KR100703022B1 - 전기 광학 장치의 제조 방법 및 화상 형성 장치 - Google Patents

전기 광학 장치의 제조 방법 및 화상 형성 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 마이크로 렌즈의 형상이나 그 형성 위치의 편차를 회피하여, 발광 소자로부터 발광된 광의 취출 효율을 향상시키는 전기 광학 장치의 제조 방법 및 화상 형성 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
소자 기판(30)의 발광 소자 형성면에 화소(34)를 형성하고(스텝 S11), 그 화소(34) 위에 접착층(La1)을 형성하여 지지 기판(38)을 소자 기판(30)에 부착하였다(스텝 S12). 이어서, 화소(34) 및 지지 기판(38)을 구비한 소자 기판(30)의 연삭면(硏削面)을 연삭하여 부착면을 형성하고(스텝 S13), 시트 기판(39)의 렌즈 형성면(39a)에 마이크로 렌즈(40)를 형성하도록 하였다(스텝 S22). 그리고 소자 기판(30)의 부착면에 마이크로 렌즈(40)를 구비한 시트 기판(39)을 부착하도록 하였다.
감광층, 노광 헤드, 중간 전사 벨트, 소자 형성면, 유기 EL 소자, 화소

Description

전기 광학 장치의 제조 방법 및 화상 형성 장치{METHOD OF MANUFACTURING ELECTROOPTICAL DEVICE AND IMAGE FORMING DEVICE}
도 1은 본 발명을 구체화한 화상 형성 장치를 나타내는 개략 측단면도.
도 2는 본 발명을 구체화한 노광 헤드를 나타내는 개략 정단면도.
도 3은 본 발명을 구체화한 노광 헤드를 나타내는 개략 평면도.
도 4는 본 발명을 구체화한 노광 헤드를 나타내는 확대 단면도.
도 5는 본 발명을 구체화한 노광 헤드의 제조 방법을 설명하는 플로 차트.
도 6은 본 발명을 구체화한 노광 헤드의 제조 공정을 설명하는 설명도.
도 7은 본 발명을 구체화한 노광 헤드의 제조 공정을 설명하는 설명도.
도 8은 본 발명을 구체화한 노광 헤드의 제조 공정을 설명하는 설명도.
도 9는 본 발명을 구체화한 노광 헤드의 제조 공정을 설명하는 설명도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10 : 화상 형성 장치로서의 프린터
15 : 전사 매체로서의 중간 전사 벨트
16 : 상담지체로서의 감광 드럼
19 : 대전 수단으로서의 대전 롤러
20 : 노광 수단을 구성하는 전기 광학 장치로서의 유기 일렉트로루미네선스 어레이 노광 헤드
21 : 현상 수단으로서의 토너 카트리지
22 : 전사 수단을 구성하는 1차 전사 롤러
26 : 전사 수단을 구성하는 2차 전사 롤러
30 : 투명 기판으로서의 소자 기판
30a : 발광 소자 형성면
30b : 부착면
30c : 연삭면
33 : 발광 소자로서의 유기 일렉트로루미네선스 소자
39 : 시트 기판
39a : 렌즈 형성면
40 : 마이크로 렌즈
45 : 액적 토출 장치를 구성하는 액적 토출 헤드
OEL : 발광층으로서의 유기 일렉트로루미네선스층
Pa : 배면 전극으로서의 음극
T : 착색 입자로서의 토너
본 발명은 전기 광학 장치의 제조 방법 및 화상 형성 장치에 관한 것이다.
전자 사진 방식을 사용한 화상 형성 장치에는, 상담지체로서의 감광 드럼을 노광하여 잠상(潛像)을 형성하는 전기 광학 장치로서 노광 헤드가 이용되고 있다. 최근에는, 이 노광 헤드의 박형화(薄型化)와 경량화를 꾀하기 위해, 노광 헤드의 발광원으로서 유기 일렉트로루미네선스 소자(유기 EL 소자)를 사용하는 것이 제안되고 있다.
그 중에서도, 이 종류의 노광 헤드에서는 구성 재료의 선택 폭을 넓힐 수 있는 편리성으로부터, 투명 기판의 일측면(발광 소자 형성면) 상에 유기 EL 소자를 형성하여 유기 EL 소자의 발광된 광을 발광 소자 형성면과 서로 대향하는 타측면(광 취출면)으로부터 취출하는, 소위 보텀 에미션 구조가 채용되고 있다.
그러나, 보텀 에미션 구조에서는 광 취출면과 유기 EL 소자 사이에, 그 유기 EL 소자를 발광시키기 위한 각종 배선이나 용량 등이 형성된다. 이 때문에, 유기 EL 소자의 개구율이 저하되어, 광의 취출 효율을 저하시키는 문제가 있었다.
그래서, 이 종류의 노광 헤드에서는 광의 취출 효율을 향상시키기 위해서, 유기 EL 소자로부터 발광된 광을 집광하는 렌즈, 소위 마이크로 렌즈를 광 취출면 상에 설치하는 것이 제안되어 있다(특허문헌 1). 특허문헌 1에서는 유기 EL 소자와 서로 대향하는 광 취출면에 경화성 수지를 토출하고, 그 토출된 수지를 경화시킴으로써 마이크로 렌즈를 형성하고 있다.
[특허문헌 1] 일본국 특허 공개 2003-291404호 공보.
그러나, 상기한 노광 헤드에서는, 마이크로 렌즈가 발광 소자 형성면과 광 취출면 사이의 거리, 즉 투명 기판의 두께 정도만큼 유기 EL 소자로부터 이간(離間)한다. 그 때문에, 유기 EL 소자에 대한 마이크로 렌즈의 개구 각(유기 EL 소자의 중심 위치로부터 마이크로 렌즈의 지름에 대하여 뻗은 각도)이 투명 기판의 두께 정도만큼 작아져, 나아가서는 유기 EL 소자로부터 발광된 광의 광 취출 효율을 손상하는 문제를 초래하다.
이러한 문제는 투명 기판의 두께를 얇게 하고, 그 투명 기판에 유기 EL 소자와 마이크로 렌즈를 형성함으로써 경감할 수 있다고 생각된다. 그러나, 투명 기판의 두께를 얇게 하면, 그 기계적 강도가 부족하여 유기 EL 소자나 마이크로 렌즈를 형성할 때에, 투명 기판을 파손할 우려가 있다. 또한, 투명 기판의 광 취출면을 평활하게 하는 가공이 곤란하게 되어, 그 표면 거칠기(산술 평균 거칠기)의 열화에 따라 마이크로 렌즈의 형성 위치나 그 형상에 편차를 초래할 우려가 있다.
본 발명은 상기의 문제를 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 그 목적은 마이크로 렌즈의 형상이나 그 형성 위치의 편차를 회피하여, 발광 소자로부터 발광된 광의 취출 효율을 향상시킨 전기 광학 장치의 제조 방법 및 화상 형성 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 전기 광학 장치의 제조 방법은, 투명 기판의 발광 소자 형성면에 발광 소자를 형성하고, 상기 발광 소자로부터 발광된 광을 출사하는 마이크로 렌즈를 상기 투명 기판에 배열 설치하도록 한 전기 광학 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 투명 기판의 상기 발광 소자 형성면 측에 지지 기판을 부착한 후에, 상기 발 광 소자 형성면과 서로 대향하는 상기 투명 기판의 면을 상기 발광 소자 형성면 측으로 깎음으로써 부착면을 형성하고, 상기 마이크로 렌즈가 형성되는 렌즈 형성면과 서로 대향하는 시트 기판의 일측면을 상기 부착면에 부착하여, 상기 마이크로 렌즈를 상기 시트 기판을 통하여 상기 투명 기판에 배열 설치하도록 하였다.
본 발명의 전기 광학 장치의 제조 방법에 의하면, 발광 소자 형성면과 서로 대향하는 측의 면을 깎은 정도만큼 부착면을 발광 소자 형성면에 근접시킬 수 있다. 또한, 시트 기판의 렌즈 형성면에 마이크로 렌즈를 형성하는 정도만큼 깎은 부착면에 마이크로 렌즈를 형성하는 것보다도 그 형상이나 형성 위치의 편차를 회피할 수 있다. 따라서, 깎은 양을 시트 기판의 두께보다도 크게 한 정도만큼, 마이크로 렌즈의 형상이나 형성 위치의 편차를 회피하여, 상기 마이크로 렌즈의 개구 각을 크게 할 수 있어, 발광 소자로부터 발광된 광의 취출 효율을 향상시킨 전기 광학 장치를 제조할 수 있다.
