KR100661391B1 - 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치 - Google Patents

표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100661391B1
KR100661391B1 KR1020050064340A KR20050064340A KR100661391B1 KR 100661391 B1 KR100661391 B1 KR 100661391B1 KR 1020050064340 A KR1020050064340 A KR 1020050064340A KR 20050064340 A KR20050064340 A KR 20050064340A KR 100661391 B1 KR100661391 B1 KR 100661391B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
wafer
inert gas
particles
deposition apparatus
Prior art date
Application number
KR1020050064340A
Other languages
English (en)
Inventor
김인정
이건호
박진구
이상호
이승호
Original Assignee
주식회사 실트론
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 실트론 filed Critical 주식회사 실트론
Priority to KR1020050064340A priority Critical patent/KR100661391B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100661391B1 publication Critical patent/KR100661391B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment

Abstract

표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치가 개시된다. 개시된 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치는, 웨이퍼 표면에 오염입자를 증착시켜 표준 웨이퍼를 제조하기 위한 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치에 있어서, 상기 웨이퍼가 수납되는 챔버와; 상기 웨이퍼에 균일한 파티클을 증착시키기 위해 에어로졸 스프레이 방식으로 상기 챔버를 향해 오염용액을 분사하는 에어로졸 분사장치와; 상기 에어로졸 분사장치와 연결되어 상기 에어로졸 분사장치로 오염용액을 공급하는 오염용액 공급장치와; 상기 챔버 내에 오염입자가 일정하게 부유되도록 상기 챔버에 불활성가스를 공급 가능하게 상기 에어로졸 분사장치와 연결 설치된 불활성가스 공급장치와; 상기 웨이퍼 표면에 오염입자가 증착될 때 상기 웨이퍼 표면에 오염입자들이 균일하게 증착되도록 회전시키는 회전장치;를 포함하는 것을 그 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 오염용액을 에어로졸 스프레이 방식으로 분사함으로써 종래의 스핀코팅에 의한 방법과 디핑에 의한 방법보다 웨이퍼 표면에 균일하게 오염입자들로 오염된 표준 웨이퍼를 제조할 수 있는 이점이 있다.
웨이퍼, 증착, 오염입자, 불활성가스

Description

표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치{APPARATUS FOR DEPOSITING PARTICLES FOR MANUFACTURING A STANDARD WAFER}
도 1은 본 발명에 따른 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치의 구성을 개략적으로 나타내 보인 도면.
도 2는 도 1의 에어로졸 분사장치의 작동상태를 나타내 보인 도면.
도 3은 웨이퍼 수직오염이 가능한 상태의 챔버 내부를 나타낸 도면.
도 4는 웨이퍼 수평오염이 가능한 상태의 챔버 내부를 나타낸 도면.
도 5는 웨이퍼 수직오염이 가능한 웨이퍼 구동용 회전장치의 구성을 나타내 보인 도면.
도 6은 도 5를 수평상태로 배치한 회전장치의 구성을 나타내 보인 도면.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1. 웨이퍼
10. 챔버
11. 오염입자투입부
13. 오염입자 배출구
14. 증착 컨트롤 개폐장치
15. 제2노즐투입구
16. 제1노즐투입구
20. 스프레이 건
31. 오염입자 저장통
41. 불활성가스 저장탱크
50. 컨트롤박스
53. 압력게이지
61. 지지대
81. 디스플레이장치
82. 회전속도센서
본 발명은 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼의 표면에 오염입자를 균일하게 증착시켜 표준 웨이퍼를 제조하기 위한 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치에 관한 것이다.
최근 반도체 기판의 크기가 대구경화 및 패턴의 미세화에 따라 각종 반도체 기판 세정액 및 세정 방법이 개발되고 있다. 이에 따른 세정 효율을 평가하기 위해서는 웨이퍼를 인위적으로 목표로 하는 농도만큼 오염입자로 균일하게 오염시켜야 한다.
이렇게 인위적으로 오염입자를 반도체 웨이퍼 표면에 오염시키기 위해서는 오염입자를 분말 상태로 또는 용매에 혼합한 오염입자 용액을 제조하여 이를 반도체 웨이퍼 표면에 오염시켜야 한다. 현재 표준 웨이퍼를 제조하는 방법으로는 스핀 코팅(spin coating)에 의한 방법과, 웨이퍼를 오염입자들이 분산된 용매에 디핑(dipping)하는 방법이 알려져 있다.
상기 스핀 코팅에 의한 오염 방법은, 스핀 코팅 장치에 웨이퍼를 고정시킨 후, 초순수나 알코올과 같은 용매에 희석시킨 오염입자 용액을 웨이퍼 중앙에 떨어뜨린다. 그런 후, 웨이퍼를 일정한 속도와 시간으로 회전시키면 원심력에 의해 오염입자들이 웨이퍼 표면에 균일하게 오염이 되도록 하는 것이다.
최근에는 점성이 낮은 초순수와 알코올 대신 점성이 매우 높은 젤 타입의 용매를 사용하기도 한다. 점성이 높은 용매의 경우 보다 균일하게 오염입자들이 웨이퍼 표면에 오염될 수 있는 장점이 있다.
하지만, 상기한 스핀 코팅에 의한 오염 방법은 다음과 같은 문제점이 있다.
웨이퍼를 일정 속도 이하로 회전하였을 경우, 원심력이 충분히 전달되지 않아서 웨이퍼의 중앙에 오염입자가 집중된다. 반대로 일정 속도 이상으로 회전하였을 경우, 강한 원심력에 의해 오염 용액이 웨이퍼 밖으로 벗어나게 되어 웨이퍼 표면이 오염입자들에 의해 충분히 오염되지 않는다.
따라서 적합한 표준 웨이퍼를 제조하기 위해서는 웨이퍼의 크기에 따라 회전 속도를 달리하여야 할 뿐 아니라, 적절한 오염이 이루어질 수 있는 최적의 조건을 찾아내어야 하는 문제점이 있다.
그리고 상기 디핑하는 방법은, 웨이퍼를 오염입자들이 분산된 용액 내에 일 정 시간 동안 담그어 오염시키는 방법이다. 용액 내의 오염입자들이 가라앉지 않도록 용액을 계속하여 교반시키며, 일정 시간이 지난 후 용액 내의 웨이퍼를 밖으로 꺼내어 건조함으로써 웨이퍼 표면을 오염시킬 수 있다.
그러나, 상기한 디핑에 의한 오염 방법은 다음과 같은 문제점이 있다.
웨이퍼 표면의 상태가 친수성 또는 소수성에 따라 표면에 오염되는 정도가 다를 수 있다. 만약 웨이퍼 표면이 소수성이라면, 오염 용액이 웨이퍼 표면에 충분히 접촉하지 않아 용액내의 오염입자들이 웨이퍼 표면에 잘 증착하지 않는다.
반면에, 웨이퍼 표면이 친수성일 경우, 오염입자들이 과다하게 증착될 수 있으며, 디핑 후 웨이퍼 표면에 잔류하고 있는 오염 용액을 건조하기 위해 많은 시간이 소요된다.
대체로 디핑 방법에 의해 오염을 할 경우, 오염입자가 웨이퍼 표면에 균일하게 오염되도록 하기 어렵다. 또한 대구경의 웨이퍼를 오염시킬 경우에는 대용량의 수조가 필요하고 이에 따라 많은 양의 오염 용액을 필요로 한다. 뿐만 아니라 단 한 장의 웨이퍼를 오염시키기 위해서도 많은 양의 오염 용액이 필요하므로 비효율적이다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 오염 용액을 에어로졸 스프레이 방법으로 분사하여 웨이퍼 표면이 균일하게 오염되도록 하며, 오염 용액과 작업 시간이 적게 소요되도록 한 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치는, 웨이퍼 표면에 오염입자를 증착시켜 표준 웨이퍼를 제조하기 위한 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치에 있어서, 상기 웨이퍼가 수납되는 챔버와; 상기 웨이퍼에 균일한 파티클을 증착시키기 위해 에어로졸 스프레이 방식으로 상기 챔버를 향해 오염용액을 분사하는 에어로졸 분사장치와; 상기 에어로졸 분사장치와 연결되어 상기 에어로졸 분사장치로 오염용액을 공급하는 오염용액 공급장치와; 상기 챔버 내에 오염입자가 일정하게 부유되도록 상기 챔버에 불활성가스를 공급 가능하게 상기 에어로졸 분사장치와 연결 설치된 불활성가스 공급장치와; 상기 웨이퍼 표면에 오염입자가 증착될 때 상기 웨이퍼 표면에 오염입자들이 균일하게 증착되도록 회전시키는 회전장치;를 포함하는 것을 그 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1에는 본 발명에 따른 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치의 구성을 개략적으로 나타낸 구성도가 도시되어 있다.
도면을 참조하면, 본 발명에 따른 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치는, 웨이퍼(1) 표면에 오염입자를 증착시켜 표준 웨이퍼를 제조하기 위한 것으로, 상기 웨이퍼(1)가 수납되는 챔버(10)와, 웨이퍼(1)에 균일한 파티클을 증착시키기 위해 에어로졸 스프레이 방식으로 챔버(10)를 향해 오염용액을 분사하는 에어로졸 분사장치와, 이 에어로졸 분사장치와 연결되어 에어로졸 분사장치로 오염용액을 공급하 는 오염용액 공급장치와, 상기 챔버(10) 내에 오염입자가 일정하게 부유(浮遊)되도록 챔버(10)에 불활성가스를 공급 가능하게 에어로졸 분사장치와 연결 설치된 불활성가스 공급장치와, 후술하는 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼(1) 표면에 오염입자가 증착될 때 웨이퍼(1) 표면에 오염입자들이 균일하게 증착되도록 회전시키는 회전장치를 포함하여 구성된다.
그리고 상기 챔버(10)는 도 1, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 오염입자가 외부로 유출되지 않도록 밀폐되게 이루어지고, 특히 상기 에어로졸 분사장치로 분사할 때에만 오염입자가 챔버(10) 내로 들어올 수 있도록 챔버(10)의 일측에 설치된 오염입자투입부(11)와, 상기 웨이퍼(1)가 챔버(10) 내로 반입 또는 반출될 수 있도록 챔버(10)의 다른 일측에 설치된 웨이퍼출입부(12)가 각각 분리되어 이루어진다.
또한 상기와 같이 이루어진 챔버(10)의 일측에는, 오염입자가 분사되었을 때에만 상기 웨이퍼(1)에 노출되도록 하는 오염입자 증착 컨트롤 개폐장치(14)가 설치되고, 상기 웨이퍼(1)가 챔버(10) 밖으로 반출된 후, 챔버(10) 내에 잔류하는 오염입자를 외부로 배출시키는 오염입자 배출구(13)가 설치된다.
그리고 상기 챔버(10)의 일측에는, 이 챔버(10) 내에 잔류하는 오염입자가 외부로 배기될 때, 챔버(10) 내에 불활성가스가 투입될 수 있도록 해주는 제1노즐투입구(16)가 설치되고, 상기 챔버(10) 내벽과 챔버(10) 내의 증착 컨트롤 개폐장치(14)에 증착된 오염입자를 세척해 주도록 세척액이 분사되는 제2노즐투입구(15)가 설치된다.
또한 상기 에어로졸 분사장치는, 오염입자가 공급되어 스프레이 방식으로 분사가 이루어지는 스프레이 건(20)과, 이 스프레이 건(20)을 지지하는 지지장치를 포함하여 구성된다.
