KR100722555B1 - 개구부와 나노 스케일의 팁을 구비하는 다기능 주사 탐침의제조 방법 - Google Patents

개구부와 나노 스케일의 팁을 구비하는 다기능 주사 탐침의제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 탐침('프로브'라고도 한다)의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 주사형 탐침 현미경(SPM; Scanning Probe Microscope)에 사용되는 주사 탐침의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 베이스와, 베이스로부터 연장되는 캔틸레버와, 상기 캔틸레버로부터 돌출되고 끝단이 뾰족한 중공형의 금속 미세팁을 구비하는 본체를 포함하며, 상기 미세팁의 뾰족한 끝단에는 빔이 통과할 수 있으며 그 크기가 통과하는 빔의 파장보다 작은 개구부가 형성되며, 상기 캔틸레버에는 상기 미세팁의 개구부와 연결되며 빔이 통과할 수 있고 상기 미세팁의 개구부보다 큰 통로구멍이 형성된 캔틸레버형 주사 탐침이 제공된다.
주사 탐침, 캔틸레버, 통로구멍, 산화막, 지지체, 연장부, 개구부

Description

개구부와 나노 스케일의 팁을 구비하는 다기능 주사 탐침의 제조 방법 {METHOD FOR MANUFACTURING MULTIFUNCTIONAL SCANNING PROBE WITH APERTURE AND TIP OF NANO SCALE}
도1은 본 발명의 일실시예에 따른 제조방법에 의해 제조되는 캔틸레버형 주사 탐침의 사시도
도2는 도1에 도시한 주사 탐침의 A-A'선에 대한 단면도
도3 내지 도17은 본 발명의 일실시예에 따른 주사 탐침의 제조방법을 도시한 공정도
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : 캔틸레버형 주사 탐침 20 : 본체
22 : 접합부 24 : 캔틸레버
25 : 통로구멍 26 : 실리콘 층
28 : 산화막 30 : 지지체
32 : 결합부 34 : 연장부
35 : 개구부
본 발명은 탐침('프로브'라고도 한다)의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 주사형 탐침 현미경(SPM; Scanning Probe Microscope)에 사용되는 주사 탐침의 제조방법에 관한 것이다.
주사형 탐침 현미경 중 근접장 주사 광학 현미경(NSOM; Near-field Scanning Optical Microscope)은 빔의 파장보다 작은 개구를 갖는 탐침을 구비함으로써 근접장(near-field) 현상을 이용하여 빔의 파장보다 더 짧은 광분해능을 가지게 된다. 이러한 근접장 주사 광학 현미경은 뛰어난 광학정보를 제공하나 이에 비해 형상(topology)정보의 정밀도가 낮다는 단점을 가지고 있다. 이를 개선하기 위하여 AFM(Atomic Force Microscope) 팁에 레이저를 조사하는 방법으로 팁 끝에서 근접장을 형성시키는 방식이 제안된 바 있으나 조사되는 레이저 빔에 의한 배경신호에 의해 사용에 제한이 있다.
본 발명의 목적은 반도체 공정을 통하여 캔틸레버형 NSOM 주사 탐침을 대량으로 생산하는 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 AFM/NSOM 장비에 캔틸레버형 팁을 적용하여 고정밀도의 광학정보 및 형상정보와 함께 전기적 특성을 함께 얻을 수 있도록 해주는 탐침 및 그 탐침을 제조하는 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 또 다른 목적은 고정밀의 패터닝을 가능하게 하는 탐침을 제공하는 것이다.
본 발명의 일측면에 따르면,
베이스와, 베이스로부터 연장되는 캔틸레버와, 상기 캔틸레버로부터 돌출되고 끝단이 뾰족한 중공형의 금속 미세팁을 구비하는 본체를 포함하며,
상기 미세팁의 뾰족한 끝단에는 빔이 통과할 수 있으며 그 크기가 통과하는 빔의 파장보다 작은 개구부가 형성되며,
상기 캔틸레버에는 상기 미세팁의 개구부와 연결되며 빔이 통과할 수 있고 상기 미세팁의 개구부보다 큰 통로구멍이 형성된 캔틸레버형 주사 탐침이 제공된다.
