KR100638251B1 - 노광장치 및 방법 - Google Patents

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도키타도시노부
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캐논 가부시끼가이샤
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Exposure apparatus for microlithography
    • G03F7/70216Systems for imaging mask onto workpiece
    • G03F7/70341Immersion

Abstract

피노광체의 표면 및 투영광학계의 최종면 사이에 액체를 도입하는 공정, 상기 피노광체의 표면 및 투영광학계의 최종면 사이에 배치된 상기 액체의 계면을 변위시키는 공정, 및 마스크에 형성된 패턴을 상기 투영광학계 및 상기 액체를 개재해서 상기 피노광체 상에 투영하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 노광방법을 제공한다.

Description

노광장치 및 방법{EXPOSURE APPARATUS AND METHOD}
도 1은 본 발명의 일실시형태로서의 노광장치의 개략 블록도
도 2는 도 1에 나타내는 노광장치의 노광방법을 설명하기 위한 플로차트
도 3은 도 2에 나타내는 노광방법의 공급·회수 스텝 및 변위·기포 제거 스텝의 제 1실시예를 설명하기 위한 , 도 1에 나타내는 노광장치의 개략 부분확대단면도
도 4는 도 2에 나타내는 노광방법의 공급ㆍ회수 스텝 및 변위ㆍ기포 제거 스텝의 제 1실시예를 설명하기 위한 , 도 1에 나타내는 노광장치의 개략 부분확대단면도
도 5는 도 2에 나타내는 노광방법의 공급·회수 스텝 및 변위·기포 제거 스텝의 제 2실시예를 설명하기 위한, 도 1에 나타내는 노광장치의 개략 부분확대단면도
도 6은 도 2에 나타내는 노광방법의 공급·회수 스텝 및 변위·기포 제거 스텝의 제3 실시예를 설명하기 위한 , 도 1에 나타내는 노광장치의 개략 부분확대단면도
도 7은 디바이스(IC나 LSI 등의 반도체칩, LCD, CCD 등)의 제조방법을 설명하기 위한 플로차트
도 8은 도 7에 나타내는 스텝 4의 웨이퍼 프로세스의 상세한 플로차트
도 9는 종래의 액침형 노광장치의 부분확대단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100: 노광장치 140: 투영광학계
144: 투영광학계의 최종광학소자 145: 투영광학계의 최종면
170: 웨이퍼 171: 웨이퍼의 상면
174: 웨이퍼스테이지 180: 공급회수기구
181: 매질(액체) 182, 182A: 공급노즐
184: 회수노즐 185, 186, 193, 198: 밸브
190, 190A, 190B: 변위·기포제거기구 191: 펌프
192, 197: 배관 194, 194A: 기액분리막
본 발명은, 일반적으로는, IC, LSI 등의 반도체칩, 액정 패널 등의 표시 소자, 자기 헤드 등의 검출 소자, CCD 등의 촬상 소자를 포함하는 각종 디바이스, 마이크로메카닉스에 사용하는 미세 패턴의 제조에 사용되는 노광장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 투영광학계의 최종면과 피노광체의 표면을 액체에 침지해서 해당 액체를 개재해서 피노광체를 노광하는 이른바 액침형의 노광방법 및 장치에 관한 것이다.
레티클(마스크)에 형성된 회로패턴을 투영광학계에 의해 웨이퍼 등에 투영해서 회로패턴을 전사하는 투영노광장치는 종래부터 사용되고 있고, 근래에는, 고해상도에서 고품위인 노광의 요청이 더욱 더 격화하고 있다. 이와 같은 요청을 만족하기 위한 한 수단으로서 액침노광이 주목되고 있다. 액침노광은, 투영광학계의 웨이퍼측의 매질(대표적으로 공기)을 액체로 함으로써 고NA화를 더욱 진행시키는 것이다. 즉 투영광학계의 NA는, 매질의 굴절률을 n로 하면, NA=n·sinθ이므로, 공기의 굴절률보다 높은 굴절률(n>1)의 매질을 만족시킴으로써 NA를 n까지 크게 할 수가 있다.
액침노광에 있어서, 피노광체와 피노광체에 가장 가까운 투영광학계의 광학소자 사이에 액체를 충전시키는 방법은 이미 제안되고 있다(예를 들면, 국제공개제99/49504호 팜플렛이나 International Symposium on 157nm Lithography, 3-6 September 2002, Belgium, Bruce Smith et al. (Rochester Institute of Technology), Extreme-NA Water Immersion Lithography for 35-65nm Techno1ogy를 참조). 이러한 공보는, 도 9에 나타낸 바와 같이, 투영광학계의 최종렌즈(14)의 근방에 공급노즐(18)과 회수노즐(20)을 배치하고, 공급노즐(18)로부터 액체(16)를 기판(W)과 최종렌즈(14) 사이에 공급한다. 또, 액체(16)의 외측에 압축 공기를 내뿜으로써 에어 커튼을 형성해서, 액체(16)를 기판(W)과 최종렌즈(14) 사이에 유지한다. 여기서, 도 9는, 종래의 액침형노광장치의 액체 공급 및 회수 방법을 설명하기 위한 개략 단면도이다. 액체(16)를 도입할 때로부터 기판(W)과 최종렌즈(14)의 간격은 노광에 필요한 간격으로 유지되고, 도입 후는 즉시 노광준비가 갖추어진다. 노광은, 공급노즐(18)로부터 연속적으로 액체(16)가 공급되어 회수노즐(20)로부터 연속적으로 액체(16)가 회수된 상태에서, 또는, 기판(W)과 최종렌즈(14) 사이에 액체(16)가 순환한 상태에서 행해진다.
그러나, 도 9에 나타내는 종래의 액침노광은, 기판(W)의 단부가 공급노즐(18)의 외연의 안쪽에 위치하면, 공급노즐(18)로부터 공급되는 액체(16)는 아래로 떨어지고, 한편, 회수노즐(20)은 액체(16)를 회수하기 때문에 최종렌즈(14)와 기판(W) 사이에는 액체(16)가 없어지든가, 적어도 기포가 혼입되게 된다. 이와 같은 기포는 노광광을 차광해서 전사 정밀도나 수율의 저하를 초래해서, 고품위의 노광의 요청을 반드시 만족할 수가 없다고 하는 문제가 있었다. 이와 같은 기포는 그 후 연속적으로 액체(16)를 공급 및 회수해도 제거되는 일이 없다.
