KR100643333B1 - Light emitting diode package having a reflector cup by metal thin film and its manufacturing method - Google Patents

Light emitting diode package having a reflector cup by metal thin film and its manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
KR100643333B1
KR100643333B1 KR1020050083779A KR20050083779A KR100643333B1 KR 100643333 B1 KR100643333 B1 KR 100643333B1 KR 1020050083779 A KR1020050083779 A KR 1020050083779A KR 20050083779 A KR20050083779 A KR 20050083779A KR 100643333 B1 KR100643333 B1 KR 100643333B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
cavity
diode package
insulating film
Prior art date
Application number
KR1020050083779A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
박찬익
Original Assignee
럭스피아 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 럭스피아 주식회사 filed Critical 럭스피아 주식회사
Priority to PCT/KR2006/001887 priority Critical patent/WO2006123917A1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100643333B1 publication Critical patent/KR100643333B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

An LED(Light Emitting Diode) package and a manufacturing method thereof are provided to reduce a package size by using an improved light reflective cup made of a plating thin film. A LED package(70) includes a light reflective cup, an insulating layer band, an LED chip, and an adhesive region. The light reflective cup is composed of an anode portion and a cathode portion. The light reflective cup is made of a plating thin film alone. The insulating layer(44) is formed at a portion of the light reflective cup. The LED chip is electrically connected with the plating thin film in the light reflective cup. The adhesive resin is filled in the light reflective cup in order to protect the LED chip.

Description

초박막 금속 반사컵을 가지는 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 {Light emitting diode package having a reflector cup by metal thin film and its manufacturing method} Light emitting diode package having a reflector cup by metal thin film and its manufacturing method

도 1a은 종래의 측면발광형 발광다이오드 패키지를 도시한 사시도, Figure 1a is a perspective view showing a conventional side-emitting light emitting diode package,

도 1b는 도 1a에 도시된 측면발광형 발광다이오드 패키지의 단면도,FIG. 1B is a cross-sectional view of the side-emitting LED package shown in FIG. 1A;

도 2는 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지의 제조공정도, 2 is a manufacturing process diagram of a light emitting diode package according to the present invention;

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 캐비티 형상을 구비한 제 1동판의 평면도,3 is a plan view of a first copper plate having a cavity shape according to an embodiment of the present invention;

도 4는 캐비티 형상의 또 다른 실시예로서 제 1동판의 평면도, 4 is a plan view of a first copper plate as another embodiment of a cavity shape;

도 5는 본 발명에 따른 제1동판과 제2동판을 적층 고정하여 캐비티를 구성한 동판 결합체의 단면도,5 is a cross-sectional view of a copper plate assembly in which a cavity is formed by stacking and fixing a first copper plate and a second copper plate according to the present invention;

도 6은 도 5에 도시된 동판 결합체에 동도금을 실행한 것을 나타내는 단면도, FIG. 6 is a cross-sectional view showing copper plating performed on the copper plate assembly shown in FIG. 5; FIG.

도 7a는 선택된 부위를 전기도금 하기 위해 절연막을 형성한 동판결합체의 단면도, 7A is a cross-sectional view of a copper plate assembly having an insulating film formed thereon for electroplating selected portions;

도 7b는 캐비티를 선택적으로 전기도금 하기 위한 캐비티 내면에 절연막의 띠가 형성된 캐비티의 평면도, 7B is a plan view of a cavity in which an strip of an insulating film is formed on the inner surface of the cavity for selectively electroplating the cavity;

도 8은 캐비티 내부를 금과 은 순서로 선택 도금한 것을 도시하는 동판결합체의 단면도,FIG. 8 is a cross-sectional view of the copper plate assembly showing selective plating of the inside of the cavity in the order of gold and silver;

도 9는 캐비티내 액상 수지를 주입하기 직전의 캐비티 구조를 도시하는 단면도,9 is a cross-sectional view showing the cavity structure immediately before injecting the liquid resin in the cavity;

도 10은 캐비티에 수지를 몰딩하고 난 후 절연막을 제거한 동판 결합체의 단면도, 10 is a cross-sectional view of a copper plate assembly in which an insulating film is removed after molding a resin into a cavity;

도 11은 동판 결합체가 제거되면서 동판 표면의 도금층이 몰딩 수지로 전사된 것으로 남는 발광다이오드 패키지의 단면도, 11 is a cross-sectional view of a light emitting diode package in which the plating layer on the surface of the copper plate remains transferred to the molding resin while the copper plate assembly is removed;

도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 측면발광형 발광다이오드 패키지의 사시도. 12 is a perspective view of a side light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10, 60, 70...패키지 20, 30... 동판10, 60, 70 ... Package 20, 30 ... Copper

40...방열판 결합체, 41... 캐비티 40 ... heat sink assembly, 41 ... cavity

42, 46, 47...도금층(면) 14, 48...발광다이오드 칩 42, 46, 47 ... plated layer (surface) 14, 48 ... LED chip

43, 44... 절연막43, 44 ... insulating film

본 발명은 발광다이오드 패키지및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전기적 단자를 겸하는 도금 층으로만 이루어진 박막의 광 반사 컵으로 그 외관이 정의되어, 종래기술에서 리드프레임과 몰딩수지 반사컵을 대신하여, 생산성과 경제성을 높이면서 광효율이 높고 초박형 실현이 가능한 측면발광형 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting diode package and a method of manufacturing the same, and more particularly, the appearance is defined as a thin film light reflecting cup consisting of a plating layer also serving as an electrical terminal, the lead frame and molding resin reflecting cup in the prior art Instead, the present invention relates to a side light emitting package and a method of manufacturing the same, which can realize high thickness and high light efficiency while improving productivity and economy.

먼저, 일반적으로 사용되고 있는 측면발광형 발광다이오드 패키지를 도 1에 따라 설명한다.First, a side light emitting diode package generally used will be described with reference to FIG. 1.

도 1은 종래의 측면발광형 발광다이오드 패키지(10)의 한 예를 도시한 것이다. 1 shows an example of a conventional side-emitting type light emitting diode package 10.

도 1에 도시된 바와 같이, 발광다이오드 패키지(10)은 칩본딩 패드와 와이어 본딩 패드로 연결된 리드단자(11)와 백색의 수지로 사출 성형되어 캐비티(12)를 이루면서 리드단자(11)를 고정하는 절연몸체(13)를 포함하는 선-선형 리드프레임을 준비하는 과정, 캐비티(12) 내에 노출된 리드단자(11)에 칩(14)과 와이어(15)를 본딩을 하는 과정, 캐비티(12)를 투명한 접착 수지(16)로 충전하여 칩(14)과 본딩 와이어(15)를 보호하는 과정, 절연 몸체 밖으로 돌출된 리드단자(11)를 전체 리드프레임에서 분리되도록 절단하고 표면실장이 가능토록 절곡하는 과정에 의해 만들어진다.As shown in FIG. 1, the light emitting diode package 10 is injection molded from a white resin and a lead terminal 11 connected by a chip bonding pad and a wire bonding pad to form a cavity 12 to fix the lead terminal 11. Preparing a line-linear lead frame including an insulating body 13, bonding the chip 14 and the wire 15 to the lead terminals 11 exposed in the cavity 12, and the cavity 12. ) Is filled with a transparent adhesive resin 16 to protect the chip 14 and the bonding wire 15, the lead terminal 11 protruding out of the insulating body is cut to separate from the entire lead frame and to allow surface mounting It is made by the process of bending.

상기와 같은 측면발광형 발광다이오드 패키지는 1 내지 5인치 정도의 소형 LCD의 백라이트에 주로 적용된다. 소형 LCD는 휴대폰과 같이 적용 부품의 소형 박형화가 강조되는 제품에 주로 채용되고 있다. 지난 수년간 소형 LCD를 박형화 하 기 위해 LCD 백라이트 유닛의 도광판 두께는 지속적으로 줄여졌다. 이에 동반하여 측면발광형 발광다이오드 패키지의 박형화도 진행되어졌다.The side light emitting diode package as described above is mainly applied to a backlight of a small LCD of about 1 to 5 inches. Small LCDs are mainly used in products such as mobile phones, where small thickness of applied parts is emphasized. In the past few years, the thickness of the light guide plate of the LCD backlight unit has been continuously reduced to reduce the size of small LCDs. Along with this, thinning of the side light emitting diode package has also been progressed.

그러나, 도 1에 도시된 바와 같은 종래기술의 측면발광형 패키지(10)는 리드단자(11)로서 리드프레임을 사용하고, 광반사 컵으로서 캐비티(12)를 형성하기 위해 플라스틱을 사출 성형한 광반사벽(17)을 형성하여야 하기 때문에, 계속적인 박형화에는 한계가 있다. However, the side light emitting package 10 according to the related art as shown in FIG. 1 uses a lead frame as the lead terminal 11, and light which is injection molded of plastic to form the cavity 12 as the light reflection cup. Since the reflective wall 17 must be formed, there is a limit to the continuous thinning.

캐비티는 생산성이 있는 장비로 칩 및 와이어 본딩을 하는 것에 기본적으로 필요한 공간을 포함하여 구비되어야 하며, 여기에 캐비티의 벽으로서 유지될 수 있는 플라스틱의 두께가 더해져 패키지의 두께가 결정된다. 캐비티의 벽은 광이 투과되지 않을 만큼, 리드프레임에 의한 리드 단자를 성형하는 기계적 스트레스로부터 리드 단자의 이탈이나 틀어짐 없게 고정할 수 있을 만큼, 또한 사출 금형에서 성형이 가능한 만큼의 두께가 필요하다. The cavity should be provided with the space essentially required for chip and wire bonding with productive equipment, plus the thickness of the plastic, which can be held as a wall of the cavity, to determine the thickness of the package. The wall of the cavity needs to have a thickness enough to be able to fix the lead terminal from mechanical stress forming the lead terminal by the lead frame so that light is not transmitted, and to fix the lead terminal without deviating or twisting it.

따라서 종래기술의 측면발광형 패키지는 소정의 두께 이상을 요구하는 플라스틱 벽을 가져야 하는 만큼 박형화에는 한계가 있다는 문제점이 있었다. Therefore, there is a problem in that the side light emitting package of the prior art has a limitation in thinning as it must have a plastic wall requiring a predetermined thickness or more.

또, 품질이나 신뢰성 측면에서 상기한 종래기술의 패키지는 플라스틱 벽과 리드프레임과 같은 신축성이 없는 재료로 정의된 캐비티에 수축율이 큰 접착수지를 충진함으로, 접착수지가 본딩 와이어에 스트레스를 주거나 캐비티 벽 또는 칩 표면과 박리될 수도 있다는 문제점도 있었다. In addition, in terms of quality and reliability, the above-described prior art package fills the cavity defined by the elastic material such as the plastic wall and the lead frame with a high shrinkage adhesive resin, so that the adhesive resin stresses the bonding wire or the cavity wall. Or there was a problem that may be peeled off the chip surface.

또한 플라스틱 캐비티 벽은 비록 순백색 일지라도 은과 같은 금속면 보다 반사율이 낮고, 거친 표면으로 광의 난반사되므로 광효율이 낮다는 문제점도 있었다.In addition, although the plastic cavity wall is pure white, the reflectance is lower than that of a metal surface such as silver, and the light efficiency is low because the light is diffusely reflected on the rough surface.

본 발명의 목적은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 박막의 금속 도금층만으로 이루어져 전기적 단자를 겸하는 캐비티 벽을 가지므로 해서 패키지를 더욱 박형화할 수 있는 발광다이오드 패키지 및 그제조방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the problems described above, and to provide a light emitting diode package and a method of manufacturing the same, which can further reduce the package by having a cavity wall that serves as an electrical terminal consisting of only a thin metal plating layer. will be.

본 발명의 다른 목적은 캐비티를 충전한 수지의 수축 팽창 스트레스를 흡수할 수 있어 신뢰성이 개선되고, 내면이 반사경과 같고 광반사율이 높은 은도금을 이루어지므로 광효율을 개선할 수 있는 발광다이오드 패키지 및 그제조방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to absorb the shrinkage expansion stress of the resin filling the cavity to improve the reliability, and the light emitting diode package and its manufacture that can improve the light efficiency because the inner surface is made of silver plating with the same reflectance and high light reflectivity To provide a way.

본 발명의 또 다른 목적은 캐비티를 구비한 금속판에 적층한 도금층과 절연 수지막을 몰딩 수지로 전사하여 이루어지는 발광다이오드 패키지 및 그제조방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a light emitting diode package and a method for manufacturing the same, which are obtained by transferring a plating layer and an insulating resin film laminated on a metal plate having a cavity to a molding resin.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지는 양극부와 음극부의 두 영역으로 구분되고 박막의 도금층만으로 형성되는 전기적 단자를 공유하는 광 반사컵; 상기 광 반사컵을 양분하여 도금층이 상기 두 영역간에 절연하여 도금되게 하며, 전체 광반사컵의 일부에 형성되는 절연막의 띠; 상기 반사컵 내부에서 도금층과 전기적 결선이 이루어지는 발광다이오드 칩; 상기 반사컵을 충전하여 상기 발광다이오드 칩을 보호하고 상기 도금층과 절연막의 띠로 구성된 반사컵 의 내벽에 접착하는 접착수지;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a light emitting diode package according to the present invention includes a light reflecting cup which is divided into two regions of an anode portion and a cathode portion and shares an electrical terminal formed only of a thin film plating layer; A band of an insulating film formed by dividing the light reflecting cup so that the plating layer is insulated and plated between the two regions, and formed on a part of the total light reflecting cup; A light emitting diode chip having an electrical connection with a plating layer in the reflection cup; And an adhesive resin for protecting the light emitting diode chip by filling the reflective cup and adhering to an inner wall of the reflective cup formed of a band of the plating layer and the insulating layer.

또, 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지에 있어서, 상기 발광다이오드 칩은 측면발광형으로 실장되는 것을 특징으로 한다.In the light emitting diode package according to the present invention, the light emitting diode chip is mounted side-emitting type.

또, 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지에 있어서, 상기 광 반사컵은 단자부로서 구분하여 돌출면을 갖는 것을 특징으로 한다.Further, in the light emitting diode package according to the present invention, the light reflecting cup is characterized in that it has a protruding surface divided as a terminal portion.

또, 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지에 있어서, 상기 도금층은 외측표면이 금도금인 것을 특징으로 한다.In the light emitting diode package according to the present invention, the plating layer is characterized in that the outer surface is gold plated.

또, 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지에 있어서, 상기 도금층은 내측 표면이 은도금인 것을 특징으로 한다.In the light emitting diode package according to the present invention, the plating layer is characterized in that the inner surface is silver plating.

또, 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지에 있어서, 상기 절연막의 띠가 포토 레지스터인 것을 특징으로 한다.In the light emitting diode package according to the present invention, the strip of the insulating film is a photoresist.

또, 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지에 있어서, 상기 접착 수지는 상기 광 반사컵내에 충진되는 에폭시 또는 실리콘인 것을 특징으로 한다.In the light emitting diode package according to the present invention, the adhesive resin is epoxy or silicon filled in the light reflecting cup.

또한, 상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지의 제조 방법은 반사컵 형태의 캐비티를 구비한 동판을 준비하는 단계; 상기 동판 전후 면에 절연막을 형성하고, 상기 캐비티에는 내면을 따라 캐비티를 두 영역으로 구분하는 절연막 띠를 형성하는 단계; 상기 절연막의 띠로 구분되는 두개 영역의 캐비티 내면에 전기 도금으로서 금도금을 한 후 은도금을 실행하는 도금 단계; 상기 캐비티의 저면의 도금층에 발광다이오드 칩을 부착하고 전기적 결선을 이루는 단계; 상기 캐비티를 수지로 충전하는 단계; 상기 수지로부터 노출 또는 보호되지 않는 절연막 모두를 제거하는 단계; 상기 금도금 층 이하 도금층과 절연막의 띠가 충전 수지에 전사된 형태의 개별 패키지로 남도록 상기 동판을 모두 부식하여 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, to achieve the above object, a method of manufacturing a light emitting diode package according to the present invention comprises the steps of preparing a copper plate having a cavity in the form of a reflective cup; Forming an insulating film on the front and rear surfaces of the copper plate, and forming an insulating film band on the cavity, the insulating film band dividing the cavity into two regions along an inner surface thereof; A plating step of performing gold plating after electroplating gold on the inner surface of the cavity of two regions separated by a band of the insulating film; Attaching a light emitting diode chip to a plating layer on a bottom surface of the cavity and forming an electrical connection; Filling the cavity with resin; Removing all of the insulating film that is not exposed or protected from the resin; And removing all of the copper plate by corroding the gold plating layer or less so that the strips of the plating layer and the insulating layer remain as individual packages in the form transferred to the filling resin.

또, 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지의 제조방법에 있어서, 상기 캐비티를 구비한 동판은 캐비티 형상의 슬롯이 천공된 제 1 동판과 캐비티 저면을 이루는 제2동판을 척층하여 고정한 것을 특징으로 한다.In the method of manufacturing a light emitting diode package according to the present invention, the copper plate provided with the cavity is characterized in that the first copper plate having a cavity-shaped slot and the second copper plate forming the bottom of the cavity are chucked and fixed.

또, 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지의 제조방법에 있어서, 상기 절연막에 의한 캐비티의 내벽을 따라 형성되는 띠는 포토레지스터와 같은 감광성 재료를 적용하는 것을 특징으로 한다.In the method for manufacturing a light emitting diode package according to the present invention, the band formed along the inner wall of the cavity by the insulating film is characterized by applying a photosensitive material such as a photoresist.

또, 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지의 제조방법에 있어서, 상기 금도금을 하기위한 전 단계로 화학 동도금을 실시하는 것을 특징으로 한다.In addition, the method of manufacturing a light emitting diode package according to the present invention is characterized in that the chemical copper plating is carried out as a previous step for the gold plating.

또, 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지의 제조방법에 있어서, 상기 동판을 부식하는 단계에서 금을 부식하는 에칭 액을 사용하지 않는 것을 특징으로 한다.In addition, the method of manufacturing a light emitting diode package according to the present invention is characterized in that an etching solution which corrodes gold in the step of corroding the copper plate is not used.

또한, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 금속면에 형성된 도금층을 전사하여 패키지의 구성요소로 적용한 것을 특징으로 한다.In addition, the LED package according to the present invention is characterized in that the transfer of the plating layer formed on the metal surface and applied as a component of the package.

본 발명의 상기 및 그밖의 목적과 새로운 특징은 본 명세서의 기술 및 첨부 도면에 의해 더욱 명확하게 될 것이다.The above and other objects and novel features of the present invention will become more apparent from the description of the specification and the accompanying drawings.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 일실시예로서의 측면발광형 발광다이오드 패키지에 대해 첨부된 도 2 내지 도 12를 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, a side light emitting diode package as an embodiment according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 12.

또한, 본 발명의 설명에 있어서는 동일 부분은 동일 부호를 붙이고, 그 반복 설명은 생략한다.In addition, in description of this invention, the same code | symbol is attached | subjected to the same part and the repeated description is abbreviate | omitted.

본 발명에 따른 발광다이오드 패키지는 리드프레임이나 사출성형한 프라스틱 광반사컵의 벽을 포함하지 않기 때문에 무엇보다 박형화가 강조되고 있는 소형 LCD의 백라이트 광원으로서의 초 박형의 측면발광형 패키지를 제조하는데 강점이 있다. Since the light emitting diode package according to the present invention does not include a wall of a lead frame or an injection molded plastic light reflection cup, the strength of manufacturing an ultra-thin side light emitting package as a backlight light source of a small LCD is emphasized thinning. have.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 공정도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 캐비티 형상을 구비한 제 1동판의 평면도이고, 도 4는 캐비티 형상의 또 다른 실시예로서 제 1동판의 평면도이고, 도 5는 본 발명에 따른 제1동판과 제2동판을 적층 고정하여 캐비티를 구성한 동판 결합체의 단면도이며, 도 6은 도 5에 도시된 동판 결합체에 동도금을 실행한 것을 나타내는 단면도이다.2 is a process diagram of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is a plan view of a first copper plate having a cavity shape according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is another embodiment of the cavity shape 5 is a plan view of a first copper plate, and FIG. 5 is a cross-sectional view of a copper plate assembly in which a cavity is formed by stacking and fixing a first copper plate and a second copper plate according to the present invention, and FIG. 6 shows that copper plating is performed on the copper plate assembly shown in FIG. It is sectional drawing which shows.

도 2에 도시된 공정도에 따라 캐비티를 구비한 동판을 마련하는 단계로서 도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 캐비티 형상(21)이 천공된 제1 동판(20)과 캐비티 하부면을 이루는 제2 동판(30)을 밀착하여 적층 고정한다. According to the process diagram shown in Figure 2 as a step of providing a copper plate having a cavity, as shown in Figures 3 and 5, the first copper plate 20, the cavity shape 21 is formed of the perforated first cavity 20 2 Copper plate 30 is brought into close contact and laminated.

즉, 패키지의 개별 유닛을 이루는 천공된 캐비티 형상(21)이 복수로 정렬 배치된 제1 동판(20)을 마련한다. That is, the first copper plate 20 in which a plurality of perforated cavity shapes 21 constituting individual units of the package are arranged is provided.

본 발명에 있어서는 원가절감 및 생산성 향상을 위해 최대한 조밀하게 캐비티 형상(21)을 배치하여 단위 면적당 유닛 집적도를 높인다. 측면발광형 패키지의 두께를 0.5mm로 하고자 한다면 천공된 캐비티 형상의 단변의 폭은 0.5mm로 일치하여야 하며, 캐비티 형상을 천공할 수 있는 가공성을 고려하여 0.5mm의 120% 이하 인 0.6mm 이하로 제1동판(20)의 두께를 정할 수 있고, 캐비티 형상간의 간격(D)도 0.5mm로 할 수 있다. In the present invention, the cavity shape 21 is arranged as densely as possible in order to reduce cost and improve productivity, thereby increasing unit density per unit area. If the thickness of the side emitting package is 0.5mm, the width of the short side of the perforated cavity shape should be 0.5mm, and considering the workability to perforate the cavity shape, it should be 0.6mm or less, which is 120% or less of 0.5mm. The thickness of the first copper plate 20 can be determined, and the distance D between the cavity shapes can also be 0.5 mm.

이러한 방법으로 캐비티 형상(21)의 배치 밀도를 정하고, 최종적으로 패키지의 모양이 될 캐비티의 형상과 크기를 다양하게 할 수도 있다. In this way, the placement density of the cavity shape 21 can be determined, and the shape and size of the cavity which will finally be the shape of the package can be varied.

도 4는 본 발명에 의한 측면발광형 패키지의 솔더링을 용이하게 할 수 있도록, 돌출 구분되는 패캐지 외부 단자 형상(22)을 추가하여 도 3에 도시한 캐비티 형상(21)을 변형한 캐비티 형상(23)을 도시한 것이다. FIG. 4 is a cavity shape 23 in which the cavity shape 21 shown in FIG. 3 is modified by adding a packaged outer terminal shape 22 which is protruded and separated to facilitate soldering of the side-emitting package according to the present invention. ) Is shown.

본 발명에 따르면, 캐비티 형상(21) 안에서 이루어 질 이후 공정들의 결과가 결국 패캐지로 남기 때문에 제1 동판(20)에 천공된 캐비티 형상(21)이 결국 패키지의 외관이 되는 것이다.According to the present invention, the cavity shape 21 perforated in the first copper plate 20 eventually becomes the appearance of the package since the result of the processes after being made in the cavity shape 21 eventually remains a package.

본 발명에 있어서는 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 동판(20)과 제2 동판(30)을 중첩하여 고정시키며, 두 동판을 중첩 고정하는 하나의 방법으로 서로 일치하는 정렬 홀(24)을 두고 금속핀으로 리벳팅하는 방법을 택하였다. 물론, 스폿 용접과 같은 다른 방법도 가능하다. 여기서 제2 동판(30)은 중첩 고정하는 과정에 변형을 막을 수 있을 정도로 얇은 것일수록 바람직하다.In the present invention, as shown in FIG. 5, the first copper plate 20 and the second copper plate 30 are overlapped and fixed, and the alignment holes 24 coincide with each other by one method of overlapping and fixing the two copper plates. The method was chosen to rivet with a metal pin. Of course, other methods are also possible, such as spot welding. The second copper plate 30 is preferably thin enough to prevent deformation in the process of overlapping fixing.

그 후, 도 6에 도시된 바와 같이, 중첩한 두 동판사이의 틈을 메우고 자연스러운 형상의 캐비티(41)가 되도록 1차 동도금(42)을 실행하며, 동도금의 방법으로서 화학 동도금이 바람직하다. Thereafter, as shown in Fig. 6, primary copper plating 42 is performed to fill the gap between the two overlapping copper plates and to form a cavity 41 of natural shape, and chemical copper plating is preferable as the copper plating method.

도 7은 패키지의 두 전극을 구분하여 캐비티(41) 내면을 따라 전기도금에 대한 절연막(43)으로서 띠(44)를 형성한 것을 도시한 것으로, 도7a는 단면, 도 7b 는 상부면을 나타낸다. FIG. 7 illustrates the formation of a strip 44 as an insulating film 43 for electroplating along the inner surface of the cavity 41 by dividing the two electrodes of the package. FIG. 7A shows a cross section and FIG. 7B shows a top surface. .

절연막(43)은 캐비티 내부 띠(44)뿐만 아니라 제1,제 2 동판의 결합체(40) 상하면에서 전기 도금을 위한 전극부(45)을 제외한 전체를 덮는다. 이것을 위해 절연막(43)은 감광성 포토레지스터를 이용하고, 캐비티(41) 내면을 포함한 제1, 제2 동판 결합체(40) 전체에 걸쳐 절연막(43)을 입힌다. The insulating layer 43 covers not only the cavity inner band 44 but also the entire upper and lower surfaces of the assembly 40 of the first and second copper plates except for the electrode part 45 for electroplating. For this purpose, the insulating film 43 uses a photosensitive photoresist and coats the insulating film 43 over the first and second copper plate assemblies 40 including the inner surface of the cavity 41.

그리고 캐비티 내면의 분할된 두 영역과 전기도금을 위한 전극부(45)의 도금 절연막(43)을 제거하기 위해 필름 마스크로 가리고 노광한 후, 현상 및 세척의 과정이 수행된다.In order to remove the two divided regions of the inner surface of the cavity and the plating insulating layer 43 of the electrode part 45 for electroplating, the film mask is exposed and exposed with a film mask, and then development and cleaning are performed.

캐비티(41) 내부의 절연막(43)의 띠(44)는 최종 패캐지의 외면의 일부로서 광 반사컵의 일부를 이루므로, 도금의 절연막(43)은 백색의 불투명 한 것으로 광 투과 및 흡수가 적고 솔더 레지스터의 역할을 할 수 있어야 한다. Since the strip 44 of the insulating film 43 inside the cavity 41 forms a part of the light reflecting cup as part of the outer surface of the final package, the plating insulating film 43 is white opaque and has less light transmission and absorption. It must be able to act as a solder resistor.

도 8은 본 발명에 따른 패키지의 진정한 외면이 되는 금도금(46)과 광반사컵의 내면을 이루는 은도금(47)을 형성하는 단계를 도시한 것이다.8 shows the steps of forming a gold plating 46 which is the true outer surface of the package according to the present invention and a silver plating 47 which forms the inner surface of the light reflection cup.

통상 금(Au)은 동을 부식하는 부식액으로부터 보호되고 화학적으로 매우 안정되어 있으며 솔더링이 매우 용이하기 때문에 이 단계에서 적용되며, 상기한 역할이 가능한 보다 경제적인 재료가 있다면 당연히 금을 대체하여야 할 것이다. 또, 본 발명에 있어서 은(Ag)은 금도면(46) 상에서 광반사컵의 내면을 이루어야 하므로, 광반사율이 높고 와이어 본딩성이 우수해 채용되었다.Au is usually applied at this stage because it is protected from corrosives that corrode copper, is very chemically stable, and very easy to solder. . In addition, in this invention, silver (Ag) should form the inner surface of the light reflection cup on the gold-plated surface 46, and was employ | adopted because of high light reflectivity and excellent wire bonding property.

또한, 본 발명에 있어서는 절연막(43)으로부터 노출된 캐비티 내면만을 도금하기 위해 전기도금이 실행된다.In the present invention, electroplating is performed to plate only the inner surface of the cavity exposed from the insulating film 43.

도 9은 캐비티(41) 저면에 발광 다이오드 칩(48)을 안착하고 와이어(49) 본딩으로 전기적 연결을 이루며 액상의 수지(51)를 도포하는 과정을 도시한 것이다.FIG. 9 illustrates a process of seating a light emitting diode chip 48 on a bottom surface of the cavity 41, making an electrical connection by wire 49 bonding, and applying a liquid resin 51.

여기서 발광다이오드는 와이어본딩 과정을 생략할 수 있는 플립칩일 수도 있으며, 수지(51)는 캐비티(41) 내부(또는 반사컵 내벽)의 은도금(47), 칩(48) 그리고 본딩와이어(49)를 보호하기 도포된다. 따라서 수지는 경화 후 은도금층(47)과 절연막(43)의 띠(44)와 강하게 접착하면서도 패키지 형상을 유지하기 위한 강도를 구비한 투명한 엑폭시나 실리콘이 바람직하다.In this case, the light emitting diode may be a flip chip which may omit the wire bonding process, and the resin 51 may include the silver plating 47, the chip 48, and the bonding wire 49 inside the cavity 41 (or the inner wall of the reflective cup). It is applied to protect. Therefore, the transparent epoxy or silicone having strength for maintaining the package shape while strongly adhering the resin to the band 44 of the silver plating layer 47 and the insulating film 43 after curing is preferable.

도 10은 절연막(43)과 동일한 수준으로 캐비티(41)에 수지(50)가 충전되어 경화된 상태에서 제1, 제2 동판의 결합체(40)의 상하면을 덮고 있는 절연막(43)을 제거한 상태를 도시한 것이다.10 is a state in which the insulating film 43 covering the upper and lower surfaces of the assembly 40 of the first and second copper plates is removed while the resin 41 is filled and cured in the cavity 41 to the same level as the insulating film 43. It is shown.

도 11은 제1 동판(20), 제2 동판(30), 그리고 최초 화학 동도금(42)이 제거되어 금도금(46)으로 보호되는 개별화 된 패키지(60)를 도시한 것이다. 금이 왕수에만 부식되는 점을 착안, 금도금(46)과 수지(50)로 보호되는 개별 패키지(60)를 남기고 동판과 동도금층이 제거되는 것은 염화 제2철과 같은 부식액을 사용하여서 가능하다.FIG. 11 shows an individualized package 60 in which the first copper plate 20, the second copper plate 30, and the initial chemical copper plating 42 have been removed and protected with gold plating 46. It is possible to remove the copper plate and the copper plating layer by using a corrosion solution such as ferric chloride, leaving the individual package 60 protected by the gold plating 46 and the resin 50, considering that the gold is corroded only to the aqua regia.

이상 전술한 과정과 방법으로 외 표면이 금, 내 표면 은인 도금층, 그리고 양극과 음극을 구역적으로 양분하는 절연막의 띠(44)로 정의되는 광반사컵에 의해 보다 박형화할 수 있는 측면발광형 엘이디 패키지가 완성된다.In the above-described process and method, the side-emitting type LED which can be further thinned by the light reflection cup defined by the plating layer whose outer surface is gold, the inner surface silver, and the band 44 of the insulating layer which bisects the positive electrode and the negative electrode in a regional manner. The package is complete.

도 12은 본발명에 따른 측면발광형 발광다이오드 패키지(70)를 보다 이해하기 쉽게 도시한 것이다.12 illustrates a side light emitting diode package 70 according to the present invention for easier understanding.

정면의 일면만이 수지(50)로 정의되는 발광창을 이루며 나머지 상하좌우 그리고 배면에 걸쳐 내부에 은도금(47), 외부에 금도금(46) 층의 반사컵을 이루면서, 상하 그리고 배면의 삼면에 걸친 절연 막의 띠(44)가 양과 음의 두전극을 분할하여 절연하고, 패키지(70) 외면에 추가의 전기단자를 장착할 필요없이 하부면을 전기단자로 이용한다.Only one surface of the front surface forms a light emitting window defined by the resin 50, and the upper, lower, left, right, and rear surfaces of the silver plating 47 and the outer surface of the gold plating 46 layer are formed, and the upper and lower surfaces of the back surface are formed. The strip 44 of the insulating film divides the two electrodes, positive and negative, to insulate, and uses the lower surface as the electrical terminal without the need to install additional electrical terminals on the outer surface of the package 70.

도 12에서는 금과 은의 도금층(46,47)의 구분을 이해 하기 쉽게한 도식으로 상기 패키지 정면에 표시하였고 도금층을 두껍게 표현하였지만, 실제로는 도금층은 수 미크론의 얇은 두께로 수지에 강하게 접착하여 수지표면에 금속막이 코팅된 것과 같다. In FIG. 12, the gold and silver plating layers 46 and 47 are shown on the front side of the package in a schematic diagram that makes it easy to understand the plating layers. However, the plating layers are thickly expressed. It is as if the metal film was coated on.

