KR100634952B1 - 스위칭 회로 및 그것을 갖는 전압 제어 발진 장치 - Google Patents

스위칭 회로 및 그것을 갖는 전압 제어 발진 장치 Download PDF

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Abstract

비선택 상태에 있는 회로를 확실하게 부동작으로 하는 것이 가능한 스위칭 회로 및 그것을 갖는 전압 제어 발진 장치를 제공한다.
전환 전압 Vsw가 예를 들면 Low인 경우, PNP 트랜지스터 Q1은 도통 상태로 되어, 저항 R11측에 접속된 회로로 전압이 인가된다. 또한, 이 때, PNP 트랜지스터 Q2는 차단 상태로 되어, 저항 R21측에 접속된 회로로의 전압이 차단된다. 이에 대하여, 전환 전압 Vsw가 High인 경우, PNP 트랜지스터 Q1은 차단 상태로 되어, 저항 R11측에 접속된 회로로의 전압이 차단된다. 또한 이 때, PNP 트랜지스터 Q2는 도통 상태로 되어, 저항 R21측에 접속된 회로로 전압이 인가된다.
증폭기, 스위칭 회로, 바이어스 회로, PNP 트랜지스터

Description

스위칭 회로 및 그것을 갖는 전압 제어 발진 장치{SWITCHING CIRCUIT AND VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR HAVING THE SAME}
도 1은 종래 기술에 따른 전압 제어 발진 장치(900)의 구성을 도시하는 블록도.
도 2는 본 발명의 실시예 1에서의 제1 참고 기술에 따른 전압 제어 발진 장치(10)의 구성을 도시하는 회로도.
도 3은 본 발명의 실시예 1에서의 제2 참고 기술에 따른 전압 제어 발진 장치(20)의 구성을 도시하는 회로도.
도 4는 본 발명의 실시예 1에 따른 전압 제어 발진 장치(30)의 구성을 도시하는 회로도.
도 5는 본 발명의 실시예 1에 따른 제1 및 제2 스위칭 회로 SW1, SW2를 원칩화했을 때의 구성을 도시하는 회로도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
11 : 제1 바이어스 회로
13, 23 : 증폭기
21 : 제2 바이어스 회로
30 : 전압 제어 발진 장치
100 : 제1 전압 제어 발진 회로
200 : 제2 전압 제어 발진 회로
Output1, Output2 : 출력
R1, R2, R3, R4, R11, R12, R21, R22 : 저항
SW1 : 제1 스위칭 회로
SW2 : 제2 스위칭 회로
Vcc : 전원 전압
Vsw : 전환 전압
본 발명은 스위칭 회로 및 그것을 갖는 전압 제어 발진 장치에 관한 것으로, 특히 주파수를 전환하여 출력하는 것이 가능한 전압 제어 발진 장치 및 그 스위칭 회로에 관한 것이다.
종래 기술에서, 주파수를 전환하여 출력하는 것이 가능한 전압 제어 발진 장치가 존재한다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조). 이러한 전압 제어 발진 장치(900)의 구성을 도 1에 도시한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 종래 기술에 따른 전압 제어 발진 장치(900)는, 각각 서로 다른 주파수로 발진하는 2개의 전압 제어 발진 회로(910a, 910b)와, 이들 전압 제어 발진 회로 중 어느 하나로부터 입력된 발진 신호를 선택적으로 출력 하는 전환 회로(920)로 구성된다.
보다 상세히 설명하면, 2개의 전압 제어 발진 회로(910a, 910b)는, 각각 입력된 제어 전압에 기초하여 서로 다른 주파수로 발진한다. 전압 제어 발진 회로(910a)로부터 출력된 발진 신호는 전환 회로(920)의 단자(921a)에 입력된다. 또한, 전압 제어 발진 회로(910b)로부터 출력된 발진 신호는 전환 회로(920)의 단자(921b)에 입력된다. 전환 회로(920)에는 전환 전압 Vs가 인가되고, 이에 기초하여 어느 한쪽의 단자(921a, 921b)에 입력된 발진 신호가 선택적으로 출력된다.
특허 문헌 1 : 일본 특개평 8-256078호 공보
그러나, 상기한 바와 같은 구성에서는, 복수의 전압 제어 발진 회로가 동시에 동작하고 있기 때문에, 한쪽의 전압 제어 발진 회로로부터의 발진 신호가 다른 쪽의 전압 제어 발진 회로에 영향을 미치게 되어, 정확한 주파수 제어가 곤란해진다는 문제가 존재한다.