상기 캔틸레버형 주사 탐침에 있어서, 상기 미세팁은 상기 캔틸레버에 결합되는 결합부와, 상기 결합부로부터 끝으로 갈수록 좁아지도록 연장되며 끝단에 상기 개구부가 형성되는 연장부를 구비할 수 있다.
상기 캔틸레버형 주사 탐침에 있어서, 상기 미세팁의 결합부는 상기 캔틸레버의 통로구멍 내측벽면과 접하는 삽입부를 더 구비할 수 있다.
상기 캔틸레버형 주사 탐침에 있어서, 상기 미세팁은 상기 삽입부로부터 대체로 90도 꺾여 연장되며 상기 캔틸레버의 한쪽 면 통로구멍 주변에 접하는 확장부를 더 구비할 수 있다.
상기 캔틸레버형 주사 탐침에 있어서, 상기 미세팁은 크롬 또는 알루미늄 재질일 수 있다.
상기 캔틸레버형 주사 탐침은 상기 본체가 결합되어 지지되는 지지체를 더 포함하며, 상기 본체는 상기 지지체가 결합되는 접합부를 더 구비하며, 상기 캔틸 레버는 상기 본체의 접합부로부터 연장되어 형성될 수 있다.
상기 캔틸레버형 주사 탐침에 있어서, 상기 본체는 실리콘 층과, 산화막을 구비하며, 상기 지지체는 상기 본체의 산화막에 접하여 결합될 수 있다.
상기 캔틸레버형 주사 탐침에 있어서, 상기 지지체는 실리콘 재질인 캔틸레버형 주사 탐침일 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면,
캔틸레버형 주사 탐침을 제조하는 방법으로서,
차례로 적층된 제1 실리콘 층, 제1 산화막, 제2 실리콘 층을 구비하는 SOI 웨이퍼를 준비하는 단계와,
상기 SOI 웨이퍼의 제1 실리콘 층이 기초부와, 상기 기초부로부터 연장되며 가지부가 마련된 연장부를 갖는 돌출영역을 형성하도록 에칭하는 제1 에칭 단계와,
상기 제1 실리콘 층의 기초부와 연장부를 갖는 영역을 덮는 제2 산화막을 형성하는 단계와,
상기 제2 산화막과 제1 실리콘 층의 가지부와 상기 제1 산화막을 통과하며, 뾰족한 끝단이 상기 제2 실리콘 층에 마련되도록 연장되는 구멍을 형성하도록 에칭하는 제2 에칭 단계와,
상기 구멍의 내벽면에 금속을 증착하여 끝단이 뾰족한 금속 증착막을 형성하는 단계와,
상기 제1 실리콘 층의 가지부에 대응하는 영역이 노출되도록 상기 제2 산화막에 접착 웨이퍼를 접착시키는 단계와,
상기 금속 증착막의 뾰족한 끝단이 노출되도록 상기 제2 실리콘 층과 제1 산화막층을 에칭하는 제3 에칭 단계와,
상기 금속 증착막의 뾰족한 끝단에 나노 스케일의 개구부를 형성하는 단계를 포함하는 캔틸레버형 주사 탐침의 제조방법이 제공된다.
상기 제조방법에 있어서, 상기 제1 에칭 단계는 상기 돌출영역에 연장부가 다수 형성되도록 이루어질 수 있다.
상기 제조방법에 있어서, 상기 제1 에칭 단계는 상기 돌출영역이 다수 형성되도록 이루어질 수 있다.
상기 제조방법에 있어서, 상기 접착 웨이퍼는 서로 분리된 다수의 분리부를 구비하며, 상기 다수의 분리부 각각은 상기 연장부에 대응하는 영역들 각각에 접착될 수 있다.