또, 초기 충전때 등에, 기판(W)과 최종렌즈(14) 사이에 액체가 있을때에도, 그 남은 액체의 액면과 공급노즐(18)로부터 공급되는 액체의 액면이 멀어지고 있는 경우에, 연속 공급하기 위해서 그 액면끼리를 접촉시키면 기포가 발생하기 쉽다고 하는 문제도 있었다.
따라서, 본 발명은, 기포의 혼입을 방지해서 고품위의 노광을 행하기 위한 노광방법 및 장치를 제공하는 것을 예시적인 목적으로 한다.
본 발명의 일 측면으로서의 노광방법은, 피노광체의 표면 및 투영광학계의 최종면 사이에 액체를 도입하는 공정, 상기 피노광체의 표면 및 투영광학계의 최종 면 사이에 배치된 상기 액체의 계면을 변위시키는 공정 및, 마스크에 형성된 패턴을 상기 투영광학계 및 상기 액체를 개재해서 상기 피노광체 상에 투영하는 공정을 가지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 측면으로서의 노광방법은, 피노광체의 표면 및 투영광학계의 최종면 사이에 공급노즐을 개재해서 액체를 도입하는 공정, 상기 공급노즐에 있어서의 상기 액체로부터 기체를 제거하는 공정 및 마스크에 형성된 패턴을 상기 투영광학계 및 상기 액체를 개재해서 상기 피노광체 상에 투영하는 공정을 가지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 측면으로서의 노광장치는, 피노광체의 표면 및 투영광학계의 최종면을 액체에 침지해서 마스크에 형성된 패턴을 상기 투영광학계 및 상기 액체를 개재해서 상기 피노광체 상에 투영하는 노광장치로서, 상기 피노광체의 표면 및 상기 투영광학계의 최종면 사이에 액체를 도입하는 공급노즐, 및 해당 공급노즐에 설치되어 상기 피노광체의 표면 및 투영광학계의 최종면 사이에 배치된 상기 액체의 계면을 변위시키는 변위부를 가지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 측면으로서의 노광장치는, 피노광체의 표면 및 투영광학계의 최종면을 액체에 침지해서 마스터에 형성된 패턴을 상기 투영광학계 및 상기 액체를 개재해서 상기 피노광체 상에 투영하는 노광장치로서, 상기 피노광체의 표면 및 상기 투영광학계의 최종면 사이에 액체를 도입하는 공급노즐, 및 해당 공급노즐에 설치되어 상기 공급노즐에 대해 상기 액체로부터 기체를 제거하는 기액분리부를 가지는 것을 특징으로 한다.
디바이스 제조방법은, 상기 노광장치를 사용해서 피노광체를 노광하는 공정 및 상기 노광된 피노광체를 현상하는 공정을 가진다.
본 발명의 다른 목적 및 그 외의 특징은, 이하, 첨부의 도면을 참조해서 설명되는 바람직한 실시예 등에 의해 밝혀질 것이다.
<바람직한 실시형태의 상세한 설명>
이하, 도 1을 참조해서 본 발명의 일실시형태로서의 노광장치(100)에 대해서 설명한다. 여기서, 도 1은 노광장치(100)의 개략 블록도이다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 노광장치(100)는 조명장치(110), 마스크(레티클)(130), 레티클스테이지(132), 투영광학계(140), 주제어유닛(150), 모니터 및 입력장치(152), 웨이퍼(170), 웨이퍼스테이지(174), 매질로서의 액체(181)를 공급하는 공급회수기구(180)를 가진다. 이와 같이, 노광장치(100)는, 투영광학계(140)의 웨이퍼(170)쪽에 있는 최종광학소자의 최종면을 부분적으로 또는 전체적으로 침지해서, 액체(181)를 개재해서 마스크(130)에 형성된 패턴을 웨이퍼(170)에 노광하는 액침형의 노광장치이다. 본 실시형태의 노광장치(100)는, 스텝앤드스캔방식의 투영노광장치이지만, 본 발명은 스텝앤드리피트 방식 및 그 외의 노광방식에 적용할 수가 있다.
조명장치(100)는 전사용의 회로패턴이 형성된 마스크(130)를 조명하고, 광원부와 조명광학계를 가진다.
광원부는 광원으로서의 레이저(112)와 빔정형계(114)를 포함한다. 레이저 (112)는 파장 약 193nm의 ArF 엑시머 레이저, 파장 약 248nm의 KrF 엑시머 레이저, 파장 약 157nm의 F2 레이저 등의 펄스 레이저로부터의 광을 사용할 수가 있다. 레 이저의 종류, 개수는 한정되지 않고, 광원부의 종류도 한정되지 않는다.
빔정형계(114)는, 예를 들면, 복수의 원통형 렌즈를 구비하는 빔엑스팬더 등을 사용할 수가 있고, 레이저(112)로부터의 평행광의 단면 형상의 치수의 종횡 비율을 소망하는 치로 변환함(예를 들면, 단면 형상을 직사각형으로부터 정방형으로 하는 등)으로써 빔형상을 소망하는 것으로 성형한다. 빔성형계(114)는 후술하는 옵티컬 인티그레이터(118)를 조명하는데 필요한 크기와 발산각을 가지는 광속을 형성한다.
조명광학계는 마스크(130)를 조명하는 광학계이며, 본 실시형태에서는, 집광광학계(116), 옵티컬 인티그레이터(118), 개구조리개(120), 집광렌즈(122), 절곡미러(124), 마스킹 블레이드(126), 및 결상렌즈(128)를 포함한다. 조명광학계는(120)는, 종래의 조명, 환상 조명, 사중극 조명 등과 같은 여러가지 조명모드도 실현할 수 있다.
집광광학계(116)는 복수의 광학소자로 구성되고, 옵티컬 인티그레이터(118)에 소망하는 형상을 가진 광속을 효율적으로 도입한다. 예를 들면, 집광광학계(116)는 줌렌즈시스템을 포함하고, 옵티컬 인티크레이터(118)에의 입사빔의 형태 및 각도의 분배를 컨트롤한다. 집광광학계(116)는 마스크(130)을 조명하는 조명광의 노광량을 조명마다 변경가능한 노광량 조정부를 포함한다.
