KR100711667B1 - 막 형성용 조성물, 막의 형성 방법 및 실리카계 막 - Google Patents

막 형성용 조성물, 막의 형성 방법 및 실리카계 막 Download PDF

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Abstract

본 발명은
(A) (A-1) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물,
(A-2) 하기 화학식 2로 표시되는 화합물, 및
(A-3) 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물의 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물을 가수분해, 축합하여 얻어지는 가수분해 축합물,
(B) 원소 주기표에서 IA족 금속 및 IIA족 금속의 화합물에서 선택되는 1종 이상의 화합물, 및
(C) 유기 용매를 함유하는 것을 특징으로 하는 막 형성용 조성물, 이 조성물을 사용하여 막을 형성하는 방법, 및 이 방법에 의해 얻어지는 실리카계 막에 관한 것이다.
<화학식 1>
RaSi(OR1)4-a
식 중, R은 수소 원자, 불소 원자 또는 1가의 유기기이고, R1은 1가의 유기기이며, a는 1 내지 2의 정수를 나타낸다.
<화학식 2>
Si(OR2)4
식 중, R2는 1가의 유기기를 나타낸다.
<화학식 3>
R3 b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5) 3-cR6 c
식 중, R3 내지 R6은 동일하거나 또는 상이하며 각각 1가의 유기기를 나타내고, b 내지 c는 동일하거나 또는 상이하며 0 내지 2의 수를 나타내고, R7은 산소 원자, 페닐렌기 또는 -(CH2)n-으로 표시되는 기 (여기에서, n은 1 내지 6의 정수임)이고, d는 0 또는 1을 나타낸다.
본 발명에 의하면 알콕시실란 가수분해 중합체에 특정한 금속 화합물을 첨가하므로써, 단시간 소성이 가능하고, PCT 후의 균열 내성이 우수한 막 형성용 조성물 (층간 절연막용 재료)를 제공하는 것이 가능하다.
막 형성용 조성물, 비유전률, 균열 내성, 단시간 소성, 가수분해 축합물, ⅠＡ족 금속, ⅡＡ족 금속, 유기 용매, 실리카계 막

Description

막 형성용 조성물, 막의 형성 방법 및 실리카계 막 {Compositions and Methods for Forming Film, and Silica Films}
본 발명은 막 형성용 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 소자 등에서의 층간 절연막 재료로서 단시간 소성이 가능하고 PCT(Pressure Cooker Test) 후의 균열 내성이 우수한 실리카계 막을 형성할 수 있는 막 형성용 조성물에 관한 것이다.
종래부터, 반도체 소자 등에서의 층간 절연막으로서, CVD법 등의 진공 공정으로 형성된 실리카(SiO2)막이 많이 사용되고 있다. 그리고, 최근 보다 균일한 층간 절연막을 형성하는 것을 목적으로 SOG(Spin on Glass)막이라고 불리는 테트라알콕시실란의 가수분해 생성물을 주성분으로 하는 도포형 절연막도 사용되고 있다. 또한, 반도체 소자 등의 고집적화에 따라 유기 SOG라고 불리는 폴리오르가노실록산을 주성분으로 하는 저비유전률의 층간 절연막이 개발되고 있다.
특히, 반도체 소자 등의 고집적화 및 다층화가 계속됨에 따라, 보다 우수한 도체 간의 전기 절연성이 요구되고 있으며, 따라서 보다 저비유전률과 동시에 균열 내성이 우수한 층간 절연막 재료가 요구되고 있다.
저비유전률 재료로서는, 암모니아 존재하에 알콕시실란을 축합하여 얻어지는 미립자와 알콕시실란의 염기성 부분 가수분해물과의 혼합물로 이루어지는 조성물 (일본 특개평 5-263045, 동 5-315319) 및 폴리알콕시실란의 염기성 가수분해물을 암모니아 존재하에 축합함으로써 얻어진 도포액 (일본 특개평 11-340219, 동 11-340220)이 제안되어 있지만, 이들 방법으로 얻어지는 재료는 반응 생성물의 성질이 안정되어 있지 않고 단시간 소성이 가능하고 PCT 후의 균열 내성 등의 막 특성 변동도 크기 때문에 공업적 생산에는 부적합하였다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 막 형성용 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 소자 등에서의 층간 절연막으로서 단시간 소성이 가능하고, PCT 후의 균열 내성이 우수한 막 형성용 조성물 및 이 조성물로부터 얻어지는 실리카계 막을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은
(A) (A-1) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 (이하, "화합물 (1)"이라고 함)
(A-2) 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 (이하, "화합물 (2)"라고 함) 및
(A-3) 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물 (이하, "화합물 (3)"이라고 함)의 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 가수분해, 축합하여 얻어지는 가수분해 축합물,
(B) 원소 주기표에서 IA족 금속 화합물 및 IIA족 금속의 화합물, 및
(C) 유기 용매를 함유하는 것을 특징으로 하는 막 형성용 조성물에 관한 것이다.
RaSi(OR1)4-a
식 중, R은 수소 원자, 불소 원자 또는 1가의 유기기이고, R1은 1가의 유기기이며, a는 1 내지 2의 정수를 나타낸다.
Si(OR2)4
식 중, R2는 1가의 유기기를 나타낸다.
R3 b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5) 3-cR6 c
식 중, R3 내지 R6은 동일하거나 또는 상이하며 각각 1가의 유기기를 나타내고, b 내지 c는 동일하거나 또는 상이하며 0 내지 2의 정수를 나타내고, R7은 산소 원자, 페닐렌기 또는 -(CH2)n-으로 표시되는 기 (여기에서, n은 1 내지 6의 정수임)이고, d는 0 또는 1을 나타낸다.
또한, 본 발명은 상기 막 형성용 조성물을 기판에 도포하고, 가열하는 것을 특징으로 하는 막 형성 방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 상기 막 형성 방법에 의해 얻어지는 실리카계 막에 관한 것이다.
본 발명에 있어서, (A) 가수분해 축합물이란, 상기 화합물 (1) 내지 (3)의 군에서 선택된 1종 이상의 가수분해물 및 그의 축합물 또는 그 중 어느 하나이다.
여기에서, (A) 성분에서의 가수분해물이란, 상기 (A)성분을 구성하는 화합물 (1) 내지 (3)에 포함되는 R1O-기, R2O-기, R4O-기 및 R5O-기 모두가 가수분해될 필요는 없으며, 예를 들면 1개만이 가수분해되어 있는 것, 2개 이상이 가수분해되어 있는 것, 또는 이들의 혼합물일 수도 있다.
또한, (A) 성분에서의 축합물은, (A) 성분을 구성하는 화합물 (1) 내지 (3)의 가수분해물의 실란올기가 축합하여 Si-O-Si 결합을 형성한 것이지만, 본 발명에서는 실란올기가 모두 축합될 필요는 없으며 약간 일부의 실란올이 축합된 것, 축합 정도가 다른 것의 혼합물 등도 포함한 개념이다.
(A) 가수분해 축합물
(A) 가수분해 축합물은 상기 화합물 (1) 내지 (3)의 군에서 선택된 1종 이상의 실란 화합물을 (B) 성분의 존재하에서 가수분해, 축합하여 얻어진다.
화합물 (1);
상기 화학식 1에 있어서, R 및 R1의 1가의 유기기로서는 알킬기, 아릴기, 알 릴기, 글리시딜기 등을 들 수 있다. 또한, 화학식 1에 있어서, R은 1가의 유기기, 특히 알킬기 또는 페닐기인 것이 바람직하다.
여기에서, 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 탄소수 1 내지 5이고, 이들 알킬기는 쇄상일 수도, 분지될 수도, 또는 수소 원자가 불소 원자 등으로 치환될 수도 있다.
화학식 1에 있어서, 아릴기로서는 페닐기, 나프틸기, 메틸페닐기, 에틸페닐기, 클로로페닐기, 브로모페닐기, 플루오로페닐기 등을 들 수 있다.
화학식 1로 표시되는 화합물의 구체예로서는, 트리메톡시실란, 트리에톡시실란, 트리-n-프로폭시실란, 트리-iso-프로폭시실란, 트리-n-부톡시실란, 트리-sec-부톡시실란, 트리-tert-부톡시실란, 트리페녹시실란, 플루오로트리메톡시실란, 플루오로트리에톡시실란, 플루오로트리-n-프로폭시실란, 플루오로트리-iso-프로폭시실란, 플루오로트리-n-부톡시실란, 플루오로트리-sec-부톡시실란, 플루오로트리-tert-부톡시실란, 플루오로트리페녹시실란 등;
메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리-n-프로폭시실란, 메틸트리-iso-프로폭시실란, 메틸트리-n-부톡시실란, 메틸트리-sec-부톡시실란, 메틸트리 -tert-부톡시실란, 메틸트리페녹시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 에틸트리-n-프로폭시실란, 에틸트리-iso-프로폭시실란, 에틸트리-n-부톡시실란, 에틸트리-sec-부톡시실란, 에틸트리-tert-부톡시실란, 에틸트리페녹시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리-n-프로폭시실란, 비닐트리-iso-프로폭시실란, 비닐트리-n-부톡시실란, 비닐트리-sec-부톡시실란, 비닐트리-tert-부톡시 실란, 비닐트리페녹시실란, n-프로필트리메톡시실란, n-프로필트리에톡시실란, n-프로필트리-n-프로폭시실란, n-프로필트리-iso-프로폭시실란, n-프로필트리-n-부톡시실란, n-프로필트리-sec-부톡시실란, n-프로필트리-tert-부톡시실란, n-프로필트리페녹시실란, i-프로필트리메톡시실란, i-프로필트리에톡시실란, i-프로필트리-n-프로폭시실란, i-프로필트리-iso-프로폭시실란, i-프로필트리-n-부톡시실란, i-프로필트리-sec-부톡시실란, i-프로필트리-tert-부톡시실란, i-프로필트리페녹시실란, n-부틸트리메톡시실란, n-부틸트리에톡시실란, n-부틸트리-n-프로폭시실란, n-부틸트리-iso-프로폭시실란, n-부틸트리-n-부톡시실란, n-부틸트리-sec-부톡시실란, n-부틸트리-tert-부톡시실란, n-부틸트리페녹시실란, sec-부틸트리메톡시실란, sec-부틸트리에톡시실란, sec-부틸-트리-n-프로폭시실란, sec-부틸-트리-iso-프로폭시실란, sec-부틸-트리-n-부톡시실란, sec-부틸-트리-sec-부톡시실란, sec-부틸-트리-tert-부톡시실란, sec-부틸-트리페녹시실란, t-부틸트리메톡시실란, t-부틸트리에톡시실란, t-부틸트리-n-프로폭시실란, t-부틸트리-iso-프로폭시실란, t-부틸트리-n-부톡시실란, t-부틸트리-sec-부톡시실란, t-부틸트리-tert-부톡시실란, t-부틸트리페녹시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 페닐트리-n-프로폭시실란, 페닐트리-iso-프로폭시실란, 페닐트리-n-부톡시실란, 페닐트리-sec-부톡시실란, 페닐트리-tert-부톡시실란, 페닐트리페녹시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리에톡시실란, γ-트리플루오로프로필트리메톡시실란, γ-트리플루오로프로필트리에톡시실란 등;
디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디메틸-디-n-프로폭시실란, 디메틸-디-iso-프로폭시실란, 디메틸-디-n-부톡시실란, 디메틸-디-sec-부톡시실란, 디메틸-디-tert-부톡시실란, 디메틸디페녹시실란, 디에틸디메톡시실란, 디에틸디에톡시실란, 디에틸-디-n-프로폭시실란, 디에틸-디-iso-프로폭시실란, 디에틸-디-n-부톡시실란, 디에틸-디-sec-부톡시실란, 디에틸-디-tert-부톡시실란, 디에틸디페녹시실란, 디-n-프로필디메톡시실란, 디-n-프로필디에톡시실란, 디-n-프로필-디-n-프로폭시실란, 디-n-프로필-디-iso-프로폭시실란, 디-n-프로필-디-n-부톡시실란, 디-n-프로필-디-sec-부톡시실란, 디-n-프로필-디-tert-부톡시실란, 디-n-프로필-디-페녹시실란, 디-iso-프로필디메톡시실란, 디-iso-프로필디에톡시실란, 디-iso-프로필-디-n-프로폭시실란, 디-iso-프로필-디-iso-프로폭시실란, 디-iso-프로필-디-n-부톡시실란, 디-iso-프로필-디-sec-부톡시실란, 디-iso-프로필-디-tert-부톡시실란, 디-iso-프로필-디-페녹시실란, 디-n-부틸디메톡시실란, 디-n-부틸디에톡시실란, 디-n-부틸-디-n-프로폭시실란, 디-n-부틸-디-iso-프로폭시실란, 디-n-부틸-디-n-부톡시실란, 디-n-부틸-디-sec-부톡시실란, 디-n-부틸-디-tert-부톡시실란, 디-n-부틸-디-페녹시실란, 디-sec-부틸디메톡시실란, 디-sec-부틸디에톡시실란, 디-sec-부틸-디-n-프로폭시실란, 디-sec-부틸-디-iso-프로폭시실란, 디-sec-부틸-디-n-부톡시실란, 디-sec-부틸-디-sec-부톡시실란, 디-sec-부틸-디-tert-부톡시실란, 디-sec-부틸-디-페녹시실란, 디-tert-부틸디메톡시실란, 디-tert-부틸디에톡시실란, 디-tert-부틸-디-n-프로폭시실란, 디-tert-부틸-디-iso-프로폭시실란, 디-tert-부틸-디-n-부톡시실란, 디-tert-부틸-디-sec-부톡시실란, 디-tert-부틸-디-tert-부톡 시실란, 디-tert-부틸-디-페녹시실란, 디페닐디메톡시실란, 디페닐-디-에톡시실란, 디페닐-디-n-프로폭시실란, 디페닐-디-iso-프로폭시실란, 디페닐-디-n-부톡시실란, 디페닐-디-sec-부톡시실란, 디페닐-디-tert-부톡시실란, 디페닐디페녹시실란, 디비닐트리메톡시실란 등을 들 수 있다.
