KR100622244B1 - 발광표시장치 - Google Patents

발광표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100622244B1
KR100622244B1 KR1020050043110A KR20050043110A KR100622244B1 KR 100622244 B1 KR100622244 B1 KR 100622244B1 KR 1020050043110 A KR1020050043110 A KR 1020050043110A KR 20050043110 A KR20050043110 A KR 20050043110A KR 100622244 B1 KR100622244 B1 KR 100622244B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
light emitting
pixel
pixels
power
Prior art date
Application number
KR1020050043110A
Other languages
English (en)
Inventor
곽원규
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020050043110A priority Critical patent/KR100622244B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100622244B1 publication Critical patent/KR100622244B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명의 목적은 발광표시장치를 작게 구현하며, 화소에서 흐르는 전류의 흐름을 원할히 하여 표현되는 화상의 품위를 높일 수 있도록 하는 발광 표시장치를 제공하는 것이다.
본 발명은 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 흐르는 전류에 의해 발광하는 복수의 화소를 포함하는 화소부, 상기 화소에 주사신호를 전달하는 복수의 주사선, 상기 화소에 데이터신호를 전달하는 복수의 데이터선, 상기 제 1 전극과 연결되어 상기 화소에 제 1 전원을 전달하는 복수의 제 1 전원선, 메시타입으로 형성되어 복수의 화소 중 인접한 화소 사이에 형성되며 상기 제 2 전극과 전기적으로 연결되는 제 2 전원선 및 상기 제 2 전극과 상기 제 2 전원선과 연결되어 상기 제 2 전원을 상기 제 2 전극과 상기 제 2 전원선에 전달하는 버스전극을 포함하는 발광표시장치를 제공한다.

