KR100638982B1 - 반도체 소자 제조 설비 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 반도체 소자 제조 설비는, 웨이퍼에 대한 처리가 이루어지는 챔버와, 챔버에서 공정 에러가 발생하는 경우 웨이퍼에 대한 세정을 수행하는 세정 설비와, 그리고 챔버로부터 세정 설비로 웨이퍼가 오염되지 않고 공급되도록 챔버와 세정 설비 사이에 배치되는 인터페이스를 구비한다.
건식 식각 챔버, 공정 에러, 웨이퍼 결함, 세정

Description

반도체 소자 제조 설비{Equipment of manufacturing a semiconductor device}
도 1은 종래의 반도체 소자 제조 설비의 문제점을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 설비를 나타내 보인 도면이다.
본 발명은 반도체 소자 제조 설비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 에러 발생으로 인한 웨이퍼 오염을 억제할 수 있는 반도체 소자 제조 설비에 관한 것이다.
도 1은 종래의 반도체 소자 제조 설비의 문제점을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다.
도 1을 참조하면, 반도체 제조 장비, 예컨대 건식 식각을 위한 챔버(100)는 건식 식각될 웨이퍼(200)를 지지하는 웨이퍼 홀더(110)를 포함한다. 이 챔버(100) 내에는 건식 식각 공정이 진행되면서 플라즈마, 폴리머 등의 다양한 화학성분들이 존재한다.
이와 같은 건식 식각을 위한 챔버(100) 내에서 건식 식각 공정을 진행하다가 에러가 발생하는 경우에는, 건식 식각 공정이 중지되고, 웨이퍼(200)는 도면에서 화살표(120)로 표시한 바와 같이 챔버(100) 밖으로 배출된다. 그런데 이 웨이퍼(200) 배출 과정 에서, 웨이퍼(200) 표면에 있던 화학성분들이 직접 공기중에 노출되게 된다. 그러면 웨이퍼(200) 표면에 있던 화학성분들이 반응하여, 챔버(100) 밖으로 배출된 웨이퍼(200a)의 표면에는 공정 결함들(210, 220, 230)이 발생하게 된다. 비록 도면상에는 3개의 공정 결함들(210, 220, 230)만 나타내었지만, 경우에 따라서는 보다 많은 공정 결함들이 발생한다는 것은 당연하다.
이와 같이 웨이퍼(200a) 표면에 공정 결함들(210, 220, 230)이 발생하는 경우, 웨이퍼(200a)를 불량 처리해야 하며, 이에 따라 수율이 저하된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 에러 발생으로 인한 웨이퍼 오염을 억제할 수 있는 반도체 소자 제조 설비를 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 설비는,
웨이퍼에 대한 처리가 이루어지는 챔버;
상기 챔버에서 공정 에러가 발생하는 경우 상기 웨이퍼에 대한 세정을 수행하는 세정 설비; 및
상기 챔버로부터 상기 세정 설비로 상기 웨이퍼가 오염되지 않고 공급되도록 상기 챔버와 세정 설비 사이에 배치되는 인터페이스를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 챔버는 건식 식각 챔버일 수 있다.
상기 세정 설비는, 상기 인터페이스를 통해 공급되는 웨이퍼를 지지하는 진공척과, 그리고 상기 진공척에 의해 지지되는 웨이퍼에 세정액을 공급하는 세정액공급 노즐을 구비할 수 있다.
이 경우 세정을 수행하는 동안 상기 진공척을 회전시키기 위하여 상기 진공척에 부착되는 회전축을 더 구비할 수도 있다.
상기 세정액 공급 노즐은 순수, 솔벤트 또는 황산을 공급할 수 있다.
상기 세정 설비는 상기 챔버에서 정상적으로 공정이 이루어져 공급되는 웨이퍼에 대해서는 세정을 수행하지 않는 것이 바람직하다.
이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안된다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 설비를 나타내 보인 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 설비는, 챔버(300)와, 세정 설비(400)와, 그리고 인터페이스(500)를 포함하여 구성된다.
상기 챔버(300)는 웨이퍼(600)에 대한 처리가 이루어지는 설비로서, 예컨대 건식 식각 챔버일 수 있지만, 다른 공정이 이루어지는 챔버일 수도 있다. 건식 식 각 챔버인 경우, 챔버(300) 내에는 웨이퍼(600)를 지지하는 웨이퍼 홀더(310)가 구비되며, 이 웨이퍼 홀더(310)에 의해 지지되는 웨이퍼(600)는 챔버(300) 내에서 발생하는 플라즈마 및 식각 가스에 의해 건식 식각된다.
상기 세정 설비(400)는, 챔버(300)에서 공정 에러가 발생하는 경우 챔버(300)로부터 공급되는 웨이퍼(600a)에 대한 세정을 수행한다. 이를 위하여 상기 세정 설비(400)는, 챔버(300)로부터 공급되는 웨이퍼(600a)를 지지하는 진공척(410)과, 그리고 진공척(410)에 의해 지지되는 웨이퍼(600a)에 세정액을 공급하는 세정액 공급 노즐(430)을 포함한다. 진공척(410)의 하부에는 회전축(420)이 부착되는데, 이 회전축(420)은 도면에서 화살표로 나타낸 바와 같이 회전이 가능하다. 따라서 웨이퍼(600a)에 대한 세정이 이루어지는 동안, 회전축(420)이 회전하면서 진공척(410)도 회전하고, 그 결과 웨이퍼(600a)는 회전하면서 세정된다. 상기 세정액 공급 노즐(430)로부터 분사되는 세정액은 순수일 수 있으며, 경우에 따라서는 솔벤트 또는 황산과 같은 액상의 세정액일 수도 있다.
상기 세정 설비(400)는 항상 세정을 수행하는 것은 아니다. 즉 챔버(300)에서 정상적으로 건식 식각 공정이 이루어진 후에 공급되는 웨이퍼에 대해서는 세정이 필요하지 않을 수도 있다. 이 경우에는 세정 설비(400)가 작동하지 않으며, 따라서 웨이퍼는 세정 설비(400)에서 세정되지 않고 통과하여 후속의 제조 설비로 공급된다. 결론적으로 상기 세정 설비(400)는 챔버(300)에서 에러가 발생되어 건식 식각 공정이 비정상적으로 이루어진 경우에만 공급된 웨이퍼(600a)에 대해 세정 공정을 수행한다.
상기 인터페이스(500)는, 챔버(300)로부터 세정 설비(400)로 웨이퍼(600a)가 오염되지 않고 공급되도록 챔버(300)와 세정 설비(400) 사이에 배치된다. 이를 위하여 인터페이스(500)는 진공상태가 유지되도록 한다.
지금까지 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 설비에 의하면, 챔버내에서 에러가 발생하여 웨이퍼를 챔버 밖으로 배출시키는 경우, 인터페이스를 통해 세정 설비에서 세정이 이루어지도록 함으로써 웨이퍼 표면에서의 공정 결함 발생을 억제할 수 있다는 이점이 제공된다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능함은 당연하다.

Claims (6)

  1. 웨이퍼에 대한 처리가 이루어지는 챔버;
    상기 챔버에서 공정 에러가 발생하는 경우 상기 웨이퍼에 대한 세정을 수행하는 세정 설비; 및
    진공 상태를 유지하며, 상기 챔버로부터 상기 세정 설비로 상기 웨이퍼가 오염되지 않고 공급되도록 상기 챔버와 세정 설비 사이에 배치되는 인터페이스를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 설비.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 챔버는 건식 식각 챔버인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 설비.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 세정 설비는,
    상기 인터페이스를 통해 공급되는 웨이퍼를 지지하는 진공척; 및
    상기 진공척에 의해 지지되는 웨이퍼에 세정액을 공급하는 세정액 공급 노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 설비.
  4. 제 3항에 있어서,
    세정을 수행하는 동안 상기 진공척을 회전시키기 위하여 상기 진공척에 부착되는 회전축을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 설비.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 세정액 공급 노즐은 순수, 솔벤트 또는 황산을 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 설비.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 세정 설비는, 상기 챔버에서 정상적으로 공정이 이루어져 공급되는 웨이퍼에 대해서는 세정을 수행하지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 설비.
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