옵티컬 인티그레이터(118)는 마스크(130)를 조명하는 조명광을 균일화하며, 본 실시형태에서는, 입사광의 각도분포를 위치분포로 변환해서 출사하는 파리의 눈렌즈로서 구성된다. 파리의 눈렌즈는 그 입사면과 출사면이 푸리에변환의 관계로 유지되고, 로드렌즈(즉, 미소렌즈소자)를 다수 조합함으로써 구성되어 있다. 단, 본 발명이 사용가능한 옵티컬 인티그레이터(118)는 파리의 눈렌즈로 한정되지 않고, 광학 로드, 회절격자, 각 조가 직교하도록 배치된 복수의 조의 원통형 렌즈 어레이판 등을 포함한다.
옵티컬 인티그레이터(118)의 출사면의 직후에는, 형상 및 지름이 고정된 개구조리개(120)가 설치되어 있다. 개구조리개(120)는 후술하는 투영광학계(140)의 동(瞳)(142)면에 형성되는 유효광원과 거의 공역인 위치에 배치되고, 개구조리개(120)의 개구 형상은 투영광학계(140)의 동(142)면의 유효광원 형상에 상당한다. 개구조리개의 개구 형상은, 후술 하는 바와 같이, 유효광원의 형상을 한정한다. 개구조리개(120)는, 조명 조건에 따라서 도시하지 않은 조리개 교환기구에 의해 여러 가지의 개구조리개가 광로 중에 위치하도록 전환가능하게 되어 있어도 된다.
집광렌즈(122)는, 옵티컬 인티그레이터(118)의 사출면 근방의 2차 광원으로부터 사출해서 개구조리개(120)를 투과한 복수의 광속을 집광해서, 미러(124)로 반사시켜 마스킹 블레이드(126)를 균일하게 조명하거나 켈러조명한다.
마스킹 블레이드(126)는 복수의 가동차광판을 포함하고, 투영광학계(140)의 유효면적형상에 대응하는 임의의 개구를 가지고 있다. 마스킹 블레이드(126)의 개구부를 투과한 광을 마스크(130)의 조명광으로서 사용한다. 마스킹 블레이드(126)는 자동가변개구폭을 가진 조리개로서, 전사영역을 변경할 수 있다. 또, 노광장치(100)는, 스캔방향의 전사영역을 변경 가능하게 하는, 상술의 마스킹 블레이드(126)와 유사한 구조의 스캔 블레이드를 더 포함할 수 있다. 스캔 블레이드도 자동 가변개구폭을 가진 조리개이며, 마스크(130)면과 광학적으로 거의 공역인 위치에 설치된다. 따라서, 노광장치(100)는 이들 2개의 가변 블레이드를 사용함으로써 노광쇼트의 치수에 맞추어 전사영역의 치수를 설정할 수가 있다.
결상렌즈(128)는, 마스킹 블레이드(126)의 개구 형상을 레티클(130)면 상에 조사해서 전사하고, 레티클(130)면 상의 패턴을 후술하는 유지부(172)에 유지한 웨이퍼(170)면 상에 축소투영한다.
마스크(130)는, 전사되어야 할 패턴 또는 회로패턴이 형성되고, 마스크 스테이지(132)에 의해 지지 및 구동된다. 마스크(130)로부터 사출한 회절광은 투영광학계(140)를 통과해서 웨이퍼(170) 상에 투영된다. 웨이퍼(170)는 피노광체이며, 레지스트가 웨이퍼 상에 도포되어 있다. 마스크(130)와 웨이퍼(170)는 광학적으로 공역의 관계로 배치된다. 본 실시형태의 노광장치는 스텝앤드스캔방식의 노광장치 (즉, 스캐너)이기 때문에, 마스크(130)와 웨이퍼(170)를 주사함으로써 마스크(130)의 패턴을 웨이퍼(170) 상에 전사한다. 노광장치가 스텝앤드리피트 방식의 노광장치(즉, 「스테퍼」)이면, 마스크(130)와 웨이퍼(170)를 정지시킨 상태로 노광을 실시한다.
마스크 스테이지(132)는 마스크(130)를 지지하고, 도시하지 않은 이동기구에 접속되고 있다. 마스크 스테이지(132) 및 투영광학계(140)는, 예를 들면 플로어 등에 배치된 베이스 프레임에 댐퍼 등을 개재해서 지지되는 렌즈경통정반 상에 설치된다. 마스크 스테이지(132)는 당업계 주지의 어떠한 구성도 사용할 수 있다. 도시하지 않은 이동기구는 리니어 모터 등으로 구성되어, XY방향으로 마스크 스테이지 (132)를 구동함으로써 마스크(130)를 이동할 수가 있다.
투영광학계(140)는 마스크(130)에 형성된 패턴에 의해 생성된 회절광을 웨이퍼(170) 상에 결상하는 기능을 가진다. 투영광학계(140)는 복수의 렌즈 소자만으로 이루어진 광학계, 복수의 렌즈소자와 적어도 일 매의 오목면경을 가지는 광학계(캐터디옵트릭 광학계), 복수의 렌즈 소자와 적어도 일 매의 키노폼 등의 회절광학소자를 가지는 광학계, 풀미러형 광학계 등을 사용할 수가 있다. 색수차의 보정이 필요한 경우에는, 서로 분산치(압베치)가 다른 유리재로 이루어진 복수의 렌즈 유니트를 사용하거나 회절광학소자를 렌즈 유니트와 역방향의 분산이 생기도록 구성하거나 한다. 그렇지 않으면, 색수차의 보상은, 레이저의 스펙트럼의 폭을 좁게 함으로써 실현된다. 현재로는, 라인네로우드(line-narrowed) MOPA레이저가 주된 흐름의 하나이다.
주제어유닛(150)은 각부의 구동제어를 행하지만, 특히 모니터 및 입력장치(152)의 입력장치로부터 입력되는 정보, 검출부(190)가 검출하는 정보, 도시하지 않는 메모리에 격납된 프로그램에 근거해서 액체충전제어를 행한다. 보다 상세하게는, 주제어유닛(150)은 액체(181)가 웨이퍼(170)와 투영광학계(140)의 최종광학소자 사이에 기포를 혼입하지 않게 충전되도록, 공급회수기구(180) 및 후술하는 웨이퍼스테이지(174) 등을 제어한다. 주제어유닛(150)용 제어 정보나 그 외의 정보는 모니터 및 입력장치(152)의 디스플레이에 표시된다.
웨이퍼(170)는, 다른 실시형태에서는 액정판 및 그 외의 피노광체로 치환된다. 웨이퍼(170)에는 포토레지스트가 도포된다. 웨이퍼(170)는 웨이퍼 척 등의 유 지부(172)를 개재해서 웨이퍼스테이지(174)에 장착된다. 유지부(172)는 당업계에서 주지의 어떠한 유지방법(예를 들면, 진공유지나 정전유지)도 사용할 수가 있으므로, 여기에서는 자세한 구조 및 동작의 설명은 생략 한다. 스테이지(174)는 당업계에서 주지의 어떠한 구성도 사용할 수가 있고, 6축 동축을 이용하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 스테이지(174)는 리니어 모터를 사용해서 XYZ 방향으로 웨이퍼(170)를 이동한다. 마스크(130)와 웨이퍼(170)는, 예를 들면 동기해서 주사되고, 마스크 스테이지(132)와 웨이퍼스테이지(174)의 위치는, 예를 들면 레이저 간섭계 등에 의해 감시되어 양자는 일정한 속도비율로 구동된다. 스테이지(174)는, 예를 들면 댐퍼를 개재해서 플로어 등 위에 지지되는 스테이지 정반 상에 설치되고, 마스크 스테이지(132)및 투영광학계(140)는 플로어 등에 장착된 베이스 프레임 상에 댐퍼 등을 개재해서 지지되는 경통정반 상에 설치된다.
공급회수기구(180)는, 액체(181)를 투영광학계(140)의 최종면과 웨이퍼(170)사이의 공간에 공급·회수함과 동시에, 액체(181)로부터 기체 또는 기포를 제거하는 기능을 가진다.
액체(181)에는 웨이퍼(170)에 가장 가까운 투영광학계(140)의 최종면이 침지되고, 노광 파장의 투과율이 좋고, 투영광학계(140)를 오염시키지 않고, 레지스트 프로세스와의 매칭이 좋은 물질이 선택된다. 액체(181)는, 예를 들면 순수한 물이나 불소 화합물이며, 웨이퍼(170)에 도포된 레지스트나 노광광의 파장에 따라서 선정할 수가 있다. 투영광학계(140)의 최종면에는 액체로부터 소자를 보호하기 위해서 코팅을 실시한다.
이하, 본 발명의 일실시형태로서의 노광방법을 도 2를 참조해서 설명한다. 여기서, 도 2는 이러한 노광방법의 플로차트이다. 본 실시형태의 노광방법은, 웨이퍼(170)의 표면과 투영광학계(140)의 웨이퍼(170)에 가장 가까운 광학소자의 최종면 사이에 액체(181)를 충전한 후에 연속적으로 액체(181)를 공급 및 회수하고(스텝 1100), 액체(181)의 액면(계면)을 변위시킴과 동시에 기포를 제거하고(스텝 1200), 마스크(130)에 형성된 패턴을 투영광학계(140) 및 액체(181)를 개재해서, 웨이퍼(170) 상에 투영한다(스텝 1300). 스텝 1200은 상시 또는 소정의 시기에 행해진다. 또, 주제어유닛(150)은, 액체(181)의 공급, 회수 및 기포제거에 있어서의 각부의 동작을 제어한다. 도 2에 나타내는 플로차트는 도시하지 않는 메모리에 소프트웨어 또는 펌웨어로서 격납되어 있고, 이 소프트웨어 또는 펌웨어에 근거해서 주제어유닛(150)은 노광을 실시한다.
이하, 본 발명의 몇개의 실시예의 노광방법에 대해 설명한다.
(제 1실시예)
우선, 제 1실시예의 스텝 1100및 1200에 대해서 도 3 및 도 4를 참조해서 설명한다. 여기서, 도 3 및 도 4는, 제 1 실시예의 스텝 1100 및 1200에 있어서의 투영광학계(140)의 웨이퍼(170)에 가장 가까운 최종광학소자(144)와 웨이퍼(170) 부근의 개략 확대단면도이다. 초기 상태에 있어서는, 웨이퍼(170)의 표면 (171)과 최종광학소자(144)의 바닥면(145) 사이에 액체(181)가 충전되고 있는 것으로 한다. 본 실시예의 공급회수기구(180)는 공급노즐(182), 회수노즐(184), 변위ㆍ기포제거기구(190)를 가진다. 실제는, 도 3 및 도 4의 공급노즐(182) 및 회수노즐(184)의 외측에는 에어 커튼이 형성되어 있지만, 도 3및 도 4에서는 작도의 편의상 생략되어 있다. 이것은 이하의 설명에 있어서도 마찬가지이다.
공급노즐(182)은 광학소자(144)의 바닥면(145)과 웨이퍼(170)의 표면(171) 사이의 공간에 액체(181)를 연속적 또는 단속적으로 공급한다. 회수노즐(184)은 광학소자(144)의 바닥면(145)과 웨이퍼(170)의 표면(171) 사이의 공간으로부터 액체(181)를 연속적 또는 단속적으로 회수한다.
변위ㆍ기포제거기구(190)는 액체(181)에 포함되는 기체 또는 기포를 제거 함과 동시에 액체(181)의 액면(계면)을 변위하는 기능을 가지고, 펌프(191), 배관(192), 밸브(193) 및 기액분리막(194)을 가진다.
펌프(191)는 흡인배기수단으로서 기능해서, 기액분리막(194)을 투과한 기체 (기포)를 배출한다. 본 발명은 펌프의 종류를 한정하는 것은 아니다. 배관(192)은,펌프(191)와 공급노즐(182)에 접속되어 있고, 그 재질이나 구성은 한정되지 않는다. 따라서, 금속성 배관이어도 되고, 탄성재료로 구성되는 배관이어도 된다. 밸브(193)와 기액분리막(194)은 이 순서로 펌프(191)와 공급노즐(182) 사이에 설치된다. 기액분리막(194)은 기체는 투과하지만 액체(181)는 투과하지 않는 다공질막이며, 액체(181)의 종류에 따라 당업계에서 주지의 어떠한 구조도 적용할 수가 있다.