화합물 (1)로서 바람직한 화합물은, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리-n-프로폭시실란, 메틸트리-iso-프로폭시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디에틸디메톡시실란, 디에틸디에톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 디페닐디에톡시실란 등이다.
이들은 1종 또는 2종 이상을 동시에 사용할 수도 있다.
화합물 (2);
상기 화학식 2에 있어서, R2로 표시되는 1가의 유기기로서는 상기 화학식 1과 동일한 유기기를 들 수 있다.
화학식 2로 표시되는 화합물의 구체예로서는, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라-n-프로폭시실란, 테트라-iso-프로폭시실란, 테트라-n-부톡시실란, 테트라-sec-부톡시실란, 테트라-tert-부톡시실란, 테트라페녹시실란 등을 들 수 있다.
화합물 (3);
상기 화학식 3에 있어서, R3 내지 R6으로 표시되는 1가의 유기기로서는, 상기 화학식 1과 동일한 유기기를 들 수 있다.
화학식 3 중, R7이 산소 원자인 화합물로서는, 헥사메톡시디실록산, 헥사에톡시디실록산, 헥사페녹시디실록산, 1,1,1,3,3-펜타메톡시-3-메틸디실록산, 1,1,1, 3,3-펜타에톡시-3-메틸디실록산, 1,1,1,3,3-펜타페녹시-3-메틸디실록산, 1,1,1,3, 3-펜타메톡시-3-에틸디실록산, 1,1,1,3,3-펜타에톡시-3-에틸디실록산, 1,1,1,3,3-펜타페녹시-3-에틸디실록산, 1,1,1,3,3-펜타메톡시-3-페닐디실록산 1,1,1,3,3-펜타에톡시-3-페닐디실록산, 1,1,1,3,3-펜타페녹시-3-페닐디실록산, 1,1,3,3-테트라메톡시-1,3-디메틸디실록산, 1,1,3,3-테트라에톡시-1,3-디메틸디실록산, 1,1,3,3-테트라페녹시-1,3-디메틸디실록산, 1,1,3,3-테트라메톡시-1,3-디에틸디실록산, 1,1,3,3-테트라에톡시-1,3-디에틸디실록산, 1,1,3,3-테트라페녹시-1,3-디에틸디실록산, 1,1,3,3-테트라메톡시-1,3-디페닐디실록산, 1,1,3,3-테트라에톡시-1,3-디페닐디실록산, 1,1,3,3-테트라페녹시-1,3-디페닐디실록산, 1,1,3-트리메톡시-1,3,3-트리메틸디실록산, 1,1,3-트리에톡시-1,3,3-트리메틸디실록산, 1,1,3-트리페녹시-1,3,3-트리메틸디실록산, 1,1,3-트리메톡시-1,3,3-트리에틸디실록산, 1,1,3-트리에톡시-1,3,3-트리에틸디실록산, 1,1,3-트리페녹시-1,3,3-트리에틸디실록산, 1,1,3-트리메톡시-1,3,3-트리페닐디실록산, 1,1,3-트리에톡시-1,3,3-트리페닐디실록산, 1,1,3-트리페녹시-1,3,3-트리페닐디실록산, 1,3-디메톡시-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3-디에톡시-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3-디페녹시-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3-디메톡시-1,1,3,3-테트라에틸디실록산, 1,3-디에톡시-1,1,3,3-테 트라에틸디실록산, 1,3-디페녹시-1,1,3,3-테트라에틸디실록산, 1,3-디메톡시-1,1,3,3-테트라페닐디실록산, 1,3-디에톡시-1,1,3,3-테트라페닐디실록산, 1,3-디페녹시-1,1,3,3-테트라페닐디실록산 등을 들 수 있다.
이들 중 헥사메톡시디실록산, 헥사에톡시디실록산, 1,1,3,3-테트라메톡시-1,3-디메틸디실록산, 1,1,3,3-테트라에톡시-1,3-디메틸디실록산, 1,1,3,3-테트라메톡시-1,3-디페닐디실록산, 1,3-디메톡시-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3-디에톡시-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3-디메톡시-1,1,3,3-테트라페닐디실록산, 1,3-디에톡시-1,1,3,3-테트라페닐디실록산 등을 바람직한 예로서 들 수 있다.
또한, 화학식 3에 있어서, d가 0인 화합물로서는 헥사메톡시디실란, 헥사에톡시디실란, 헥사페녹시디실란, 1,1,1,2,2-펜타메톡시-2-메틸디실란, 1,1,1,2,2-펜타에톡시-2-메틸디실란, 1,1,1,2,2-펜타페녹시-2-메틸디실란, 1,1,1,2,2-펜타메톡시-2-에틸디실란, 1,1,1,2,2-펜타에톡시-2-에틸디실란, 1,1,1,2,2-펜타페녹시-2-에틸디실란, 1,1,1,2,2-펜타메톡시-2-페닐디실란, 1,1,1,2,2-펜타에톡시-2-페닐디실란, 1,1,1,2,2-펜타페녹시-2-페닐디실란, 1,1,2,2-테트라메톡시-1,2-디메틸디실란, 1,1,2,2-테트라에톡시-1,2-디메틸디실란, 1,1,2,2-테트라페녹시-1,2-디메틸디실란, 1,1,2,2-테트라메톡시-1,2-디에틸디실란, 1,1,2,2-테트라에톡시-1,2-디에틸디실란, 1,1,2,2-테트라페녹시-1,2-디에틸디실란, 1,1,2,2-테트라메톡시-1,2-디페닐디실란, 1,1,2,2-테트라에톡시-1,2-디페닐디실란, 1,1,2,2-테트라페녹시-1,2-디페닐디실란, 1,1,2-트리메톡시-1,2,2-트리메틸디실란, 1,1,2-트리에톡시-1,2,2-트리메틸디실란, 1,1,2-트리페녹시-1,2,2-트리메틸디실란, 1,1,2-트리메톡시-1,2,2-트리에틸디실란, 1,1,2-트리에톡시-1,2,2-트리에틸디실란, 1,1,2-트리페녹시-1,2,2-트리에틸디실란, 1,1,2-트리메톡시-1,2,2-트리페닐디실란, 1,1,2-트리에톡시-1,2,2-트리페닐디실란, 1,1,2-트리페녹시-1,2,2-트리페닐디실란, 1,2-디메톡시-1,1,2,2-테트라메틸디실란, 1,2-디에톡시-1,1,2,2-테트라메틸디실란, 1,2-디페녹시-1,1,2,2-테트라메틸디실란, 1,2-디메톡시-1,1,2,2-테트라에틸디실란, 1,2-디에톡시-1,1,2,2-테트라에틸디실란, 1,2-디페녹시-1,1,2,2-테트라에틸디실란, 1,2-디메톡시-1,1,2,2-테트라페닐디실란, 1,2-디에톡시-1,1,2,2-테트라페닐디실란, 1,2-디페녹시-1,1,2,2-테트라페닐디실란 등을 들 수 있다.
이들 중, 헥사메톡시디실란, 헥사에톡시디실란, 1,1,2,2-테트라메톡시-1,2-디메틸디실란, 1,1,2,2-테트라에톡시-1,2-디메틸디실란, 1,1,2,2-테트라메톡시-1,2 -디페닐디실란, 1,2-디메톡시-1,1,2,2-테트라메틸디실란, 1,2-디에톡시-1,1,2,2-테트라메틸디실란, 1,2-디메톡시-1,1,2,2-테트라페닐디실란, 1,2-디에톡시-1,1,2,2-테트라페닐디실란 등을 바람직한 예로서 들 수 있다.
또한, 화학식 3에 있어서 R7이 -(CH2)n-으로 표시되는 기의 화합물로서는, 비스(트리메톡시실릴)메탄, 비스(트리에톡시실릴)메탄, 비스(트리-n-프로폭시실릴)메탄, 비스(트리-i-프로폭시실릴)메탄, 비스(트리-n-부톡시실릴)메탄, 비스(트리-sec-부톡시실릴)메탄, 비스(트리-t-부톡시실릴)메탄, 1,2-비스(트리메톡시실릴)에탄, 1,2-비스(트리에톡시실릴)에탄, 1,2-비스(트리-n-프로폭시실릴)에탄, 1,2-비스 (트리-i-프로폭시실릴)에탄, 1,2-비스(트리-n-부톡시실릴)에탄, 1,2-비스(트리- sec-부톡시실릴)에탄, 1,2-비스(트리-t-부톡시실릴)에탄, 1-(디메톡시메틸실릴)-1-(트리메톡시실릴)메탄, 1-(디에톡시메틸실릴)-1-(트리에톡시실릴)메탄, 1-(디-n-프로폭시메틸실릴)-1-(트리-n-프로폭시실릴)메탄, 1-(디-i-프로폭시메틸실릴)-1-(트리-i-프로폭시실릴)메탄, 1-(디-n-부톡시메틸실릴)-1-(트리-n-부톡시실릴)메탄, 1-(디-sec-부톡시메틸실릴)-1-(트리-sec-부톡시실릴)메탄, 1-(디-t-부톡시메틸실릴)-1-(트리-t-부톡시실릴)메탄, 1-(디메톡시메틸실릴)-2-(트리메톡시실릴)에탄, 1-(디에톡시메틸실릴)-2-(트리에톡시실릴)에탄, 1-(디-n-프로폭시메틸실릴)-2-(트리-n-프로폭시실릴)에탄, 1-(디-i-프로폭시메틸실릴)-2-(트리-i-프로폭시실릴)에탄, 1-(디-n-부톡시메틸실릴)-2-(트리-n-부톡시실릴)에탄, 1-(디-sec-부톡시메틸실릴)-2-(트리-sec-부톡시실릴)에탄, 1-(디-t-부톡시메틸실릴)-2-(트리-t-부톡시실릴)에탄, 비스(디메톡시메틸실릴)메탄, 비스(디에톡시메틸실릴)메탄, 비스(디-n-프로폭시메틸실릴)메탄, 비스(디-i-프로폭시메틸실릴)메탄, 비스(디-n-부톡시메틸실릴)메탄, 비스(디-sec-부톡시메틸실릴)메탄, 비스(디-t-부톡시메틸실릴)메탄, 1,2-비스(디메톡시메틸실릴)에탄, 1,2-비스(디에톡시메틸실릴)에탄, 1,2-비스(디-n-프로폭시메틸실릴)에탄, 1,2-비스(디-i-프로폭시메틸실릴)에탄, 1,2-비스(디-n-부톡시메틸실릴)에탄, 1,2-비스(디-sec-부톡시메틸실릴)에탄, 1,2-비스(디-t-부톡시메틸실릴)에탄, 1,2-비스(트리메톡시실릴)벤젠, 1,2-비스(트리에톡시실릴)벤젠, 1,2-비스(트리-n-프로폭시실릴)벤젠, 1,2-비스(트리-i-프로폭시실릴)벤젠, 1,2-비스(트리-n-부톡시실릴)벤젠, 1,2-비스(트리-sec-부톡시실릴)벤젠, 1,2-비스(트리-t-부톡시실릴)벤젠, 1,3-비스(트리메톡시실릴)벤젠, 1,3-비스(트리에톡시실릴)벤젠, 1,3-비스(트리 -n-프로폭시실릴)벤젠, 1,3-비스(트리-i-프로폭시실릴)벤젠, 1,3-비스(트리-n-부톡시실릴)벤젠, 1,3-비스(트리-sec-부톡시실릴)벤젠, 1,3-비스(트리-t-부톡시실릴)벤젠, 1,4-비스(트리메톡시실릴)벤젠, 1,4-비스(트리에톡시실릴)벤젠, 1,4-비스(트리 -n-프로폭시실릴)벤젠, 1,4-비스(트리-i-프로폭시실릴)벤젠, 1,4-비스(트리-n-부톡시실릴)벤젠, 1,4-비스(트리-sec-부톡시실릴)벤젠, 1,4-비스(트리-t-부톡시실릴)벤젠 등을 들 수 있다.