상기 제조방법은 상기 접착 웨이퍼의 각 분리부에 분리홈을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제조방법은 상기 분리홈을 형성하는 단계 전에 상기 접착 웨이퍼의 다수의 분리부들을 연결하는 테이프를 접착하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제조방법은 상기 제2 실리콘 층의 남아있는 부분들을 연결하는 테이프를 접착하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도1은 주사형 탐침 현미경(SPM; Scanning Probe Microscope)에 구비되며 본 발명의 일실시예에 따른 제조방법에 의해 제조되는 캔틸레버형 주사 탐침의 사시도 이고 도2는 도1에 도시한 주사 탐침의 A-A'선에 대한 단면도이다. 도1과 도2를 참조하면, 캔틸레버형 주사 탐침(10)은 얇은 판상의 본체(20)와, 본체(20)가 접합되어 지지되는 지지체(90)를 구비한다. 본체(20)는 넓은 사각판 형상이며 지지체(90)가 접합되는 접합부(베이스)(22)와, 접합부(22)로부터 좁고 길게 연장된 캔틸레버(24)를 구비한다. 본체(20)는 실리콘(silicon) 층(26)과, 실리콘 층(26)을 덮으며 지지체(90)와 직접 접하는 산화막(SiO2)(28)으로 이루어진다. 본체(20)는 SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼로부터 얻어진다. 캔틸레버(24)의 연장방향 끝부분에는 사각형상의 통로구멍(25)이 마련된다. 통로구멍(25)에는 미세팁(30)이 설치된다. 미세팁(30)은 캔틸레버(24)에 접하여 고정되는 결합부(32)와, 결합부(32)로부터 본체(20)의 캔틸레버(24)와 수직인 방향으로 돌출되어 연장된 연장부(34)를 구비한다. 결합부(32)는 캔틸레버(24)의 통로구멍(25) 내벽면(241)과 접하며 결합된 삽입부(321)와, 삽입부(321)와 연결되며 바깥쪽으로 확장되어 통로구멍(25) 주위의 산화막(28)과 접하는 확장 플랜지부(322)를 구비한다. 연장부(34)는 결합부(32)의 삽입부(321)와 연결되며, 캔틸레버(24)의 실리콘 층(26)으로부터 돌출되도록 연장되며 연장방향을 따라 끝단으로 갈수록 좁아지도록 사각뿔 형태를 형성한다. 연장부(34)의 끝단에는 나노스케일의 개구부(35)가 형성된다. 개구부(35)를 통해 빔을 통과시켜 근접장 현상을 이용하여 뛰어난 광학정보를 제공하게 된다. 또한, 캔틸레버(24)의 자유단 쪽에는 AFM 측정용 레이저를 동시에 조사함으로써 고정밀의 형상정보를 얻을 수 있다. 미세팁(30)은 크롬 또는 알루미늄 소재인 것이 바 람직하다. 지지체(90)는 실리콘 또는 글라스(glass) 소재로서, 본체(20)보다는 두꺼운 판상이다. 이하, 도1 및 도2에 도시된 캔틸레버형 주사 탐침을 제조하는 방법을 도3 내지 도15를 참조하여 단계별로 상세히 설명한다.
먼저, SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼를 준비하고 도3에 도시된 바와 같이 SOI 웨이퍼에 소정의 패턴으로 감광막을 형성한다. 도3의 (a)와 (b)를 참조하면, SOI 웨이퍼(40)는 위로부터 차례대로 제1 실리콘 층(42), 중간 산화막(SiO2)(44), 제2 실리콘 층(46)을 구비한다. 이 SOI 웨이퍼(40)의 제1 실리콘 층(42) 위에 소정의 패턴으로 감광막(포토레지스트)(50)을 형성한다. 감광막(50)은 대체로 동일한 형상이 서로 분리된 동일한 형상을 갖는 두 개의 단위막(52)을 구비한다. 단위막(52)은 일정한 폭을 가지고 직선으로 길게 연장된 기초부(54)와, 기초부(54)의 일측으로부터 기초부(54)의 연장방향과 대체로 수직인 방향으로 연장되며 서로 분리된 다수의 연장부(55)를 구비한다. 연장부(55)는 사각형 형상의 몸통부(551)와, 몸통부(551)로부터 좁고 길게 연장된 가지부(56)를 구비한다. 두 단위막(52)은 가지부(56)의 연장방향을 따라 배열된다. 이와 같이 감광막(50)을 형성함으로써, SOI 웨이퍼(40)의 제1 실리콘 층(42)은 노출 부분(421)과 비노출 부분(422)으로 나누어진다. 본 실시예에서는 감광막(50)이 2개의 단위막을 갖는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니다. 3개 이상의 단위막을 가질 수도 있으며, 그 형상도 적절히 변형될 수도 있다.
다음, 에칭공정을 통하여 SOI 웨이퍼(40)의 제1 실리콘 층(42)의 노출 부분 (421)을 제거한다. 이러한 에칭공정을 통해 제1 실리콘 층(42)의 비노출 영역(422)이 남아있게 되고 그 형태는 도3의 (a)에 도시된 감광막(50)의 형태와 동일하며, 단면 형상은 도4에 도시된 바와 같다. 이후, 도시되지는 않았으나, 감광막(50)을 제거한다. 감광막(50)을 제거한 후의 SOI 웨이퍼의 형상이 도5에 도시되어 있다. 도5를 참조하면, SOI 웨이퍼(40)의 제1 실리콘 층(42)은 분리된 두 영역(423)을 구비하며, 그 형상은 도3에 도시한 감광막(50)의 형상과 동일하다. 각 영역(423)은 기초부(4231)와, 몸통부(4233)과 가지부(4232)를 갖는 다수의 연장부(4234)를 구비한다.
다음, 도6에 도시되어 있는 바와 같이, 남아 있는 제1 실리콘 층(42) 위에 산화막(SiO2)(43)을 형성한다. 따라서 SOI 웨이퍼(40)의 윗면 전체는 산화막(SiO2)(43, 44)으로 덮여있게 된다. 이하, 제1 실리콘 층(42) 아래에 형성된 산화막(44)은 제1 산화막(44)이라 하고, 제1 실리콘 층(42) 위에 형성된 산화막(43)을 제2 산화막(43)이라 한다.
다음, 도7의 (a)와 (b)에 도시된 바와 같이 다수의 일부 노출부분(61)을 제외한 웨이퍼(40)의 윗면에 감광막(60)을 형성한다. 감광막(60)이 형성되지 않은 다수의 노출부분(61)은 작은 사각형 모양으로서 각각 제1 실리콘층(42)의 가지부(4232) 끝부분에 위치한다. 이는 웨이퍼(40)의 윗면 전체에 감광막(60)을 형성한 후 노출부분(61)에 형성된 감광막을 제거함으로써 이루어진다. 노출부분(61)을 통해 가지부(4232)를 덮고 있는 제2 산화막(43)의 일부가 노출된다. 다음, 에칭공정 을 통하여 노출부분(61)의 제1, 제2 산화막(44, 43)과 제1 실리콘층(42)의 일부를 제거하면, 도8에 도시된 바와 같은 상태가 된다. 이때, RIE(Reactive Ion Etching)을 사용하는 것이 바람직하다. 다음, 남아있는 감광막(61)을 모두 제거하면, 도9 도시된 바와 같은 상태가 된다. 도9를 참조하면, 가지부(4232)의 끝부분에는 제1, 제2 산화막(44, 43)과 제1 실리콘 층(42)을 통과하는 통로구멍(45)이 마련된다. 통로구멍(45)의 바닥은 제2 실리콘 층(46)으로 이루어진다. 이 상태에서 통로구멍(45)의 바닥을 형성하는 제2 실리콘 층(46)에 대한 에칭공정을 수행하여, 도10에 도시된 바와 같은 형상을 얻는다. 도10을 참조하면, 통로구멍(45)의 바닥은 아래로 갈수록 즉, 제1 산화막(44)으로부터 멀어질수록 좁아지도록 경사지게 제2 실리콘 층(46)이 에칭된다. 이때, 본 실시예에서는 습식 에칭(wet etching)이 사용되는 것으로 하나, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니다.
다음, 도11에 도시된 바와 같이 통로구멍(45)에 금속을 증착시킨다. 도11을 참조하면, 금속은 통로구멍(45)의 내부 벽면 전체에 얇게 증착되며 추가로 제2 산화막(43)의 통로구멍(45) 주변에 증착된다. 이와 같은 증착공정을 통해 금속 증착막(70)이 형성되며, 이후 아래에서 설명하는 추가 공정을 통해 증착막(70)은 도1에 도시한 미세팁(30)이 된다. 이때, 본실시예에서는 증착되는 금속으로서 알루미늄 또는 크롬을 사용하나 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니다. 다음, 도11에 도시한 바와 같이 가공된 SOI 웨이퍼(40)에 접착하기 위한 접착 웨이퍼를 도12와 같이 준비한다.
도12를 참조하면, 도11에 도시된 바와 같이 가공된 SOI 웨이퍼(40)와 제1, 제2 접착 웨이퍼(80)가 준비된다. SOI 웨이퍼(40)는 위로부터 제2 산화막(43)으로 덮인 제1 실리콘 층(도11의 42)을 포함하며 위로 약간 돌출된 두 돌출부(72)와, 제1 산화막(44)과, 제2 실리콘 층(46)을 구비한다. 돌출부(72)는 기초부(721)와, 기초부(721)로부터 연장되며 몸통부(723)와 가지부(722)를 갖는 연장부(724)를 구비하는데, 그 형상은 도3에 도시한 감광막(50)의 단위막(52)과 동일하다. 접착 웨이퍼(80)는 일정한 폭을 가지고 직선으로 길게 연장된 기초부(81)와, 기초부(81)의 일측으로부터 기초부(81)의 연장방향과 대체로 수직인 방향으로 연장되며 서로 분리된 다수의 분리부(84)를 구비한다. 분리부(84)의 형상은 SOI 웨이퍼(40)의 돌출부(72)의 연장부(724)의 몸통부(723)와 대체로 동일하다. 인접한 두 분리부(84) 사이에는 슬릿(83)이 형성된다. 인접한 두 분리부(84) 사이의 거리는 SOI 웨이퍼(40)의 돌출부(72)의 연장부(724)의 인접한 두 몸통부(723) 사이의 거리와 대체로 동일하다. 본 실시예에서는 접착 웨이퍼(80)로서 Pyrex 웨이퍼를 사용하는 것으로 하나, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니다. 다음, 두 접착 웨이퍼(80)를 SOI 웨이퍼(40)에 도13의 형태로 접착하여 결합체(100)를 형성한다. 본 실시예에서는 접착 웨이퍼(80)와 SOI 웨이퍼(40)를 양극접합(anodic bonding)을 이용하여 접착하는 것으로 하나, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니다.
도13을 참조하면, 두 접착 웨이퍼(80)는 각 분리부(84)가 SOI 웨이퍼(40)의 돌출부(72)의 연장부(724)의 각 몸통부(723)에 1:1로 대응하여 위치하도록 접착된다. 접착 웨이퍼(80)의 슬릿(83)에 의해 SOI 웨이퍼(40)의 제1 산화막(44)이 노출된다. 다음, TMAH(테트라메틸암모늄하이드록사이드) 용액을 이용하여 SOI 웨이퍼 (40)의 제2 실리콘 층(46)을 에칭하여 제2 실리콘 층(46)의 일부분을 남겨두고 모두 제거한다. 이때 제거되는 영역은 돌출부(72)의 연장부(724)에 대응하는 부분을 포함한다. 에칭 후의 형상이 도14에 도시되어 있다. 도14를 참조하면, 제2 실리콘 층(46)에 의해 덮여있던 제1 산화막(44)의 일부와 금속 증착막(70)의 뾰족한 끝단이 노출되어 있다. 다음, HF 에칭을 이용하여 노출된 제1 산화막(44)을 에칭하여 제거한다. 에칭 후의 형상이 도15에 도시되어 있다. 다음, 집속 이온 빔(FIB; Focused Ion Beam) 가공을 이용하여 금속 증착막(70)의 뾰족한 끝단에 도16에 도시된 바와 같이 나노스케일의 개구부(35)를 형성한다. 다음, 도17에 도시된 바와 같이 결합체(100)의 접합 웨이퍼(80)와, SOI 웨이퍼(40)의 남아있는 제2 실리콘 층(46)을 테이핑(110)하여 형상을 잘 유지하도록 한 후, 가공선(12)을 따라 다이싱(dicing) 공정을 하게 된다. 가공선(120)은 접합 웨이퍼(80)의 분리부(84)의 뿌리부분을 지나가도록 형성된다. 가공선(120)을 따라 가공시 가공부(121)에는 접합 웨이퍼(80)의 분리부(84)의 일부가 남겨진다. 이때, 남는 부분은 전체 분리부(84) 전체 두께의 3/4 정도인 것이 바람직하다. 이러한 공정을 통해 여러 개의 단위 주사 탐침(150)이 마련되며, 가공부(121)에 형성된 얇은 부분을 이용하여 결합체(100)로부터 분리하여 도1에 도시된 바와 같은 캔틸레버형 주사 탐침을 얻게 된다. 이상 제시된 캔틸레버형 주사 탐침의 제조공정은 반도체 공정을 이용한 것으로서 이 공정에 의해 주사 탐침의 대량 생산이 가능해 진다.
본 발명의 구성을 따르면 앞서 기재한 본 발명의 목적을 모두 달성할 수 있 다. 구체적으로는 캔틸레버형 주사 탐침이 반도체 공정을 통하여 제조되므로 대량으로 생산이 가능하다. 또한, 금속성의 팁에 미세한 개구부가 마련되므로 고정밀도의 광학정보 및 형상정보와 함께 전기적 특성을 함께 얻을 수 있다.
이상 본 발명을 상기 실시예를 들어 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되는 것이 아니다. 당업자라면, 본 발명의 취지 및 범위를 벗어나지 않고 수정, 변경을 할 수 있으며 이러한 수정과 변경 또한 본 발명에 속하는 것임을 알 수 있을 것이다.

Claims (15)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 캔틸레버형 주사 탐침을 제조하는 방법으로서,
    차례로 적층된 제1 실리콘 층, 제1 산화막, 제2 실리콘 층을 구비하는 SOI 웨이퍼를 준비하는 단계와,
    상기 SOI 웨이퍼의 제1 실리콘 층이 기초부와, 상기 기초부로부터 연장되며 가지부가 마련된 연장부를 갖는 돌출영역을 형성하도록 에칭하는 제1 에칭 단계와,
    상기 제1 실리콘 층의 기초부와 연장부를 갖는 영역을 덮는 제2 산화막을 형성하는 단계와,
    상기 제2 산화막과 제1 실리콘 층의 가지부와 상기 제1 산화막을 통과하며, 뾰족한 끝단이 상기 제2 실리콘 층에 마련되도록 연장되는 구멍을 형성하도록 에칭하는 제2 에칭 단계와,
    상기 구멍의 내벽면에 금속을 증착하여 끝단이 뾰족한 금속 증착막을 형성하는 단계와,
    상기 제1 실리콘 층의 가지부에 대응하는 영역이 노출되도록 상기 제2 산화막에 접착 웨이퍼를 접착시키는 단계와,
    상기 금속 증착막의 뾰족한 끝단이 노출되도록 상기 제2 실리콘 층과 제1 산화막층을 에칭하는 제3 에칭 단계와,
    상기 금속 증착막의 뾰족한 끝단에 나노 스케일의 개구부를 형성하는 단계를 포함하는 캔틸레버형 주사 탐침의 제조방법.
  10. 제9항의 제조방법에 있어서, 상기 제1 에칭 단계는 상기 돌출영역에 연장부가 다수 형성되도록 이루어지는 제조방법.
  11. 제10항의 제조방법에 있어서, 상기 제1 에칭 단계는 상기 돌출영역이 다수 형성되도록 이루어지는 제조방법.
  12. 제10항 또는 제11항의 제조방법에 있어서, 상기 접착 웨이퍼는 서로 분리된 다수의 분리부를 구비하며, 상기 다수의 분리부 각각은 상기 연장부에 대응하는 영역들 각각에 접착되는 제조방법.
  13. 제12항의 제조방법에 있어서, 상기 접착 웨이퍼의 각 분리부에 분리홈을 형성하는 단계를 더 포함하는 제조방법.
  14. 제13항의 제조방법에 있어서, 상기 분리홈을 형성하는 단계 전에 상기 접착 웨이퍼의 다수의 분리부들을 연결하는 테이프를 접착하는 단계를 더 포함하는 제조방법.
  15. 제14항의 제조방법에 있어서, 상기 제2 실리콘 층의 남아있는 부분들을 연결하는 테이프를 접착하는 단계를 더 포함하는 제조방법.
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