또한, 비선택 상태에 있는 전압 제어 발진 회로도 동작하고 있기 때문에, 소비 전력이 크다는 문제도 존재한다. 이 문제는, 특히 휴대 전화기 등과 같은 저소비 전력화가 요구되는 전자 기기에 치명적이 된다.
그래서 본 발명은, 상기 문제를 감안하여, 비선택 상태에 있는 회로를 확실하게 부동작으로 하는 것이 가능한 스위칭 회로 및 그것을 갖는 전압 제어 발진 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이러한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따르면, 베이스에 인가된 전환 전압의 상태에 기초하여 콜렉터 출력의 상태가 전환되는 제1 PNP 트랜지스터와, 그 제1 PNP 트랜지스터의 콜렉터 출력과 반대의 상태로 콜렉터 출력의 상태가 전환되는 제2 PNP 트랜지스터를 갖고, 상기 제1 및 제2 PNP 트랜지스터의 콜렉터 출력의 상태에 따라서, 상기 제1 PNP 트랜지스터의 콜렉터에 접속된 회로 및 상기 제2 PNP 트랜지스터의 콜렉터에 접속된 회로의 동작을 전환하도록 구성된다. 이에 의해, 전환 전압의 상태에 따라서, 제1 PNP 트랜지스터의 콜렉터에 접속된 회로 및 제2 PNP 트랜지스터의 콜렉터에 접속된 회로의 동작/부동작을 확실하게 제어하는 것이 가능해지기 때문에, 비선택 상태에 있는 회로를 확실하게 부동작으로 하는 것이 가능해진다. 또한, 전환 전압은 제1 PNP 트랜지스터의 베이스에 인가되기 때문에, 전환 전압의 입력 단자에 큰 전류가 흐른다는 문제점의 발생을 방지할 수 있다. 또한, 한쪽의 PNP 트랜지스터를 온 상태로 한 경우, 다른 쪽의 PNP 트랜지스터를 오프 상태로 하는 것이 가능하기 때문에, 소비 전력을 저감할 수 있음과 함께, 각 회로의 소비 전력을 독립적으로 설정하는 것이 가능해지기 때문에, 설계의 용이화를 도모할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 제1 및 제2 전압 제어 발진 회로와, 그 제1 및 제2 전압 제어 발진 회로 중 어느 하나를 전환하여 동작시키는 전환 수단을 갖는 전압 제어 발진 장치로서, 상기 전환 수단이, 베이스에 인가된 전환 전압의 상태에 기초하여 콜렉터 출력의 상태가 전환되는 제1 PNP 트랜지스터와, 그 제1 PNP 트랜지스터의 콜렉터 출력과 반대의 상태로 콜렉터 출력의 상태가 전환되는 제2 PNP 트랜지 스터를 갖고, 상기 제1 및 제2 PNP 트랜지스터의 콜렉터 출력의 상태에 따라서, 상기 제1 전압 제어 발진 회로 및 상기 제2 전압 제어 발진 회로의 동작을 전환하도록 구성된다. 이에 의해, 전환 전압의 상태에 따라서, 제1 PNP 트랜지스터의 콜렉터에 접속된 제1 전압 제어 발진 회로 및 제2 PNP 트랜지스터의 콜렉터에 접속된 제2 전압 제어 발진 회로의 동작/부동작을 확실하게 제어하는 것이 가능해지기 때문에, 비선택 상태에 있는 전압 제어 발진 회로를 확실하게 부동작으로 하는 것이 가능해진다. 또한, 전환 전압은 제1 PNP 트랜지스터의 베이스에 인가되기 때문에, 전환 전압의 입력 단자에 큰 전류가 흐른다는 문제점의 발생을 방지할 수 있다. 또한, 한쪽의 PNP 트랜지스터를 온 상태로 한 경우, 다른 쪽의 PNP 트랜지스터를 오프 상태로 하는 것이 가능하기 때문에, 소비 전력을 저감할수 있으며, 또한 각 전압 제어 발진 회로의 소비 전력을 독립적으로 설정하는 것이 가능해지기 때문에, 설계의 용이화를 도모할 수 있다.
