KR100727846B1

KR100727846B1 - 방사선 조사에 의한 폴리이미드 공중합체의 개질 방법

Info

Publication number: KR100727846B1
Application number: KR1020050101225A
Authority: KR
Inventors: 심진기; 조계민; 노상일
Original assignee: 한국생산기술연구원
Priority date: 2005-10-26
Filing date: 2005-10-26
Publication date: 2007-06-14
Also published as: KR20070044914A

Abstract

본 발명은 방사선 조사에 의한 폴리이미드 공중합체의 개질 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 소자의 층간 물질(interlayer dielectric; ILD) 또는 금속 배선의 층간 물질(intermetallic dielectric; IMD)로 주로 사용되며 유전률이 작아 반도체 소자 및 금속 배선 사이의 신호 방해(cross-talk) 현상을 감소시킬 수 있는 반도체용 절연막을 방사선 조사에 의해 폴리이미드 공중합체를 개질하여서 제조하는 방법에 관한 것이다.

본 발명의 방사선 조사에 의한 폴리이미드 절연막의 개질방법에 따르면, 폴리이미드 자체의 양호한 물리적 특성은 유지하면서도 유전상수 및 흡습률을 저하시킬 수 있어서 폴리이미드 절연막의 절연특성이 향상되어 본 발명에 따른 개질된 폴리이미드 절연막을 적용하여 반도체 소자 및 금속배선간의 상호 신호 방해(cross talk) 현상을 획기적으로 저하시킬 수 있다.

폴리이미드, 방사선, 개질, 절연막, 유전율, 흡습률

Description

방사선 조사에 의한 폴리이미드 공중합체의 개질 방법{A Method for Improving Polyimide Copolymer by Gamma-ray Irradiation}

본 발명은 방사선 조사에 의한 폴리이미드 공중합체의 개질 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 소자의 층간 물질(interlayer dielectric; ILD) 또는 금속 배선의 층간 물질(intermetallic dielectric; IMD)로 주로 사용되며 유전률이 작아 반도체 소자 및 금속 배선 사이의 신호방해 현상(cross-talk)을 감소시킬 수 있는 반도체용 절연막을 방사선 조사에 의해 폴리이미드 공중합체를 개질하여서 제조하는 방법에 관한 것이다.

최근 반도체 소자의 집적도가 증가하면서 배선 밀도가 증가되고 있고 금속 배선의 간격은 점점 감소하고 있다. 이로 인하여 금속 배선간의 기생 커패시턴스가 증가하여 RC 지연과 금속 상호 간의 간섭(cross-talk) 현상이 발생하고 소비전력이 증가하여 기존의 절연막을 사용하여서는 소자특성을 기대할 수 없다는 문제점이 제기되고 있으며, 이를 극복하기 위해 배선 공정에 필수적으로 저유전 물질이 도입되고 있다.

폴리이미드 수지는 내열성이 특히 뛰어난 수지로, 고가임에도 불구하고 반도체 소자의 층간 물질(ILD) 또는 금속 배선의 층간 물질(IMD)로 사용되며, 반도체 소자 및 금속 배선 사이의 신호방해 현상(cross-talk)을 감소시킬 수 있는 반도체용 절연막의 중요한 재료가 되고 있다. 폴리이미드는 용융점이 700 ℃로 매우 높아서 폴리이미드로 만든 부품은 극저온에서 260 ℃까지의 광범위한 온도에서 장시간 사용할 수 있는 특징이 있다. 또한 기계적 강도, 전기적 특성, 내화학 약품성, 내방사선성 등이 우수하여 성형 재료, 복합 재료, 필름 등 여러 가지 형태로 이용되고 있다.

