KR100620884B1 - Organic electroluminescent device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus - Google Patents

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우치다마사히로
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세이코 엡슨 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 간편한 구성으로 모든 색의 유기 발광층에서 고휘도, 고발광 효율, 고수명 특성을 나타낼 수 있고, 또한 열 등에 대한 보존 안정성에도 뛰어난 유기 EL 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an organic EL device which can exhibit high brightness, high light emitting efficiency, and high lifespan characteristics in an organic light emitting layer of all colors with a simple configuration, and is also excellent in storage stability against heat and the like.

본 발명의 유기 EL 장치는 양극(23)과 음극(50, 52) 사이에 유기 발광층(60)을 포함하여 이루어지는 적층체(積層體)를 가지며, 상기 유기 발광층(60)이 고분자 발광 재료로 이루어짐과 동시에, 상기 음극(50, 52)이 알칼리 금속의 불화물 또는 산화물, 또는 알칼리토류 금속의 불화물 또는 산화물, 또는 유기물과의 착체(錯體) 또는 화합물로 이루어지는 제 1 층(52)과 마그네슘의 합금으로 이루어지는 제 2 층(50)을 상기 유기 발광층(60) 쪽으로부터 이 순서로 포함하는 것을 특징으로 한다.The organic EL device of the present invention has a laminate including an organic light emitting layer 60 between the anode 23 and the cathodes 50 and 52, wherein the organic light emitting layer 60 is made of a polymer light emitting material. At the same time, the cathodes 50 and 52 are alloys of magnesium with the first layer 52 composed of a fluoride or oxide of an alkali metal, a fluoride or oxide of an alkaline earth metal, or a complex or compound with an organic substance. The second layer 50 made of the organic light emitting layer 60 is included in this order.

LUMO 레벨, 유기 일렉트로루미네선스 장치, 유기 발광층, 유기 발광 소자, 전자 주입층, 일함수LUMO level, organic electroluminescent device, organic light emitting layer, organic light emitting element, electron injection layer, work function

Description

유기 일렉트로루미네선스 장치, 유기 일렉트로루미네선스 장치의 제조 방법 및 전자기기{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC APPARATUS}ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC APPARATUS}

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 EL 장치의 배선 구조를 나타내는 모식도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The schematic diagram which shows the wiring structure of the organic electroluminescent apparatus which concerns on one Embodiment of this invention.

도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 EL 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 평면도.2 is a plan view schematically showing a configuration of an organic EL device according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2의 A-B 선에 따른 단면도.3 is a cross-sectional view taken along the line A-B of FIG.

도 4는 도 2의 C-D 선에 따른 단면도.4 is a cross-sectional view taken along the line C-D of FIG.

도 5는 도 3의 요부 확대 단면도.5 is an enlarged cross-sectional view of the main portion of FIG. 3;

도 6은 발광 소자의 일 변형예를 나타내는 요부 확대 단면도.6 is an enlarged cross-sectional view of a main portion showing a modification of the light emitting element;

도 7은 발광 소자의 알 변형예를 나타내는 요부 확대 단면도.7 is an enlarged cross-sectional view of a main portion showing an egg modification of the light emitting element.

도 8은 발광 소자의 일 변형예를 나타내는 요부 확대 단면도.8 is an enlarged sectional view of a main portion showing one modification of the light emitting element;

도 9는 본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 EL 장치의 제조 방법을 공정 순서로 설명하는 단면도.9 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing an organic EL device according to an embodiment of the present invention in the order of steps.

도 10은 도 9에 이어지는 공정을 설명하기 위한 단면도.10 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 9.

도 11은 도 10에 이어지는 공정을 설명하기 위한 단면도.11 is a cross-sectional view for explaining a step following FIG. 10.

도 12는 도 11에 이어지는 공정을 설명하기 위한 단면도.12 is a cross-sectional view for explaining a step following the step shown in FIG. 11.

도 13은 도 12에 이어지는 공정을 설명하기 위한 단면도.FIG. 13 is a cross-sectional view for explaining a step following FIG. 12. FIG.

도 14는 본 발명의 전자기기의 일례를 나타내는 사시도.14 is a perspective view showing an example of the electronic apparatus of the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

1 : 유기 EL 장치1: organic EL device

23 : 화소 전극(양극)23: pixel electrode (anode)

50 : 음극 제 2 층50: cathode second layer

52 : 음극 제 1 층(전자 주입층)52: cathode first layer (electron injection layer)

60 : 유기 발광층60: organic light emitting layer

20 : 기판20: substrate

1000 : 휴대 전화(전자기기)1000: mobile phone (electronic device)

본 발명은 유기 일렉트로루미네선스 장치와 그 제조 방법, 및 이 유기 일렉트로루미네선스 장치를 구비한 전자기기에 관한 것이다. The present invention relates to an organic electroluminescent device, a method for producing the same, and an electronic device including the organic electroluminescent device.

유기 일렉트로루미네선스 장치(이하, 유기 EL 장치라고 함)로서, 예를 들면 특허문헌 1[일본국 특허공개 2001-332388호 공보]에는 음극과 양극 사이에 유기 발광층이 설치되고, 상기 유기 발광층이 고분자 발광 재료에 의해 형성된 구성이 개시되어 있다.As an organic electroluminescent device (hereinafter referred to as an organic EL device), for example, Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 2001-332388) provides an organic light emitting layer between a cathode and an anode, and the organic light emitting layer is A structure formed of a polymer light emitting material is disclosed.

특허문헌 1에 개시된 유기 EL 장치에서는, 유기 발광층이 고분자 발광 재료에 의해 형성되며, 음극으로서 칼슘 등 일함수가 3.0 eV(일렉트론 볼트) 이하의 재료를 포함하는 것을 사용하고 있다. 한편, 저분자 발광 재료를 사용한 유기 EL 장치에서 일반적으로 유기 발광층은 최저 공분자 궤도(Lowest Unoccupied Molecular Orbital : LUMO) 레벨이 3.0 eV에서 3.5 eV의 전자 수송성의 유기 재료로 구성되며, 음극으로서는 마그네슘 등 일함수가 3.5 eV 정도의 재료가 사용된다. 예를 들면, 유기 발광층은 트리스(8-키노리노라토(quinolinolato)) 알루미늄(이하, Alq3으로 표기)에 각 색에 대응한 도판트(dopant)를 각각 첨가하여 구성되며, Alq3의 LUMO 레벨은 3.1 eV이다. 한편, 고분자 발광 재료를 사용한 유기 EL 장치에 사용되는 고분자 발광 재료의 LUMO 레벨은 같은 발광색의 저분자 발광 재료에 비하여 1.0 eV 정도 낮다. 따라서, 고분자 발광 재료에서는 저분자 발광 재료의 경우와 비교하여, 음극으로서 일함수가 비교적 낮은, 즉 반응성이 높은 재료를 사용할 필요가 있다.In the organic EL device disclosed in Patent Document 1, an organic light emitting layer is formed of a polymer light emitting material, and a cathode containing a material having a work function of 3.0 eV or less (electron volt) or less is used as the cathode. On the other hand, in an organic EL device using a low molecular weight light emitting material, an organic light emitting layer is generally composed of an electron transporting organic material having a Low Unoccupied Molecular Orbital (LUMO) level of 3.0 eV to 3.5 eV, and a cathode such as magnesium. A material with a function of about 3.5 eV is used. For example, the organic light-emitting layer is composed of tris (8-quinolinolato) aluminum (hereinafter referred to as Alq 3 ) by adding a dopant corresponding to each color, and an LUMO level of Alq 3 . Is 3.1 eV. On the other hand, the LUMO level of the polymer luminescent material used in the organic EL device using the polymer luminescent material is about 1.0 eV lower than that of the low molecular luminescent material of the same luminescent color. Therefore, in the polymer light emitting material, it is necessary to use a material having a relatively low work function, that is, a high reactivity, as the cathode as compared with the case of a low molecular weight light emitting material.

또한, 풀 칼라 유기 EL 장치에 사용되는 고분자 발광 재료의 LUMO 레벨은 발광색마다 다르다. B(청색) 발광을 나타내는 발광 재료에서, 최고 피점(被占) 분자 궤도(Highest Occupied Molecular Orbital : HOMO)가 같다면, 색의 순도를 높이기 위해서 LUMO 레벨을 낮게 할 필요가 있다. 따라서, B(청색) 발광을 나타내는 고분자 발광 재료에서는 LUMO 레벨이 2.0 eV 정도의 재료는 색의 순도가 매우 바람직하 다. 이와 같은 결과로서, B(청색) 발광을 나타내는 발광 재료의 LUMO 레벨은 G(녹색) 발광을 나타내는 발광 재료나 R(적색) 발광을 나타내는 발광 재료의 LUMO 레벨에 비하여 낮게 구성된다. 여기서, 칼슘은 전자 주입을 촉진하는 역할을 담당하고 있지만, 고분자 발광 재료를 사용한 풀 칼라 유기 EL 장치에 칼슘 등 일함수가 3.0 eV(일렉트론 볼트) 이하의 재료를 포함하는 음극 구성을 적용했을 경우에는, 각 색의 발광을 나타내는 유기 발광층의 LUMO 레벨이 크게 다르기 때문에, 각 색의 발광을 나타내는 유기 발광층에 대하여 양호한 특성을 얻을 수 없는 과제가 있었다. 예를 들면, R(적색) 발광을 나타내는 유기 발광층과 G(녹색) 발광을 나타내는 유기 발광층은 LUMO 레벨이 3.3 eV 정도이며 상대적으로 고효율, 고수명의 특성을 나타내지만, B(청색) 발광을 나타내는 유기 발광층은 LUMO 레벨이 2.0 eV 정도이며 효율 및 수명 특성이 상대적으로 낮은 것으로 된다. 즉, 칼슘 등 일함수가 3.0 eV 이하의 재료를 사용하여 공통 음극을 구성하고, 전자 주입의 촉진을 꾀하려고 하면, 각 발광색을 나타내는 유기 발광층과 음극의 일함수 차(差)에 큰 차이가 발생한다. 따라서, 특히 B(청색) 발광을 나타내는 유기 발광층에서 전자와 정공의 주입 밸런스가 무너지고, 모든 색의 유기 발광층에 대하여 고효율화 및 고수명화를 실현하는 것이 곤란하였다. 또한, 칼슘 등과 같이 일함수가 낮은 재료를 음극으로서 사용하면, 산소, 수분이나 유기 발광층 등과 반응하기 쉬워져 고수명화를 실현시키는 것이 곤란하였다.In addition, the LUMO level of the polymer light emitting material used for the full color organic EL device is different for each color of light emitted. In the light emitting material exhibiting B (blue) light emission, if the highest Occupied Molecular Orbital (HOMO) is the same, it is necessary to lower the LUMO level in order to increase the purity of the color. Therefore, in a polymer light emitting material exhibiting B (blue) light emission, a material having a LUMO level of about 2.0 eV has very preferable color purity. As a result of this, the LUMO level of the light emitting material showing B (blue) light emission is lower than that of the light emitting material showing G (green) light emission or the light emitting material showing R (red) light emission. Here, although calcium plays a role of promoting electron injection, when a cathode configuration including a material having a work function of 3.0 eV or less (electron volt) or less is applied to a full color organic EL device using a polymer light emitting material, Since the LUMO level of the organic light emitting layer which shows light emission of each color differs greatly, there existed a subject which cannot obtain favorable characteristic with respect to the organic light emitting layer which shows light emission of each color. For example, an organic light emitting layer showing R (red) light emission and an organic light emitting layer showing G (green) light emission have an LUMO level of about 3.3 eV, and are relatively high in efficiency and long life, but exhibit organic light emitting B (blue) light emission. The light emitting layer has a LUMO level of about 2.0 eV and relatively low efficiency and life characteristics. That is, when a common cathode is formed by using a material having a work function such as calcium of 3.0 eV or less, and the promotion of electron injection is promoted, a large difference occurs in the work function difference between the organic light emitting layer showing the respective emission colors and the cathode. do. Therefore, in particular, the balance of injection of electrons and holes in the organic light emitting layer showing B (blue) light emission is broken, and it is difficult to achieve high efficiency and high lifetime for the organic light emitting layers of all colors. In addition, when a material having a low work function, such as calcium, is used as the cathode, it is easy to react with oxygen, moisture, an organic light emitting layer, etc., and it is difficult to realize high life.

본 발명은 이와 같은 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 간편한 구성으로 모든 색의 유기 발광층에서 고휘도, 고발광 효율, 고수명 특성을 나타낼 수 있고, 또한 열 등에 대한 보존 안정성에도 뛰어난 유기 EL 장치를 제공하는 것을 목적으로 하며, 또한 이 유기 EL 장치를 구비한 전자기기를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem, and provides an organic EL device which can exhibit high brightness, high light emission efficiency, and high lifespan characteristics in an organic light emitting layer of any color with a simple configuration, and is also excellent in storage stability against heat and the like. It aims at providing the electronic device provided with this organic electroluminescent apparatus.

상술한 과제를 해결하고 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 양극과 음극 사이에 유기 발광층을 포함하여 이루어지는 적층체(積層體)를 갖는 복수의 유기 발광 소자를 구비한 유기 일렉트로루미네선스 장치로서, 상기 유기 발광층이 고분자 발광 재료로 이루어지고, 상기 복수의 유기 발광 소자는 상기 복수의 유기 발광 소자를 구성하는 유기 발광 재료 중, 가장 LUMO 레벨이 높은 제 1 LUMO 레벨을 갖는 제 1 유기 발광 재료를 구비한 제 1 유기 발광 소자와, 상기 복수의 유기 발광 소자를 구성하는 유기 발광 재료 중, 가장 LUMO 레벨이 낮은 제 2 LUMO 레벨을 갖는 제 2 유기 발광 재료를 구비한 제 2 유기 발광 소자를 포함하며, 상기 음극은 상기 제 1 유기 발광 소자와 상기 제 2 유기 발광 소자에 공통으로 형성되어 있고, 알칼리 금속의 불화물 또는 산화물, 또는 알칼리토류 금속의 불화물 또는 산화물, 또는 유기물과의 착체(錯體) 또는 화합물로 이루어지는 제 1 층과, 그 일함수와 상기 제 1 LUMO 레벨의 차가 0.7 eV 이내인 원자를 포함하는 제 2 층을 상기 유기 발광층 쪽으로부터 이 순서로 포함하는 것을 특징으로 한다. MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the above-mentioned subject and achieve the objective, this invention is an organic electroluminescent apparatus provided with the some organic light emitting element which has a laminated body which consists of an organic light emitting layer between an anode and a cathode, The organic light emitting layer is made of a polymer light emitting material, and the plurality of organic light emitting devices includes a first organic light emitting material having a first LUMO level having the highest LUMO level among organic light emitting materials constituting the plurality of organic light emitting devices. A second organic light emitting device including one first organic light emitting device and a second organic light emitting material having a second LUMO level having the lowest LUMO level among the organic light emitting materials constituting the plurality of organic light emitting devices; The cathode is formed in common with the first organic light emitting element and the second organic light emitting element, and is a fluoride or oxide of an alkali metal, and A first layer comprising a fluoride or an oxide of an alkaline earth metal or a complex or compound with an organic substance, and a second layer containing an atom whose difference in work function and the first LUMO level are within 0.7 eV. It comprises in this order from an organic light emitting layer side.

또한, 본 발명의 바람직한 형태에 따르면, 상기의 발명에서 상기 제 1 LUMO 레벨은 3.0 eV에서 3.5 eV의 범위에 있고, 상기 제 2 LUMO 레벨은 2.0 eV에서 2.5 eV의 범위에 있으며, 상기 제 2 층이 일함수가 3.0 eV에서 4.0 eV인 원자를 포함하 는 것을 특징으로 한다.According to a preferred aspect of the present invention, in the above invention, the first LUMO level is in the range of 3.0 eV to 3.5 eV, the second LUMO level is in the range of 2.0 eV to 2.5 eV, and the second layer This work function is characterized by containing atoms from 3.0 eV to 4.0 eV.

또한, 본 발명의 바람직한 형태에 따르면, 상기의 발명에서 상기 제 1 층은 불화 리튬이며, 상기 제 2 층을 구성하는 적어도 하나의 원자의 일함수와 상기 제 2 LUMO 레벨의 차가 2.0 eV 이내인 것을 특징으로 한다.According to a preferred embodiment of the present invention, in the above invention, the first layer is lithium fluoride, and the difference between the work function of the at least one atom constituting the second layer and the second LUMO level is within 2.0 eV. It features.

이러한 구성으로 함으로써, 복수의 유기 발광층 중 LUMO 레벨이 가장 높은 유기 발광층에 제 2 층으로부터 전자를 주입할 때의 장벽을 완화시킬 수 있다. 따라서, 고분자 발광 재료를 사용한 풀 칼라 유기 EL 장치에 적용했을 경우에, 각 색의 발광을 나타내는 유기 발광층의 LUMO 레벨이 크게 다르더라도, 각 색의 발광을 나타내는 유기 발광층에서 고휘도, 고발광 효율, 고수명 특성을 나타낼 수 있다.By setting it as such a structure, the barrier at the time of inject | pouring an electron from a 2nd layer into the organic light emitting layer with the highest LUMO level among a some organic light emitting layer can be alleviated. Therefore, when applied to a full color organic EL device using a polymer light emitting material, even if the LUMO level of the organic light emitting layer showing light emission of each color is significantly different, high luminance, high light emission efficiency, Can represent light characteristics.

