KR100661640B1 - 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 니켈 나이트라이트 헥사하이드라이트를 알코올에 녹인 촉매 용액을 실리콘 기판 상에 도포시킨 후, 촉매가 도포된 실리콘 기판과 텅스텐 옥사이드파우더와 탄소파우더의 혼합물을 동시에 사파이어 보트에 담아 불활성 가스를 주입시키면서 가열 및 실온에서 냉각시켜 고순도 고밀도의 탄소가 코팅된 실리콘 카바이드 나노선을 제조하기 위한 것으로, 이를 위한 본 발명은, 실리콘 기판을 니켈 나이트라이트 헥사하이드라이트((Ni(NO3)2)·6H2O)를 알코올에 용해시킨 촉매 용액에 담지시킨 후 건조시키는 과정으로 실리콘 기판에 촉매 용액을 도포하는 제1과정과, 도포된 실리콘 기판을 텅스텐 옥사이드파우더와 탄소 파우더의 혼합물과 함께 튜브형 전기화로인 오븐에 담는 제2과정과, 튜브형 전기화로인 오븐에 아르곤 가스를 주입하는 제3과정과, 튜브형 전기화로인 오븐을 기설정된 온도까지 일정 시간 동안 가열 공정을 수행하여 실리콘 기판 상에 목표로 하는 나노선을 형성하는 제4과정을 포함한다. 따라서, 추가적인 장치나 조작이 필요하지 않고 단순한 가열만을 통해서 고순도, 고밀도의 탄소 코팅된 실리콘 카바이드 나노선을 제조할 수 있으며, 이렇게 제조된 탄소 코팅된 실리콘 카바이드 나노선을 전계 방출 물질로서 디스플레이 소자의 분야에 이용할 수 있는 효과가 있다.

Description

실리콘 카바이드 나노선의 제조방법{PROCESS FOR THE GROWTH IN SiC NANOWIRES DIRECTLY FROM NiO/SI}

도 1은 본 발명에 따른 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법을 위한 튜브형 전기화로의 대략도이고,

도 2는 본 발명에 따른 실리콘 카바이드 나노선의 표면에 나노선의 분포가 균일하게 나타난 것을 도시한 도면이며,

도 3은 본 발명에 따른 실리콘 기판 상에 위치한 나노선을 집게로 살짝 긁어내어 얻은 사진이며,

도 4는 본 발명에 따른 EDS(Energy Dispersive x-ray Spectrometer, X-선 미량 분석기)로 성분을 분석한 결과를 나타낸 도면이며,

도 5는 본 발명에 따른 나노선을 TEM으로 분석한 결과를 도시한 도면이며,

도 6은 본 발명에 따른 SAED(Selected Area Electron Diffraction, 제한시야전자회절)를 통해서 제조된 나노선의 중심이 입방체 단결정 구조를 갖고 있음을 확인한 도면이며,

도 7은 본 발명에 따른 실리콘 기판 상에 제조된 나노선의 XRD(X-ray Diffractometer, X-선 회절 분석기)를 이용하여 분석한 결과 그래프를 나타낸 도면이며,

도 8은 본 발명에 따른 실리콘 기판 상에 제조된 나노선을 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)를 이용하여 분석한 결과 그래프를 나타낸 도면이며,

도 9는 본 발명에 따른 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법에 대하여 보다 상세하게 설명한 도면이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

101 : 튜브형 전기화로 102-1, 102-2 : 석영관

103 : 사파이어 보트 104 : 아르곤 가스

104-1 : 주입관 105-1 : 배출관

본 발명은 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법에 관한 것으로, 특히 탄소가 코딩된 실리콘 카바이드 나노선을 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.

