KR100746782B1 - 이종 유전체층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그제조방법 - Google Patents

이종 유전체층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 이종 유전체층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 기판, 유지전극, 버스전극 및 유전체층을 포함하여 구성된다. 상기 유지전극은 기판 위에 형성되며, 상기 버스전극은 상기 유지전극 위에 형성된다. 상기 유전체층은 유지전극 사이에 위치한 기판 및 유지전극 일부를 덮도록 형성된 고유전율 유전체층과 나머지 부분에 형성된 저유전율 유전체층으로 구성된 것을 특징으로 한다.
이러한 특징으로 인하여, 본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 방전전압을 감소시켜, 에너지 효율을 향상시킨다. 또, 본 발명은 유전체층의 높이를 동일하게 형성함으로써, 그 위에 산화 마그네슘 보호막이 균일하게 형성될 수 있고, 따라서 방전에 의하여 유전체층이 손상되는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 감광성법을 이용함으로써, 상기 유전체층을 정밀하게 형성할 수 있다.
유전체층, 플라즈마 디스플레이 패널

Description

이종 유전체층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법{Plasma Display Panel With Hetero-Dieletric Layer And Method Of Fabricating The Same}
도 1은 종래 기술에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타내는 분해사시도,
도 2a 내지 2d는 본 발명에 따른 이종 유전체층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널의 일실시예의 제조수순을 단면도로 나타내는 순서도,
도 3은 본 발명에 따른 이종 유전체층을 갖는 플라스마 디스플레이 패널의 다른 실시예를 나타내는 단면도,
도 4는 본 발명에 따른 이종 유전체층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널의 또 다른 실시예를 나타내는 단면도,
도 5는 본 발명에 따른 이종 유전체층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널의 또 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
*** 도면의 주요 부호의 설명 ***
10 : 기판 11 : 유지전극
12 : 버스전극 13 : 저유전율 유전체층
14 : 고유전율 유전체층
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마 디스플레이 패널의 방전전압을 감소시킴으로써, 에너지 효율을 향상시키며, 유전체층의 전체적인 두께를 동일하게 함으로써, 그 위에 산화 마그네슘 보호막이 균일하게 형성될 수 있는 이종 유전체층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널(PDP : Plasma Display Panel)은 가스방전에 의해 발생되는 진공 자외선이 형광체를 여기시킬 때 형광체로부터 가시광선이 발생되는 것을 이용한 디스플레이 장치이다. 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)은 지금까지 디스플레이 장치로서 주종을 이루던 음극선관(CRT : Cathode Ray Tube)에 비해 두께가 얇고 가벼우며, 고선명의 대화면 구현이 가능하다는 점에서 각광을 받고 있다.
플라즈마 디스플레이 패널은 매우 강한 방전의 비선형성을 갖고 있어서, 점화전압 이하에서는 방전하지 않으므로 라인 수에 대한 제한이 없어 대형 제작이 가능하고 구동회로수를 줄이기 위한 다중화 기술을 이용할 수 있다. 또한 통상의 음 극선관에 비하여 장수명이며 휘도와 휘도 효율이 높고 구조가 간단하며 제작이 용이한 점 등의 여러가지 장점을 갖고 있다. 이러한 장점으로 플라즈마 디스플레이 패널은 정보사회의 급신장에 따라 그 수요가 급증하고 있다.
플라즈마 디스플레이 패널은 방전셀에 인가하는 구동전압의 형식에 따라 교류형과 직류형으로 나누어지는데, 널리 사용되는 것은 교류형으로서, 교류형에 대하여 좀더 상세히 설명하면, 각 전극들이 유전체층 및 보호층에 의하여 방전층과 분리되어서 방전 현상시 발생되는 하전입자들을 상기 전극들이 흡수하지 않고 벽전하를 형성하게 되며 이 벽전하를 이용하여 다음 방전을 일으키도록 형성된 것이다.
도 1은 종래의 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 개략적인 구성을 나타낸 도이다.