Description

발광표시장치{LIGHT EMITTING DISPLAY}
도 1 은 종래 기술에 의한 발광표시장치를 나타내는 구조도이다.
도 2는 본 발명에 따른 발광 표시장치의 제 1 실시예를 나타내는 구조도이다.
도 3은 본 발명에 따른 발광 표시장치의 제 2 실시예를 나타내는 구조도이다.
도 4는 본 발명에 따른 발광 표시장치에서 채용된 화소를 나타내는 회로도이다.
도 5는 도 2 및 도 3에 도시된 발광표시장치의 단면을 나타내는 단면도이다.
***도면의 주요부분에 대한 부호설명***
100: 화소부 110: 화소
120: 버스전극 200: 데이터구동부
300: 주사구동부 ELVdd: 제 1 전원
ELVss: 제 2 전원
본 발명은 발광 표시장치에 관한 것으로, 더욱 상세히 설명하면, 발광소자에 전류가 원할히 흐르도록 하며 비발광영역의 크기를 줄이도록 하여, 표현하는 화질이 뛰어나고 크기가 작게 구현되는 발광표시장치에 관한 것이다.
근래에 음극선관과 비교하여 무게와 부피가 작은 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있으며 특히 발광효율, 휘도 및 시야각이 뛰어나며 응답속도가 빠른 발광 표시장치가 주목 받고 있다.
발광 표시장치로는 유기 발광 소자를 이용한 유기 발광 표시장치와 무기 발광 소자를 이용한 무기 발광 표시장치가 있다. 유기 발광 소자는 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)로도 호칭되며, 애노드 전극, 캐소드 전극 및 이들 사이에 위치하여 전자와 정공의 결합에 의하여 발광하는 유기 발광층을 포함한다. 무기 발광 소자는 발광 다이오드(light emitting diode, LED)로도 호칭되며, 유기 발광 다이오드와 달리 무기물인 발광층, 일례로 PN 접합된 반도체로 이루어진 발광층을 포함한다.
도 1 은 종래 기술에 의한 발광표시장치를 나타내는 구조도이다. 도 1을 참조하여 설명하면, 종래 기술에 의한 발광 표시장치는 화소부(10), 데이터 구동부(20) 및 주사 구동부(30)를 포함한다.
화소부(10)는 복수의 화소(11)가 배열되고 각 화소(11)는 발광소자(미도시)와 화소회로가 연결된다. 그리고, 행방향으로 형성되며 주사신호를 전달하는 n 개 의 주사선(S1,S2,...Sn-1,Sn)과 열방향으로 형성되며 데이터신호를 전달하는 m 개의 데이터선(D1, D2,....Dm-1, Dm)과 제 1 전원을 전달하는 m 개의 제 1 전원선(L1)이 배열된다. 발광소자는 제 1 전극과 제 2 전극을 구비하며 제 1 전극에서 제 2 전극 사이로 전류가 흐르게 되면 발광하게 된다. 화소회로는 주사선(S1,S2,...Sn-1,Sn)과 데이터선(D1, D2,....Dm-1, Dm)과 제 1 전원을 전달하는 제 1 전원선(L1)에 연결되어 주사신호, 데이터신호 및 제 1 전원(ELVdd)에 따라 전류를 생성한다. 발광소자는 제 1 전극은 화소회로와 연결되고 제 2 전극은 전압레벨이 낮은 제 2 전원(ELVss)에 연결되어 발광소자는 화소회로를 통해 제 1 전극으로부터 전달받은 전류를 제 2 전극으로 흐르게 하여 발광하게 된다.
이때, 발광소자의 제 2 전극은 화소부(10)의 전면에 증착되며 화소부의 양 측면에 형성되어 있는 버스전극(12)에 연결된다. 버스 전극(12)은 제 2 전원(ELVss)이 전달되어 각 화소에 포함되어 있는 발광소자의 제 2 전극에 제 2 전원(ELVss)를 전달하여 발광소자에 흐르는 전류가 흘러나가도록 한다.
데이터 구동부(20)는 화소부(10)에 데이터 신호를 인가하는 수단으로, 데이터 구동부(20)가 화소부(10)의 데이터선(D1, D2,....Dm-1, Dm)과 연결되어 데이터 신호를 화소부(10)에 인가한다.
주사 구동부(30)는 주사신호를 순차적으로 출력하는 수단으로, 주사 구동부 (30)는 주사선(S1,S2,...Sn-1,Sn)과 연결되어 주사신호를 화소부(10)의 특정한 행에 전달한다. 주사신호가 전달된 화소부(10)의 특정한 행에는 데이터 구동부(20)에서 입력되는 데이터 신호가 인가되어 영상을 표시하게 된다.
이러한 종래의 발광 표시장치는 각 발광소자에 제 2 전극이 공통으로 연결되어 각 발광소자에 흐르는 전류가 공통으로 연결되어 있는 제 2 전극으로 흘러나가게 된다. 따라서, 복수의 발광소자를 통해 흐르는 전류가 원할히 흐르게 하기 위해서는 제 2 전원(ELVss)를 전달하는 제 2 전극과 연결되어 있는 버스 전극의 면적이 충분히 커야 한다. 이때, 제 2 전극의 크기는 화소부(10)의 크기와 동일하므로 버스전극(12)의 면적을 크게 하여야 발광소자를 통해 흐르는 전류가 원할히 흐를 수 있게 된다.
따라서, 버스전극(12)의 크기에 의해 발광표시장치의 화소부(10)와 주사구동부(30) 사이의 이격 거리가 크게 되어 발광표시장치의 비 발광영역의 비발광영역의 면적이 크게 형성되어 발광표시장치의 크기가 크게 형성되는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로, 본 발명의 목적은 발광표시장치를 작게 구현하며, 화소에서 흐르는 전류의 흐름을 원할히 하여 표현되는 화상의 품위를 높일 수 있도록 하는 발광 표시장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 1 측면은, 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 흐르는 전류에 의해 발광하는 복수의 화소를 포함하는 화소부, 상기 화 소에 주사신호를 전달하는 복수의 주사선, 상기 화소에 데이터신호를 전달하는 복수의 데이터선, 상기 제 1 전극과 연결되어 상기 화소에 제 1 전원을 전달하는 복수의 제 1 전원선, 메시타입으로 형성되어 복수의 화소 중 인접한 화소 사이에 형성되며 상기 제 2 전극과 전기적으로 연결되는 제 2 전원선 및 상기 제 2 전극과 상기 제 2 전원선과 연결되어 상기 제 2 전원을 상기 제 2 전극과 상기 제 2 전원선에 전달하는 버스전극을 포함하는 발광표시장치를 제공한다.
