KR100733207B1 - 치환된 설포닐아미노메틸벤조산(유도체) 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (17)
- 하기 화학식 I의 화합물:화학식 I상기 식에서,R1은 H, 또는 비치환되거나 치환된 (C1-C8)알킬, (C3-C8 )알케닐 또는 (C3-C8)알키닐이고;R2 및 R3은 서로 독립적으로 H 또는 아실이고;R4 및 R5는 H이고;R6은 H, 또는 비치환되거나 치환된 (C1-C8)알킬이고;R7은 비치환되거나 치환된 (C1-C8)알킬, (C3-C8)알케닐, (C3-C8)알키닐, (C6-C14)아릴, 또는 모노- 또는 디-(C1-C8)알킬아미노이거나;R8 라디칼은 동일하거나 상이하고, 비치환되거나 치환된 (C1-C4)알킬, (C 1-C4)알콕시, [(C1-C4)알킬]카보닐 또는 [(C1-C4)알콕시]카보닐이거나, R8은 할로겐, NO2 또는 CN이고;n은 0, 1, 2 또는 3이다.
- 제 1 항에 있어서,R1이 H 또는 (C1-C4)알킬, 바람직하게는 (C1-C4)알킬이고,R2 및 R3이 H이고,R4 및 R5가 H이고,R6이 H이고,R7이 (C1-C4)알킬이고,n이 0인 화학식 I의 화합물.
- 제 1 항에 있어서,-CR4R5-NR6-SO2-R7 기가 -CO-OR1 기에 대해 p-위치에 존재하는 화학식 I의 화합물.
- 1a) 산의 부재하에서 촉매적 수소화반응에 의해 하기 화학식 II의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 III의 화합물을 수득하거나, 산 H+X-(여기서, X-는 1당량의 산 음이온임)의 존재하에서 촉매적 수소화반응에 의해 하기 화학식 II의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 IIIa(여기서, X-는 1당량의 산 음이온임)의 화합물을 수득하는 단계, 및1b) 계속해서, 하기 화학식 III 또는 IIIa의 화합물을 설폰산 유도체와 반응시켜 화학식 I(여기서, R2, R3 및 R6은 H임)의 화합물을 수득하는 단계; 또는2a) i) 니트로 화합물에 대한 통상적인 환원 방법에 의해 하기 화학식 II의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 IV의 화합물을 수득하고, ii) 계속해서, 촉매적 수소화반응 또는 니트릴에 대한 통상적인 환원 방법에 의해 하기 화학식 IV의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 III 또는 IIIa의 화합물을 수득하는 단계, 및2b) 계속해서, 하기 화학식 III 또는 IIIa의 화합물을 설폰산 유도체와 반응시켜 화학식 I(여기서, R2, R3 및 R6은 H임)의 화합물을 수득하는 단계; 또는3a) i) 니트릴에 대한 통상적인 환원 방법에 의해 하기 화학식 II의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 V 또는 Va(여기서, X-는 화학식 IIIa에서 정의된 바와 같음)의 화합물을 수득하고, ii) 계속해서, 니트로 화합물에 대한 통상적인 환원 방법 또는 촉매적 수소화반응에 의해 하기 화학식 V 또는 Va의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 III 또는 IIIa의 화합물을 수득하는 단계, 및3b) 계속해서, 하기 화학식 III 또는 IIIa의 화합물을 설폰산 유도체와 반응시켜 화학식 I(여기서, R2, R3 및 R6은 H임)의 화합물을 수득하는 단계; 또는4a) i) 니트릴에 대한 통상적인 환원 방법에 의해 하기 화학식 II의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 V 또는 Va(여기서, X-는 화학식 IIIa에서 정의된 바와 같음)의 화합물을 수득하고, ii) 계속해서, 하기 화학식 V 또는 Va의 화합물을 설폰산 유도체와 반응시켜 하기 화학식 VI의 화합물을 수득하는 단계, 및4b) 계속해서, 니트로 화합물에 대한 통상적인 환원 방법 또는 촉매적 수소화반응에 의해 화학식 VI의 화합물을 반응시켜 화학식 I(여기서, R2, R3 및 R6은 H임)의 화합물을 수득하는 단계; 및 선택적으로5) 계속해서, 단계 1) 내지 4) 중 어느 하나에서 수득된 화학식 I의 화합물을 알킬화제와 반응시키거나 환원성 아민화반응에 의해 반응시켜 R6이 비치환되거나 치환된 C1-C8-알킬인 화학식 I의 화합물을 수득하거나, 아실화제와 반응시켜 R2 및/또는 R3이 아실인 화학식 I의 화합물을 수득하는 단계를 포함하는, 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 따른 화학식 I의 화합물의 제조 방법:화학식 II화학식 III화학식 IIIa화학식 IV화학식 V화학식 Va화학식 VI상기 식에서,R1, R7, R8 및 n은 제 1 항 또는 제 2 항의 화학식 I에서 정의된 바와 같다.
- A) 하기 하위단계에 의해 제 1 항 또는 제 2 항에서 정의된 화학식 I(여기서, R2 및 R3은 H임)의 화합물을 제조하는 단계:1a) 산의 부재하에서 촉매적 수소화반응에 의해 하기 화학식 II의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 III의 화합물을 수득하거나, 산 H+X-(여기서, X-는 1당량의 산 음이온임)의 존재하에서 촉매적 수소화반응에 의해 하기 화학식 II의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 IIIa(여기서, X-는 1당량의 산 음이온임)의 화합물을 수득하는 단계, 및1b) 계속해서, 하기 화학식 III 또는 IIIa의 화합물을 설폰산 유도체와 반응시켜 화학식 I(여기서, R2, R3 및 R6은 H임)의 화합물을 수득하는 단계;2a) i) 니트로 화합물에 대한 통상적인 환원 방법에 의해 하기 화학식 II의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 IV의 화합물을 수득하고, ii) 계속해서, 촉매적 수소화반응 또는 니트릴에 대한 통상적인 환원 방법에 의해 하기 화학식 IV의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 III 또는 IIIa의 화합물을 수득하는 단계, 및2b) 계속해서, 하기 화학식 III 또는 IIIa의 화합물을 설폰산 유도체와 반응시켜 화학식 I(여기서, R2, R3 및 R6은 H임)의 화합물을 수득하는 단계;3a) i) 니트릴에 대한 통상적인 환원 방법에 의해 하기 화학식 II의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 V 또는 Va(여기서, X-는 화학식 IIIa에서 정의된 바와 같음)의 화합물을 수득하고, ii) 계속해서, 니트로 화합물에 대한 통상적인 환원 방법 또는 촉매적 수소화반응에 의해 하기 화학식 V 또는 Va의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 III 또는 IIIa의 화합물을 수득하는 단계, 및3b) 계속해서, 화학식 III 또는 IIIa의 화합물을 설폰산 유도체와 반응시켜 화학식 I(여기서, R2, R3 및 R6은 H임)의 화합물을 수득하는 단계; 또는4a) i) 니트릴에 대한 통상적인 환원 방법에 의해 하기 화학식 II의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 V 또는 Va(여기서, X-는 화학식 IIIa에서 정의된 바와 같음)의 화합물을 수득하고, ii) 계속해서, 하기 화학식 V 또는 Va의 화합물을 설폰산 유도체와 반응시켜 하기 화학식 VI의 화합물을 수득하는 단계, 및4b) 계속해서, 니트로 화합물에 대한 통상적인 환원 방법 또는 촉매적 수소화반응에 의해 화학식 VI의 화합물을 반응시켜 화학식 I(여기서, R2, R3 및 R6은 H임)의 화합물을 수득하는 단계; 및 선택적으로5) 계속해서, 단계 A1) 내지 A4) 중 어느 하나에서 수득된 화학식 I의 화합물을 알킬화제와 반응시키거나 환원적 아민화반응에 의해 반응시켜 R6이 비치환되거나 치환된 C1-C8-알킬인 화학식 I의 화합물을 수득하는 단계;B) 계속해서, 하기 하위단계에 의해 하기 화학식 VII의 화합물을 제조하는 단계:6) 단계 A)에서 