도시된 바와 같이 플라즈마 표시 장치는 배면기판(110)과, 상기 배면기판 위에 형성된 어드레스 전극(111)과, 이 어드레스 전극이 형성된 배면기판 위에 형성된 유전체층(112)과, 이 유전체층 상에 형성되어 방전거리를 유지시키고 셀간의 전기적 광학적 크로스 토크(Cross Talk)를 방지하는 격벽(113)과, 상기 격벽이 형성된 배면기판과 결합되며 상기 어드레스 전극과 직교하도록 소정의 패턴의 유지전극쌍(114, 115)이 하면에 형성된 전면기판(116)을 구비하여 구성된다. 상기 유지전극쌍은 빛의 투과를 위하여 투명전극이 사용되며 투명전극의 높은 저항을 보상하기 위한 버스전극이 접합된 형태가 일반적이다. 상기 격벽에 의해 구획된 방전공간 내의 적어도 일측에는 형광체층(117)이 형성되고, 상기 전면판의 하면에는 전극들이 매립되는 유전체층(118)과 보호막(119)이 형성된다. 상기 방전공간에는 네온(Ne),크세논(Xe) 등이 혼합된 방전가스가 주입된다.
이러한 플라즈마 디스플레이 패널의 화상을 구현할 때에는 전극에 방전개시전압을 인가하게 되며 보호막 위에서 플라즈마 방전이 일어난다. 이 때, 인가되는 전압의 크기는 전면과 후면기판 사이에 형성되는 방전공간의 간격, 방전공간내에 유입한 방전가스의 종류와 압력, 유전체와 보호막의 성질에 따라 결정된다. 플라즈마 방전시 방전공간 내의 양이온들과 전자들은 서로 반대의 극성(Polarization)을 가지고 이동하며 결국,보호막의 표면은 서로 반대되는 두 개의 다른 극성을 가진 부분으로 나누어 진다. 이와 같은 벽전하들은 보호막이 근본적으로 저항이 높은 절연체이므로 보호막 표면에 남아 있으며 이러한 벽전하의 영향으로 방전개시전압보다 낮은 전압에서 방전이 유지되는 현상, 즉 교류형 플라즈마 디스플레이 패널 고유의 메모리 기능을 갖게 된다. 즉, 교류형 플라즈마 디스플레이 패널은 방전개시전압과 유지전압의 사이에서 구동되기 때문에 메모리 마진이 클수록 보다 안정한 상태의 구동이 가능하다.
상기 교류형 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 방전개시전압이 커지게 되면 전력의 소모가 많아지는 동시에 그 구동 회로의 정격이 커지게 된다. 또한 인접 전극에 유도 전압을 일으켜 크로스 토크의 발생의 원인이 된다. 이를 해소하기 위한 방안으로 방전 개시 전압을 낮추기 위하여 유지전극쌍(114, 115)의 사이의 간 격을 좁히면 정전 용량이 너무 커지게 된다.
한편, 발광 효율을 향상시키기 위해서는 방전전류를 감소시킬 필요가 있다. 이 방전전류는 유전체층의 두께에 의해 상당한 영향을 받으며, 일반적으로 유전체층이 얇으면 방전개시전압이 낮고 방전전류가 증가하며 두꺼울수록 방전전압이 높아지고 방전전류가 감소한다. 따라서 단순히 유전체막의 두께를 두껍게 하면 방전전류는 감소하나 방전개시전압이 상승하게 되는 문제가 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 차등 유전체를 도입한 플라즈마 디스플레이 패널이 미국특허 5,742,122호에 개시되어 있다. 개시된 플라즈마 디스플레이 패널은 투명전극의 상면에 형성된 유전체층의 두께가 투명전극상에 이와 나란하게 형성된 버스전극과 대응되는 유전체층의 두께보다 얇게 형성된 차등 유전체를 구비하고 있다. 즉, 유지전극의 폭방향으로 유전체층의 두께를 점차 두껍게 함으로써 방전전압을 상승시키지 않고도 방전전류를 감소시킬 수 있다.
그러나, 상기 발명과 같이 유전체층의 두께를 차등적으로 형성할 경우, 유전체층의 높이가 동일하지 않음으로써, 그 위에 형성되는 산화 마그네슘 보호막을 균일하게 형성하기 어려우며, 특히 유전체층의 두께가 변하는 곳에서 보호막이 충분하게 형성되지 않아 방전시 유전체층이 손상될 염려 등이 있다.
