KR100752953B1

KR100752953B1 - 프로브 카드의 범프 형성 방법

Info

Publication number: KR100752953B1
Application number: KR1020060079873A
Authority: KR
Inventors: 김봉환; 김종복
Original assignee: 주식회사 유니테스트
Priority date: 2006-08-23
Filing date: 2006-08-23
Publication date: 2007-08-30
Also published as: US20080047927A1; US7951302B2

Abstract

본 발명은 반도체 기판을 몰드로 사용하여 프로브 팁과 빔을 지지하는 범퍼를 형성함으로써 감광막을 사용하지 않고 높은 종횡비(aspect ratio)를 가지는 프로브 카드의 범프 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 프로브 카드의 범프 형성 방법은 반도체 기판의 제1면에 상부에 범프 영역을 정의하는 보호막 패턴을 형성하는 단계; (b) 상기 반도체 기판의 제2면에 금속막을 형성하는 단계; (c) 상기 보호막 패턴을 마스크로 상기 반도체 기판 및 금속막을 식각하여 상기 범프 영역을 형성하는 단계; (d) 상기 보호막 패턴 및 금속막을 제거하는 단계; (e) 상기 범프 영역을 포함하는 상기 반도체 기판의 표면에 절연막을 형성하는 단계; (f) 상기 반도체 기판을 세라믹 기판에 본딩하는 단계; 및 (g) 상기 범프 영역을 매립하여 범프를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

프로브 카드의 범프 형성 방법{METHOD FOR MANUFACTURING BUMP OF PROBE CARD}

도 1a 내지 도 1j는 본 발명에 따른 프로브 카드의 범프 형성 방법의 제1 실시예를 도시한 단면도.

도 2a 내지 도 2n는 본 발명에 따른 프로브 카드의 범프 형성 방법의 제2 실시예를 도시한 단면도.

본 발명은 프로브 카드의 범프 형성 방법에 관한 것으로, 특히 반도체 기판을 몰드로 사용하여 프로브 팁과 빔을 지지하는 범퍼를 형성함으로써 감광막을 사용하지 않고 높은 종횡비(aspect ratio)를 가지는 프로브 카드의 범프 형성 방법에 관한 것이다.

웨이퍼 레벨 테스트를 수행하기 위해서 프로브 카드가 사용된다. 프로브 카드 상에는 복수개의 캔틸레버 구조물이 형성되는데, 캔틸레버 구조물은 범프, 캔틸레버 빔, 프로브 팁으로 구성된다. 캔틸레버 빔은 캔틸레버 구조물의 몸통 부분으로서 탄성을 제공하며, 프로브 팁은 웨이퍼 상의 패드에 접촉하는 부분이다. 범프 는 캔틸레버 빔의 받침대 부분으로서 캔틸레버 빔을 지지하여 캔틸레버 빔의 프로브 팁이 부착된 부분이 탄성 접촉을 하는 것을 가능하게 한다.

반도체 소자의 집적도가 높아질수록 캔틸레버 구조물의 밀도도 높아지고 있다. 다양한 소자를 테스트하기 위해서 다양한 높이의 범프를 필요로 하는데, 높은 종횡비의 범프는 형성하기 어려운 상황이다.

본 발명은 반도체 기판을 몰드로 사용하여 프로브 팁과 빔을 지지하는 범퍼를 형성함으로써 감광막을 사용하지 않고 높은 종횡비(aspect ratio)를 가지는 프로브 카드의 범프 형성 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.