폴리이미드는 1) 합성이 용이하고 다종의 단량체를 입수하기 쉬워서 간단한 실험 설비만 있으면 용이하게 신규 재료로 개발될 수 있고, 2) 반도체 재료로서 박막형으로 제조하기가 용이하며, 3) 이미드화 공정에서 발생하는 물은 박막에서는 신속하게 밖으로 방출되므로 공극(void)을 만들지 않으며, 4) 경화를 위한 가교기가 불필요하다는 장점으로 인해 이미 많이 사용되고 있으나 3.2 내지 3.6에 이르는 폴리이미드의 높은 유전상수는 여전히 문제가 되고 있다.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 폴리이미드를 저유전율화하는 방법으로는 1) 불소 원자와 같은 분극이 작은 원자를 도입하는 방법, 2) 부피가 큰 구조를 도입하는 방법, 3) 폴리이미드의 다공체를 만드는 방법 등이 있다.

불소 원자와 같은 분극이 작은 원자를 도입하는 방법으로는 국내 특허출원 제10-2001-3813호에 제시된 피로멜리틱디안하이드라이드의 파라 위치에 불소 함유 페닐치환체인 3,6-디(3',5'-비스(트리플루오로메틸)벤젠)을 함유한 3,6-디(3',5'-비스(트리플루오로메틸)벤젠) 피로멜리틱디안하이드라이드를 단량체로 사용하여 합성된 폴리이미드를 제조하는 방법이 있다. 상기 폴리이미드는 다치환 불소 함유 페닐치환체로 인하여 우수한 전기적, 광적 특성뿐만 아니라 폴리이미드의 합성시 공정상 단점을 극복하기 위해 필수 요소로 지적되어 온 용해도를 크게 개선할 수 있다. 그러나 이러한 다치환 불소 함유 페닐 치환체를 가지는 단량체는 고분자 중합반응에서 고분자량을 얻기가 어려운 문제점이 있다. 또한, 고분자량을 얻기 위해서는 촉매(이소퀴놀린 등)와 특수 용매(p-클로로페놀) 등을 사용해야만 한다.

또한 폴리이미드 다공체를 만드는 방법으로 대한민국 특허출원 제10-2003-0039030 호와 제 10-2002-0026647 호에는 나노 기공을 가지는 물질을 이용하여 유전율 2.5 이하의 저유전 다공성 반도체 층간 절연막을 제조하는 방법이 기재되어 있다. 그러나, 상기 방법으로 제조되는 절연막은 기공 함량에 따라서 기계적 강도가 현격히 감소한다는 단점을 가지고 있다.

본 발명의 목적은 절연막의 절연특성을 향상시키고 반도체 소자 및 금속 배선간의 상호 신호 방해(cross talk) 현상을 획기적으로 저하시키기 위해 폴리이미드 자체의 양호한 물리적 특성을 유지하면서도 유전상수 및 흡습률을 저하시킬 수 있는 방사선 조사에 의한 폴리이미드의 개질 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 방사선 조사에 의해 폴리이미드를 개질하여 제조되는 저유전성 폴리이미드 전구체 및 절연막을 제공하는 것이다.

또한 본 발명의 목적은 반도체 및 전자재료용으로 사용가능한 유전상수 및 흡습률이 낮은 폴리이미드 절연막을 제공하는 것이다.

하나의 양태로서, 본 발명은

1) 디아민을 용매에 용해한 후 디안하이드라이드를 반응시켜 폴리이미드 전구체를 제조하고,

2) 상기 폴리이미드 전구체를 열경화시켜 이미드화한 다음,

3) 열경화에 의해 생성된 폴리이미드 절연막에 방사선을 조사하여서 되는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 공중합체의 개질 방법을 제공한다.

다른 양태로서, 본 발명은

1) 폴리실록산계 화합물을 용매에 용해한 후 디안하이드라이드를 반응시키고,

2) 용매에 용해된 디아민 용액에 상기 1)에서 얻어진 반응액을 적가하여 폴리이미드 전구체를 제조하고,

3) 상기 폴리이미드 전구체를 열경화시켜 이미드화한 다음,

4) 열경화에 의해 생성된 폴리이미드 절연막에 방사선을 조사하여서 되는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 공중합체의 개질 방법을 제공한다.

본 발명에 있어서, 저유전성 폴리이미드 절연막을 제조하기 위한 개시물질인 디안하이드라이드, 디아민 및 폴리실록산계 화합물로는 공지된 다양한 종류의 화합물이 광범위하게 사용될 수 있다.