이 전기 광학 장치의 제조 방법은, 상기 시트 기판의 상기 렌즈 형성면에 상기 마이크로 렌즈를 형성한 후에, 상기 시트 기판의 상기 일측면을 상기 부착면에 부착하여, 상기 마이크로 렌즈를 상기 투명 기판에 배열 설치하도록 하였다.
이 전기 광학 장치의 제조 방법에 의하면, 렌즈 형성면에 마이크로 렌즈를 형성한 시트 기판을 부착면에 부착하게 된다. 따라서, 마이크로 렌즈를 형성하기 위한 자외선 조사나 열처리 등, 각종 처리 공정에 의한 발광 소자의 손상을 회피할 수 있다.
이 전기 광학 장치의 제조 방법은, 상기 시트 기판의 상기 일측면을 상기 부 착면에 부착하고, 상기 렌즈 형성면에 형성한 복수의 상기 마이크로 렌즈를 각각 대응하는 상기 발광 소자와 대치하는 위치에 배열 설치하도록 하였다.
이 전기 광학 장치의 제조 방법에 의하면, 복수의 마이크로 렌즈가 대응하는 발광 소자와 서로 대향하는 위치에 배열 설치되기 때문에, 각 발광 소자로부터 발광된 광의 취출 효율을 확실하게 향상시킬 수 있다.
이 전기 광학 장치의 제조 방법은, 상기 투명 기판의 상기 일측면을 연삭(硏削)함으로써 상기 부착면을 형성하도록 하였다.
이 전기 광학 장치의 제조 방법에 의하면, 투명 기판의 일측면을 연삭하는 정도만큼 발광 소자 형성면과 부착면 사이의 거리를 짧게 할 수 있고, 발광 소자로부터 발광된 광의 취출 효율을 향상시키는 전기 광학 장치를 제조할 수 있다.
이 전기 광학 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 투명 기판의 상기 일측면을 에칭함으로써 상기 부착면을 형성하도록 하였다.
이 전기 광학 장치의 제조 방법에 의하면, 투명 기판의 일측면을 에칭하는 정도만큼 발광 소자 형성면과 부착면 사이의 거리를 짧게 할 수 있고, 발광 소자로부터 발광된 광의 취출 효율을 향상시키는 전기 광학 장치를 제조할 수 있다.
이 전기 광학 장치의 제조 방법에 있어서, 액적 토출 장치로부터 토출되는 기능액에 의해 상기 렌즈 형성면 상에 액적을 형성하고, 상기 액적을 경화함으로써 상기 마이크로 렌즈를 형성하도록 하였다.
이 전기 광학 장치의 제조 방법에 의하면, 액적 토출 장치의 토출되는 기능액에 의해 마이크로 렌즈를 형성하기 때문에, 투명 기판의 두께에 제약을 받지 않 는 마이크로 렌즈를 형성할 수 있고, 광의 취출 효율을 향상시킨 전기 광학 장치를 제조할 수 있다.
이 전기 광학 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 렌즈 형성면 상에 상기 발광 소자와 대치하는 위치에 반구면 형상의 액적을 형성하고, 상기 액적을 경화시킴으로써 볼록형 형상의 상기 마이크로 렌즈를 형성하도록 하였다.
이 전기 광학 장치의 제조 방법에 의하면, 마이크로 렌즈가 볼록 형상의 렌즈로 형성되기 때문에, 발광 소자로부터 발광된 광을 마이크로 렌즈에 의해 집광하는 효율을 향상시킬 수 있다. 그 결과, 광을 취출하여 집광하는 효율을 향상시킨 전기 광학 장치를 더 간편하게 제조할 수 있다.
이 전기 광학 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 발광 소자는 광취출 방향 측에 형성한 투명 전극과, 상기 투명 전극과 대향하여 형성한 배면 전극과, 상기 투명 전극과 상기 배면 전극 사이에 형성한 발광층을 구비한 일렉트로루미네선스 소자이다.
이 전기 광학 장치의 제조 방법에 의하면, 일렉트로루미네선스 소자로부터 발광된 광의 취출 효율을 향상시킨 전기 광학 장치를 제조할 수 있다.
이 전기 광학 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 발광층은 유기 재료로 형성되며, 상기 일렉트로루미네선스 소자는 유기 일렉트로루미네선스 소자이다.
이 전기 광학 장치의 제조 방법에 의하면, 유기 일렉트로루미네선스 소자로부터 발광된 광의 취출 효율을 향상시킨 전기 광학 장치를 제조할 수 있다.
본 발명의 화상 형성 장치는 상담지체의 외주면을 대전시키는 대전 수단과, 대전된 상기 상담지체의 외주면을 노광하여 잠상을 형성하는 노광 수단과, 상기 잠상에 대하여 착색 입자를 공급하여 현상(顯像)을 현상(現像)하는 현상 수단과, 상기 현상을 전사 매체에 전사하는 전사 수단을 구비한 화상 형성 장치에 있어서, 상기 노광 수단은 상기한 전기 광학 장치의 제조 방법에 의해 제조되는 전기 광학 장치를 구비하였다.
본 발명의 화상 형성 장치에 의하면, 대전된 상담지체를 노광하는 노광 수단이 상기 전기 광학 장치를 구비하게 된다. 따라서, 화상 형성 장치의 노광에서의 광의 취출 효율을 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명을 구체화한 1 실시예를 도 1∼도 9를 따라서 설명한다. 도 1은 화상 형성 장치로서의 전자 사진 방식 프린터를 나타내는 개략 측단면도이다.
(전자 사진 방식 프린터)
도 1에 나타낸 바와 같이, 전자 사진 방식 프린터(10)(이하, 간단히 프린터(10)라고 한다)는 박스 형상으로 형성된 케이스(11)를 구비하고 있다. 그 케이스(11) 내에는 구동 롤러(12), 종동 롤러(13) 및 텐션 롤러(14)가 설치되고, 각 롤러(12∼14)에 대하여 전사 매체로서의 중간 전사 벨트(15)가 팽팽하게 걸쳐 설치되어 있다. 그리고, 구동 롤러(12)의 회전에 의해, 중간 전사 벨트(15)는 도 1에서의 화살표 방향으로 순환 구동 가능하게 구비되어 있다.
중간 전사 벨트(15)의 윗쪽에는 4개의 상담지체로서의 감광 드럼(16)이, 중간 전사 벨트(15)의 설치 방향(부주사 방향(Y))으로 회전 가능하게 병설(倂設)되어 있다. 그 감광 드럼(16)의 외주면에는 광도전성을 갖는 감광층(16a)(도 4 참조)이 형성되어 있다. 감광층(16a)은 어둠 속에서 플러스 또는 마이너스의 전하를 대전시켜 소정 파장 영역으로 이루어지는 광을 조사하면, 조사된 부위의 전하가 소실하도록 되어 있다. 즉, 전자 사진 방식 프린터(10)는 이들 4개의 감광 드럼(16)으로 구성되는 탠덤식의 프린터이다.
각 감광 드럼(16)의 주위에는, 각각 대전 수단으로서의 대전 롤러(19), 노광 수단을 구성하는 전기 광학 장치로서의 유기 일렉트로루미네선스 어레이 노광 헤드(20)(이하, 간단히 노광 헤드(20)이라고 함), 현상 수단으로서의 토너 카트리지(21), 전사 수단을 구성하는 1차 전사 롤러(22) 및 클리닝 수단(23)이 배열 설치되어 있다.
대전 롤러(19)는 감광 드럼(16)에 밀착하는 반도전성의 고무 롤러이다. 이 대전 롤러(19)에 직류 전압을 인가하여 감광 드럼(16)을 회전시키면, 감광 드럼(16)의 감광층(16a)이 전체 둘레 면에 걸쳐 소정의 대전 전위로 대전하도록 되어 있다.