수득된 화학식 I의 화합물을 산의 존재하에서 디아조화제와 반응시키고, 이어서 구리 촉매 및 산의 존재하에서 SO2 공급원과 반응시켜 하기 화학식 VII의 화합물을 수득하는 단계;C) 계속해서, 하기 하위단계에 의해 하기 화학식 XIII의 화합물을 제조하는 단계:C1) 단계 B6)에서 수득된 하기 화학식 VII의 화합물을 MOCN(여기서, M은 암모늄 이온 또는 알칼리 금속 이온임)의 존재하에서 하기 화학식 XII의 아민과 반응시켜 하기 화학식 XIII의 화합물을 수득하는 단계; 또는C2.1) 하기 하위단계에 의해 하기 화학식 VIII의 화합물을 제조하는 단계:7) 단계 B6)에서 수득된 화학식 VII의 화합물을 적합한 용매에서 암모니아에 의해 아미노분해 반응시켜 하기 화학식 VIII의 화합물을 수득하는 단계, 및C2.2) 계속해서, 하기 하위단계에 의해 하기 화학식 XIII의 화합물을 제조하는 단계:9) 하기 화학식 VIII의 화합물을 하기 화학식 IX의 화합물과 반응시켜 하기 화학식 XIII의 화합물을 수득하는 단계; 또는10) 하기 화학식 VIII의 화합물을 하기 화학식 X의 이소시아네이트와 반응시켜 하기 화학식 XIII의 화합물을 수득하는 단계; 또는11) 하기 화학식 VIII의 화합물을 알킬 이소시아네이트 및 포스겐과 반응시켜 하기 화학식 XI의 화합물을 수득하고, 이어서 이를 하기 화학식 XII의 아민과 반응시켜 하기 화학식 XIII의 화합물을 수득하는 단계; 또는12) 하기 화학식 VIII의 화합물을 탄산 유도체 R-CO-0Ph(여기서, Ph는 비치환되거나 치환된 페닐이고, R은 할로겐 또는 비치환되거나 치환된 페녹시임)와 반응시켜 하기 화학식 XIV의 화합물을 수득하고, 이어서 이를 하기 화학식 XII의 아민과 반응시켜 하기 화학식 XIII의 화합물을 수득하는 단계를 포함하는, 하기 화학식 XIII의 화합물의 제조 방법:화학식 II화학식 III화학식 IIIa화학식 IV화학식 V화학식 Va화학식 VI화학식 VII화학식 VIII화학식 IX화학식 X화학식 XI화학식 XII화학식 XIII화학식 XIV상기 식에서,R1, R6, R7, R8 및 n은 제 1 항 또는 제 2 항의 화학식 I에서 정의된 바와 같고;Y는 할로겐이고;Ph는 비치환되거나 치환된 페닐이고;RX 및 RY는 서로 독립적으로 수소 원자, 할로겐, (C1-C4)알킬, (C1-C4)알콕시 또는 (C1-C4)알킬티오이거나(여기서, (C1-C4)알킬, (C1-C4)알콕시 및 (C1-C4)알킬티오 라디칼 각각은 비치환되거나, 할로겐, (C1-C4)알콕시 및 (C1-C4)알킬티오로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 라디칼에 의해 치환됨), 모노- 또는 디-[(C1-C4)알킬]아미노, (C2-C6)알케닐, (C2-C6)알키닐, (C3-C6)알케닐옥시 또는 (C3-C6)알키닐옥시이고;X는 CH 또는 N이다.
- 삭제
- 제 1 항 또는 제 2 항에서 정의된 화학식 I의 화합물을 사용하여 설포닐우레아를 제조하는 방법.
- 삭제
- 제 12 항에서 정의된 화학식 VI의 화합물을 사용하여 설포닐우레아를 제조하는 방법.
- 삭제
- 제 15 항에서 정의된 화학식 Z 또는 Za의 화합물을 사용하여 설포닐우레아를 제조하는 방법.
- 삭제
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