본 발명에 따른 상기 전압 제어 발진 장치는, 예를 들면 상기 제1 전압 제어 발진 회로가 제1 바이어스 회로를 갖고, 상기 제2 전압 제어 발진 회로가 제2 바이어스 회로를 갖고, 상기 제1 PNP 트랜지스터의 콜렉터가 상기 제1 바이어스 회로에 접속되고, 상기 제2 PNP 트랜지스터의 콜렉터가 상기 제2 바이어스 회로에 접속된 구성을 가져도 된다. 이 구성에서도, 한쪽의 전압 제어 발진 회로가 동작 상태에 있을 때에 다른 쪽의 전압 제어 발진 회로를 부동작 상태로 하기 위해, 바이어스 회로의 저항비를 조정할 필요가 없기 때문에, 전압 제어 발진 장치의 설계가 용이해진다.
또한, 본 발명에 따르면, 2개의 주파수 대역 중 어느 하나를 선택적으로 출력하는 전압 제어 발진 장치로서, 각각 다른 주파수 대역에서 발진하는 2개의 전압 제어 발진 회로와, 인가된 전환 전압에 기초하여 상기 2개의 전압 제어 발진 회로 중 동작하는 전압 제어 발진 회로를 전환하는 전환 회로를 갖고, 상기 전환 회로가 상기 2개의 전압 제어 발진 회로와 쌍을 이루는 2개의 PNP 트랜지스터로 구성된다. 이에 의해, 각 전압 제어 발진 회로의 동작/부동작이, 대응하는 PNP 트랜지스터의 온/오프 상태에 의해 확실하게 제어되기 때문에, 비선택 상태에 있는 전압 제어 발진 회로를 확실하게 부동작으로 하는 것이 가능해진다. 또한, 전환 전압은 제1 PNP 트랜지스터의 베이스에 인가되기 때문에, 전환 전압의 입력 단자에 큰 전류가 흐른다는 문제점의 발생을 방지할 수 있다. 또한, 한쪽의 PNP 트랜지스터를 온 상태로 한 경우, 다른 쪽의 PNP 트랜지스터를 오프 상태로 하는 것이 가능하기 때문에, 소비 전력을 저감할 수 있음과 함께, 각 전압 제어 발진 회로의 소비 전력을 독립적으로 설정하는 것이 가능해지기 때문에, 설계의 용이화를 도모할 수 있다.
본 발명에 따른 상기 전압 제어 발진 장치는, 예를 들면 상기 전압 제어 발진 회로가 바이어스 회로를 가지고 구성되고, 상기 전환 회로가 상기 2개의 전압 제어 발진 회로에 포함되는 상기 바이어스 회로 중 전압을 공급하는 바이어스 회로를 선택적으로 전환하도록 구성되어도 된다. 이 구성에서도, 한쪽의 전압 제어 발진 회로가 동작 상태에 있을 때에 다른 쪽의 전압 제어 발진 회로를 부동작 상태로 하기 위해, 바이어스 회로의 저항비를 조정할 필요가 없기 때문에, 전압 제어 발진 장치의 설계가 용이해진다.
또한, 본 발명에 따른 상기 전압 제어 발진 장치는, 예를 들면 원 패키지화되어 있어도 된다. 이에 의해, 사용하기 편한 전압 제어 발진 장치를 제공할 수 있다.
<실시 형태>
이하, 본 발명의 실시 형태를 도면과 함께 상세히 설명한다.
(실시예 1)
본 발명의 실시예 1을 설명함에 있어서, 우선 본 발명의 참고 기술로서 이하의 구성을 설명한다. 도 2는 본 발명의 제1 참고 기술로 되는 전압 제어 발진 장치(10)의 구성을 도시하는 회로도이다. 또한, 전압 제어 발진 장치(10)는 2개의 주파수를 전환하여 출력하는 이중 대역형 VCO(Voltage Controlled Oscillator)이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 전압 제어 발진 장치(10)는 스위칭 회로 SW1과 2개의 전압 제어 발진 회로(제1 전압 제어 발진 회로(100), 제2 전압 제어 발진 회로(200))로 구성되어 있다. 또한, 제1 전압 제어 발진 회로(100)와 제2 전압 제어 발진 회로(200)는 각각 다른 주파수 대역에서 발진하도록 구성된다.
이 구성에서, 스위칭 회로 SW1은, PNP 트랜지스터 Q1과 2개의 저항 R1, R2를 갖는다. PNP 트랜지스터 Q1의 베이스에는, 저항 R1을 통하여 전환 전압 Vsw가 인가된다. PNP 트랜지스터 Q1의 에미터에는 전원 전압 Vcc가 입력된다. 또한, 이 전원 전압 Vcc는, 저항 R2를 통하여 PNP 트랜지스터 Q1의 베이스에도 인가된다.