따라서, 상기의 문제점을 해결할 수 있는 유전체층 구조를 갖는 플라즈마 디스플레이 패널이 요구된다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서,
본 발명은 방전이 시작되는 부분에 위치한 유전체층의 유전율을 높게 구성하여, 방전전압을 감소시킴으로써, 플라즈마 디스플레이 패널의 에너지 효율을 향상시킬 수 있는 이종 유전체층을 갖는 플라스마 디스플레이 패널을 제공하기 위한 것이다.
또, 본 발명은 유전체층의 높이를 동일하게 형성함으로써, 방전전압을 효율적으로 감소시키면서도, 유전체층의 상면을 평활하게 하여 그 위에 산화 마그네슘 보호막이 균일하게 형성될 수 있고, 따라서 방전에 의하여 유전체층이 손상되는 것을 방지할 수 있는 이종 유전체층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 기판, 상기 기판 위에 이격되어 형성된 유지전극, 상기 유지전극 위에 형성된 버스전극 및 상기 유지전극과 버스전극을 감싸도록 형성된 유전체층을 포함하여 구성되는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 상기 유전체층은 상기 유지전극 사이에 위치한 기판 및 유지전극의 일부를 덮도록 형성된 고유전율 유전체 층 및 상기 고유전율 유전체층이 형성되지 않은 부분에 형성되며 상기 고유전율 유전체층보다 유전율이 낮은 저유전율 유전체층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 이종 유전체층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널이다.
또, 기판, 상기 기판 위에 이격되어 형성된 유지전극, 상기 유지전극 위에 형성된 버스전극 및 상기 유지전극과 버스전극을 감싸도록 형성된 유전체층을 포함하여 구성되는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 상기 유전체층은 상기 유지전극 사이에 위치한 기판 및 유지전극의 일부를 덮도록 형성된 고유전율 유전체층 및 상기 유지전극, 버스전극 및 고유전율 유전체층을 감싸도록 형성되며 상기 고유전율 유전체층보다 유전율이 낮은 저유전율 유전체층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 이종 유전체층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널이다.
또, 기판, 상기 기판 위에 이격되어 형성된 유지전극, 상기 유지전극 위에 형성된 버스전극 및 상기 유지전극과 버스전극을 감싸도록 형성된 유전체층을 포함하여 구성되는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 상기 유전체층은 각 유지전극의 상호 대향되는 말단에서부터 유지전극의 일부를 덮도록 형성된 고유전율 유전체층 및 상기 고유전율 유전체층이 형성되지 않은 부분에 형성되며 상기 고유전율 유전체층보다 유전율이 낮은 저유전율 유전체층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 이종 유전체층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널이다.
또, 기판 위에 유지전극 및 버스전극을 형성하는 단계, 상기 버스전극 사이에 공간을 형성하도록 저유전율 유전체층을 형성하는 단계 및 상기 저유전율 유전체층이 형성되지 않은 부분에 고유전율 유전체층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 이종 유전체층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법이다.
또, 상기 저유전율 유전체층을 형성하는 단계는 감광성법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 이종 유전체층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법이다.
또, 기판 위에 유지전극 및 버스전극을 형성하는 단계, 상기 기판 위에 유지전극 및 버스전극을 감싸도록 저유전율 유전체층을 형성하는 단계, 상기 저유전율 유전체층에 홈을 형성하는 단계 및 상기 홈에 고유전율 유전체층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 이종 유전체층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법이다.
본 발명은 유전체층의 높이를 동일하게 형성하면서도, 방전이 시작되며 전계가 집중되는 부분, 즉 방전셀의 중심부에 위치한 유전체층을 나머지 부분의 유전체층보다 높은 유전율을 갖는 유전체층으로 구성하는 것이 특징이다.
플라즈마 디스플레이 패널 내의 방전은 어드레스 전극과 하나의 유지 전극 사이에서 먼저 대향방전이 일어나고, 유지펄스에 의하여 유지전극 간에 면방전을 일으킴으로써 방전을 유지한다. 상기 면방전은 각 유지전극의 상호 대향되는 말단에서 시작되어 반대쪽 말단으로 확장된다.
