KR100638461B1 - 플래시 메모리에서의 전하 펌핑 장치 및 방법 - Google Patents
플래시 메모리에서의 전하 펌핑 장치 및 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100638461B1 KR100638461B1 KR1020040115897A KR20040115897A KR100638461B1 KR 100638461 B1 KR100638461 B1 KR 100638461B1 KR 1020040115897 A KR1020040115897 A KR 1020040115897A KR 20040115897 A KR20040115897 A KR 20040115897A KR 100638461 B1 KR100638461 B1 KR 100638461B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- voltage
- high voltage
- charge pump
- outputting
- reference voltage
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/30—Power supply circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/12—Programming voltage switching circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/14—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/02—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
- G11C29/021—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters in voltage or current generators
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
- G11C5/145—Applications of charge pumps; Boosted voltage circuits; Clamp circuits therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Description
Claims (7)
- 외부에서 인가되는 전하 펌프 인에이블 신호를 이용하여 클럭을 발생하기 위한 클럭 발생기;상기 클럭을 이용하여 데이터의 프로그램 및 소거를 위해 사용되는 고전압을 출력하기 위한 전하 펌프;상기 전하 펌프 인에이블 신호를 이용하여 기준전압을 출력하기 위한 기준 전압 생성기;상기 고전압을 분압한 전압과 상기 기준 전압을 이용하여 상기 고전압의 전위에 영향을 미치지 않으면서 상기 전하 펌프의 정상 동작 여부를 확인할 수 있는 정상동작 확인신호를 테스트 장비로 제공하는 레귤레이터를 포함하는 전하 펌핑 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 레귤레이터는,상기 고전압을 분압한 전압과 상기 기준 전압을 비교하여 상기 고전압의 전위를 소정 범위로 유지시키기 위한 레귤레이팅 수단; 및상기 고전압을 분압한 전압과 상기 기준 전압을 분압한 전압을 비교하여 상기 고전압의 전위에 영향을 미치지 않으면서 상기 정상동작 확인신호를 출력하기 위한 확인신호 출력수단을 포함하는 전하 펌핑 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 레귤레이팅 수단은,상기 고전압을 분압하기 위하여 직렬연결된 복수의 분압부;상기 분압부로부터 출력되는 분압을 비반전단자에, 상기 기준 전압을 반전단자에 인가받아 비교하기 위한 제1 차동 증폭기;상기 제1 차동 증폭기의 출력에 따라 상기 고전압과 접지를 스위칭하기 위한 스위치를 포함하는 전하 펌핑 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 확인신호 출력수단은,하기 제2 차동 증폭기의 출력을 분압하기 위하여 직렬연결된 제1 내지 제3 저항;상기 기준전압을 비반전단자에, 상기 제2 및 제3 저항에 걸린 전압을 반전단자에 인가받기 위한 제2 차동 증폭기; 및상기 분압부로부터 출력되는 분압을 비반전단자에, 상기 제3 저항에 걸린 전압을 반전단자에 인가받아 상기 정상동작 확인신호를 출력하기 위한 제3 차동 증폭기를 포함하는 전하 펌핑 장치.