또한, 이러한 구성으로 함으로써, 고분자 발광 재료를 사용한 유기 EL 장치에서 제 2 층으로서 칼슘 등과 비교하여 반응성이 낮은 마그네슘 등의 재료를 사용할 수 있다. 따라서, 수분, 산소, 유기 발광층 등과의 반응에 의한 유기 EL 장치의 열화(劣化)를 저감할 수 있고, 고휘도, 고발광 효율, 고수명 특성을 나타낼 수 있으며, 또한 열 등에 대한 보존 안정성에도 뛰어난 유기 EL 장치를 실현할 수 있다. Moreover, by setting it as such a structure, materials, such as magnesium, which are low in reactivity compared with calcium etc. as a 2nd layer in the organic electroluminescent apparatus using a polymer light emitting material can be used. Therefore, deterioration of the organic EL device due to reaction with moisture, oxygen, organic light emitting layer, etc. can be reduced, high brightness, high light emission efficiency, high life characteristics can be exhibited, and also excellent organic storage stability against heat. The EL device can be realized.

이와 같이, 유기 EL 장치에서 음극을 제 1 층과 제 2 층의 적층 구조로 구성하고, 또한 제 2 층을 일함수가 3.0 eV에서 4.0 eV의 원자를 포함하는 합금, 바람직하게는 일함수가 3.5 eV(일렉트론 볼트)에서 4.0 eV의 원자를 포함하는 합금으로 구성함으로써, 유기 발광층의 색에 관계없이 고휘도, 고발광 효율, 고수명 특성을 나타내는 유기 EL 장치를 제공할 수 있게 된다. 또한, 유기 발광층의 색마다 재료 를 다르게 할 필요도 없고, 각 색에 대하여 공통의 음극 구조로 상기와 같은 양호한 휘도, 효율, 수명 특성을 얻을 수 있으며, 매우 간편한 구성으로 제조 비용의 삭감에도 기여 가능하게 된다. 즉, 유기 발광층이 화소 단위마다 다른 색의 유기 발광층을 포함하는 구성인 경우에, 음극을 각 색의 유기 발광층에 공통의 구성으로 형성한 경우에도 고휘도, 고발광 효율, 고수명 특성을 나타내는 유기 EL 장치를 제공할 수 있게 된다. 일함수가 3.0 eV에서 4.0 eV의 원자로서는 마그네슘(일함수 3.66 eV), 스칸듐(일함수 3.5 eV), 이트륨(일함수 3.1 eV), 란탄(일함수 3.5 eV), 비소(일함수 3.75 eV) 등을 들 수 있으며, 마그네슘이 가장 바람직하다.Thus, in the organic EL device, the cathode is composed of a laminated structure of the first layer and the second layer, and the second layer is an alloy whose work function contains atoms of 3.0 eV to 4.0 eV, preferably the work function is 3.5 By constructing an alloy containing atoms of 4.0 eV to eV (electron volts), it is possible to provide an organic EL device exhibiting high brightness, high light emission efficiency, and long life regardless of the color of the organic light emitting layer. In addition, the material does not need to be different for each color of the organic light emitting layer, and the same cathode structure is obtained for each color, so that the above-described good luminance, efficiency, and lifespan characteristics can be obtained, and a very simple configuration can contribute to reduction of manufacturing cost. Done. That is, in the case where the organic light emitting layer includes an organic light emitting layer having a different color for each pixel unit, an organic EL exhibiting high brightness, high light emission efficiency, and long life characteristics even when a cathode is formed in a common structure in each organic light emitting layer. It is possible to provide a device. Examples of atoms having a work function of 3.0 eV to 4.0 eV include magnesium (work function 3.66 eV), scandium (work function 3.5 eV), yttrium (work function 3.1 eV), lanthanum (work function 3.5 eV), arsenic (work function 3.75 eV) Etc., magnesium is most preferred.

또한, 본 발명의 바람직한 형태에 따르면, 상기의 발명에서 상기 음극을 구성하는 제 2 층은 마그네슘과 은의 합금, 마그네슘과 알루미늄의 합금, 마그네슘과 크롬의 합금 중에서 선택된 1 또는 2 이상의 합금으로 이루어지는 것으로 할 수 있다. 이들 합금은 특히 열 안정성에 뛰어나기 때문에, 상기 유기 EL 장치의 보존 안정성을 한층 높일 수 있게 된다. According to a preferred embodiment of the present invention, in the above invention, the second layer constituting the cathode is made of one or two or more alloys selected from an alloy of magnesium and silver, an alloy of magnesium and aluminum, and an alloy of magnesium and chromium. Can be. Since these alloys are particularly excellent in thermal stability, the storage stability of the organic EL device can be further improved.

또한, 본 발명의 유기 EL 장치에서 상기 음극을 구성하는 제 2 층이 상기 적층체의 최외층을 구성하고 있는 것으로 할 수 있다. 이 경우, 음극의 최외층이 제 2 층으로 구성되기 때문에, 상기 제 2 층의 두께에 따라, 특히 제 2 층을 박막으로 형성한다면 톱(top) 에미션형의 유기 EL 장치를 제공할 수 있고, 후막(厚膜)으로 형성한다면 보텀(bottom) 에미션형의 유기 EL 장치를 제공할 수 있게 된다. 또한, 본 명세서에서는 음극의 유기 발광층 쪽을 내측이라 하고, 이와는 반대 쪽을 외측이라 하고 있다. 또한, 제 2 층이 적층체의 최외층을 구성했을 경우라도, 제 2 층 을 반응성이 낮은 재료로 구성할 수 있기 때문에, 수분, 산소, 유기 발광층 등과 음극의 반응을 저감할 수 있고, 고분자 발광 재료를 사용한 유기 EL 장치의 안정성이나 신뢰성을 한층 향상시킬 수 있다.In the organic EL device of the present invention, the second layer constituting the cathode may constitute the outermost layer of the laminate. In this case, since the outermost layer of the cathode is composed of the second layer, a top emission type organic EL device can be provided in accordance with the thickness of the second layer, particularly if the second layer is formed of a thin film. When formed into a thick film, it is possible to provide a bottom emission type organic EL device. In addition, in this specification, the organic light emitting layer side of the cathode is called the inside, and the opposite side is called the outside. In addition, even when the second layer constitutes the outermost layer of the laminate, since the second layer can be made of a material having low reactivity, the reaction of moisture, oxygen, an organic light emitting layer and the like and the cathode can be reduced, and the polymer light emission The stability and reliability of the organic EL device using the material can be further improved.

또는, 상기 제 2 층의 외층 쪽에 투명 전극을 구비시켜도 좋다. 음극의 제 2 층을 박막으로 하여 톱 에미션형의 유기 EL 장치를 구성할 경우, 상기 음극의 저항이 커져 발광 효율의 저하를 발생시킬 우려가 있으나, 그 외측에 ITO 등의 투명 전극을 구비시킴으로써, 투광성을 구비한 채로 상기 음극의 저(低)저항화를 실현할 수 있게 된다. 또한, 제 2 층으로서 칼슘 등과 비교하여 반응성이 낮은 마그네슘 등의 재료를 사용할 수 있기 때문에, 제 2 층의 외층 쪽에 투명 전극이 구비되어 이루어지는 경우에도, ITO 등의 투명 전극과 음극의 반응을 저감시킬 수 있으며, 고분자 발광 재료를 사용한 유기 EL 장치의 안정성이나 신뢰성을 한층 향상시킬 수 있다. Alternatively, a transparent electrode may be provided on the outer layer side of the second layer. When the top emission type organic EL device is constituted by using the second layer of the cathode as a thin film, the resistance of the cathode may increase, resulting in a decrease in luminous efficiency. However, by providing a transparent electrode such as ITO on the outside thereof, It is possible to realize low resistance of the cathode while having light transmitting properties. In addition, since a material such as magnesium having a lower reactivity compared to calcium or the like can be used as the second layer, even when a transparent electrode is provided on the outer layer side of the second layer, the reaction between the transparent electrode such as ITO and the cathode can be reduced. The stability and reliability of the organic EL device using the polymer light emitting material can be further improved.

그 밖에도, 상기 제 2 층의 외층 쪽에 SiOxNy(x, y는 정수)로 표시되는 보호막을 구비시켜도 좋다. 이 경우, 음극에 대한 보호 효과가 있고, 보존 안정성이 한층 향상하게 된다. 또한, 제 2 층으로서 칼슘 등과 비교하여 반응성이 낮은 마그네슘 등의 재료를 사용할 수 있기 때문에, 제 2 층의 외층 쪽에 투명 전극이 구비되어 이루어진 경우에도, SiOxNy(x, y는 정수)로 표시되는 보호막과 음극의 반응을 저감시킬 수 있고, 고분자 발광 재료를 사용한 유기 EL 장치의 안정성이나 신뢰성을 한층 향상시킬 수 있다.In addition, a protective film represented by SiO x N y (x, y is an integer) may be provided on the outer layer side of the second layer. In this case, there is a protective effect on the negative electrode and the storage stability is further improved. In addition, since a material such as magnesium having a lower reactivity compared to calcium or the like can be used as the second layer, even when a transparent electrode is provided on the outer layer side of the second layer, SiO x N y (x, y is an integer) The reaction of the displayed protective film and the cathode can be reduced, and the stability and reliability of the organic EL device using the polymer light emitting material can be further improved.

또한, 상기 제 2 층이 그 외층 쪽을 향하여 마그네슘의 조성비가 감소하는 구배(句配)를 가지고 있는 것으로 할 수 있다. 이와 같이 마그네슘의 조성비가 음극의 외측을 향하여 감소하는 구성을 채용함으로써, 음극의 저항을 그 두께 방향으로 다르게 하는 것이 가능하게 된다. 또한, 제 2 층에서 마그네슘과 그 밖의 금속과의 중량비는 예를 들면 10:1∼1:10 정도로 할 수 있으며, 마그네슘이 너무 많으면 보존 안정성이 떨어지고, 마그네슘이 너무 적으면 음극의 기능이 저하할 우려가 있다. It is also possible that the second layer has a gradient in which the composition ratio of magnesium decreases toward the outer layer. Thus, by adopting the configuration in which the composition ratio of magnesium decreases toward the outside of the negative electrode, it is possible to vary the resistance of the negative electrode in the thickness direction thereof. In addition, the weight ratio of magnesium to other metals in the second layer may be, for example, about 10: 1 to 1:10. Too much magnesium may cause poor storage stability, and too little magnesium may degrade the function of the cathode. There is concern.

또한, 본 발명의 전자기기는 상술한 유기 일렉트로루미네선스 장치를 구비한 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 수명이 길고 또한 밝은 표시가 가능한 전자기기를 제공할 수 있다. Moreover, the electronic device of this invention is equipped with the above-mentioned organic electroluminescent apparatus, It is characterized by the above-mentioned. As a result, it is possible to provide an electronic device having a long life and capable of bright display.

상술한 문제를 해결하고 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 양극과 음극 사이에 유기 발광층을 포함하여 이루어지는 적층체를 갖는 유기 발광 소자를 구비한 유기 일렉트로루미네선스 장치로서, 상기 유기 발광층이 고분자 발광 재료로 이루어지며, 상기 유기 발광 소자는 LUMO 레벨이 2.0 eV에서 2.5 eV의 범위에 있는 유기 발광층을 갖고, 상기 음극은 불화 리튬으로 이루어지는 제 1 층과, 마그네슘과 은의 합금, 마그네슘과 알루미늄의 합금, 마그네슘과 크롬의 합금 중에서 선택되는 1 또는 2 이상의 합금으로 이루어지는 제 2 층을 상기 유기 발광층 쪽으로부터 이 순서로 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to solve the above problems and achieve the object, the present invention is an organic electroluminescent device having an organic light emitting device having a laminate comprising an organic light emitting layer between an anode and a cathode, the organic light emitting layer is a polymer light emitting The organic light emitting device has an organic light emitting layer having a LUMO level in the range of 2.0 eV to 2.5 eV, and the cathode comprises a first layer made of lithium fluoride, an alloy of magnesium and silver, an alloy of magnesium and aluminum, And a second layer made of one or two or more alloys selected from alloys of magnesium and chromium in this order from the organic light emitting layer.

종래, LUMO 레벨이 2.0 eV에서 2.5 eV의 범위에 있는 유기 발광층에 대하여 음극으로서 칼슘 등의 비교적 반응성이 높은 재료를 사용할 필요가 있었다. 본 발 명에서는 이러한 구성으로 함으로써 고분자 발광 재료를 사용한 유기 EL 장치에서, 제 2 층으로서 칼슘 등과 비교하여 반응성이 낮은 마그네슘 등의 재료를 사용할 수 있다. 따라서, 수분, 산소, 유기 발광층 등과의 반응에 의한 유기 EL 장치의 열화를 저감할 수 있고, 고휘도, 고발광 효율, 고수명 특성을 나타낼 수 있으며, 또한 열 등에 대한 보존 안정성에도 뛰어난 유기 EL 장치를 실현할 수 있다. Conventionally, it was necessary to use relatively high reactivity materials, such as calcium, as an anode with respect to the organic light emitting layer whose LUMO level exists in the range of 2.0 eV to 2.5 eV. According to the present invention, in such an arrangement, in an organic EL device using a polymer light emitting material, a material such as magnesium having a lower reactivity compared to calcium or the like can be used as the second layer. Therefore, deterioration of the organic EL device due to reaction with moisture, oxygen, organic light emitting layer, etc. can be reduced, and an organic EL device having high brightness, high light emission efficiency, high lifetime characteristics, and excellent storage stability against heat and the like can be obtained. It can be realized.

상술한 과제를 해결하고 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 기판 상에 양극을 형성하는 공정과, 상기 양극 상에 유기 발광층을 포함하는 기능층을 액상법(液相法)에 의해 형성하는 공정과, 상기 기능층 상에 알칼리 금속의 불화물 또는 산화물, 또는 알칼리토류 금속의 불화물 또는 산화물, 또는 유기물과의 착체 또는 화합물로 이루어지는 음극 제 1 층을 형성하는 공정과, 음극 제 1 층 상에 마그네슘과 은의 합금, 마그네슘과 알루미늄의 합금, 마그네슘과 크롬의 합금 중에서 선택되는 1 또는 2 이상의 합금으로부터 음극 제 2 층을 형성하는 공정을 갖는다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the above-mentioned subject and achieve the objective, this invention is a process of forming an anode on a board | substrate, the process of forming a functional layer containing an organic light emitting layer on the anode by a liquid phase method, Forming a cathode first layer comprising a fluoride or oxide of an alkali metal, a fluoride or oxide of an alkaline earth metal, or a complex or compound with an organic substance on the functional layer, and an alloy of magnesium and silver on the cathode first layer And forming a cathode second layer from one or two or more alloys selected from alloys of magnesium and aluminum, and alloys of magnesium and chromium.

마그네슘 단체(單體)로 구성하는 경우에 비하여 마그네슘 합금을 사용했을 경우에는, 제 1 층에 사용되는 예를 들면 불화 리튬과의 반응을 저감할 수 있고, 액상법에 의해 형성된 유기 발광층 내에 제 1 층을 구성하는 원자가 확산하는 것을 저감시킬 수 있다.In the case where a magnesium alloy is used as compared with the case of a magnesium single body, the reaction with, for example, lithium fluoride used in the first layer can be reduced, and the first layer is formed in the organic light emitting layer formed by the liquid phase method. Diffusion of the atoms constituting the microparticles can be reduced.

또한, 본 발명의 바람직한 형태에 따르면, 전자기기에 상기 중 어느 하나에 기재된 유기 일렉트로루미네선스 장치를 구비한 것을 특징으로 한다. 이 발명에 의하면, 고휘도, 고발광 효율, 고수명 특성을 나타낼 수 있고, 또한 열 등에 대한 보존 안정성에도 뛰어난 전자기기를 제공할 수 있다. Moreover, according to the preferable aspect of this invention, the electronic device was equipped with the organic electroluminescent apparatus in any one of the above. It is characterized by the above-mentioned. According to the present invention, it is possible to provide an electronic device which can exhibit high brightness, high luminous efficiency, and high lifespan and is also excellent in storage stability against heat and the like.

<유기 일렉트로루미네선스 장치><Organic electroluminescent device>

이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 유기 일렉트로루미네선스 장치(유기 EL 장치)의 일 실시형태에 대하여 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, one Embodiment of the organic electroluminescent apparatus (organic EL apparatus) of this invention is described, referring drawings.

도 1은 본 실시형태의 유기 EL 장치의 배선 구조를 모식적으로 나타내는 도면이다.FIG. 1: is a figure which shows typically the wiring structure of the organic electroluminescent apparatus of this embodiment.

유기 EL 장치(1)는 스위칭 소자로서 박막 트랜지스터(Thin Film Tran sistor, 이하에서는 TFT로 약기함)를 사용한 액티브 매트릭스형의 표시 장치이다.The organic EL device 1 is an active matrix display device using a thin film transistor (hereinafter abbreviated as TFT) as a switching element.