상기 디아민으로는, 예를 들면 ρ-페닐렌디아민(PPD), m-페닐렌디아민 (MPD), 4,4-옥시디아닐린 (ODA), 4, 4'-메틸렌디아닐린 (MDA), 4,4'-디아미노디페닐술폰 (DDS) 등이 있으며, 불소화 디아민으로는 트리플루오로메틸벤지딘 (TFMB), 트리플루오로메톡시벤지딘 (TFMOB), 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판 (4-BDAF), 2,5-비스(4-아미노페닐)-l,3,4-옥사디아졸 (BAO), 4,4'-(9-플루오레닐리덴)디아닐린 (BAPF), 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐 (TFDB), 1,4-테트라플루오로페닐렌 디아민 (TFPDA), 4,4'-옥타플루오로벤지딘 (OFB) 등이 있다.

본 발명에 있어서, 디아민은 바람직하기로는 N-메틸피롤리돈, 디메틸포름아마이드, 디메틸아세트아마이드, 테트라메틸우레아, 디메틸설폭싸이드 등에 용해되며, 더욱 바람직하기로는 N-메틸피롤리돈에 용해하여 사용된다.

상기 디안하이드라이드로는, 예를 들면 피로멜리틱디안하이드라이드 (PMDA), 비페닐테트라카르복실릭디안하이드라이드 (BPDA), 4,4'-벤조페논테트라카르복실릭 디안하이드라이드 (BTDA)가 있고, 불소화 디안하이드라이드로는 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 디안하이드라이드 (6FDA), 4,4' -(2,2,2-트리플루오로-1-페닐에틸리덴)디프탈릭 안하이드라이드 (3FDA), 3,3', 4,4'-디페닐술폰테트라카르복실릭디안하이드라이드 (DSDA), 12,14-디페닐 -12,14-비스(트리플루오로메틸)-12H,14H-5,7-디옥사펜타센-2,3,9,10-테트라카르복실릭디안하이드라이드 (PXPXDA), 1,4-비스(트리플루오로메틸)-2,3,5,6-벤젠테트라카르복실릭디안하이드라이드 (P6FDA), 1-(트리플루오로메틸)-2,3,4,6- 벤젠테트라카르복실릭디안하이드라이드 (P3FDA) 등이 있다.

또한 본 발명에 있어서는, 실록산기를 포함하는 폴리실록산계 화합물을 디아민과 함께 추가로 사용할 수 있다. 본 발명에서 사용가능한 폴리실록산계 화합물로는 메틸히드로겐폴리실록산, 디메틸폴리실록산, 메틸페닐폴리실록산 등이 있으며, 바람직하기로는 디메틸폴리실록산이다.

일부분의 디아민을 폴리실록산계 화합물로 대체하여 사용하는 경우에는 폴리실록산계 화합물의 용매로서 바람직하게는 테트라하이드로퓨란, 클로로포름, 에테르 등이 사용될 수 있으며, 더욱 바람직하기로는 테트라하이드로퓨란이 사용된다.

본 발명에 있어서, 폴리이미드의 공중합을 위한 바람직한 디안하이드라이드와 디아민의 조성은 피로멜리틱디안하이드라이드와 4,4'-옥시디아닐린, 2,2'-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판디안하이드라이드와 4,4'-옥시디아닐린 및 비페닐테트라카르복실릭디안하이드라이드와 파라페닐렌디아민으로 이루어진 군에서 선택된다.

본 발명에 따르면, 폴리이미드의 전구물질인 폴리아믹산은 적절한 용매에 용해된 디아민과 디안하이드라이드를 반응시켜서 제조되거나, 또는 적절한 용매에 용해된 폴리실록산계 화합물과 디안하이드라이드의 반응 용액에 적절한 용매에 용해된 디아민을 반응이 잘 이루어지도록 서서히 적가하여 제조된다. 여기에서 상기 디아민과 디안하이드라이드는 바람직하기로는 1 : 1의 몰비로 사용될 수 있다. 또 한, 폴리실록산계 화합물이 추가로 사용되는 경우, 폴리실록산계 화합물은 몰비로 디아민의 10% 이하에서 사용될 수 있으며 폴리실록산계 화합물과 디아민의 총량은 디안하이드라이드에 대하여 몰비로 1 : 1을 유지하도록 첨가된다.