이들 중, 비스(트리메톡시실릴)메탄, 비스(트리에톡시실릴)메탄, 1,2-비스(트리메톡시실릴)에탄, 1,2-비스(트리에톡시실릴)에탄, 1-(디메톡시메틸실릴)-1-(트리메톡시실릴)메탄, 1-(디에톡시메틸실릴)-1-(트리에톡시실릴)메탄, 1-(디메톡시메틸실릴)-2-(트리메톡시실릴)에탄, 1-(디에톡시메틸실릴)-2-(트리에톡시실릴)에탄, 비스(디메톡시메틸실릴)메탄, 비스(디에톡시메틸실릴)메탄, 1,2-비스(디메톡시메틸실릴)에탄, 1,2-비스(디에톡시메틸실릴)에탄, 1,2-비스(트리메톡시실릴)벤젠, 1,2-비스(트리에톡시실릴)벤젠, 1,3-비스(트리메톡시실릴)벤젠, 1,3-비스(트리에톡시실릴)벤젠, 1,4-비스(트리메톡시실릴)벤젠, 1,4-비스(트리에톡시실릴)벤젠 등을 바람직한 예로서 들 수 있다.
본 발명에 있어서, (A) 성분을 구성하는 화합물 (1) 내지 (3)으로서는, 상기 화합물 (1), (2) 및 (3) 중 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다.
또한 상기 (A) 성분을 구성하는 화합물 (1) 내지 (3)의 군에서 선택된 적어도 1종의 실란 화합물을 가수분해, 축합시킬 때 (A) 성분 1 몰당 0.5 몰을 초과하고 150 몰 이하의 물을 사용하는 것이 바람직하고, 0.5 몰을 초과하고 130 몰의 물 을 첨가하는 것이 특히 바람직하다. 첨가하는 물의 양이 0.5 몰 이하이면 도포막의 균열 내성이 떨어질 경우가 있으며 150몰을 초과하면 가수분해 및 축합 반응 중의 중합체의 석출이나 겔화가 발생할 우려가 있다.
또한, 상기 (A) 성분을 반응액에 첨가할 경우는 일괄로 (A) 성분을 첨가하여도 (A)성분을 연속적으로 또는 단속적으로 첨가할 수도 있다. 연속적 또는 단속적으로 첨가할 경우에는 그 첨가 시간이 5 분 내지 12 시간인 것이 바람직하다.
본 발명의 (A) 가수분해 축합물을 제조함에 있어서는, 상기 화합물 (1) 내지 (3)의 군에서 선택된 적어도 1종의 실란 화합물을 가수분해, 축합시킬 때, 촉매를 사용하는 것이 특징이다.
이 때 사용할 수 있는 촉매로서는, 금속 킬레이트 화합물, 산 촉매, 알칼리 촉매를 들 수 있다.
금속 킬레이트 화합물로서는 예를 들면 트리에톡시·모노(아세틸아세토네이트)티탄, 트리-n-프로폭시·모노(아세틸아세토네이트)티탄, 트리-i-프로폭시·모노(아세틸아세토네이트)티탄, 트리-n-부톡시·모노(아세틸아세토네이트)티탄, 트리-sec-부톡시·모노(아세틸아세토네이트)티탄, 트리-t-부톡시·모노(아세틸아세토네이트)티탄, 디에톡시·비스(아세틸아세토네이트)티탄, 디-n-프로폭시·비스(아세틸아세토네이트)티탄, 디-i-프로폭시·비스(아세틸아세토네이트)티탄, 디-n-부톡시·비스(아세틸아세토네이트)티탄, 디-sec-부톡시·비스(아세틸아세토네이트)티탄, 디- t-부톡시·비스(아세틸아세토네이트)티탄, 모노에톡시·트리스(아세틸아세토네이트)티탄, 모노-n-프로폭시·트리스(아세틸아세토네이트)티탄, 모노-i-프로폭시·트리스(아세틸아세토네이트)티탄, 모노-n-부톡시·트리스(아세틸아세토네이트)티탄, 모노-sec-부톡시·트리스(아세틸아세토네이트)티탄, 모노-t-부톡시·트리스(아세틸아세토네이트)티탄, 테트라키스(아세틸아세토네이트)티탄, 트리에톡시·모노(에틸아세토아세테이트)티탄, 트리-n-프로폭시·모노(에틸아세토아세테이트)티탄, 트리-i-프로폭시·모노(에틸아세토아세테이트)티탄, 트리-n-부톡시·모노(에틸아세토아세테이트)티탄, 트리-sec-부톡시·모노(에틸아세토아세테이트)티탄, 트리-t-부톡시·모노(에틸아세토아세테이트)티탄, 디에톡시·비스(에틸아세토아세테이트)티탄, 디-n-프로폭시·비스(에틸아세토아세테이트)티탄, 디-i-프로폭시·비스(에틸아세토아세테이트)티탄, 디-n-부톡시·비스(에틸아세토아세테이트)티탄, 디-sec-부톡시·비스(에틸아세토아세테이트)티탄, 디-t-부톡시·비스(에틸아세토아세테이트)티탄, 모노에톡시·트리스(에틸아세토아세테이트)티탄, 모노-n-프로폭시·트리스(에틸아세토아세테이트)티탄, 모노-i-프로폭시·트리스(에틸아세토아세테이트)티탄, 모노-n-부톡시·트리스(에틸아세토아세테이트)티탄, 모노-sec-부톡시·트리스(에틸아세토아세테이트)티탄, 모노-t-부톡시·트리스(에틸아세토아세테이트)티탄, 테트라키스(에틸아세토아세테이트)티탄, 모노(아세틸아세토네이트)트리스(에틸아세토아세테이트)티탄, 비스(아세틸아세토네이트)비스(에틸아세토아세테이트)티탄, 트리스(아세틸아세토네이트)모노(에틸아세토아세테이트)티탄 등의 티탄 킬레이트 화합물;
트리에톡시·모노(아세틸아세토네이트)지르코늄, 트리-n-프로폭시·모노(아세틸아세토네이트)지르코늄, 트리-i-프로폭시·모노(아세틸아세토네이트)지르코늄, 트리- n-부톡시·모노(아세틸아세토네이트)지르코늄, 트리-sec-부톡시·모노(아세틸아세토네이트)지르코늄, 트리-t-부톡시·모노(아세틸아세토네이트)지르코늄, 디에톡시·비스(아세틸아세토네이트)지르코늄, 디-n-프로폭시·비스(아세틸아세토네이트)지르코늄, 디-i-프로폭시·비스(아세틸아세토네이트)지르코늄, 디-n-부톡시·비스(아세틸아세토네이트)지르코늄, 디-sec-부톡시·비스(아세틸아세토네이트)지르코늄, 디-t-부톡시·비스(아세틸아세토네이트)지르코늄, 모노에톡시·트리스(아세틸아세토네이트)지르코늄, 모노-n-프로폭시·트리스(아세틸아세토네이트)지르코늄, 모노-i-프로폭시·트리스(아세틸아세토네이트)지르코늄, 모노-n-부톡시·트리스(아세틸아세토네이트)지르코늄, 모노-sec-부톡시·트리스(아세틸아세토네이트)지르코늄, 모노-t-부톡시·트리스(아세틸아세토네이트)지르코늄, 테트라키스(아세틸아세토네이트)지르코늄, 트리에톡시·모노(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 트리-n-프로폭시·모노(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 트리-i-프로폭시·모노(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 트리-n-부톡시·모노(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 트리-sec-부톡시·모노(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 트리-t-부톡시·모노 (에틸아세트아세테이트)지르코늄, 디에톡시·비스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 디-n-프로폭시·비스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 디-i-프로폭시·비스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 디-n-부톡시·비스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 디-sec-부톡시·비스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 디-t-부톡시·비스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 모노에톡시·트리스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 모노-n-프로폭시·트리스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 모노-i-프로폭시·트리스(에틸아세토아세 테이트)지르코늄, 모노-n-부톡시·트리스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 모노-sec-부톡시·트리스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 모노-t-부톡시·트리스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 테트라키스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 모노(아세틸아세토네이트)트리스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 비스(아세틸아세토네이트)비스(에틸아세토아세테이트)지르코늄, 트리스(아세틸아세토네이트)모노(에틸아세토아세테이트)지르코늄 등의 지르코늄킬레이트 화합물;
트리스(아세틸아세토네이트)알루미늄, 트리스(에틸아세토아세테이트)알루미늄 등의 알루미늄 킬레이트 화합물;
등을 예를 들 수 있고, 바람직하게는 티탄 및(또는) 알루미늄의 킬레이트 화합물, 특히 바람직하게는 티탄의 킬레이트 화합물을 들 수 있다.
이들 금속 킬레이트 화합물은 1종 또는 2종 이상을 동시에 사용할 수 있다.
산 촉매로서는 예를 들면 염산, 질산, 황산, 불산, 인산, 붕산, 옥살산 등의 무기산;
아세트산, 프로피온산, 부탄산, 펜탄산, 헥산산, 헵탄산, 옥탄산, 노난산, 데칸산, 옥살산, 말레인산, 메틸말론산, 아디핀산, 세바신산, 갈산, 부티르산, 메리트산, 아라키돈산, 시키미산, 2-에틸헥산산, 올레인산, 스테아린산, 리놀산, 리놀레인산, 살리실산, 벤조산, p-아미노벤조산, p-톨루엔술폰산, 벤젠술폰산, 모노클로로아세트산, 디클로로아세트산, 트리클로로아세트산, 트리플루오로아세트산, 포름산, 말론산, 술폰산, 프탈산, 푸마르산, 시트르산, 타르타르산, 숙신산, 이타콘산, 메사콘산, 시트라콘산, 말산, 글루타르산의 가수분해물, 무수 말레인산의 가 수분해물, 무수 프탈산의 가수분해물 등의 유기산을 들 수 있어, 유기산을 보다 바람직한 예로 들 수 있다.