이 유기 EL 장치(1)는 도 1에 나타낸 바와 같이 복수의 주사선(101…)과, 각 주사선(101)에 대하여 직각으로 교차하는 방향으로 연장하는 복수의 신호선(102…), 각 신호선(102)에 병렬로 연장하는 복수의 전원선(103…)이 각각 배선된 구성을 가짐과 동시에, 주사선(101…)과 신호선(102…)의 각 교점 부근에 화소 영역(X…)이 설치되어 있다.As shown in FIG. 1, the organic EL device 1 includes a plurality of scan lines 101..., A plurality of signal lines 102..., And signal lines 102 extending in a direction perpendicular to each scan line 101. Has a configuration in which a plurality of power supply lines 103... Which extend in parallel are respectively wired, and a pixel region X... Is provided near the intersections of the scanning lines 101... And the signal line 102. .

신호선(102)에는 시프트 레지스터, 레벨 시프터, 비디오 라인 및 아날로그 스위치를 구비한 데이터선 구동 회로(100)가 접속되어 있다. 또한, 주사선(101)에는 시프트 레지스터 및 레벨 시프터를 구비한 주사선 구동 회로(80)가 접속되어 있다.The signal line 102 is connected with a data line driving circuit 100 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch. In addition, a scan line driver circuit 80 having a shift register and a level shifter is connected to the scan line 101.

또한, 화소 영역(X) 각각에는 주사선(101)을 통하여 주사 신호가 게이트 전극에 공급되는 스위칭용 TFT(112)와, 이 스위칭용 TFT(112)를 통하여 신호선(102)으로부터 공급되는 화소 신호를 유지하는 유지 용량(113)과, 상기 유지 용량(113)에 의해 유지된 화소 신호가 게이트 전극에 공급되는 구동용 TFT(123)와, 이 구동 용 TFT(123)를 통하여 전원선(103)에 전기적으로 접속했을 때에 상기 전원선(103)으로부터 구동 전류가 흘러 들어가는 화소 전극(양극)(23)과, 음극 제 1 층과 음극 제 2 층(50)으로 이루어지는 음극과, 이 화소 전극(23)과 음극 사이에 협지(挾持)된 기능층(110)이 설치되어 있다. 화소 전극(23)과 음극과 기능층(110)에 의해, 적층체로서 유기 발광 소자(유기 EL 소자)가 구성되어 있다.In each pixel area X, a switching TFT 112 through which a scan signal is supplied to the gate electrode through the scanning line 101, and a pixel signal supplied from the signal line 102 through the switching TFT 112. The holding capacitor 113 to be held, the driving TFT 123 to which the pixel signal held by the holding capacitor 113 is supplied to the gate electrode, and the power source line 103 through the driving TFT 123. A pixel electrode (anode) 23 through which a drive current flows from the power supply line 103 when electrically connected, a cathode including a cathode first layer and a cathode second layer 50, and this pixel electrode 23 A functional layer 110 sandwiched between the cathode and the cathode is provided. The pixel electrode 23, the cathode, and the functional layer 110 constitute an organic light emitting element (organic EL element) as a laminate.

이 유기 EL 장치(1)에 의하면, 주사선(101)이 구동되어서 스위칭용 TFT (112)가 온(ON) 상태로 되면, 그 때의 신호선(102)의 전위가 유지 용량(113)에 유지되고, 상기 유지 용량(113)의 상태에 따라 구동용 TFT(123)의 온·오프 상태가 결정된다. 그리고, 구동용 TFT(123)의 채널을 통하여 전원선(103)으로부터 화소 전극(23)에 전류가 흐르고, 또한 기능층(110)을 통하여 음극 제 2 층(50)에 전류가 흐른다. 기능층(110)은 이것을 흐르는 전류량에 따라 발광한다.According to this organic EL device 1, when the scanning line 101 is driven and the switching TFT 112 is turned on, the potential of the signal line 102 at that time is held in the holding capacitor 113. The on / off state of the driving TFT 123 is determined according to the state of the holding capacitor 113. Then, a current flows from the power supply line 103 to the pixel electrode 23 through the channel of the driving TFT 123, and a current flows through the functional layer 110 to the cathode second layer 50. The functional layer 110 emits light according to the amount of current flowing therethrough.

다음으로, 본 예의 유기 EL 장치(1)의 구체적인 구성을 도 2∼도 5를 참조하여 설명한다.Next, the specific structure of the organic electroluminescent apparatus 1 of this example is demonstrated with reference to FIGS.

우선, 도 2에 의거하여 본 실시형태의 유기 EL 장치의 평면 구조에 대하여 설명한다. 본 예의 유기 EL 장치(1)는 전기 절연성을 구비한 기판(20)과, 스위칭용 TFT(도시 생략)에 접속된 화소 전극이 기판(20) 상에 매트릭스 모양으로 배치되어 이루어지는 화소 전극 영역(도시 생략)과, 화소 전극 영역의 주위에 배치됨과 동시에 각 화소 전극에 접속되는 전원선(도시 생략)과, 적어도 화소 전극 영역 상에 위치하는 평면에서 볼때 거의 사각형인 화소부(3)(도 2 중 1점 쇄선 테두리 내)를 구비하여 구성되어 있다. 또한, 본 발명에서는 기판(20)과 후술하는 바와 같이 이것 위에 형성되는 스위칭용 TFT나 각종 회로, 및 층간 절연막 등을 포함하여 기체(基體)라 칭하고 있다.First, the planar structure of the organic EL device of this embodiment is demonstrated based on FIG. In the organic EL device 1 of this example, a pixel electrode region (not shown) in which a substrate 20 having electrical insulation and a pixel electrode connected to a switching TFT (not shown) are arranged in a matrix on the substrate 20. O), a power supply line (not shown) disposed around the pixel electrode region and connected to each pixel electrode, and a pixel portion 3 (in Fig. 2) that is substantially rectangular in plan view on at least the pixel electrode region. And a one-dot chain line border). In addition, in this invention, it is called a base including the board | substrate 20 and switching TFT, various circuits, an interlayer insulation film, etc. which are formed on this as mentioned later.

화소부(3)는 중앙 부분의 실(實)표시 영역(4)(도 2 중 2점 쇄선 테두리 내)과, 실표시 영역(4)의 주위에 배치된 더미 영역(5)(1점 쇄선 및 2점 쇄선 사이의 영역)으로 구획되어 있다. 실표시 영역(4)에는 각각 화소 전극을 갖는 표시 영역(R, G, B)이 A-B 방향 및 C-D 방향으로 각각 이간(離間)하여 매트릭스 모양으로 배치되어 있다. 또한, 실표시 영역(4)의 도 2 중 양측에는 주사선 구동 회로(80, 80)가 배치되어 있다. 이들 주사선 구동 회로(80, 80)는 더미 영역(5)의 하측에 배치되어 있다.The pixel portion 3 includes the real display area 4 (in the dashed-dotted line border in FIG. 2) in the center portion, and the dummy area 5 (dotted-dotted line) arranged around the real display area 4. And the region between the two-dot chain lines). In the real display area 4, the display areas R, G, and B each having pixel electrodes are arranged in a matrix form while being spaced apart in the A-B direction and the C-D direction, respectively. Scan line driving circuits 80 and 80 are disposed on both sides of the real display area 4 in FIG. 2. These scan line driving circuits 80 and 80 are disposed below the dummy region 5.

또한, 실표시 영역(4)의 도 2 중 상측에는 검사 회로(90)가 배치되어 있다. 이 검사 회로(90)는 유기 EL 장치(1)의 동작 상황을 검사하기 위한 회로로써, 예를 들면 검사 결과를 외부로 출력하는 검사 정보 출력 수단(도시 생략)을 구비하고, 제조 도중이나 출하 시의 표시 장치의 품질, 결함을 검사할 수 있게 되어 있다. 또한, 이 검사 회로(90)도 더미 영역(5)의 하측에 배치되어 있다.In addition, the inspection circuit 90 is disposed above the real display region 4 in FIG. 2. This inspection circuit 90 is a circuit for inspecting the operation state of the organic EL device 1, and includes, for example, inspection information output means (not shown) for outputting inspection results to the outside, and during manufacturing or shipping. The display device can be inspected for quality and defects. This inspection circuit 90 is also disposed below the dummy region 5.

주사선 구동 회로(80) 및 검사 회로(90)는 그 구동 전압이 소정의 전원부로부터 구동 전압 도통부(310)(도 3 참조) 및 구동 전압 도통부(340)(도 4 참조)를 통하여 인가된다. 또한, 이들 주사선 구동 회로(80) 및 검사 회로(90)에의 구동 제어 신호 및 구동 전압은 이 유기 EL 장치(1)의 작동 제어를 행하는 소정의 메인 드라이버 등으로부터 구동 제어 신호 도통부(320)(도 3 참조) 및 구동 제어 신호 도통부(350)(도 4 참조)를 통하여 송신 및 인가되도록 되어 있다. 또한, 이 경우 의 구동 제어 신호란 주사선 구동 회로(80) 및 검사 회로(90)가 신호를 출력할 때의 제어에 관련하는 메인 드라이버 등으로부터의 지령 신호이다.The scan line driving circuit 80 and the inspection circuit 90 are applied with their driving voltages from a predetermined power supply through the driving voltage conducting portion 310 (see FIG. 3) and the driving voltage conducting portion 340 (see FIG. 4). . In addition, the drive control signals and the drive voltages to the scan line driver circuit 80 and the inspection circuit 90 are driven from the predetermined main driver or the like which controls the operation of the organic EL device 1 and the like. 3) and the drive control signal conduction unit 350 (see FIG. 4). In addition, the drive control signal in this case is a command signal from a main driver or the like related to control when the scan line driver circuit 80 and the inspection circuit 90 output signals.

다음으로, 도 3∼도 5에 의거하여 본 유기 EL 장치의 단면 구조에 대하여 설명한다. 도 3, 도 4는 도 2의 A-B 선에 따른 단면도이며, 도 5는 그 요부를 확대하여 나타내는 도면이다. 본 유기 EL 장치(1)는 도 3 및 도 4에 나타낸 바와 같이 기판(20)과 밀봉 기판(30)이 밀봉 수지(40)을 통하여 접합되어 이루어진 것이다. Next, the cross-sectional structure of this organic electroluminescent apparatus is demonstrated based on FIG. 3 and 4 are cross-sectional views taken along the line A-B in FIG. 2, and FIG. 5 is an enlarged view of the main portion thereof. In the organic EL device 1, as shown in Figs. 3 and 4, the substrate 20 and the sealing substrate 30 are bonded to each other through the sealing resin 40. Figs.

기판(20)으로서는 소위 보텀 에미션형의 유기 EL 장치의 경우, 기판(20) 쪽으로부터 발광광(光)을 방출하는 구성이므로 투명 또는 반투명의 것이 채용된다. 예를 들면, 글래스, 석영, 수지(플라스틱, 플라스틱 필름) 등을 들 수 있고, 특히 저렴한 소다 글래스(soda glass) 기판이 적합하게 사용된다.As the board | substrate 20, what is called a bottom emission type organic electroluminescent apparatus is a structure which emits light emission from the board | substrate 20 side, and a transparent or translucent thing is employ | adopted. For example, glass, quartz, resin (plastic, plastic film), etc. are mentioned, In particular, an inexpensive soda glass substrate is used suitably.

또한, 소위 톱 에미션형의 유기 EL 장치의 경우에는, 이 기판(20)의 대향측인 밀봉 기판(30) 측으로부터 발광광을 방출하는 구성이므로, 기판(20)에는 투명 기판 및 불투명 기판 중 어느 것이든지 사용할 수 있다. 불투명 기판으로서는, 예를 들면 알루미나 등의 세라믹, 스테인레스 스틸 등의 금속 시트에 표면 산화 등의 절연 처리를 실시한 것 이외에, 열경화성 수지, 열가소성 수지 등을 들 수 있다.In addition, in the case of the so-called top emission type organic EL device, since it emits light from the side of the sealing substrate 30 which is the opposite side of the substrate 20, the substrate 20 has either a transparent substrate or an opaque substrate. Anything can be used. As an opaque board | substrate, thermosetting resin, a thermoplastic resin, etc. are mentioned besides not only giving insulation processes, such as surface oxidation, to metal sheets, such as ceramics and stainless steel, such as alumina.

밀봉 기판(30)에는, 예를 들면 전기 절연성을 갖는 판형상 부재를 채용할 수 있다. 특히 톱 에미션형의 경우에는, 이 밀봉 기판(30)으로서 글래스, 석영, 수지 등의 투명 기판이 채용된다. 또한, 밀봉 수지(40)는 예를 들면 열경화 수지 또는 자외선 경화 수지로 이루어진 것이며, 특히 열경화 수지의 일종인 에폭시 수지로 이루어진 것이 바람직하다. As the sealing substrate 30, for example, a plate member having electrical insulation property can be employed. In particular, in the case of the top emission type, a transparent substrate such as glass, quartz, resin or the like is adopted as the sealing substrate 30. The sealing resin 40 is made of, for example, a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin, and particularly preferably made of an epoxy resin which is a kind of thermosetting resin.

또한, 기판(20) 상에는 화소 전극(23)을 구동하기 위한 구동용 TFT(123) 등을 포함하는 회로부(11)가 형성되어 있고, 그 위에 발광 소자가 설치되어 있다. 이 발광 소자는 도 5에 나타낸 바와 같이 화소 전극(23)과, 유기 발광층(60)을 주체(主體)로 하는 기능층(110)(도 1 참조)과, 음극 제 1 층(전자 주입층)(52)과 음극 제 2 층(50)으로 이루어지는 음극이 순서대로 적층되어 이루어지는 것이다. In addition, a circuit portion 11 including a driving TFT 123 for driving the pixel electrode 23 is formed on the substrate 20, and a light emitting element is provided thereon. As shown in Fig. 5, the light emitting element comprises a pixel electrode 23, a functional layer 110 mainly composed of an organic light emitting layer 60 (see Fig. 1), and a cathode first layer (electron injection layer). A cathode composed of 52 and a cathode second layer 50 is laminated in this order.

화소 전극(23)은 유기 발광층(60)에 대하여 정공을 공급하는 양극으로서 기능하는 것이며, 이 화소 전극(23)에는 예를 들면 보텀 에미션형의 경우, ITO(인듐 주석 산화물)이나 산화 인듐·산화 아연계 아모포스(amorphous) 투명 도전막(Indium Zinc Oxide : IZO(등록상표))(이데미츠 코산사 제품) 등의 투명 도전 재료가 이용된다. 또한, 톱 에미션형의 경우에는 이와 같은 투명 도전 재료에 한정되지 않고, 예를 들면 알루미늄(Al)이나 은(Ag) 등의 광반사성 또는 불투명한 도전 재료를 사용할 수도 있다.The pixel electrode 23 functions as an anode for supplying holes to the organic light emitting layer 60. The pixel electrode 23 has ITO (indium tin oxide) or indium oxide oxide in the case of a bottom emission type. Transparent conductive materials, such as a zinc-type amorphous transparent conductive film (Indium Zinc Oxide: IZO (trademark)) (made by Idemitsu Kosan Corporation), are used. In addition, in the case of a top emission type, it is not limited to such a transparent conductive material, For example, light reflective or opaque conductive materials, such as aluminum (Al) and silver (Ag), can also be used.

유기 발광층(60)에는 형광(螢光) 또는 인광(燐光)을 발광하는 것이 가능한 공지의 고분자 발광 재료를 사용하고 있다. 구체적으로는, 폴리플루오렌 유도체(PF), 폴리파라페닐렌비닐렌 유도체(PPV), 폴리페닐렌 유도체(PP), 폴리파라페닐렌 유도체(PPP), 폴리비닐카르바졸(PVK), 폴리티오펜 유도체, 폴리디알킬플루오렌(PDAF), 폴리플루오렌벤조티아디아졸(PFBT), 폴리알킬티오펜(PAT), 폴리(2,7-(9,9-디-엔-옥틸플루오렌)-(1,4-페닐렌-((4-메틸페닐)이미노)-1,4-페닐렌-((4-메틸페닐)이미노)-1,4-페닐렌))(PFM), 폴리(2,7-(9,9-디-엔-옥틸플루오렌)-(1,4-페닐렌-((4-메톡시페닐)이미노)-1,4-페닐렌-((4-메톡시페닐)이미노)-1,4-페닐렌))(PFMO), 폴리 (2,7-(9,9-디-엔-옥틸플루오렌-3,6-벤조티아디아졸)(F8BT)이나, 폴리메틸페닐실란(PMPS) 등의 폴리실란계 등이 적합하게 이용된다. 또한, 이들 고분자 재료에 페리렌계 색소, 쿠마린계 색소, 로다민계 색소, 루브렌, 페리렌, 9,10-디페닐안트라센, 테트라페닐부타디엔, 나일 레드(Nile red), 쿠마린 6, 퀴나크리돈 등의 저분자 재료를 도핑하여 사용할 수도 있다.As the organic light emitting layer 60, a known polymer light emitting material capable of emitting fluorescence or phosphorescence is used. Specifically, polyfluorene derivative (PF), polyparaphenylene vinylene derivative (PPV), polyphenylene derivative (PP), polyparaphenylene derivative (PPP), polyvinylcarbazole (PVK), polythiol Offen derivatives, polydialkylfluorenes (PDAF), polyfluorenebenzothiadiazoles (PFBT), polyalkylthiophenes (PAT), poly (2,7- (9,9-di-ene-octylfluorene) -(1,4-phenylene-((4-methylphenyl) imino) -1,4-phenylene-((4-methylphenyl) imino) -1,4-phenylene)) (PFM), poly ( 2,7- (9,9-di-ene-octylfluorene)-(1,4-phenylene-((4-methoxyphenyl) imino) -1,4-phenylene-((4-meth Methoxyphenyl) imino) -1,4-phenylene)) (PFMO), poly (2,7- (9,9-di-ene-octylfluorene-3,6-benzothiadiazole) (F8BT) Polysilanes such as polymethylphenylsilane (PMPS), etc. are preferably used, etc. In addition, perylene-based dyes, coumarin-based dyes, rhodamine-based dyes, rubrene, perylene, 9,10-diphenyl, and the like are used for these polymer materials. Anthracene, tetraphenylbutadiene, na Low molecular materials such as nile red, coumarin 6 and quinacridone may be used by doping.