통상적으로, 탄소나노튜브의 구조에 대하여 보고(S. Iijima. Nature(London) 1991, 354, 56)된 이후, 적어도 한 차원이 100㎚ 이하를 갖는 구조로 정의되는 나노구조를 합성 및 이용하는 방법에 대하여 연구되어 왔다. 단일성분 반도체(Si, Ge, B), III-V 족 화합물 반도체(GaN, GaAs, GaP, InP, InAs), II-VI 족 화합물 반도체(ZnS, ZnSe, CdS, CdSe), 산화물(ZnO, MgO, SiO2) 등의 무기 재료로부터 나노구조를 얻는 연구가 진행되어 왔다((J. Westwater, D. P. Gosain, S. Tomiya, S. Usui, J. Vac. Sci. Technol. 1997, B15, 554.), (J. Zhang, X. S. Peng, X. F. Wang, Y. W. Wang, L. D. Zhang, Chem. Phys. Lett. 2001, 345, 372.), (Y. W. Wang, G. W. Meng, L. D. Zhang, C. H. Liang, J. Zhang, Chem. Mater. 2002, 14, 1773.), (X. C. Wu, W. H. Song, K. Y. Wang, T. Hu, B. Zhao, Y. P. Sun, J. J. Du, Chem. Phys. Lett. 2001, 336, 53.)).

이들 물질 중, 실리카바이드는 전기적, 기계적 특성 및 전계 방출 특성이 우수하여 연구자들의 관심의 대상이 되어왔다((E. W. Wong, P. E. Sheehan, C. M. Lieber, Science 1997, 277, 1971.), (A. Fissel, B. Schroter, W. Richter, Appl. Phys. Lett. 1995, 66, 3182.), (Z. S. Wu, S. Z. Deng, N. S. Xu, Jian Chen, J. Zhou, Jun Chen, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 3829.).

그리고, 1995년 탄소나노튜브를 형틀로 하여 처음으로 실리콘 카바이드 나노선이 합성된 이후(H. J. Dai, E. W. Wong, Y. Z. Lu, S. S. Fan, C. M. Lieber, Nature(London), 1995, 375, 769.), 실리콘 카바이드 나노선의 합성에 대하여 여러 방법들이 보고되었다.

먼저 실리콘 카바이드 타깃의 레이저 에블레이션에 의해 900℃에서 합성되었다(W. Shi, Y. Zheng, H. Peng, N. Wang, C. S. Lee, S. T. Lee, J. Am. Chem. Soc. 2000, 83, 3228.).

다음으로, 비정질 산화막 층이 있는 SiC 나노막대와 비정질 산화막 층이 없는 SiC 나노막대는 각각 1800℃와 1650℃에서 탄소 나노입자를 포함하는 sol-gel-derived silica xerogels의 열탄소 환원법에 의해 얻어졌다(G. W. Meng, L. D. Zhang, C. M. Mo, Y. Qin, J. Mater. Res. 1998, 13, 2533.).

다음으로, 활성화된 탄소와 철 나노입자가 들어간 sol-gel-derived silica의 혼합물로부터도 생성되었으며(C. H. Liang, G. W. Meng, L. D. Zhang, Z. Cui, Chem. Phys. Lett. 2000, 329, 323.), 화학기상 증착법을 이용하여 실리콘 산화막이 덮인 나사선 구조의 단결정 실리콘 카바이드 나노선이 합성되었다(H. F. Zhang, C. M. Wang, S. L. Wang, Nano Lett. 2002, 2, 941.).

다음으로, 실리콘 카바이드 나노선을 얻기 위해서 탄소나노튜브와 SiO의 반응을 통하여 얻는 방법도 보고되었으며(Z. Pan, H. L. Lai, C. S. Lee, S. T. Lee, Adv. Mater. 2000, 12, 1186.), 1100℃에서 메탄-수소 혼합기체와 촉매반응에 의하여 실리콘 기판 위에서 직접 합성되기도 하였다(H. Y. Kim, J. Park, H. Yang, Chem. Commun. 2003, 256.).

다음으로, 합성된 나노선에 전계 방출 효과를 높이기 위하여 실리콘 나노선이나 나노팁 등에 탄소를 코팅하는 경우가 보고되었다(J. Liu, V. V. Zhirnov, A. F. Myers, G. J. Wojak, W. B. Choi, J. J. Hren, S. D. Wolter, M. T. McClure, B. R. Stoner, J. T. Glass, J. Vac. Sci. Technol. 1995, B 13, 442.), (V. V. Zhirnov, A. B. Voronin, E. I. Givargizov, A. L. Meshcheryakova, J. Vac. Sci. Technol. 1996, B 14, 2034.).

이러한 방법들은 탄소 코팅된 실리콘 카바이드 나노선의 합성을 위해서 실리콘 소스를 주입시켜주거나, 혹은 탄소의 소스를 주입시켜 실리콘 카바이드 나노선을 합성한 후, 다시 탄소막을 성장시켜야 하는 것과 같이, 그 제조 과정이 복잡하다는 문제점을 갖는다.