따라서 본발명에 다른 상기 패키지는 초박형을 제조될 수 있다.Therefore, the above-described package according to the present invention can be manufactured ultra thin.

이상 본 발명자에 의해서 이루어진 발명을 상기 실시예에 따라 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니고 그 요지를 이탈하지 않는 범위에서 여러 가지로 변경 가능한 것은 물론이다.As mentioned above, although the invention made by this inventor was demonstrated concretely according to the said Example, this invention is not limited to the said Example and can be variously changed in the range which does not deviate from the summary.

즉, 상기 실시예에 있어서는 초박막 금속 반사컵을 가지는 발광다이오드 패키지 및 그제조방법의 실시예에 대해 설명하였지만, 이에 한정되는 것은 아니며 초박형 패키지를 요구하는 반도체 장치에도 실현할 수 있음은 물론이다.That is, in the above embodiment, the light emitting diode package having the ultra-thin metal reflective cup and the manufacturing method thereof have been described. However, the present invention is not limited thereto, and it can be realized in a semiconductor device requiring an ultra-thin package.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 초박막 금속 반사컵을 가지는 발광다이오드 패키지 및 그제조방법에 의하면, 박막의 도금층만 광 반사컵 및 전기단자를 형 성하므로 박형화가 강조되는 소형 LCD의 백라이트 광원으로서 보다 박형화할 수 있는 측면발광형 엘이디 패키지를 달성할 수 있다는 효과가 얻어진다. As described above, the light emitting diode package having the ultra-thin metal reflective cup and the manufacturing method thereof according to the present invention form a light reflecting cup and an electric terminal only in a thin film plating layer, and thus are more suitable as a backlight light source of a small LCD whose thickness is emphasized. The effect of achieving a thin side emitting type LED package is obtained.

또, 본 발명에 따르면, 광반사컵을 충전하는 수지의 열적 수축 팽창에 의한 스트레스를 흡수하고 은 도금면에 의한 광 반사 효율 향상하여 신뢰성과 품질을 향상할 수 있다는 효과도 얻어진다. In addition, according to the present invention, the effect of absorbing the stress due to thermal contraction and expansion of the resin filling the light reflection cup and improving the light reflection efficiency by the silver plated surface can also be obtained to improve the reliability and quality.

또한, 본 발명에 따르면, 하나의 패키지 형상을 이루기 위해 필요한 사출성형과 리드성형의 금형이 요구되지 않고, 고도로 집적된 기판의 효율성에 의해 향상된 생산성과 경제성을 창출할 수 있다는 효과도 얻어진다.In addition, according to the present invention, the injection molding and lead-molding molds required to achieve a single package shape are not required, and the productivity and economic efficiency can be created by the efficiency of the highly integrated substrate.

Claims (13)

양극부와 음극부의 두 영역으로 구분되고 박막의 도금층만으로 형성되는 전기적 단자를 공유하는 광 반사컵; A light reflecting cup divided into two regions of the anode portion and the cathode portion and sharing an electrical terminal formed of only a thin plating layer; 상기 광 반사컵을 양분하여 도금층이 상기 두 영역간에 절연하여 도금되게 하며, 전체 광반사컵의 일부에 형성되는 절연막의 띠; A band of an insulating film formed by dividing the light reflecting cup so that the plating layer is insulated and plated between the two regions, and formed on a part of the total light reflecting cup; 상기 반사컵 내부에서 도금층과 전기적 결선이 이루어지는 발광다이오드 칩; A light emitting diode chip having an electrical connection with a plating layer in the reflection cup; 상기 반사컵을 충전하여 상기 발광다이오드 칩을 보호하고 상기 도금층과 절연막의 띠로 구성된 반사컵의 내벽에 접착하는 접착수지;An adhesive resin filling the reflective cup to protect the light emitting diode chip and adhering to an inner wall of the reflective cup including a strip of the plating layer and the insulating layer; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지. Light emitting diode package comprising a. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 발광다이오드 칩은 측면발광형으로 실장되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The LED package is characterized in that the light emitting diode package is mounted in a side-emitting type. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 광 반사컵은 단자부로서 구분하여 돌출면을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.The light reflecting cup is a light emitting diode package, characterized in that it has a protruding surface divided as a terminal portion. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 도금층은 외측표면이 금도금인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지. The plating layer is a light emitting diode package, characterized in that the outer surface is gold plated. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 도금층은 내측 표면이 은도금인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The plating layer is a light emitting diode package, characterized in that the inner surface is silver plating. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 절연막의 띠가 포토 레지스터인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.A light emitting diode package, characterized in that the strip of the insulating film is a photoresist. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 접착 수지는 상기 광 반사컵내에 충진되는 에폭시 또는 실리콘인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지. The adhesive resin is a light emitting diode package, characterized in that the epoxy or silicon filled in the light reflecting cup. 반사컵 형태의 캐비티를 구비한 동판을 준비하는 단계; Preparing a copper plate having a cavity in the form of a reflective cup; 상기 동판 전후 면에 절연막을 형성하고, 상기 캐비티에는 내면을 따라 캐비티를 두 영역으로 구분하는 절연막 띠를 형성하는 단계; Forming an insulating film on the front and rear surfaces of the copper plate, and forming an insulating film band on the cavity, the insulating film band dividing the cavity into two regions along an inner surface thereof; 상기 절연막의 띠로 구분되는 두개 영역의 캐비티 내면에 전기 도금으로서 금도금을 한 후 은도금을 실행하는 도금 단계; A plating step of performing gold plating after electroplating gold on the inner surface of the cavity of two regions separated by a band of the insulating film; 상기 캐비티의 저면의 도금층에 발광다이오드 칩을 부착하고 전기적 결선을 이루는 단계;Attaching a light emitting diode chip to a plating layer on a bottom surface of the cavity and forming an electrical connection; 상기 캐비티를 수지로 충전하는 단계; Filling the cavity with resin; 상기 수지로부터 노출 또는 보호되지 않는 절연막 모두를 제거하는 단계; Removing all of the insulating film that is not exposed or protected from the resin; 상기 금도금 층 이하 도금층과 절연막의 띠가 충전 수지에 전사된 형태의 개별 패키지로 남도록 상기 동판을 모두 부식하여 제거하는 단계;를 Removing all of the copper plate by corroding the gold plated layer or less so that the strips of the insulating layer and the strip of the insulating film remain as individual packages in the form transferred to the filling resin; 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지의 제조방법. Method of manufacturing a light emitting diode package comprising a. 제 8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 캐비티를 구비한 동판은 캐비티 형상의 슬롯이 천공된 제 1 동판과 캐비티 저면을 이루는 제2동판을 척층하여 고정한 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법.The copper plate provided with the cavity is a light emitting diode manufacturing method, characterized in that the first copper plate with the cavity-shaped slots and the second copper plate forming the bottom surface of the cavity is chucked and fixed. 제 8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 절연막에 의한 캐비티의 내벽을 따라 형성되는 띠는 포토레지스터와 같은 감광성 재료를 적용하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조방법.The band formed along the inner wall of the cavity by the insulating film is a method of manufacturing a light emitting diode package, characterized in that for applying a photosensitive material such as a photoresist. 제 8항 또는 제 9항에 있어서, The method according to claim 8 or 9, 상기 금도금을 하기위한 전 단계로 화학 동도금을 실시하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 제조방법. Method of manufacturing a light emitting diode package, characterized in that the chemical copper plating is carried out as a previous step for the gold plating. 제 11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 동판을 부식하는 단계에서 금을 부식하는 에칭 액을 사용하지 않는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 제조방법. The method of manufacturing a light emitting diode package, characterized in that not using an etching solution to corrode gold in the step of corroding the copper plate. 금속면에 형성된 도금층을 전사하여 패키지의 구성요소로 적용한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.The light emitting diode package, characterized in that the transfer to the plating layer formed on the metal surface as a component of the package.
KR1020050083779A 2005-05-20 2005-09-08 Light emitting diode package having a reflector cup by metal thin film and its manufacturing method KR100643333B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/KR2006/001887 WO2006123917A1 (en) 2005-05-20 2006-05-19 Light emitting diode package having a reflector cup by metal thin film and its manufacturing method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050042613 2005-05-20
KR20050042613 2005-05-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100643333B1 true KR100643333B1 (en) 2006-11-10