따라서, 스위칭 회로 SW1은 전환 전압 Vsw의 상태에 따라서 콜렉터 출력의 상태(High/Low)를 전환한다. 이에 의해, 저항 R11, R21의 후단에 설치된 회로의 동작이 전환된다.
또한, 제1 전압 제어 발진 회로(100)는, 제1 바이어스 회로(11)와, 공진기를 포함하여 구성된 증폭기(이하, 증폭기라고 함)(13)를 갖는다. 제1 바이어스 회로(11)는, 직렬로 접속된 저항 R11 및 R12를 갖는다. 저항 R11에서, 저항 R12와 접속된 단과 반대의 단에는 스위칭 회로 SW1에서의 PNP 트랜지스터 Q1의 콜렉터가 접속된다. 즉, 제1 바이어스 회로(11)에는, PNP 트랜지스터 Q1의 콜렉터 출력이 인가된다. 또한, 저항 R12에서, 저항 R11과 접속된 단과 반대의 단은 접지에 접속되어 있다.
제1 바이어스 회로(11)에서, 저항 R11과 저항 R12의 접속 부분은 분기되고, 증폭기(13)의 반전 입력 단자에 접속되어 있다. 즉, 증폭기(13)의 반전 입력 단자에는, 제1 바이어스 회로(11)의 출력 전압이 인가된다. 증폭기(13)의 비반전 입력 단자에는 전원 전압 Vcc가 인가된다. 증폭기(13)는, 전원 전압 Vcc와 제1 바이어스 회로(11)의 전위차에 기초한 주파수로 발진하여, 이것을 출력 Output1로서 출력한다.
마찬가지로, 제2 전압 제어 발진 회로(200)는, 제2 바이어스 회로(21)와, 공진기를 포함하여 구성된 증폭기(23)를 갖는다. 제2 바이어스 회로(21)는, 직렬로 접속된 저항 R21 및 R22를 갖는다. 저항 R21에서, 저항 R22와 접속된 단과 반대의 단에는 전원 전압 Vcc가 인가된다. 또한, 저항 R22에서, 저항 R21에 접속된 단과 반대의 단은 접지에 접속되어 있다.
제2 바이어스 회로(21)에서, 저항 R21과 저항 R22의 접속 부분은 분기되고, 증폭기(23)의 반전 입력 단자에 접속되어 있다. 즉, 증폭기(23)의 반전 입력 단자에는 제2 바이어스 회로(21)의 출력 전압이 인가된다. 증폭기(23)의 비반전 입력 단자에는 전원 전압 Vcc가 인가된다. 증폭기(23)는, 전원 전압 Vcc와 제2 바이어스 회로(21)의 전위차에 기초한 주파수로 발진하여, 이것을 출력 Output2로서 출력한다.
이상과 같은 구성에서, 전환 전압 Vsw가 Low인 경우, 스위칭 회로 SW1의 PNP 트랜지스터 Q1이 온(도통) 상태로 되어, 이것의 콜렉터 출력이 제1 바이어스 회로(11)에 공급되기 때문에, 저항 R11측인 제1 전압 제어 발진 회로(100)가 동작한다. 이것에 대하여, 전환 전압 Vsw가 High인 경우, 스위칭 회로 SW1의 PNP 트랜지스터 Q1이 오프(차단) 상태로 되어, 제1 바이어스 회로(11)에 전류가 공급되지 않기 때문에, 제1 전압 제어 발진 회로(100)가 부동작으로 된다. 이 때, 제2 전압 제어 발진 회로(200)는 항상 동작 상태이지만, 저항 R11과 R21의 저항값의 비를 조정함으로써, 전압 제어 발진 회로(200)의 동작/부동작을 조정할 수 있다. 즉, 제1 및 제2 바이어스 회로(11, 21)에서의 저항 R11, R21의 저항값의 비를 조정함으로써, 제1 전압 제어 발진 회로(100)가 동작 상태에 있을 때에 제2 전압 제어 발진 회로(200)를 부동작 상태로 할 수 있다. 즉, 어느 한쪽만이 동작 상태가 되도록 구성할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 제2 참고 기술로 되는 전압 제어 발진 장치(20)의 구성을 도 3을 이용하여 이하에 설명한다. 또한, 본 설명에서, 도 2와 마찬가지의 구 성에는, 동일한 부호를 붙이고, 그 상세한 설명은 생략한다.