- 삭제
- 외부에서 인가되는 전하 펌프 인에이블 신호를 이용하여 클럭을 발생하는 단계;상기 클럭을 이용하여 데이터의 프로그램 및 소거를 위해 사용되는 고전압을 출력하는 단계;상기 전하 펌프 인에이블 신호를 이용하여 기준전압을 출력하는 단계; 및상기 고전압을 분압한 전압과 상기 기준 전압을 이용하여 상기 고전압의 전위에 영향을 미치지 않으면서 상기 전하 펌프의 정상 동작 여부를 확인할 수 있는 정상동작 확인신호를 테스트 장비로 출력하는 단계를 포함하는 전하 펌핑 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 정상동작 확인신호 출력단계는,상기 고전압을 분압한 전압과 상기 기준 전압을 비교하여 상기 고전압의 전 위를 소정 범위로 유지시키는 단계; 및상기 고전압을 분압한 전압과 상기 기준 전압을 분압한 전압을 비교하여 상기 고전압의 전위에 영향을 미치지 않으면서 상기 정상동작 확인신호를 출력하는 단계를 포함하는 전하 펌핑 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040115897A KR100638461B1 (ko) | 2004-12-30 | 2004-12-30 | 플래시 메모리에서의 전하 펌핑 장치 및 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040115897A KR100638461B1 (ko) | 2004-12-30 | 2004-12-30 | 플래시 메모리에서의 전하 펌핑 장치 및 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060077105A KR20060077105A (ko) | 2006-07-05 |
KR100638461B1 true KR100638461B1 (ko) | 2006-10-24 |
Family
ID=37169224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040115897A KR100638461B1 (ko) | 2004-12-30 | 2004-12-30 | 플래시 메모리에서의 전하 펌핑 장치 및 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100638461B1 (ko) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5532915A (en) * | 1994-03-23 | 1996-07-02 | Intel Corporation | Method and apparatus for providing an ultra low power regulated negative charge pump |
KR20030025514A (ko) * | 2001-09-21 | 2003-03-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 승압회로 |
JP2004022067A (ja) * | 2002-06-17 | 2004-01-22 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
WO2004040767A2 (en) * | 2002-10-25 | 2004-05-13 | Atmel Corporation | Variable charge pump circuit with dynamic load |
-
2004
- 2004-12-30 KR KR1020040115897A patent/KR100638461B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5532915A (en) * | 1994-03-23 | 1996-07-02 | Intel Corporation | Method and apparatus for providing an ultra low power regulated negative charge pump |
KR20030025514A (ko) * | 2001-09-21 | 2003-03-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 승압회로 |
JP2004022067A (ja) * | 2002-06-17 | 2004-01-22 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
WO2004040767A2 (en) * | 2002-10-25 | 2004-05-13 | Atmel Corporation | Variable charge pump circuit with dynamic load |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060077105A (ko) | 2006-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100626799B1 (ko) | 온-칩 ee-prom 프로그래밍 파형 생성 | |
US10033331B1 (en) | Op-amp IC chip | |
KR20080046493A (ko) | 고전압 트림 테스트 방법 및 이를 이용하는 플래쉬 메모리장치 | |
JP2009164586A (ja) | 電圧調整回路及びその電圧調整回路を用いた電圧調整方法 | |
KR100845773B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 파워 업 신호 트립 포인트 측정 회로 및 이를 이용한 파워 업 신호 트립 포인트 레벨 측정 방법 | |
KR20080029540A (ko) | 반도체 메모리 소자 | |
US20190086355A1 (en) | Semiconductor apparatus including a capacitance measuring circuit | |
US20190181103A1 (en) | Trimming method, trimming circuitry, and trimming system for integrated circuit with memory usage reduction | |
US9239583B2 (en) | Circuit for generation of an electric current with a configurable value | |
KR100638461B1 (ko) | 플래시 메모리에서의 전하 펌핑 장치 및 방법 | |
JP7153458B2 (ja) | 半導体装置及び電子機器 | |
JP4746489B2 (ja) | 半導体測定装置 | |
JP2014142303A (ja) | 半導体装置および半導体試験システム | |
US7898270B2 (en) | Circuit for testing internal voltage of semiconductor memory apparatus | |
JP2830799B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
KR100689804B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 고전압 발생회로 | |
US7250809B2 (en) | Boosted voltage generator | |
US20230384369A1 (en) | Test circuit of electronic device, electronic device including test circuit, and operating method thereof | |
JP2007093460A (ja) | 半導体試験装置および半導体試験方法 | |
KR100370141B1 (ko) | 반도체 내부 전원 발생장치 | |
US11892521B2 (en) | Semiconductor device with contact check circuitry | |
CN111435154B (zh) | 漏电检测电路、闪存存储器漏电检测装置和漏电检测方法 | |
US8030958B2 (en) | System for providing a reference voltage to a semiconductor integrated circuit | |
KR100554846B1 (ko) | 네가티브 워드라인 전압 검출 회로 | |
JP2011232036A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120924 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130916 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140917 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150923 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160926 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170920 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180918 Year of fee payment: 13 |