본 발명의 유전체층은 면방전이 시작되는 부분에 위치한 유전체층의 유전율을 높임으로써, 방전전압을 효율적으로 감소시키면서도, 유전체층의 상면을 평활하게 하여 그 위에 산화 마그네슘 보호막이 균일하게 형성될 수 있고, 따라서 방전에 의한 유전체층의 손상을 효과적으로 방지할 수 있다.
이하에서는 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 기술적 특징을 상세하게 설명하기로 한다. 본 발명은 실시예에 의하여 보다 잘 이해될 수 있으며, 하기의 실시예는 본 발명의 예시 목적을 위한 것이고, 첨부된 특허청구범위에 의하여 정해지는 보호범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.
도 2a 내지 2c는 본 발명에 따른 이종 유전체층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법의 일실시예를 단면도로 나타내는 순서도로서, 기판 위에 유지전극 및 버스전극을 형성하는 단계, 상기 버스전극 사이에 공간을 형성하도록 저유전율 유전체층을 형성하는 단계 및 상기 저유전율 유전체층이 형성되지 않은 부분에 고유전율 유전체층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
먼저, 기판(10) 위에 유지전극(11)을 형성한다(도 2a). 상기 유지전극의 가장자리에는 ITO의 높은 저항을 보상하기 위하여, 은(Ag) 등의 도전성 박막으로 이 루어진 버스전극(12)을 형성한다.
상기 기판(10)으로는 소다라임(Soda-Lime)계 유리기판이 사용된다. 그 조성물은 70 중량%의 SiO2, 15 중량%의 Na2O, 10 중량%의 CaO, 소량의 Al2O3, K2O, MgO 로 이루어진다.
상기 유지전극(11)은 방전유지를 위한 것으로서, 이격되어 형성된 쌍으로 구성된다. 상기 유지전극은 방전셀에서 방출된 빛의 경로에 위치하므로 빛의 투과도를 고려하여 ITO (Indium Tin Oxide)로 형성되는 것이 바람직하다.
도 2a를 참조하면, 기판 위에 박막형성방법, 디핑방법(Dipping Method), 스크린 인쇄법 등으로 산화인듐 이나 산화주석을 증착시켜 유지전극(11)을 형성한다. 이후, 포토 리소그래피법(Photo Lithography)에 의하여 또는 금속 페이스트를 인쇄하여 유지전극 위에 버스전극(12)을 형성한다. 포토 리소그래피법에 대하여 보다 상세히 설명하자면, 유지전극 위에 전기전도도가 좋은 Cu, Au, Ag, Al 또는 이들의 합금을 CVD 또는 스퍼터링 방식으로 증착시켜 일정한 두께의 박막을 형성시킨다. 이후, 상기 패턴재료 위에 포토 레지스트(Photo Resist)를 도포하여 가경화시킨 후 형성시킬 패턴에 따라 개구부가 형성된 마스크를 이용하여 상기 포토 레지스트를 부분적으로 노광시키면 노광된 부분의 화학적 조성이 변화한다. 이후, 상기 기판 을 향해 현상액을 분사하여 상기 포토 레지스트 중 불필요한 부분을 제거한다. 이때, 상기 포토 레지스트 중 노광된 부분은 화학적으로 조성이 변화되어 현상액에 의해 녹지 않으므로 노광되지 않은 부분만이 녹아서 제거되고 원하는 형상의 포토레지스트만이 남게 된다. 이후, 식각액을 분사하여 상기 패턴재료를 부분적으로 제거한다. 이때, 현상액에 의해 녹지 않고 남아있는 포토 레지스트가 그 밑에 형성된 패턴재료의 식각을 방지하도록 보호하는 역할을 하므로 상기 패턴 재료 중 상기 포토 레지스트로부터 노출된 부분만이 제거된다. 이후, 상기 기판 상에서 포토 레지스트를 박리시켜 제거함으로써 원하는 패턴을 얻는다.
다음으로 상기 버스전극 사이에 공간을 형성하도록 저유전율 유전체층(13)을 형성한다(도 2b). 저유전율 유전체층은 버스전극 및 유지전극의 일부를 감싸도록 형성함으로써 방전셀 중심부에 위치한 부분에는 고유전율 유전체층을 형성할수 있는 공간을 마련한다.