청색으로 발광하는 고분자 발광 재료로서는, 예를 들면 [화학식 1]로 표시되는 PFM이나 [화학식 2]로 표시되는 PFMO가 적합하게 사용되며, LUMO 레벨은 각각 2.1 eV, 2.0 eV이다. 또한, 녹색으로 발광하는 고분자 발광 재료로서는, 예를 들면 [화학식 3]으로 표시되는 F8BT가 적합하게 사용되며, LUMO 레벨은 3.4 eV이다. 또한, 적색으로 발광하는 고분자 발광 재료로서는, 예를 들면 [화학식 4]로 표시되는 PAT나 [화학식 5]로 표시되는 폴리(2,5-디알콕시-피-페닐렌비닐렌)(PO-PPV)가 적합하게 사용되며, LUMO 레벨은 각각 3.3 eV, 3.2 eV이다.As the polymer light emitting material emitting blue light, for example, PFM represented by [Formula 1] and PFMO represented by [Formula 2] are suitably used, and LUMO levels are 2.1 eV and 2.0 eV, respectively. As the polymer light emitting material emitting green light, for example, F8BT represented by [Formula 3] is suitably used, and the LUMO level is 3.4 eV. Moreover, as a polymeric light emitting material which emits red light, for example, PAT represented by [Formula 4] or poly (2,5-diaalkoxy-pi-phenylenevinylene) represented by [Formula 5] (PO-PPV) ) Is suitably used, and LUMO levels are 3.3 eV and 3.2 eV, respectively.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112004054264009-pat00001
Figure 112004054264009-pat00001

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112004054264009-pat00002
Figure 112004054264009-pat00002

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112004054264009-pat00003
Figure 112004054264009-pat00003

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112004054264009-pat00004
Figure 112004054264009-pat00004

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112004054264009-pat00005
Figure 112004054264009-pat00005

또한, 「고분자」란 분자량이 수백 정도의 소위 「저분자」보다도 분자량이 큰 중합체(重合體)를 의미하며, 상술한 고분자 재료에는 일반적으로 고분자로 불리우는 분자량 10,000 이상의 중합체 이외에, 분자량이 10,000 이하의 올리고머 (oligomer)로 불리우는 저중합체가 포함된다. 본 실시형태에서는, 풀 칼라 표시를 행하기 위해 R(적), G(녹), B(청)에 대응한 유기 발광층(60)이 1화소 내에 병치(竝置)되어 있다.The term "polymer" means a polymer having a molecular weight greater than the so-called "low molecular weight" of several hundred degrees, and in the above-mentioned polymer material, an oligomer having a molecular weight of 10,000 or less in addition to a polymer having a molecular weight of 10,000 or more generally called a polymer. oligomers called oligomers are included. In this embodiment, in order to perform full color display, the organic light emitting layer 60 corresponding to R (red), G (green), and B (blue) is juxtaposed in one pixel.

또한, 본 실시형태에서는 필요에 따라 화소 전극(23)과 유기 발광층(60) 사이에 정공 주입/수송층(70)(도 5 참조)을 설치할 수 있다. 이 정공 주입/수송층을 설치함으로써, 유기 발광층(60) 내를 이동하는 전자가 효율적으로 블로킹(blocking)되어, 유기 발광층(60) 내에서의 전자와 정공의 재결합 확률이 높아진다. 이 정공 주입/수송층(70)에는 화소 전극(23)으로부터의 주입 장벽이 낮고, 정공 이동도가 높은 재료가 적합하게 이용된다. 이와 같은 재료로서는, 예를 들면 폴리티오펜 유도체, 폴리피롤 유도체 등, 또는 그들의 도핑체 등이 이용된다. 구체적으로는, 3,4-폴리에틸렌디옥시티오펜/폴리스티렌설폰산(PEDOT/PSS)의 분산액, 즉 분산 용매로서의 폴리스틸렌설폰산에 3,4-폴리에틸렌디옥시티오펜을 분산시키고, 또한 이것을 물에 분산시킨 분산액 등이 이용된다.In addition, in this embodiment, the hole injection / transport layer 70 (refer FIG. 5) can be provided between the pixel electrode 23 and the organic light emitting layer 60 as needed. By providing this hole injection / transport layer, the electrons which move in the organic light emitting layer 60 are blocked efficiently, and the probability of recombination of the electrons and holes in the organic light emitting layer 60 increases. A material having a low injection barrier from the pixel electrode 23 and a high hole mobility is suitably used for the hole injection / transport layer 70. As such a material, a polythiophene derivative, a polypyrrole derivative, etc., or these doping bodies etc. are used, for example. Specifically, 3,4-polyethylenedioxythiophene is dispersed in a dispersion of 3,4-polyethylenedioxythiophene / polystyrenesulfonic acid (PEDOT / PSS), that is, polystyrene sulfonic acid as a dispersion solvent, and further dispersed in water. Dispersions and the like.

음극 제 2 층(50)은 도 3∼도 5에 나타낸 바와 같이 실표시 영역(4) 및 더미 영역(5)의 총면적보다 넓은 면적을 구비하고, 각각을 덮도록 형성되어 있다. 이 음극 제 2 층(50)은 일함수가 3.0 eV에서 4.0 eV의 원자를 포함하는 합금으로 구성되며, 본 실시형태에서는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금을 사용하여 구성되어 있다. 또한, 그 밖에도 마그네슘(Mg)과 알루미늄(Al)의 합금, 또는 마그네슘(Mg)과 크롬(Cr)의 합금을 사용하여도 좋으나, 크롬(Cr)과의 합금은 증착이 곤란하기 때문에 안정성 및 제조 효율을 고려하면 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금이 적합하다. 또한, 음극 제 2 층(50)의 두께는 50㎚ 이상이 바람직하며, 본 실시형태에서는 200㎚ 정도로 구성되어 있다. 또한, 음극 제 2 층(50)에 사용하는 일함수가 3.0 eV에서 4.0 eV의 원자로서, 스칸듐(일함수 3.5 eV), 이트륨(일함수 3.1 eV), 란탄(일함수 3.5 eV), 비소(일함수 3.75 eV) 등을 사용하여도 좋다.As shown in Figs. 3 to 5, the cathode second layer 50 has an area larger than the total area of the real display area 4 and the dummy area 5, and is formed to cover each of them. This cathode second layer 50 is composed of an alloy containing a work function of 3.0 eV to 4.0 eV, and in this embodiment, an alloy of magnesium (Mg) and silver (Ag) is used. In addition, an alloy of magnesium (Mg) and aluminum (Al), or an alloy of magnesium (Mg) and chromium (Cr) may be used. However, the alloy with chromium (Cr) is difficult to deposit, so that it is stable and manufactured. In view of efficiency, an alloy of magnesium (Mg) and silver (Ag) is suitable. Moreover, as for the thickness of the cathode 2nd layer 50, 50 nm or more is preferable, and is comprised in about 200 nm in this embodiment. In addition, as the work function used for the cathode second layer 50 as an atom of 3.0 eV to 4.0 eV, scandium (work function 3.5 eV), yttrium (work function 3.1 eV), lanthanum (work function 3.5 eV), arsenic ( A work function of 3.75 eV) may be used.

다음으로, 본 실시형태에서는 음극 제 2 층(50)으로부터 유기 발광층(60)에의 전자 주입 효율을 높이기 위해, 음극 제 2 층(50)과 유기 발광층(60) 사이에 음극 제 1 층(전자 주입층)(52)이 설치되어 있다. 음극 제 1 층(전자 주입층)(52)은 알칼리 금속의 불화물로서, 구체적으로는 불화 리튬(LiF)을 사용하여 구성되어 있으나, 그 밖에도 예를 들면 알칼리 금속의 산화물, 알칼리 금속의 염화물, 또는 알칼리토류 금속의 불화물 또는 산화물, 또는 유기물과의 착체 또는 화합물을 사용하여 구성할 수도 있다. Next, in this embodiment, in order to improve the electron injection efficiency from the cathode second layer 50 to the organic light emitting layer 60, the cathode first layer (electron injection) between the cathode second layer 50 and the organic light emitting layer 60. Layer) 52 is provided. The negative electrode first layer (electron injection layer) 52 is a fluoride of an alkali metal, and is specifically composed using lithium fluoride (LiF). In addition, for example, an oxide of an alkali metal, a chloride of an alkali metal, or It can also comprise using a fluoride or oxide of an alkaline earth metal, or a complex or compound with an organic substance.

이들의 일례를 들면, 알칼리 금속의 불화물로서는 불화 나트륨(NaF), 불화 칼륨(KF) 등을, 알칼리 금속의 산화물로서는 산화 리튬(Li2O), 산화 나트륨(Na2O), 산화 칼륨(K2O) 등을, 알칼리토류 금속의 불화물로서는 불화 마그네슘(MgF2), 불화 칼슘(CaF2) 등을, 알칼리토류 금속의 산화물로서는 산화 마그네슘(MgO), 산화 칼슘(CaO) 등을, 유기물과의 착체 또는 화합물로서는 금속 원소로 이루어지는 중심 원자를 M, 유기 재료로 이루어지는 킬레이트 배위자(chelate ligand)를 A, 유기 재료로 이루어지는 중성 배위자를 B로 하여 일반식 MAnBm(n : 중심 원자 M의 원자가, m : 자연수)으로 나타내는 유기 금속 화합물을 예시할 수 있고, 이와 같은 착체로서 는 킬레이트 착체나 크라운 에테르 착체 등, 여러가지 구조의 착체를 사용할 수 있다. 이들의 화합물 등으로 구성되는 음극 제 1 층(전자 주입층)(52)의 두께는 0.1㎚∼10㎚ 정도가 바람직하며, 본 실시형태에서는 2㎚ 정도로 구성되어 있다.For example, sodium fluoride (NaF), potassium fluoride (KF) and the like as alkali metal fluorides, and lithium oxide (Li 2 O), sodium oxide (Na 2 O) and potassium oxide (K) as oxides of alkali metals. 2 O) and the like, and fluorides of alkaline earth metals include magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), and the like, and oxides of alkaline earth metals include magnesium oxide (MgO) and calcium oxide (CaO). As the complex or compound of the formula A, the general atom MA n B m (n: is the central atom M) is represented by M as the central atom composed of a metal element, M the chelate ligand composed of an organic material, and the neutral ligand composed of the organic material. The organometallic compound represented by valency, m: natural number) can be illustrated, and as such a complex, complexes of various structures, such as a chelate complex and a crown ether complex, can be used. As for the thickness of the cathode 1st layer (electron injection layer) 52 comprised from these compounds etc., about 0.1 nm-about 10 nm are preferable, In this embodiment, it is comprised about 2 nm.

또한, 본 실시형태에서는 상기 음극 제 1 층(전자 주입층)(52)과 음극 제 2 층(50)의 적층 구조로서, 화소 전극(양극)(23)과의 사이에 유기 발광층(60)을 협지하는 음극이 구성되어 있다. 여기서, 보텀 에미션형의 경우에는, 음극 구성은 특별히 문제가 되지 않지만, 톱 에미션형의 경우, 음극 제 1 층(전자 주입층)(52)과 음극 제 2 층(50)으로 이루어지는 음극을 박막화(예를 들면, 막두께 5㎚ 정도)하는 것이 바람직하다.In the present embodiment, the organic light emitting layer 60 is formed between the pixel electrode (anode) 23 as the stacked structure of the cathode first layer (electron injection layer) 52 and the cathode second layer 50. The negative electrode which pinches is comprised. Here, in the case of the bottom emission type, the cathode configuration is not particularly a problem, but in the case of the top emission type, the cathode composed of the cathode first layer (electron injection layer) 52 and the cathode second layer 50 is thinned ( For example, the thickness is about 5 nm).

다음으로, 도 5에 의거하여 이 발광 소자를 구동하기 위한 회로부의 구성에 대하여 설명한다. 상기의 발광 소자의 하방에는 도 5에 나타낸 바와 같이 회로부(11)가 설치되어 있다. 이 회로부(11)는 기판(20) 상에 형성되어 기체를 구성하는 것이다. 즉, 기판(20)의 표면에는 SiO2를 주체로 하는 하지(下地) 보호층(281)이 하지로서 형성되며, 그 위에는 실리콘층(241)이 형성되어 있다. 이 실리콘층(241)의 표면에는 SiO2나 SiN을 주체로 하는 게이트 절연층(282)이 형성되어 있다. 또한, 상기 실리콘층(241) 중, 게이트 절연층(282)을 사이에 끼고 게이트 전극(242)과 겹치는 영역이 채널 영역(241a)으로 되어 있다. 또한, 이 게이트 전극(242)은 도시하지 않은 주사선(101)의 일부이다. 한편, 실리콘층(241)을 덮고, 게이트 전극(242)을 형성한 게이트 절연층(282)의 표면에는 SiO2를 주체로 하는 제 1 층간 절 연층(283)이 형성되어 있다.Next, the structure of the circuit part for driving this light emitting element is demonstrated based on FIG. The circuit part 11 is provided below the said light emitting element as shown in FIG. This circuit part 11 is formed on the board | substrate 20, and comprises a base body. In other words, a base protective layer 281 mainly composed of SiO 2 is formed on the surface of the substrate 20 as a base, and a silicon layer 241 is formed thereon. On the surface of the silicon layer 241, a gate insulating layer 282 mainly composed of SiO 2 or SiN is formed. In the silicon layer 241, the region overlapping the gate electrode 242 with the gate insulating layer 282 interposed therebetween as the channel region 241a. In addition, the gate electrode 242 is a part of the scanning line 101 (not shown). On the other hand, a first interlayer insulating layer 283 mainly composed of SiO 2 is formed on the surface of the gate insulating layer 282 covering the silicon layer 241 and forming the gate electrode 242.

또한, 실리콘층(241) 중, 채널 영역(241a)의 소스(source) 측에는 저농도 소스 영역(24lb) 및 고농도 소스 영역(241S)이 설치되는 한편, 채널 영역(241a)의 드레인 측에는 저농도 드레인 영역(241c) 및 고농도 드레인 영역(241D)이 설치되어서, 소위 LDD(Light Doped Drain)구조로 되어 있다. 이들 중, 고농도 소스 영역(241S)은 게이트 절연층(282)과 제 1 층간 절연층(283)에 걸쳐 개구하는 콘택트홀(243a)을 거쳐서 소스 전극(243)에 접속되어 있다. 이 소스 전극(243)은 상술한 전원선(103)(도 1 참조, 도 5에서는 소스 전극(243)의 위치에 지면(紙面) 수직 방향으로 연장한다)의 일부로서 구성되어 있다. 한편, 고농도 드레인 영역(241D)은 게이트 절연층(282)과 제 1 층간 절연층(283)에 걸쳐 개구하는 콘택트홀(244a)을 거쳐서 소스 전극(243)과 동일 층으로 이루어지는 드레인 전극(244)에 접속되어 있다.In the silicon layer 241, a low concentration source region 24lb and a high concentration source region 241S are provided on the source side of the channel region 241a, while a low concentration drain region (on the drain side of the channel region 241a). 241c and a high concentration drain region 241D have a so-called Light Doped Drain (LDD) structure, among which the high concentration source region 241S has a gate insulating layer 282 and a first interlayer insulating layer 283. The source electrode 243 is connected to the source electrode 243 via a contact hole 243a that opens over the source hole 243. The source electrode 243 is the power source 103 (see FIG. 1, the position of the source electrode 243 in FIG. 5). Extends in the vertical direction to the ground plane, on the other hand, the highly-concentrated drain region 241D is a contact hole 244a opening over the gate insulating layer 282 and the first interlayer insulating layer 283. Is connected to the drain electrode 244 having the same layer as the source electrode 243 There is.

소스 전극(243) 및 드레인 전극(244)이 형성된 제 1 층간 절연층(283)의 상층은, 예를 들면 아크릴계의 수지 성분을 주체로 하는 제 2 층간 절연층(284)에 의해 덮여 있다. 이 제 2 층간 절연층(284)에는 아크릴계의 절연막 이외의 재료, 예를 들면 SiN, SiO2 등의 규소 화합물을 사용할 수도 있다. 이와 같이 제 2 층간 절연층(284)에 가스 배리어(gas barrier)성이 높은 규소 화합물, 특히 규소 질소 화합물을 사용하면, 기판 본체(20)를 투습성(透濕性)이 높은 수지 기판으로 한 경우에도, 기판 쪽으로부터 유기 발광층(60)에 산소나 수분 등이 침입하는 것을 방지할 수 있고, 발광 소자의 수명을 길게 할 수 있다. 그리고, 이 제 2 층간 절연층(284)의 표면에는 ITO로 이루어지는 화소 전극(23)이 형성됨과 동시에, 이 화소 전극(23)은 상기 제 2 층간 절연층(284)에 설치된 콘택트홀(23a)을 거쳐서 드레인 전극(244)에 접속되어 있다. 즉, 화소 전극(23)은 드레인 전극(244)을 거쳐서, 실리콘층 (241)의 고농도 드레인 영역(241D)에 접속되어 있다.The upper layer of the first interlayer insulating layer 283 on which the source electrode 243 and the drain electrode 244 are formed is covered with, for example, a second interlayer insulating layer 284 mainly composed of an acrylic resin component. As the second interlayer insulating layer 284, materials other than an acrylic insulating film, for example, silicon compounds such as SiN and SiO 2 may be used. Thus, when the silicon compound with high gas barrier property, especially a silicon nitrogen compound, is used for the 2nd interlayer insulation layer 284, when the board | substrate main body 20 is made into the resin substrate with high moisture permeability, In addition, invasion of oxygen, moisture, and the like into the organic light emitting layer 60 from the substrate side can be prevented, and the life of the light emitting element can be extended. A pixel electrode 23 made of ITO is formed on the surface of the second interlayer insulating layer 284, and the pixel electrode 23 is a contact hole 23a provided in the second interlayer insulating layer 284. It is connected to the drain electrode 244 via. That is, the pixel electrode 23 is connected to the high concentration drain region 241D of the silicon layer 241 via the drain electrode 244.

또한, 주사선 구동 회로(80) 및 검사 회로(90)에 포함되는 TFT(구동 회로용 TFT), 즉 예를 들면 이들의 구동 회로 중, 시프트 레지스터에 포함되는 인버터를 구성하는 N 채널형 또는 P 채널형의 TFT는 화소 전극(23)과 접속되어 있지 않은 점을 제외하고 상기 구동용 TFT(123)와 같은 구조로 되어 있다.Further, an N-channel type or a P-channel constituting a TFT (driving circuit TFT) included in the scan line driver circuit 80 and the inspection circuit 90, that is, an inverter included in a shift register, for example, among these drive circuits. The TFT of the type has the same structure as the driving TFT 123 except that it is not connected to the pixel electrode 23.

화소 전극(23)이 형성된 제 2 층간 절연층(284)의 표면에는 화소 전극(23)과, 상기한 친액성 제어층(25) 및 유기 뱅크층(221)으로 이루어지는 뱅크 구조체가 설치되어 있다. 친액성 제어층(25)은 예를 들면 SiO2 등의 친액성 재료를 주체로 하는 것이며, 유기 뱅크층(221)은 예를 들면 아크릴이나 폴리 이미드 등으로 이루어지는 것이다. 그리고, 화소 전극(23) 상에는 친액성 제어층(25)에 설치된 개구부(25a) 및 유기 뱅크층(221)에 둘러싸여 이루어지는 개구부(221a)의 내부에, 정공 주입/수송층(70)과 유기 발광층(60)이 이 순서대로 적층되어 있다. 또한, 본 예에서의 친액성 제어층(25)의 「친액성」이란, 적어도 유기 뱅크층(221)을 구성하는 아크릴, 폴리 이미드 등의 재료와 비교하여 친액성이 높은 것을 의미하는 것으로 한다. 이상에 설명한 기판(20) 상의 제 2 층간 절연층(284)까지의 층이 회로부 (11)를 구성하는 것으로 되어 있다.On the surface of the second interlayer insulating layer 284 on which the pixel electrode 23 is formed, a bank structure composed of the pixel electrode 23, the lyophilic control layer 25, and the organic bank layer 221 is provided. The lyophilic control layer 25 is for example intended to the lyophilic material such as SiO 2 as a main component, is formed of the organic bank layer 221, for example, acrylic or polyimide and the like. The hole injection / transport layer 70 and the organic light emitting layer 70 are formed on the pixel electrode 23 inside the opening 25a provided in the lyophilic control layer 25 and the opening 221a surrounded by the organic bank layer 221. 60) are stacked in this order. In addition, the "lyophilic" of the lyophilic control layer 25 in this example shall mean a thing with high lyophilicity compared with materials, such as an acryl and polyimide which comprise the organic bank layer 221 at least. . The layer up to the second interlayer insulating layer 284 on the substrate 20 described above constitutes the circuit portion 11.

이상과 같은 구성의 유기 EL 장치(1)는 음극 제 2 층(50)과 음극 제 1 층(전자 주입층)(52)으로 구성되는 음극과 양극으로서의 화소 전극(23) 사이에, 고분자 발광 재료로 이루어지는 유기 발광층(60)이 협지되어 이루어짐과 동시에, 음극 제 2 층(50)이 마그네슘의 합금으로 구성되어 있다. 이와 같이, 음극을 음극 제 1 층(전자 주입층)(52)과 음극 제 2 층(50)의 적층 구조로서 구성하고, 또한 음극 제 2 층(50)을 마그네슘의 합금으로 구성함으로써, 유기 발광층(60)의 색에 관계없이, 즉 어떤 색의 유기 발광층(60)에서도 고휘도, 고발광 효율, 고수명 특성을 나타내는 것이 된다. 보다 구체적으로는, 이러한 구성으로 함으로써, LUMO 레벨이 2.0 eV 정도인 PFM이나 PFMO로 이루어지는 유기 발광층(60)에의 전자 주입을 양호하게 함과 동시에, LUMO 레벨이 3.3 eV 정도인 F8BT, PAT나 PO-PPV로 이루어지는 유기 발광층(60)에 전자를 주입할 수 있다. 따라서, 각 색의 발광을 나타내는 모든 유기 발광층(60)에서 전자와 정공의 주입 밸런스를 취해, 고휘도, 고발광 효율을 나타낼 수 있다. The organic EL device 1 having the above configuration has a polymer light emitting material between a cathode composed of a cathode second layer 50 and a cathode first layer (electron injection layer) 52 and a pixel electrode 23 as an anode. While the organic light emitting layer 60 is formed by being sandwiched, the cathode second layer 50 is made of an alloy of magnesium. In this manner, the cathode is constituted as a laminated structure of the cathode first layer (electron injection layer) 52 and the cathode second layer 50, and the cathode second layer 50 is made of an alloy of magnesium to thereby form an organic light emitting layer. Irrespective of the color of (60), that is, even in the organic light emitting layer 60 of any color, it exhibits high brightness, high light emission efficiency, and long life characteristics. More specifically, the above configuration enables good electron injection into the organic light emitting layer 60 made of PFM or PFMO having an LUMO level of about 2.0 eV, and F8BT, PAT or PO- having an LUMO level of about 3.3 eV. Electrons can be injected into the organic light emitting layer 60 made of PPV. Therefore, the balance of injection of electrons and holes can be achieved in all the organic light emitting layers 60 showing light emission of each color, thereby showing high brightness and high light emission efficiency.

또한, 음극 중 음극 제 2 층(50)을 마그네슘 단체로 구성할 경우에 비하여, 본 실시형태에서 사용한 마그네슘 합금은 산화되기 어렵고, 보존 안정성에도 뛰어난 것이 된다. 또한, 유기 발광층(60)의 색마다 재료를 다르게 할 필요도 없으며, 각 색에 대하여 공통의 음극 구성으로, 상기와 같은 양호한 휘도, 효율, 수명 특성을 얻을 수 있고, 매우 간편한 구성으로 제조 비용 삭감에도 기여 가능하게 된다. 즉 , 유기 발광층(60)이 화소 단위마다 다른 색의 유기 발광층(60)을 포함하는 구 성일 경우에도, 음극을 각 색의 유기 발광층(60)에 공통인 구성으로 형성한 간편한 구성에 의해, 고휘도, 고발광 효율, 고수명 특성을 나타낼 수 있는 것으로 되어 있다. In addition, the magnesium alloy used in the present embodiment is less likely to be oxidized and excellent in storage stability as compared with the case where the negative electrode second layer 50 of the negative electrode is composed of magnesium alone. In addition, the materials do not need to be different for each color of the organic light emitting layer 60, and a common cathode configuration is obtained for each color, so that the above-described good luminance, efficiency, and life characteristics can be obtained, and the manufacturing cost is reduced with a very simple configuration. Will also be able to contribute. That is, even when the organic light emitting layer 60 includes the organic light emitting layer 60 of a different color for each pixel unit, the high brightness is achieved by a simple configuration in which a cathode is formed in a common structure to the organic light emitting layer 60 of each color. It is intended to exhibit high luminous efficiency and long life characteristics.

또한, 복수의 발광색으로 각각 발광하는 복수의 유기 발광층을 갖는 유기 EL 장치에서, 복수의 유기 발광층 중 LUMO 레벨이 가장 높은 유기 발광층을 구성하는 재료의 LUMO 레벨과 음극 제 2 층(50)을 구성하는 재료의 일함수가 거의 같고, 유기 발광층(60)과 음극 제 2 층(50) 사이에 음극 제 1 층(전자 주입층)(52)이 형성되며, 음극 제 1 층(전자 주입층)(52)이 알칼리 금속의 불화물, 알칼리 금속의 산화물, 또는 알칼리토류 금속의 불화물 또는 산화물, 또는 유기물과의 착체 또는 화합물로 구성하는 것이 바람직하다. 또한, 복수의 유기 발광층 중 LUMO 레벨이 가장 낮은 유기 발광층을 구성하는 재료의 LUMO 레벨과 음극 제 2 층(50)을 구성하는 재료의 일함수 차가 0.7 eV 이내인 것이 바람직하다. 이러한 구성으로 함으로써, 복수의 유기 발광층 중 LUMO 레벨이 가장 높은 유기 발광층과 가장 낮은 유기 발광층에 대하여 음극 제 2 층(50)로부터 전자를 주입할 때의 장벽을 완화할 수 있다. 특히, 음극 제 1 층(전자 주입층)(52)의 재료로서 밴드 갭을 갖는 반도체, 절연체를 사용함으로써, 상기의 효과를 조장할 수 있다. 음극 제 2 층(50)을 구성하는 재료의 일함수가 복수의 유기 발광층 중 LUMO 레벨이 가장 낮은 유기 발광층을 구성하는 재료의 LUMO 레벨보다 0.7 eV 이상 높을 경우에는, 복수의 유기 발광층 중 LUMO 레벨이 가장 높은 유기 발광층에의 전자 주입을 효율적으로 행할 수 없다. 또한, 음극 제 2 층(50)을 구성하는 재료의 일함수가 복수의 유기 발광층 중 LUMO 레벨이 가장 낮은 유기 발광층을 구성하는 재료의 LUMO 레벨보다 0.7 eV 이상 낮을 경우에는, 수분, 산소, 유기 발광층(60) 등과 음극 제 2 층(50)의 반응에 의해 고분자 발광 재료를 사용한 유기 EL 장치의 안정성이나 신뢰성이 열화된다.In addition, in the organic EL device having a plurality of organic light emitting layers that emit light in a plurality of light emitting colors, the LUMO level of the material constituting the organic light emitting layer having the highest LUMO level among the plurality of organic light emitting layers and the cathode second layer 50 are formed. The work function of the material is about the same, and the cathode first layer (electron injection layer) 52 is formed between the organic light emitting layer 60 and the cathode second layer 50, and the cathode first layer (electron injection layer) 52. ) Is preferably composed of a fluoride of an alkali metal, an oxide of an alkali metal, a fluoride or an oxide of an alkaline earth metal, or a complex or compound with an organic substance. In addition, it is preferable that the work function difference between the LUMO level of the material constituting the organic light emitting layer having the lowest LUMO level among the organic light emitting layers and the material constituting the cathode second layer 50 is within 0.7 eV. With such a configuration, the barrier when injecting electrons from the cathode second layer 50 to the organic light emitting layer having the highest LUMO level and the lowest organic light emitting layer among the plurality of organic light emitting layers can be alleviated. In particular, the above effects can be enhanced by using a semiconductor having a band gap and an insulator as the material of the cathode first layer (electron injection layer) 52. When the work function of the material constituting the cathode second layer 50 is 0.7 eV or more higher than the LUMO level of the material constituting the organic light emitting layer having the lowest LUMO level among the plurality of organic light emitting layers, the LUMO level of the plurality of organic light emitting layers is high. The electron injection to the highest organic light emitting layer cannot be performed efficiently. When the work function of the material constituting the cathode second layer 50 is 0.7 eV or more lower than the LUMO level of the material constituting the organic light emitting layer having the lowest LUMO level among the plurality of organic light emitting layers, the moisture, oxygen, and organic light emitting layers Reaction of the 60 and the like and the cathode second layer 50 deteriorates the stability and reliability of the organic EL device using the polymer light emitting material.

보다 구체적으로는, LUMO 레벨이 가장 높은 유기 발광층의 LUMO 레벨이 3.3 eV 정도이며, LUMO 레벨이 가장 낮은 유기 발광층의 LUMO 레벨은 2.0 eV 정도이므로, 음극 제 2 층(50)은 일함수가 3.66 eV인 마그네슘을 사용하면, 이와 같은 조건을 만족시킨다. LUMO 레벨이 가장 낮은 유기 발광층의 LUMO 레벨과 음극 제 2 층(50)의 일함수 차가 2.0 eV 이내이면, 음극 제 1 층(전자 주입층)(52)으로서 불화 리튬을 사용하여 그 막두께를 최적화함으로써 전자를 음극 제 2 층(50)으로부터 유기 발광층(60)에 주입할 때의 장벽을 완화할 수 있다. 따라서, 각 색의 발광을 나타내는 모든 유기 발광층(60)에서 전자와 정공의 주입 밸런스를 취해, 고휘도, 고발광 효율을 나타낼 수 있다. More specifically, since the LUMO level of the organic light emitting layer having the highest LUMO level is about 3.3 eV and the LUMO level of the organic light emitting layer having the lowest LUMO level is about 2.0 eV, the cathode second layer 50 has a work function of 3.66 eV. When magnesium phosphorus is used, such a condition is satisfied. If the work function difference between the LUMO level of the organic light emitting layer having the lowest LUMO level and the cathode second layer 50 is within 2.0 eV, lithium fluoride is used as the cathode first layer (electron injection layer) 52 to optimize its film thickness. This can alleviate the barrier when electrons are injected into the organic light emitting layer 60 from the cathode second layer 50. Therefore, the balance of injection of electrons and holes can be achieved in all the organic light emitting layers 60 showing light emission of each color, thereby showing high brightness and high light emission efficiency.

또한, 이러한 구성으로 함으로써, 고분자 발광 재료를 사용한 유기 EL 장치에서, 음극 제 2 층(50)으로서 칼슘 등과 비교하여 반응성이 낮은 마그네슘 등의 재료를 사용할 수 있다. 따라서, 수분, 산소, 유기 발광층(60) 등과의 반응에 의한 유기 EL 장치의 열화를 저감할 수 있고, 고휘도, 고발광 효율, 고수명 특성을 나타낼 수 있으며, 또한 열 등에 대한 보존 안정성에도 뛰어난 유기 EL 장치를 실현할 수 있다. 또한, 톱 에미션형의 경우, 음극 제 1 층(전자 주입층)(52)과 음극 제 2 층(50)으로 이루어지는 음극을 박막화(예를 들면, 막두께 5㎚ 정도)했을 경우에도, 음극 제 2 층(50)을 반응성이 낮은 재료로 구성할 수 있기 때문에, 수분, 산 소, 유기 발광층(60) 등과 음극의 반응을 저감할 수 있고, 고분자 발광 재료를 사용한 유기 EL 장치의 안정성이나 신뢰성을 한층 향상시킬 수 있다.In this configuration, in an organic EL device using a polymer light emitting material, a material such as magnesium having a lower reactivity compared to calcium or the like can be used as the cathode second layer 50. Therefore, deterioration of the organic EL device due to reaction with moisture, oxygen, the organic light emitting layer 60, etc. can be reduced, high brightness, high light emission efficiency, high life characteristics can be exhibited, and organic excellent in storage stability against heat and the like. The EL device can be realized. In addition, in the case of the top emission type, even when the cathode made of the cathode first layer (electron injection layer) 52 and the cathode second layer 50 is thinned (for example, about 5 nm thick), Since the two layers 50 can be made of a material having low reactivity, the reaction of moisture, oxygen, the organic light emitting layer 60 and the like can be reduced, and stability and reliability of the organic EL device using the polymer light emitting material can be reduced. I can improve it more.

또한, 상기 실시형태에서는 적층체로 이루어지는 발광 소자의 최상층에 음극 제 2 층(50)을 배열 설치하고 있으나, 상기 음극 제 2 층(50)의 더 외층 쪽에 투명 전극을 구비시켜도 좋다. 즉, 도 6에 나타낸 바와 같이 음극 제 2 층(50)을 박막으로 하여 톱 에미션형의 유기 EL 장치를 구성하는 경우, 상기 음극 제 2 층(50)의 저항이 커져 발광 효율의 저하를 발생시킬 우려가 있으나, 그 외측에 ITO 등의 투명 전극(53)을 구비시킴으로써, 투광성을 구비한 채로 상기 음극측 전극의 저항값의 저하를 실현할 수 있게 된다.Moreover, in the said embodiment, although the 2nd negative electrode layer 50 is arrange | positioned at the uppermost layer of the light emitting element which consists of laminated bodies, you may provide a transparent electrode in the outer side of the said 2nd negative electrode layer 50 side. That is, when the top emission type organic EL device is constituted by using the cathode second layer 50 as a thin film as shown in Fig. 6, the resistance of the cathode second layer 50 is increased to cause a decrease in luminous efficiency. Although there exists a possibility, by providing the transparent electrode 53, such as ITO, on the outer side, the fall of the resistance value of the said cathode side electrode can be implement | achieved with transparency.

또한, 도 7에 나타낸 바와 같이 음극 제 2 층(50)의 더 외층 쪽에 SiOxNy (x, y는 정수)로 표시되는 절연막(54)을 구비시켜도 좋다. 이 경우, 음극 제 2 층(50)에 대한 보호 효과가 있어, 보존 안정성이 한층 향상하게 된다. In addition, as shown in FIG. 7, an insulating film 54 represented by SiO x N y (x, y is an integer) may be provided on the outer side of the cathode second layer 50. In this case, there is a protective effect on the cathode second layer 50, and the storage stability is further improved.

또한, 음극 제 2 층(50)으로서 칼슘 등과 비교하여 반응성이 낮은 마그네슘 등의 재료를 사용할 수 있기 때문에, ITO 등의 투명 전극(53)이나 SiOxNy (x, y는 정수)로 표시되는 절연막(54)과 음극의 반응을 저감시킬 수 있고, 고분자 발광 재료를 사용한 유기 EL 장치의 안정성이나 신뢰성을 한층 향상시킬 수 있다.In addition, as the cathode second layer 50, a material such as magnesium having a lower reactivity than that of calcium or the like can be used, so that it is represented by a transparent electrode 53 such as ITO or SiO x N y (x and y are integers). The reaction between the insulating film 54 and the cathode can be reduced, and the stability and reliability of the organic EL device using the polymer light emitting material can be further improved.

또한, 도 8에 나타낸 바와 같이 음극 제 2 층(50)을 그 외층 쪽을 향하여 마그네슘의 조성비가 감소하는 구배를 갖는 구성으로 하여도 좋다. 이와 같이 마그네슘의 조성비가 음극의 외측을 향하여 감소하는 구성을 채용함으로써, 음극의 저 항을 그 두께 방향으로 다르게 하는 것이 가능하게 된다. 또한, 음극 제 2 층(50)에서 마그네슘과 그 밖의 금속의 중량비는, 예를 들면 10:1∼1:10 정도로 할 수 있고, 마그네슘이 너무 많으면 보존 안정성이 떨어지고, 마그네슘이 너무 적으면 음극의 기능이 저하될 우려가 있다.In addition, as shown in Fig. 8, the negative electrode second layer 50 may be configured to have a gradient in which the composition ratio of magnesium decreases toward the outer layer. Thus, by adopting the configuration in which the composition ratio of magnesium decreases toward the outside of the negative electrode, it is possible to vary the resistance of the negative electrode in the thickness direction thereof. In addition, the weight ratio of magnesium and other metals in the negative electrode second layer 50 may be, for example, about 10: 1 to 1:10, and when too much magnesium is poor in storage stability, too little magnesium may cause There is a possibility that the function may be degraded.

<유기 일렉트로루미네선스 장치의 제조 방법><Method for producing organic electroluminescent device>

다음으로, 상기 유기 EL 장치(1)의 제조 방법의 일례를 도 9∼도 13을 참조하여 설명한다. 여기서, 도 9∼도 13에 나타내는 각 단면도는 도 2 중의 A-B 선의 단면도에 대응하고 있다.Next, an example of the manufacturing method of the said organic electroluminescent apparatus 1 is demonstrated with reference to FIGS. Here, each sectional drawing shown in FIGS. 9-13 corresponds to sectional drawing of the A-B line | wire in FIG.

우선, 도 9(a)에 나타낸 바와 같이 기판(20)의 표면에 하지 보호층(281)을 형성한다. 다음으로, 하지 보호층(281) 상에 ICVD법, 플라즈마 CVD법 등을 사용하여 아모포스 실리콘 층(501)을 형성한 후, 레이저 어닐링법 또는 급속 가열법에 의해 결정 입자를 성장시켜 폴리 실리콘층으로 만든다.First, as shown in FIG. 9A, a base protective layer 281 is formed on the surface of the substrate 20. Next, the amorphous silicon layer 501 is formed on the underlying protective layer 281 using ICVD, plasma CVD, or the like, and then crystal grains are grown by laser annealing or rapid heating to form a polysilicon layer. Make it.

이어서, 도 9(b)에 나타낸 바와 같이 폴리 실리콘층을 포토리소그래피법에 의해 패터닝하여, 섬모양의 실리콘층(241, 251, 261)을 형성한다. 이들 중 실리콘층(241)은 표시 영역 내에 형성되어, 화소 전극(23)에 접속되는 구동용 TFT(123)를 구성하는 것이며, 실리콘층(251, 261)은 주사선 구동 회로(80)에 포함되는 P 채널형 및 N 채널형의 TFT(구동 회로용 TFT)를 각각 구성하는 것이다. Subsequently, as shown in Fig. 9B, the polysilicon layer is patterned by photolithography to form island-like silicon layers 241, 251, and 261. Figs. Among them, the silicon layer 241 is formed in the display area, and constitutes the driving TFT 123 connected to the pixel electrode 23, and the silicon layers 251 and 261 are included in the scan line driver circuit 80. P-channel and N-channel TFTs (driving circuit TFTs) are respectively constructed.

다음으로, 플라즈마 CVD법, 열 산화법 등에 의해 실리콘층(241, 251, 261), 하지 보호층(281)의 전체 면에 두께가 약 30㎚∼200㎚의 실리콘 산화막에 의해, 게이트 절연층(282)을 형성한다. 여기서, 열 산화법을 이용하여 게이트 절연층(282) 을 형성할 때에는, 실리콘층(241, 251, 261)의 결정화도 행하여, 이들 실리콘층을 폴리 실리콘층으로 할 수가 있다.Next, the gate insulating layer 282 is formed by a silicon oxide film having a thickness of about 30 nm to 200 nm on the entire surfaces of the silicon layers 241, 251, and 261 and the underlying protective layer 281 by plasma CVD, thermal oxidation, or the like. ). Here, when the gate insulating layer 282 is formed using the thermal oxidation method, the silicon layers 241, 251, and 261 can also be crystallized to make these silicon layers polysilicon layers.

또한, 실리콘층(241, 251, 261)에 채널 도핑을 행할 경우에는, 예를 들면 이 타이밍에서 약 1×1012 -2의 도즈(dose)량으로 보론 이온(boron ion)을 주입한다. 그 결과, 실리콘층(241, 251, 261)은 불순물 농도(활성화 어닐링 후의 불순물로 산출)가 약 1×1017-3의 저농도 P형의 실리콘층이 된다.When channel doping is performed on the silicon layers 241, 251, and 261, for example, boron ions are implanted at a dose of about 1x10 12 cm -2 at this timing. As a result, the silicon layers 241, 251, and 261 become low concentration P-type silicon layers having an impurity concentration (calculated as impurities after activation annealing) of about 1x10 17 cm -3 .

다음으로, P 채널형 TFT, N 채널형 TFT의 채널층의 일부에 이온 주입 선택Next, ion implantation is selected to a part of the channel layer of the P channel TFT and the N channel TFT

마스크를 형성하고, 이 상태에서 인 이온을 약 1×1015-2의 도즈량으로 이온 주입한다. 그 결과, 패터닝용 마스크에 대하여 셀프 얼라인(self alignment)적으로 고농도 불순물이 도입되어, 도 9(c)에 나타낸 바와 같이 실리콘층(241, 261) 중에 고농도 소스 영역(241S, 261S) 및 고농도 드레인 영역(241D, 261D)이 형성된다.A mask is formed and phosphorus ions are ion implanted in this state at a dose of about 1 × 10 15 cm -2 . As a result, high concentration impurities are introduced into the patterning mask by self alignment, and as shown in Fig. 9C, the high concentration source regions 241S and 261S and the high concentration in the silicon layers 241 and 261 are shown. Drain regions 241D and 261D are formed.

다음으로, 도 9(c)에 나타낸 바와 같이 게이트 절연층(282)의 표면 전체에, 도핑된 실리콘(doped silicon)이나 규소화합물(silicide)막, 또는 알루미늄막이나 크롬막, 탄탈막 등의 금속막으로 이루어지는 게이트 전극 형성용 도전층(502)을 형성한다. 이 도전층(502)의 두께는 대략 500㎚ 정도이다. 그 후, 패터닝법에 의해 도 9(d)에 나타낸 바와 같이 P 채널형의 구동 회로용 TFT를 형성하는 게이트 전극(252), 화소용 TFT를 형성하는 게이트 전극(242), N 채널형의 구동 회로용 TFT를 형성하는 게이트 전극(262)을 형성한다. 또한, 구동 제어 신호 도통부(320(350)), 음극 전원 배선의 제 1 층(121)도 동시에 형성한다. 또한, 이 경우 구동 제어 신 호 도통부(320(350))는 더미 영역(5)에 배열 설치하는 것으로 되어 있다.Next, as shown in FIG. 9C, the entire surface of the gate insulating layer 282 is formed of a metal, such as a doped silicon or silicon compound film, an aluminum film, a chromium film, or a tantalum film. A gate electrode forming conductive layer 502 is formed. The thickness of this conductive layer 502 is about 500 nm. Subsequently, as shown in Fig. 9 (d) by the patterning method, the gate electrode 252 for forming the P-channel driving circuit TFT, the gate electrode 242 for forming the pixel TFT, and the N-channel driving are formed. The gate electrode 262 which forms a circuit TFT is formed. In addition, the driving control signal conducting unit 320 (350) and the first layer 121 of the cathode power wiring are also formed at the same time. In this case, the drive control signal conducting portion 320 (350) is arranged in the dummy region (5).

이어서, 도 9(d)에 나타낸 바와 같이 게이트 전극(242, 252, 262)을 마스크로서 사용하여, 실리콘층(241, 251, 261)에 대하여 인 이온을 약 4×1013-2의 도즈량으로 이온 주입한다. 그 결과, 게이트 전극(242, 252, 262)에 대하여 셀프 얼라인적으로 저농도 불순물이 도입되어, 도 9(d)에 나타낸 바와 같이, 실리콘층 (241, 261) 중에 저농도 소스 영역(24lb, 26lb) 및 저농도 드레인(241c, 261c)가 형성된다. 또한, 실리콘층(251) 중에 저농도 불순물 영역(251S, 251D)이 형성된다.Then, the gate electrode 9 (242, 252, 262) as shown in (d) for use as a mask, the phosphorus ions with respect to the silicon layer (241, 251, 261) of about 4 × 10 13-2 dose Ion implantation in amount. As a result, low concentration impurities are introduced into the gate electrodes 242, 252, and 262 in a self-aligned manner, and as shown in FIG. 9D, the low concentration source regions 24 lb and 26 lb in the silicon layers 241 and 261. And low concentration drains 241c and 261c. In addition, low concentration impurity regions 251S and 251D are formed in the silicon layer 251.

다음으로, 도 10(e)에 나타낸 바와 같이 P 채널형의 구동 회로용 TFT(252) 이외의 부분를 덮는 이온 주입 선택 마스크(503)를 형성한다. 이 이온 주입 선택 마스크(503)를 사용하여, 실리콘층(251)에 대하여 보론 이온을 약 1.5×1015-2의 도즈량으로 이온 주입한다. 결과적으로, P 채널형 구동 회로용 TFT를 구성하는 게이트 전극(252)도 마스크로서 기능하기 때문에, 실리콘층(251) 중에 셀프 얼라인적으로 고농도 불순물이 도핑된다. 따라서, 저농도 불순물 영역(251S, 251D)은 카운터 도핑되어, P 채널형의 구동 회로용 TFT의 소스 영역 및 드레인 영역이 된다.Next, as shown in Fig. 10E, an ion implantation selection mask 503 covering a portion other than the P-channel driver circuit TFT 252 is formed. Using this ion implantation selection mask 503, boron ions are implanted into the silicon layer 251 at a dose of about 1.5 × 10 15 cm −2 . As a result, since the gate electrode 252 constituting the TFT for the P-channel driving circuit also functions as a mask, high concentration impurities are doped self-aligned in the silicon layer 251. Therefore, the lightly doped impurity regions 251S and 251D are counter-doped to become source and drain regions of the P-channel driver circuit TFT.

다음으로, 도 10(f)에 나타낸 바와 같이 기판(20)의 전체 면에 걸쳐 제 1 층간 절연층(283)을 형성함과 동시에, 포토리소그래피법을 사용하여 상기 제 1 층간 절연층(283)을 패터닝함으로써, 각 TFT의 소스 전극 및 드레인 전극에 대응하는 위치에 콘택트홀(C)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 10 (f), the first interlayer insulating layer 283 is formed over the entire surface of the substrate 20, and the first interlayer insulating layer 283 is formed using a photolithography method. By patterning the contact holes, contact holes C are formed at positions corresponding to the source and drain electrodes of each TFT.

다음으로, 도 10(g)에 나타낸 바와 같이 제 1 층간 절연층(283)을 덮도록, 알루미늄, 크롬, 탄탈 등의 금속으로 이루어지는 도전층(504)을 형성한다. 이 도전층(504)의 두께는 대략 200㎚ 내지 800㎚ 정도이다. 이 후, 도전층(504) 중 각 TFT의 소스 전극 및 드레인 전극이 형성되어야 할 영역(240a), 구동 전압 도통부(310(340))가 형성되어야 할 영역(310a), 음극 전원 배선의 제 2 층이 형성되어야 할 영역(122a)을 덮도록 패터닝용 마스크(505)를 형성함과 동시에, 상기 도전층(504)을 패터닝하여 도 11(h)에 나타내는 소스 전극(243, 253, 263), 드레인 전극(244, 254, 264)을 형성한다. 다음으로, 도 11(i)에 나타낸 바와 같이, 이들이 형성된 제 1 층간 절연층(283)을 덮는 제 2 층간 절연층(284)을 예를 들면 아크릴계 수지 등의 고분자 재료에 의해 형성한다. 이 제 2 층간 절연층(284)은 약 1∼2㎛ 정도의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 또한, SiN, SiO2에 의해 제 2 층간 절연막을 형성하는 것도 가능하며, SiN의 막두께로서는 200㎚, SiO2의 막두께로서는 800㎚로 형성하는 것이 바람직하다.Next, as shown in Fig. 10G, a conductive layer 504 made of a metal such as aluminum, chromium, or tantalum is formed to cover the first interlayer insulating layer 283. Figs. The thickness of this conductive layer 504 is approximately 200 nm to 800 nm. Thereafter, in the conductive layer 504, the region 240a in which the source electrode and the drain electrode of each TFT should be formed, the region 310a in which the driving voltage conduction part 310 (340) should be formed, and the cathode power wiring The patterning mask 505 is formed to cover the region 122a where the two layers should be formed, and the conductive layer 504 is patterned to show the source electrodes 243, 253, and 263 shown in FIG. 11H. Drain electrodes 244, 254 and 264 are formed. Next, as shown in Fig. 11 (i), the second interlayer insulating layer 284 covering the first interlayer insulating layer 283 on which they are formed is formed of a polymer material such as acrylic resin, for example. The second interlayer insulating layer 284 is preferably formed to a thickness of about 1 to 2 mu m. Further, SiN, also possible to form the second interlayer insulating film by the SiO 2 and, 200㎚ As the film thickness of the SiN, as the film thickness of SiO 2 is preferably formed of a 800㎚.

다음으로, 도 11(j)에 나타낸 바와 같이, 제 2 층간 절연층(284) 중 구동용 TFT의 드레인 전극(244)에 대응하는 부분을 에칭에 의해 제거하여 콘택트홀(23a)을 형성한다. 그 후, 기판(20)의 전체 면을 덮도록 화소 전극(23)으로 되는 도전막을 형성한다. 그리고, 이 투명 도전막을 패터닝함으로써, 도 12(k)에 나타낸 바와 같이 제 2 층간 절연층(284)의 콘택트홀(23a)를 거쳐서 드레인 전극(244)과 도통하는 화소 전극(23)을 형성함과 동시에, 더미 영역의 더미 패턴(26)도 형성한다. 또한, 도 3, 도 4에서는 이들 화소 전극(23), 더미 패턴(26)을 총칭하여 화소 전극(23)으로 하고 있다.Next, as shown in Fig. 11 (j), the portion of the second interlayer insulating layer 284 corresponding to the drain electrode 244 of the driving TFT is removed by etching to form the contact hole 23a. Thereafter, a conductive film serving as the pixel electrode 23 is formed so as to cover the entire surface of the substrate 20. By patterning this transparent conductive film, as shown in FIG. 12 (k), the pixel electrode 23 which is in contact with the drain electrode 244 is formed through the contact hole 23a of the second interlayer insulating layer 284. At the same time, a dummy pattern 26 of a dummy region is also formed. 3 and 4, these pixel electrodes 23 and dummy patterns 26 are collectively referred to as the pixel electrodes 23.

더미 패턴(26)은 제 2 층간 절연층(284)을 거쳐서 하층의 메탈 배선에 접속하지 않는 구성으로 되어 있다. 즉, 더미 패턴(26)은 섬모양으로 배치되어, 실표시 영역에 형성되어 있는 화소 전극(23)의 형상과 거의 동일한 형상을 갖고 있다. 물론, 표시 영역에 형성되어 있는 화소 전극(23)의 형상과 다른 구조여도 좋다. 또한, 이 경우, 더미 패턴(26)은 적어도 상기 구동 전압 도통부(310(340))의 위쪽에 위치하는 것도 포함하는 것으로 한다. The dummy pattern 26 is configured not to connect to the lower metal wiring via the second interlayer insulating layer 284. In other words, the dummy pattern 26 is arranged in an island shape and has a shape substantially the same as that of the pixel electrode 23 formed in the real display area. Of course, the structure different from the shape of the pixel electrode 23 formed in the display area may be sufficient. In this case, the dummy pattern 26 also includes at least the upper portion of the driving voltage conduction portion 310 (340).

다음으로, 도 12(l)에 나타낸 바와 같이 화소 전극(23), 더미 패턴(26) 위, 및 제 2 층간 절연막 위에 절연층인 친액성 제어층(25)을 형성한다. 또한, 화소 전극(23)에서는 일부가 개구하는 형태로 친액성 제어층(25)을 형성하고, 개구부(25a)(도 3도 참조)에서 화소 전극(23)으로부터의 정공 이동이 가능하게 되어 있다. 반대로, 개구부(25a)를 설치하지 않은 더미 패턴(26)에서는 절연층(친액성 제어층)(25)이 정공 이동 차폐층이 되어서 정공 이동이 발생하지 않는 것으로 되어 있다. 이어서, 친액성 제어층(25)에서 다른 2개의 화소 전극(23) 사이에 위치하여 형성된 오목 형상부에 BM을 형성한다. 구체적으로는, 친액성 제어층(25)의 상기 오목 형상부에 대하여 금속 크롬을 사용하여 스퍼터링법으로 성막한다. Next, as shown in Fig. 12 (l), a lyophilic control layer 25 is formed on the pixel electrode 23, the dummy pattern 26, and on the second interlayer insulating film. In addition, the lyophilic control layer 25 is formed in a part of the pixel electrode 23 to open, and hole movement from the pixel electrode 23 is possible in the opening 25a (see FIG. 3). . On the contrary, in the dummy pattern 26 in which the opening 25a is not provided, the insulating layer (liquid control layer) 25 serves as a hole movement shielding layer so that hole movement does not occur. Subsequently, BM is formed in the concave portion formed between the two other pixel electrodes 23 in the lyophilic control layer 25. Specifically, it forms into a film by the sputtering method using the metal chromium with respect to the said recessed part of the lyophilic control layer 25. FIG.

다음으로, 도 12(m)에 나타낸 바와 같이 친액성 제어층(25)의 소정 위치, 상세하게는 상기 BM을 덮도록 유기 뱅크층(221)을 형성한다. 구체적인 유기 뱅크층의 형성 방법으로서는, 예를 들면 아크릴 수지, 폴리 이미드 수지 등의 레지스트를 용매에 녹인 것을 스핀 코팅법, 딥 코팅법 등의 각종 도포법에 의해 도포하여 유기질층을 형성한다. 또한, 유기질층의 구성 재료는 후술하는 잉크의 용매에 용해되지 않고, 또한 에칭 등에 의해 패터닝하기 쉬운 것이라면 어떤 것이라도 좋다. Next, as shown in FIG. 12 (m), the organic bank layer 221 is formed so as to cover the predetermined position of the lyophilic control layer 25, specifically, the BM. As a specific method of forming an organic bank layer, what melt | dissolved resist, such as an acrylic resin and a polyimide resin, in a solvent is apply | coated by various coating methods, such as a spin coating method and a dip coating method, and an organic layer is formed, for example. In addition, the constituent material of the organic layer may be any one so long as it is not dissolved in a solvent of ink described later and is easily patterned by etching or the like.

다음으로, 유기질층을 포토리소그래피 기술 등에 의해 동시에 에칭하여, 유기질물의 뱅크 개구부(221a)를 형성하며, 개구부(221a)에 벽면을 구비한 유기 뱅크층(221)을 형성한다. 또한, 이 경우, 유기 뱅크층(221)은 적어도 상기 구동 제어 신호 도통부(320)의 위쪽에 위치하는 것을 포함하게 된다.Next, the organic layer is etched simultaneously by photolithography or the like to form the bank openings 221a of the organic material, and the organic bank layer 221 having a wall surface is formed in the openings 221a. In this case, the organic bank layer 221 may include at least the upper portion of the driving control signal conducting unit 320.

다음으로, 유기 뱅크층(221)의 표면에 친액성(親液性)을 나타내는 영역과 발액성(撥液性)을 나타내는 영역을 형성한다. 본 실시형태에서는 플라즈마 처리 공정에 의해 각 영역을 형성하는 것으로 하고 있다, 구체적으로는, 상기 플라즈마 처리 공정은 예비 가열 공정과, 유기 뱅크층(221)의 윗면 및 개구부(221a)의 벽면과 화소 전극(23)의 전극면(23c), 친액성 제어층(25)의 윗면을 친액성으로 하는 친잉크화 공정과, 유기 뱅크층의 윗면 및 개구부의 벽면을 발액성으로 하는 발잉크화 공정과, 냉각 공정을 구비하고 있다.Next, the area | region which shows a lyophilic property and the area | region which shows liquid repellency is formed in the surface of the organic bank layer 221. FIG. In this embodiment, each area is formed by a plasma processing step. Specifically, the plasma processing step includes a preliminary heating step, a top surface of the organic bank layer 221, a wall surface of the opening 221a and a pixel electrode. A lip ink process for making the upper surface of the electrode surface 23c and the lyophilic control layer 25 of (23) lyophilic, an ink repelling process for making the upper surface of the organic bank layer and the wall surface of the opening part liquid-repellent, The cooling process is provided.

즉, 기재(뱅크 등을 포함하는 기판(20))를 소정의 온도, 예를 들면 70∼80℃ 정도로 가열하고, 이어서 친잉크화 공정으로서 대기 분위기 중에서 산소를 반응 가스로 하는 플라즈마 처리(O2 플라즈마 처리)를 행한다. 다음으로, 발잉크화 공정으로서 대기 분위기 중에서 4불화 메탄을 반응 가스로 하는 플라즈마 처리(CF4 플라즈마 처리)를 행하고, 그 후 플라즈마 처리를 위해 가열된 기재를 실온까지 냉각함 으로써, 친액성 및 발액성이 소정의 개소에 부여되게 된다.In other words, the substrate (substrate 20 including a bank or the like) is heated to a predetermined temperature, for example, about 70 to 80 ° C., and then plasma treatment using oxygen as a reaction gas in an atmospheric atmosphere as a pro-inking step (O 2). Plasma treatment). Next, a plasma treatment (CF 4 plasma treatment) using methane tetrafluoromethane as a reaction gas in an atmospheric atmosphere as an ink repelling step, and then cooling the heated substrate to room temperature for lipophilic and foot repellent The liquidity is given to a predetermined point.

또한, 이 CF4 플라즈마 처리에서는 화소 전극(23)의 전극면(23c) 및 친액성In the CF 4 plasma treatment, the electrode surface 23c and the lyophilic property of the pixel electrode 23 are used.

제어층(25)에 대해서도 다소 영향을 받지만, 화소 전극(23)의 재료인 ITO 및 친액성 제어층(25)의 구성 재료인 SiO2, TiO2 등은 불소에 대한 친화성이 부족하기 때문에, 친잉크화 공정에서 부여된 수산기가 불소기로 치환되는 일이 없이 친액성이 유지된다.Although somewhat influenced also on the control layer 25, since ITO, which is the material of the pixel electrode 23, and SiO 2 , TiO 2 , which are the constituent materials of the lyophilic control layer 25, lack affinity for fluorine, The lyophilic properties are maintained without the hydroxyl group given in the lipophilic process being substituted with a fluorine group.

다음으로, 도 13(n)에 나타낸 바와 같이 정공 주입/수송층(70)을 형성하기 위한 정공 주입/수송층 형성 공정을 행한다. 정공 주입/수송층 형성 공정에서는 액적(液滴) 토출법으로서, 특히 잉크젯법이 적합하게 채용된다. 즉, 이 잉크젯법에 의해 정공 주입/수송층 형성 재료를 전극면(23c) 위에 선택적으로 배치하여 이것을 도포한다. 그 후, 건조 처리 및 열처리를 행하여, 화소 전극(23) 위에 정공 주입/수송층(70)을 형성한다. 정공 주입/수송층(70)의 형성 재료로서는, 예를 들면 상기의 PEDOT : PSS를 이소프로필알콜 등의 극성 용매에 용해시킨 것이 이용된다.Next, as shown in Fig. 13 (n), a hole injection / transport layer forming step for forming the hole injection / transport layer 70 is performed. In the hole injection / transport layer forming step, an inkjet method is particularly suitably employed as the droplet ejection method. That is, by the inkjet method, the hole injection / transport layer forming material is selectively disposed on the electrode surface 23c to apply this. Thereafter, drying treatment and heat treatment are performed to form a hole injection / transport layer 70 on the pixel electrode 23. As a material for forming the hole injection / transport layer 70, for example, a solution obtained by dissolving the above PEDOT: PSS in a polar solvent such as isopropyl alcohol is used.

여기서, 이 잉크젯법에 의한 정공 주입/수송층(70)의 형성 시에는, 우선 잉크젯 헤드(도시 생략)에 정공 주입/수송층 형성 재료를 충전하고, 잉크젯 헤드의 토출 노즐을 친액성 제어층(25)에 형성된 상기 개구부(25a) 내에 위치하는 전극면(23c)에 대향시켜, 잉크젯 헤드와 기재(기판(20))를 상대 이동시키면서, 토출 노즐로부터 1방울 당의 액량이 제어된 액적을 전극면(23c)에 토출한다. 다음으로, 토 출 후의 액적을 건조 처리하고, 재료 중에 포함되는 분산매나 용매를 증발시킴으로써, 정공 주입/수송층(70)을 형성한다.Here, in the formation of the hole injection / transport layer 70 by this inkjet method, first, a hole injection / transport layer forming material is filled in an inkjet head (not shown), and the discharge nozzle of the inkjet head is used as the lyophilic control layer 25. Opposite to the electrode surface 23c positioned in the opening 25a formed in the opening, the droplets of which the amount of liquid per drop is controlled from the discharge nozzle are moved while the inkjet head and the substrate (substrate 20) are relatively moved. ) Next, the droplet after discharge is dried and the hole injection / transport layer 70 is formed by evaporating the dispersion medium and the solvent contained in the material.

이 때, 토출 노즐로부터 토출된 액적은 친액성 처리가 된 전극면(23c) 위에서 퍼져, 친액성 제어층(25)의 개구부(25a) 내에 채워진다. 그 한편으로, 발액 처리된 유기 뱅크층(221)의 윗면에서는 액적이 튀겨 부착되지 않는다. 따라서, 액적이 소정의 토출 위치로부터 벗어나, 액적의 일부가 유기 뱅크층(221)의 표면에 걸쳐 있더라도, 상기 표면이 액적으로 젖는 일이 없고, 튄 액적이 친액성 제어층(25)의 개구부(25a) 내로 인입된다. 또한, 이 정공 주입/수송층 형성 공정 이후에는 각종 형성 재료나 형성된 요소의 산화·흡습을 방지하기 위해 질소 분위기, 아르곤 분위기 등의 불활성 가스 분위기에서 행하는 것이 바람직하다.At this time, the droplet discharged from the discharge nozzle spreads on the electrode surface 23c subjected to the lyophilic treatment and is filled in the opening 25a of the lyophilic control layer 25. On the other hand, droplets do not splash and adhere on the upper surface of the liquid repellent organic bank layer 221. Therefore, even if the droplets deviate from the predetermined discharge position and a part of the droplets spans the surface of the organic bank layer 221, the surface does not wet the droplets, and the splashed droplets do not open the openings of the lyophilic control layer 25 ( 25a). Moreover, after this hole injection / transport layer formation process, it is preferable to perform in inert gas atmosphere, such as nitrogen atmosphere and argon atmosphere, in order to prevent the oxidation and moisture absorption of various forming materials and the formed element.

다음으로, 유기 발광층(60)을 형성하기 위해 유기 발광층 형성 공정을 행한다. 이 공정에서는 상기의 정공 주입/수송층(70)의 형성과 마찬가지로, 액적 토출법인 잉크젯법이 적합하게 채용된다. 즉, 잉크젯법에 의해 유기 발광층 형성 재료를 정공 주입/수송층(70) 위에 토출하고, 그 후 건조 처리 및 열처리를 행함으로써, 유기 뱅크층(221)에 형성된 개구부(221a) 내, 즉 화소 영역 위에 유기 발광층(60)을 형성한다. 또한, 이 유기 발광층 형성 공정에서는 정공 주입/수송층(70)의 재용해를 방지하기 위해, 유기 발광층 형성 시에 사용하는 재료 잉크의 용매로서, 정공 주입/수송층(70)에 대하여 녹지 않는 무극성 용매를 사용한다. 또한, 유기 발광층(60)의 형성 시에는 각 색마다 행하도록 한다.Next, an organic light emitting layer forming process is performed to form the organic light emitting layer 60. In this step, similarly to the formation of the hole injection / transport layer 70 described above, the inkjet method, which is a droplet ejection method, is suitably employed. That is, the organic light emitting layer forming material is discharged onto the hole injection / transport layer 70 by the inkjet method, and thereafter dried and heat treated to thereby form the opening 221a formed in the organic bank layer 221, that is, on the pixel region. The organic emission layer 60 is formed. In addition, in this organic light emitting layer forming step, in order to prevent re-dissolution of the hole injection / transport layer 70, a nonpolar solvent which does not dissolve in the hole injection / transport layer 70 is used as a solvent of the material ink used in forming the organic light emitting layer. use. In addition, when forming the organic light emitting layer 60, it is performed for every color.

다음으로, 유기 발광층(60) 위에 음극 제 1 층(전자 주입층)(52)을 형성하기 위해 음극 제 1 층 형성 공정을 한다. 이 음극 제 1 층(전자 주입층)(52)에는 알칼리 금속의 불화물로서, 구체적으로는 불화 리튬(LiF)을 사용하여 구성되어 있지만, 그 밖에도 예를 들면 알칼리 금속의 산화물, 또는 알칼리토류 금속의 불화물 또는 산화물, 또는 유기물과의 착체 또는 화합물을 사용하여 구성할 수도 있다. 특히, 불화 리튬은 저온에서 형성할 수 있고, 또한 밴드 갭을 갖는 반도체, 절연체이기 때문에 바람직하다. 이 음극 제 1 층(전자 주입층)(52)의 형성 방법으로서는 진공 증착법 등의 공지의 방법을 채용할 수 있다.Next, a cathode first layer forming process is performed to form the cathode first layer (electron injection layer) 52 on the organic light emitting layer 60. Although this cathode 1st layer (electron injection layer) 52 is comprised using lithium fluoride (LiF) specifically as a fluoride of an alkali metal, In addition, for example, oxides of an alkali metal, or an alkaline earth metal It can also comprise using a fluoride or an oxide, or a complex or compound with an organic substance. In particular, lithium fluoride is preferable because it can be formed at a low temperature and is a semiconductor and an insulator having a band gap. As the method for forming the cathode first layer (electron injection layer) 52, a known method such as vacuum deposition can be adopted.

이어서, 도 13(o)에 나타낸 바와 같이 음극 제 2 층(50)을 형성하기 위해 증착법에 의해 음극 제 2 층 형성 공정을 행한다. 이 공정에서는 진공 증착법에 의해, 마그네슘의 합금을 상기 음극 제 1 층(전자 주입층)(52)의 노출부의 전체 면에 성막하는 것으로 하고 있다. 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금은 제조 도중에 있어서 표면에 석출한 마그네슘이 산소와 반응하여, 수분이나 산소에 대한 가스 배리어성이 향상되는 산화 마그네슘으로 되어 바람직하다. 또한, 음극 제 2 층으로서 사용되는 일함수가 3.0 eV에서 4.0 eV의 원자로서 스칸듐(일함수 3.5 eV), 이트륨(일함수 3.1 eV), 란탄(일함수 3.5 eV), 비소(일함수 3.75 eV) 등을 사용하여도 좋다. 그리고, 최후에 밀봉 기판(30)을 형성하기 위해 밀봉 공정을 행한다. 이 밀봉 공정에서는 밀봉 기판(30)의 내측에 건조제(45)를 삽입하면서, 밀봉 기판(30)과 기판(20)을 접착제(40)로 밀봉한다. 또한, 이 밀봉 공정은 질소, 아르곤, 헬륨 등의 불활성 가스 분위기 중에서 행하는 것이 바람직하다.Subsequently, as shown in Fig. 13 (o), in order to form the cathode second layer 50, a cathode second layer forming step is performed by vapor deposition. In this step, an alloy of magnesium is formed on the entire surface of the exposed portion of the cathode first layer (electron injection layer) 52 by vacuum evaporation. The alloy of magnesium (Mg) and silver (Ag) is preferably magnesium oxide in which magnesium precipitated on the surface during production reacts with oxygen to improve gas barrier properties against water and oxygen. In addition, the work function used as the cathode second layer is scandium (work function 3.5 eV), yttrium (work function 3.1 eV), lanthanum (work function 3.5 eV), arsenic (work function 3.75 eV) as atoms of 3.0 eV to 4.0 eV. ) May be used. And a sealing process is performed in order to form the sealing substrate 30 last. In this sealing process, the sealing board 30 and the board | substrate 20 are sealed with the adhesive agent 40, inserting the desiccant 45 inside the sealing board 30. As shown in FIG. In addition, it is preferable to perform this sealing process in inert gas atmosphere, such as nitrogen, argon, and helium.

또한, 마그네슘 단체로 구성할 경우와 비교하여 마그네슘 합금을 사용했을 경우에는, 음극 내에서의 음극 제 1 층(전자 주입층)(52)에 사용되는, 예를 들면 불화 리튬과의 반응을 저감할 수 있고, 음극 제 1 층(전자 주입층)(52)을 구성하는 원자가 유기 발광층(60) 내에 확산하는 것을 저감시킬 수 있다. 특히, 액적 토출법 등의 액상법으로 유기 발광층(60)을 형성할 경우, 용매를 포함하는 액상의 유기 발광층 형성 재료를 정공 주입/수송층(70) 위에 토출하고, 그 후, 건조 처리 및 열처리에 의해 용매를 제거하여 형성한다. 이와 같이 용매가 제거될 때에, 유기 발광층(60)에 미소 구멍이 형성된다. 이 때문에, 음극 제 1 층(전자 주입층)(52)을 구성하는 원자가 유기 발광층(60) 내에 확산하기 쉬워진다. 이와 같이 형성된 유기 발광층(60)에 대하여, 음극 제 1 층(전자 주입층)(52)으로서 불화 리튬의 박막을 형성한 뒤에 음극 제 2 층(50)을 마그네슘 합금으로 구성함으로써, 액적 토출법 등의 액상법으로 형성한 유기 발광층(60)에 따른 음극 제 1 층(전자 주입층)(52)을 구성하는 원자가 유기 발광층(60) 내에 확산하고, 유기 EL 소자의 특성을 불안정하게 하는 문제를 한층 억제시킬 수 있다.In addition, when magnesium alloy is used as compared with the case where magnesium is composed of a single element, the reaction with, for example, lithium fluoride, which is used for the negative electrode first layer (electron injection layer) 52 in the negative electrode, can be reduced. The diffusion of the atoms constituting the cathode first layer (electron injection layer) 52 into the organic light emitting layer 60 can be reduced. In particular, when the organic light emitting layer 60 is formed by a liquid phase method such as a droplet ejection method, a liquid organic light emitting layer forming material containing a solvent is discharged onto the hole injection / transport layer 70, and then dried and heat treated. Form by removing solvent. When the solvent is removed in this manner, micropores are formed in the organic light emitting layer 60. For this reason, the atom which comprises the cathode 1st layer (electron injection layer) 52 becomes easy to diffuse in the organic light emitting layer 60. FIG. In the organic light emitting layer 60 thus formed, a thin film of lithium fluoride is formed as the cathode first layer (electron injection layer) 52, and then the cathode second layer 50 is composed of magnesium alloy, so that the droplet ejection method or the like. Atoms constituting the cathode first layer (electron injection layer) 52 in accordance with the organic light emitting layer 60 formed by the liquid phase method diffuse into the organic light emitting layer 60 and further suppress the problem of unstable characteristics of the organic EL element. You can.

<실시예><Example>

다음으로, 유기 EL 장치(1)에 대해서 그 발광 효율 및 수명 특성을 평가하였다. Next, the luminous efficiency and lifetime characteristics of the organic EL device 1 were evaluated.

구체적으로는, 음극의 구성으로서, 제 1 층을 칼슘으로, 제 2 층을 알루미늄으로 형성한 비교예 1과, 제 1 층을 불화 리튬/칼슘으로, 제 2 층을 알루미늄으로 형성한 비교예 2와, 제 1 층을 불화 리튬으로, 제 2 층을 마그네슘과 은의 합금으로 형성한 실시예 1에 대하여, 각 색(적색(R), 녹색(G), 청색(B))의 발광 효율 및 수명 특성을 각각 비교하였다. 청색(B)으로 발광하는 고분자 발광 재료로서 PFM을 사용하며, LUMO 레벨은 2.1 eV이다. 또한, 녹색(G)으로 발광하는 고분자 발광 재료로서 F8BT를 사용하며, LUMO 레벨은 3.4 eV이다. 또한, 적색(R)으로 발광하는 고분자 발광 재료로서 PAT를 사용하며, LUMO 레벨은 3.3 eV이다. 그 결과를 표 1(발광 효율) 및 표 2(수명 특성)에 나타낸다. 또한, 각 표에서, 발광 효율에 대해서는 비교예 1의 적색(R)을 「1」이라고 했을 때의 상대값을, 수명 특성에 대해서는 비교예 2의 청색(B)을 「1」이라고 했을 때의 상대값을 나타내었다. Specifically, as a structure of the cathode, Comparative Example 1 in which the first layer was formed of calcium, the second layer was made of aluminum, and Comparative Example 2 in which the first layer was formed of lithium fluoride / calcium, and the second layer was made of aluminum And luminous efficiency and lifetime of each color (red (R), green (G), blue (B)) for Example 1 in which the first layer is formed of lithium fluoride and the second layer is formed of an alloy of magnesium and silver. The characteristics were compared respectively. PFM is used as the polymer light emitting material emitting blue (B), and the LUMO level is 2.1 eV. In addition, F8BT is used as the polymer light emitting material emitting green (G), and the LUMO level is 3.4 eV. In addition, PAT is used as a polymer light emitting material that emits red (R), and the LUMO level is 3.3 eV. The results are shown in Table 1 (luminescence efficiency) and Table 2 (life characteristics). In addition, in each table | surface, when the red (R) of the comparative example 1 is set to "1" about luminous efficiency, and the blue (B) of the comparative example 2 is set to "1" about lifetime characteristic, Relative values are shown.

[표 1]TABLE 1

비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 실시예 1Example 1 RR 1One 0.30.3 1One GG 1One 1.11.1 1.31.3 BB 0.20.2 1One 1.11.1

[표 2] TABLE 2

비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 실시예 1Example 1 RR 1One 1One 1.51.5 GG 1One 0.80.8 1.91.9 BB 0.010.01 1One 1One

표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 비교예 1의 음극 구성에서는 청색(B)의 발광 효율이 떨어지고, 비교예 2의 음극 구성에서는 적색(R)의 발광 효율이 떨어지는 반면, 실시예 1의 음극 구성에서는 모든 색에 대하여 뛰어난 발광 효율을 나타내는 것을 알았다. 또한, 표 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 비교예 1의 음극 구성에서는 청색(B)의 수명이 짧고, 비교예 2의 음극 구성에서는 녹색(G)의 수명이 짧은 반면, 실시예 1의 음극 구성에서는 모든 색에 대해서 높은 수명 특성을 나타내는 것을 알았다. 즉, 음극을 불화 리튬(제 1 층)과 마그네슘 및 은의 합금(제 2 층)으로 형성한 본 실시형태의 유기 EL 장치(1)는 각 색 공통의 음극 구성이라도, 상기 각 색에 있어서 뛰어난 발광 효율 및 수명 특성을 나타내는 것을 알았다. As can be seen from Table 1, the light emitting efficiency of blue (B) is decreased in the negative electrode configuration of Comparative Example 1, and the light emitting efficiency of red (R) is decreased in the negative electrode configuration of Comparative Example 2, while the negative electrode configuration of Example 1 Has been found to exhibit excellent luminous efficiency for all colors. In addition, as can be seen from Table 2, the life of blue (B) is short in the negative electrode configuration of Comparative Example 1, the life of green (G) is short in the negative electrode configuration of Comparative Example 2, while the negative electrode configuration of Example 1 Shows a high lifetime for all colors. That is, the organic EL device 1 of the present embodiment in which the cathode is formed of an alloy of lithium fluoride (first layer) and magnesium and silver (second layer) has excellent light emission in each of the above-mentioned colors even if the cathode configuration is common to each color. It was found to exhibit efficiency and lifespan characteristics.

<전자기기><Electronic device>

다음으로, 본 발명의 유기 EL 장치를 구비한 전자기기의 구체적인 예에 대하여 설명한다. 본 발명의 전자기기는 상기의 유기 EL 장치를 표시부로서 가진 것이며, 구체적으로는 도 14에 나타내는 것을 들 수 있다. 도 14는 휴대 전화의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 14에서, 부호 1000은 휴대 전화 본체를 나타내고, 부호 1001은 상기의 유기 EL 장치를 사용한 표시부를 나타내고 있다. 도 14에 나타내는 전자기기는 상기 유기 EL 장치를 가진 표시부를 구비하고 있으므로, 수명이 길고 또한 밝은 표시를 얻을 수 있다. Next, the specific example of the electronic device provided with the organic electroluminescent apparatus of this invention is demonstrated. The electronic device of this invention has said organic electroluminescent apparatus as a display part, The thing specifically, shown in FIG. 14 is mentioned. 14 is a perspective view illustrating an example of a mobile telephone. In Fig. 14, reference numeral 1000 denotes a mobile telephone body, and reference numeral 1001 denotes a display unit using the organic EL device described above. Since the electronic apparatus shown in FIG. 14 is provided with the display part which has the said organic electroluminescent apparatus, a long display lifetime and a bright display can be obtained.

본 발명에 의하면, 간편한 구성으로 모든 색의 유기 발광층에서 고휘도, 고발광 효율, 고수명 특성을 나타낼 수 있고, 또한 열 등에 대한 보존 안정성에도 뛰어난 유기 EL 장치와 이 유기 EL 장치를 구비한 전자기기를 제공할 수 있다.According to the present invention, an organic EL device and an electronic device including the organic EL device, which can exhibit high brightness, high light emission efficiency, and high lifespan characteristics in an organic light emitting layer of all colors with a simple configuration, and also have excellent storage stability against heat and the like. Can provide.

Claims (12)

양극과 음극 사이에 유기 발광층을 포함하여 이루어지는 적층체(積層體)를 갖는 복수의 유기 발광 소자를 구비한 유기 일렉트로루미네선스 장치로서,An organic electro luminescence device comprising a plurality of organic light emitting elements having a laminate comprising an organic light emitting layer between an anode and a cathode. 상기 유기 발광층이 고분자 발광 재료로 이루어지고,The organic light emitting layer is made of a polymer light emitting material, 상기 복수의 유기 발광 소자는 상기 복수의 유기 발광 소자를 구성하는 유기 발광 재료 중, 가장 LUMO 레벨이 높은 제 1 LUMO 레벨을 갖는 제 1 유기 발광 재료를 구비한 제 1 유기 발광 소자와, 상기 복수의 유기 발광 소자를 구성하는 유기 발광 재료 중, 가장 LUMO 레벨이 낮은 제 2 LUMO 레벨을 갖는 제 2 유기 발광 재료를 구비한 제 2 유기 발광 소자를 포함하며,The plurality of organic light emitting elements includes a first organic light emitting element including a first organic light emitting material having a first LUMO level having the highest LUMO level among the organic light emitting materials constituting the plurality of organic light emitting elements, and the plurality of organic light emitting elements. A second organic light emitting element comprising a second organic light emitting material having a second LUMO level having the lowest LUMO level among the organic light emitting materials constituting the organic light emitting element, 상기 음극은 상기 제 1 유기 발광 소자와 상기 제 2 유기 발광 소자에 공통으로 형성되어 있고, 알칼리 금속의 불화물 또는 산화물, 또는 알칼리토류 금속의 불화물 또는 산화물, 또는 유기물과의 착체(錯體) 또는 화합물로 이루어지는 제 1 층과, 그 일함수(work function)와 상기 제 1 LUMO 레벨의 차이가 0.7eV 이내인 원자를 포함하는 제 2 층을 상기 유기 발광층 쪽으로부터 이 순서로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네선스 장치.The cathode is formed in common in the first organic light emitting device and the second organic light emitting device, and is a complex or compound of an fluoride or oxide of an alkali metal, a fluoride or an oxide of an alkaline earth metal, or an organic substance. An organic layer comprising, in this order, a first layer comprising a second layer comprising an atom having a difference between a work function and the first LUMO level within 0.7 eV; Electroluminescence device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 LUMO 레벨은 3.0eV에서 3.5eV의 범위에 있고,The first LUMO level is in the range of 3.0 eV to 3.5 eV, 상기 제 2 LUMO 레벨은 2.0eV에서 2.5eV의 범위에 있고,The second LUMO level is in the range of 2.0 eV to 2.5 eV, 상기 제 2 층이 일함수가 3.0eV에서 4.0eV인 원자를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네선스 장치.And said second layer comprises atoms having a work function of 3.0 eV to 4.0 eV. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제 1 층은 불화 리튬이며,The first layer is lithium fluoride, 상기 제 2 층을 구성하는 적어도 하나의 원자의 일함수와 상기 제 2 LUMO 레벨의 차이가 2.0eV 이내인 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네선스 장치.And a difference between the work function of the at least one atom constituting the second layer and the second LUMO level is within 2.0 eV. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 층이 마그네슘과 은의 합금, 마그네슘과 알루미늄의 합금, 마그네슘과 크롬의 합금 중에서 선택되는 1 또는 2 이상의 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네선스 장치.And said second layer is made of one or two or more alloys selected from alloys of magnesium and silver, alloys of magnesium and aluminum, and alloys of magnesium and chromium. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 층이 상기 적층체의 최외층(最外層)을 구성하고 있는 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네선스 장치.The said 2nd layer comprises the outermost layer of the said laminated body, The organic electroluminescent apparatus characterized by the above-mentioned. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 층의 외층 쪽에 투명 전극이 구비되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네선스 장치.An organic electroluminescent device, characterized in that a transparent electrode is provided on the outer layer side of the second layer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 층의 외층 쪽에 SiOxNy(x, y는 정수)로 표시되는 보호막이 구비되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네선스 장치.An organic electroluminescent device, characterized in that a protective film represented by SiO x N y (x, y is an integer) is provided on the outer layer side of the second layer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 층이 그 외층 쪽을 향하여 마그네슘의 조성비가 감소하는 구배를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네선스 장치.An organic electroluminescence device, characterized in that the second layer has a gradient in which the composition ratio of magnesium decreases toward the outer layer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 층에서, 마그네슘과 그 밖의 금속과의 중량비가 10:1∼1:10인 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네선스 장치.In the second layer, the organic electroluminescence device, characterized in that the weight ratio of magnesium and other metals is 10: 1 to 1:10. 기판과,Substrate, 양극과 음극 사이에 유기 발광층을 포함하여 이루어지는 적층체를 갖는 유기 발광 소자를 구비한 유기 일렉트로루미네선스 장치로서,An organic electroluminescent device comprising an organic light emitting element having a laminate comprising an organic light emitting layer between an anode and a cathode, 상기 유기 발광층이 고분자 발광 재료로 이루어지고,The organic light emitting layer is made of a polymer light emitting material, 상기 유기 발광 소자는 LUMO 레벨이 2.0eV에서 2.5eV의 범위에 있는 유기 발광층을 가지며,The organic light emitting device has an organic light emitting layer having a LUMO level in the range of 2.0 eV to 2.5 eV, 상기 음극은 불화 리튬으로 이루어지는 제 1 층과, 마그네슘과 은의 합금, 마그네슘과 알루미늄의 합금, 마그네슘과 크롬의 합금 중에서 선택되는 1 또는 2 이상의 합금으로 이루어지는 제 2 층을 상기 유기 발광층 쪽으로부터 이 순서로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네선스 장치.The cathode comprises, in this order, a first layer made of lithium fluoride and a second layer made of one or two or more alloys selected from an alloy of magnesium and silver, an alloy of magnesium and aluminum, and an alloy of magnesium and chromium. An organic electroluminescent device, characterized in that it comprises. 제 1 항 또는 제 2 항 또는 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 유기 일렉트로루미네선스 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 전자기기.An electronic device comprising the organic electroluminescent device according to any one of claims 1, 2, and 10. 기판 위에 양극을 형성하는 공정과,Forming an anode on the substrate, 상기 양극 위에 유기 발광층을 포함하는 기능층을 액상법(液相法)에 의해 형성하는 공정과,Forming a functional layer including an organic light emitting layer on the anode by a liquid phase method; 상기 기능층 위에 알칼리 금속의 불화물 또는 산화물, 또는 알칼리토류 금속의 불화물 또는 산화물, 또는 유기물과의 착체 또는 화합물로 이루어지는 음극 제 1 층을 형성하는 공정과,Forming a cathode first layer comprising a fluoride or oxide of an alkali metal, a fluoride or oxide of an alkaline earth metal, or a complex or compound with an organic substance on the functional layer; 음극 제 1 층 위에 마그네슘과 은의 합금, 마그네슘과 알루미늄의 합금, 마그네슘과 크롬의 합금 중에서 선택되는 1 또는 2 이상의 합금으로부터 음극 제 2 층을 형성하는 공정을 갖는 유기 일렉트로루미네선스 장치의 제조 방법.A method for producing an organic electroluminescent device, comprising: forming a cathode second layer from one or two or more alloys selected from an alloy of magnesium and silver, an alloy of magnesium and aluminum, and an alloy of magnesium and chromium on the anode first layer.
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