노광 헤드(20)는 소정 파장 영역의 광을 출사하는 광원으로서, 도 2에 나타낸 바와 같이, 긴 자 형상으로 형성되어 있다. 그 노광 헤드(20)는 그 길이 방향을 감광 드럼(16)의 축방향(도 1에서 지면(紙面)에 직교하는 방향:주주사 방향(X))과 평행하게 하여, 감광층(16a)으로부터 소정의 거리만큼 이간한 위치에 위치 결정되어 있다. 그리고, 노광 헤드(20)가 인쇄 데이터에 의거하는 광을 연직 방향(Z)(도 1 참조)으로 출사하여 감광 드럼(16)이 회전 방향(Ro)으로 회전하면, 감광층(16a)이 소정 파장 영역의 광에 노광된다. 그러면, 감광층(16a)은 노광된 부위( 노광 스폿)의 전하를 소실하여, 그 외주면에 정전적인 화상(정전잠상)을 형성한다. 또한, 이 노광 헤드(20)의 노광하는 광의 파장 영역은 감광층(16a)의 분광 감도와 정합(整合)한 파장 영역이다. 즉, 노광 헤드(20)의 노광하는 광의 발광 에너지의 피크 파장은, 상기 감광층(16a) 분광 감도의 피크 파장과 대략 일치하도록 되어 있다.
토너 카트리지(21)는 상자 형상으로 형성되고, 그 내부에 지름 10㎛ 정도의 착색 입자로서의 토너(T)를 수용한다. 또한, 본 실시예에서의 4개의 토너 카트리지(21)에는 각각 대응하는 4색(검정, 시안, 마젠타 및 옐로우)의 토너(T)가 수용되어 있다. 그 토너 카트리지(21)에는 감광 드럼(16) 측으로부터 순서대로, 현상 롤러(21a)와 공급 롤러(21b)가 구비되어 있다. 공급 롤러(21b)는 회전함으로써, 토너(T)를 현상 롤러(21a)까지 반송하도록 되어 있다. 현상 롤러(21a)는 공급 롤러(21b)와의 마찰 등에 의해, 상기 공급 롤러(21b)의 반송된 토너(T)를 대전시킴과 동시에, 대전된 토너(T)를 상기 현상 롤러(21a)의 외주면에 균일하게 부착하도록 되어 있다.
그리고, 감광 드럼(16)에 상기 대전 전위와 대략 같은 바이어스 전위를 인가한 상태에서, 공급 롤러(21b) 및 현상 롤러(21a)를 회전한다. 그러면, 감광 드럼(16)은 상기 노광 스폿과 현상 롤러(21a)(토너(T)) 사이에, 상기 바이어스 전위에 상대하는 정전 흡착력을 부여한다. 정전 흡착력을 받은 토너(T)는 상기 현상 롤러(21a)의 외주면으로부터 상기 노광 스폿으로 이동하여 흡착된다. 이에 의해, 각 감광 드럼(16)(각 감광층(16a))의 외주면에는 각각 정전잠상에 대응한 단색의 가시 상(可視像)(현상(顯像))이 형성된다(현상된다).
중간 전사 벨트(15)의 내측 면(15a)으로서 상기 각 감광 드럼(16)과 대치하는 위치에는, 각각 1차 전사 롤러(22)가 설치되어 있다. 1차 전사 롤러(22)는 도전성 롤러이며, 그 외주면이 중간 전사 벨트(15)의 내측면(15a)에 밀착하면서 회전한다. 이 1차 전사 롤러(22)에 직류 전압을 인가하여 감광 드럼(16) 및 중간 전사 벨트(15)를 회전하면, 감광층(16a)에 흡착된 토너(T)가 1차 전사 롤러(22) 측에의 정전 흡착력에 의해 중간 전사 벨트(15)의 외측면(15b)에 순차적으로 이동하여 흡착하도록 되어 있다. 즉, 1차 전사 롤러(22)는 감광 드럼(16)에 형성한 현상을 중간 전사 벨트(15)의 외측면(15b)에 1차 전사한다. 그리고 중간 전사 벨트(15)의 외측면(15b)은 각 감광 드럼(16)과 1차 전사 롤러(22)에 의해, 단색으로 이루어지는 현상의 1차 전사를 4회 반복하고, 이들 현상을 겹치게 함으로써 풀 컬러의 화상(토너 상)을 얻는다.
클리닝 수단(23)은 도시하지 않은 LED 등의 광원과 고무 블레이드를 구비하고, 상기 1차 전사 후의 감광층(16a)에 광을 조사하여 대전된 감광층(16a)을 제전(除電)하도록 되어 있다. 그리고, 클리닝 수단(23)은 제전된 감광층(16a)에 잔류하는 토너(T)를 고무 블레이드에 의해 기계적으로 제거한다.
중간 전사 벨트(15)의 하측에는 기록 용지(P)를 수용한 기록 용지 카세트(24)가 배열 설치되어 있다. 그 기록 용지 카세트(24)의 상측에는 기록 용지(P)를 중간 전사 벨트(15) 측에 급지하는 급지 롤러(25)가 설치되어 있다. 그 급지 롤러(25)의 상측이며 구동 롤러(12)와 서로 대향하는 위치에는, 전사 수단을 구성하는 2차 전사 롤러(26)가 배열 설치되어 있다. 2차 전사 롤러(26)는 상기 각 1차 전사 롤러(22)와 마찬가지로 도전성 롤러이며, 기록 용지(P)의 이면을 압압하여 상기 기록 용지(P)의 표면을 중간 전사 벨트(15)의 외측면(15b)에 접촉시키고 있다. 그리고, 이 2차 전사 롤러(26)에 직류 전압을 인가하여 중간 전사 벨트(15)를 회전하면, 중간 전사 벨트(15)의 외측면(15b)에 흡착된 토너(T)가 기록 용지(P)의 표면 상에 순차적으로 이동하여 흡착된다. 즉, 2차 전사 롤러(26)는 중간 전사 벨트(15)의 외측면(15b)에 형성된 토너 상을 기록 용지(P)의 표면 상에 2차 전사한다.
2차 전사 롤러(26)의 상측에는 열원을 내장하는 히트 롤러(27a)와 상기 히트 롤러(27a)를 압압하는 가압 롤러(27b)가 배열 설치되어 있다. 그리고 2차 전사 후의 기록 용지(P)가 히트 롤러(27a)와 가압 롤러(27b) 사이에 반송되면, 기록 용지(P) 상에 전사된 토너(T)가 가열에 의해 연화(軟化)되고, 기록 용지(P) 내에 침투하여 경화된다. 이것에 의해, 기록 용지(P)의 표면에 토너 상이 정착한다. 토너 상을 정착시킨 기록 용지(P)는 배지 롤러(28)에 의해 케이스(11)의 외측으로 배출되도록 되어 있다.
따라서, 프린터(10)는 대전된 감광층(16a)을 노광 헤드(20)에 의해 노광하여, 상기 감광층(16a)에 정전잠상을 형성한다. 다음에 프린터(10)는 감광층(16a)의 정전잠상을 현상하여 상기 감광층(16a)에 단색의 현상을 형성한다. 이어서, 프린터(10)는 감광층(16a)의 현상을 중간 전사 벨트(15) 상에 순차적으로 1차 전사하여, 상기 중간 전사 벨트(15) 상에 풀 컬러의 토너 상을 형성한다. 그리고, 프린터(10)는 중간 전사 벨트(15) 상의 토너 상을 기록 용지(P) 위에 2차 전사하고, 가 열 가압에 의해 토너 상을 정착시켜서 인쇄를 종료한다.
다음에, 상기 프린터(10)에 구비된 전기 광학 장치로서의 노광 헤드(20)에 대하여, 이하에서 설명한다. 도 2는 노광 헤드(20)를 나타내는 정단면도이다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 노광 헤드(20)에는 투명 기판으로서의 소자 기판(30)이 구비되어 있다. 소자 기판(30)은 긴 자 형상으로 형성된 무색 투명의 무알칼리 유리 기판이며, 그 길이 방향(도 2에서의 좌우 방향:주주사 방향(X))의 폭이 감광 드럼(16) 축방향의 폭과 대략 같은 크기로 형성되어 있다.