이에, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 그 목적은 니켈 나이트라이트 헥사하이드라이트를 알코올에 녹인 촉매 용액을 실리콘 기판 상에 도포시킨 후, 촉매가 도포된 실리콘 기판과 텅스텐 옥사이드파우더와 탄소파우더의 혼합물을 동시에 사파이어 보트에 담아 불활성 가스를 주입시키면서 가열 및 실온에서 냉각시켜 고순도 고밀도의 탄소가 코팅된 실리콘 카바이드 나노선을 제조할 수 있는 그 방법을 제공함에 있다.

이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명에서 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법은 실리콘 기판을 니켈 나이트라이트 헥사하이드라이트((Ni(NO3)2)·6H2O)를 알코올에 용해시킨 촉매 용액에 담지시킨 후 건조시키는 과정으로 실리콘 기판에 촉매 용액을 도포하는 제1과정과, 도포된 실리콘 기판을 텅스텐 옥사이드파우더와 탄소 파우더의 혼합물과 함께 튜브형 전기화로인 오븐에 담는 제2과정과, 튜브형 전기화로인 오븐에 아르곤 가스를 주입하는 제3과정과, 튜브형 전기화로인 오븐을 기설정된 온도까지 일정 시간 동안 가열 공정을 수행하여 실리콘 기판 상에 목표로 하는 나노선을 형성하는 제4과정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

이하, 본 발명의 실시 예는 다수개가 존재할 수 있으며, 이하에서 첨부한 도면을 참조하여 바람직한 실시 예에 대하여 상세히 설명하기로 한다. 이 기술 분야의 숙련자라면 이 실시 예를 통해 본 발명의 목적, 특징 및 이점들을 잘 이해하게 될 것이다.

도 1은 본 발명에 따른 실리콘 카바이드 나노선을 제조하기 위한 튜브형 전기화로의 대략도로서, 아르곤 가스(104)를 가스 주입 방향(S1)으로 주입하는 주입 관(104-1)과, 주입관(104-1)과 튜브형 전기화로(101)에 연결되어 아르곤 가스(104)의 흐름을 통과시키는 석영관(102-1)과, 아르곤 가스(104)를 가스 배출 방향(S2)으로 배출하는 배출관(105-1)과, 배출관(105-1)과 튜브형 전기화로(101)에 연결되어 아르곤 가스(104)의 흐름을 통과시키는 석영관(102-2)과, 석영관(102-1, 102-02) 양쪽 내측에 연결되어 내부적으로 사파이어 보트(103)를 구비하며, 아르곤 가스(104)의 흐름 제어와, 일정 온도로 가열 제어하는 튜브형 전기화로(101)로 이루어져 있다.

도 9의 흐름도를 참조하면서, 상술한 구성을 바탕으로, 본 발명에 따른 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법에 대하여 보다 상세하게 설명한다.

먼저, 합성에 필요한 임의의 크기(예로, 5×3㎠)의 실리콘 기판을 나노선 합성에 필요한 입자를 생성시키기 위하여 촉매 용액에 담지시킨 후 건조시키는 방법으로 도포한다(단계 901). 여기서, 촉매 용액(예로, 0.02M)은 니켈 나이트라이트 헥사하이드라이트((Ni(NO3)2)·6H2O)(예로, 0.5612ｇ)를 알코올(예로, 휘발성이 좋은 에탄올, 혹은 메탄올)(예로, 100㎖)에 용해시켜 사용하며, 이 용액의 농도는 0.01M∼0.05M정도를 사용하며, 건조시키는 방법은 촉매의 균일한 분포를 위해서 70℃의 오븐에서 10분간 건조시킨다. 또한, 니켈 나이트라이트 헥사하이드라이트((Ni(NO3)2)·6H2O)는 1000℃∼1200℃ 영역의 온도에서 촉매로 사용된다.

한편, 용액의 촉매 대신에, 다른 촉매로는 철염이나 금, 혹은 니켈 등의 금속을 증발시켜서 얻을 수 있으나, 촉매를 용액으로 만들어서 담지 시키는 방법이 편리하기 때문에 많이 사용되고 있다.