상기한 방법으로 합성된 폴리이미드 전구체는 전극이 형성된 글래스 상에 스핀 코팅, 딥 코팅, 분무 코팅, 흐름 코팅 또는 스크린 프린팅 등에 의햐여 도포한다. 코팅된 폴리이미드 전구체는 진공 상태에서 열경화되는데, 바람직하게는 진공 상태에서 100 ℃, 200 ℃, 300 ℃, 350 ℃의 온도로 열경화하는 방법으로 단계적으로 이미드화시켜 절연막을 제조한다.

본 발명에서 합성된 전구체를 코팅 후 열경화하여 얻어진 절연막은 바람직하게는 0.8 내지 1 ㎛의 두께를 가진다.

본 발명에서는 상기에서 얻어진 폴리이미드 절연막에 다양한 강도의 방사선을 노출시킨다. 본 발명에 있어서, 방사선의 강도는 1 내지 400 KGy의 범위이다.

상기한 바와 같이 방사선에 노출시키면 폴리이미드 내 방향족의 이중결합이 파괴되면서 분자간 가교결합이 생성된다. 폴리이미드의 경우, 분자간 배열이 조밀하게 이루어져 있으므로 방향족 내 이중결합이 다른 사슬의 방향족 이중결합과 가교를 이루기 쉬운 구조로 되어 있다. 이런 메카니즘에 의해 붕괴된 방향족 내 이중결합은 파이 전자의 분극 현상을 저하시켜 폴리이미드의 유전상수를 저하시킬 수 있다. 또한, 폴리실록산 결합을 골격에 갖고 있는 종래의 폴리이미드 수지는 폴리실록산 결합을 갖고 있지 않은 것과 비교하여 내열성이나 기계적 특성이 낮아지는 것을 개선하기 위하여 방사선 조사한 후에는 생성된 분자간 가교에 의해 기계적 강 도의 상승효과도 동시에 얻을 수 있다.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제공한다. 그러나, 이하의 실시예는 본 발명을 보다 쉽게 이해하기 위하여 제공되는 것일 뿐, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 의하여 제한되는 것은 아니다.

제조예 1

질소 분위기 하에서 4,4'-옥시디아닐린 10 mmol (2.002 g)을 N-메틸피롤리돈 23.704 g에 녹인 다음 피로멜리틱디안하이드라이드 분말 10 mmol (2.181 g)을 서서히 적가하였다. 상온에서 4시간 이상 잘 교반하여 폴리아믹산을 제조하였다. 이 때, 폴리아믹산의 고체 농도가 약 10 중량%가 되도록 유지하였다.

합성 성분들 각각의 조성을 표 1에 나타내었다.

상기에서 합성된 폴리이미드 전구체인 폴리아믹산을 전극이 형성된 글래스에 스핀 코팅한 후 100 ℃, 200 ℃, 300 ℃, 350 ℃에서 각각 한 시간 동안 진공 상태에서 열경화하여 이미드화시켰다. 다음으로 탈이온수로 흐르듯이 씻어내고 잔여 용매와 먼지를 제거하기 위해서 120 ℃의 온도 하에 진공 상태에서 건조하여 절연막을 제조하였다.

제조예 2 내지 5

질소 분위기 하에서 분자량이 1,600 내지 2,500 g/m인 디메틸폴리실록산 0.5 내지 1.0 mmol을 둥근 플라스크에 넣고 테트라하이드로퓨란으로 충분히 녹인 용액에 피로멜리틱디안하이드라이드 분말 10 mmol을 서서히 적가하였다. 이때, 분말이 상기 용액에 잘 녹을 수 있도록 질소 분위기 하에서 약 2시간 가량 반응시켰다.