도 3에 도시한 바와 같이, 전압 제어 발진 장치(20)는, 전압 제어 발진 장치(10)와 마찬가지의 구성에서, 제1 바이어스 회로(11)에서의 저항 R11의 한쪽의 단(저항 R12에 접속된 단과 반대의 단)이, 스위칭 회로 SW1에서의 PNP 트랜지스터 Q1의 콜렉터가 아니고, 전환 전압 Vsw의 입력단에 접속되어 있다. 즉, 전환 전압 Vsw가 스위칭 회로 SW1과 제1 바이어스 회로(11)에 인가되도록 구성되어 있다. 또한, 제2 바이어스 회로(21)에서의 저항 R21의 한쪽의 단(저항 R22에 접속된 단과 반대의 단)은 PNP 트랜지스터 Q1의 콜렉터에 접속되어 있다. 즉, 제2 바이어스 회로(21)에는 스위칭 회로 SW1의 출력이 인가되도록 구성되어 있다. 또한, 다른 구성은, 전압 제어 발진 장치(10)와 마찬가지이다.
이상과 같은 구성에서, 전환 전압 Vsw가 Low인 경우, 제1 바이어스 회로(11)에 전압이 공급되지 않기 때문에, 제1 전압 제어 발진 회로(100)는 부동작 상태로 된다. 또한, 스위칭 회로 SW1에서는 PNP 트랜지스터 Q1이 온 상태로 되어, 이것의 콜렉터 출력이 제2 바이어스 회로(21)에 공급되기 때문에, 제2 전압 제어 발진 회로(200)는 동작 상태로 된다. 이것에 대하여, 전환 전압 Vsw가 High인 경우, 제1 바이어스 회로(11)에 전압이 공급되기 때문에, 제1 전압 제어 발진 회로(100)는 동작 상태로 된다. 또한, 스위칭 회로 SW1로서는 PNP 트랜지스터 Q1이 오프 상태로 되고, 제2 바이어스 회로(21)에 전압이 공급되기 때문에, 제2 전압 제어 발진 회로(200)는 부동작 상태로 된다.
그러나, 상기한 전압 제어 발진 장치(10)의 구성에서는, 전환 전압 Vsw가 Low일 때에, 제1 전압 제어 발진 회로(100)와 제2 전압 제어 발진 회로(200)가 동시에 동작하는 것을 방지하기 위해서, 제1 및 제2 바이어스 회로(11, 21)에서의 저항 R11 및 R21의 저항값의 비를 조정할 필요가 있다. 그 결과, 각각의 전압 제어 발진 회로(100, 200)의 소비 전력을 독립적으로 설정하는 것이 불가능해진다.
또한, 상기한 전압 제어 발진 장치(20)의 구성에서는, 전환 전압 Vsw가 High일 때에, 전환 전압 Vsw의 입력단에 비교적 큰 전류가 흐르게 된다. 이 때문에, 제1 전압 제어 발진 회로(100)로부터의 노이즈가 증대하여, 전환 전압 Vsw를 제어하는 주변 기기에 어떤 영향을 미치게 될 가능성이 발생한다.
그래서 본 실시예는, 도 4에 도시하는 전압 제어 발진 장치(30)와 같은 구성을 갖는 것으로, 이들 문제점을 해소한다. 또한, 본 설명에서, 도 2 또는 도 3과 마찬가지의 구성에는, 동일한 부호를 붙이고, 그 상세한 설명은 생략한다.
도 4에 도시한 바와 같이, 전압 제어 발진 장치(30)는 2개의 스위칭 회로(SW1, SW2)와, 2개의 전압 제어 발진 회로(제1 전압 제어 발진 회로(100), 제2 전압 제어 발진 회로(200))를 갖는다.
스위칭 회로 SW1(이것을 제1 스위칭 회로로 함)은, 상기와 마찬가지로, 전환 전압 Vsw가 저항 R1을 통하여 베이스에 인가되는 PNP 트랜지스터 Q1을 갖는다. PNP 트랜지스터 Q1의 에미터에는 전원 전압 Vcc가 입력된다. 또한, 전원 전압 Vcc는 저항 R2를 통하여 PNP 트랜지스터 Q1의 베이스에도 인가된다. 따라서, PNP 트랜지스터 Q1(이것을 제1 PNP 트랜지스터로 함)은, 베이스에 인가된 전환 전압 Vsw의 상태에 기초하여 콜렉터 출력의 상태가 전환된다.