상기 스프레이 건(20)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 분사되는 오염입자가 후술하는 지지장치에 설치되어 상하좌우로 회동되며 분사되도록 설치된다. 상기한 지지장치는, 스프레이 건(20)이 회동되도록 스프레이 건(20)의 일측에 설치된 힌지부재(23)와, 이 힌지부재(23)와 스프레이 건(20)을 하나로 연결하는 연결부재(22)와, 이 연결부재(22)의 저부에 설치되어 에어로졸 분사장치가 지지되도록 하는 스탠드(21)를 포함하여 구성된다.
그리고 상기 오염용액 공급장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 오염용액이 저장된 오염입자 저장통(31)과, 이 오염입자 저장통(31)과 에어로졸 분사장치의 스프레이 건(20)을 연결하여 오염용액이 에어로졸 분사장치에 공급되도록 하는 공급라인(32)을 포함하여 구성된다.
또한 상기 불활성가스 공급장치는, 불활성가스가 저장된 불활성가스 저장탱크(41)와, 이 불활성가스 저장탱크(41)에 연결 설치되어 불활성가스의 공급을 제어하는 컨트롤박스(control box)(50)와, 이 컨트롤박스(50)와 에어로졸 분사장치의 스프레이 건(20)에 연결되어 불활성가스가 스프레이 건(20)에 공급되도록 하는 불활성가스 공급라인(42)을 포함하여 구성된다.
그리고 상기 컨트롤박스(50)의 일측에는 불활성가스의 공급 여부에 따라 작동되는 온/오프(ON/OF) 스위치(51)가 설치되고, 상기 컨트롤박스(50)의 다른 일측 에는 불활성가스가 일정한 압력으로 공급될 수 있도록 레귤레이터(regulator)(52)가 설치된다. 또한 상기 불활성가스 공급라인(42)의 일측에는 불활성가스의 공급 압력을 확인할 수 있도록 압력게이지(53)가 설치된다.
상기 회전장치는, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 챔버(10)의 일측에 설치되어 웨이퍼(1)가 상기 챔버(10) 내에서 오염입자에 노출될 때, 웨이퍼(1)를 수평 또는 수직으로 고정하는 지지대(61)와, 이 지지대(61)를 회전시켜 웨이퍼(1)가 회전되도록 하는 회전수단과, 상기 웨이퍼(1)가 지지대(61)에 고정되도록 하는 고정수단을 포함하여 구성된다.
예를 들어 설명하면, 상기 회전수단은, 상기 지지대(61)의 일측에 회동 가능하게 연결 설치된 벨트(73) 및 풀리(72)와, 이 풀리(72)에 연결 설치되어 풀리(72)를 구동시키는 모터(71)를 포함하여 구성된다.
그리고 상기 고정수단은, 상기 지지대(61)의 일측에 진공압이 부여되도록 연결 설치되어 웨이퍼(1)를 진공 흡착하는 진공펌프(미도시)로 이루어진다.
한편, 상기 회전수단과 고정수단은 하나의 실시예에 불과하며, 상기 지지대(61)를 회전하고, 웨이퍼(1)를 고정하는 수단들은 이 외에도 여러 수단으로 가능하므로 상기한 실시예로 본 발명이 한정되지는 않는다.
또한 상기 지지대(61)의 다른 일측에는 지지대(61)의 회전시의 속도를 감지하는 회전속도센서(82)와, 이 회전속도센서(82)에 연결 설치되어 지지대(61)의 회전속도를 디스플레이 하는 디스플레이장치(81)가 설치된다.
한편, 도 5는 웨이퍼(1)의 수직오염이 가능한 회전장치의 설치 상태이고, 도 6은 웨이퍼(1)의 수평오염이 가능한 회전장치의 설치 상태를 나타내 보인 것이다.
상술한 바와 같은 구성을 갖는 본 발명에 따른 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치의 작용을 설명하면 다음과 같다.
도면을 다시 참조하면, 본 발명에 따른 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치는, 오염입자가 웨이퍼(1) 표면에 균일하게 분사될 수 있도록 에어로졸 분사방식으로 이루어진 에어로졸 분사장치가 채용되었고, 이 에어로졸 분사장치에 채용된 스프레이 건(20)은 도 2에 도시된 바와 같이 힌지부재(23)에 의해 위치변화 조절이 가능하다.
따라서 상기 에어로졸 분사장치에서 분사되는 오염입자는 상하좌우 원하는 위치로 분사될 수 있으며 높낮이도 조절된다.
그리고 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치는, 오염입자가 외부로 유출되지 않도록 챔버(10)가 밀폐되어 있으며, 스프레이 건(20)으로 분사할 때에만 오염입자가 챔버(10) 내로 들어올 수 있도록 오염입자투입부(11)가 구비되어 있다.
특히, 도 3은 웨이퍼(1) 수직 오염이 가능한 챔버(10) 설치 상태를 나타내 보인 것이고, 도 4는 웨이퍼(1)의 수평 오염이 가능한 챔버(10) 설치 상태를 나타내 보인 것이다.
또한 상기 챔버(10)에는 웨이퍼(1)가 챔버(10) 내로 반입 또는 반출될 수 있도록 웨이퍼출입부(12)가 구비되어 있으며, 웨이퍼(1)가 반입되는 부분과 오염입자가 분사되는 부분을 서로 분리시키고 오염입자가 분사되었을 때에만 웨이퍼(1)에 노출되도록 하는 오염입자 증착 컨트롤 개폐장치(14)와, 웨이퍼(1)가 챔버(10) 밖으로 반출된 후 챔버(10) 내에 잔류하는 오염입자를 외부로 배출시키는 오염입자 배출구(13)가 각각 구비되어 있다.
그리고 상기 챔버(10)에는 챔버(10) 내에 잔류하는 오염입자가 외부로 배기될 때 챔버(10) 내에 불활성가스가 투입될 수 있도록 해주는 노즐이 투입되는 제1노즐투입구(16)와, 챔버(10) 내벽과 오염입자 증착 컨트롤 개폐장치(14)에 증착된 오염입자를 세척해 주도록 세척액이 분사되도록 해주는 노즐이 투입되는 제2노즐투입구(15)가 설치된다.
또한 상기 스프레이 건(20)에 의한 오염입자 분사 후 중력에 의해 시간이 지남에 따라 오염입자가 챔버(10) 바닥으로 가라앉는 것을 방지하기 위해 챔버(10) 내에 오염입자가 일정하게 부유할 수 있도록 챔버(10) 바닥과 내벽에서 불활성가스를 공급해주는 불활성가스 공급장치가 구비된다.
따라서 본 발명에 따른 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치는, 분말성 오염입자 또는 용매혼합 오염입자를 모두 오염시킬 수 있으며, 균일한 오염입자의 증착을 위한 에어로졸 분사장치는 밀폐된 챔버(10) 내에 오염입자들이 분산되도록 한 후 웨이퍼(1)를 챔버(10)에 장입시켜 웨이퍼(1)의 표면에 오염입자들이 증착될 수 있도록 한다.
이 때, 분말 상태의 오염입자에 대해서는 일정 압력의 불활성가스를 분사하여 분말 입자가 밀폐된 챔버(10)에 골고루 분산될 수 있도록 하고, 용매에 혼합된 오염입자는 에어로졸 분사장치의 스프레이 건(20)에 연결하여 용매가 스프레이 건 (20)을 통해 분산될 때 용매 내에 존재하고 있는 오염입자들도 함께 밀폐된 챔버(10) 내에 분산이 되도록 한다. 그리고 오염입자의 분산 후에 웨이퍼(1)를 챔버(10)에 장입시켜 웨이퍼(1) 표면에 오염입자들이 증착될 수 있도록 한다.
여기서, 오염입자들이 웨이퍼(1) 표면에 증착될 때, 웨이퍼(1)를 저속으로 회전시켜 웨이퍼(1)의 전면에 균일하게 오염입자들이 증착할 수 있으며, 그리고 오염입자들이 웨이퍼(1) 표면에 증착된 후에는 웨이퍼(1)를 고속으로 회전시켜 상대적으로 부착력이 낮은 오염입자들은 사전에 제거하도록 한다.
이와 같은 방법에 의해 세정 효율의 평가시 상대적으로 제거하기 어려운 오염입자들에 대해서 평가가 이루어진다. 또한 표준 웨이퍼(1)를 챔버(10)에서 꺼낸 후, 세척액으로 챔버(10)를 세정하여 후속 표준 웨이퍼(1)를 제조할 수 있도록 한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치는 다음과 같은 효과를 갖는다.
오염용액을 에어로졸 스프레이 방식으로 분사함으로써 종래의 스핀코팅에 의한 방법과 디핑에 의한 방법보다 웨이퍼 표면에 균일하게 오염입자들로 오염된 표준 웨이퍼를 제조할 수 있다.
그리고 웨이퍼를 장입할 수 있는 챔버의 크기를 적절히 조절하고, 분사되는 스프레이의 개수와 위치를 조절하면 한 번의 오염으로 여러 장의 웨이퍼를 오염시킬 수 있으며, 웨이퍼 전면과 후면을 동시에 일정한 수준으로 오염시킬 수 있다.
또한 종래에는 분말상태의 오염입자도 인위적으로 용매에 혼합하여 오염시키게 되므로 용매와 오염입자의 혼합 과정에서 오염입자의 응집현상이 발생할 수 있어 실제로 오염되는 오염입자의 크기를 제어하기 어려웠으나, 본 발명에서는 용매에 혼합된 오염입자인 경우에만 스프레이 분사방식을 사용하고 분말 상태의 오염입자는 오염입자에 불활성가스를 분사하여 분말상태의 오염입자를 용매에 분산할 필요 없이 웨이퍼 표면에 오염시킬 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.

Claims (19)

  1. 웨이퍼 표면에 오염입자를 증착시켜 표준 웨이퍼를 제조하기 위한 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치에 있어서,
    상기 웨이퍼가 수납되는 챔버와;
    상기 웨이퍼에 균일한 파티클을 증착시키기 위해 에어로졸 스프레이 방식으로 상기 챔버를 향해 오염용액을 분사하는 에어로졸 분사장치와;
    상기 에어로졸 분사장치와 연결되어 상기 에어로졸 분사장치로 오염용액을 공급하는 오염용액 공급장치와;
    상기 챔버 내에 오염입자가 일정하게 부유되도록 상기 챔버에 불활성가스를 공급 가능하게 상기 에어로졸 분사장치와 연결 설치된 불활성가스 공급장치와;
    상기 웨이퍼 표면에 오염입자가 증착될 때 상기 웨이퍼 표면에 오염입자들이 균일하게 증착되도록 회전시키는 회전장치;를 포함하는 것을 특징으로 하는 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 챔버는, 오염입자가 외부로 유출되지 않도록 밀폐되게 이루어진 것을 특징으로 하는 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 챔버는,
    상기 에어로졸 분사장치로 분사할 때에만 오염입자가 상기 챔버 내로 들어올 수 있도록 상기 챔버의 일측에 설치된 오염입자투입부와,
    상기 웨이퍼가 상기 챔버 내로 반입 또는 반출될 수 있도록 상기 챔버의 다른 일측에 설치된 웨이퍼출입부가 각각 분리되어 이루어진 것을 특징으로 하는 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 챔버의 일측에는, 오염입자가 분사되었을 때에만 상기 웨이퍼에 노출되도록 하는 오염입자 증착 컨트롤 개폐장치가 설치된 것을 특징으로 하는 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 챔버의 일측에는, 상기 웨이퍼가 상기 챔버 밖으로 반출된 후, 상기 챔버 내에 잔류하는 오염입자를 외부로 배출시키는 오염입자 배출구가 설치된 것을 특징으로 하는 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 챔버의 일측에는, 상기 챔버 내에 잔류하는 오염입자가 외부로 배기될 때 상기 챔버 내에 불활성 가스가 투입될 수 있도록 해주는 제1노즐투입구가 설치 된 것을 특징으로 하는 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 챔버의 일측에는, 상기 챔버 내벽과 상기 챔버 내의 장치에 증착된 오염입자를 세척해 주도록 세척액이 분사되는 제2노즐투입구가 설치된 것을 특징으로 하는 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 에어로졸 분사장치는,
    오염입자가 공급되어 스프레이 방식으로 분사가 이루어지는 스프레이 건과;
    상기 스프레이 건을 지지하는 지지장치;를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 스프레이 건은,
    분사되는 오염입자가 상하좌우로 회동되며 분사되도록 설치된 것을 특징으로 하는 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 지지장치는,
    상기 스프레이 건이 회동되도록 상기 스프레이 건의 일측에 설치된 힌지부재와;
    상기 힌지부재와 상기 스프레이 건을 하나로 연결하는 연결부재와;
    상기 연결부재의 저부에 설치되어 상기 에어로졸 분사장치가 지지되도록 하는 스탠드;를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 오염용액 공급장치는,
    오염용액이 저장된 오염입자 저장통과;
    상기 오염입자 저장통과 상기 에어로졸 분사장치를 연결하여 오염용액이 상기 에어로졸 분사장치에 공급되도록 하는 공급라인;을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 불활성가스 공급장치는,
    불활성가스가 저장된 불활성가스 저장탱크와;
    상기 불활성가스 저장탱크에 연결 설치되어 불활성가스의 공급을 제어하는 컨트롤박스와;
    상기 컨트롤박스와 상기 에어로졸 분사장치에 연결되어 불활성가스가 상기 에어로졸 분사장치에 공급되도록 하는 불활성가스 공급라인;을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 컨트롤박스의 일측에는, 불활성가스의 공급 여부에 따라 작동되는 온/오프(ON/OF) 스위치가 설치된 것을 특징으로 하는 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 컨트롤박스의 다른 일측에는, 불활성가스가 일정한 압력으로 공급될 수 있도록 레귤레이터가 설치된 것을 특징으로 하는 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 불활성가스 공급라인의 일측에는, 불활성가스의 공급 압력을 확인할 수 있도록 압력게이지가 설치된 것을 특징으로 하는 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 회전장치는,
    상기 챔버의 일측에 설치되어 상기 웨이퍼가 상기 챔버 내에서 오염입자에 노출될 때, 상기 웨이퍼를 수평 또는 수직으로 고정하는 지지대와;
    상기 지지대를 회전시켜 상기 웨이퍼가 회전되도록 하는 회전수단과;
    상기 웨이퍼가 상기 지지대에 고정되도록 하는 고정수단;을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 회전수단은,
    상기 지지대의 일측에 회동 가능하게 연결 설치된 벨트와, 풀리와;
    상기 풀리에 연결 설치되어 상기 풀리를 구동시키는 모터;를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 고정수단은,
    상기 지지대의 일측에 연결 설치되어 상기 웨이퍼를 진공 흡착하는 진공펌프를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치.
  19. 제16항에 있어서,
    상기 지지대의 다른 일측에는, 상기 지지대의 회전시의 속도를 감지하는 회전속도센서와;
    상기 회전속도센서에 연결 설치되어 상기 지지대의 회전속도를 디스플레이 하는 디스플레이장치;가 설치된 것을 특징으로 하는 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치.
KR1020050064340A 2005-07-15 2005-07-15 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치 KR100661391B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050064340A KR100661391B1 (ko) 2005-07-15 2005-07-15 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050064340A KR100661391B1 (ko) 2005-07-15 2005-07-15 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100661391B1 true KR100661391B1 (ko) 2006-12-27

Family

ID=37815566

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050064340A KR100661391B1 (ko) 2005-07-15 2005-07-15 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100661391B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101853368B1 (ko) * 2017-02-07 2018-05-02 세메스 주식회사 오염 기판 제작 장치 및 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100217328B1 (ko) 1996-08-26 1999-09-01 윤종용 반도체 웨이퍼 파티클 데포지션 시스템
KR100359886B1 (ko) 1994-06-21 2002-12-18 엠 에스피 코포레이션 웨이퍼에입자를제어하는침적하는방법및장치
KR20040040111A (ko) * 2002-11-06 2004-05-12 동부전자 주식회사 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100359886B1 (ko) 1994-06-21 2002-12-18 엠 에스피 코포레이션 웨이퍼에입자를제어하는침적하는방법및장치
KR100217328B1 (ko) 1996-08-26 1999-09-01 윤종용 반도체 웨이퍼 파티클 데포지션 시스템
KR20040040111A (ko) * 2002-11-06 2004-05-12 동부전자 주식회사 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101853368B1 (ko) * 2017-02-07 2018-05-02 세메스 주식회사 오염 기판 제작 장치 및 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100897428B1 (ko) 기판세정장치 및 기판세정방법
US3990462A (en) Substrate stripping and cleaning apparatus
EP1583136B1 (en) Control of ambient environment during wafer drying using proximity head
JP3556043B2 (ja) 基板乾燥装置
KR20090013013A (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
US20050268944A1 (en) Method and apparatus for cleaning containers
KR101014507B1 (ko) 기판처리장치
CN104205305A (zh) 基板处理装置以及加热器清洗方法
CN107275260B (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
KR19980069633A (ko) 반도체 제조용 포토 레지스트 코팅 장치
KR20180011732A (ko) 기판 처리 장치
KR20120036864A (ko) 파티클 오염 제거 방법
JP3777542B2 (ja) ノズル装置及び塗布装置及び塗布方法
KR100661391B1 (ko) 표준 웨이퍼 제조용 파티클 증착장치
JPH07115060A (ja) 処理装置及び処理方法
KR101895409B1 (ko) 기판 처리 설비
TWI223345B (en) Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers and other flat media
TW201446340A (zh) 基板處理裝置及吐出頭待機方法
KR20090070663A (ko) 기판 처리 장치
JP3739225B2 (ja) 基板処理装置
JPH11145099A (ja) 基板処理装置
CN100392799C (zh) 基板处理装置以及清洗方法
US7596886B1 (en) Method and system to separate and recycle divergent chemistries
KR20090132965A (ko) 매엽식 세정장치
KR200453720Y1 (ko) 매엽식 기판세정장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121011

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130926

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140926

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee