ti4O12가 입방식 페로브스카이트 관련 Im3 구조로 결정화되었음을 보여준다. 격자 매개변수의 측정값 및 문헌상 값을 하기 표 1에 나타낸다.
Figure 112002035979357-pct00001
디스크 샘플을 연마하여 편평하고 균일한 표면을 만들고, 은 도료로 전극제 처리하였다. 도장된 샘플을 70 내지 100 ℃에서 밤새 건조시켰다. 축전용량 및 손실 탄젠트를 실온(즉, 약 20 ℃)에서 1 kHz 내지 1 MHz의 주파수 범위에 걸쳐 HP-4275A LCR 계량기로 측정하였다. 결과를 하기 표 2에 나타낸다.
Figure 112002035979357-pct00002
케이트레이(Keithley) 228A 전압/전류 원을 사용하여 100V 이하의 전압을 디 스크의 편평한 전극 표면을 통해 인가하고, 유전 상수를 인가된 전압의 함수로서 실온에서 HP-4275A LCR 계량기를 사용하여 측정하였다. 1 kHz 내지 1 MHz의 주파수 범위에 걸친, 동조능 (%) 및 이 크기의 동조능을 얻는 데 인가된 전기장을 하기 표 3에 나타낸다. 또한, 각각의 주파수에 대한 T = (상수)E로 기재되는 동조능 방정식을 하기 표 3에 나타낸다.
Figure 112002035979357-pct00003
상기 결과는 CaCu3Ti4O12가 높은 유전 상수와 함께 높은 동조능을 가진다는 것을 보여준다.

Claims (2)

  1. 화학식 CaCu3Ti4O12의 유전체를 포함하는 동조식(tunable) 전기 소자.
  2. 화학식 CaCu3Ti4O12의 유전체를 포함하는, 유전 상수 9000 초과의 유전체를 필요로하는 동조식 전기 소자.
KR1020027014591A 2000-05-04 2001-05-03 ＣａＣｕ3Ｔｉ4Ｏ12를 혼입한 동조식 소자 KR100760433B1 (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010095860A3 (ko) * 2009-02-18 2010-11-25 서울대학교 산학협력단 유전체 제조용 소결 전구체 분말 및 이의 제조 방법
WO2010143904A2 (ko) * 2009-06-12 2010-12-16 서울대학교 산학협력단 유전물질용 소결물질 및 이의 제조 방법

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100401808B1 (ko) * 2001-11-28 2003-10-17 학교법인 건국대학교 전기작동 재료층과 섬유복합 재료층으로 구성된 곡면형 작동기
US20070121274A1 (en) * 2005-07-12 2007-05-31 Talvacchio John J Small volume thin film and high energy density crystal capacitors
US7741396B2 (en) * 2005-11-23 2010-06-22 General Electric Company Composites having tunable dielectric constants, methods of manufacture thereof, and articles comprising the same
JP4893287B2 (ja) * 2006-12-13 2012-03-07 住友化学株式会社 誘電体材料
EP2122640B1 (en) 2006-12-21 2010-04-28 Cardiac Pacemakers, Inc. Solid state pulse therapy capacitor
US8586495B2 (en) * 2010-05-12 2013-11-19 General Electric Company Dielectric materials
US8968603B2 (en) 2010-05-12 2015-03-03 General Electric Company Dielectric materials
US8968609B2 (en) * 2010-05-12 2015-03-03 General Electric Company Dielectric materials for power transfer system
US9174876B2 (en) 2010-05-12 2015-11-03 General Electric Company Dielectric materials for power transfer system
JP2012243841A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Japan Aerospace Exploration Agency チューナブル素子及びチューナブルアンテナ
EP2551988A3 (en) * 2011-07-28 2013-03-27 General Electric Company Dielectric materials for power transfer system
US9697951B2 (en) 2012-08-29 2017-07-04 General Electric Company Contactless power transfer system
CN104985738B (zh) * 2015-06-23 2017-05-03 哈尔滨理工大学 聚偏氟乙烯基复合材料的制备方法
CN106882963A (zh) * 2017-03-31 2017-06-23 天津大学 一种基于溶胶凝胶法制备钛酸铜钙的方法
CN107216143A (zh) * 2017-06-12 2017-09-29 太原理工大学 一种制备核‑壳结构的钛酸铜钙基陶瓷的方法
CN107857587A (zh) * 2017-12-04 2018-03-30 太原理工大学 一种高介电常数低损耗CaCu3Ti4O12压敏陶瓷材料的制备方法
CN109608189A (zh) * 2018-12-27 2019-04-12 中国科学院福建物质结构研究所 一种电容器用陶瓷介电膜及其制备方法和应用
CN109748580A (zh) * 2019-03-15 2019-05-14 上海朗研光电科技有限公司 一种高效合成巨介电常数材料的方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5472935A (en) 1992-12-01 1995-12-05 Yandrofski; Robert M. Tuneable microwave devices incorporating high temperature superconducting and ferroelectric films

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5472935A (en) 1992-12-01 1995-12-05 Yandrofski; Robert M. Tuneable microwave devices incorporating high temperature superconducting and ferroelectric films

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Journal of solid state chemistry , MAY 2000, ACADEMIC PRESS, USA

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010095860A3 (ko) * 2009-02-18 2010-11-25 서울대학교 산학협력단 유전체 제조용 소결 전구체 분말 및 이의 제조 방법
WO2010143904A2 (ko) * 2009-06-12 2010-12-16 서울대학교 산학협력단 유전물질용 소결물질 및 이의 제조 방법
WO2010143904A3 (ko) * 2009-06-12 2011-03-31 서울대학교 산학협력단 유전물질용 소결물질 및 이의 제조 방법

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