스위칭 회로 SW2(이것을 제2 스위칭 회로로 함)는, 스위칭 회로 SW1과 마찬가지의 회로 구성을 갖는다. 단, PNP 트랜지스터 Q1에 대응하는 PNP 트랜지스터 Q2의 베이스에는, 저항 R3(저항 R1에 대응)를 통하여 PNP 트랜지스터 Q1의 콜렉터 출력이 인가된다. 또한, 전원 전압 Vcc는 저항 R4(저항 R2에 대응)를 통하여 PNP 트랜지스터 Q2의 베이스에도 인가된다. 따라서, PNP 트랜지스터 Q2(이것을 제2 PNP 트랜지스터로 함)는, PNP 트랜지스터 Q1의 콜렉터 출력과 반대의 상태로 콜렉터 출력의 상태가 전환된다.
또한, 제1 전압 제어 발진 회로(100)는, 상기와 마찬가지의 구성에서, 제1 바이어스 회로(11)에 스위칭 회로 SW1에서의 PNP 트랜지스터 Q1의 콜렉터 출력이 인가된다. 또한, 제2 전압 제어 발진 회로(200)도, 상기와 마찬가지의 구성에서, 제2 바이어스 회로(21)에 스위칭 회로 SW2에서의 PNP 트랜지스터 Q2의 콜렉터 출력이 인가된다.
이러한 구성에서, 스위칭 회로 SW1은 PNP 트랜지스터 Q1의 콜렉터에 접속된 회로, 즉 제1 전압 제어 발진 회로(100)의 동작(선택 상태)/부동작(비선택 상태)를 전환한다. 또한, 제2 스위칭 회로 SW1은 PNP 트랜지스터 Q2의 콜렉터에 접속된 회로, 즉 제2 전압 제어 발진 회로(200)의 동작/부동작을 전환한다.
즉, 전환 전압 Vsw가 예를 들면 Low인 경우, PNP 트랜지스터 Q1은 온 상태로 되어, 저항 R11측에 접속된 제1 전압 제어 발진 회로(100)에 전압이 공급된다. 또한 이 때, PNP 트랜지스터 Q2는 오프 상태로 되어, 저항 R21측에 접속된 제2 전압 제어 발진 회로(200)로의 전압이 차단된다. 이것에 대하여, 전환 전압 Vsw가 High 인 경우, PNP 트랜지스터 Q1은 오프 상태로 되어, 저항 R11측에 접속된 제1 전압 제어 발진 회로(100)로의 전압이 차단된다. 또한 이 때, PNP 트랜지스터 Q2는 온 상태로 되어, 저항 R21측에 접속된 제2 전압 제어 발진 회로(200)에 전압이 공급된다.
이와 같이, 2개의 전압 제어 발진 회로(100, 200)와 쌍을 이루는 2개의 PNP 트랜지스터(Q1, Q2)를 설치하고, 이 PNP 트랜지스터(Q1, Q2)를 이용하여 전압을 공급하는 바이어스 회로(11, 21)를 전환함으로써, 부동작으로 전환된 회로로의 콜렉터 출력을 완전히 차단할 수 있다. 이 때문에, 부동작으로 된 회로의 동작을 완전히 정지시킬 수 있고, 이에 따라 각각의 전압 제어 발진 회로의 소비 전류를 독립적으로 설정하는 것이 가능해진다.
또한, 전환 전압 Vsw가 PNP 트랜지스터 Q1, Q2를 통하여 각각의 바이어스 회로(11, 21)에 접속되어 있기 때문에, 전환 전압 Vsw의 입력단에 큰 전류가 유입되는 것을 방지할 수 있어, 결과적으로 주변 기기에 주어지는 노이즈 등의 영향을 저감할 수 있다.