이 소자 기판(30)의 두께는, 후술하는 연삭 공정에 의해 균일한 두께를 얻을 수 있는 기판의 두께(연삭 후 두께(T1))로 형성되어 있다. 본 실시예에서는 그 연삭 후 두께(T1)를 50㎛로 하고 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.
그리고, 본 실시예에서는 그 소자 기판(30)에 대하여, 윗면(감광 드럼(16) 측과 반대인 면)을 발광 소자 형성면(30a)으로 하고, 후술하는 연삭 공정에 의해 형성되는 아랫면(감광 드럼(16) 측의 면)을 부착면(30b)으로 하고 있다.
우선, 소자 기판(30)의 발광 소자 형성면(30a) 측에 대하여, 이하에 설명한다. 도 3은 노광 헤드(20)를 부착면(30b) 측으로부터 본 평면도이다. 도 4는 도 3에 나타내는 일점 쇄선 A-A에 따른 개략적인 단면도이다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 소자 기판(30)의 발광 소자 형성면(30a) 상에는 복수의 화소 형성 영역(31)이 형성되어 있다. 각 화소 형성 영역(31)은 도 3에 나타낸 바와 같이, 지그재그 격자 형상의 2차원으로 배열되고, 각각 박막 트랜지스터(32)(이하, 단지 TFT(32)라고 함)와 발광 소자로서의 유기 일렉트로루미네선스 소 자(유기 EL 소자)(33)로 이루어지는 화소(34)를 갖고 있다. TFT(32)는 인쇄 데이터에 의거하여 생성된 데이터 신호에 의해 온 상태가 되고, 그 온 상태에 의거하여 유기 EL 소자(33)가 발광하도록 되어 있다.
도 4에 나타낸 바와 같이, TFT(32)는 그 최하층에 채널막(BC)을 구비하고 있다. 채널막(BC)은 발광 소자 형성면(30a) 상에 형성되는 지그재그 형상의 p형 폴리 실리콘막이며, 그 좌우 양측에는 도시하지 않은 활성화된 n형 영역(소스 영역 및 드레인 영역)이 형성되어 있다. 즉, TFT(32)는 소위 폴리 실리콘형 TFT이다.
채널막(BC)의 상측 중앙 위치에는 발광 소자 형성면(30a) 측으로부터 순차적으로, 게이트 절연막(D0), 게이트 전극(Pg) 및 게이트 배선(M1)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(D0)은 실리콘 산화막 등의 광 투과성을 갖는 절연막이며, 채널막(BC)의 상측 및 발광 소자 형성면(30a)의 대략 전체 면에 퇴적되어 있다. 게이트 전극(Pg)은 탄탈 등의 저저항 금속막이며, 채널막(BC)의 대략 중앙 위치와 서로 대향하는 위치에 형성되어 있다. 게이트 배선(M1)은 ITO 등의 광 투과성을 갖는 투명 도전막이며, 게이트 전극(Pg)과 도시하지 않은 데이터선 구동 회로를 전기적으로 접속하고 있다. 그리고, 데이터선 구동 회로가 게이트 배선(M1)을 통하여 게이트 전극(Pg)에 데이터 신호를 입력하면, TFT(32)는 그 데이터 신호에 의거한 온 상태가 된다.
채널막(BC)이며 상기 소스 영역 및 드레인 영역의 상측에는, 윗쪽으로 연장된 소스 콘택트(Sc) 및 드레인 콘택트(Dc)가 형성되어 있다. 각 콘택트(Sc, Dc)는 채널막(BC)과의 콘택트 저항을 낮게 하는 금속막으로 형성되어 있다. 그리고, 이 들 각 콘택트(Sc, Dc) 및 게이트 전극(Pg)(게이트 배선(M1))은 실리콘 산화막 등으로 이루어지는 제 1 층간 절연막(D1)에 의해 각각 전기적으로 절연되어 있다.
각 콘택트(Sc, Dc)의 상측에는 각각 알루미늄 등의 저저항 금속막으로 이루어지는 전원선(M2s) 및 양극선(M2d)이 형성되어 있다. 전원선(M2s)은 소스 콘택트(Sc)와 도시하지 않은 구동 전원을 전기적으로 접속하고 있다. 양극선(M2d)은 드레인 콘택트(Dc)와 유기 EL 소자(33)를 전기적으로 접속하고 있다. 이들 전원선(M2s) 및 양극선(M2d)은 실리콘 산화막 등으로 이루어지는 제 2 층간 절연막(D2)에 의해 전기적으로 절연되어 있다. 그리고, TFT(32)가 데이터 신호에 의거한 온 상태가 되면, 그 데이터 신호에 따른 구동 전류가 전원선(M2s)(구동 전원)으로부터 양극선(M2d)(유기 EL 소자(33))에 공급된다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 제 2 층간 절연막(D2)의 상측에는 유기 EL 소자(33)가 형성되어 있다. 그 유기 EL 소자(33)의 최하층에는 투명 전극으로서의 양극(Pc)이 형성되어 있다. 양극(Pc)은 ITO 등의 광 투과성을 가지는 투명 도전막이며, 그 일단이 양극선(M2d)에 접속되어 있다.
그 양극(Pc)의 상측에는 각 양극(Pc)을 서로 전기적으로 절연하는 실리콘 산화막 등의 제 3 층간 절연막(D3)이 퇴적되어 있다. 이 제 3 층간 절연막(D3)에는 양극(Pc)의 대략 중앙 위치를 상측에 개구하는 원형 구멍(위치 정합 구멍(D3h))이 형성되어 있다. 또한, 본 실시예에서는 그 위치 정합 구멍(D3h)의 지름을 정합 지름(R1)으로서 50㎛로 하지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.
그 제 3 층간 절연막(D3)의 상측에는 감광성 폴리이미드 등의 수지로 형성되 는 분리벽층(DB)이 퇴적되어 있다. 그 분리벽층(DB)에는 위치 정합 구멍(D3h)과 서로 대향하는 위치를 상측을 향해서 테이퍼 형상으로 개구하는 원뿔 구멍(DBh)이 형성되어 있다. 그리고, 이 원뿔 구멍(DBh)의 내주면에 의해 격벽(DBw)이 형성되어 있다.
양극(Pc)의 상측이며 위치 정합 구멍(D3h)의 내측에는, 고분자계의 유기 재료로 이루어지는 유기 일렉트로루미네선스층(유기 EL층)(OEL)이 형성되어 있다. 즉, 유기 EL층(OEL)은 위치 정합 구멍(D3h)의 지름(정합 지름(R1))과 같은 외형으로 형성되어 있다.
유기 EL층(OEL)은 정공 수송층과 발광층의 2층으로 이루어지는 유기 화합물층이며, 그 상측에는 알루미늄 등의 광 반사성을 갖는 금속막으로 이루어지는 배면 전극으로서의 음극(Pa)이 형성되어 있다. 음극(Pa)은 발광 소자 형성면(30a) 측의 대략 전체 면을 덮도록 형성되며, 각 화소(34)가 공유함으로써 각 유기 EL 소자(33)에 공통되는 전위를 공급하도록 되어 있다.
즉, 유기 EL 소자(33)는 이들 양극(Pc), 유기 EL층(OEL) 및 음극(Pa)에 의해 형성되는 유기 일렉트로루미네선스 소자(유기 EL 소자)이며, 그 발광한 광을 출사하는 면(유기 EL층(OEL))의 지름이 위치 정합 구멍(D3h)의 내경, 즉 정합 지름(R1)(50㎛)으로 형성되어 있다.
음극(Pa)의 상측에는, 접착층(La1)에 의해 음극(Pa)(소자 기판(30))에 접착되는 지지 기판(38)이 배열 설치되어 있다. 지지 기판(38)은 평면에서 볼 때, 소자 기판(30)과 같은 사이즈로 형성되는 무색 투명의 무알칼리 유리 기판이며, 그 두께가 도 2에 나타낸 바와 같이, 노광 헤드(20)의 기계적 강도를 얻기 위한 충분한 두께(지지 두께(T2))로 형성되어 있다. 또한, 본 실시예에서는 이 지지 기판(38)의 지지 두께(T2)를 5O0㎛로 하고 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.
그리고, 데이터 신호에 따른 구동 전류가 양극선(M2d)에 공급되면, 유기 EL층(OEL)은 그 구동 전류에 따른 휘도(輝度)로 발광한다. 이 경우, 유기 EL층(OEL)으로부터 음극(Pa) 측(도 4에서의 상측)을 향해서 발광된 광은, 상기 음극(Pa)에 의해 반사된다. 그 때문에, 유기 EL층(OEL)으로부터 발광된 광은 그 대부분이 양극(Pc), 제 2 층간 절연막(D2), 제 1 층간 절연막(D1), 게이트 절연막(D0) 및 소자 기판(30)을 투과하여 부착면(30b) 측(감광 드럼(16)측)에 조사된다.
다음에 소자 기판(30)의 부착면(30b) 측에 대해서, 이하에 설명한다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 소자 기판(30)의 부착면(30b)에는 접착층(La2)을 통하여 시트 기판(39)이 배열 설치되어 있다. 접착층(La2)은 자외선 경화성 수지 등으로 이루어지는 층이며, 부착면(30b)과 시트 기판(39)을 접착하고 있다. 시트 기판(39)은 표면 거칠기(산술 평균 거칠기(Ra))를 1㎛ 이하로 하는 폴리이미드 시트이며, 그 두께가 연삭 후 두께(T1)(50㎛)와 같은 두께(시트 두께(T3))로 형성되어 있다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 그 렌즈 형성면(39a)이며 각 유기 EL 소자(33)와 대치하는 위치에는, 각각 마이크로 렌즈(40)가 형성되어 있다. 마이크로 렌즈(40)는 상기 유기 EL층(OEL)으로부터 발광되는 광의 파장에 대하여 충분한 투과율을 가지는 반구면 형상의 광학 면을 구비한 볼록 형상의 렌즈이며, 도 4에 나타낸 바와 같이, 유기 EL 소자(33)(유기 EL층(OEL))의 중심 위치가 그 광축(A) 상에 위치하도록 형성되어 있다.
또한, 본 실시예에 있어서, 마이크로 렌즈(40)의 지름(개구경(R2))은 유기 EL층(OEL)의 지름(정합 지름(R1))의 2배의 크기, 즉 100㎛로 형성되어 있다. 이것에 의해, 마이크로 렌즈(40)는 그 주변부에서의 결상(結像) 성능을 열화시키지 않고, 유기 EL층(OEL)으로부터 발광된 광을 렌즈 형성면(39a) 측에 출사할 수 있게 되어 있다.
또한, 마이크로 렌즈(40)는 그 하측 곡면(출사면(40a))의 정점과 감광층(16a) 사이의 거리를 상(像)측 촛점 거리(Hf)로 해서, 유기 EL 소자(33)로부터 광축(A)을 따라 발광된 광선(평행 광선 다발(L1))의 광축(A)과의 교점(상측 초점(F))을 감광층(16a) 상에 위치하도록 되어 있다. 이것에 의해, 마이크로 렌즈(40)로부터 출사된 광은, 감광층(16a)에 원하는 사이즈의 노광 스폿을 형성할 수 있게 되어 있다.
그리고, 본 실시예에서는 유기 EL층(OEL)의 중심 위치로부터 마이크로 렌즈(40)의 지름에 대하여 뻗은 각도를 마이크로 렌즈(40)의 개구각(θ1)이라고 한다.
(노광 헤드의 제조 방법)
다음에, 노광 헤드(20)의 제조 방법에 대해서, 이하에 설명한다. 도 5는 노광 헤드(20)의 제조 방법을 설명하는 플로 차트이며, 도 6∼도 9는 상기 노광 헤드(20)의 제조 방법을 설명하는 설명도이다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 처음에 소자 기판(30)의 발광 소자 형성면(30a) 상에 화소(34)를 형성하는 화소 형성 공정을 행한다(스텝 S11).
이 경우, 소자 기판(30)의 두께는 후술하는 화소 형성 공정의 열처리나 플라스마 처리 등에 대하여 충분한 기계적 강도를 가지는 두께이며, 연삭 후 두께(T1)보다도 두꺼운 연삭 전 두께(TO)로 형성되어 있다. 또한, 본 실시예에서는 그 연삭 전 두께(TO)를 500㎛로 하지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 화소 형성 공정에서는, 우선 발광 소자 형성면(30a) 전체 면에 엑시머 레이저 등에 의해 결정화된 폴리 실리콘막을 형성하고, 그 폴리 실리콘막을 패터닝하여, 각 화소 형성 영역(31) 내에 채널막(BC)을 형성한다. 채널막(BC)을 형성하면, 그 채널막(BC) 및 발광 소자 형성면(30a)의 상측 전체 면에 실리콘 산화막 등으로 이루어지는 게이트 절연막(D0)을 형성하고, 그 게이트 절연막(D0)의 상측 전체 면에 탄탈 등의 저저항 금속막을 퇴적한다. 다음에, 그 저저항 금속막을 패터닝하고, 게이트 절연막(D0)의 상측에 게이트 전극(Pg)을 형성한다. 게이트 전극(Pg)을 형성하면, 그 게이트 전극(Pg)을 마스크로 한 이온 도핑법에 의해, 채널막(BC)에 n형 영역(소스 영역 및 드레인 영역)을 형성한다.
채널막(BC)에 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하면, 게이트 전극(Pg) 및 게이트 절연막(D0)의 상측 전체 면에 ITO 등의 광 투과성을 가지는 투명 도전막을 퇴적하고, 상기 투명 도전막을 패터닝함으로써 게이트 전극(Pg)의 상측에 게이트 배선(M1)을 형성한다. 게이트 배선(M1)을 형성하면, 게이트 배선(M1) 및 게이트 절연막(D0)의 상측 전체 면에 실리콘 산화막 등으로 이루어지는 제 1 층간 절연막(D1)을 형성하고, 그 제 1 층간 절연막(D1)이며 소스 영역 및 드레인 영역과 상대( 相對)하는 위치에 한 쌍의 컨택트 홀을 패터닝한다. 그리고, 컨택트 홀 내를 금속막으로 매립함으로써, 소스 콘택트(Sc) 및 드레인 콘택트(Dc)를 형성한다.
각 콘택트(Sc, Dc)를 형성하면, 각 콘택트(Sc, Dc) 및 제 1 층간 절연막(D1)의 상측 전체 면에 알루미늄 등의 금속막을 퇴적하고, 그 금속막을 패터닝함으로써 각 콘택트(Sc, Dc)에 접속하는 전원선(M2s) 및 양극선(M2d)을 형성한다. 다음에, 이들 전원선(M2s), 양극선(M2d) 및 제 1 층간 절연막(D1)의 상측 전체 면에 실리콘 산화막 등으로 이루어지는 제 2 층간 절연막(D2)을 퇴적하고, 그 제 2 층간 절연막(D2)이며 양극선(M2d)의 일부와 서로 대향하는 위치에 비어 홀을 형성한다. 이어서, 그 비어 홀 내와 제 2 층간 절연막(D2)의 상측 전체 면에, ITO 등의 광 투과성을 가지는 투명 도전막을 퇴적하고, 그 투명 도전막을 패터닝함으로써 양극선(M2d)과 접속하는 양극(Pc)을 형성한다.
양극(Pc)을 형성하면, 그 양극(Pc) 및 제 2 층간 절연막(D2)의 상측 전체 면에 실리콘 산화막 등으로 이루어지는 제 3 층간 절연막(D3)을 퇴적하고, 그 제 3 층간 절연막(D3)을 패터닝함으로써, 정합 지름(R1)을 가지는 위치 정합 구멍(D3h)을 형성한다. 위치 정합 구멍(D3h)를 형성하면, 그 위치 정합 구멍(D3h) 내 및 제 3 층간 절연막(D3)의 상측 전체 면에 광 경화성 수지를 도포하고, 그 광 경화성 수지를 패터닝함으로써, 격벽(DBw)(원뿔 구멍(DBh))을 가지는 분리벽층(DB)을 형성한다.
그리고, 잉크젯법 등에 의해 위치 정합 구멍(D3h)(원뿔 구멍(DBh)) 내에 정공 수송층의 구성 재료를 토출하고, 그 구성 재료를 건조 및 경화함으로써 정공 수 송층을 형성한다. 또한, 잉크젯법 등에 의해, 그 정공 수송층 상에 발광층의 구성 재료를 토출하고, 그 구성 재료를 건조 및 경화함으로써 발광층을 형성한다. 즉, 지름을 정합 지름(R1)으로 하는 유기 EL층(OEL)을 형성한다. 유기 EL층(OEL)을 형성하면, 그 유기 EL층(OEL) 및 제 3 층간 절연막(D3)의 상측 전체 면에 알루미늄 등의 금속막으로 이루어지는 음극(Pa)을 퇴적하고, 양극(Pc), 유기 EL층(OEL) 및 음극(Pa)으로 이루어지는 유기 EL 소자(33)을 형성한다. 이것에 의해, TFT(32) 및 유기 EL 소자(33)을 구비한 화소(34)를 형성한다.
이 사이, 소자 기판(30)은 각종 열처리나 플라스마 처리 등에 의해 기계적 부하를 받지만, 그 두께가 연삭 전 두께(T0)로 형성되기 때문에, 그 기계적 파손을 회피할 수 있다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 발광 소자 형성면(30a) 상에 화소(34)를 형성하면, 소자 기판(30)에 지지 기판(38)을 부착하는 지지 기판 부착 공정을 행한다(스텝 S12). 즉, 화소(34)(음극(Pa))의 상측 전체 면에 에폭시 수지 등으로 이루어지는 접착제를 도포해서 접착층(La1)을 형성하고, 그 접착층(La1)을 통하여 도 7에 나타낸 바와 같이, 두께가 지지 두께(T2)(500㎛)로 형성되는 지지 기판(38)을 소자 기판(30)에 부착한다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 소자 기판(30)에 지지 기판(38)을 설치하면, 소자 기판(30)을 연삭하는 연삭 공정을 행한다(스텝 13). 즉, 지지 기판(38)을 도시하지 않은 연삭 장치의 지지대 등에 의해 지지하고, 도 7에 나타낸 바와 같이, 소자 기판(30)의 일측면이며 발광 소자 형성면(30a)과 서로 대향하는 측의 면(연삭면 (30c))을 회전 숫돌 등에 의해 연삭한다.
그리고, 소자 기판(30)의 두께가 연삭 전 두께(T0)로부터 연삭 후 두께(T1)가 될 때까지 연삭하여, 발광 소자 형성면(30a)과 서로 대향하는 측의 면에 부착면(30b)(도 7에서의 2점 쇄선)을 형성한다.
이 사이, 소자 기판(30)은 회전 숫돌 등으로부터 기계적 부하를 받지만, 지지 두께(T2)로 이루어지는 지지 기판(38)에 의해 그 기계적 강도가 보상되어, 그 기계적 파손을 회피할 수 있다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 소자 기판(30)의 두께를 연삭 후 두께(T1)로 하면, 상기 시트 기판(39)에 대하여 액적을 토출하는 액적 토출 공정을 행한다(스텝 S21). 도 8은 액적 토출 공정을 설명하는 설명도이다. 우선, 액적을 토출하기 위한 액적 토출 장치의 구성에 관하여 설명한다.
이 액적 토출 공정에 있어서, 시트 기판(39)은 도 8에 나타낸 바와 같이, 그 일측면이며 렌즈 형성면(39a)과 서로 대향하는 측의 면이 도시하지 않은 접착층을 통하여 유지 기판(41)에 접착되어 있다. 그 접착층은 자외선을 조사함으로써 분해 제거되어, 시트 기판(39)을 유지 기판(41)으로부터 박리 가능하게 한다. 유지 기판(41)은 수지 등으로 이루어지는 가요성(可撓性)의 기판이며, 시트 기판(39)의 꺾여 구부러짐을 방지하는 두께(유지 두께(T4))로 형성되어 있다. 또한, 본 실시예에서는 그 유지 두께(T4)를 1mm로 하고 있다.
도 8에 나타낸 바와 같이, 액적 토출 장치를 구성하는 액적 토출 헤드(45)에는 노즐 플레이트(46)가 구비되어 있다. 그 노즐 플레이트(46)의 아랫면(노즐 형 성면(46a))에는, 기능액으로서의 자외선 경화성 수지(Pu)를 토출하는 다수의 노즐(N)이 윗쪽을 향하여 형성되어 있다. 각 노즐(N)의 상측에는 도시하지 않은 수용 탱크에 연통하여 자외선 경화성 수지(Pu)를 노즐(N) 내에 공급 가능하게 하는 공급실(47)이 형성되어 있다. 각 공급실(47)의 상측에는 상하 방향으로 왕복 진동하여 공급실(47) 내의 용적을 확대 축소하는 진동판(48)이 배열 설치되어 있다. 그 진동판(48)의 상측이며 각 공급실(47)과 서로 대향하는 위치에는, 각각 상하 방향으로 신축(伸縮)하여 진동판(48)을 진동시키는 압전 소자(49)가 설치되어 있다.
그리고, 액적 토출 장치에 반송되는 시트 기판(39)(유지 기판(41))은, 도 8에 나타낸 바와 같이, 그 렌즈 형성면(39a)이 노즐 형성면(46a)과 서로 대향하는 위치에 배치하도록 되어 있다. 게다가, 그 시트 기판(39)(유지 기판(41))은 렌즈 형성면(39a)을 노즐 형성면(46a)과 평행하게 하며, 또한 각 렌즈 형성 위치(39b)를 각각 노즐(N)의 중심 위치의 바로 아래에 위치 결정한다.
여기에서, 액적 토출 헤드(45)에 액적을 토출하기 위한 구동 신호를 입력하면, 상기 구동 신호에 의거하여 압전 소자(49)가 신축하여, 공급실(47)의 용적이 확대 축소된다. 이 때, 공급실(47)의 용적이 축소하면, 축소된 용적에 상대하는 양의 자외선 경화성 수지(Pu)가 각 노즐(N)로부터 미소 액적(Ds)으로서 토출된다. 토출된 각 미소 액적(Ds)은 각각 렌즈 형성면(39a)의 렌즈 형성 위치(39b)에 착탄한다. 이어서, 공급실(47)의 용적이 확대하면, 확대된 용적 분의 자외선 경화성 수지(Pu)가 도시하지 않은 수용 탱크로부터 공급실(47) 내에 공급된다. 즉, 액적 토출 헤드(45)는 이러한 공급실(47)의 확대 축소에 의해, 소정 용량의 자외선 경화 성 수지(Pu)를 렌즈 형성면(39a)을 향하여 토출한다. 렌즈 형성면(39a)에 착탄된 복수의 미소 액적(Ds)은, 도 8의 2점 쇄선으로 나타낸 바와 같이, 그 표면 장력 등에 의해 반구면 형상의 표면을 나타내는 액적(Dm)을 형성한다. 또한, 이 경우, 액적 토출 헤드(45)는 액적(Dm)의 지름이 마이크로 렌즈(40)의 개구 지름(R2)과 대략 같은 크기, 즉 1OO㎛가 될 정도만큼 미소 액적(Ds)을 토출한다.
그리고, 렌즈 형성면(39a)에 형성되는 각 액적(Dm)은 렌즈 형성면(39a)의 산술 평균 거칠기(Ra)가 1㎛ 이하로 형성될 정도만큼, 그 표면 형상(반구면)을 균일하게 한다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 렌즈 형성면(39a)에 액적(Dm)을 형성하면, 그 액적(Dm)을 경화해서 렌즈를 형성하는 렌즈 형성 공정을 행한다(스텝 S22). 즉, 액적(Dm) (렌즈 형성면(39a))에 자외선을 조사해서 액적(Dm)을 경화한다. 이것에 의해, 시트 기판(39)의 렌즈 형성 위치(39b)에 개구 지름(R2)을 가지는 마이크로 렌즈(40)를 형성한다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 시트 기판(39)에 마이크로 렌즈(40)를 형성하면, 그 시트 기판(39)을 유지 기판(41)으로부터 박리하는 박리 공정을 행한다(스텝 23). 즉, 상기 렌즈 형성 공정에서 시트 기판(39)에 자외선을 조사함으로써, 유지 기판(41)에 접착된 시트 기판(39)을 상기 유지 기판(41)으로부터 원활하게 박리 가능하게 된다. 그리고, 도시하지 않은 박리 장치에 의해, 마이크로 렌즈(40)를 구비한 시트 기판(39)을 유지 기판(41)으로부터 박리한다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 시트 기판(39)을 유지 기판(41)으로부터 박리하 면, 그 시트 기판(39)을 소자 기판(30)에 부착하는 시트 기판 부착 공정을 행한다(스텝 14). 즉, 도 9에 나타낸 바와 같이, 자외선 경화성 수지로 이루어지는 접착제를 부착면(30b) 상에 스퀴지(squeegee) 인쇄하여 접착층(La2)을 형성하고, 각 렌즈 형성 위치(39b)가 유기 EL층(OEL)의 중심 위치와 서로 대향하도록 시트 기판(39)을 부착한다. 그리고, 시트 기판(39)(접착층(La2))에 자외선을 조사해서 접착층(La2)을 경화시킨다.
이것에 의해, 발광 소자 형성면(30a)과 렌즈 형성면(39a) 사이의 거리(연삭 후 두께(T1)와 시트 두께(T3)의 합)가, 발광 소자 형성면(30a)과 연삭면(30c) 사이의 거리(연삭 전 두께(T0))보다도 작아지는 정도만큼, 즉 400㎛ 정도만큼 마이크로 렌즈(40)의 개구각(θ1)을 크게 할 수 있다. 따라서, 마이크로 렌즈(40)의 출사면(40a)으로부터 출사하는 광량을 증가시킬 수 있고, 유기 EL 소자(33)로부터 발광된 광의 취출 효율을 향상시킬 수 있다.
그리고, 시트 두께(T3)의 시트 기판(39)을 통하여, 연삭 후 두께(T1)(50㎛)의 소자 기판(30)에 개구 지름(R2)(100㎛)을 가지는 균일 형상의 마이크로 렌즈(40)를 설치한 노광 헤드(20)를 제조할 수 있다.
다음에, 상기한 바와 같이 구성된 본 실시예의 효과를, 이하에 기재한다.
(1) 본 실시예에 의하면, 화소(34) 및 지지 기판(38)을 구비한 소자 기판(30)의 연삭면(30c)을 연삭해서 부착면(30b)을 형성하고(스텝 S13), 시트 기판(39)의 렌즈 형성면(39a)에 마이크로 렌즈(40)를 형성하도록 하였다(스텝 S22). 그리고, 소자 기판(30)의 부착면(30b)에 마이크로 렌즈(40)를 구비한 시트 기판(39)을 부착하도록 하였다. 따라서, 소자 기판(30)을 연삭하는 정도만큼, 마이크로 렌즈(40)의 개구각(θ1)을 크게 할 수 있어, 유기 EL 소자(33)로부터 발광된 광의 취출 효율을 향상시킨 노광 헤드(20)를 제조할 수 있다.
(2) 게다가, 산술 평균 거칠기(Ra)가 1㎛ 이하로 형성되는 렌즈 형성면(39a)에 마이크로 렌즈(40)를 형성하기 때문에, 연삭하여 형성하는 부착면(30b) 상에 마이크로 렌즈(40)를 형성하는 경우에 비하여, 그 형상을 보다 균일하게 할 수 있다.
(3) 상기 실시예에서는 유지 기판(41)에 유지되는 렌즈 형성면(39a) 상에 액적(Dm)을 형성하고, 상기 액적(Dm)에 자외선을 조사함으로써 마이크로 렌즈(40)를 형성하도록 하였다. 따라서, 소자 기판(30)의 두께에 대한 제약을 받지 않는 마이크로 렌즈(40)를 형성할 수 있다. 그 결과, 소자 기판(30)의 연삭 후 두께(T1)를 연삭 공정의 가공 성능에 의거하여 설정할 수 있고, 노광 헤드(20)의 광의 취출 효율을 더 향상시킬 수 있다.
(4) 게다가, 소자 기판(30)에 자외선을 조사하지 않고 마이크로 렌즈(40)를 형성하기 때문에, 유기 EL 소자(33)의 자외선 조사 등에 의한 손상을 회피하여, 노광 헤드(20)의 광의 취출 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 실시예는 아래와 같이 변경하여도 좋다.
·상기 실시예에서는 시트 기판(39)에 마이크로 렌즈(40)를 형성한 후에(스텝 S22), 시트 기판(39)을 소자 기판(30)의 부착면(30b)에 부착하도록 하였다. 이것에 한정하지 않고, 소자 기판(30)의 부착면(30b)에 시트 기판(39)을 부착한 후에, 그 시트 기판(39)의 렌즈 형성면(39a)에 마이크로 렌즈(40)를 형성하도록 하여 도 좋다.
·상기 실시예에서는 소자 기판(30)을 기계적으로 연삭하여 그 두께를 연삭 후 두께(T1)로 하도록 하였다. 이에 한정하지 않고, 예를 들면 소자 기판(30)의 연삭면(30c)을 묽은 불산이나 묽은 불산과 불화 암모늄의 혼합 용액, 또는 염산과 초산의 혼합 용액 등에 침지하고 에칭하여 그 두께를 연삭 후 두께(T1)로 하여도 좋고, 연삭면(30c)을 발광 소자 형성면(30a) 측으로 깎는 방법이면 좋다. 또한, 이 경우 연삭 후 두께(T1)는 에칭 등에 의해 소자 기판(30)의 두께가 균일하게 되는 최소 두께로 하는 것이 바람직하다.
·상기 실시예에서는 연삭 공정에서 형성한 부착면(30b)에 자외선 경화성 수지(Pu)를 토출하여 액적(Dm)을 형성하도록 하였다. 이것에 더하여, 부착면(30b)의 표면에 발액 처리(예를 들면, 불소계의 플라스마 처리나 발액 재료의 도포 등)를 실시한 후에, 자외선 경화성 수지(Pu)를 토출하여 액적(Dm)을 형성하도록 하여도 좋다. 이것에 의하면, 미소 액적(Ds)을 젖어 퍼지게 하지 않고 반구면 형상의 표면을 나타내는 액적(Dm)을 간편하게 형성할 수 있다.
·상기 실시예에서는 투명 기판을 소자 기판(30)으로서 구체화했지만, 이것에 한정하지 않고, 예를 들면 폴리이미드 등의 플라스틱 기판이어도 좋고, 유기 EL층(OEL)으로부터 발광된 광을 투과하는 투명 기판이면 된다.
·상기 실시예에서는 시트 기판(39)을 폴리이미드 시트로서 구체화하였다. 이것에 한정하지 않고, 예를 들면 시트 기판(39)을 폴리스틸렌 시트로 형성하여도 좋고, 그 렌즈 형성면(39a)의 산술 평균 거칠기(Ra)가 부착면(30b)의 산술 평균 거 칠기(Ra)보다도 작은 시트 기판이면 된다.
·상기 실시예에서는 마이크로 렌즈(40)의 개구 지름(R2)을 유기 EL층(OEL)의 내경(정합 지름(R1))의 2배 크기로 형성하였다. 이것에 한정하지 않고, 예를 들면 개구 지름(R2)을 정합 지름(R1)과 같은 사이즈로 형성하여도 좋다. 즉, 개구 지름(R2)은 마이크로 렌즈(40)의 주변부에서의 결상 성능을 열화시키지 않고, 각 유기 EL층(OEL)에 대응하여 원하는 사이즈의 노광 스폿을 형성하는 것이면 된다.
·상기 실시예에서는 마이크로 렌즈(40)를 반구면 모양의 볼록 렌즈로 하였지만, 이것에 한정하지 않고, 반원주 형상 렌즈나 오목 렌즈로 하여 구체화하여도 좋다. 이것에 의하면, 유기 EL 소자(33)로부터 발광되는 광의 확산하는 효율을 더 향상시킬 수 있다.
·상기 실시예에서는 마이크로 렌즈(40)를 자외선 경화성 수지(Pu)에 의해 형성하는 구성으로 하였지만, 이것에 한정하지 않고, 예를 들면 열경화성 수지면 좋고, 렌즈 형성면(39a) 상에서 경화 가능한 기능액이면 된다.