상기 저유전율 유전체층은 스크린 인쇄법, 감광성법 등으로 형성이 가능한데 패턴의 정밀도, 표면 상태 등을 고려하였을 때 바람직하기로는 감광성법으로 형성하는 것이 좋다. 감광성법은 전술한 포토 리소그래피법과 유사한 것으로, 유전체층을 전체적으로 형성한 다음, 포토 마스크를 통하여 노광 및 현상을 통하여 버스전극 사이에 공간을 형성하도록 저유전율 유전체층의 일부를 제거한다.
상기 저유전율 유전체층은 전체 유전체층의 질량을 100%로 하였을 때, 산화 납(PbO) 60~70%, 산화실리콘(SiO2) 12~17%, 산화붕소(B2O3) 8~15%, 산화아연(ZnO) 5~12%, 산화알루미늄(Al2O3) 0.1~5%의 조성을 갖는다. 상기 조성의 유전체층은 10~15의 유전율을 갖게 된다.
다음으로, 상기 저유전율 유전체층이 형성되지 않은 부분에 고유전율 유전체층(14)을 형성한다(도 2c). 상기 고유전율 유전체층의 형성에는 스크린 인쇄법이 사용될 수 있다. 상기 고유전율 유전체층의 유전율은 저유전율 유전체층의 유전율보다 높아야하며, 저유전율 유전체층의 유전율이 10~15인 경우, 바람직하기로는 17~30의 유전율을 갖는 것이 좋다. 상기 저유전율 유전체층의 조성에서 산화납, 산화알루미늄의 조성을 변화시킴으로써 유전율을 증가시킬 수 있다. 상기 고유전율 유전체층의 폭은 방전셀의 크기, 유지전극의 이격 거리, 유지전극의 폭 등에 따라 달라지나, 화소피치의 4/5 보다 작은 것이 바람직하다.
상기 각 유전체층은 소성 공정을 거침으로써 유기 용제의 배출 및 유전체층의 경화가 이루어진다.
도 3은 본 발명에 따른 이종 유전체층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널의 다른 실시예로서, 고유전율 유전체층이 면방전이 시작되는 부분, 즉 각 유지전극의 상호 대향되는 말단에서부터 유지전극의 일부를 덮도록 형성된 것이 특징이다. 면 방전이 시작되는 부분은 정확하게는 각 유지전극의 상호 대향되는 말단이므로, 이러한 경우에도 충분한 방전전압 감소의 효과를 얻을 수 있으며, 방전전전류를 고려하였을 때, 상기 고유전율 유전체층의 폭은 각 유지전극의 상호 대향되는 말단부터 반대쪽 말단까지의 거리의 1/2 보다 작은 것이 바람직하다.
도 4는 본 발명에 따른 이종 유전체층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널의 또다른 실시예로서, 고유전율 유전체층을 감싸도록 저유전율 유전체층을 형성되는 것이 특징이다. 상기 구조는 기판위에 고유전율 유전체층을 먼저 형성한 다음, 저유전율 유전체층을 형성한다.
도 5는 본 발명에 따른 이종 유전체층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널의 또다른 실시예로서, 저유전율 유전체층에 홈이 형성되고, 상기 홈에 고유전율 유전체층이 형성되는 것이 특징이다.
상기 구조의 제조방법을 보다 상세하게 설명하면, 먼저 저유전율 유전체층을 유지전극 및 버스전극을 감싸도록 고르게 인쇄한 다음, 저유전율 유전체층에 건식 식각을 통하여 또는 금형이나 프레스 성형기 등으로 가압하여 홈을 형성한다. 이후, 상기 홈에 고유전율 유전체층을 형성한다. 이러한 제조방법은 식각 등을 통하여 유지 전극 및 기판이 손상되는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 금형이나 프레스 성형기를 이용할 경우에는 보다 간단한 공정을 사용함으로써 경제적으로 유리한 효과가 있다.
전술한 기판, 유지전극 및 유전체층으로 이루어진 구조에 산화마그네슘 보호막을 형성하고 배면기판과 결합하여 플라즈마 디스플레이 패널을 완성시키는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상적 지식을 가진 자에게는 자명할 것인바, 이에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
이상에서 상술한 바와 같이, 본 발명은 면방전이 시작되는 부분에 위치한 유전체층의 유전율을 높게 구성하여, 방전전압을 감소시킴으로써, 플라즈마 디스플레이 패널의 에너지 효율을 향상시킨다.