여기서, 상기에서의 제1 및 제2 스위칭 회로 SW1, SW2는, 도 5에 도시한 바와 같이, 원칩화하는 것이 가능하다. 도 5에서, 단자 1C는 스위칭 회로 SW1에서의 PNP 트랜지스터 Q1의 콜렉터에 접속된 단자이고, 단자 1B는 동일 PNP 트랜지스터 Q1의 베이스에 접속된 단자이며, 단자 1E는 동일 PNP 트랜지스터 Q1의 에미터에 접속된 단자이다. 마찬가지로, 단자 2C는 스위칭 회로 SW2에서의 PNP 트랜지스터 Q2의 콜렉터에 접속된 단자이고, 단자 2B는 동일 PNP 트랜지스터 Q2의 베이스에 접속 된 단자이고, 단자 2E는 동일 PNP 트랜지스터 Q2의 에미터에 접속된 단자이다. 이에 의해, 간단하고 쉽게 이용할 수 있는 스위칭의 패키지를 공급할 수 있다.
또한, 상기한 바와 같이 원칩화된 제1 및 제2 스위칭 회로 SW1, SW2에 전압 제어 발진 회로(100, 200)를 접속한 것을 원 패키지화하는 것도 가능하다. 또한, 도 4는 원 패키지화했을 때의 전압 제어 발진 장치(30)의 구성을 나타내고 있다.
또한, 상기 실시예 1은 본 발명을 실시하기 위한 예에 지나지 않으며, 본 발명은 이들에 한정되지 않고, 이들 실시예를 여러가지로 변형하는 것은 본 발명의 범위 내에 있는 것이다. 또한 본 발명의 범위 내에서, 다른 여러가지 실시예가 가능한 것은 상기 기재로부터 자명하다.
이상과 같이, 본 발명에 따르면, 비선택 상태에 있는 회로를 확실하게 부동작으로 하는 것이 가능한 스위칭 회로 및 그것을 갖는 전압 제어 발진 장치를 실현할 수 있다.

Claims (6)

  1. 베이스에 인가된 전환 전압의 상태에 기초하여 콜렉터 출력의 상태가 전환되는 제1 PNP 트랜지스터와,
    상기 제1 PNP 트랜지스터의 콜렉터 출력과 반대의 상태로 콜렉터 출력의 상태가 전환되는 제2 PNP 트랜지스터를 구비하고,
    상기 제1 및 제2 PNP 트랜지스터의 콜렉터 출력의 상태에 따라서, 상기 제1 PNP 트랜지스터의 콜렉터에 접속된 회로 및 상기 제2 PNP 트랜지스터의 콜렉터에 접속된 회로의 동작을 전환하는 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  2. 제1 및 제2 전압 제어 발진 회로와, 상기 제1 및 제2 전압 제어 발진 회로 중 어느 하나를 전환하여 동작시키는 전환 수단을 갖는 전압 제어 발진 장치로서,
    상기 전환 수단은, 베이스에 인가된 전환 전압의 상태에 기초하여 콜렉터 출력의 상태가 전환되는 제1 PNP 트랜지스터와, 상기 제1 PNP 트랜지스터의 콜렉터 출력과 반대의 상태로 콜렉터 출력의 상태가 전환되는 제2 PNP 트랜지스터를 구비하고,
    상기 제1 및 제2 PNP 트랜지스터의 콜렉터 출력의 상태에 따라서, 상기 제1 전압 제어 발진 회로 및 상기 제2 전압 제어 발진 회로의 동작을 전환하는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 전압 제어 발진 회로는 제1 바이어스 회로를 구비하고,
    상기 제2 전압 제어 발진 회로는 제2 바이어스 회로를 구비하고,
    상기 제1 PNP 트랜지스터의 콜렉터는 상기 제1 바이어스 회로에 접속되고,
    상기 제2 PNP 트랜지스터의 콜렉터는 상기 제2 바이어스 회로에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진 장치.
  4. 2개의 주파수 대역 중 어느 하나를 선택적으로 출력하는 전압 제어 발진 장치로서,
    각각 서로 다른 주파수 대역에서 발진하는 2개의 전압 제어 발진 회로와,
    상기 2개의 전압 제어 발진 회로 중 동작하는 전압 제어 발진 회로를 전환하는 전환 회로를 구비하고,
    상기 전환 회로는, 상기 2개의 전압 제어 발진 회로와 쌍을 이루는 2개의 PNP 트랜지스터를 갖는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 전압 제어 발진 회로는 바이어스 회로로 구성되고,
    상기 전환 회로는 상기 2개의 전압 제어 발진 회로에 포함되는 상기 바이어스 회로 중 전압을 공급하는 바이어스 회로를 선택적으로 전환하는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진 장치.
  6. 제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    원 패키지화되어 있는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진 장치.
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