·상기 실시예에서는 출사면(40a)의 정점과 감광층(16a) 사이의 거리를 상측 촛점 거리(Hf)로 하고, 유기 EL층(OEL)으로부터 발광된 광을 감광층(16a) 상에서 수속(收束)하도록 하였다. 이것에 한정하지 않고, 출사면(40a)의 정점과 감광층(16a) 사이의 거리는, 예를 들면 유기 EL층(OEL)의 등배(等倍) 상을 얻는 거리로 하여도 좋으며, 상측 촛점 거리(Hf) 등에 한정되는 것은 아니다.
·상기 실시예에서는 마이크로 렌즈(40)를 액적 토출 장치에 의해 형성하는 구성으로 하였다. 이것에 한정하지 않고, 마이크로 렌즈(40)를 형성하는 방법은, 예를 들면 레플리카(replica)법 등에 의해 형성한 마이크로 렌즈(40)를 렌즈 형성 위치(39b)에 설치하는 구성으로 하여도 좋다.
·상기 실시예에서는 유기 EL 소자(33)의 발광을 제어하는 TFT(32)를 화소(34)마다 1개 구비하는 구성으로 하였다. 이것에 한정하지 않고, 유기 EL 소자(33)의 발광을 제어하는 TFT(32)를 화소(34)마다 2개 이상 구비하는 구성으로 하여도 좋고, 또는 TFT(32)를 소자 기판(30)에 구비하지 않는 구성으로 하여도 좋다.
·상기 실시예에서는 유기 EL층(OEL)을 잉크 제트법에 의해 형성하는 구성으로 하였다. 이것에 한정하지 않고, 유기 EL층(OEL)의 형성 방법은, 예를 들면 스핀 코트법이나 진공 증착법 등이어도 좋으며, 잉크 제트법에 한정되는 것은 아니다.
·상기 실시예에서는 고분자계의 유기 재료에 의해 유기 EL층(OEL)을 형성하도록 했지만, 저분자계의 유기 재료여도 좋고, 또는 무기 재료로 형성하는 EL층이어도 좋다.
·상기 실시예에서는 전기 광학 장치를 노광 헤드(20)로서 구체화했지만, 이것에 한정하지 않고, 예를 들면 액정 패널에 장착되는 백라이트 등이어도 좋고, 또는 평면 형상의 전자 방출 소자를 구비하고, 상기 소자로부터 방출된 전자에 의한 형광 물질의 발광을 이용한 전계 효과형 디스플레이(FED나 SED 등)여도 좋다.
본 발명에 의하면, 마이크로 렌즈의 형상이나 그 형성 위치의 편차를 회피하여, 발광 소자로부터 발광된 광의 취출 효율을 향상시키는 전기 광학 장치의 제조 방법 및 화상 형성 장치를 제공할 수 있다.

Claims (10)

  1. 투명 기판의 발광 소자 형성면에 발광 소자를 형성하고, 상기 발광 소자로부터 발광된 광(光)을 출사하는 마이크로 렌즈를 상기 투명 기판에 배열 설치하도록 한 전기 광학 장치의 제조 방법에 있어서,
    상기 투명 기판의 상기 발광 소자 형성면 측에 지지 기판을 부착한 후에, 상기 발광 소자 형성면과 서로 대향하는 상기 투명 기판의 면을 상기 발광 소자 형성면 측으로 깎아냄으로써 부착면을 형성하고,
    상기 마이크로 렌즈가 형성되는 렌즈 형성면과 서로 대향하는 시트 기판의 일측면을 상기 부착면에 부착하여, 상기 마이크로 렌즈를 상기 시트 기판을 통하여 상기 투명 기판에 배열 설치하도록 한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 시트 기판의 상기 렌즈 형성면에 상기 마이크로 렌즈를 형성한 후에, 상기 시트 기판의 상기 일측면을 상기 부착면에 부착하여 상기 마이크로 렌즈를 상기 투명 기판에 배열 설치하도록 한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 시트 기판의 상기 일측면을 상기 부착면에 부착하여, 상기 렌즈 형성면에 형성된 복수의 상기 마이크로 렌즈를 각각 대응하는 상기 발광 소자와 대치하는 위치에 배열 설치하도록 한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 투명 기판의 상기 일측면을 연삭(硏削)함으로써, 상기 부착면을 형성하도록 한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 투명 기판의 상기 일측면을 에칭함으로써, 상기 부착면을 형성하도록 한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    액적(液滴) 토출 장치로부터 토출하는 기능액에 의해 상기 렌즈 형성면 상에 액적을 형성하고, 상기 액적을 경화함으로써 상기 마이크로 렌즈를 형성하도록 한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 렌즈 형성면 상으로서, 상기 발광 소자와 대치하는 위치에 반구면 형상의 상기 액적을 형성하고, 상기 액적을 경화함으로써 볼록 형상의 상기 마이크로 렌즈를 형성하도록 한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광 소자는 광취출 방향 측에 형성된 투명 전극과, 상기 투명 전극과 상대(相對)하여 형성된 배면 전극과, 상기 투명 전극과 상기 배면 전극 사이에 형성된 발광층을 구비한 일렉트로루미네선스 소자인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 발광층은 유기 재료로 형성되며, 상기 일렉트로루미네선스 소자는 유기 일렉트로루미네선스 소자인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
  10. 상담지체(像擔持體)의 외주면을 대전(帶電)시키는 대전 수단과, 대전된 상기 상담지체의 외주면을 노광하여 잠상(潛像)을 형성하는 노광 수단과, 상기 잠상에 대하여 착색 입자를 공급하여 현상(顯像)을 현상(現像)하는 현상 수단과, 상기 현상을 전사 매체에 전사하는 전사 수단을 구비한 화상 형성 장치에 있어서,
    상기 노광 수단은 제 1 항에 기재된 전기 광학 장치의 제조 방법에 의해 제조되는 전기 광학 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 화상 형성 장치.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101522737B (zh) * 2006-09-29 2012-06-20 旭化成电子材料株式会社 聚有机硅氧烷组合物
JP2008141026A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Sony Corp 電子機器及びその製造方法、並びに、発光ダイオード表示装置及びその製造方法
WO2008078652A1 (ja) * 2006-12-25 2008-07-03 National Institute For Materials Science 誘電体素子とその製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002033417A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Rohm Co Ltd 半導体装置
JP2004021221A (ja) * 2002-06-20 2004-01-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 光ファイバスペーサのスロット形状検出方法
JP2004071066A (ja) * 2002-08-07 2004-03-04 Renesas Technology Corp 半導体記憶装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5555476A (en) * 1993-08-30 1996-09-10 Toray Industries, Inc. Microlens array sheet for a liquid crystal display, method for attaching the same and liquid crystal display equipped with the same
US5498444A (en) * 1994-02-28 1996-03-12 Microfab Technologies, Inc. Method for producing micro-optical components
US6412971B1 (en) * 1998-01-02 2002-07-02 General Electric Company Light source including an array of light emitting semiconductor devices and control method
US6168965B1 (en) * 1999-08-12 2001-01-02 Tower Semiconductor Ltd. Method for making backside illuminated image sensor
JP2003202563A (ja) * 2002-01-09 2003-07-18 Alps Electric Co Ltd 液晶表示装置
US6573579B1 (en) * 2002-01-22 2003-06-03 Industrial Technology Research Institute Projector employing OEL image panels
US6876143B2 (en) * 2002-11-19 2005-04-05 John James Daniels Organic light active devices and methods for fabricating the same
ATE381441T1 (de) * 2002-03-11 2008-01-15 Seiko Epson Corp Optischer schreibkopf wie organische elektrolumineszente belichtungskopf-matrizen, verfahren zu dessen herstellung und bilderzeugungsvorrichtung, die diesen nutzt
US7456035B2 (en) * 2003-07-29 2008-11-25 Lumination Llc Flip chip light emitting diode devices having thinned or removed substrates
US7125734B2 (en) * 2005-03-09 2006-10-24 Gelcore, Llc Increased light extraction from a nitride LED

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002033417A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Rohm Co Ltd 半導体装置
JP2004021221A (ja) * 2002-06-20 2004-01-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 光ファイバスペーサのスロット形状検出方法
JP2004071066A (ja) * 2002-08-07 2004-03-04 Renesas Technology Corp 半導体記憶装置

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
한국공개특허 제2002-33417호
한국공개특허 제2004-21221호
한국공개특허 제2004-71066호

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