특징적으로, 본 실시예의 공급회수기구(180)는 공급노즐(182)에 기액분리수단을 가진다. 액체(181)를 공급하는 상류의 도시하지 않은 공급원에 있어서도 기액분리수단이 설치되는 경우가 있지만, 본 실시예에서는, 공급노즐(182)에 부가적인 기액분리수단을 가져서 배관 속의 기포도 제거할 수 있다. 본 실시예에서는, 기포 제거기구(190)는 상시 동작하고 있지만, 소정의 시기에게만 동작해도 된다. 또, 본 실시예의 공급회수기구(180)는 공급노즐(182)에 액면변위수단을 가진다.
도 3 및 도 4는 기액분리막(194)으로부터 펌프(191)까지의 사이에 밸브(193)만을 나타내고 있지만, 실제로는 조리개, 유량계 등을 가진다. 또, 밸브(193)는, 본 실시예에 있어서, 기액분리막(194)과 펌프(191) 사이에 접속했지만, 공급노즐(182) 내에 있어서의 액체(181)의 공급원, 공급구(183), 기액분리막(194)의 분기와 펌프(191)사이의 공간에 부착하면 된다.
액체(181)를 웨이퍼(170)와 광학소자(144) 사이에 초기 충전할 때에, 도 3A 및 도 3B에 나타낸 바와 같이, 액체(181)의 액면이 공급노즐(182)의 공급구(183)에 있어서 액체(181)와 연속되어 있지 않은 경우가 있다. 이 상태에서 공급노즐(182)로부터 액체(181)를 공급하면, 웨이퍼(170)와 광학소자(144) 사이에 충전된 액체(181)의 액면과 공급노즐(182)로부터 공급되는 액체(181)의 액면이 접촉해서, 양액면의 접촉의 순간에 기포가 발생하거나, 도 3A및 도 3B에 표시한 바와 같이, 액체(181)가 에어커튼을 넘어 넘쳐 흐르거나 한다. 도 3A 및 도 4A는 변위·기포 제거기구(190)의 밸브(193)를 닫아서 변위기능을 동작시키지 않는 경우의 문제점을 설명하기 위한 개략 확대단면도이다.
따라서, 도 3B 및 도 4B에 나타낸 바와 같이, 변위ㆍ기포제거기구(190)의 밸브(193)를 열어서 변위기능을 동작시켜, 액체(181)의 액면을 화살표로 나타낸 바와 같이 공급노즐(182)의 직하까지 변위시켜서, 즉, 상류측에 끌어 들여, 공급노즐(182)의 공급구(183)와 액체(181)를 접촉시키고 있다. 이에 의해, 액체(181)가 흘 러넘칠 우려가 없다. 동시에, 변위ㆍ기포제거기구(190)의 기포제거기능도 동작시켜, 액체(181)를 기액분리막(194)을 투과시켜, 액체(181)에 포함되는 기포도 제거하고 있다. 기포는 펌프(191)를 개재해서 외부에 배출된다.
스텝 1200을 상시 실행하는 대신에, 주제어유닛(150)은, 액체(181)를 웨이퍼(170)와 광학소자(144) 사이의 공간에 충전하는 초기 충전시나, 주변노광 후에 광학소자(144)가 웨이퍼(170)와 전면 대향하는 타이밍에 스텝 1200을 실시하는 것이 바람직하다.
그 후, 후술하는 스텝 1300으로 이행한다.
(실시예 2)
다음에, 제 2실시예의 스텝 1100 및 1200에 대해서 도 5를 참조해서 설명한다. 여기서, 도 5A는 제 2실시예의 스텝 1100및 1200의 투영광학계(140)의 광학소자(144) 부근의, 기포제거시의 개략 확대단면도이며, 도 5B는 액체회수시의 기액분리막(194) 부근의 상태를 나타내고 있다. 본 실시예의 공급회수기구(180)는 공급노즐(182A)과 공급측 밸브(185)(제1밸브)와 펌프측 밸브(186)(제2밸브)와 변위ㆍ기포제거기구(190A)를 가진다. 변위ㆍ기포제거기구(190A)는, 펌프(191), 배관(192), 기액분리막(194A), 밸브 본체(195), 및 O링(196)을 가진다. 도 5에 있어서, 도 3 및 도 4와 동일한 구성요소에는 동일한 참조 부호를 붙이고, 중복 설명은 생략 한다.
제 1실시예는 액체(181)의 공급과 회수에 각각 전용의 노즐(공급노즐(182), 회수노즐(184))을 배치하고 있는데 대해, 제 2실시예는 노즐의 공급구(183A)보다 상류에 밸브(185) 및 (186)을 배치함으로써, 액체(181)의 공급시와 회수시에 이용 하는 노즐을 공유하고 있다. 공급노즐(182A)은 공급노즐로서도 회수노즐로서도 기능한다. 공급측 밸브(185)와 펌프측 밸브(186)는 하나의 밸브를 구성하고, 주제어유닛(150)은, 스텝 1100 및 1200에 있어서, 밸브(185) 및 (186)의 개폐를 제어한다. 기액분리막(194A)은 회전가능하게 구성되어 있지만, 구조적으로는 기액분리막(194)과 같다. O링(196)은 기액분리막(194A)의 외주에 장착되어 있다. 밸브본체(195)는 기액분리막(194A)을 회전가능하게 지지하고, O링(196)과 접촉, 비접촉하고, 배관(192)의 개폐를 행하는 밸브이다.
이하, 본 실시예의 스텝 1100 및 1200에 대해서 설명한다.
스텝 1100에 있어서의 액체(181)의 공급시에 있어서는, 주제어유닛(150)은 밸브(185)를 여는 동시에 도시하지 않은 상류의 공급원을 제어하고, 웨이퍼(170)와 광학소자(144) 사이의 공간에 액체(181)를 연속적 또는 단속적으로 공급한다. 그 후, 주제어유닛(150)은 밸브(186)를 닫아도 된다.
스텝 1100에 있어서의 액체(181)의 회수시에 있어서는, 주제어유닛(150)은 밸브(185)를 닫는 동시에 밸브(186)를 연다. 주제어유닛(150)은 기액분리막(194A)을 회전구동해서, 도 5B에 나타내는 바와 같이, O링(196)을 밸브본체(195)의 내벽과 비접촉으로 한다. 이에 의해, 최종광학소자(144)와 웨이퍼(170) 사이의 액체(181)를 배관(192)을 개재해서 펌프(191)까지 빨아 올릴 수가 있어 액체(181)의 회수를 행할 수 있다.
스텝 1200에 있어서의 변위ㆍ기포제거시에 있어서는, 주제어유닛(150)은, 밸브(185)를 닫는 동시에 밸브(186)를 연다. 또, 주제어유닛(150)은, 기액분리막 (194A)을 회전구동해서, 도 5A에 나타내는 바와 같이, O링(196)을 밸브본체(195)의 내벽과 접촉시킨다. 이에 의해, 최종광학소자(144)와 웨이퍼(170) 사이의 액체(181)를 배관(192)을 개재해서 기액분리막(194A) 또는 그 근방까지 빨아 올릴 수가 있어, 기액분리막(194A)을 개재해서 기포를 펌프(191)로부터 제거할 수가 있다. 도시는 하고 있지 않지만, 최종광학소자(144)와 웨이퍼(170) 사이의 액체(181)의 계면은 변위하고 있기 때문에, 도 3B 및 도 4B로 설명한 것 같은 효과를 얻을 수 있다. 그리고, 밸브(185)를 열면, 최종광학소자(144)와 웨이퍼(170) 사이의 액체(181)와 도시하지 않는 공급원으로부터 노즐(182A)을 개재해서 공급되는 액체(181)가 접촉하지만, 액면접촉에 의해 발생하는 기포는 기액분리막(194A)을 개재해서 펌프(191)에 배출된다.
스텝 1100의 공급과 회수는, 도 5에는 도시하지 않은 웨이퍼스테이지(174)의 스캔방향 S1 및 S2에 의해 결정된다. 웨이퍼스테이지(174)의 스캔방향이 S1인 경우는 액체(181)의 공급을 실시하고, S2의 경우는 액체(181)의 회수를 실시하는 것이 바람직하다. 또, 주제어유닛(150)은 스텝 1200을 초기 충전 직후 혹은 주변 노광시에 행하고, 특히, 주제어유닛(150)은 주변노광이 행해지는지의 여부를 웨이퍼(170)의 위치정보에 근거해서 결정한다.
본 실시예에 있어서, 기액분리막(194A)의 동작은 버터플라이 밸브의 동작 원리로 설명했지만, 이것에 한정되지 않고, 게이트 밸브도 본 실시예에 적용 가능하다.
그 후, 후술하는 스텝 1300으로 이행한다.
(실시예 3)
다음에, 제 3실시예의 스텝 1100 및 1200에 대해서 도 6을 참조해서 설명한다.
여기서, 도 6은 제 3실시예의 스텝 1100 및 1200에 있어서의 투영광학계(140)의 광학소자(144) 부근의 개략 확대단면도이다. 도 6에 있어서, 도 5와 동일한 구성요소에는 동일한 참조부호를 붙이고 중복설명을 생략한다. 본 실시예도 제 2실시예와 마찬가지로, 노즐(182A)의 공급구(183A)보다 상류에 밸브(185) 및 (186)을 배치함으로써, 액체(181)의 공급시와 회수시에 사용하는 노즐(182A)를 공유하고 있다. 단, 제 2실시예에서는 기액분리막(194A) 자신을 밸브 구조로 했지만, 본 실시예는 기액분리막(194) 대신에, 그것과 평행한 배관(197)을 배치하고, 배관(197)에 밸브(198)(제3밸브)를 배치하고 있다.
이하, 본 실시예의 스텝 1100 및 1200에 대해 설명한다.
스텝 1100에 있어서의 액체(181)의 공급시에 있어서는, 주제어유닛(150)은 밸브(185)를 여는 동시에 도시하지 않은 상류의 공급원을 제어해서, 웨이퍼(170)와 광학소자(144) 사이의 공간에 액체(181)를 연속적 또는 단속적으로 공급한다. 그 후, 주제어유닛(150)은 밸브(186)를 닫아도 되고, 밸브(186)를 닫고 밸브(198)를 열어도 된다. 주제어유닛(150)이 밸브(186)를 닫고 밸브(198)를 여는 경우는 펌프(191) 를 동작시킨다.
스텝 1100에 있어서의 액체(181)의 회수시에 있어서는, 주제어유닛(150)은 밸브(185)를 닫는 동시에 밸브 (186) 및 (198)을 연다. 이에 의해, 최종광학소자 (144)와 웨이퍼(170) 사이의 액체(181)를 배관(192) 및 (197)을 개재해서 펌프(191)까지 빨아 올릴 수가 있어 액체(181)의 회수를 행할 수가 있다.
스텝 1200에 있어서의 변위ㆍ기포제거시에 있어서는, 주제어유닛(150)은, 밸브(185) 및 (198)을 닫는 동시에 밸브(186)을 연다. 이에 의해, 최종광학소자 (144)와 웨이퍼(170) 사이의 액체(181)를 배관(192)을 개재해서 기액분리막(194) 또는 그 근방까지 빨아 올릴 수가 있어, 기액분리막(194)을 개재해서 기포를 펌프(191)로부터 제거할 수가 있다. 도시는 하고 있지 않지만, 최종광학소자(144)와 웨이퍼(170) 사이의 액체(181)의 계면은 변위하고 있기 때문에, 도 3B 및 도 4B에서 설명한 것 같은 효과를 얻을 수 있다. 밸브(185)를 열면, 최종광학소자(144)와 웨이퍼(170) 사이의 액체(181)와 도시하지 않는 공급원으로부터 노즐(182A)을 개재해서 공급되는 액체(18l)와 접촉하지만, 액면접촉에 의해 발생하는 기포는 기액분리막(194A)을 개재해서 펌프(191)에 배출된다.
스텝 1100의 공급과 회수는 도 5에는 도시하지 않은 웨이퍼스테이지(174)의 스캔방향 S1 및 S2에 의해 결정된다. 웨이퍼스테이지(174)의 스캔방향이 S1의 경우는 액체(181)의 공급을 실시하고, S2의 경우는 액체(181)의 회수를 실시하는 것이 바람직하다. 또, 주제어유닛(150)은 스텝 1200을 초기충전 직후 혹은 주변 노광시에 행하고, 특히, 주제어유닛(150)은 주변 노광이 행해지는 지의 여부를 웨이퍼(170)의 위치 정보에 근거해서 결정한다.
다시 도 1로 돌아와서, 스텝 1300에 대해서 설명한다. 투영노광스텝 1300에 있어서, 레이저(112)로부터 사출한 광속은 빔성형계(114)에 의해 소망하는 빔형상 으로 재성형된 다음에, 조명광학계에 입사한다. 집광광학계(116)는 광속을 옵티컬 인티그레이터(118)에 효율적으로 도입한다. 그 때, 노광량 조절부가 조명광의 노광량을 조절한다. 또, 주제어유닛(150)은 마스크 패턴에 적절한 조명조건으로서의 개구형상과 편광상태를 선택한다. 옵티컬 인티그레이터(118)는 조명광을 균일화하고, 개구조리개(120)는 소망하는 유효광원 형상을 설정한다. 이러한 조명광은 집광렌즈(122), 절곡미러(124), 마스킹 블레이드(126), 결상렌즈(128)를 개재해서 마스크를 최적 조명조건으로 조명한다.
마스크(130)를 통과한 광은 투영광학계(140)에 의해 웨이퍼(170) 상에 소정 배율로 축소투영된다. 스텝앤드스캔 방식의 노광장치는 광원(112)과 투영광학계(140)를 고정하고, 마스크(130)와 웨이퍼(170)를 동기주사해서 쇼트 전체를 노광한다. 그리고, 웨이퍼스테이지(174)를 스텝해서, 다음의 쇼트로 이행하여, 새로운 주사동작이 행해진다. 이 스캔과 스텝을 반복해서, 웨이퍼(170) 상에 다수의 쇼트를 노광 전사한다. 또한, 노광장치가 스텝앤드리피트 방식을 채용하면, 마스크와 웨이퍼(170)를 고정시킨 상태에서 노광을 행한다.
투영광학계(140)의 웨이퍼(170)쪽의 최종면은 공기보다 굴절률이 높은 액체(181)에 침지되고 있으므로, 투영광학계(140)의 NA는 높아지고, 웨이퍼(170)에 형성되는 해상도도 미세하게 된다. 특히, 충전스텝은 기포의 혼입을 방지하고 있으므로 고품위의 노광을 행할 수가 있다. 이에 의해, 노광장치(100)는 레지스트에의 패턴 전사를 고정밀도로 행해서 고품위의 디바이스(반도체소자, LCD소자, 촬상소자(CCD 등), 박막자기헤드 등)를 제공할 수가 있다.
다음에, 도 7 및 도 8을 참조해서, 상술의 노광장치를 사용한 디바이스 제조방법의 실시예를 설명한다. 도 7은 디바이스(IC나 LSI 등의 반도체칩, LCD, CCD 등)의 제조를 설명하기 위한 플로차트이다. 여기에서는, 반도체칩의 제조를 예를 들어 설명한다. 스텝 1(회로설계)에서는, 반도체 디바이스의 회로설계를 실시한다. 스텝 2(마스크 제작)에서는, 설계한 회로패턴을 형성한 마스크를 제작한다. 스텝 3(웨이퍼 제조)에서는, 실리콘 등의 재료를 사용해서 웨이퍼를 제조한다. 스텝 4 (웨이퍼 프로세스)는, 전공정으로 불려지고, 마스크와 웨이퍼를 사용해서 포토리소그래피기술에 의해 웨이퍼 상에 실제의 회로를 형성한다. 스텝 5(조립)는, 후공정으로 불려지고, 스텝 4에 의해 형성된 웨이퍼를 사용해서 반도체칩화하는 공정이며, 어셈블리공정(다이싱, 본딩), 팩키징공정(칩 봉입) 등의 공정을 포함한다. 스텝 6(검사)에서는, 스텝 5에서 작성된 반도체 디바이스의 동작확인테스트, 내구성테스트 등의 검사를 실시한다. 이러한 공정을 거쳐 반도체 디바이스가 완성되고, 그것이 출하(스텝 7)된다.
도 8은 도 7에 나타낸 스텝 4의 웨이퍼 프로세스의 상세한 플로차트이다. 스텝 11(산화)에서는, 웨이퍼의 표면을 산화시킨다. 스텝 12(CVD)에서는, 웨이퍼의 표면에 절연막을 형성한다. 스텝 13(전극 형성)에서는, 웨이퍼 상에 전극을 증착 등에 의해 형성한다. 스텝 14(이온 주입)에서는, 웨이퍼에 이온을 주입한다. 스텝 15(레지스트 처리)에서는, 웨이퍼 상에 감광제를 도포한다. 스텝 16(노광)에서는, 노광장치에 의해 마스크의 회로패턴을 웨이퍼 상에 노광한다. 스텝 17(현상)에서는, 노광한 웨이퍼를 현상한다. 스텝 18(에칭)에서는, 현상한 레지스트상 이외의 부분을 에칭한다. 스텝 19(레지스트 박리)에서는, 에칭이 끝나 불필요해진 레지스트를 없앤다. 이들 스텝을 반복해서 실시함으로써 웨이퍼 상에 다중으로 회로패턴이 형성된다. 본 실시예의 디바이스 제조방법에 의하면, 종래보다 고품위의 디바이스를 제조할 수가 있다. 이와 같이, 노광장치를 사용하는 디바이스 제조방법, 및 결과물로서의 디바이스도 본 발명의 일 측면을 구성한다. 또, 본 발명은, 이러한 디바이스 제조방법의 중간 및 최종 결과물인 디바이스 자체도 커버한다. 또, 이러한 디바이스는, 예를 들면 LSI나 VLSI 등의 반도체칩, CCD, LCD, 자기센서, 박막자기헤드 등을 포함한다.
이상, 본 실시형태에 의하면, 액침형노광장치에 있어서, 피노광체와 투영광학계의 최종광학소자 사이의 액체와, 노즐로부터 공급되는 액체의 연속성을 유지해서 액체 내의 기포를 제거할 수가 있다. 본 실시형태에 의하면, 액체를 공급하는 배관에 남아 있는 기체도 노즐 근방에서 제거할 수 있기 때문에, 노광영역의 액체 속에 기포가 혼입하는 것을 방지할 수도 있다. 본 실시형태에 의하면, 기포에 기인하는 전사 정밀도의 저하를 방지할 수 있으므로 고품위의 노광을 실현할 수가 있다. 또, 신속한 충전은 드루풋과 디바이스 제조에 있어서의 생산성을 향상할 수가 있다.