이들 화합물은, 1종 또는 2종 이상을 동시에 사용할 수 있다.
알칼리 촉매로서는, 예를 들면 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화리튬, 피리딘, 피롤, 피페라진, 피롤리딘, 피페리딘, 피콜린, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 디메틸모노에탄올아민, 모노메틸디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디아자비시클로옥탄, 디아자비시클로노난, 디아자비시클로운데센, 테트라메틸암모늄하이드로옥시드, 암모니아, 메틸아민, 에틸아민, 프로필아민, 부틸아민, 펜틸아민, 헥실아민, 펜틸아민, 옥틸아민, 노닐아민, 데실아민, N,N-디메틸아민, N,N-디에틸아민, N,N-디프로필아민, N,N-디부틸아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리프로필아민, 트리부틸아민, 시클로헥실아민, 트리메틸이미딘, 1-아미노-3-메틸부탄, 디메틸글리신, 3-아미노-3-메틸아민 등을 들 수 있고, 보다 바람직하게는 유기 아민이며 암모니아, 알킬아민 및 테트라메틸암모늄하이드로옥시드가 실리카계 막의 기판으로의 밀착성의 점에서 특히 바람직하다.
이들 알칼리 촉매는 1종 또는 2종 이상을 동시에 사용할 수 있다.
상기 촉매의 사용량은, 화합물 (1) 내지 (3) 중의 R1O-기, R2O-기, R4O-기 및 R5O-기로 표시되는 기의 총량 1몰에 대하여, 통상 O.OOOO1 내지 1O 몰, 바람직하게는 0.00005 내지 5 몰이다. 촉매의 사용량이 상기 범위내이면 반응 중의 중합체의 석출이나 겔화의 우려가 적다.
또한 (A) 성분 중, 각 성분을 완전 가수분해 축합물로 환산했을 때 화합물 (2)은 화합물 (1) 내지 (3)의 총량 중, 5 내지 75 중량%, 바람직하게는 10 내지 70중량%, 더욱 바람직하게는 15 내지 70 중량%이다. 또한, 화합물 (1) 및(또는) (3)은 화합물 (1) 내지 (3)의 총량 중, 95 내지 25 중량%, 바람직하게는 90 내지 30 중량%, 더욱 바람직하게는 85 내지 30 중량%이다. 화합물 (2)가 화합물 (1) 내지 (3)의 총량 중, 5 내지 75 중량%인 것이, 얻어지는 도포막의 탄성율이 높고, 또한 저유전성이 특히 우수한다.
여기서, 본 발명에 있어서 완전 가수분해 축합물이란 화합물 (1) 내지 (3)중의 R1O-기, R2O-기, R4O-기 및 R5O-기가 1OO % 가수분해하여 SiOH기가 되고, 또한 완전히 축합하여 실록산 구조가 된 것을 말한다.
또한, (A) 성분으로서는, 얻어지는 조성물의 저장 안정성이 보다 우수하기 때문에, 화합물 (1) 및 화합물 (2)의 가수분해 축합물인 것이 바람직하다.
(B) 성분
본 발명에 사용하는 (B) 성분으로서는 원소 주기표에 있어서의 IA족 금속 및 IIA족 금속의 화합물이고, 보다 바람직하게는 칼륨, 루비듐, 세슘, 베릴륨, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬 및 바륨의 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속 화합물이다.
이러한 (B) 성분으로서는, 예를 들면 아세트산칼륨, 말레인산칼륨, 옥살산칼륨, 이타콘산칼륨, 푸마르산칼륨, 말론산칼륨, 프탈산칼륨, 타르타르산칼륨, 숙신산칼륨, 메사콘산칼륨, 시트라콘산칼륨, 말산칼륨, 알루민산칼륨, 황산알루미늄칼 륨, 시안화 제1금 칼륨, 벤조산칼륨, 중탄산칼륨, 중요오드산칼륨, 중옥살산칼륨, 중프탈산칼륨, 중황산칼륨, 중아황산칼륨, 중타르타르산칼륨, 붕산칼륨, 수소화붕소칼륨, 브롬산칼륨, 브롬산칼륨, 칼륨-t-부톡시드, 탄산칼륨, 염소산칼륨, 염화칼륨, 염화백금산칼륨, 크롬산칼륨, 시트르산칼륨, 시안산칼륨, 시클로헥산부티르산칼륨, 이크롬산칼륨, 이시아노은칼륨, 시트르산이수소칼륨, 인산이수소칼륨, 2,5-디히드록시-1,4-벤젠술폰산칼륨, 이황화칼륨, 디티오탄산-O-에틸칼륨, 에틸크산트산칼륨, 에틸크산트겐산칼륨, 페리시안화칼륨, 페로시안화칼륨, 포름산칼륨, 글루콘산칼륨, 시안화금칼륨, 헥사클로로백금산칼륨, 2,4-헥사디엔산칼륨, 헥사플루오로인산칼륨, 헥사플루오로규산칼륨, 헥사플루오로지르코늄산칼륨, 헥사히드록소안티몬산칼륨, 수소화칼륨, 탄산수소칼륨, 시트르산수소이칼륨, 요오드산수소칼륨, 옥살산수소칼륨, 인산수소이칼륨, 프탈산수소칼륨, 황산수소칼륨, 아황산수소칼륨, 타르타르산수소칼륨, 히드로퀴논-2,5-디술폰산이칼륨, 수황화칼륨, 수산화칼륨, 차아염소산칼륨, 젖산칼륨, 라우린산칼륨, 말산칼륨, 메타붕산칼륨, 메타화요오드산칼륨, 메타인산칼륨, 칼륨메톡시드, 시안화칼륨니켈, 질산칼륨, 아질산칼륨, 노나플루오로-1-부탄술폰산칼륨, 올레인산칼륨, 옥살산칼륨, 염화칼륨팔라듐, 팔티민산칼륨, 과염소산칼륨, 과요오드산칼륨, 과망간산칼륨, 퍼옥소이황산칼륨, 과황산칼륨, 인산이칼륨, 인산삼칼륨, 아인산이칼륨, 포스폰산이칼륨, 프탈산칼륨, 프탈이미드칼륨, 피크린산칼륨, 염화칼륨백금, 피롤린산칼륨, 피로황산칼륨, 피로아황산칼륨, 로디존산이칼륨, 아셀레산칼륨, 규산칼륨, 탄산칼륨나트륨, 타르타르산나트륨칼륨, 소루빈산칼륨, 주석산칼륨, 스테아린산칼륨, 숙신산칼륨, 황산칼륨, 황화 칼륨, 아황산칼륨, p-술포벤조산칼륨, 텔루산칼륨, 아텔루산칼륨, 사붕산칼륨, 테트라클로로팔라듐산칼륨, 테트라클로로백금산칼륨, 테트라시아노니켈산칼륨, 테트라요오드수은칼륨, 사옥살산칼륨, 티오시안산칼륨, 티오황산칼륨, 불화티탄칼륨, 옥살산티탄칼륨, 트리클로로(에틸렌)백금산칼륨, 2,4,6-트리니트로파놀칼륨, 크산트겐산칼륨, 불화지르코늄칼륨 등의 칼륨 화합물;
아세트산루비듐, 말레인산루비듐, 옥살산루비듐, 이타콘산루비듐, 푸마르산루비듐, 말론산루비듐, 프탈산루비듐, 타르타르산루비듐, 숙신산루비듐, 메사콘산루비듐, 시트라콘산루비듐, 말산루비듐, 알루민산루비듐, 황산알루미늄루비듐, 시안화제1 금루비듐, 벤조산루비듐, 중탄산루비듐, 중요오드산루비듐, 중옥살산루비듐, 중프탈산루비듐, 중황산루비듐, 중아황산루비듐, 중타르타르산루비듐, 붕산루비듐, 수소화붕소루비듐, 브롬산루비듐, 브롬산루비듐, 루비듐-t-부톡시드, 탄산루비듐, 염소산루비듐, 염화루비듐, 염화백금산루비듐, 크롤산루비듐, 시트르산루비듐, 시안산루비듐, 시클로헥산부티르산루비듐, 이크롬산루비듐, 이시아노은루비듐, 시트르산이수소루비듐, 인산이수소루비듐, 2,5-디히드록시-1,4-벤젠술폰산루비듐, 이황화루비듐, 디티오탄산-O-에틸루비듐, 에틸크산트산루비듐, 에틸크산트겐산루비듐, 페리시안화루비듐, 페로시안화루비듐, 포름산루비듐, 글루콘산루비듐, 시안화금루비듐, 헥사클로로백금산루비듐, 2,4-헥사디엔산루비듐, 헥사플루오로인산루비듐, 헥사플루오로규산루비듐, 헥사플루오로지르코늄산루비듐, 헥사히드록소안티몬산루비듐, 수소화루비듐, 탄산수소루비듐, 시트르산수소이루비듐, 요오드산수소루비듐, 옥살산수소루비듐, 인산수소이루비듐, 프탈산수소루비듐, 황산수소루비듐, 아황산수소루비듐, 시트르산수소루비듐, 하이드로퀴논-2,5-디술폰산이루비듐, 수황화루비듐, 수산화루비듐, 차아염소산루비듐, 젖산루비듐, 라우린산루비듐, 말산루비듐, 메타붕산루비듐, 메타화요오드산루비듐, 메타인산루비듐, 루비듐메톡시드, 시안화루비듐니켈, 질산루비듐, 아질산루비듐, 노나플루오로-1-부탄술폰산루비듐, 올레인산루비듐, 옥살산루비듐, 염화루비듐팔라듐, 팔티민산루비듐, 과염소산루비듐, 과요오드산루비듐, 과망간산루비듐, 퍼옥소이황산루비듐, 과황산루비듐, 인산이루비듐, 인산삼루비듐, 아인산이루비듐, 포스폰산이루비듐, 프탈산루비듐, 프탈이미드루비듐, 피크린산루비듐, 염화루비듐백금, 피롤린산루비듐, 필로황산루비듐, 필로아황산루비듐, 로디존산이루비듐, 아셀레산루비듐, 규산루비듐, 탄산루비듐나트륨, 타르타르산나트륨루비듐, 소르빈산루비듐, 주석산루비듐, 스테아린산루비듐, 숙신산루비듐, 황산루비듐, 황화루비듐, 아황산루비듐, p-술포벤조산루비듐, 텔루산루비듐, 아텔루산루비듐, 사붕산루비듐, 테트라클로로팔라듐산루비듐, 테트라클로로백금산루비듐, 테트라시아노니켈산루비듐, 테트라요오드수은루비듐, 사옥살산루비듐, 티오시안산루비듐, 티오황산루비듐, 불화티탄루비듐, 옥살산티탄루비듐, 트리클로로(에틸렌)백금산루비듐, 2,4,6-트리니트로파놀루비듐, 크산트겐산루비듐, 불화지르코늄루비듐 등의 루비듐 화합물;