본 발명의 제 2 측면은, 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 흐르는 전류에 의해 발광하는 복수의 화소를 포함하며 외곽부는 발광하지 않는 화소로 구현되는 더미 영역과 중앙부는 발광하는 화소로 구현되는 활성영역을 구비하는 화소부, 상기 화소에 주사신호를 전달하는 복수의 주사선, 상기 화소에 데이터신호를 전달하는 복수의 데이터선, 상기 제 1 전극과 연결되어 상기 화소에 제 1 전원을 전달하는 복수의 제 1 전원선, 메시타입으로 형성되어 복수의 화소 중 인접한 화소 사이에 형성되며 상기 제 2 전극과 전기적으로 연결되는 제 2 전원선 및 상기 더미 영역에 형성되며, 상기 제 2 전극과 상기 제 2 전원선과 연결되어 상기 제 2 전원을 상기 제 2 전극과 상기 제 2 전원선에 전달하는 버스전극을 포함하는 발광표시장치를 제공하는 것이다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 따른 발광 표시장치의 제 1 실시예를 나타내는 구조도이다. 도 2를 참조하여 설명하면, 발광표시장치는 화소부(100), 데이터구동부(200) 및 주사구동부(300)를 포함한다.
화소부(100)는 복수의 화소(110)가 배열되고 각 화소(110)는 발광소자(미도시)와 화소회로 포함된다. 그리고, 행방향으로 형성되며 주사신호를 전달하는 n 개의 주사선(S1,S2,...Sn-1,Sn)과 열방향으로 형성되며 데이터신호를 전달하는 m 개의 데이터선(D1, D2,....Dm-1, Dm)과 열방향으로 배열되어 제 1 전원(ELVdd)을 전달하는 m 개의 제 1 전원선(L1)과 제 1 전원(ELVdd) 및 화소의 주변에 메시 형태로 형성되어 제 2 전원(ELVss)을 전달하는 제 2 전원선(L2)이 배열된다.
발광소자는 제 1 전극과 제 2 전극을 구비하며 제 1 전극에서 제 2 전극 사이로 전류가 흐르게 되면 발광하게 된다. 화소회로는 주사선(S1,S2,...Sn-1,Sn)과 데이터선(D1, D2,....Dm-1, Dm)과 제 1 전원을 전달하는 제 1 전원선(L1)에 연결되어 주사신호, 데이터신호 및 제 1 전원(ELVdd)에 따라 전류를 생성한다. 발광소자는 제 1 전극은 화소회로와 연결되고 제 2 전극은 전압레벨이 낮은 제 2 전원(ELVss)에 연결되어 발광소자는 화소회로를 통해 제 1 전극으로부터 전달받은 전류를 제 2 전극으로 흐르게 하여 발광하게 된다.
이때, 발광소자의 제 2 전극은 화소부(100)의 전면에 증착되며 화소부의 외곽부에 형성되어 있는 버스전극(120)에 연결된다. 또한, 발광소자의 제 2 전극은 메시형태로 형성되어 있는 제 2 전원선(L2)에 연결된다. 따라서, 발광소자의 제 2 전극을 통해 흐르는 전류의 패스는 제 2 전극이 직접 버스전극(120)에 연결되어 제 2 전극에서 버스전극(120)으로 흐르는 경로와 제 2 전극과 제 2 전원선(L2)을 통해 버스전극(120)으로 흐르는 경로가 형성되어 발광소자의 제 1 전극에서 제 2 전극으 로 흐르는 전류가 원할히 흐르게 된다.
데이터 구동부(200)는 화소부(100)에 데이터 신호를 인가하는 수단으로, 데이터 구동부(200)가 화소부(100)의 데이터선(D1, D2,....Dm-1, Dm)과 연결되어 데이터 신호를 화소부(100)에 인가한다.
주사 구동부(300)는 주사신호를 순차적으로 출력하는 수단으로, 주사 구동부 (300)는 주사선(S1,S2,...Sn-1,Sn)과 연결되어 주사신호를 화소부(100)의 특정한 행에 전달한다. 주사신호가 전달된 화소부(100)의 특정한 행에는 데이터 구동부(200)에서 입력되는 데이터 신호가 인가되어 영상을 표시하게 된다.
도 3은 본 발명에 따른 발광 표시장치의 제 2 실시예를 나타내는 구조도이다. 도 3을 참조하여 설명하면, 발광표시장치는 화소부(100), 데이터구동부(200) 및 주사구동부(300)를 포함한다.
화소부(100)는 복수의 화소(110)가 배열되고 각 화소(110)는 발광소자(미도시)와 화소회로가 연결된다. 그리고, 행방향으로 형성되며 주사신호를 전달하는 n 개의 주사선(S1,S2,...Sn-1,Sn)과 열방향으로 형성되며 데이터신호를 전달하는 m 개의 데이터선(D1, D2,....Dm-1, Dm)과 열방향으로 배열되어 제 1 전원(ELVdd)을 전달하는 m 개의 제 1 전원선(L1)과 제 1 전원(ELVdd) 및 화소의 주변에 메시 형태로 형성되어 제 2 전원(ELVss)을 전달하는 제 2 전원선(L2)이 배열된다.
화소부(100)는 외곽부에는 발광하지 않는 화소가 배열되는 더미 영역과 중앙부에는 발광하는 화소가 배열되는 발광영역으로 구분되도록 한다. 이때, 더미영역 에 형성되는 화소의 크기를 발광영역에 형성되는 화소의 크기보다 작게 구현하여 화소부의 비발광영역의 면적을 줄일 수 있도록 한다.
발광소자는 제 1 전극과 제 2 전극을 구비하며 제 1 전극에서 제 2 전극 사이로 전류가 흐르게 되면 발광하게 된다. 화소회로는 주사선(S1,S2,...Sn-1,Sn)과 데이터선(D1, D2,....Dm-1, Dm)과 제 1 전원을 전달하는 제 1 전원선(L1)에 연결되어 주사신호, 데이터신호 및 제 1 전원(ELVdd)에 따라 전류를 생성한다. 발광소자는 제 1 전극은 화소회로와 연결되고 제 2 전극은 전압레벨이 낮은 제 2 전원(ELVss)에 연결되어 발광소자는 화소회로를 통해 제 1 전극으로부터 전달받은 전류를 제 2 전극으로 흐르게 하여 발광하게 된다.
이때, 발광소자의 제 2 전극은 화소부(100)의 전면에 증착되며 화소부(100)의 외곽부에 형성되어 있는 버스전극(120)에 연결된다. 버스 전극(120)은 화소부(100)의 더미영역에 형성되어 주사구동부와 화소부 사이의 간격을 더욱 좁힐 수 있게 된다. 또한, 발광소자의 제 2 전극은 메시형태로 형성되어 있는 제 2 전원선(L2)에 연결된다. 따라서, 발광소자의 제 2 전극을 통해 흐르는 전류의 패스는 제 2 전극이 직접 버스전극(120)에 연결되어 제 2 전극에서 버스전극(120)으로 흐르는 경로와 제 2 전극과 제 2 전원선(L2)을 통해 버스전극(120)으로 흐르는 경로가 형성되어 발광소자의 제 1 전극에서 제 2 전극으로 흐르는 전류가 원할히 흐르게 된다.
데이터 구동부(200)는 화소부(100)에 데이터 신호를 인가하는 수단으로, 데이터 구동부(200)가 화소부(100)의 데이터선(D1, D2,....Dm-1, Dm)과 연결되어 데 이터 신호를 화소부(100)에 인가한다.
주사 구동부(300)는 주사신호를 순차적으로 출력하는 수단으로, 주사 구동부 (300)는 주사선(S1,S2,...Sn-1,Sn)과 연결되어 주사신호를 화소부(100)의 특정한 행에 전달한다. 주사신호가 전달된 화소부(100)의 특정한 행에는 데이터 구동부(200)에서 입력되는 데이터 신호가 인가되어 영상을 표시하게 된다.
도 4는 도 2 및 도 3의 발광표시장치에서 채용된 화소의 일실시예를 나타내는 회로도이다. 도 4를 참조하여 설명하면, 화소는 발광소자(OLED), 제 1 트랜지스터(M1), 캐패시터(Cst) 및 제 2 트랜지스터(M2)를 구비하는 화소회로를 포함한다. 그리고, 주사선(Sn), 데이타선(Dm) 및 전원선(ELVdd)이 화소회로에 연결된다. 그리고, 주사선(Sn)은 행 방향으로 형성되고, 데이터선(Dm) 및 전원선(ELVdd)은 열 방향으로 형성된다.
제 1 트랜지스터(M1)는 소스는 전원선(ELVdd)에 연결되고, 드레인은 발광소자(OLED)에 연결되며, 게이트는 제 1 노드(A)에 연결된다. 그리고, 게이트에 입력되는 신호에 의해 발광소자(OLED)에 발광을 위한 전류를 공급한다. 제 1 트랜지스터(M1)의 소스에서 드레인으로 흐르는 전류량은 제 2 트랜지스터(M2)를 통해 제 1 노드(A)에 전달되는 데이터 신호에 의해 제어된다.
제 2 트랜지스터(M2)는 소스는 데이터선(Dm)에 연결되고 드레인은 제 1 노드(A)에 연결되며 게이트는 주사선(Sn)에 연결되어 주사신호에 의해 선택적으로 데이터신호를 제 1 노드(A)에 전달한다.
캐패시터(Cst)는 제 1 전극은 제 2 트랜지스터(M2)의 소스에 연결되고, 제 2 전극은 제 1 노드(A)에 연결되어, 데이터 신호에 의하여 인가된 소스과 게이트 사이의 전압을 일정 기간 유지한다.
이와 같은 구성으로 인하여, 제 2 트랜지스터(M2)의 게이트에 인가되는 주사 신호에 의하여 제 2 트랜지스터(M2)가 온 상태가 되면 캐패시터(Cst)에 데이터 신호에 대응되는 전압이 충전되고, 캐패시터(Cst)에 충전된 전압이 제 1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극에 인가되어 제 1 트랜지스터(M1)는 전류를 흐르게 하여 발광소자(OLED)가 발광하도록 한다.
이때, 제 1 트랜지스터(M1)에 의해 발광소자(OLED)로 흐르는 전류는 다음의 수학식 1과 같다.
Figure 112005026943643-pat00001
여기서 IOLED 는 발광소자에 흐르는 전류, Vgs는 제 1 트랜지스터(M1)의 소스와 게이트 사이의 전압, Vth는 제 1 트랜지스터(M1)의 문턱전압, ELVdd는 제 1 전원의 전압, Vdata는 데이터 신호 전압, β는 제 2 트랜지스터(M2)의 이득계수(Gain factor)를 나타낸다.
도 5는 도 2 및 도 3에 도시된 발광표시장치의 단면을 나타내는 단면도이다. 도 5는 제 1 트랜지스터(M1)와 발광소자(OLED) 만이 도시되어 있다. 도 5를 참조 하여 설명하면,
산화막으로 이루어지는 버퍼층이 형성되어 있는 투명 절연기판(400)상부에 폴리실리콘층이(402)이 형성된다. 폴리실리콘층(402)은 비정질 실리콘(Amorphous Silicon)을 열처리하여 형성한다.
그리고, 폴리실리콘층(402) 위에 산화막으로 이루어진 게이트 절연층(401)이 형성되며, 게이트 절연층(401) 위에 알루미늄 등의 금속층을 형성하고 패터닝을 하여 게이트(404)를 형성한다. 그리고, 폴리실리콘층(402) 중 게이트(404) 아래에 위치하는 영역이 채널에 해당하고, 채널의 양측에는 이온 주입에 의해 P형 불순물이 도핑된 영역이 소스와 드레인 영역에 해당한다.
그리고, 게이트(404) 상부에 층간 절연막(403)을 증착하고 패터닝 하여 컨텍홀이 형성되도록 한다. 그리고, 금속층(405)을 그 상부에 형성하고 패터닝을 하여 컨텍홀을 통해 금속층(4050)가 채널의 소스와 드레인 영역 까지 형성되도록 한다.
그리고, 금속층(405)의 상부에 보호막(406)을 증착하고 패터닝하여 보호막에 컨텍홀을 형성하며 보호막(406) 상부에 제 1 전극(407)과 제 2 전원선(L2)을 형성한다. 제 1 전극(407)과 제 2 전원선(L2)은 동일한 공정 상에 형성되며 동일한 물질로 이루어진다. 이때, 제 1 전극(407)은 컨텍홀을 통해 금속층(405)과 접촉하여 드레인에 전기적으로 연결된다.
그리고, 그 상부에 절연막으로 이루어진 평탄화막(408)을 증착하고 패터닝 하여 제 2 전원선(L2)의 상부에 컨텍홀과 개구부를 형성하고 개구부에 발광물질(409)을 도포하고, 발광물질(409)을 포함한 전면에 제 2 전극(410)을 형성한다. 이때, 제 2 전극(410)은 컨텍홀을 통해 제 2 전원선(L2)에 접촉하게 된다.
본 발명의 바람직한 실시예가 특정 용어들을 사용하여 기술되어 왔지만, 그러한 기술은 단지 설명을 하기 위한 것이며, 다음의 청구범위의 기술적 사상 및 범위로부터 이탈되지 않고 여러 가지 변경 및 변화가 가해질 수 있는 것으로 이해되어져야 한다.
본 발명에 따른 발광 표시장치에 의하면, 화소에 흐르는 전류가 흘러나오는 전극을 메쉬타입으로 형성하여 전류가 원활히 전극을 통해 흘러나오도록 하여 발광표시장치에서 구현하는 화질을 높일 수 있게 된다.
또한, 발광표시장치의 비발광영역의 크기를 작게 구현할 수 있어 발광표시장치의 크기를 작게 구현할 수 있다.

Claims (7)

  1. 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 흐르는 전류에 의해 발광하는 복수의 화소를 포함하는 화소부;
    상기 화소에 주사신호를 전달하는 복수의 주사선;
    상기 화소에 데이터신호를 전달하는 복수의 데이터선;
    상기 화소에 상기 제 1 전류가 생성되도록 하는 제 1 전원을 전달하는 복수의 제 1 전원선;
    상기 복수의 화소 사이에 메쉬타입으로 형성되며 상기 제 2 전극과 전기적으로 연결되는 제 2 전원선;
    상기 제 2 전원선과 연결되어 제 2 전원을 상기 제 2 전원선에 전달하는 버스전극을 포함하는 발광표시장치.
  2. 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 흐르는 전류에 의해 발광하는 복수의 화소를 포함하며 외곽부는 발광하지 않는 화소로 구현되는 더미 영역과 중앙부는 발광하는 화소로 구현되는 활성영역을 구비하는 화소부;
    상기 화소에 주사신호를 전달하는 복수의 주사선;
    상기 화소에 데이터신호를 전달하는 복수의 데이터선;
    상기 화소에 상기 제 1 전류가 생성되도록 하는 제 1 전원을 전달하는 복수 의 제 1 전원선;
    상기 복수의 화소 사이에 메쉬타입으로 형성되며 상기 제 2 전극과 전기적으로 연결되는 제 2 전원선;
    상기 더미 영역에 형성되며, 상기 제 2 전원선과 연결되어 상기 제 2 전원을 상기 제 2 전원선에 전달하는 버스전극을 포함하는 발광표시장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 전극 상기 제 2 전극은 동일한 공정에 의해 형성되는 발광표시장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 더미 영역에 위치하는 화소의 크기는 상기 활성영역에 위치하는 화소의 크기보다 작게 구현되는 발광표시장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 더미 영역에 위치하는 화소의 제 1 전극은 상기 버스 전극인 발광 표시장치.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 화소부에 상기 데이터신호를 전달하는 데이터구동부와 상기 주사신호를 전달하는 주사구동부를 더 포함하는 발광표시장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 버스전극은 상기 주사구동부 상에 형성되지 않는 발광표시장치.
KR1020050043110A 2005-05-23 2005-05-23 발광표시장치 KR100622244B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050043110A KR100622244B1 (ko) 2005-05-23 2005-05-23 발광표시장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050043110A KR100622244B1 (ko) 2005-05-23 2005-05-23 발광표시장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100622244B1 true KR100622244B1 (ko) 2006-09-15

