KR100645708B1

KR100645708B1 - 은 박막 형성용 전기도금용액 및 그 용액을 이용한 은박막 형성방법

Info

Publication number: KR100645708B1
Application number: KR1020030015228A
Authority: KR
Inventors: 김재정; 안응진
Original assignee: 주식회사 엘지화학; 재단법인서울대학교산학협력재단
Priority date: 2003-03-11
Filing date: 2003-03-11
Publication date: 2006-11-13
Also published as: KR20040080466A

Abstract

본 발명은 은 박막 형성용 전기도금용액 및 그 용액을 이용한 은 박막 형성방법에 관한 것으로, 벤조트리아졸(benzotriazole) 화합물 및 티오우레아(thiourea) 화합물을 첨가한 은 전기도금용액을 이용하여 은 박막을 형성하는 방법은 균열이나 틈과 같은 결함이 없는 균일한 은 박막을 형성하게 함으로서 고집적화 반도체 금속 배선 공정에 적합하게 활용할 수 있는 효과가 있다.

벤조트리아졸, 티오우레아, 은 전기도금, 보이드(void), 심(seam)

Description

은 박막 형성용 전기도금용액 및 그 용액을 이용한 은 박막 형성방법{Electroplating Solution for Forming Silver Thin Film and Method for Forming Silver Thin Film Using the Solution}

도 1은 본 발명의 실시예에 따라 벤조트리아졸 화합물 및 티오우레아 화합물을 첨가한 은 전기도금용액으로 전기도금한 은 박막을 분석한 FE-SEM 사진이다.

도 2a는 본 발명의 비교예에 따라 벤조트리아졸 화합물 및 티오우레아 화합물을 첨가하지 않고 은 전기도금용액으로 전기도금한 은 박막을 분석한 FE-SEM 사진이다.

도 2b는 본 발명의 다른 비교예에 따라 벤조트리아졸 화합물만을 첨가하여 은 전기도금용액으로 전기도금한 은 박막을 분석한 FE-SEM 사진이다.

도 2c는 본 발명의 또 다른 비교예에 따라 티오우레아 화합물만을 첨가하여 은 전기도금용액으로 전기도금한 은 박막을 분석한 FE-SEM 사진이다.

도 3a는 벤조트리아졸 화합물의 농도 증가에 대한 증착속도를 나타낸 그래프이다.

도 3b는 티오우레아 화합물의 농도 증가에 대한 증착속도를 나타낸 그래프이다.

도 3c는 티오우레아 화합물의 농도 증가에 대한 막 표면 거칠기(RMS roughness)를 나타낸 그래프이다.

도 4는 벤조트리아졸 화합물 및 티오우레아 화합물의 은 박막형성에 대한 영향을 도식화한 것이다.

본 발명은 은 박막 형성용 전기도금용액 및 그 용액을 이용하여 은 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 전기도금을 통하여 은 박막을 형성하기 위한 은 도금용액에 벤조트리아졸(benzotriazole) 화합물 및 티오우레아(thiourea) 화합물을 첨가함으로서 결함이 없는 은 박막을 형성하여 고집적화 반도체 금속 배선 공정에 적합하게 활용할 수 있는 은 박막 형성용 전기도금용액 및 그 용액을 이용한 은 박막 형성방법에 관한 것이다.

반도체 소자의 고집적화, 고속화되면서 인터커넥션 딜레이(interconnection delay)가 트랜지스터의 게이트 딜레이(gate delay)를 압도하여 소자의 전체 속도를 좌우하게 됨에 따라 반도체 금속 배선 물질로서 가능한 한 낮은 비저항의 금속이 요구된다. 따라서, 낮은 비저항의 구리와 은이 기존의 알루미늄을 대체하여 0.18㎛ 이하의 소자에서 그 사용 가능성을 인정받고 있다. 구리를 이용한 소자는 알루미늄을 사용한 기존 소자보다 저항-축전 지연(RC delay) 측면에서 월등하며, 화학적 물리적 평탄화방법(Chemical Mechanical Planarization, CMP)의 개발로 도입된 상감기법(damascene process) 덕택으로 배선 수와 공정단계가 획기적으로 감소되어 공정 및 가격면에서도 알루미늄보다 우수하다. 또한, 구리는 우수한 전기이동에 대한 저항성(electromigration resistance)과 스트레스 저항성으로 인해 소자의 신뢰성면에서도 알루미늄을 대체할 배선 재료로서 그 가능성이 확인되었다. 그러나 이러한 구리의 경우도 공정상 알루미늄처럼 표면 산화막에 의한 보호효과가 크지 않아 산화막 생성이 계속되는 것으로 알려져 있으며, 실리콘(Si) 또는 실리콘 다이옥사이드(SiO₂) 내의 확산계수가 알루미늄 보다 수십억배, 은 보다 수만배가 됨으로 열처리에서 소자의 파괴를 막기 위한 방막물질(barrier material)의 개발이 필수적이다. 무엇보다도 비저항면에서 구리는 더욱 미세화되어 가는 현재 반도체 소자의 재료로서 한계점을 드러낸다. 이에 비하여 은은 구리와 달리 상온에서 비저항 값이 모든 금속 중 가장 낮으며, 현재 배선 공정용 금속으로 사용되고 있는 알루미늄보다도 기계적 강도가 높고, 다른 금속과 달리 높은 온도에서 산화가 잘 일어나지 않을 뿐만 아니라, 내산성도 뛰어나다.

또한, 반도체 금속 배선용 금속은 실리콘과 실리사이드(silicide)를 형성하는 것도 중요한데, 알루미늄과 구리가 각각 형성하는 Al₄Si₃와 Cu₅Si, Cu ₃Si형태의 실리사이드는 증착된 금속박막의 특성을 저하시키며, 이를 방지하기 위해 질화티타늄, 질화탈륨 등을 방지막(barrier)으로 사용한다.

현재 반도체 배선용 금속의 증착방법으로는 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition, CVD) 방법, 물리기상증착 (Physical Vapor Deposition, PVD) 방법, 전기도금 (electroplating) 방법 등이 있다. CVD 방법을 이용한 은 박막의 증착은 전구체의 부족이라는 큰 문제점을 안고 있는데, 현재 개발 및 연구 진행중인 은 전구체로는 유기착물이나 무기착물이 있다. 이들 중 [AgC(CF₃)=CF(CF₃)]_n, [Ag(n-C₅H₅ )(PR₃)₃]_n 등과 같은 유기착물은 공기 중의 수분과 반응하여 매우 불안정한 상태로 존재하고, 무기착물의 경우 휘발성이 매우 낮아 공정이 까다롭다. 그리고 CVD 방법에 의해 제조된 은 박막은 그 비저항값이 2.5μΩ·cm 이상으로 매우 높다. 또한, PVD 방법에 의해 제조된 은 박막은 낮은 비저항을 갖지만, 표면피복성(step coverage)의 문제를 해결하는 데에는 많은 어려움이 있으며, 다른 방법에 비해 공정변수가 많다. 이러한 CVD나 PVD에 비하여 전기도금 방법은 은 박막 증착 공정변수가 적고, 작업이 간단하며, 불순물의 함유 정도가 낮으므로 비저항 역시 낮다. 또한 전기도금 방법은 금속이온의 원료를 쉽게 구할 수 있고, 상온에서 공정이 가능하므로 다층 배선 공정에서 하층 배선의 증착 후 상층 배선의 증착 공정시 온도에 대한 영향을 최소화 시킬 수 있다.

그러나, 통상적인 은 전기도금용액을 이용한 전기도금 방법 의하여 형성된 은 박막은 보이드(void)나 심(seam)과 같은 결함이 생기는 문제점이 있다. 한편, 은도금을 수행하기 위한 전처리용액 등에 대한 개발(예를 들어, 미합중국 특허 제05194139호)이 이루어지고 있다.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 결함을 방지하기 위한 첨가제를 함유한 은 전기도금용액 및 이를 이용하여 균열 및 틈 등의 결함이 없이 고집적화 반도체 배선용 금속막으로 적합한 은 박막을 형성하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 상기 목적 및 기타 목적들은 하기 설명되는 본 발명에 의하여 모두 달성될 수 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 은 이온을 함유하는 은 전기도금용액에 첨가제로서 벤조트리아졸(benzotriazole) 화합물 및 티오우레아(thiourea) 화합물을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 은 박막 형성용 전기도금용액을 제공한다.