아세트산세슘, 말레인산세슘, 옥살산세슘, 이타콘산세슘, 푸마르산세슘, 말론산세슘, 프탈산세슘, 타르타르산세슘, 숙신산세슘, 메사콘산세슘, 시트라콘산세슘, 말산세슘, 알루민산세슘, 황산알루미늄세슘, 시안화제1금세슘, 벤조산세슘, 중탄산세슘, 중요오드산세슘, 중옥살산세슘, 중프탈산세슘, 중황산세슘, 중아황산세 슘, 중타르타르산세슘, 붕산세슘, 수소화붕소세슘, 브롬산세슘, 브롬산세슘, 세슘-t-부톡시드, 탄산세슘, 염소산세슘, 염화세슘, 염화백금산세슘, 크롬산세슘, 시트르산세슘, 시안산세슘, 시클로헥산부티르산세슘, 이크롬산세슘, 이시아노은세슘, 시트르산이수소세슘, 인산이수소세슘, 2,5-디히드록시-1,4-벤젠술폰산세슘, 이황화세슘, 디티오탄산-O-에틸세슘, 에틸크산트산세슘, 에틸크산트겐산세슘, 페리시안화세슘, 페로시안화세슘, 포름산세슘, 글루콘산세슘, 시안화금세슘, 헥사클로로백금산세슘, 2,4-헥사디엔산세슘, 헥사플루오로인산세슘, 헥사플루오로규산세슘, 헥사플루오로지르코늄산세슘, 헥사히드록소안티몬산세슘, 수소화세슘, 탄산수소세슘, 시트르산수소이세슘, 요오드산수소세슘, 옥살산수소세슘, 인산수소이세슘, 프탈산수소세슘, 황산수소세슘, 아황산수소세슘, 타르타르산수소세슘, 하이드로퀴논-2,5-디술폰산이세슘, 수황화세슘, 수산화세슘, 차아염소산세슘, 젖산세슘, 라우린산세슘, 말산세슘, 메타붕산세슘, 메타화요오드산세슘, 메타인산세슘, 세슘메톡시드, 시안화세슘니켈, 질산세슘, 아질산세슘, 노나플루오로-1-부탄술폰산세슘, 올레인산세슘, 옥살산세슘, 염화세슘팔라듐, 팔티민산세슘, 과염소산세슘, 과요오드산세슘, 과망간산세슘, 퍼옥소이황산세슘, 과황산세슘, 인산이세슘, 인산삼세슘, 아인산이세슘, 포스폰산이세슘, 프탈산세슘, 프탈이미드세슘, 피크린산세슘, 염화세슘백금, 피롤린산세슘, 필로황산세슘, 필로아황산세슘, 로디존산이세슘, 아셀레산세슘, 규산세슘, 탄산세슘나트륨, 타르타르산나트륨세슘, 소르빈산세슘, 주석산세슘, 스테아린산세슘, 숙신산세슘, 황산세슘, 황화세슘, 아황산세슘, p-술포벤조산세슘, 텔루산세슘, 아텔루산세슘, 사붕산세슘, 테트라클로로팔라듐산세슘, 테트라클로로백 금산세슘, 테트라시아노니켈산세슘, 테트라요오드수은세슘, 사옥살산세슘, 티오시안산세슘, 티오황산세슘, 불화티탄세슘, 옥살산티탄세슘, 트리클로로(에틸렌)백금산세슘, 2,4,6-트리니트로파놀세슘, 크산트겐산세슘, 불화지르코늄세슘 등의 세슘 화합물;
아세트산마그네슘, 말레인산마그네슘, 옥살산마그네슘, 이타콘산마그네슘, 푸마르산마그네슘, 말론산마그네슘, 프탈산마그네슘, 타르타르산마그네슘, 숙신산마그네슘, 메사콘산마그네슘, 시트라콘산마그네슘, 말산마그네슘, 인산마그네슘암모늄, 황산마그네슘암모늄, 벤조산마그네슘, 브롬화마그네슘, 탄산수산화마그네슘, 염화마그네슘, 크롬산마그네슘, 마그네슘디에톡시드, 마그네슘디(메톡시에톡시드), 마그네슘디에톡시드, 헥사플루오로규산마그네슘, 인산수소마그네슘, 수산화마그네슘, 수산화수소마그네슘, 젖산마그네슘, 마그네슘메톡시드메틸카보네이트, 마그네슘메톡시드에톡시드, 탄산메틸마그네슘, 질산마그네슘, 올레인산마그네슘, 옥살산마그네슘, 산화마그네슘, 과염소산마그네슘, 인산마그네슘, 규소플루오르화마그네슘, 스테아린산마그네슘, 숙신산마그네슘, 황산마그네슘 등의 마그네슘 화합물;
아세트산베릴륨, 인산베릴륨암모늄, 황산베릴륨암모늄, 벤조산베릴륨, 브롬화베릴륨, 탄산수산화베릴륨, 염화베릴륨, 크롬산베릴륨, 베릴륨디에톡시드, 베릴륨디(메톡시에톡시드), 베릴륨디에톡시드, 헥사플루오로규산베릴륨, 인산수소베릴륨, 수산화베릴륨, 수산화수소베릴륨, 젖산베릴륨, 베릴륨메톡시드메틸카보네이트, 베릴륨메톡시드에톡시드, 탄산메틸베릴륨, 질산베릴륨, 올레인산베릴륨, 옥살산베릴륨, 산화베릴륨, 과염소산베릴륨, 인산베릴륨, 규소플루오르화베릴륨, 스테아린산베릴륨, 숙신산베릴륨, 황산베릴륨 등의 베릴륨 화합물;
아세트산칼슘, 말레인산칼슘, 옥살산칼슘, 이타콘산칼슘, 푸마르산칼슘, 말론산칼슘, 프탈산칼슘, 타르타르산칼슘, 숙신산칼슘, 메사콘산칼슘, 시트라콘산칼슘, 말산칼슘, 인산칼슘암모늄, 황산칼슘암모늄, 벤조산칼슘, 브롬화칼슘, 탄산수산화칼슘, 염화칼슘, 크롬산칼슘, 칼슘디에톡시드, 칼슘디(메톡시에톡시드), 칼슘디에톡시드, 헥사플루오로규산칼슘, 인산수소칼슘, 수산화칼슘, 수산화수소칼슘, 젖산칼슘, 칼슘메톡시드메틸카보네이트, 칼슘메톡시드에톡시드, 탄산메틸칼슘, 질산칼슘, 올레인산칼슘, 옥살산칼슘, 산화칼슘, 과염소산칼슘, 인산칼슘, 규소플루오로화칼슘, 스테아린산칼슘, 숙신산칼슘, 황산칼슘 등의 칼슘 화합물;
아세트산스트론튬, 말레인산스트론튬, 옥살산스트론튬, 이타콘산스트론튬, 푸마르산스트론튬, 말론산스트론튬, 프탈산스트론튬, 타르타르산스트론튬, 숙신산스트론튬, 메사콘산스트론튬, 시트라콘산스트론튬, 말산스트론튬, 인산스트론튬암모늄, 황산스트론튬암모늄, 벤조산스트론튬, 브롬화스트론튬, 탄산수산화스트론튬, 염화스트론튬, 크롬산스트론튬, 스트론튬디에톡시드, 스트론튬디(메톡시에톡시드), 스트론튬디에톡시드, 헥사플루오로규산스트론튬, 인산수소스트론튬, 수산화스트론튬, 수산화수소스트론튬, 젖산스트론튬, 스트론튬메톡시드메틸카보네이트, 스트론튬메톡시드에톡시드, 탄산메틸스트론튬, 질산스트론튬, 올레인산스트론튬, 옥살산스트론튬, 산화스트론튬, 과염소산스트론튬, 인산스트론튬, 규소플루오르화스트론튬, 스테아린산스트론튬, 숙신산스트론튬, 황산스트론튬 등의 스트론튬 화합물;
아세트산바륨, 말레인산바륨, 옥살산바륨, 이타콘산바륨, 푸마르산바륨, 말론산바륨, 프탈산바륨, 타르타르산바륨, 숙신산바륨, 메사콘산바륨, 시트라콘산바륨, 말산바륨, 인산바륨암모늄, 황산바륨암모늄, 벤조산바륨, 브롬화바륨, 탄산수산화바륨, 염화바륨, 크롬산바륨, 바륨디에톡시드, 바륨디(메톡시에톡시드), 바륨디에톡시드, 헥사플루오로규산바륨, 인산수소바륨, 수산화바륨, 수산화수소바륨, 젖산바륨, 바륨메톡시드메틸카보네이트, 바륨메톡시드에톡시드, 탄산메틸바륨, 질산바륨, 올레인산바륨, 옥살산바륨, 산화바륨, 과염소산바륨, 인산바륨, 규소플루오르화바륨, 스테아린산바륨, 숙신산바륨, 황산바륨 등의 바륨 화합물 등을 들 수 있다.
상기 금속 화합물 중, 특히 옥살산염, 말레인산염, 이타콘산염, 푸마르산염, 말론산염, 프탈산염, 타르타르산염, 숙신산염, 메사콘산염, 시트라콘산염, 말산염, 시트르산염, 아세트산염, 젖산염 등의 유기산염이 바람직하다.
막 형성용 조성물 중의 (B) 성분의 양은 (A) 성분 100 중량부 (완전 가수분해 축합물 환산)에 대하여 0.0001 내지 0.015 중량부이며, 보다 바람직하게는 0.0002 내지 0.01 중량부이다. (B) 성분의 함유량이 0.0001 중량부 미만이면 도포막의 단시간 소성이 곤란한 경우가 있으며 0.015 중량부를 초과하면 용액 도포의 균일성이 떨어질 경우가 있다.
이들 (B) 성분은 2종 이상을 동시에 사용할 수 있다.
(C)유기 용매
본 발명의 막 형성용 조성물은, (A) 성분과 (B) 성분을 통상 (C) 유기 용매에 용해 또는 분산하여 이루어진다.
상기 (C) 유기 용매로서는, 알코올계 용매, 케톤계 용매, 아미드계 용매, 에스테르계 용매 및 비양성자성 용매의 군에서 선택된 1종 이상을 들 수 있다.
여기에서, 알코올계 용매로서는 메탄올, 에탄올, n-프로판올, i-프로판올, n-부탄올, i-부탄올, sec-부탄올, t-부탄올, n-펜탄올, i-펜탄올, 2-메틸부탄올, sec-펜탄올, t-펜탄올, 3-메톡시부탄올, n-헥산올, 2-메틸펜탄올, sec-헥산올, 2-에틸부탄올, sec-헵탄올, 헵탄올-3, n-옥탄올, 2-에틸헥산올, sec-옥탄올, n-노닐알코올, 2,6-디메틸헵탄올-4, n-데칸올, sec-운데실알코올, 트리메틸노닐알코올, sec-테트라데실알코올, sec-헵타데실알코올, 페놀, 시클로헥산올, 메틸시클로헥산올, 3,3,5-트리메틸시클로헥산올, 벤질알코올, 디아세톤알코올 등의 모노알코올계 용매;
에틸렌글리콜, 1,2-프로필렌글리콜, 1,3-부틸렌글리콜, 펜탄디올-2,4, 2-메틸펜탄디올-2,4, 헥산디올-2,5, 헵탄디올-2,4, 2-에틸헥산디올-1,3, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 트리프로필렌글리콜 등의 다가 알코올계 용매;
에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 에틸렌글리콜 모노헥실에테르, 에틸렌글리콜 모노페닐에테르, 에틸렌글리콜 모노-2-에틸부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노헥실에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노프로 필에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노프로필에테르 등의 다가 알코올 부분 에테르계 용매 등을 들 수 있다.
이들 알코올계 용매는 1종 또는 2종 이상을 동시에 사용할 수도 있다.
케톤계 용매로서는, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸-n-프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 디에틸케톤, 메틸-i-부틸케톤, 메틸-n-펜틸케톤, 에틸-n-부틸케톤, 메틸-n-헥실케톤, 디-i-부틸케톤, 트리메틸노나논, 시클로헥사논, 2-헥사논, 메틸시클로헥사논, 2,4-펜탄디온, 아세토닐아세톤, 아세토페논, 펜촌 등 외에 아세틸아세톤, 2,4-헥산디온, 2,4-헵탄디온, 3,5-헵탄디온, 2,4-옥탄디온, 3,5-옥탄디온, 2,4-노난디온, 3,5-노난디온, 5-메틸-2,4-헥산디온, 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디온, 1,1,1,5,5,5-헥사플루오로-2,4-헵탄디온 등의 β-디케톤류 등을 들 수 있다.
이들 케톤계 용매는 1종 또는 2종 이상을 동시에 사용할 수도 있다.
아미드계 용매로서는 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-에틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-에틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N-메틸프로피온아미드, N-메틸피롤리돈, N-포르밀모르폴린, N-포르밀피페리딘, N-포르밀피롤리딘, N-아세틸모르폴린, N-아세틸피페리딘, N-아세틸피롤리딘 등을 들 수 있다.