본 발명에 따른 프로브 카드의 범프 형성 방법은 반도체 기판의 제1면에 상부에 범프 영역을 정의하는 보호막 패턴을 형성하는 단계; (b) 상기 반도체 기판의 제2면에 금속막을 형성하는 단계; (c) 상기 보호막 패턴을 마스크로 상기 반도체 기판 및 금속막을 식각하여 상기 범프 영역을 형성하는 단계; (d) 상기 보호막 패턴 및 금속막을 제거하는 단계; (e) 상기 범프 영역을 포함하는 상기 반도체 기판의 표면에 절연막을 형성하는 단계; (f) 상기 반도체 기판을 세라믹 기판에 본딩하는 단계; 및 (g) 상기 범프 영역을 매립하여 범프를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 (a) 단계는 상기 반도체 기판 상부에 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막 상부에 상기 범프 영역을 정의하는 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광 막 패턴을 마스크로 상기 보호막을 식각하여 상기 보호막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 보호막 패턴은 열산화막, CVD 산화막 및 TEOS막 중 어느 하나이며, 상기 금속막은 Al막을 포함하는 것이 바람직하다.

상기 절연막은 산화막 또는 질화막을 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 프로브 카드의 범프 형성 방법은 상기 반도체 기판과 상기 세라믹 기판의 경계면에 접착층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

본 발명에 따른 프로브 카드의 범프 형성 방법은 상기 반도체 기판의 제1면 및 제2면에 글래스층을 본딩하는 단계를 더 포함할 수 있다.

이 경우 상기 (g) 단계는 (g-1) 상기 반도체 기판의 제1면 및 범프 영역에 씨드층을 형성하는 단계; (g-2) 상기 반도체 기판의 제2면에 제2 DFR을 형성하는 단계; (g-3) 상기 범프 영역에 제1 금속층을 형성하는 단계; (g-4) CMP 공정을 수행하여 상기 글래스층이 노출될 때까지 상기 반도체 기판의 제1면을 연마하는 단계; (g-5) 상기 제2 DFR을 제거하는 단계; (g-6) 상기 반도체 기판의 제1면에 제1 DFR을 형성하는 단계; (g-7) 상기 반도체 기판의 제2면에 상기 범프 영역을 노출시키는 제3 DFR을 형성하는 단계; (g-8) 상기 범프 영역에 제2 금속층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 프로브 카드의 범프 형성 방법은 상기 (f) 단계를 수행하기 전에 상기 범프에 대응하는 상기 세라믹 기판의 표면에 접착층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

이하에서는, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 1a 내지 도 1j는 본 발명에 따른 프로브 카드의 범프 형성 방법의 제1 실시예를 도시한 단면도이다.

도 1a를 참조하면, 반도체 기판(100)의 제1면에 상부에 보호막(110)을 형성한다. 보호막(110)은 열산화막, CVD 산화막 또는 TEOS막으로 형성하는 것이 바람직하다.

도 1b 및 도 1c를 참조하면, 보호막(110) 상부에 감광막(120)을 형성한 후 범프가 형성될 영역을 정의하는 마스크를 이용한 리쏘그래피 공정으로 범프가 형성될 영역을 정의하는 감광막 패턴(120a)을 형성한다.

도 1d를 참조하면, 감광막 패턴(120a)을 마스크로 보호막(110)을 식각하여 범프가 형성될 영역을 노출시키는 보호막 패턴(110a)을 형성한다.

도 1e를 참조하면, 보호막 패턴(110a) 상부에 남아있는 감광막 패턴(120a)을 제거한다.

도 1f를 참조하면, 반도체 기판(100)의 제2면에 금속막(130)을 형성한다. 금속막(130)은 알루미늄(Al)막인 것이 바람직하다.

도 1g를 참조하면, 보호막 패턴(110a)을 마스크로 반도체 기판(100) 및 금속막(130)을 식각하여 범프 영역(140)을 형성한다. 상기 식각 공정에서 반도체 기판(100) 및 금속막(130)은 완전히 식각되어 쓰루홀이 형성된다.

도 1h를 참조하면, 보호막 패턴(110a) 및 금속막(130)을 제거한다. 그 다음 에는, 범프 영역(140)을 포함하는 반도체 기판(100)의 전면에 절연막(150)을 형성한다. 절연막(150)은 산화막 또는 질화막인 것이 바람직하다.