또한, 본 발명은 은 박막을 형성하고자 하는 기판을 준비하는 단계,준비된 기판을 은 이온을 함유하는 은 전기도금용액에 벤조트리아졸 화합물 및 티오우레아 화합물의 첨가제를 포함하는 은 전기도금용액에 침지하는 단계, 및 기판을 침지한 은 전기도금용액에 환원전위를 인가하여 은 박막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 은 박막 형성방법을 제공한다.

상기 은 박막 형성용 전기도금용액 및 은 박막 형성방법에 있어서,

벤조트리아졸 화합물은 1,2,3-벤조트리아졸(1,2,3-benzotriazole), 5-메틸벤조트리아졸(5-methylbenzotriazole), 5,6-디메틸벤조트리아졸(5,6-dimethylbenzotriazole), 페닐벤조트리아졸 (phenylbenzotriazole), 5-에틸벤조트리아졸(5-ethylbenzotriazole), 5-메톡시벤조트리아졸(5-methoxybenzotriazole), 5-아미노벤조트리아졸(5-aminobenzotriazole), 5-디메틸아미노벤조트리아졸(5-dimethylaminobenzotriazole), 5-아세트아미도벤조트리아졸(5-acetamidobenzotriazole), 5-메탄설폰아미도벤조트리아졸(5- methanesulfonamidobenzotriazole), 5-아미노카르보닐벤조트리아졸(5-aminocarbonylbenzotriazole), 5-메톡시카르보닐벤조트리아졸(5-methoxycarbonylbenzotriazole), 5-카르복시벤조트리아졸 (5-carboxybenzotriazole), 5-클로로벤조트리아졸(5-chlorobenzotriazole), 5-브로모벤조트리아졸(5-bromobenzotriazole), 5-니트로벤조트리아졸(5-nitrobenzotriazole), 4-니트로벤조트리아졸(4-nitrobenzotriazole), 5-시아노벤조트리아졸(5-cyanobenzotriazole), 5-설포벤조트리아졸(5-sulfobenzotriazole) 및 4-아미노벤조트리아졸(4-aminobenzotraizole)로 이루어진 군으로부터 하나를 선택하여 사용할 수 있다.

티오우레아 화합물은 티오우레아(thiourea) 및 알킬티오우레아(alkylthiourea) 화합물로 이루어진 군으로부터 하나를 선택하여 사용할 수 있다.

은 전기도금용액은 pH 7 내지 12이고, 시안화은칼륨(Potassium Silver Cyanide, KAg(CN)₂) 및 시안화칼륨(KCN)을 포함하여 이루어질 수 있다.

은 전기도금용액이 1:0.071:0.0091 몰비의 시안화은칼륨, 티오우레아 화합물 및 벤조트리아졸 화합물로 이루어질 수 있다.

상기 은 박막 형성방법은 은 박막을 형성하는 단계 이후에 은 박막이 형성된 기판을 열처리하여 비저항을 낮추는 단계를 더 포함할 수 있다.

상기 은 박막을 형성하고자 하는 기판은 구리 시드층(seed layer) 또는 은 시드층이 형성된 기판일 수 있다.

상기 인가된 환원전위는 표준 칼로멜 전극(standard calomel electrode)에 대하여 -1 내지 -1000mV일 수 있다.

상기 열처리는 질소, 수소 또는 아르곤 분위기와 100 내지 350℃의 온도에서 10 내지 60분 동안 수행될 수 있다.

이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

본 발명은 비저항이 낮은 은 박막을 전기도금에 의하여 형성하는 데 있어서, 은 박막의 결함을 방지하기 위하여 첨가제로서 벤조트리아졸 화합물 및 티오우레아 화합물을 함유한 은 도금용액을 이용하여 고집적화 반도체 배선 공정에 적합한 은 박막을 형성하는데 특징이 있다.

즉, 본 발명의 은 박막 형성용 전기도금용액은 은 이온을 함유하는 은 전기도금용액에 첨가제로서 벤조트리아졸(benzotriazole) 화합물 및 티오우레아(thiourea) 화합물을 포함하여 이루어진다.

또한, 본 발명은 은 박막을 형성하고자 하는 기판을 준비하는 단계;준비된 기판을 은 이온을 함유하는 은 전기도금용액에 벤조트리아졸 화합물 및 티오우레아 화합물의 첨가제를 포함하는 은 전기도금용액에 침지하는 단계; 및 기판을 침지한 은 도금용액에 환원전위를 인가하여 은 박막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 다.

본 발명에서는 은 박막의 결함을 방지하기 위하여 은 전기도금용액에 벤조트리아졸 화합물 및 티오우레아 화화물을 첨가한다.

상기 벤조트리아졸 화합물로는 1,2,3-벤조트리아졸, 5-메틸벤조트리아졸, 5,6-디메틸벤조트리아졸, 페닐벤조트리아졸, 5-에틸벤조트리아졸, 5-메톡시벤조트리아졸, 5-아미노벤조트리아졸, 5-디메틸아미노벤조트리아졸, 5-아세트아미도벤조트리아졸, 5-메탄설폰아미도벤조트리아졸, 5-아미노카르보닐벤조트리아졸, 5-메톡시카르보닐벤조트리아졸, 5-카르복시벤조트리아졸, 5-클로로벤조트리아졸, 5-브로모벤조트리아졸, 5-니트로벤조트리아졸, 4-니트로벤조트리아졸, 5-시아노벤조트리아졸, 5-설포벤조트리아졸, 4-아미노벤조트리아졸 등이 바람직하다.

또한, 도금용액 내에서 벤조트리아졸 화합물의 바람직한 함량은 도금용액 1L에 대하여 0.01 내지 1g이다.

또한, 티오우레아 화화물로는 티오우레아, 알킬티오우레아 화합물 등이 바람직하다.

또한, 도금용액 내에서 티오우레아 화합물의 바람직한 함량은 도금용액 1L에 대하여 0.01 내지 5g이다.

벤조트리아졸 화합물은 은 전기도금 시에 가속제(accelerator)로써 역할을 하는데, 이는 벤조트리아졸 화합물의 농도 증가에 따른 증착속도를 나타낸 도 3a를 통하여 확인할 수 있다.

또한, 티오우레아 화합물은 도금욕액의 은 이온과 콤플렉스를 형성하여 도금 속도를 저하시키는 감속제(suppressor)로써의 역할과 전기도금된 은 박막의 거칠기를 완하시키는 광택제(brightener)로써의 역할을 하는데, 이는 티오우레아 화합물의 농도 증가에 따른 증착속도를 나타낸 도 3b 및 티오우레아 화합물의 농도 증가에 따른 막 표면 거칠기(RMS roughness)를 나타낸 도 3b를 통하여 확인할 수 있다.

상기와 같은 벤조트리아졸과 티오우레아를 은 전기도금 시에 독립적으로 사용하는 경우, 즉 벤조트리아졸만을 첨가하거나, 티오우레아만을 첨가하여 은 전기도금을 실시한 경우에는 이들을 표면 분석한 2b 및 도 2c의 전계 방출 주사 전자현미경(Field Emission Scanning Electron Microscope, FE-SEM) 사진을 통하여 알 수 있는 바와 같이 은 박막 내에 심(seam), 틈(void) 등의 결함이 발생한다. 그러나 벤조트리아졸과 티오우레아를 동시에 첨가하여 은 도금을 실시한 경우에는 도 1의 FE-SEM 사진에서 알 수 있는 바와 같이 결함이 없이 전기도금에 의하여 은 박막을 형성하게 된다. 이는 벤조트리아졸과 티오우레아의 조합이 트랜치(trench) 및 비아홀(via hole) 채움에 영향을 미치기 때문이다. 도 4에서 도시한 바와 같이 구리와 강한 흡착을 하는 벤조트리아졸이 초기 구리 시드층에 강하게 흡착하여 전기도금 초기에 트랜치 및 비아홀 입구를 효과적으로 막아주어 레벨러(leveler) 역할을 하며, 증착이 진행됨에 따라 티오우레아 및 벤조트리아졸이 각각 감속제, 광택제 및 가속제로써 작용하여 범프(bump)를 형성하면서 균일하면서 연속적인 은 박막을 형성하게 되는 것이다.

본 발명에서 특별히 은 박막을 형성하고자 하는 기판은 물리기상증착법으로 증착된 구리 시드층 또는 은 시드층의 트랜치 및 비아홀을 형성하는 기판으로서 상 기 트랜치 및 비하홀을 결함없이 채움으로서 균일한 은 박막을 형성하고자 하는 것이다.

본 발명에서 은 이온을 함유하는 은 전기도금용액은 은 이온을 제공하는 전기도금용액이면 특별히 제한하지 않지만, 시안화은칼륨(Potassium Silver Cyanide, KAg(CN)₂) 및 시안화칼륨(KCN)을 포함하는 것으로 pH 7 내지 12의 염기성 용액인 것이 바람직하다.

또한, 은 전기도금용액이 1:0.071:0.0091 몰비의 시안화은칼륨, 티오우레아 화합물 및 벤조트리아졸 화합물로 이루어지는 것이 본 발명에 특별히 적합하다.

은 전기도금을 위하여 인가되는 환원전위는 표준 칼로멜 전극(standard calomel electrode)에 대하여 -1 내지 -1000mV가 바람직하다.

은 박막의 두께 및 은 박막을 위한 증착속도는 전기도금용액 내의 은 이온의 농도와 가해준 전류의 양 및 증착시간에 따라 조절할 수 있다.

본 발명에서는 벤조트리아졸과 티오우레아를 함유하는 은 전기도금용액에 의하여 은 박막을 형성한 이후에 비저항을 낮추기 위하여 은 박막이 형성된 기판을 어닐링(annealing)하는 단계를 더 거칠 수 있다.

상기 어닐링 단계에서 열처리는 질소, 수소 또는 아르곤 분위기와 100 내지 350℃의 온도에서 10분 내지 60분 동안 수행하는 것이 바람직하다.

이하, 하기의 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명 의 범위가 실시예에 한정되는 것은 아니다.

[실시예]

시안화은칼륨 184g/L와 시안화칼륨 71.8g/L의 은 전기도금용액에 하기 화학식 1의 1,2,3-벤조트리아졸 0.05g/L 및 하기 화학식 2의 티오우레아 5g/L를 첨가하여 pH 12의 염기성이며 첨가제를 포함하는 은 도금용액을 준비하였다. 준비된 은 도금용액에 물리기상증착법으로 증착된 구리 시드층을 형성하는 기판을 침지한 후 표준 칼로멜 전극에 대하여 -800mV의 환원전위를 인가하여 10분 동안 증착하여 은 박막을 형성하였다.

은 박막이 형성된 기판을 질소분위기와 350℃의 온도에서 30분 동안 열처리하여 비저항을 낮추었다.

기판 위에 형성된 은 박막을 FE-SEM으로 관찰하여 도 1에 나타내었다.

[비교예 1]

은 도금 용액에 1,2,3-벤조트리아졸 및 티오우레아를 첨가하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 시행한 후 기판 위에 형성된 은 박막을 FE-SEM으로 관찰하여 도 2a에 나타내었다.

[비교예 2]

은 도금 용액에 1,2,3-벤조트리아졸만을 첨가한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 시행한 후 기판 위에 형성된 은 박막을 FE-SEM으로 관찰하여 도 2b에 나타내었다.

[비교예 3]

은 도금 용액에 티오우레아만을 첨가한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 시행한 후 기판 위에 형성된 은 박막을 FE-SEM으로 관찰하여 도 2c에 나타내었다.

본 발명의 실시예에 따라 1,2,3-벤조트리아졸 및 티오우레아를 첨가한 은 전기도금용액을 이용하여 형성한 은 박막을 나타낸 도 1은 상기 첨가제들을 첨가하지 않은 경우의 도 2a, 1,2,3-벤조트리아졸만을 첨가한 경우의 도 2b 및 티오우레아만을 첨가한 경우의 도 2c에 비하여 균열이나 틈과 같은 결함이 없는 균일한 은 박막을 형성함을 알 수 있다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의한 은 박막 형성용 전기도금용액 및 그 용액을 이용한 은 박막 형성방법은 벤조트리아졸 화합물 및 티오우레아 화합물 을 함유한 은 전기도금용액을 이용하여 은 박막을 형성하여 균열이나 틈과 같은 결함이 없는 균일(Superconformaty)하고 연속적인 은 박막을 형성하며, 은 박막의 두께 및 증착속도를 목적에 따라 편리하게 조절가능함으로서 고집적화 반도체 금속 배선 공정에 적극 활용할 수 있는 유용한 발명인 것이다.

상기에서 본 발명은 기재된 구체예를 중심으로 상세히 설명었지만, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.

Claims

은 전기도금용액에 첨가제로서 벤조트리아졸(benzotriazole) 화합물 및 티오우레아(thiourea) 화합물을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 은 박막 형성용 전기도금용액.
제1항에 있어서,

상기 벤조트리아졸 화합물이 1,2,3-벤조트리아졸(1,2,3-benzotriazole), 5-메틸벤조트리아졸(5-methylbenzotriazole), 5,6-디메틸벤조트리아졸(5,6-dimethylbenzotriazole), 페닐벤조트리아졸 (phenylbenzotriazole), 5-에틸벤조트리아졸(5-ethylbenzotriazole), 5-메톡시벤조트리아졸(5-methoxybenzotriazole), 5-아미노벤조트리아졸(5-aminobenzotriazole), 5-디메틸아미노벤조트리아졸(5-dimethylaminobenzotriazole), 5-아세트아미도벤조트리아졸(5-acetamidobenzotriazole), 5-메탄설폰아미도벤조트리아졸(5-methanesulfonamidobenzotriazole), 5-아미노카르보닐벤조트리아졸(5-aminocarbonylbenzotriazole), 5-메톡시카르보닐벤조트리아졸(5-methoxycarbonylbenzotriazole), 5-카르복시벤조트리아졸 (5-carboxybenzotriazole), 5-클로로벤조트리아졸(5-chlorobenzotriazole), 5-브로모벤조트리아졸(5-bromobenzotriazole), 5-니트로벤조트리아졸(5-nitrobenzotriazole), 4-니트로벤조트리아졸(4-nitrobenzotriazole), 5-시아노벤조 트리아졸(5-cyanobenzotriazole), 5-설포벤조트리아졸(5-sulfobenzotriazole) 및 4-아미노벤조트리아졸(4-aminobenzotraizole)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나임을 특징으로 하는 은 박막 형성용 전기도금용액.
제1항에 있어서,

상기 티오우레아 화합물이 티오우레아(thiourea) 및 알킬티오우레아(alkylthiourea) 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나임을 특징으로 하는 은 박막 형성용 전기도금용액.
제1항에 있어서,

상기 은 전기도금용액이 pH 7 내지 12이고, 시안화은칼륨(Potassium Silver Cyanide, KAg(CN)₂) 및 시안화칼륨(KCN)을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 은 박막 형성용 전기도금용액.
제4항에 있어서,

상기 은 전기도금용액이 1:0.071:0.0091 몰비의 시안화은칼륨, 티오우레아 화합물 및 벤조트리아졸 화합물로 이루어짐을 특징으로 하는 은 박막 형성용 전기도금용액.
(1) 은 박막을 형성하고자 하는 기판을 준비하는 단계;

(2) 준비된 기판을 은 이온을 함유하는 은 전기도금용액에 벤조트리아졸 화합물 및 티오우레아 화합물의 첨가제를 포함하는 은 도금용액에 침지하는 단계; 및

(3) 기판을 침지한 은 전기도금용액에 환원전위를 인가하여 은 박막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 은 박막 형성방법.
제6항에 있어서,

상기 (3)의 은 박막을 형성하는 단계 이후에 은 박막이 형성된 기판을 열처리하여 비저항을 낮추는 단계를 더 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 은 박막 형성방법.
제6항에 있어서,

상기 (1)의 은 박막을 형성하고자 하는 기판은 구리 시드층(seed layer) 또는 은 시드층이 형성된 기판임을 특징으로 하는 은 박막 형성방법.
제6항에 있어서,

상기 인가된 환원전위가 표준 칼로멜 전극(standard calomel electrode)에 대하여 -1 내지 -1000mV임을 특징으로 하는 은 박막 형성방법.
제7항에 있어서,

상기 열처리가 질소, 수소 또는 아르곤 분위기와 100 내지 350℃의 온도에서 10분 내지 60분 동안 수행됨을 특징으로 하는 은 박막 형성방법.