이들 아미드계 용매는 1종 또는 2종 이상을 동시에 사용할 수도 있다.
에스테르계 용매로서는, 디에틸카보네이트, 탄산에틸렌, 탄산프로필렌, 탄산디에틸, 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, γ-부티로락톤, γ-발레로락톤, 아세트산 n-프로필, 아세트산 i-프로필, 아세트산 n-부틸, 아세트산 i-부틸, 아세트산 sec-부틸, 아세트산 n-펜틸, 아세트산 sec-펜틸, 아세트산 3-메톡시부틸, 아세트산 메틸펜틸, 아세트산 2-에틸부틸, 아세트산 2-에틸헥실, 아세트산 벤질, 아세트산 시클로헥실, 아세트산 메틸시클로헥실, 아세트산 n-노닐, 아세트아세트산메틸, 아세트아세트산에틸, 아세트산에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 아세트산에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 아세트산디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 아세트산디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 아세트산디에틸렌글리콜 모노-n-부틸에테르, 아세트산프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 아세트산프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 아세트산프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 아세트산프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 아세트산디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 아세트산디프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 디아세트산글리콜, 아세트산메톡시트리글리콜, 프로피온산 에틸, 프로피온산 n-부틸, 프로피온산 i-아밀, 옥살산 디에틸, 옥살산 디-n-부틸, 젖산 메틸, 젖산 에틸, 젖산 n-부틸, 젖산 n-아밀, 말론산 디에틸, 프탈산 디메틸, 프탈산 디에틸 등을 들 수 있다.
이들 에스테르계 용매는 1종 또는 2종 이상을 동시에 사용할 수도 있다.
비양성자성 용매로서는, 아세토니트릴, 디메틸술폭시드, N,N,N',N'-테트라에틸술파미드, 헥사메틸인산트리아미드, N-메틸모르포론, N-메틸피롤, N-에틸피롤, N-메틸-△3-피롤린, N-메틸피페리딘, N-에틸피페리딘, N,N-디메틸피페라진, N-메틸이미다졸, N-메틸-4-피페리돈, N-메틸-2-피페리돈, N-메틸-2-피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디메틸테트라히드로-2(1H)-피리미디논 등을 들 수 있다.
이들 유기 용매 중에서 특히 하기 화학식 4로 표시되는 유기 용매가 바람직하다.
R8O(CHCH3CH2O)eR9
식 중, R8 및 R9는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 CH3CO-에서 선택되는 1가의 유기기를 나타내고, e는 1 내지 2의 정수를 나타낸다.
상기 (C) 유기 용매는 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 막형성용 조성물은 (A) 성분을 구성하는 화합물 (1) 내지 (3)을 가수분해 및(또는) 축합할 때, 동일한 용매를 사용할 수 있다.
구체적으로는 화합물 (1) 내지 (3)을 용해시킨 용매 중에 물 또는 용매로 희석한 물을 단속적 또는 연속적으로 첨가한다. 이 때, 촉매는 용매 중에 미리 첨가해 둘 수도 있고, 물 첨가시에 수중에 용해 또는 분산시킬 수도 있다. 이 때의 반응 온도는 통상 0 내지 100 ℃, 바람직하게는 15 내지 90 ℃이다.
그 밖의 첨가제
본 발명에서 얻어지는 막 형성용 조성물에는, 또한 β-디케톤, 콜로이드형 실리카, 콜로이드형 알루미나, 유기 중합체, 계면활성제, 실란 커플링제, 라디칼 발생제, 트리아젠 화합물 등의 성분을 첨가할 수도 있다.
β-디케톤으로서는, 아세틸아세톤, 2,4-헥산디온, 2,4-헵탄디온, 3,5-헵탄디온, 2,4-옥탄디온, 3,5-옥탄디온, 2,4-노난디온, 3,5-노난디온, 5-메틸-2,4-헥산디온, 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디온, 1,1,1,5,5,5-헥사플루오로-2,4-헵탄디온 등을 들 수 있고, 보다 바람직하게는 아세틸아세톤, 2,4-헥산디온, 2,4-헵탄디온, 3,5-헵탄디온이다. 이들은 1종 또는 2종 이상을 동시에 사용할 수 있다.
콜로이드형 실리카란 예를 들면 고순도의 무수 규산을 상기 친수성 유기 용매에 분산한 분산액이고 통상 평균 입경이 5 내지 30 nm, 바람직하게는 10 내지 20 nm, 고형분 농도가 10 내지 40 중량% 정도인 것이다. 이러한 콜로이드형 실리카로서는 예를 들면 닛산 가가꾸 고교(주) 제조, 메탄올 실리카졸 및 이소프로판올실리카졸; 쇼쿠바이 가세이 고교(주) 제조, 오스칼 등을 들 수 있다.
콜로이드형 알루미나로서는 닛산 가가꾸 고교(주) 제조의 알루미나졸 520, 동 100, 동 200; 가와켄 화인 케미칼(주) 제조의 알루미나클리어졸, 알루미나졸 10, 동 132 등을 들 수 있다.
유기 중합체로서는, 예를 들면 당쇄 구조를 갖는 화합물, 비닐아미드계 중합체, (메트)아크릴계 중합체, 방향족 비닐 화합물, 덴드리머, 폴리이미드, 폴리아믹산, 폴리아릴렌, 폴리아미드, 폴리퀴녹살린, 폴리옥사디아졸, 불소계 중합체, 폴리알킬렌옥시드 구조를 갖는 화합물 등을 들 수 있다.
폴리알킬렌옥시드 구조를 갖는 화합물로서는, 폴리메틸렌옥시드 구조, 폴리에틸렌옥시드 구조, 폴리프로필렌옥시드 구조, 폴리테트라메틸렌옥시드 구조, 폴리 부틸렌옥시드 구조 등을 들 수 있다.
구체적으로는 폴리옥시메틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르, 폴리옥시에틸렌스테롤에테르, 폴리옥시에틸렌라놀린 유도체, 알킬페놀포르말린 축합물의 산화에틸렌 유도체, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌 블럭공중합체, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌알킬에테르 등의 에테르형 화합물, 폴리옥시에틸렌글리세린지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비탄지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비톨지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌지방산알칸올아미드황산염 등의 에테르에스테르형 화합물, 폴리에틸렌글리콜지방산에스테르, 에틸렌글리콜지방산에스테르, 지방산모노글리세리드, 폴리글리세린지방산에스테르, 소르비탄지방산에스테르, 프로필렌글리콜지방산에스테르, 저당지방산에스테르 등의 에테르에스테르형 화합물 등을 들 수 있다.
폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌 블럭공중합체로서는 하기와 같은 블럭 구조를 갖는 화합물을 들 수 있다.
-(X)j-(Y)k-
-(X)j-(Y)k-(X)1-
식 중, X는 -CH2CH2O-로 표시되는 기를 나타내고, Y는 -CH2CH(CH3 )O-로 표시되는 기를 나타내며, j는 1 내지 90, k은 10 내지 99, i는 0 내지 90의 수를 나타낸다.
이들 중에서, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌 블럭공중합체, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌글리세린지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비탄지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비톨지방산에스테르 등의 에테르형 화합물을 보다 바람직한 예로 들 수 있다.
이들은 1종 또는 2종 이상을 동시에 사용할 수 있다.
계면활성제로서는, 예를 들면 비이온계 계면활성제, 음이온계 계면활성제, 양이온계 계면활성제, 양성 계면활성제 등을 들 수 있으며, 또한 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제, 폴리알킬렌옥시드계 계면활성제, 폴리(메트)아크릴레이트계 계면활성제 등을 들 수 있고, 바람직하게는 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제를 들 수 있다.
불소계 계면활성제로서는, 예를 들면 1,1,2,2-테트라플루오로옥틸(1,1,2,2-테트라플루오로프로필)에테르, 1,1,2,2-테트라플루오로옥틸헥실에테르, 옥타에틸렌글리콜 디(1,1,2,2-테트라플루오로부틸)에테르, 헥사에틸렌글리콜(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로펜틸)에테르, 옥타프로필렌글리콜디(1,1,2,2-테트라플루오로부틸)에테르, 헥사프로필렌글리콜디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로펜틸)에테르, 퍼플루오로도데실술폰산나트륨, 1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-데카플루오로도데칸, 1,1,2,2,3,3-헥사플루오로데칸, N-[3-(퍼플루오로옥탄술폰아미드)프로필]-N,N'-디메틸-N-카르복시메틸렌암모늄베타인, 퍼플루오로알킬술폰아미드프로필트리메틸암모늄염, 퍼플루오로알킬-N-에틸술포닐글리신염, 인산 비스(N-퍼플루오로옥틸술포닐-N-에틸아미노에틸), 모노퍼플루오로알킬에틸인산에스테르 등의 말단, 주쇄 및 측쇄 중 한 군데 이상에 플루오로알킬 또는 플루오로알킬렌기를 갖는 화합물로 이루어지는 불소계 계면활성 제를 들 수 있다.
또한, 시판품으로서는 메가팩 F142D, F172, F173, F183 (이상, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주) 제조), 에프 톱 EF301, 303, 352 (신아끼다 가세이(주) 제조), 플루오라이드 FC-430, FC-431 (스미또모 스리엠(주) 제조), 아사히 가드 AG710, 서프론 S-382, SC-101, SC-102, SC-103, SC-104, SC-105, SC-106 (아사히 가라스(주) 제조), BM-1000, BM-1100 (유쇼(주) 제조), NBX-15 ((주)네오스) 등의 명칭으로 시판되고 있는 불소계 계면활성제를 들 수 있다. 이들 중에서도, 상기 메가팩 F172, BM-1000, BM-1100, NBX-15가 특히 바람직하다.
실리콘계 계면활성제로서는, 예를 들면 SH7PA, SH21PA, SH30PA, ST94PA (모두 도레이·다우 코닝·실리콘(주) 제조) 등을 사용할 수 있다. 이들 중에서도 상기 SH28PA, SH30PA가 특히 바람직하다.
계면활성제의 사용량은, (A) 성분 (완전 가수분해 축합물)에 대하여 통상 0.0001 내지 10 중량부이다
이들은 1종 또는 2종 이상을 동시에 사용할 수도 있다.
실란 커플링제로서는, 예를 들면 3-글리시딜옥시프로필 트리메톡시실란, 3-아미노글리시딜옥시프로필 트리에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필 트리메톡시실란, 3-글리시딜옥시프로필메틸 디메톡시실란, 1-메타크릴옥시프로필메틸 디메톡시실란, 3-아미노프로필 트리메톡시실란, 3-아미노프로필 트리에톡시실란, 2-아미노프로필 트리메톡시실란, 2-아미노프로필 트리에톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필 트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸 디메톡시실란, 3-우레이 드프로필 트리메톡시실란, 3-우레이드프로필 트리에톡시실란, N-에톡시카르보닐-3-아미노프로필 트리메톡시실란, N-에톡시카르보닐-3-아미노프로필 트리에톡시실란, N-트리에톡시실릴프로필 트리에틸렌트리아민, N-트리에톡시실릴프로필 트리에틸렌트리아민, 10-트리메톡시실릴-1,4,7-트리아자데칸, 10-트리에톡시실릴-1,4,7-트리아자데칸, 9-트리메톡시실릴-3,6-디아자노닐아세테이트, 9-트리에톡시실릴-3,6-디아자노닐아세테이트, N-벤질-3-아미노프로필 트리메톡시실란, N-벤질-3-아미노프로필 트리에톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필 트리메톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필 트리에톡시실란, N-비스(옥시에틸렌)-3-아미노프로필 트리메톡시실란, N-비스(옥시에틸렌)-3-아미노프로필 트리에톡시실란 등을 들 수 있다.
이들은 1종 또는 2종 이상을 동시에 사용할 수도 있다.