4,4'-옥시디아닐린 9.0 내지 9.5 mmol을 N-메틸피롤리돈에 녹인 용액에 상기 반응시킨 혼합물을 조금씩 떨어뜨린 다음 노란색을 띤 균질한 폴리아믹산을 산출하기 위해 상온에서 6시간 교반하였다. 이 때, 폴리아믹산의 고체 농도가 약 10 중량%가 되도록 유지하였다. 또한 상기 실험에서 사용된 테트라하이드로퓨란과 N-메틸피롤리돈의 부피비는 1:3을 유지하는 것이 바람직하다.

제조예에 따른 합성 성분들 각각의 조성을 표 1에 나타내었다.

하기 표 1에 기재한 바와 같이 각각의 성분들을 취하여 폴리이미드 전구체를 제조하고, 각각을 제조예 2 내지 5로 하였다.

	PMDA	ODA	PDMS		NMP	THF
제조예 1	10mmol (2.181 g)	10mmol (2.002 g)	-		23.704 g	-
제조예 2	10mmol (2.181 g)	9.5mmol (1.902 g)	Mn = 2,500 g/mol	0.5 mmol (1.25 g)	22.665 g	7.555 g
제조예 3	10mmol (2.181 g)	9mmol (1.802 g)	Mn = 2,500 g/mol	1 mmol (2.50 g)	27.553 g	9.184 g
제조예 4	10mmol (2.181 g)	9.5mmol (1.902 g)	Mn = 1,600 g/mol	0.5 mmol (0.80 g)	20.753 g	6.917 g
제조예 5	10mmol (2.181 g)	9.0mmol (1.802 g)	Mn = 1,600 g/mol	1.0mmol (1.60 g)	23.728 g	7.909 g

표 1에 기재된 조성에 따라 합성된 폴리이미드 전구체는 실시예 1과 같은 방법으로 스핀 코팅한 후 100 ℃, 200 ℃, 300 ℃, 350 ℃에서 각각 한 시간 동안 진공 상태에서 열경화에 의해 이미드화하여 각각의 절연막을 제조하였다.

실시예 1 내지 12

제조예 1 내지 5에서 제조한 절연막에 50, 100, 200, 400 KGy의 강도로 방사선을 조사한 후, 유전상수 및 흡습률을 측정하여 그 결과를 표 2에 나타내었다.

상기 유전 상수는 절연막을 지름이 30 mm인 원 모양으로 절단하여 3 Hz에서 20 MHz까지의 주파수 영역에서 Dielecgtric Analyzer(모델명: Novocontrol GmbH: CONCEPT 40)를 이용하여 측정하였다. 또한 절연막을 상기와 같이 절단하여 초순수에 48 시간 이상 보관 후 흡습률을 측정하였으며, 흡습률은 다음 수학식 1에 의해 계산되었다.

흡습률 (%) = (보관 후 무게-보관 전 무게)/(보관 전 무게) X 100

	시료명	방사선 세기 (KGy)	유전 상수	흡습률 (%)
실시예 1	제조예 1	100	3.0	1.6
실시예 2	제조예 1	400	2.9	1.7
실시예 3	제조예 2	50	2.5	1.3
실시예 4	제조예 2	100	2.3	1.4
실시예 5	제조예 2	200	2.2	1.1
실시예 6	제조예 2	400	1.9	0.8
실시예 7	제조예 3	50	2.3	1.3
실시예 8	제조예 3	100	2.0	1.3
실시예 9	제조예 3	200	1.8	0.9
실시예 10	제조예 3	400	1.7	0.7
실시예 11	제조예 5	100	2.2	1.2
실시예 12	제조예 5	400	2.0	1.0

비교예 1 내지 5

제조예 1 내지 5에서 제조된 폴리이미드 절연막을 방사선 조사에 의한 개질 없이 실시예 5 내지 12에서와 같은 방법으로 유전상수 및 흡습률을 측정하였다.

그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.

	시료명	방사선 세기 (KGy)	유전 상수	흡습률 (%)
비교예 1	제조예 1	0	3.5	2.1
비교예 2	제조예 2	0	3.2	1.5
비교예 3	제조예 3	0	3.0	1.4
비교예 4	제조예 4	0	3.3	1.6
비교예 5	제조예 5	0	3.2	1.6

본 발명의 단순한 변형 또는 변경이 모두 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함된다.

본 발명의 방사선 조사에 의한 폴리이미드 절연막의 개질방법에 따르면, 폴리이미드 자체의 양호한 물리적 특성은 유지하면서도 유전상수 및 흡습률을 저하시킬 수 있어서 폴리이미드 절연막의 절연특성이 향상되어 본 발명에 따른 개질된 폴리이미드 절연막을 적용하여 반도체 소자 및 금속배선가의 상호 신호 방해(cross talk) 현상을 획기적으로 저하시킬 수 있다.

Claims

2) 상기 폴리이미드 전구체를 단계적으로 100℃, 200℃, 300℃, 350℃의 온도로 열경화시켜 이미드화한 다음,

3) 열경화에 의해 생성된 폴리이미드 절연막에 1 내지 400KGy 세기의 방사선을 조사하여서 되는 것을 특징으로 하는 반도체 및 전자재료용 폴리이미드 절연막을 제조하기 위한 폴리이미드 공중합체의 개질방법.

3) 상기 폴리이미드 전구체를 열경화시켜 이미드화한 다음,

4) 열경화에 의해 생성된 폴리이미드 절연막에 방사선을 조사하여서 되는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 공중합체의 개질 방법.

제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 디안하이드라이드가 피로멜리틱디안하이드라이드 (PMDA), 비페닐테트라카르복실릭디안하이드라이드 (BPDA), 4,4'-벤조페논 테트라카르복실릭 디안하이드라이드 (BTDA), 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로프로판 디안하이드라이드 (6FDA), 4,4' -(2,2,2-트리플루오로 -1-페닐에틸리덴)디프탈릭 안하이드라이드 (3FDA), 3,3', 4,4'-디페닐술폰테트라카르복실릭디안하이드라이드 (DSDA), 12,14-디페닐 -12,14-비스(트리플루오로메틸)-12H,14H-5,7-디옥사펜타센-2,3,9,10-테트라카르복실릭디안하이드라이드 (PXPXDA), 1,4-비스(트리플루오로메틸)-2,3,5,6-벤젠테트라카르복실릭디안하이드라이드 (P6FDA) 및 1-(트리플루오로메틸)-2,3,4,6- 벤젠테트라카르복실릭디안하이드라이드 (P3FDA)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.

제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 디아민이 ρ-페닐렌디아민(PPD), m-페닐렌디아민 (MPD), 4,4-옥시디아닐린 (ODA), 4, 4'-메틸렌디아닐린 (MDA), 4,4'-디아미노디페닐술폰 (DDS), 트리플루오로메틸벤지딘 (TFMB), 트리플루오로메톡시벤지딘 (TFMOB), 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판 (4-BDAF), 2,5-비스(4-아미노페닐)-l,3,4-옥사디아졸 (BAO), 4,4'-(9-플루오레닐리덴)디아닐린 (BAPF), 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐 (TFDB), 1,4-테트라플루오로페닐렌 디아민 (TFPDA) 및 4,4'-옥타플루오로벤지딘 (OFB)으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.

제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 디아민의 용매가 N-메틸피롤리돈, 디메틸포름아마이드, 디메틸아세트아마이드, 테트라메틸우레아 및 디메틸설폭싸이드 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.

제 2항에 있어서, 상기 폴리실록산계 화합물이 메틸히드로겐폴리실록산, 디메틸폴리실록산 및 메틸페닐폴리실록산 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.

제 2항에 있어서, 상기 폴리실록산계 화합물의 용매가 테트라하이드로퓨란, 클로로포름 및 에테르 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.

제 1항 또는 제 2항에 따른 방법으로 제조된 반도체 및 전자재료용 폴리이미드 절연막.