본 발명에 의하면, 기포의 혼입을 방지해서 고품위의 노광을 행하기 위한 노광방법 및 장치를 제공할 수가 있다.
이상, 본 발명의 실시형태를 설명해 왔지만, 본 발명은 이들 실시형태에 한 정되지 않고, 그 요지의 범위 내에 있어서 여러가지 변형 및 변경이 가능하다. 예를 들면, 본 발명의 노광방법을 격납한 프로그램도 본 발명의 일 측면을 구성한다. 또, 최종광학소자(144)의 바닥면(145)은 평면에 한정되지 않는다.
본 출원은 2003년 12월 26일에 제출된 일본 특허출원 제 2003-433008호에 근거해서 외국우선권의 이익을 주장하며, 그것은 마치 전체가 여기에 기재된 것처럼 그 전체가 여기에 참고로서 포함되어 있다.

Claims (18)

  1. 피노광체의 표면 및 투영광학계의 최종면 사이에 액체를 도입하는 공정,
    상기 피노광체의 표면 및 투영광학계의 최종면 사이에 배치된 상기 액체의 계면을 변위시키는 공정, 및
    마스크에 형성된 패턴을 상기 투영광학계 및 상기 액체를 개재해서 상기 피노광체 상에 투영하는 공정
    을 가지는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 도입공정은 상기 액체를 도입하기 위한 공급노즐을 사용하고,
    상기 변위공정은 상기 투영공정 중에 상기 액체를 상기 공급노즐의 공급구에 접속하도록 상기 액체를 변위시키는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  3. 청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 1항에 있어서, 상기 변위공정은 상기 투영공정에 있어서의 상기 액체의 계면과 상기 피노광체와의 위치관계에 의존해서 행해지는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  4. 청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 1항에 있어서, 상기 투영공정은 스텝앤드스캔방식을 사용하고, 상기 변위공정은 상기 투영공정에 있어서의 스캔방향에 의존해서 행해지는 것을 특징으로 하 는 노광방법.
  5. 피노광체의 표면 및 투영광학계의 최종면 사이에 공급노즐을 개재해서 액체를 도입하는 공정,
    상기 공급노즐에 있어서의 상기 액체로부터 기체를 제거하는 공정, 및
    마스크에 형성된 패턴을 상기 투영광학계 및 상기 액체를 개재해서 상기 피노광체 상에 투영하는 공정
    을 가지는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  6. 피노광체의 표면 및 투영광학계의 최종면을 액체에 침지해서 마스크에 형성된 패턴을 상기 투영광학계 및 상기 액체를 개재해서 상기 피노광체 상에 투영하는 노광장치로서,
    상기 피노광체의 표면 및 상기 투영광학계의 최종면 사이에 액체를 도입하는 공급노즐, 및
    상기 공급노즐에 설치되어 상기 피노광체의 표면 및 상기 투영광학계의 최종면 사이에 배치된 상기 액체의 계면을 변위시키는 변위부
    를 가지는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  7. 청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 6항에 있어서, 상기 노광장치는 스텝앤드스캔방식의 노광장치인 것을 특징으로 하는 노광장치.
  8. 피노광체의 표면 및 투영광학계의 최종면을 액체에 침지해서 마스크에 형성된 패턴을 상기 투영광학계 및 상기 액체를 개재해서 상기 피노광체 상에 투영하는 노광 장치로서,
    상기 피노광체의 표면 및 상기 투영광학계의 최종면 사이에 액체를 도입하는 공급노즐, 및
    상기 공급노즐에 설치되어 상기 공급노즐에 있어서의 상기 액체로부터 기체를 제거하는 기액분리부
    를 가지는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 기액분리부에 의한 기체 제거의 온 오프를 행하기 위한 밸브를 더 가지는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  10. 청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 6항에 있어서, 상기 공급노즐은 상기 액체를 회수하는 회수노즐로서 기능하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  11. 제 6항에 있어서, 상기 공급노즐에 설치되어 상기 액체의 공급의 온 오프를 행하기 위한 제 1 밸브, 및
    상기 변위부에 설치되어 상기 변위부에 의한 변위의 온 오프를 행하기 위한 제 2 밸브
    를 가지는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  12. 청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 11항에 있어서, 상기 액체의 회수시 및 공급시에 상기 제 1 및 제 2 밸브의 개폐를 제어하는 제어부를 더 가지는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  13. 제 11항에 있어서, 상기 공급노즐에 접속되어 상기 공급노즐에 있어서의 상기 액체로부터 기체를 제거하는 기액분리부, 및
    상기 기액분리부에 의한 기체 제거의 온 오프를 행하기 위한 제 3 밸브를 더 가지는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  14. 청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 11항에 있어서, 상기 변위부와 상기 공급노즐에 접속된 제1 배관,
    상기 제 1 배관에 설치되어 상기 공급노즐에 있어서의 상기 액체로부터 기체를 제거하는 기액분리부,
    상기 제 1 배관과 평행하게 상기 변위부 및 상기 공급노즐에 접속된 제2 배관, 및
    상기 제 2 배관에 설치되어 상기 액체의 회수의 온 오프를 행하기 위한 제 3 밸브를 더 가지는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  15. 청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 13항에 있어서, 상기 액체의 회수시, 공급시 및 기체 제거시에 상기 제 1 내지 제 3밸브의 개폐를 제어하는 제어부를 더 가지는 것을 특징으로 하는 노광장 치.
  16. 청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 14항에 있어서, 상기 액체의 회수시, 공급시 및 기체 제거시에 상기 제 1 내지 제 3밸브의 개폐를 제어하는 제어부를 더 가지는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  17. 제 6항에 기재된 노광장치를 사용해서 피노광체를 노광하는 공정, 및
    노광된 피노광체를 현상하는 공정
    을 가지는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  18. 제 8항에 기재된 노광장치를 사용해서 피노광체를 노광하는 공정, 및
    노광된 피노광체를 현상하는 공정
    을 가지는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
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