이렇게 건조되어 도포된 실리콘 기판을 텅스텐 옥사이드파우더(예로, 2ｇ)와 탄소 파우더(예로, 0.3106ｇ)의 혼합물과 함께 튜브형 전기화로(101)의 문을 열고, 내부적으로 위치한 사파이어 보트(103)에 담는다(단계 902). 여기서, 혼합물의 몰 비율은 1:1∼1:6 정도를 사용하며, 그 혼합물의 위치는 촉매가 도포된 실리콘 기판과 비활성 기체(예로, 아르곤 가스)(104)가 유입되는 곳 사이에 있도록 한다.

사파이어 보트(103)에 혼합물을 얹은 후, 튜브형 전기화로(101)의 문을 닫은 다음에, 아르곤 가스(104)(예로, 1000 sccm)를 임의의 시간(예로, 20분) 동안 가스 주입 방향(S1)으로 주입관(104-1) 및 석영관(102-1)을 통해 튜브형 전기화로(101)로 주입시킨다(단계 903). 여기서, 아르곤 가스(104)의 양은 나노선 합성에 최적인 유량인 400∼500 sccm(standard cubic centimeter per minute)이다.

한편, 아르곤 가스(104)의 양이 400 sccm미만이 되면 실리콘 기판과 니켈옥사이드 촉매가 용융된 상태에서 과포화된 실리콘이 응고가 되지 못하여 나노선을 형성하지 못한다. 또한 튜브형 전기화로(101)내의 잔류 기체와 산소를 어느 정도 제거하기 위해서 전기화로(101)의 온도를 높여주기 전에 아르곤 가스(104)를 1000 sccm정도로 20분 동안 흘려준다.

튜브형 전기화로(101)는 아르곤 가스(104)가 주입되면, 아르곤 가스(104)의 양을 1000 sccm에서 500 sccm으로 낮추어 주고 1100℃까지 1시간 동안 가열한 다음 3시간 동안 1100℃를 유지시켜 실리콘 카바이드 나노선의 제조를 끝낸다(단계 904). 이때, 튜브형 전기화로(101)의 온도가 상온이 될 때까지도 아르곤 가스(104)를 계속 주입시켜 준다.

여기서, 상온에서 냉각된 실리콘 기판은 하얀색으로 변하며, 이 하얀색으로 변한 실리콘 기판을 불소산 용액에 1분간 담지시킨 후 물로 1분간 세척한 후 건조시키면 실리콘 기판이 푸른색으로 변한다.

한편, 상술한 바와 같이, 공정 과정을 통해 제조된 탄소가 코딩된 실리콘 카바이드 나노선을 주사전자현미경을 통해 확인할 경우, 도 2와 같이 나타날 수 있다. 즉, 도 2를 참조하면, 실리콘 카바이드 나노선의 표면에는 어떠한 불순물 입자도 묻지 않은 아주 깨끗한 상태이며, 나노선의 분포가 균일하게 나타남을 알 수 있다.

그리고, 도 3을 참조하면, 도 3은 본 발명에 따른 실리콘 기판 상에 위치한 나노선을 집게로 살짝 긁어내어 얻은 사진으로서, 합성된 나노선이 매우 고밀도로 수십 ㎛의 길이로 성장함을 알 수 있다.

그리고, 도 4를 참조하면, 도 4는 본 발명에 따른 EDS(Energy Dispersive x-ray Spectrometer, X-선 미량 분석기)로 성분을 분석한 결과를 나타낸 도면으로서, 실리콘 기판 상에 제조된 나노선이 실리콘(Si)과 탄소(C)로만 이루어져 있는 고순도임을 확인할 수 있다. 여기서, 구리(Cu)는 TEM(Transmission Electron Microscopy, 투과전자현미경) 분석에 쓰이는 그리드를 통해 검출함을 알 수 있다.

다음으로, 도 5를 참조하면, 도 5는 나노선을 TEM으로 분석한 결과를 도시한 도면으로서, 나노선의 직경(20∼50 ㎚ 중, 일 예로 20㎚)의 범위를 갖고 있으며, 나노선의 표면에는 촉매 입자를 포함하고 있지 않으며, 20㎚의 직경으로 균일하게 분포되어 코팅된 탄소의 두께가 5 ㎚인 나노선이 합성되어 있음을 알 수 있다. 더 불어, 합성된 나노선의 중심부의 긴축의 성장 방향이 [111] 방향과 평행하게 성장하고, 또한 축 방향과 수직하게 보이는 줄무늬의 간격이 0.25 ㎚로 측정됨으로써 입방체의 실리콘 카바이드임을 확인할 수 있다.