Family

ID=37631426

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050043110A KR100622244B1 (ko) 2005-05-23 2005-05-23 발광표시장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100622244B1 (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9202853B2 (en) Organic electroluminescent display device having plurality of driving transistors and plurality of anodes or cathodes per pixel
KR101980757B1 (ko) 유기발광 표시장치
JP4838571B2 (ja) 発光表示装置およびその製造方法
KR100684712B1 (ko) 발광 표시 장치
KR101152120B1 (ko) 표시 장치 및 그 구동 방법
US7742025B2 (en) Display apparatus and driving method thereof
EP2450869B1 (en) Active matrix substrate and organic el display device
US7940234B2 (en) Pixel circuit, display device, and method of manufacturing pixel circuit
KR102044314B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
JP2008129157A (ja) 画素回路および表示装置、並びに画素回路の製造方法
TWI397040B (zh) 像素電路及顯示裝置，以及顯示裝置之製造方法
US11563067B2 (en) Display device with improved aperture ratio and transmissivity
KR20090046053A (ko) 유기전계발광표시장치 및 이의 구동방법
KR100560452B1 (ko) 발광 표시 패널 및 발광 표시 장치
KR100805599B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
KR102537379B1 (ko) 발광 표시 장치
KR100711883B1 (ko) 테스트 화소를 포함하는 발광표시장치 및 그의 제조방법
KR20210014817A (ko) 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP6186127B2 (ja) 表示装置
KR100894651B1 (ko) 액티브 매트릭스형 유기 전계발광 표시패널 및 그의제조방법
KR100622244B1 (ko) 발광표시장치
JP2008129155A (ja) 画素回路および表示装置、並びに画素回路の製造方法
JP2009251486A (ja) 画像表示装置及び画像表示装置の製造方法
KR100698710B1 (ko) 유기 전계 발광 표시장치
KR100776481B1 (ko) 유기 전계 발광표시장치의 화소구조

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120831

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130830

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140901

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160831

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180829

Year of fee payment: 13