라디칼 발생제로서는, 예를 들면 이소부티릴퍼옥시드, α,α'-비스(네오데카노일퍼옥시)디이소프로필벤젠, 쿠밀퍼옥시네오데카노에이트, 디-n-프로필퍼옥시디카보네이트, 디이소프로필퍼옥시디카보네이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시네오데카노에이트, 비스(4-t-부틸시클로헥실)퍼옥시디카보네이트, 1-시클로헥실-1-메틸에틸퍼옥시네오데카노에이트, 디-2-에톡시에틸퍼옥시디카보네이트, 디(2-에틸헥실퍼옥시)디카보네이트, t-헥실퍼옥시네오데카노에이트, 디메톡시부틸퍼옥시디카보네이트, 디(3-메틸-3-메톡시부틸퍼옥시)디카보네이트, t-부틸퍼옥시네오데카노에이트, 2,4-디클로로벤조일퍼옥시드, t-헥실퍼옥시피발레이트, t-부틸퍼옥시피발레이트, 3,5,5-트리메틸헥사노일퍼옥시드, 옥타노일퍼옥시드, 라우로일퍼옥시드, 스테아로일퍼옥시드, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, 숙신퍼옥시 드, 2,5-디메틸-2,5-디(2-에틸헥사노일퍼옥시)헥산, 1-시클로헥실-1-메틸에틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-헥실퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, m-톨루오일 앤드 벤조일퍼옥시드, 벤조일퍼옥시드, t-부틸퍼옥시이소부틸레이트, 디-t-부틸퍼옥시-2-메틸시클로헥산, 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)시클로헥산, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)시클로헥산, 2,2-비스(4,4-디-t-부틸퍼옥시시클로헥실)프로판, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)시클로데칸, t-헥실퍼옥시이소프로필 모노카보네이트, t-부틸퍼옥시말레산, t-부틸퍼옥시-3,3,5-트리메틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시라우레이트, 2,5-디메틸-2,5-디(m-톨루오일퍼옥시)헥산, t-부틸퍼옥시이소프로필 모노카보네이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥실 모노카보네이트, t-헥실퍼옥시벤조에이트, 2,5-디메틸-2,5-디(벤조일퍼옥시)헥산, t-부틸퍼옥시아세테이트, 2,2-비스(t-부틸퍼옥시)부탄, t-부틸퍼옥시벤조에이트, n-부틸-4,4-비스(t-부틸퍼옥시)발레에이트, 디-t-부틸퍼옥시이소프탈레이트, α,α'-비스(t-부틸퍼옥시)디이소프로필벤젠, 디쿠밀퍼옥시드, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥산, t-부틸쿠밀퍼옥시드, 디-t-부틸퍼옥시드, p-멘탄히드로퍼옥시드, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥신-3, 디이소프로필벤젠히드로퍼옥시드, t-부틸트리메틸실릴퍼옥시드, 1,1,3,3-테트라메틸부틸히드로퍼옥시드, 쿠멘히드로퍼옥시드, t-헥실히드로퍼옥시드, t-부틸히드로퍼옥시드, 2,3-디메틸-2,3-디페닐부탄 등을 들 수 있다.
라디칼 발생제의 배합량은, 중합체 100 중량부에 대하여 0.1 내지 10 중량부가 바람직하다.
이들은 1종 또는 2종 이상을 동시에 사용할 수도 있다.
트리아젠 화합물로서는, 예를 들면 1,2-비스(3,3-디메틸트리아제닐)벤젠, 1,3-비스(3,3-디메틸트리아제닐)벤젠, 1,4-비스(3,3-디메틸트리아제닐)벤젠, 비스 (3,3-디메틸트리아제닐페닐)에테르, 비스(3,3-디메틸트리아제닐페닐)메탄, 비스 (3,3-디메틸트리아제닐페닐)술폰, 비스(3,3-디메틸트리아제닐페닐)술피드, 2,2-비스[4-(3,3-디메틸트리아제닐페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(3,3-디메틸트리아제닐페녹시)페닐]프로판, 1,3,5-트리스(3,3-디메틸트리아제닐)벤젠, 2,7-비스(3,3-디메틸트리아제닐)-9,9-비스[4-(3,3-디메틸트리아제닐)페닐]플루오렌, 2,7-비스(3,3-디메틸트리아제닐)-9,9-비스[3-메틸-4-(3,3-디메틸트리아제닐)페닐]플루오렌, 2,7-비스(3,3-디메틸트리아제닐)-9,9-비스[3-페닐-4-(3,3-디메틸트리아제닐)페닐]플루오렌, 2,7-비스(3,3-디메틸트리아제닐)-9,9-비스[3-프로페닐-4-(3,3-디메틸트리아제닐)페닐]플루오렌, 2,7-비스(3,3-디메틸트리아제닐)-9,9-비스[3-플루오로-4-(3,3-디메틸트리아제닐)페닐]플루오렌, 2,7-비스(3,3-디메틸트리아제닐)-9,9-비스[3,5-디플루오로-4-(3,3-디메틸트리아제닐)페닐]플루오렌, 2,7-비스(3,3-디메틸트리아제닐)-9,9-비스[3-트리플루오로메틸-4-(3,3-디메틸트리아제닐)페닐]플루오렌 등을 들 수 있다.
이들은 1종 또는 2종 이상을 동시에 사용할 수도 있다.
이와 같이 하여 얻어지는 본 발명 조성물의 전체 고형분 농도는 바람직하게는 2 내지 30 중량%이고, 사용 목적에 따라 적절히 조정된다. 조성물의 전체 고형분 농도가 2 내지 30 중량%이면, 도포막의 막 두께가 적당한 범위가 되고, 보존 안 정성도 보다 우수해진다.
또한, 이 전체 고형분 농도의 조정은, 필요에 따라 농축 및 상기 (D) 유기 용매에 의한 희석에 의해 행해진다.
본 발명의 조성물을 실리콘 웨이퍼, SiO2 웨이퍼, SiN 웨이퍼 등의 기재에 도포할 때에는, 스핀 코팅, 침지법, 롤 코팅법, 스프레이법 등의 도장 수단이 사용된다.
이 때의 막 두께는 건조막 두께로서 1회 도포에서 두께 0.05 내지 2.5 ㎛ 정도, 2회 도포에서 두께 0.1 내지 5.0 ㎛ 정도의 도포막을 형성할 수 있다. 그 후, 상온에서 건조하거나, 또는 80 내지 600 ℃ 정도의 온도에서 통상 5 내지 24O분 정도 가열하여 건조함으로써 유리질 또는 거대 고분자의 절연막을 형성할 수 있다.
이 때의 가열 방법으로서는 핫 플레이트, 오븐, 노 등을 사용할 수 있고, 가열 분위기로서는 대기 상태, 질소 분위기, 아르곤 분위기, 진공 상태, 산소 농도를 조절한 감압 상태 등에서 행할 수 있다.
또한, 전자선이나 자외선을 조사함으로써 도포막을 형성시킬 수도 있다.
또한, 상기 도포막의 경화 속도를 제어하기 위하여, 필요에 따라 단계적으로 가열하거나, 질소, 공기, 산소, 감압 등의 분위기를 선택할 수 있다.
또한, 본 발명의 실리카계 막의 비유전률은 통상 3.0 내지 1.2, 바람직하게는 3.0 내지 1.8, 더욱 바람직하게는 3.0 내지 2.0이다.
이렇게 하여 얻어지는 층간 절연막은, 단시간 소성이 가능하고, PCT 후의 균 열 내성이 우수한 것으로부터, LSI, 시스템 LSI, DRAM, SDRAM, RDRAM, D-RDRAM 등의 반도체 소자용 층간 절연막이나 에칭 스토퍼막, 반도체 소자의 표면 코트막 등의 보호막, 다층 레지스트를 사용한 반도체 제작 공정의 중간층, 다층 배선 기판의 층간 절연막, 액정 표시 소자용의 보호막이나 절연막 등의 용도에 유용하다.
<실시예>
이하, 본 발명을 실시예를 들어 더욱 구체적으로 설명한다. 단, 이하의 기재는 본 발명의 태양례를 개괄적으로 나타낸 것으로, 특별한 이유가 있는 것은 아니며, 이러한 기재에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
또한, 실시예 및 비교예 중의 "부" 및 "%"는 특별히 언급이 없는 한, 각각 "중량부" 및 "중량%"를 나타낸다.
또한, 각종 평가는, 다음과 같이 하여 행하였다.
중량 평균 분자량 (Mw)
하기 조건에 의한 겔 투과 크로마토그래피 (GPC)법에 의해 측정하였다.
시료: 테트라히드로푸란을 용매로서 사용하고, 가수분해 축합물 1 g을, 10O cc의 테트라히드로푸란에 용해하여 조제하였다.
표준 폴리스티렌: 미국 프레셔-케미컬사 제조의 표준 폴리스티렌을 사용하였다.
장치: 미국 워터즈사 제조의 고온 고속 겔 침투 크로마토그램 (모델 150-C ALC/GPC)
칼럼: 쇼와덴꼬(주) 제조의 SHODEX A-80M (길이 50 cm)
측정 온도 : 40 ℃
유속: 1 cc/분
비유전률
20.32 cm(8 인치) 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅법을 사용하여 조성물 시료를 도포하고, 핫 플레이트 상에서 90 ℃로 3분간, 질소 분위기 200 ℃에서 3분간 기판을 건조하고, 다시 420 ℃의 질소 분위기 핫 플레이트에서 8 분간 기판을 소성하였다. 얻어진 막에 대하여 증착법에 의해 알루미늄 전극 패턴을 형성시켜 비유전률 측정용 샘플을 제작하였다. 이 샘플을 주파수 100 kHz의 주파수에서 요꼬가와·휴렛팩커드(주) 제조의 HP16451B 전극 및 HP4284A 프레시젼 LCR 미터를 사용하여 CV 법에 의해 해당 도포막의 비유전률을 측정하였다.
PCT 후의 균열 내성
20.32 cm(8 인치) 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅법을 사용하여 조성물 시료를 도포하고, 핫 플레이트 상에서 90 ℃로 3분간, 질소 분위기 200 ℃에서 3분간 기판을 건조하고, 또한 420 ℃의 질소 분위기 핫 플레이트에서 8 분간 기판을 소성하였다. 이 때의 도포막의 막 두께는 1.5 ㎛으로 하였다. 얻어진 막에 대하여 100 ℃, 습도 100% RH, 2 기압의 조건으로 PCT를 1 시간 행하였다. 얻어진 도포막의 일부를 나이프로 상처를 내고, 순수한 물 중에 4 시간 침지하였다. 도포막 중의 나이프의 상처 흔적을 현미경으로 관찰하여 이하의 기준으로 평가하였다.
○: 균열의 전파가 확인되지 않는다.
×: 균열의 전파가 확인된다.
<합성예 1>
석영제 세퍼러블 플라스크 중에, 증류 메틸트리메톡시실란 77.04 g과 증류 테트라메톡시실란 24.05 g과 증류 테트라키스(아세틸아세토네이트)티탄 0.48 g을 증류 프로필렌글리콜모노프로필에테르 290 g에 용해시킨 후, 쓰리원 모터로 교반시키면서, 용액 온도를 60 ℃에 안정시켰다. 다음으로 이온교환수 84 g을 1 시간에 걸쳐 용액에 첨가하였다. 그 후, 60 ℃에서 2 시간 반응시킨 후, 증류 아세틸아세톤 25 g을 첨가하고 또한 30 분간 반응시킨 후, 반응액을 실온까지 냉각하였다. 50 ℃에서 반응액으로부터 메탄올과 물을 포함하는 용액을 149 g 증발하여 제거하여 반응액 (1)을 얻었다. 이와 같이 하여 얻어진 축합물 등의 중량 평균 분자량은 8,900이었다. 이 용액 중의 원소 주기표에 있어서의 IA족 금속 화합물과 IIA족 금속 화합물의 함유량을 원자 흡광법으로 측정하였더니, 1 ppb 이하 (원자 흡광법으로의 검출 한계 이하)이었다.
<합성예 2>
석영제 세퍼러블 플라스크 중에, 증류 메틸트리메톡시실란 205.50 g과 증류 테트라메톡시실란 85.51 g을, 증류 프로필렌글리콜모노에틸에테르 426 g에 용해시킨 후, 쓰리원 모터로 교반시키면서, 용액 온도를 60 ℃에 안정시켰다. 다음으로 무수 말레인산 0.013 g을 용해시킨 이온교환수 182 g을 1 시간에 걸쳐 용액에 첨가하였다. 그 후, 60 ℃에서 2 시간 반응시킨 후, 반응액을 실온까지 냉각하였다. 50 ℃에서 반응액으로부터 메탄올을 포함하는 용액을 360 g 증발하여 제거하여 반응액 (2)를 얻었다. 이와 같이 하여 얻어진 축합물 등의 중량 평균 분자량은 1,000이었다. 이 용액 중의 원소 주기표에 있어서의 IA족 금속 화합물과 IIA족 금속 화합물의 함유량을 원자 흡광법으로 측정하였더니, 1 ppb 이하 (원자 흡광법으로의 검출 한계 이하)이었다.
<합성예 3>
석영제 세퍼러블 플라스크에, 증류 에탄올 570 g과 이온교환수 160 g과 10 %의 디메틸아민의 이온교환수 용액 90 g을 넣고 균일하게 교반하였다. 이 용액에 증류 메틸트리메톡시실란 13.6 g과 증류테트라에톡시실란 20.9 g의 혼합물을 30분에 걸쳐 첨가하였다. 용액을 65 ℃로 유지한 채로, 2 시간 반응을 행하였다. 이 용액에 증류 프로필렌글리콜모노프로필에테르 3000 g를 첨가하고 그 후, 50 ℃에서 증발기를 사용하여 용액을 10 % (완전 가수분해 축합물 환산)가 될 때까지 농축하였다. 이 용액 10 % 말레인산의 증류 프로필렌글리콜 용액을 첨가하고 용액의 pH를 4로 함으로써 반응액 (3)을 얻었다. 이와 같이 하여 얻어진 축합물 등의 중량 평균 분자량은 993,000이었다. 이 용액 중의 원소 주기표에 있어서의 IA 족 금속 화합물과 IIA족 금속 화합물의 함유량을 원자 흡광법으로 측정하였더니 1 ppb 이하 (원자 흡광법에서의 검출 한계 이하)이었다.
<합성예 4>
석영제 세퍼러블 플라스크에, 증류 에탄올 470.9 g, 이온교환수 226.5 g과 25 %의 수산화테트라메틸암모늄 수용액 17.2 g을 넣고 균일하게 교반하였다. 이 용액에 메틸트리메톡시실란 44.9 g과 테트라에톡시실란 68.6 g의 혼합물을 첨가하였다. 용액을 58 ℃로 유지한 채로, 2 시간 반응을 행하였다. 이 용액에 20 %의 질산 수용액 50 g을 첨가하고 충분히 교반한 후, 실온까지 냉각시켰다. 이 용액에 프로필렌글리콜모노프로필에테르 400 g을 첨가하고 그 후, 50 ℃에서 증발기를 사용하여 용액을 10 % (완전 가수분해 축합물 환산)가 될 때까지 농축하였다. 이 용액 10 % 말레인산의 증류 프로필렌글리콜 용액을 첨가하고 용액의 pH를 3으로 함으로써 반응액 (4)을 얻었다. 이와 같이 하여 얻어진 축합물 등의 중량 평균 분자량은 902,000이었다. 이 용액 중의 원소 주기표에 있어서의 IA족 금속 화합물과 IIA족 금속 화합물의 함유량을 원자 흡광법으로 측정하였더니 1 ppb 이하 (원자 흡광법에서의 검출 한계 이하)이었다.
<합성예 5>
석영제 세퍼러블 플라스크에 증류 에탄올 470.9 g, 이온교환수 226.5 g, 25 % 수산화테트라메틸암모늄 수용액 17.2 g을 넣고, 균일하게 교반하였다. 이 용액에 메틸트리메톡시실란 44.9 g과 테트라에톡시실란 68.6 g의 혼합물을 2시간에 걸쳐 첨가하였다. 용액을 58 ℃로 유지한 채, 6시간 반응을 행하였다. 이 용액에 20 % 질산 수용액 50 g을 첨가하고, 충분히 교반한 후 실온까지 냉각하였다. 이 용액에 프로필렌글리콜모노프로필에테르 4O0 g을 첨가하고, 그 후 50 ℃에서 증발기를 사용하여 용액을 10 % (완전 가수분해 축합물 환산)가 될 때까지 농축하였다. 이 용액 10 % 말레인산의 증류 프로필렌글리콜 용액을 첨가하여, 용액의 pH를 3으로 하여 반응액 (5)를 얻었다. 이와 같이 하여 얻어진 축합물 등의 중량 평균 분자량은 802,000이었다. 이 용액 중의 원소 주기표에 있어서의 IA족 금속 화합물과 IIA 족 금속 화합물의 함유량을 원자 흡광법으로 측정하였더니 1 ppb 이하 (원자 흡광법에서의 검출 한계 이하)이었다.
<실시예 1>
합성예 1에서 얻어진 반응액 (1) 100 g에 젖산칼륨 0.0002 g을 용해시킨 이온교환수 0.1 g을 첨가하고 충분히 교반하였다. 이 용액을 0.2 ㎛ 공경의 테플론제 필터로 여과하여 본 발명의 막 형성용 조성물을 얻었다.
얻어진 조성물을 스핀 코팅법으로 실리콘 웨이퍼상에 도포하였다. 도포막의 비유전률은 2.62로 낮은 값이고, PCT 후의 도포막을 물에 침지하여도 균열의 전파는 확인되지 않았다.
<실시예 2 내지 9>
실시예 1에 있어서, 반응액 (1) 대신에 표 1에 나타내는 반응액을 사용하고 젖산칼륨 대신에 표 1에 나타내는 (B) 성분을 사용한 것 이외는 실시예 1과 동일한 평가를 하였다. 평가 결과를 표 1에 더불어 나타낸다.
실시예 (A) 성분 (B) 성분 비유전률 PCT 후의 균열 내성
1 반응액 (1) 100 g 젖산칼륨 0.0002 g 2.62 O
2 반응액 (1) 100 g 탄산루비듐 0.0002 g 2.63 O
3 반응액 (2) 100 g 옥살산세슘 0.0002 g 2.71 O
4 반응액 (2) 100 g 탄산마그네슘 0.0002 g 2.75 O
5 반응액 (1) 100 g 옥살산베릴륨 0.0002 g 2.65 O
6 반응액 (1) 100 g 탄산칼슘 0.0002 g 2.66 O
7 반응액 (3) 100 g 젖산스트론튬 0.0001 g 2.18 O
8 반응액 (3) 100 g 탄산바륨 0.0001 g 2.20 O
9 반응액 (3) 100 g 젖산칼륨 0.0002 g 2.15 O
10 반응액 (4) 100 g 말레인산칼륨 0.0001 g 2.16 O
11 반응액 (4) 100 g 숙신산칼륨 0.0002 g 2.17 O
12 반응액 (5) 100 g 말레인산칼륨 0.0002 g 2.10 O
13 반응액 (5) 100 g 젖산칼륨 0.0002 g 2.11 O
<비교예 1>
합성예 1에서 얻어진 반응액 (1)만을 사용한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 도포막의 평가를 하였다.
도포막의 비유전률은 3.16으로 높은 값이고, PCT 후의 도포막을 물에 침지하였더니 균열의 전파가 확인되었다.
<비교예 2>
합성예 1에서 얻어진 반응액 (2)만을 사용한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 도포막의 평가를 하였다.
도포막의 비유전률은 3.34로 높은 값이고, PCT 후의 도포막을 물에 침지하였더니 균열의 전파가 확인되었다.
<비교예 3>
합성예 1에서 얻어진 반응액 (1) 100 g에 아세트산아연 0.0002 g을 첨가한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 도포막의 평가를 하였다.
도포막의 비유전률은 3.12로 높은 값이고, PCT 후의 도포막을 물에 침지하였더니 균열의 전파가 확인되었다.
본 발명에 의하면 알콕시실란 가수분해 중합체에 특정한 금속 화합물을 첨가하므로써, 단시간 소성이 가능하고, PCT 후의 균열 내성이 우수한 막 형성용 조성물 (층간 절연막용 재료)를 제공하는 것이 가능하다.

Claims (20)

  1. (A) (A-1) 하기 화학식 1로 나타내는 화합물,
    (A-2) 하기 화학식 2로 나타내는 화합물, 및
    (A-3) 하기 화학식 3으로 나타내는 화합물의 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물을 가수분해, 축합하여 얻어지는 가수분해 축합물,
    (B) (A) 성분 100 중량부 (완전 가수분해 축합물 환산)에 대하여 0.0001 내지 0.015 중량부의 원소 주기표에서 IA족 금속 및 IIA족 금속의 화합물에서 선택되는 1종 이상의 화합물, 및
    (C) 유기 용매를 함유하는 것을 특징으로 하는 막 형성용 조성물.
    <화학식 1>
    RaSi(OR1)4-a
    식 중, R는 수소 원자, 불소 원자 또는 1가의 유기기이고, R1는 1가의 유기기이며, a는 1 내지 2의 정수를 나타낸다.
    <화학식 2>
    Si(OR2)4
    식 중, R2은 1가의 유기기를 나타낸다.
    <화학식 3>
    R3 b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6 c
    식 중, R3 내지 R6은 동일하거나 또는 상이하며 각각 1가의 유기기이고, b 내지 c는 동일하거나 또는 상이하며 0 내지 2의 정수이고, R7은 산소 원자, 페닐렌기 또는 -(CH2)n-로 나타내는 기 (여기서, n은 1 내지 6의 정수이다)이며, d는 0 또는 1을 나타낸다.
  2. 제1항에 있어서, (B) 성분이 칼륨, 루비듐, 세슘, 베릴륨, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬 및 바륨의 군에서 선택되는 1종 이상의 금속의 화합물인 것을 특징으로 하는 막 형성용 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 화합물이 유기산염인 것을 특징으로 하는 막 형성용 조성물.
  4. 삭제
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (A) 성분이 금속 킬레이트 화합물, 산 촉매 및 알칼리 촉매의 군에서 선택되는 1종 이상의 존재하에 가수분해된 것인 것을 특징으로 하는 막 형성용 조성물.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (C) 유기 용매가 하기 화학식 4로 표시되는 용매인 것을 특징으로 하는 막 형성용 조성물.
    <화학식 4>
    R8O(CHCH3CH2O)eR9
    식 중, R8 및 R9는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 CH3CO-에서 선택되는 1가의 유기기를 나타내며, e는 1 내지 2의 정수를 나타낸다.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 막 형성용 조성물을 기판에 도포하고 가열하는 것을 특징으로 하는 막의 형성 방법.
  8. 제7항에 기재된 막의 형성 방법에 의해서 얻어지는 실리카계 막.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제5항에 있어서, (C) 유기 용매가 하기 화학식 4로 표시되는 용매인 것을 특징으로 하는 막 형성용 조성물.
    <화학식 4>
    R8O(CHCH3CH2O)eR9
    식 중, R8 및 R9는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 CH3CO-에서 선택되는 1가의 유기기를 나타내며, e는 1 내지 2의 정수를 나타낸다.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제5항에 기재된 막 형성용 조성물을 기판에 도포하고 가열하는 것을 특징으로 하는 막의 형성 방법.
  15. 제6항에 기재된 막 형성용 조성물을 기판에 도포하고 가열하는 것을 특징으로 하는 막의 형성 방법.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 제11항에 기재된 막 형성용 조성물을 기판에 도포하고 가열하는 것을 특징으로 하는 막의 형성 방법.
  19. 삭제
  20. 제14항에 기재된 막의 형성 방법에 의해서 얻어지는 실리카계 막.
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