또한, 도 6을 참조하면, 도 6은 SAED(Selected Area Electron Diffraction, 제한시야전자회절)를 통해서 제조된 나노선의 중심이 입방체 단결정 구조를 갖고 있음을 확인한 도면이며, 도 7은 실리콘 기판 상에 제조된 나노선의 XRD(X-ray Diffractometer, X-선 회절 분석기)를 이용하여 분석한 결과 그래프를 나타낸 도면으로서, 다른 성분은 없이 실리콘 카바이드 결정만이 생성됨을 확인할 수 있으며, 도 7의 우 상단 그래프는 실리콘 기판으로부터의 결정피크를 관찰한 도면이다.

그리고, 도 8은 실리콘 기판 상에 제조된 나노선을 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)를 이용하여 분석한 결과 그래프를 나타낸 도면으로서, 먼저, 도 8a는 실리콘의 XPS 스펙트럼을 나타낸 도면으로, 100.8 eV의 XPS 피크 에너지를 갖고 실리콘이 탄소와 결합상태에 있음을 알 수 있으며, 하나의 결합 에너지만 존재함을 통해서 실리콘은 탄소와만 결합하고 있음을 확인할 수 있다.

다음으로, 도 8b는 탄소의 결합에너지를 나타낸 도면으로, 탄소가 실리콘과 결합한 상태인 283 eV 및 탄소와 탄소가 결합된 상태인 284.7 eV의 결합 에너지를 갖는 것을 알 수 있다.

따라서, 실리콘 기판 상에 제조된 나노선은 중심부에는 실리콘 카바이드 나노선이 있고 그 주위를 탄소가 코팅되어 있음을 알 수 있다.

또한, 본 발명의 사상 및 특허청구범위 내에서 권리로서 개시하고 있으므로, 본원 발명은 일반적인 원리들을 이용한 임의의 변형, 이용 및/또는 개작을 포함할 수도 있으며, 본 명세서의 설명으로부터 벗어나는 사항으로서 본 발명이 속하는 업계에서 공지 또는 관습적 실시의 범위에 해당하고 또한 첨부된 특허청구범위의 제한 범위 내에 포함되는 모든 사항을 포함한다.

이상, 상기에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 촉매를 도포한 실리콘 기판을 실리콘의 공급원으로 사용할 수 있기 때문에 기체상태나 고체상태의 추가적인 실리콘 원료가 필요하지 않으며, 텅스텐 옥사이드 파우더와 탄소파우더의 혼합물을 탄소의 공급원으로 촉매가 도포된 실리콘 기판과 함께 넣어줌으로써, 추가적인 장치나 조작이 필요하지 않고 단순한 가열만을 통해서 고순도, 고밀도의 탄소 코팅된 실리콘 카바이드 나노선을 제조할 수 있으며, 이렇게 제조된 탄소 코팅된 실리콘 카바이드 나노선을 전계 방출 물질로서 디스플레이 소자의 분야에 이용할 수 있는 효과가 있다.

Claims (14)

1. 삭제
2. 삭제
3. 삭제
4. 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법으로서,

   실리콘 기판을 니켈 나이트라이트 헥사하이드라이트((Ni(NO3)2)·6H2O)를 알코올에 용해시킨 촉매 용액에 담지시킨 후 건조시키는 과정으로 상기 실리콘 기판에 촉매 용액을 도포하는 제1과정과,

   상기 도포된 실리콘 기판을 텅스텐 옥사이드파우더와 탄소 파우더의 혼합물과 함께 튜브형 전기화로인 오븐에 담는 제2과정과,

   상기 튜브형 전기화로인 오븐에 아르곤 가스를 주입하는 제3과정과,

   상기 튜브형 전기화로인 오븐을 기설정된 온도까지 일정 시간 동안 가열 공정을 수행하여 상기 실리콘 기판 상에 목표로 하는 나노선을 형성하는 제4과정