도 1i를 참조하면, 반도체 기판(100)을 세라믹 기판(170)에 본딩한다. 세라믹 기판(170)은 프로브 카드(미도시)의 스페이스 트랜스포머일 수 있다. 반도체 기판(100)과 세라믹 기판(170)의 경계면에 접착층(160)을 형성하는 것이 바람직하다. 접착층(160)은 감광막 또는 에폭시층으로 형성하는 것이 바람직하다.

도 1j를 참조하면, 범프 영역(140)을 매립하여 범프(180)를 형성한다. 범프(180)는 니켈을 도금하여 형성하는 것이 바람직하다.

도시되지는 않았으나, 범프(180) 상부에 캔틸레버 빔을 부착하여 프로브 카드를 완성한다.

도 2a 내지 도 2n는 본 발명에 따른 프로브 카드의 범프 형성 방법의 제2 실시예를 도시한 단면도이다.

도 2a를 참조하면, 반도체 기판(100)의 제1면에 상부에 보호막(110)을 형성한다. 보호막(110)은 열산화막, CVD 산화막 또는 TEOS막으로 형성하는 것이 바람직하다.

도 2b 및 도 2c를 참조하면, 보호막(110) 상부에 감광막(120)을 형성한 후 범프가 형성될 영역을 정의하는 마스크를 이용한 리쏘그래피 공정으로 범프가 형성될 영역을 정의하는 감광막 패턴(120a)을 형성한다.

도 2d를 참조하면, 감광막 패턴(120a)을 마스크로 보호막(110)을 식각하여 범프가 형성될 영역을 노출시키는 보호막 패턴(110a)을 형성한다.

도 2e를 참조하면, 보호막 패턴(110a) 상부에 남아있는 감광막 패턴(120a)을 제거한다.

도 2g를 참조하면, 보호막 패턴(110a)을 마스크로 반도체 기판(100)을 식각하여 범프 영역(140)을 형성한다. 상기 식각 공정에서 반도체 기판(100)은 완전히 식각되어 쓰루홀이 형성된다.

도 2h를 참조하면, 반도체 기판(100)의 제1면 및 제2면에 글래스층(160)을 본딩한다. 상기 본딩 공정은 양극 접합 공정인 것이 바람직하다.

도 2i를 참조하면, 반도체 기판(100)의 제1면 상부의 글래스층(160) 표면 및 범프 영역(140)의 내면에 씨드층(170)을 형성한다.

도 2j를 참조하면, 반도체 기판(100)의 제2면에 제2 DFR(Dry Film Resist)(180)을 형성한다.

도 2k를 참조하면, 범프 영역(140)에 제1 금속층(190a)을 형성한다. 제1 금속층(190)은 니켈층인 것이 바람직하다.

다음에는, CMP 공정을 수행하여 글래스층(160)이 노출될 때까지 반도체 기판(100)의 제1면을 연마한다. 반도체 기판(100)이 두꺼운 경우, 도 2k에 도시된 바와 같이, 범프 영역(140)이 완전히 매립되지 않는 경우도 있다. 다음에는, 제2 DFR(180)을 제거한다.

도 2l을 참조하면, 반도체 기판(100)의 제1면에 제1 DFR(200)을 형성하고 제2면에 범프 영역(140)을 노출시키는 제3 DFR(210)을 형성한다.

도 2m을 참조하면, 범프 영역(140)에 제2 금속층(190b)을 형성한다. 제2 금속층(190b)은 제1 금속층(190a)과 유사하게, 니켈 도금 공정을 수행한 후 CMP 등으 로 평탄화하여 형성한다. 다음에는, 남아있는 제1 DFR(200)을 제거한다.

도 2n을 참조하면, 범프(190a, 190b)에 대응하는 세라믹 기판(170)의 표면에 접착층(220)을 형성한다. 접착층(220)은 Sn층, AgSn층 또는 AuSn층으로 형성하는 것이 바람직하다.

다음에는, 반도체 기판(100)을 세라믹 기판(230)에 본딩한다. 세라믹 기판(230)은 프로브 카드(미도시)의 스페이스 트랜스포머일 수 있다.