또, 본 발명은 유전체층의 높이를 동일하게 형성함으로써, 방전전압을 효율적으로 감소시키면서도, 유전체층의 상면을 평활하게 하여 그 위에 산화 마그네슘 보호막이 균일하게 형성될 수 있고, 따라서 방전에 의하여 유전체층의 손상되는 것을 방지할 수 있다.
또, 본 발명은 저유전율 유전체층에 홈을 형성한 다음, 홈 위에 고유전율 유전체층을 형성함으로써, 유지전극 및 기판이 식각 등에 의하여 손상되는 것을 방지할 수 있다.
또, 본 발명은 감광성법을 이용함으로써, 상기 유전체층을 정밀하게 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 유전체층의 표면을 평활하게 형성할 수 있다.

Claims (9)

  1. 기판, 상기 기판 위에 이격되어 형성된 유지전극, 상기 유지전극 위에 형성된 버스전극 및 상기 유지전극과 버스전극을 감싸도록 형성된 유전체층을 포함하여 구성되는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,
    상기 유전체층은 상기 유지전극 사이에 위치한 기판 및 유지전극의 일부를 덮도록 형성된 고유전율 유전체층; 및
    상기 고유전율 유전체층이 형성되지 않은 부분에 형성되며 상기 고유전율 유전체층보다 유전율이 낮은 저유전율 유전체층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 이종 유전체층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널.
  2. 기판, 상기 기판 위에 이격되어 형성된 유지전극, 상기 유지전극 위에 형성된 버스전극 및 상기 유지전극과 버스전극을 감싸도록 형성된 유전체층을 포함하여 구성되는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,
    상기 유전체층은 상기 유지전극 사이에 위치한 기판 및 유지전극의 일부를 덮도록 형성된 고유전율 유전체층; 및
    상기 유지전극, 버스전극 및 고유전율 유전체층을 감싸도록 형성되며 상기 고유전율 유전체층보다 유전율이 낮은 저유전율 유전체층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 이종 유전체층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 고유전율 유전체층의 폭은 화소 피치의 4/5 보다 작은 것을 특징으로 하는 이종 유전체층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널.
  4. 기판, 상기 기판 위에 이격되어 형성된 유지전극, 상기 유지전극 위에 형성된 버스전극 및 상기 유지전극과 버스전극을 감싸도록 형성된 유전체층을 포함하여 구성되는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,
    상기 유전체층은 각 유지전극의 상호 대향되는 말단에서부터 유지전극의 일부를 덮도록 형성된 고유전율 유전체층; 및
    상기 고유전율 유전체층이 형성되지 않은 부분에 형성되며 상기 고유전율 유전체층보다 유전율이 낮은 저유전율 유전체층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 이종 유전체층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 고유전율 유전체층의 폭은 각 유지전극의 상호 대향되는 말단부터 반대쪽 말단까지의 거리의 1/2 보다 작은 것을 특징으로 하는 이종 유전체층을 갖는 플 라즈마 디스플레이 패널.
  6. 제1항, 제2항 및 제4항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 고유전율 유전체층은 유전율이 17~30이고,
    상기 저유전율 유전체층은 유전율이 10~15인 것을 특징으로 하는 이종 유전체층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널.
  7. 기판 위에 유지전극 및 버스전극을 형성하는 단계;
    상기 버스전극 사이에 공간을 형성하도록 저유전율 유전체층을 형성하는 단계; 및
    상기 저유전율 유전체층이 형성되지 않은 부분에 고유전율 유전체층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 이종 유전체층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 저유전율 유전체층을 형성하는 단계는 감광성법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 이종 유전체층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법.
  9. 기판 위에 유지전극 및 버스전극을 형성하는 단계;
    상기 유지전극 및 버스전극을 감싸도록 저유전율 유전체층을 형성하는 단계;
    상기 저유전율 유전체층에 홈을 형성하는 단계; 및
    상기 홈에 고유전율 유전체층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 이종 유전체층을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법.
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