   을 포함하는 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법.
5. 제 4 항에 있어서,

   상기 촉매 용액은, 0.01M∼0.05M 농도인 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법.
6. 제 4 항에 있어서,

   상기 니켈 나이트라이트 헥사하이드라이트((Ni(NO3)2)·6H2O)는, 철염이나 금, 혹은 니켈 중 어느 하나를 증발시켜 얻을 수 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법.
7. 제 6 항에 있어서,

   상기 니켈 나이트라이트 헥사하이드라이트((Ni(NO3)2)·6H2O)는, 1000℃∼1200℃ 영역의 온도에서 촉매로 사용되는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법.
8. 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법으로서,

   실리콘 기판을 촉매 용액에 담지시킨 후 촉매의 균일한 분포를 위해서 70℃의 오븐에서 10분간 건조시키는 과정으로, 상기 실리콘 기판에 촉매 용액을 도포하는 제1과정과,

   상기 도포된 실리콘 기판을 텅스텐 옥사이드파우더와 탄소 파우더의 혼합물과 함께 튜브형 전기화로인 오븐에 담는 제2과정과,

   상기 튜브형 전기화로인 오븐에 아르곤 가스를 주입하는 제3과정과,

   상기 튜브형 전기화로인 오븐을 기설정된 온도까지 일정 시간 동안 가열 공정을 수행하여 상기 실리콘 기판 상에 목표로 하는 나노선을 형성하는 제4과정

   을 포함하는 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법.
9. 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법으로서,

   실리콘 기판에 촉매 용액을 도포하는 제1과정과,

   상기 도포된 실리콘 기판을 텅스텐 옥사이드파우더와 탄소 파우더을 1:1∼1:6의 몰 비율을 사용하는 혼합물과 함께 오븐에 담는 제2과정과,

   상기 오븐에 아르곤 가스를 주입하는 제3과정과,

   상기 오븐을 기세팅된 온도까지 일정 시간 동안 가열 공정을 수행하여 상기 실리콘 기판 상에 목표로 하는 나노선을 형성하는 제4과정

   을 포함하는 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법.
10. 제 9 항에 있어서,

    상기 혼합물은, 촉매가 도포된 실리콘 기판과 아르곤 가스가 유입되는 곳 사이에 위치하도록 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법.
11. 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법으로서,

    실리콘 기판에 촉매 용액을 도포하는 제1과정과,

    상기 도포된 실리콘 기판을 텅스텐 옥사이드파우더와 탄소 파우더의 혼합물과 함께 오븐에 담는 제2과정과,

    상기 오븐에 나노선 합성을 위한 400∼500 sccm 유량의 아르곤 가스를 주입하는 제3과정과,

    상기 오븐을 기세팅된 온도까지 일정 시간 동안 가열 공정을 수행하여 상기 실리콘 기판 상에 목표로 하는 나노선을 형성하는 제4과정

    을 포함하는 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법.
12. 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법으로서,

    실리콘 기판에 촉매 용액을 도포하는 제1과정과,

    상기 도포된 실리콘 기판을 텅스텐 옥사이드파우더와 탄소 파우더의 혼합물과 함께 오븐에 담는 제2과정과,

    상기 오븐에 아르곤 가스를 주입하는 제3과정과,

    상기 오븐을 기세팅된 1000℃∼1200℃ 온도까지 일정 시간 동안 가열 공정을 수행하여 상기 실리콘 기판 상에 목표로 하는 나노선을 형성하는 제4과정

    을 포함하는 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법.
13. 제 12 항에 있어서,

    상기 일정 시간은, 상기 기세팅된 1100℃까지 1시간 동안 가열한 다음 3시간 동안 기세팅된 1100℃를 유지시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법.
14. 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법으로서,

    실리콘 기판에 촉매 용액을 도포하는 제1과정과,

    상기 도포된 실리콘 기판을 탄소의 원료로 사용하는 텅스텐 옥사이드파우더와 탄소 파우더의 혼합물과 함께 오븐에 담는 제2과정과,

    상기 오븐에 아르곤 가스를 주입하는 제3과정과,

    상기 오븐을 기세팅된 온도까지 일정 시간 동안 가열 공정을 수행하여 상기 실리콘 기판 상에 목표로 하는 나노선을 형성하는 제4과정

    을 포함하는 실리콘 카바이드 나노선의 제조방법.

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