도시되지는 않았으나, 범프(190a, 190b) 상부에 캔틸레버 빔을 부착하여 프로브 카드를 완성한다.

본 발명에 다른 프로브 카드의 범프 형성 방법은 반도체 기판을 몰드로 사용하여 프로브 팁과 빔을 지지하는 범퍼를 형성함으로써 감광막을 사용하지 않고 높은 종횡비(aspect ratio)를 범프를 제조할 수 있다.

Claims

(a) 반도체 기판의 제1면에 상부에 범프 영역을 정의하는 보호막 패턴을 형성하는 단계;

(b) 상기 반도체 기판의 제2면에 금속막을 형성하는 단계;

(c) 상기 보호막 패턴을 마스크로 상기 반도체 기판 및 금속막을 식각하여 상기 범프 영역을 형성하는 단계;

(d) 상기 보호막 패턴 및 금속막을 제거하는 단계;

(e) 상기 범프 영역을 포함하는 상기 반도체 기판의 표면에 절연막을 형성하는 단계;

(f) 상기 반도체 기판을 세라믹 기판에 본딩하는 단계; 및

(g) 상기 범프 영역을 매립하여 범프를 형성하는 단계

를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 범프 형성 방법.
제1항에 있어서,

상기 (a) 단계는

상기 반도체 기판 상부에 보호막을 형성하는 단계;

상기 보호막 상부에 상기 범프 영역을 정의하는 감광막 패턴을 형성하는 단계;

상기 감광막 패턴을 마스크로 상기 보호막을 식각하여 상기 보호막 패턴을 형성하는 단계; 및

상기 감광막 패턴을 제거하는 단계

를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 범프 형성 방법.
제1항에 있어서,

상기 보호막 패턴은 열산화막, CVD 산화막 및 TEOS막 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 범프 형성 방법.
제1항에 있어서,

상기 금속막은 Al막을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 범프 형성 방법.
제1항에 있어서,

상기 절연막은 산화막 또는 질화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 범프 형성 방법.
제1항에 있어서,

상기 반도체 기판과 상기 세라믹 기판의 경계면에 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 범프 형성 방법.
제6항에 있어서,

상기 접착층은 감광막 또는 에폭시층을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 범프 형성 방법.
제1항에 있어서,

상기 (g) 단계는 니켈을 도금하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 범프 형성 방법.
제1항에 있어서,

상기 반도체 기판의 제1면 및 제2면에 글래스층을 본딩하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 범프 형성 방법.
제9항에 있어서,

상기 (g) 단계는

(g-1) 상기 반도체 기판의 제1면 및 범프 영역에 씨드층을 형성하는 단계;

(g-2) 상기 반도체 기판의 제2면에 제2 DFR을 형성하는 단계;

(g-3) 상기 범프 영역에 제1 금속층을 형성하는 단계;

(g-4) CMP 공정을 수행하여 상기 글래스층이 노출될 때까지 상기 반도체 기판의 제1면을 연마하는 단계;

(g-5) 상기 제2 DFR을 제거하는 단계;

(g-6) 상기 반도체 기판의 제1면에 제1 DFR을 형성하는 단계;

(g-7) 상기 반도체 기판의 제2면에 상기 범프 영역을 노출시키는 제3 DFR을 형성하는 단계; 및

(g-8) 상기 범프 영역에 제2 금속층을 형성하는 단계

를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 범프 형성 방법.
제9항에 있어서,

상기 (f) 단계를 수행하기 전에

상기 범프에 대응하는 상기 세라믹 기판의 표면에 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 범프 형성 방법.
제11항에 있어서,

상기 접착층은 Sn층, AgSn층 및 AuSn층 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 범프 형성 방법.
제9항에 있어서,

상기 제1 금속층 및 제2 금속층은 니켈층을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 범프 형성 방법.
제1항에 있어서,

상기 범프 상부에 캔틸레버 빔을 부착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 범프 형성 방법.