Family

ID=37653892

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050083779A KR100643333B1 (en) 2005-05-20 2005-09-08 Light emitting diode package having a reflector cup by metal thin film and its manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100643333B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100958329B1 (en) 2009-08-14 2010-05-17 (주)참빛 Light emitting diode package substrate having side reflective surface coated with metals using mask and manufacturing method thereof

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100958329B1 (en) 2009-08-14 2010-05-17 (주)참빛 Light emitting diode package substrate having side reflective surface coated with metals using mask and manufacturing method thereof
WO2011019145A2 (en) * 2009-08-14 2011-02-17 (주)참빛 Light-emitting diode package substrate and method for manufacturing same employing a mask to form a metal coating on a reflective side surface of the light-emitting diode package substrate
WO2011019145A3 (en) * 2009-08-14 2011-04-07 (주)참빛 Light-emitting diode package substrate and method for manufacturing same employing a mask to form a metal coating on a reflective side surface of the light-emitting diode package substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10084117B2 (en) Light emitting device
TWI527175B (en) Etch-back type semiconductor package, substrate and manufacturing method thereof
US7102213B2 (en) Leadframe-based housing, leadframe strip, surface-mounted optoelectronic-component, and production method
JPH10261753A (en) Resin sealed type semiconductor device
JP2013041950A (en) Light emitting device
KR20140141474A (en) Semiconductor device
JP2002374005A (en) Optical semiconductor device
JPS63188964A (en) Integrated circuit package
TWI403234B (en) Installation substrate and method for manufacturing thin illumination device using the same
JP3900613B2 (en) Surface mount type chip component and manufacturing method thereof
JP6167556B2 (en) Lead frame, lead frame with resin, multi-sided body of lead frame, multi-sided body of lead frame with resin, optical semiconductor device, multi-sided body of optical semiconductor device
KR100643333B1 (en) Light emitting diode package having a reflector cup by metal thin film and its manufacturing method
JP6676854B2 (en) Lead frame, and method of manufacturing lead frame and semiconductor device
WO2006123917A1 (en) Light emitting diode package having a reflector cup by metal thin film and its manufacturing method
JP2017027991A (en) Lead frame with resin, multifaceted body with resin, optical semiconductor device, multifaceted body of optical semiconductor device, mold for lead frame with resin
JP6321228B2 (en) Light emitting device
JP2015038917A (en) Lead frame, lead frame with resin, multifaceted body of lead frame, multifaceted body of lead frame with resin, optical semiconductor device, multifaceted body of optical semiconductor device
JP7296201B2 (en) semiconductor light emitting device
CN116741641A (en) Flat leadless package with surface mounting structure
US10763414B2 (en) Semiconductor light-emitting device
WO2023048007A1 (en) Light-emitting device, and method for producing light-emitting device
JPH10189792A (en) Semiconductor package
JP7145414B2 (en) Lead frame and its manufacturing method, and semiconductor device and its manufacturing method
JP4786465B2 (en) Optical mask member and manufacturing method thereof
JPH04331193A (en) Ic card

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee