JP2021093525A - Self-luminous element and self-luminous display panel - Google Patents

Self-luminous element and self-luminous display panel Download PDF

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JP2021093525A JP2020189534A JP2020189534A JP2021093525A JP 2021093525 A JP2021093525 A JP 2021093525A JP 2020189534 A JP2020189534 A JP 2020189534A JP 2020189534 A JP2020189534 A JP 2020189534A JP 2021093525 A JP2021093525 A JP 2021093525A
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Kosuke Mishima
孝介 三島
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Abstract

To secure a hole block property, an electron injection property, and environmental resistance to improve an element life.SOLUTION: A self-luminous element comprises: a pixel electrode; a luminous layer that is disposed above the pixel electrode and contains luminescent material; a first functional layer that is disposed on the luminous layer and is made from metal fluoride; a second functional layer that is disposed on the first functional layer, contains first organic material having at least one of an electron transport property and an electron injection property, and does not contain one or more metallic elements selected from an alkaline metal, alkaline earth metal, and rare earth elements and having a property of reducing metal fluoride; and a counter electrode disposed above the second functional layer.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本開示は、自発光素子、及び自発光表示パネルに関する。 The present disclosure relates to a self-luminous element and a self-luminous display panel.

近年、有機材料の電界発光現象を利用した有機EL(Electro Luminescence)素子を用いた自発光型のディスプレイとして、基板上に行列方向に沿って有機EL素子を複数配列した有機ELパネルが、電子機器のディスプレイとして実用化されている。各有機EL素子は、陽極と陰極の一対の電極対の間に有機発光材料を含む有機発光層を含む、電子輸送層等の各種の機能層が複数積層された基本構造を有し、駆動時に一対の電極対間に電圧を印加し、陽極から有機発光層に注入されるホールと、陰極から有機発光層に注入される電子との再結合に伴って発生する電流駆動型の発光素子である。 In recent years, as a self-luminous display using an organic EL (Electro Luminescence) element that utilizes the electroluminescence phenomenon of an organic material, an organic EL panel in which a plurality of organic EL elements are arranged along a matrix direction on a substrate has become an electronic device. It has been put to practical use as a display. Each organic EL element has a basic structure in which a plurality of various functional layers such as an electron transport layer including an organic light emitting layer containing an organic light emitting material are laminated between a pair of electrode pairs of an anode and a cathode, and at the time of driving. It is a current-driven light emitting element that is generated by the recombination of holes injected into the organic light emitting layer from the anode and electrons injected into the organic light emitting layer from the cathode by applying a voltage between the pair of electrodes. ..

このような有機EL素子では、各機能層の最低空軌道(LUMO:Lowest Unoccupied Molecular Orbital)と最高被占軌道(HOMO:Highest Occupied Molecular Orbital)とを適切に配列することにより、発光層のホールと電子とのキャリアバランスを向上させて、発光素子の高効率化を図るとともに、発光素子の長寿命化が求められている。 In such an organic EL device, the lowest empty orbital (LUMO: Lowest Unoccupied Molecular Orbital) and the highest occupied molecular orbital (HOMO: Highest Occupied Molecular Orbital) of each functional layer are appropriately arranged to form a hole in the light emitting layer. It is required to improve the carrier balance with electrons to improve the efficiency of the light emitting element and to extend the life of the light emitting element.

これに対し、例えば、特許文献1では、有機材料で構成した電子輸送層と有機発光層との間にアルカリ金属のフッ化物からなる中間層を設け、電子輸送層中に仕事関数の低い金属材料をドープすることにより、電子注入性と素子寿命を高めた発光素子が提案されている。 On the other hand, for example, in Patent Document 1, an intermediate layer made of an alkali metal fluoride is provided between an electron transport layer composed of an organic material and an organic light emitting layer, and a metal material having a low work function is provided in the electron transport layer. A light emitting device having improved electron injection property and device life by doping with the above has been proposed.

また、特許文献2では、発光層の陰極側の隣接層にホールブロック層(HBL:Hole Block Layer)を設けた発光素子が提案されている。 Further, Patent Document 2 proposes a light emitting device in which a hole block layer (HBL) is provided in an adjacent layer on the cathode side of the light emitting layer.

国際公開WO2015−194189号公報International Publication WO2015-194189 特開2007−36175号公報JP-A-2007-36175

しかしながら、特許文献1に記載された、発光層の陰極側の隣接層としてアルカリ金属のフッ化物からなる中間層を配した構成では、発光層から中間層へのホールブロック性が低く、十分な素子寿命が得られない。また、特許文献2に記載された、発光層の陰極側の隣接層としてホールブロック層を配した構成では、ホールブロック層から発光層への電子注入性が低く、また、発光層中の水分等が電子輸送層に浸透するため耐環境性が低く素子寿命が不足するという課題があった。 However, in the configuration described in Patent Document 1 in which an intermediate layer made of an alkali metal fluoride is arranged as an adjacent layer on the cathode side of the light emitting layer, the hole blocking property from the light emitting layer to the intermediate layer is low, and a sufficient device is used. Life is not obtained. Further, in the configuration described in Patent Document 2 in which the hole block layer is arranged as an adjacent layer on the cathode side of the light emitting layer, the electron injection property from the hole block layer to the light emitting layer is low, and the water content in the light emitting layer and the like are low. There is a problem that the environmental resistance is low and the device life is short because the cathode penetrates into the electron transport layer.

本開示は、上記事情に鑑み、ホールブロック性、電子注入性、及び耐環境性を確保して、素子寿命を向上する自発光素子及び自発光表示パネルを提供することを目的とする。 In view of the above circumstances, it is an object of the present disclosure to provide a self-luminous element and a self-luminous display panel that secure hole blockability, electron injection property, and environmental resistance and improve the element life.

上記課題を解決するために、本開示の一態様における自発光EL素子は、画素電極と、前記画素電極の上方に配された発光材料を含む発光層と、前記発光層の上に配され、金属フッ化物からなる第1の機能層と、前記第1の機能層の上に配され、電子輸送性および電子注入性のうち少なくとも一方の性質を有する第1の有機材料を含む第2の機能層と、前記第2の機能層の上方に配された対向電極とを備え、前記第2の機能層には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及び希土類元素から選択され、前記金属フッ化物に対する還元性を有する1以上の金属元素を含まないことを特徴とする。 In order to solve the above problems, the self-luminous EL element according to one aspect of the present disclosure is arranged on a pixel electrode, a light emitting layer containing a light emitting material arranged above the pixel electrode, and the light emitting layer. A second function including a first functional layer made of metal fluoride and a first organic material arranged on the first functional layer and having at least one of electron transporting property and electron injecting property. A layer and a counter electrode arranged above the second functional layer are provided, and the second functional layer is selected from an alkali metal, an alkaline earth metal, and a rare earth element with respect to the metal fluoride. It is characterized in that it does not contain one or more metal elements having reducing properties.

本開示の一態様に係る自発光素子及び自発光表示パネルでは、ホールブロック性、電子注入性、及び耐環境性を確保して、素子寿命を向上する。 In the self-luminous element and the self-luminous display panel according to one aspect of the present disclosure, hole blockability, electron injection property, and environmental resistance are ensured to improve the device life.

本開示の態様に係る有機EL表示装置の全体構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the whole structure of the organic EL display device which concerns on aspect of this disclosure. 上記有有機EL表示装置における機ELパネルの画像表示面の一部を拡大した模式平面図である。It is a schematic plan view which enlarged a part of the image display surface of the machine EL panel in the said organic EL display device. 図2のA−A線に沿った模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view along the line AA of FIG. 本開示の一態様に係る有機EL素子2の積層構造を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the laminated structure of the organic EL element 2 which concerns on one aspect of this disclosure. (a)は、有機EL素子2におけるホールブロック・電子輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入輸送層のエネルギー準位を示す概略図、(b)は動作説明図である。(A) is a schematic diagram showing energy levels of the hole block / electron transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection transport layer in the organic EL element 2, and (b) is an operation explanatory diagram. 本開示の一態様に係る有機EL表示パネルの製造工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing process of the organic EL display panel which concerns on one aspect of this disclosure. (a)〜(d)は、有機EL素子の製造過程を模式的に示す部分断面図である。(A) to (d) are partial cross-sectional views schematically showing a manufacturing process of an organic EL element. (a)〜(d)は、図7に続く有機EL素子の製造過程を模式的に示す部分断面図である。(A) to (d) are partial cross-sectional views schematically showing the manufacturing process of the organic EL element following FIG. 7. (a)、(b)は、図8に続く有機EL素子の製造過程を模式的に示す部分断面図である。(A) and (b) are partial cross-sectional views schematically showing the manufacturing process of the organic EL element following FIG. (a)〜(e)は、図9に続く有機EL素子の製造過程を模式的に示す部分断面図である。(A) to (e) are partial cross-sectional views schematically showing the manufacturing process of the organic EL element following FIG. (a)はサンプル3に係る有機EL素子2Zの積層構造を示す模式図、(b)は有機EL素子2Zの動作説明図である。(A) is a schematic diagram showing a laminated structure of the organic EL element 2Z according to the sample 3, and (b) is an operation explanatory view of the organic EL element 2Z. 有機EL素子2における、ホールブロック・電子輸送層(第1の機能層)の膜厚と素子寿命との関係を示す実験結果である。This is an experimental result showing the relationship between the film thickness of the hole block / electron transport layer (first functional layer) and the device life in the organic EL element 2. 有機EL素子におけるホール輸送層、発光層、電子注入輸送層のエネルギー準位が適切にバランスされている状態を示す概略図である。It is a schematic diagram which shows the state which the energy level of a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron injection transport layer in an organic EL element is appropriately balanced. (a)(b)は、従来の有機EL素子2X、2Yの積層構造を示す模式図である。(A) and (b) are schematic views showing the laminated structure of the conventional organic EL elements 2X and 2Y. (a)(b)は、従来の有機EL素子2X、2Yの動作説明図である。(A) and (b) are operation explanatory views of the conventional organic EL elements 2X and 2Y.

≪発明を実施するための形態に至った経緯≫
有機EL素子では、従来から各機能層の最低空軌道(LUMO)と最高被占軌道(HOMO)との配列を最適に設計することにより、発光層のホールと電子とのキャリアバランスを向上させて、発光素子の高効率化を図ることが求められる。
<< Background to the form for carrying out the invention >>
In organic EL devices, the carrier balance between holes and electrons in the light emitting layer has been improved by optimally designing the arrangement of the lowest empty orbital (LUMO) and the highest occupied orbital (HOMO) of each functional layer. , It is required to improve the efficiency of the light emitting element.

以下、有機EL素子における発光層中のキャリア移動を適正化するための方法について図面を参照しながら説明する。図13は、有機EL素子におけるホール輸送層、発光層、電子注入輸送層のエネルギー準位が適切に設定されている状態を示す模式図である。 Hereinafter, a method for optimizing the carrier movement in the light emitting layer in the organic EL element will be described with reference to the drawings. FIG. 13 is a schematic view showing a state in which the energy levels of the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron injection transport layer in the organic EL element are appropriately set.

同図に示すように、画素電極(陽極)と対向電極(陰極)との間に電圧が印加された状態において、画素電極からホール輸送層を介して発光層の最高被占軌道(HOMO)に正孔(ホール)が供給されると共に、対向電極から電子注入輸送層を介して発光層の最低空軌道(LUMO)に電子が供給される。そして、発光層に対しホール輸送層側から供給されたホールと電子注入輸送層側から供給された電子とが発光層内で再結合し励起状態を生成して発光する。 As shown in the figure, when a voltage is applied between the pixel electrode (anode) and the counter electrode (cathode), the electron electrode reaches the highest occupied orbital (HOMO) of the light emitting layer via the hole transport layer. Holes are supplied, and electrons are supplied from the counter electrode to the lowest empty orbital (LUMO) of the light emitting layer via the electron injection transport layer. Then, the holes supplied from the hole transport layer side and the electrons supplied from the electron injection transport layer side with respect to the light emitting layer are recombined in the light emitting layer to generate an excited state and emit light.

この再結合において、良好なキャリアバランスが保たれて発光層に注入される電子とホールとが量的に均衡していると、電子とホールとが過不足が少なく再結合される。そのため、残余のホール又は電子が発生することが少なく、多くのホール及び電子を発光に寄与させることができ有機EL素子の発光効率を最適化することができる。 In this recombination, when the electrons and holes injected into the light emitting layer are quantitatively balanced while maintaining a good carrier balance, the electrons and holes are recombined with little excess or deficiency. Therefore, residual holes or electrons are rarely generated, many holes and electrons can be contributed to light emission, and the luminous efficiency of the organic EL element can be optimized.

図14(a)(b)は、それぞれ、特許文献1、2に記載された、従来の有機EL素子2X、2Yの主要部(陽極から陰極に至るまでの部分:以下、「発光部」ともいう。)の積層構造を示す模式図であり、図15(a)(b)は、それぞれ、有機EL素子2X、2Yの動作説明図である。 14 (a) and 14 (b) are the main parts (parts from the anode to the cathode: hereinafter, also referred to as "light emitting parts") of the conventional organic EL elements 2X and 2Y described in Patent Documents 1 and 2, respectively. 15 (a) and 15 (b) are schematic views showing the laminated structure of the organic EL elements 2X and 2Y, respectively.

有機EL素子2Xでは、図14(a)に示すように、画素電極13上にホール注入層15、ホール輸送層16、有機発光層17(以後、「発光層17」と記す場合がある)、電子注入性が高い材料から構成された中間層18X、電子注入輸送層19Xおよび対向電極20を積層して発光部が形成されている。中間層18Xは、アルカリ金属のフッ化物からなる中間層、例えば、フッ化ナトリウム等の金属化合物からなる層から構成され、陰極側に隣接する電子注入輸送層19Xには、ドープされたアルカリ金属又はアルカリ土類金属から選択された仕事関数の低い金属元素M1、例えば、バリウム、セシウム、リチウム等により、中間層のアルカリ金属のフッ化物が還元されて、部分的にアルカリ金属が解離することにより、電子注入性が高められた構成が採られている。 In the organic EL element 2X, as shown in FIG. 14A, the hole injection layer 15, the hole transport layer 16, and the organic light emitting layer 17 (hereinafter, may be referred to as “light emitting layer 17”) are formed on the pixel electrode 13. A light emitting portion is formed by laminating an intermediate layer 18X, an electron injection transport layer 19X, and a counter electrode 20 made of a material having high electron injection properties. The intermediate layer 18X is composed of an intermediate layer made of an alkali metal fluoride, for example, a layer made of a metal compound such as sodium fluoride, and the electron injection transport layer 19X adjacent to the cathode side is made of a doped alkali metal or A metal element M1 with a low work function selected from alkaline earth metals, such as barium, cesium, and lithium, reduces the fluoride of the alkali metal in the intermediate layer and partially dissociates the alkali metal. A configuration with improved electron injection is adopted.

一般に、有機発光層を始めとする有機層17は、水分を吸収・透過しやすい性質を有している。また、金属元素M1は、活性な性質をもち、発光層17中の水分などと反応して特性が劣化し素子寿命が低下する傾向にある。 In general, the organic layer 17 including the organic light emitting layer has a property of easily absorbing and permeating water. Further, the metal element M1 has an active property and tends to react with water in the light emitting layer 17 to deteriorate the characteristics and the device life.

これに対し、有機EL素子2Xでは、電子注入輸送層19Xと発光層17との間に、アルカリ金属のフッ化物からなる中間層18Xを設けて、発光層17中の水分等が電子注入輸送層19Xに浸透することを防止して耐環境性を高めるとともに、中間層18X中の金属化合物の一部が電子注入輸送層19Xに含まれる金属元素M1により還元されて、部分的にアルカリ金属に解離することにより、中間層18Xから発光層17への電子注入性を向上する機能を有するとされる。 On the other hand, in the organic EL element 2X, an intermediate layer 18X made of an alkali metal fluoride is provided between the electron injection transport layer 19X and the light emitting layer 17, and moisture and the like in the light emitting layer 17 are electron injection transport layer. While preventing penetration into 19X and improving environmental resistance, a part of the metal compound in the intermediate layer 18X is reduced by the metal element M1 contained in the electron injection transport layer 19X and partially dissociated into an alkali metal. By doing so, it is said that it has a function of improving the electron injection property from the intermediate layer 18X to the light emitting layer 17.

発明者の検討によると、この有機EL素子2Xでは、図15(a)に示すように、発光層17の陰極側の隣接層としてホールブロック層18Yより電子注入性が高い材料からなる中間層18Xの採用により、発光層17への電子注入性が良化し、発光層17内において電子が不足することは抑止される。 According to the study of the inventor, in this organic EL element 2X, as shown in FIG. 15A, an intermediate layer 18X made of a material having higher electron injection property than the hole block layer 18Y as an adjacent layer on the cathode side of the light emitting layer 17 By adopting the above, the electron injection property into the light emitting layer 17 is improved, and the shortage of electrons in the light emitting layer 17 is suppressed.

しかしながら、有機EL素子2Xでは、発光層17の陰極側の隣接層として、後述するホールブロック層18Yと比較してHOMO準位の絶対値が小さい中間層18Xを設けているために、発光層17から電子注入輸送層19Xへのホールや励起子のブロックが十分でない。さらに、発明者の検討では、中間層18Xの金属化合物の一部が電子注入輸送層19Xに含まれる金属元素によって還元されることにより、中間層18Xのホール及び励起子に対するブロック性が低下すると考えられる。このホールブロック性が低いと、電子注入輸送層19X側にホールが侵入して電子注入輸送層19X内で電子と結合して励起子が発生し、電子注入輸送層19Xの劣化を引き起こし素子寿命が低下する。また、励起子に対するブロック性が低いと、発光層17中で発生した励起子が電子注入輸送層19Xに拡散し、電子注入輸送層19Xの劣化を引き起こし素子寿命が低下することが想定される。 However, in the organic EL element 2X, since the intermediate layer 18X having a smaller absolute value of the HOMO level than the hole block layer 18Y described later is provided as an adjacent layer on the cathode side of the light emitting layer 17, the light emitting layer 17 is provided. There are not enough holes and excitons blocked from the electron injection transport layer 19X. Further, in the study of the inventor, it is considered that a part of the metal compound of the intermediate layer 18X is reduced by the metal element contained in the electron injection transport layer 19X, so that the blocking property of the intermediate layer 18X with respect to holes and excitons is lowered. Be done. If this hole blocking property is low, holes invade the electron injection transport layer 19X side and combine with electrons in the electron injection transport layer 19X to generate excitons, causing deterioration of the electron injection transport layer 19X and shortening the device life. descend. Further, if the blocking property for excitons is low, it is assumed that the excitons generated in the light emitting layer 17 diffuse to the electron injection transport layer 19X, causing deterioration of the electron injection transport layer 19X and shortening the device life.

さらに、中間層18X中に金属化合物が存在することにより、発光層17中の水分等の電子注入輸送層19Xへの浸透を防止し耐環境性を高めることが可能となるが、中間層18Xの金属化合物の一部が電子注入輸送層19Xに含まれる金属元素によって還元されることにより、金属化合物が解離して中間層18Xの耐環境性の低下が懸念される。 Further, the presence of the metal compound in the intermediate layer 18X makes it possible to prevent the permeation of moisture and the like in the light emitting layer 17 into the electron injection transport layer 19X and enhance the environmental resistance. When a part of the metal compound is reduced by the metal element contained in the electron injection transport layer 19X, there is a concern that the metal compound is dissociated and the environmental resistance of the intermediate layer 18X is lowered.

一方、有機EL素子2Yでは、図14(b)に示すように、画素電極13上にホール注入層15、ホール輸送層16、発光層17、ホールブロック層18Y(HBL)、電子注入輸送層19Yおよび対向電極20を積層して発光部が形成されている。 On the other hand, in the organic EL element 2Y, as shown in FIG. 14B, the hole injection layer 15, the hole transport layer 16, the light emitting layer 17, the hole block layer 18Y (HBL), and the electron injection transport layer 19Y are on the pixel electrode 13. And the counter electrode 20 are laminated to form a light emitting portion.

有機EL素子2Yでは、図15(b)に示すように、発光層17の陰極側の隣接層として発光層17よりもHOMO準位の絶対値が大きいホールブロック層18Yの採用により、発光層17から電子注入輸送層19Yへのホール及び励起子の移動が遮断される。これにより、発光層17内にホールを閉じ込めて電子との結合するホールの比率を増加させるとともに、励起子のエネルギーを効率的に光に変換することが可能となる。 In the organic EL element 2Y, as shown in FIG. 15B, by adopting the hole block layer 18Y having a larger absolute value of the HOMO level than the light emitting layer 17 as an adjacent layer on the cathode side of the light emitting layer 17, the light emitting layer 17 The movement of holes and excitons from the electron injection transport layer 19Y to the electron injection transport layer 19Y is blocked. This makes it possible to confine holes in the light emitting layer 17 and increase the ratio of holes bonded to electrons, and to efficiently convert exciton energy into light.

しかしながら、有機材料から構成されるホールブロック層18Yは、発光層17中の水分等の電子注入輸送層19Yへの浸透を防止し耐環境性を高める機能が不十分であるため、活性な電子注入輸送層19Yの劣化を引き起こし、電子注入性低下、キャリアバランスの悪化に伴い素子寿命が低下することが想定される。 However, since the hole block layer 18Y made of an organic material has insufficient function of preventing the permeation of water and the like in the light emitting layer 17 into the electron injection transport layer 19Y and enhancing the environmental resistance, active electron injection is performed. It is assumed that the transport layer 19Y is deteriorated, and the device life is shortened due to a decrease in electron injection property and a deterioration in carrier balance.

特に、低コスト化が可能な有機層を形成するための有機材料と溶媒を含む溶液(以下、単に「インク」と称する。)を、印刷装置で塗布して形成するウエットプロセス(湿式法)を用いて製造される有機EL素子では、有機層中の水分残留量が蒸着法などのドライプロセス(乾式法)によって成膜する場合よりも格段に多いため、下層の有機層中の水分が電子注入輸送層に浸透して電子注入輸送層中のアルカリ金属等と反応し、発光特性の劣化が大きいことが懸念される。そのため、発光層が塗布膜からなる素子構成では、耐環境性について、さらなる向上が求められていた。 In particular, a wet process (wet method) in which a solution containing an organic material and a solvent for forming an organic layer capable of reducing costs (hereinafter, simply referred to as "ink") is applied by a printing apparatus to form the organic layer is performed. In the organic EL element manufactured by using the organic EL element, the residual amount of water in the organic layer is much larger than that in the case of forming a film by a dry process (dry method) such as a vapor deposition method, so that the water in the lower organic layer is electron-injected. It is feared that it permeates the transport layer and reacts with the alkali metal or the like in the electron injection transport layer, resulting in a large deterioration in light emission characteristics. Therefore, in an element configuration in which the light emitting layer is made of a coating film, further improvement in environmental resistance has been required.

上記課題を解決するため、発明者は、ホールブロック性と電子注入性並びに耐環境性を確保し、素子寿命を向上する有機EL素子の積層構成について鋭意検討を行い、本開示の一態様に係る有機EL素子及び有機EL表示パネルに想到したものである。 In order to solve the above problems, the inventor has diligently studied a laminated structure of an organic EL device that secures hole blockability, electron injection property, and environmental resistance and improves the device life, and relates to one aspect of the present disclosure. It came up with the idea of an organic EL element and an organic EL display panel.

≪発明を実施するための形態の概要≫
本開示の一態様に係る自発光素子は、画素電極と、前記画素電極の上方に配された発光材料を含む発光層と、前記発光層の上に配され、金属フッ化物からなる第1の機能層と、前記第1の機能層の上に配され、電子輸送性および電子注入性のうち少なくとも一方の性質を有する第1の有機材料を含む第2の機能層と、前記第2の機能層の上方に配された対向電極とを備え、前記第2の機能層には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及び希土類元素から選択され、前記金属フッ化物に対する還元性を有する1以上の金属元素を含まないことを特徴とする。また、別の態様では、前記金属フッ化物は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及び希土類元素のフッ化物としてもよい。また、別の態様では、前記金属フッ化物は、フッ化ナトリウムとしてもよい。
<< Outline of the form for carrying out the invention >>
The self-luminous element according to one aspect of the present disclosure is a first light emitting element composed of a pixel electrode, a light emitting layer containing a light emitting material arranged above the pixel electrode, and a metal fluoride arranged on the light emitting layer. A functional layer, a second functional layer arranged on the first functional layer and containing a first organic material having at least one of electron transporting property and electron injecting property, and the second functional layer. A counter electrode arranged above the layer is provided, and the second functional layer is one or more metals selected from alkali metals, alkaline earth metals, and rare earth elements and having a reducing property with respect to the metal fluoride. It is characterized by containing no element. In another aspect, the metal fluoride may be a fluoride of an alkali metal, an alkaline earth metal, and a rare earth element. In another aspect, the metal fluoride may be sodium fluoride.

係る構成により、フッ化ナトリウム等の金属フッ化物に対する還元性を有する金属元素が第1の機能層に波及して、第1の機能層を構成するフッ化ナトリウム等の金属フッ化物が還元されて、部分的にナトリウムが解離することを防止して、ホールブロック性が低下することを防止するとともに、第1の機能層から発光層への電子注入性を良化させることができる。これにより、ホールブロック性と電子注入性とを担保して、発光層におけるキャリアバランスを向上できる。 With such a configuration, a metal element having a reducing property for metal fluoride such as sodium fluoride spreads to the first functional layer, and the metal fluoride such as sodium fluoride constituting the first functional layer is reduced. It is possible to prevent partial dissociation of sodium, prevent deterioration of hole blocking property, and improve electron injection property from the first functional layer to the light emitting layer. As a result, the hole blocking property and the electron injecting property can be ensured, and the carrier balance in the light emitting layer can be improved.

また、第1の機能層のフッ化ナトリウムの解離を防止することにより、発光層中の水分等の第2の機能層への浸透を抑止でき耐環境性を向上できる。これにより、自発光素子及び自発光表示パネルでは、ホールブロック性、電子注入性、及び耐環境性を確保して、素子寿命を向上することができる。 Further, by preventing the dissociation of sodium fluoride in the first functional layer, it is possible to suppress the permeation of water in the light emitting layer into the second functional layer and improve the environmental resistance. As a result, in the self-luminous element and the self-luminous display panel, hole blockability, electron injection property, and environmental resistance can be ensured, and the element life can be improved.

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記金属元素は、バリウム、リチウム、セシウム、及びイッテルビウムから選択される1以上の金属元素である構成としてもよい。 In another aspect, in any of the above embodiments, the metal element may be one or more metal elements selected from barium, lithium, cesium, and ytterbium.

係る構成により、ホールブロック性と電子注入性とを担保して、発光層におけるキャリアバランスを向上し、素子寿命を向上する自発光素子を具体的に実現できる。 With such a configuration, it is possible to specifically realize a self-luminous element that secures hole blockability and electron injection property, improves carrier balance in the light emitting layer, and improves element life.

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記第1の機能層の膜厚は、5nm以下である構成としてもよい。 In another aspect, in any of the above embodiments, the film thickness of the first functional layer may be 5 nm or less.

係る構成により、上記以外の範囲に比べて、素子寿命を急峻に増加させることができる。 With such a configuration, the device life can be sharply increased as compared with the range other than the above.

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記第1の機能層の膜厚は、1nm以上5nm以下である構成としてもよい。 In another aspect, in any of the above embodiments, the film thickness of the first functional layer may be 1 nm or more and 5 nm or less.

係る構成により、素子寿命をより一層増加させることができる。 With such a configuration, the device life can be further increased.

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記第2の機能層の膜厚は、5nm以上30nm以下である構成としてもよい。 In another aspect, in any of the above embodiments, the film thickness of the second functional layer may be 5 nm or more and 30 nm or less.

係る構成により、第3の機能層(電子注入輸送層)に含まれる金属元素が第1の機能層に波及し、第1の機能層中のフッ化ナトリウムが還元されることを抑止するとともに、発光層への電子注入性を良化させることができる。 With such a configuration, the metal element contained in the third functional layer (electron injection transport layer) is prevented from spreading to the first functional layer and the sodium fluoride in the first functional layer is reduced, and at the same time, It is possible to improve the electron injection property into the light emitting layer.

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記第1の機能層の膜厚は、前記第2の機能層の膜厚以下である構成としてもよい。 In another aspect, in any of the above embodiments, the film thickness of the first functional layer may be equal to or less than the film thickness of the second functional layer.

係る構成により、第1の機能層における電子注入性を確保することができる。 With such a configuration, the electron injection property in the first functional layer can be ensured.

また、別の態様では、上記何れかの態様において、さらに、前記第2の機能層の上であって、前記対向電極の下方に、電子輸送性又はおよび電子注入性のうち少なくとも一方の性質を有する第2の有機材料に、アルカリ金属、アルカリ土類金属および希土類金属から選択された1以上の金属元素がドープされてなる第3の機能層を備えた構成としてもよい。また、別の態様では、上記何れかの態様において、さらに、前記第2の機能層の上であって、前記対向電極の下方に、アルカリ金属、アルカリ土類金属および希土類金属から選択された1以上の金属元素からなる構成としてもよい。また、前記第3の機能層に含まれる金属元素がイッテルビウムである構成としてもよい。 In another aspect, in any of the above embodiments, at least one of the electron transporting property and the electron injecting property is further provided above the second functional layer and below the counter electrode. The second organic material may be provided with a third functional layer doped with one or more metal elements selected from alkali metals, alkaline earth metals and rare earth metals. In another aspect, in any of the above embodiments, one selected from alkali metals, alkaline earth metals and rare earth metals is further above the second functional layer and below the counter electrode. It may be composed of the above metal elements. Further, the metal element contained in the third functional layer may be ytterbium.

係る構成により、フッ化ナトリウム等の金属フッ化物に対する還元性を有する金属元素を含まない第2の機能層(電子輸送層)が存在することにより、第3の機能層(電子注入輸送層)に含まれる金属元素等の影響が、第1の機能層中のフッ化ナトリウムには波及しない構成を採る。そのため、第3の機能層に含まれる金属元素等の含有量を第3の機能層における電子注入性及び電子輸送性に対して最適に設定することができる。第1の機能層におけるフッ化ナトリウムの還元性を考慮して第3の機能層の金属元素等の含有量を決定する必要がなく、第3の機能層における電子注入性及び電子輸送性をより一層高めることができる。 With this configuration, the presence of a second functional layer (electron transport layer) that does not contain a metal element that has a reducing property for metal fluoride such as sodium fluoride causes the third functional layer (electron injection transport layer) to have. The structure is such that the influence of the contained metal elements and the like does not spread to the sodium fluoride in the first functional layer. Therefore, the content of the metal element or the like contained in the third functional layer can be optimally set with respect to the electron injection property and the electron transport property in the third functional layer. It is not necessary to determine the content of metal elements and the like in the third functional layer in consideration of the reducing property of sodium fluoride in the first functional layer, and the electron injectability and electron transport property in the third functional layer are further improved. It can be further enhanced.

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記第3の機能層に含まれる金属元素は、前記第1の機能層に含まれる金属元素と異なる構成としてもよい。 In another aspect, in any of the above embodiments, the metal element contained in the third functional layer may have a different constitution from the metal element contained in the first functional layer.

係る構成により、フッ化ナトリウムからなる第1の機能層を実現できる。 With such a configuration, a first functional layer made of sodium fluoride can be realized.

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記画素電極は光反射性であり、前記対向電極は半透光性である構成としてもよい。 In another aspect, in any of the above embodiments, the pixel electrode may be light-reflecting and the counter electrode may be semipermeable.

係る構成により、トップエミッション型の自発光素子を実現できる。 With such a configuration, a top emission type self-luminous element can be realized.

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記画素電極の上方であって、前記発光層の下方に、ホール輸送性およびホール注入性のうち少なくとも一方の性質を有する有機材料を含む第4の機能層を備えた構成としてもよい。 In another aspect, in any of the above embodiments, an organic material having at least one of hole transportability and hole injection property is contained above the pixel electrode and below the light emitting layer. The configuration may include four functional layers.

係る構成により、画素電極からのホール注入性及びホール輸送性のうち少なくとも一方を向上して、発光層へのホールの供給を促進して高効率化が可能となる。 With such a configuration, at least one of the hole injection property and the hole transport property from the pixel electrode is improved, the supply of holes to the light emitting layer is promoted, and high efficiency can be achieved.

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記発光層および前記第4の機能層のうち少なくとも一方の膜厚は、前記発光層の発する光の波長に応じて異なる構成としてもよい。 In another aspect, in any of the above embodiments, the film thickness of at least one of the light emitting layer and the fourth functional layer may be different depending on the wavelength of the light emitted by the light emitting layer.

係る構成により、光共振器構造を構築が容易になり、発光効率の向上が望める。 With such a configuration, the optical resonator structure can be easily constructed, and the luminous efficiency can be expected to be improved.

また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記発光層および前記第4の機能層のうち少なくとも一方は塗布膜である構成としてもよい。 In another aspect, in any of the above embodiments, at least one of the light emitting layer and the fourth functional layer may be a coating film.

係る構成により、ウエットプロセスの採用により製造コストを低減化できる。ウエットプロセスで成膜する場合には、水分等の不純物の残存量がドライプロセスの場合よりも増えるが、第1の機能層に含まれるフッ化ナトリウムにより残留水分による第2の機能層及び第3の機能層の劣化を抑制して長寿命化が可能である。 With such a configuration, the manufacturing cost can be reduced by adopting the wet process. When the film is formed by the wet process, the residual amount of impurities such as water increases as compared with the case of the dry process, but the sodium fluoride contained in the first functional layer causes the second functional layer and the third functional layer due to the residual water. It is possible to extend the life by suppressing the deterioration of the functional layer.

また、別の態様では、上記何れかの態様において、基板上方に、請求項1から12までのいずれか1項に記載の自発光素子を複数、行列状に配列し、行方向に隣接する自発光素子における発光層は、列方向に延在するバンクによって仕切られている自発光表示パネルとしてもよい。 In another aspect, in any of the above embodiments, a plurality of self-luminous elements according to any one of claims 1 to 12 are arranged in a matrix on the substrate, and the self-luminous elements are adjacent to each other in the row direction. The light emitting layer in the light emitting element may be a self-luminous display panel partitioned by banks extending in the row direction.

係る構成により、ホールブロック性と電子注入性とを担保して、発光層におけるキャリアバランスを向上し、素子寿命を向上する自発光表示パネルを実現できる。 With such a configuration, it is possible to realize a self-luminous display panel that secures hole blockability and electron injection property, improves carrier balance in the light emitting layer, and improves element life.

≪実施の形態≫
以下、本開示の一態様に係る自発光素子及び自発光表示パネルとして有機EL素子および有機ELパネル、有機EL表示装置について、図面を参照しながら説明する。なお、図面は、模式的なものを含んでおり、各部材の縮尺や縦横の比率などが実際とは異なる場合がある。
<< Embodiment >>
Hereinafter, the organic EL element, the organic EL panel, and the organic EL display device as the self-luminous element and the self-luminous display panel according to one aspect of the present disclosure will be described with reference to the drawings. It should be noted that the drawings include schematic ones, and the scale and aspect ratio of each member may differ from the actual ones.

1.有機EL表示装置1の全体構成
図1は、有機EL表示装置1の全体構成を示すブロック図である。有機EL表示装置1は、例えば、テレビ、パーソナルコンピュータ、携帯端末、業務用ディスプレイ(電子看板、商業施設用大型スクリーン)などに用いられる表示装置である。
1. 1. Overall Configuration of Organic EL Display Device 1 FIG. 1 is a block diagram showing an overall configuration of the organic EL display device 1. The organic EL display device 1 is a display device used for, for example, a television, a personal computer, a mobile terminal, a commercial display (electronic signage, a large screen for commercial facilities), and the like.

有機EL表示装置1は、有機EL表示パネル10(以後、「表示パネル10」とする)と、これに電気的に接続された駆動制御部200とを備える。 The organic EL display device 1 includes an organic EL display panel 10 (hereinafter referred to as “display panel 10”) and a drive control unit 200 electrically connected to the organic EL display panel 10.

表示パネル10は、本実施の形態では、上面が長方形状の画像表示面であるトップエミッション型の表示パネルである。表示パネル10では、画像表示面に沿って複数の有機EL素子(不図示)が配列され、各有機EL素子の発光を組み合わせて画像を表示する。なお、表示パネル10は、一例として、アクティブマトリクス方式を採用している。 In the present embodiment, the display panel 10 is a top emission type display panel whose upper surface is a rectangular image display surface. On the display panel 10, a plurality of organic EL elements (not shown) are arranged along the image display surface, and the light emission of each organic EL element is combined to display an image. The display panel 10 adopts an active matrix method as an example.

駆動制御部200は、表示パネル10に接続された駆動回路210と、計算機などの外部装置又はアンテナなどの受信装置に接続された制御回路220とを有する。駆動回路210は、各有機EL素子に電力を供給する電源回路、各有機EL素子への供給電力を制御する電圧信号を印加する信号回路、一定の間隔ごとに電圧信号を印加する箇所を切り替える走査回路などを有する。 The drive control unit 200 includes a drive circuit 210 connected to the display panel 10 and a control circuit 220 connected to an external device such as a computer or a receiving device such as an antenna. The drive circuit 210 is a power supply circuit that supplies electric power to each organic EL element, a signal circuit that applies a voltage signal that controls the electric power supplied to each organic EL element, and a scan that switches a location where a voltage signal is applied at regular intervals. It has a circuit and so on.

制御回路220は、外部装置や受信装置から入力された画像情報を含むデータに応じて、駆動回路210の動作を制御する。 The control circuit 220 controls the operation of the drive circuit 210 according to data including image information input from an external device or a receiving device.

なお、図1では、一例として、駆動回路210が表示パネル10の周囲に4つ配置されているが、駆動制御部200の構成はこれに限定されるものではなく、駆動回路210の数や位置は適宜変更可能である。また、以下では説明のため、図1に示すように、表示パネル10上面の長辺に沿った方向をX方向、表示パネル10上面の短辺に沿った方向をY方向とする。 In FIG. 1, four drive circuits 210 are arranged around the display panel 10 as an example, but the configuration of the drive control unit 200 is not limited to this, and the number and positions of the drive circuits 210 are not limited to this. Can be changed as appropriate. Further, for the sake of explanation below, as shown in FIG. 1, the direction along the long side of the upper surface of the display panel 10 is defined as the X direction, and the direction along the short side of the upper surface of the display panel 10 is defined as the Y direction.

2.表示パネル10の構成
(A)平面構成
図2は、表示パネル10の画像表示面の一部を拡大した模式平面図である。表示パネル10では、一例として、R(赤色)、G(緑色)、B(青色)(以下、単にR、G、Bともいう。)にそれぞれ発光する副画素100R、100G、100Bが行列状に配列されている。副画素100R、100G、100Bは、X方向に交互に並び、X方向に並ぶ一組の副画素100R、100G、100Bが、一つの画素Pを構成している。画素Pでは、階調制御された副画素100R、100G、100Bの発光輝度を組み合わせることにより、フルカラーを表現することが可能である。
2. Configuration of Display Panel 10 (A) Planar Configuration FIG. 2 is a schematic plan view in which a part of the image display surface of the display panel 10 is enlarged. In the display panel 10, as an example, sub-pixels 100R, 100G, and 100B that emit light to R (red), G (green), and B (blue) (hereinafter, also simply referred to as R, G, and B) are arranged in a matrix. It is arranged. The sub-pixels 100R, 100G, and 100B are arranged alternately in the X direction, and a set of sub-pixels 100R, 100G, and 100B arranged in the X direction constitute one pixel P. In the pixel P, it is possible to express full color by combining the emission luminance of the sub-pixels 100R, 100G, and 100B whose gradation is controlled.

また、Y方向においては、副画素100R、副画素100G、副画素100Bのいずれかのみが並ぶことでそれぞれ副画素列CR、副画素列CG、副画素列CBが構成されている。これにより、表示パネル10全体として画素Pが、X方向及びY方向に沿った行列状に並び、この行列状に並ぶ画素Pの発色を組み合わせることにより、画像表示面に画像が表示される。 Further, in the Y direction, only one of the sub-pixel 100R, the sub-pixel 100G, and the sub-pixel 100B is arranged to form the sub-pixel row CR, the sub-pixel row CG, and the sub-pixel row CB, respectively. As a result, the pixels P are arranged in a matrix along the X and Y directions as a whole of the display panel 10, and the image is displayed on the image display surface by combining the coloring of the pixels P arranged in the matrix.

副画素100R、100G、100Bには、それぞれR、G、Bの色に発光する有機EL素子2(R)、2(G)、2(B)(図2、3参照)が配置されている。 Organic EL elements 2 (R), 2 (G), and 2 (B) (see FIGS. 2 and 3) that emit light in the colors R, G, and B are arranged in the sub-pixels 100R, 100G, and 100B, respectively. ..

また、本実施の形態に係る表示パネル10では、いわゆるラインバンク方式を採用している。すなわち、副画素列CR、CG、CBを1列ごとに仕切るバンク14がX方向に間隔をおいて複数配置され、各副画素列CR、CG、CBでは、副画素100R、100G、100Bが、有機発光層を共有している。 Further, the display panel 10 according to the present embodiment employs a so-called line bank method. That is, a plurality of banks 14 for partitioning the sub-pixel columns CR, CG, and CB for each column are arranged at intervals in the X direction, and in each sub-pixel sequence CR, CG, and CB, the sub-pixels 100R, 100G, and 100B are arranged. It shares an organic light emitting layer.

ただし、各副画素列CR、CG、CBでは、副画素100R、100G、100B同士を絶縁する画素規制層141がY方向に間隔をおいて複数配置され、各副画素100R、100G、100Bは、独立して発光することができるようになっている。 However, in each of the sub-pixel sequences CR, CG, and CB, a plurality of pixel regulation layers 141 that insulate the sub-pixels 100R, 100G, and 100B from each other are arranged at intervals in the Y direction, and the sub-pixels 100R, 100G, and 100B are arranged. It can emit light independently.

なお、画素規制層141の高さは、有機発光層のインク塗布時における液面の高さよりも低い。図2では、バンク14及び画素規制層141は点線で表されているが、これは、画素規制層141及びバンク14が、画像表示面の表面に露出しておらず、画像表示面の内部に配置されているからである。 The height of the pixel regulation layer 141 is lower than the height of the liquid level when the organic light emitting layer is coated with ink. In FIG. 2, the bank 14 and the pixel regulation layer 141 are represented by a dotted line, which is because the pixel regulation layer 141 and the bank 14 are not exposed on the surface of the image display surface and are inside the image display surface. Because it is arranged.

(B)断面構成
図3は、図2のA−A線に沿った模式断面図である。表示パネル10において、一つの画素は、R、G、Bをそれぞれ発光する3つの副画素からなり、各副画素は、対応する色を発光する有機EL素子2(R)、2(G)、2(B)で構成される。
(B) Cross-sectional configuration FIG. 3 is a schematic cross-sectional view taken along the line AA of FIG. In the display panel 10, one pixel is composed of three sub-pixels that emit light of R, G, and B, and each sub-pixel emits the corresponding color of the organic EL elements 2 (R), 2 (G), and the like. It is composed of 2 (B).

各発光色の有機EL素子2(R)、2(G)、2(B)は、基本的には、ほぼ同様の構成を有するので、区別しないときは、有機EL素子2として説明する。 Since the organic EL elements 2 (R), 2 (G), and 2 (B) of each emission color basically have substantially the same configuration, they will be described as the organic EL element 2 when they are not distinguished.

図3に示すように、有機EL素子2は、基板11、層間絶縁層12、画素電極(陽極)13、バンク14、ホール注入層15、ホール輸送層16、発光層17、ホールブロック・電子輸送層(第1の機能層)18、電子輸送層(第2の機能層)191、電子注入輸送層(第3の機能層)192、対向電極(陰極)20、および、封止層21とからなる。 As shown in FIG. 3, the organic EL element 2 includes a substrate 11, an interlayer insulating layer 12, a pixel electrode (anode) 13, a bank 14, a hole injection layer 15, a hole transport layer 16, a light emitting layer 17, and a hole block / electron transport. From the layer (first functional layer) 18, the electron transport layer (second functional layer) 191 and the electron injection transport layer (third functional layer) 192, the counter electrode (cathode) 20, and the sealing layer 21. Become.

基板11、層間絶縁層12、ホールブロック・電子輸送層18、電子輸送層191、電子注入輸送層192、対向電極20、および、封止層21は、画素ごとに形成されているのではなく、表示パネル10が備える複数の有機EL素子2に共通して形成されている。 The substrate 11, the interlayer insulating layer 12, the hole block / electron transport layer 18, the electron transport layer 191 and the electron injection transport layer 192, the counter electrode 20, and the sealing layer 21 are not formed for each pixel. It is commonly formed in a plurality of organic EL elements 2 included in the display panel 10.

(1)基板
基板11は、絶縁材料である基材111と、TFT(Thin Film Transistor)層112とを含む。TFT層112には、副画素ごとに駆動回路が形成されている。基材111は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。
(1) Substrate The substrate 11 includes a base material 111 which is an insulating material and a TFT (Thin Film Transistor) layer 112. A drive circuit is formed in the TFT layer 112 for each sub-pixel. The base material 111 includes, for example, a glass substrate, a quartz substrate, a silicon substrate, a molybdenum sulfide, copper, zinc, aluminum, stainless steel, a metal substrate such as magnesium, iron, nickel, gold, and silver, a semiconductor substrate such as gallium arsenic, and a plastic substrate. Etc. can be adopted.

プラスチック材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミド(PI)、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート、ポリアセタール、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち1種、または2種以上を積層した積層体を用いることができる。 As the plastic material, either a thermoplastic resin or a thermosetting resin may be used. For example, polyethylene, polypropylene, polyamide, polyimide (PI), polycarbonate, acrylic resin, polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, polyacetal, other fluororesins, styrene-based, polyolefin-based, polyvinyl chloride-based, polyurethane-based, Various thermoplastic elastomers such as fluororubber type and chlorinated polyethylene type, epoxy resin, unsaturated polyester, silicone resin, polyurethane, etc., or copolymers, blends, polymer alloys, etc. mainly composed of these can be mentioned. A laminated body in which one type or two or more types are laminated can be used.

(2)層間絶縁層
層間絶縁層12は、基板11上に形成されている。層間絶縁層12は、樹脂材料からなり、TFT層112の上面の段差を平坦化するためのものである。樹脂材料としては、例えば、ポジ型の感光性材料が挙げられる。また、このような感光性材料として、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂が挙げられる。また、図3の断面図には示されていないが、層間絶縁層12には、副画素ごとにコンタクトホールが形成されている。
(2) Interlayer Insulation Layer The interlayer insulation layer 12 is formed on the substrate 11. The interlayer insulating layer 12 is made of a resin material and is for flattening a step on the upper surface of the TFT layer 112. Examples of the resin material include a positive type photosensitive material. Moreover, as such a photosensitive material, an acrylic resin, a polyimide resin, a siloxane resin, and a phenol resin can be mentioned. Further, although not shown in the cross-sectional view of FIG. 3, contact holes are formed in the interlayer insulating layer 12 for each sub-pixel.

(3)画素電極
画素電極13は、光反射性の金属材料からなる金属層を含み、層間絶縁層12上に形成されている。画素電極13は、副画素ごとに設けられ、コンタクトホール(不図示)を通じてTFT層112と電気的に接続されている。本実施の形態においては、画素電極13は、陽極として機能する。
(3) Pixel Electrode The pixel electrode 13 includes a metal layer made of a light-reflecting metal material and is formed on the interlayer insulating layer 12. The pixel electrode 13 is provided for each sub-pixel and is electrically connected to the TFT layer 112 through a contact hole (not shown). In this embodiment, the pixel electrode 13 functions as an anode.

光反射性を具備する金属材料の具体例としては、Ag(銀)、Al(アルミニウム)、アルミニウム合金、Mo(モリブデン)、APC(銀、パラジウム、銅の合金)、ARA(銀、ルビジウム、金の合金)、MoCr(モリブデンとクロムの合金)、MoW(モリブデンとタングステンの合金)、NiCr(ニッケルとクロムの合金)などが挙げられる。 Specific examples of the metal material having light reflectivity include Ag (silver), Al (aluminum), aluminum alloy, Mo (molybdenum), APC (alloy of silver, palladium and copper), ARA (silver, rubidium, gold). , MoCr (alloy of molybdenum and chromium), MoW (alloy of molybdenum and tungsten), NiCr (alloy of nickel and chromium) and the like.

画素電極13は、金属層単独で構成してもよいが、金属層の上に、ITO(酸化インジウム錫)やIZO(酸化インジウム亜鉛)のような金属酸化物からなる層を積層した積層構造としてもよい。 The pixel electrode 13 may be composed of a metal layer alone, but as a laminated structure in which a layer made of a metal oxide such as ITO (indium tin oxide) or IZO (indium tin oxide) is laminated on the metal layer. May be good.

(4)バンク・画素規制層
バンク14は、基板11の上方に副画素ごとに配置された複数の画素電極13を、X方向(図2参照)において列毎に仕切るものであって、X方向に並ぶ副画素列CR、CG、CBの間においてY方向に延伸するラインバンク形状である。
(4) Bank / Pixel Control Layer The bank 14 partitions a plurality of pixel electrodes 13 arranged for each sub-pixel above the substrate 11 for each row in the X direction (see FIG. 2), and is in the X direction. It is a line bank shape extending in the Y direction between the sub-pixel rows CR, CG, and CB arranged in the same direction.

このバンク14には、電気絶縁性材料が用いられる。電気絶縁性材料の具体例として、例えば、絶縁性の有機材料(例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂等)が用いられる。 An electrically insulating material is used for the bank 14. As a specific example of the electrically insulating material, for example, an insulating organic material (for example, acrylic resin, polyimide resin, novolak resin, phenol resin, etc.) is used.

バンク14は、発光層17を塗布法で形成する場合に塗布された各色のインクが溢れて混色しないようにするための構造物として機能する。 The bank 14 functions as a structure for preventing the applied inks of each color from overflowing and mixing when the light emitting layer 17 is formed by the coating method.

なお、樹脂材料を用いる際は、加工性の点から感光性を有することが好ましい。当該感光性は、ポジ型、ネガ型のいずれであってもよい。 When a resin material is used, it is preferable to have photosensitivity from the viewpoint of processability. The photosensitivity may be either positive type or negative type.

バンク14は、有機溶媒や熱に対する耐性を有することが好ましい。また、インクの流出を抑制するために、バンク14の表面は所定の撥液性を有することが好ましい。 The bank 14 preferably has resistance to organic solvents and heat. Further, in order to suppress the outflow of ink, it is preferable that the surface of the bank 14 has a predetermined liquid repellency.

画素電極13が形成されていない部分において、バンク14の底面が層間絶縁層12の上面と接している。 In the portion where the pixel electrode 13 is not formed, the bottom surface of the bank 14 is in contact with the upper surface of the interlayer insulating layer 12.

画素規制層141は、電気絶縁性材料からなり、各副画素列においてY方向(図2)に隣接する画素電極13の端部を覆い、当該Y方向に隣接する画素電極13同士を仕切っている。 The pixel regulation layer 141 is made of an electrically insulating material, covers the ends of the pixel electrodes 13 adjacent to the Y direction (FIG. 2) in each sub-pixel row, and partitions the pixel electrodes 13 adjacent to the Y direction. ..

画素規制層141の膜厚は、画素電極13の膜厚よりも若干大きいが、発光層17の上面までの厚みよりも小さくなるように設定されている。これにより、各副画素列CR、CG、CBにおける発光層17は、画素規制層141によっては仕切られず、発光層17を形成する際のインクの流動が妨げられない。そのため、各副画素列における発光層17の厚みを均一に揃えることを容易にする。 The film thickness of the pixel regulation layer 141 is set to be slightly larger than the film thickness of the pixel electrode 13 but smaller than the thickness up to the upper surface of the light emitting layer 17. As a result, the light emitting layer 17 in each of the sub-pixel rows CR, CG, and CB is not partitioned by the pixel regulating layer 141, and the flow of ink when forming the light emitting layer 17 is not hindered. Therefore, it is easy to make the thickness of the light emitting layer 17 in each sub-pixel row uniform.

画素規制層141は、上記構造により、Y方向に隣接する画素電極13の電気絶縁性を向上しつつ、各副画素列CR、CG、CBにおける発光層17の段切れ抑制、画素電極13と対向電極20との間の電気絶縁性の向上などの役割を有する。 With the above structure, the pixel regulation layer 141 improves the electrical insulation of the pixel electrodes 13 adjacent to each other in the Y direction, suppresses the step breakage of the light emitting layer 17 in each of the sub-pixel rows CR, CG, and CB, and faces the pixel electrodes 13. It has a role of improving the electrical insulation between the electrode 20 and the like.

画素規制層141に用いられる電気絶縁性材料の具体例としては、上記バンク14の材料として例示した樹脂材料や無機材料などが挙げられる。また、上層となる発光層17を形成する際、インクが濡れ広がりやすいように、画素規制層141の表面はインクに対する親液性を有することが好ましい。 Specific examples of the electrically insulating material used for the pixel regulation layer 141 include a resin material and an inorganic material exemplified as the material of the bank 14. Further, when the light emitting layer 17 to be the upper layer is formed, it is preferable that the surface of the pixel regulation layer 141 has a liquid property to the ink so that the ink can be easily wetted and spread.

(5)ホール注入層
ホール注入層15は、画素電極13から発光層17へのホール(正孔)の注入を促進させる目的で、画素電極13上の開口部14a内に設けられている。ホール注入層15は、例えば、銀(Ag)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、バナジウム(V)、タングステン(W)、ニッケル(Ni)、イリジウム(Ir)などの酸化物、あるいは、PEDOT(ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物)などの導電性ポリマー材料からなる層である。上記の内、酸化金属からなるホール注入層15は、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、発光層17に対しホールを注入する機能を有する。本実施の形態においては、ホール注入層15は、PEDOT(ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物)などの導電性ポリマー材料で印刷法などのウエットプロセスにより形成する。
(5) Hole Injection Layer The hole injection layer 15 is provided in the opening 14a on the pixel electrode 13 for the purpose of promoting the injection of holes (holes) from the pixel electrode 13 into the light emitting layer 17. The hole injection layer 15 is formed by, for example, an oxide such as silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), vanadium (V), tungsten (W), nickel (Ni), iridium (Ir), or PEDOT. A layer made of a conductive polymer material such as (mixture of polythiophene and polystyrene sulfonic acid). Among the above, the hole injection layer 15 made of a metal oxide has a function of injecting holes into the light emitting layer 17 stably or assisting the formation of holes. In the present embodiment, the hole injection layer 15 is formed of a conductive polymer material such as PEDOT (a mixture of polythiophene and polystyrene sulfonic acid) by a wet process such as a printing method.

(6)ホール輸送層
ホール輸送層16は、ホール注入層15から注入された正孔を発光層17へ輸送する機能を有する。ホール輸送層16は、例えば、アリールアミン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体等、または、これらの組み合わせからなる材料である。
(6) Hole transport layer The hole transport layer 16 has a function of transporting holes injected from the hole injection layer 15 to the light emitting layer 17. The hole transport layer 16 includes, for example, an arylamine derivative, a triazole derivative, an oxadiazole derivative, an imidazole derivative, a polyarylalkane derivative, a pyrazoline derivative and a pyrazolone derivative, a phenylenediamine derivative, an amino-substituted chalcone derivative, an oxazole derivative, and a styrylanthracene derivative. It is a material consisting of a fluorenone derivative, a hydrazone derivative, a stillben derivative, a butadiene compound, a polystyrene derivative, a hydrazone derivative, a triphenylmethane derivative, a tetraphenylbenzine derivative, or a combination thereof.

また、ポリフルオレンやその誘導体、あるいは、ポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物であって、親水基を備えないものなどを用いて印刷法などのウエットプロセスにより形成されてもよい。 Further, polyfluorene or a derivative thereof, or a polymer compound such as polyarylamine or a derivative thereof, which does not have a hydrophilic group, may be formed by a wet process such as a printing method.

(7)有機発光層
発光層17は、開口部14a内に形成されており、正孔と電子の再結合により、R、G、Bの各色の光を発光する機能を有する。なお、特に、発光色を特定して説明する必要があるときには、発光層17(R)、17(G)、17(B)と記す。
(7) Organic Light Emitting Layer The light emitting layer 17 is formed in the opening 14a and has a function of emitting light of each color of R, G, and B by recombination of holes and electrons. In particular, when it is necessary to specify and explain the emission color, the emission layers 17 (R), 17 (G), and 17 (B) are described.

発光層17に用いられる有機発光材料としては公知の材料を利用することができる。例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、8−ヒドロキシキノリン化合物の金属鎖体、2−ビピリジン化合物の金属鎖体、シッフ塩とIII族金属との鎖体、オキシン金属鎖体、希土類鎖体等の蛍光物質や、トリス(2-フェニルピリジン)イリジウムなどの燐光を発光する金属錯体等の公知の燐光物質を用いることができる。 A known material can be used as the organic light emitting material used for the light emitting layer 17. For example, oxinoid compounds, perylene compounds, coumarin compounds, azacumine compounds, oxazole compounds, oxaziazole compounds, perinone compounds, pyrolopyrrole compounds, naphthalene compounds, anthracene compounds, fluorene compounds, fluoranthene compounds, tetracene compounds, pyrene compounds, coronen compounds, Kinolone compounds and azaquinolone compounds, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, rhodamine compounds, chrysene compounds, phenanthrene compounds, cyclopentadiene compounds, stilben compounds, diphenylquinone compounds, styryl compounds, butadiene compounds, dicyanomethylenepyran compounds, dicyanomethylenethiopyran compounds, fluorescein Compounds, pyririum compounds, thiapyrrium compounds, selenapyrylium compounds, tellropyrylium compounds, aromatic aldaziene compounds, oligophenylene compounds, thioxanthene compounds, anthracene compounds, cyanine compounds, acrydin compounds, metal chains of 8-hydroxyquinoline compounds, 2- Fluorescent substances such as metal chains of bipyridine compounds, chains of shift salts and Group III metals, oxine metal chains, rare earth chains, and metal complexes that emit phosphorescence such as tris (2-phenylpyridine) iridium. Known phosphorescent substances can be used.

(8)ホールブロック・電子輸送層18(第1の機能層)
ホールブロック・電子輸送層18は、発光層17から電子輸送層191へのホール、励起子の移動を遮断すると共に、対向電極20からの電子を発光層17へ輸送する機能を有する。ホールブロック・電子輸送層18は、画素電極13から注入されたホールが再結合に寄与することなく発光層17を通過して電子輸送層191へ注入されることを防ぐことでホールを発光層17内に閉じ込めるとともに、発光層17で生成された励起エネルギーが電子輸送層191内の分子にエネルギー移動することを防ぐ機能を有する。これにより、発光効率の低下と素子寿命の低下を抑制することができる。
(8) Hole block / electron transport layer 18 (first functional layer)
The hole block / electron transport layer 18 has a function of blocking the movement of holes and excitons from the light emitting layer 17 to the electron transport layer 191 and transporting electrons from the counter electrode 20 to the light emitting layer 17. The hole block / electron transport layer 18 prevents the holes injected from the pixel electrode 13 from passing through the light emitting layer 17 and being injected into the electron transport layer 191 without contributing to recombination, thereby forming the holes into the light emitting layer 17. It has a function of confining the inside and preventing the excitation energy generated in the light emitting layer 17 from being transferred to the molecules in the electron transport layer 191. As a result, it is possible to suppress a decrease in luminous efficiency and a decrease in device life.

ホールブロック・電子輸送層18は、発光層17の陰極側に隣接して配され、金属フッ化物、例えば、フッ化ナトリウム(NaF)が、蒸着により堆積されてなる第1の機能層である。 The hole block / electron transport layer 18 is a first functional layer arranged adjacent to the cathode side of the light emitting layer 17 and in which metal fluoride, for example, sodium fluoride (NaF) is deposited by vapor deposition.

ホールブロック・電子輸送層18は、所定の膜厚のフッ化ナトリウムにより形成されることにより、電子輸送性を向上させることができる。また、フッ化ナトリウムは、後述する金属元素M1及び金属元素M2によって還元されることがないため、ホールブロック・電子輸送層18中において化合物として存在する。このように、フッ化ナトリウムの解離を防止することにより、ホールブロック性の低下を防止することができる。 The hole block / electron transport layer 18 is formed of sodium fluoride having a predetermined film thickness, so that the electron transport property can be improved. Moreover, since sodium fluoride is not reduced by the metal element M1 and the metal element M2 described later, it exists as a compound in the hole block / electron transport layer 18. By preventing the dissociation of sodium fluoride in this way, it is possible to prevent a decrease in hole blocking property.

また、フッ化ナトリウム以外の金属フッ化物としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及び希土類元素のフッ化物としてもよい。例えば、フッ化イッテルビウム(YbF3)、フッ化リチウム(LiF)、フッ化バリウム(BaF2)が好適である。その他に、アルカリ金属フッ化物として、フッ化セリウム(CeF3)、フッ化リチウム(LiF)、フッ化ナトリウム(NaF)、アルカリ土類金属フッ化物として、フッ化カルシウム(CaF2)、フッ化マグネシウム(MgF2)、フッ化バリウム(BaF2)、希土類金属フッ化物として、フッ化ランタン(LaF3)、フッ化ネオジウム(NdF3)、フッ化サマリウム(SmF3)、フッ化イッテルビウム(YbF3)、フッ化イットリウム(YF3)、フッ化ガドリニウム(GdF3)等を用いてもよい。 Further, the metal fluoride other than sodium fluoride may be an alkali metal, an alkaline earth metal, or a fluoride of a rare earth element. For example, ytterbium fluoride (YbF 3 ), lithium fluoride (LiF), and barium fluoride (BaF 2 ) are suitable. In addition, as alkali metal fluoride, cerium fluoride (CeF 3 ), lithium fluoride (LiF), sodium fluoride (NaF), as alkaline earth metal fluoride, calcium fluoride (CaF 2 ), magnesium fluoride (MgF 2 ), barium fluoride (BaF 2 ), as rare earth metal fluoride, lanthanum fluoride (LaF 3 ), neodium fluoride (NdF 3 ), samarium fluoride (SmF 3 ), yttrium fluoride (YbF 3 ) , Yttrium fluoride (YF 3 ), gadolinium fluoride (GdF 3 ) and the like may be used.

ホールブロック・電子輸送層18の膜厚は、0nmより厚く5nm以下、より好ましくは1nm以上5nm以下であることが好ましい。フッ化ナトリウムを所定量含み、厚みを1nm以上であることにより、ホール及び励起子の移動を遮断し、厚みを5nm以下であることにより、発光層17への電子注入性を良化させる機能を有する。 The film thickness of the hole block / electron transport layer 18 is thicker than 0 nm and is 5 nm or less, more preferably 1 nm or more and 5 nm or less. A function of containing a predetermined amount of sodium fluoride and having a thickness of 1 nm or more to block the movement of holes and excitons, and having a thickness of 5 nm or less to improve the electron injection property into the light emitting layer 17. Have.

すなわち、ホールブロック・電子輸送層18における発光層と隣接層との間のキャリア移動の適正化することができる。図5(a)は、有機EL素子2における発光層、ホールブロック・電子輸送層、電子輸送層、電子注入輸送層のエネルギー準位を示す概略図、(b)は動作説明図である。 That is, it is possible to optimize the carrier movement between the light emitting layer and the adjacent layer in the hole block / electron transport layer 18. FIG. 5A is a schematic diagram showing energy levels of the light emitting layer, the hole block / electron transport layer, the electron transport layer, and the electron injection transport layer in the organic EL element 2, and FIG. 5B is an operation explanatory diagram.

ホールブロック・電子輸送層18は、発光層17よりも構成材料のHOMO準位が低い(HOMO準位の絶対値が大きい)ことにより、発光層17から電子輸送層191へのホール、励起子の移動を遮断する機能を有する。具体的には、ホールブロック・電子輸送層18を構成する有機材料のHOMOの絶対値は6.0eV以上とすることにより、ホールブロック・電子輸送層18に含まれる分子のHOMO準位と発光層17に含まれる分子のそれとの差(図5(a)におけるA)を、0.2eV以上、より好ましくは、0.5eV以上とした構成を採ることができる。これにより、図5(b)に示すように、発光層17から電子輸送層191へのホール及び励起子の移動を遮断することができる。これより、電子注入輸送層192側にホールが侵入して電子注入輸送層192内で電子と結合して励起子が発生し、電子注入輸送層192の劣化を引き起こす、あるいは、発光層17中で発生した励起子が電子注入輸送層192に拡散し、電子注入輸送層192の劣化を引き起こし素子寿命が低下することを抑止できる。 Since the HOMO level of the constituent material of the hole block / electron transport layer 18 is lower than that of the light emitting layer 17 (the absolute value of the HOMO level is large), holes and excitons from the light emitting layer 17 to the electron transport layer 191 can be formed. It has a function to block movement. Specifically, by setting the absolute value of HOMO of the organic material constituting the hole block / electron transport layer 18 to 6.0 eV or more, the HOMO level and the light emitting layer of the molecules contained in the hole block / electron transport layer 18 are set. A configuration can be adopted in which the difference between the molecule contained in 17 and that of the molecule (A in FIG. 5A) is 0.2 eV or more, more preferably 0.5 eV or more. As a result, as shown in FIG. 5B, the movement of holes and excitons from the light emitting layer 17 to the electron transporting layer 191 can be blocked. As a result, holes invade the electron injection transport layer 192 side and combine with electrons in the electron injection transport layer 192 to generate excitons, which causes deterioration of the electron injection transport layer 192 or in the light emitting layer 17. It is possible to prevent the generated excitons from diffusing into the electron injection transport layer 192, causing deterioration of the electron injection transport layer 192 and shortening the device life.

また、図5(b)に示すように、ホールブロック・電子輸送層18のフッ化ナトリウムの一部が電子注入輸送層192に含まれる金属元素によって還元されることにより、金属化合物が解離してホールブロック・電子輸送層18におけるホールブロック性と耐環境性が低下することを抑止できる。 Further, as shown in FIG. 5B, a part of sodium fluoride in the hole block / electron transport layer 18 is reduced by the metal element contained in the electron injection transport layer 192, so that the metal compound is dissociated. It is possible to prevent deterioration of the hole block property and the environmental resistance of the hole block / electron transport layer 18.

また、上述のとおり、ホールブロック・電子輸送層18の膜厚を、5nm以下とすることにより、図5(b)に示すように、ホールブロック・電子輸送層18から発光層17への電子注入性を良化させることができる。これにより発光層17への電子注入性が高く、発光層17内においてキャリアバランスが良化することから発光効率を高くすることができて、所定の輝度を確保する為に必要な電流密度が低くなって、素子寿命を低下することを抑止できる。 Further, as described above, by setting the film thickness of the hole block / electron transport layer 18 to 5 nm or less, electron injection from the hole block / electron transport layer 18 into the light emitting layer 17 as shown in FIG. 5 (b). The sex can be improved. As a result, the electron injection property into the light emitting layer 17 is high, the carrier balance in the light emitting layer 17 is improved, so that the luminous efficiency can be increased and the current density required to secure a predetermined brightness is low. Therefore, it is possible to prevent the device life from being shortened.

(9)電子輸送層、電子注入輸送層:19
(9−1)電子輸送層191(第2の機能層)
電子輸送層191は、対向電極20からの電子を発光層17へ輸送する機能を有する。電子輸送層191は、ホールブロック・電子輸送層18の陰極側に隣接して配され、電子輸送性および電子注入性のうち少なくとも一方の性質を有する第1の有機材料から構成されている。第1の有機材料(ホスト材料)として、例えば、オキサジアゾール誘導体(OXD)、トリアゾール誘導体(TAZ)、フェナンスロリン誘導体(BCP、Bphen)などのπ電子系低分子有機材料が挙げられるが、これらに限定されない。
(9) Electron transport layer, electron injection transport layer: 19
(9-1) Electron transport layer 191 (second functional layer)
The electron transport layer 191 has a function of transporting electrons from the counter electrode 20 to the light emitting layer 17. The electron transport layer 191 is arranged adjacent to the cathode side of the hole block / electron transport layer 18, and is composed of a first organic material having at least one of electron transport property and electron injection property. Examples of the first organic material (host material) include π-electron low-molecular-weight organic materials such as oxadiazole derivative (OXD), triazole derivative (TAZ), and phenanthroline derivative (BCP, Bphen). Not limited to these.

さらに、電子輸送層191は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及び希土類元素、例えば、バリウム、セシウム、リチウム、イッテルビウム等から選択され、フッ化ナトリウム等のホールブロック・電子輸送層18中の金属フッ化物に対する還元性を有する1以上の金属元素M1を含まない構成を採る。これより、フッ化ナトリウム等の金属フッ化物に対する還元性を有する金属元素M1がホールブロック・電子輸送層18に波及して、ホールブロック・電子輸送層18を構成するアルカリ金属のフッ化物が還元されて、部分的にアルカリ金属が解離することを防止できる。ここで、電子輸送層191は、上記した「金属元素M1を含まない」場合であっても、例えば、電子輸送層191中に、実質的に、ホールブロック・電子輸送層18を構成するアルカリ金属のフッ化物を解離させない程度であれば金属元素M1を含むことは許容してもよい。 Further, the electron transport layer 191 is selected from alkali metals, alkaline earth metals, and rare earth elements such as barium, cesium, lithium, and ytterbium, and is a metal fluoride in the hole block / electron transport layer 18 such as sodium fluoride. A configuration that does not contain one or more metal elements M1 having a reducing property with respect to the compound is adopted. As a result, the metal element M1 having a reducing property for metal fluoride such as sodium fluoride spreads to the hole block / electron transport layer 18, and the fluoride of the alkali metal constituting the hole block / electron transport layer 18 is reduced. Therefore, it is possible to prevent the alkali metal from being partially dissociated. Here, even in the case where the electron transport layer 191 does not contain the metal element M1 described above, for example, the alkali metal that substantially constitutes the hole block / electron transport layer 18 in the electron transport layer 191. It may be allowed to contain the metal element M1 as long as it does not dissociate the fluoride of the above.

また、電子輸送層191の膜厚を、5nm以上とすることにより、電子注入輸送層192に含まれる金属元素M2がホールブロック・電子輸送層18に波及し、ホールブロック・電子輸送層18中のアルカリ金属のフッ化物が還元されることを抑止できる。また、電子輸送層191の厚みを30nm以下であることにより、発光層17への電子注入性を良化させることができる。 Further, by setting the thickness of the electron transport layer 191 to 5 nm or more, the metal element M2 contained in the electron injection transport layer 192 spreads to the hole block / electron transport layer 18, and the metal element M2 in the hole block / electron transport layer 18 spreads. It is possible to prevent the fluoride of the alkali metal from being reduced. Further, when the thickness of the electron transport layer 191 is 30 nm or less, the electron injection property into the light emitting layer 17 can be improved.

(9−2)電子注入輸送層192(第3の機能層)
電子注入輸送層192は、対向電極20から供給される電子を発光層17側へと注入・輸送する機能を有する。電子注入輸送層192は、電子輸送性を有する第2の有機材料に、電子輸送性を高める金属元素等M2がドープされた構成を採ってもよい。
(9-2) Electron injection transport layer 192 (third functional layer)
The electron injection transport layer 192 has a function of injecting and transporting electrons supplied from the counter electrode 20 toward the light emitting layer 17. The electron injection transport layer 192 may adopt a configuration in which a second organic material having electron transportability is doped with M2 such as a metal element that enhances electron transportability.

第2の有機材料(ホスト材料)には、上記した第1の有機材料と同様の有機材料群から選択することができる。第2の有機材料は、第1の有機材料と同一の材料であってもよく、また、異なる材料であってもよい。 The second organic material (host material) can be selected from the same organic material group as the first organic material described above. The second organic material may be the same material as the first organic material, or may be a different material.

金属元素等M2としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及び希土類元素、例えば、リチウム、バリウム、カルシウム、カリウム、セシウム、ナトリウム、ルビジウム等の低仕事関数金属、フッ化リチウム、イッテルビウム等から選択される等の低仕事関数金属塩、酸化バリウム等の低仕事関数金属酸化物、リチウムキノリノール等の低仕事関数金属有機錯体などが用いられる。なお、電子注入輸送層192にリチウムキノリノールが含まれている場合には、対向電極20の金属材料により還元性されて、電子注入輸送層192のリチウムキノリノールは解離されてリチウムとして存在している場合がある。 The metal element M2 is selected from alkali metals, alkaline earth metals, rare earth elements such as lithium, barium, calcium, potassium, cesium, sodium, rubidium and other low work function metals, lithium fluoride, itterbium and the like. Low-work-function metal salts such as ru, low-work-function metal oxides such as barium oxide, low-work-function metal organic complexes such as lithium quinolinol, and the like are used. When the electron injection transport layer 192 contains lithium quinolinol, it is reduced by the metal material of the counter electrode 20, and the lithium quinolinol in the electron injection transport layer 192 is dissociated and exists as lithium. There is.

また、電子注入輸送層192は、アルカリ金属、アルカリ土類金属および希土類金属から選択された1以上の金属元素からなる構成としてもよい。このとき、金属元素がイッテルビウムである構成としてもよい。 Further, the electron injection transport layer 192 may be composed of one or more metal elements selected from alkali metals, alkaline earth metals and rare earth metals. At this time, the metal element may be ytterbium.

(10)対向電極
対向電極20は、透光性の導電性材料からなり、電子注入輸送層192上に形成されている。対向電極20は、陰極として機能する。
(10) Counter electrode The counter electrode 20 is made of a translucent conductive material and is formed on the electron injection transport layer 192. The counter electrode 20 functions as a cathode.

対向電極20としては、例えば、金属薄膜または、ITOやIZOなどの透明導電膜を用いることができる。光共振器構造をより効果的に得るためには、対向電極20の材料として、アルミニウム、マグネシウム、銀、アルミニウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等のうち少なくとも1つの材料からなる金属薄膜を形成するのが望ましい。この場合において、金属薄膜の膜厚は、5nm以上30nm以下とすることが望ましい。これにより、対向電極20が半透光性となり、画素電極13と対向電極20の各反射面との間で光共振器構造を構築することができるため、発光効率をさらに向上できる。 As the counter electrode 20, for example, a metal thin film or a transparent conductive film such as ITO or IZO can be used. In order to obtain the optical resonator structure more effectively, a metal thin film made of at least one of aluminum, magnesium, silver, aluminum-lithium alloy, magnesium-silver alloy and the like is formed as the material of the counter electrode 20. Is desirable. In this case, the film thickness of the metal thin film is preferably 5 nm or more and 30 nm or less. As a result, the counter electrode 20 becomes translucent, and an optical resonator structure can be constructed between the pixel electrode 13 and each reflecting surface of the counter electrode 20, so that the luminous efficiency can be further improved.

なお、上記のような光共振器構造を採用する場合には、電子注入輸送層192と対向電極20の間にITOやIZOなどの透明導電膜を所望の膜厚で形成して、発光層17と対向電極20間の光学的距離を適切な大きさに調整するのが望ましい。 When the optical resonator structure as described above is adopted, a transparent conductive film such as ITO or IZO is formed between the electron injection transport layer 192 and the counter electrode 20 with a desired film thickness, and the light emitting layer 17 is formed. It is desirable to adjust the optical distance between the and the counter electrode 20 to an appropriate size.

また、対向電極20上に同じくITOやIZOなどの透明導電膜を形成して、これにより、色度や視野角を調整するようにしてもよい。 Further, a transparent conductive film such as ITO or IZO may be formed on the counter electrode 20 to adjust the chromaticity and the viewing angle.

(11)封止層
封止層21は、ホール輸送層16、発光層17、電子輸送層191、電子注入輸送層192などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりして劣化するのを防止するために設けられるものである。
(11) Sealing layer The sealing layer 21 deteriorates when organic layers such as the hole transport layer 16, the light emitting layer 17, the electron transport layer 191 and the electron injection transport layer 192 are exposed to moisture or air. It is provided to prevent this from happening.

封止層21は、例えば、窒化シリコン(SiN)、酸窒化シリコン(SiON)などの透光性材料を用いて形成される。 The sealing layer 21 is formed by using a translucent material such as silicon nitride (SiN) or silicon oxynitride (SiON).

(12)その他
図3には示されてないが、封止層21上に透明な接着剤を介して防眩用の偏光板や上部基板を貼り合せてもよい。また、各有機EL素子2により発光される光の色度を補正するためのカラーフィルターを貼り合わせてもよい。これらにより、ホール輸送層16、発光層17、電子輸送層191、電子注入輸送層192などを外部の水分および空気などからさらに保護できる。
(12) Others Although not shown in FIG. 3, a polarizing plate for antiglare or an upper substrate may be attached onto the sealing layer 21 via a transparent adhesive. Further, a color filter for correcting the chromaticity of the light emitted by each organic EL element 2 may be attached. As a result, the hole transport layer 16, the light emitting layer 17, the electron transport layer 191 and the electron injection transport layer 192 can be further protected from external moisture, air, and the like.

3.有機EL素子の製造方法
実施の形態に係る有機EL素子2の製造方法について、図6〜図10を用いて以下に説明する。なお、図6は、有機EL素子2の製造過程を示すフローチャートであり、図7〜図10は、有機EL素子2の製造過程を模式的に示す断面図である。
3. 3. Manufacturing Method of Organic EL Element The manufacturing method of the organic EL element 2 according to the embodiment will be described below with reference to FIGS. 6 to 10. 6 is a flowchart showing the manufacturing process of the organic EL element 2, and FIGS. 7 to 10 are cross-sectional views schematically showing the manufacturing process of the organic EL element 2.

(1)基板準備工程
まず、図7(a)に示すように、基材111上にTFT層112を形成して基板11を準備する(図6のステップS1)。TFT層112は、公知のTFTの製造方法により形成することができる。
(1) Substrate Preparation Step First, as shown in FIG. 7A, a TFT layer 112 is formed on the substrate 111 to prepare the substrate 11 (step S1 in FIG. 6). The TFT layer 112 can be formed by a known method for manufacturing a TFT.

(2)層間絶縁層形成工程
次に、図7(b)に示すように、基板11上に、層間絶縁層12を形成する。(図6のステップS2)。
(2) Layer Insulation Layer Forming Step Next, as shown in FIG. 7B, the interlayer insulation layer 12 is formed on the substrate 11. (Step S2 in FIG. 6).

具体的には、一定の流動性を有する樹脂材料を、例えば、ダイコート法により、基板11の上面に沿って、TFT層112による基板11上の凹凸を埋めるように塗布する。これにより、層間絶縁層12の上面は、基材111の上面に沿って平坦化した形状となる。 Specifically, a resin material having a constant fluidity is applied, for example, by a die coating method so as to fill the unevenness on the substrate 11 by the TFT layer 112 along the upper surface of the substrate 11. As a result, the upper surface of the interlayer insulating layer 12 has a flattened shape along the upper surface of the base material 111.

また、層間絶縁層12における、TFT素子の例えばソース電極上の個所にドライエッチング法を行い、コンタクトホール(不図示)を形成する。コンタクトホールは、その底部にソース電極の表面が露出するようにパターニングなどを用いて形成される。 Further, a contact hole (not shown) is formed in the interlayer insulating layer 12 by performing a dry etching method on a portion of the TFT element, for example, on the source electrode. The contact hole is formed by patterning or the like so that the surface of the source electrode is exposed at the bottom thereof.

次に、コンタクトホールの内壁に沿って接続電極層を形成する。接続電極層の上部は、その一部が層間絶縁層12上に配される。接続電極層の形成は、例えば、スパッタリング法を用いることができ、金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法およびウエットエッチング法を用いてパターニングすればよい。 Next, a connection electrode layer is formed along the inner wall of the contact hole. A part of the upper part of the connection electrode layer is arranged on the interlayer insulating layer 12. For the formation of the connection electrode layer, for example, a sputtering method can be used, and after forming a metal film, patterning may be performed using a photolithography method and a wet etching method.

(3)画素電極形成工程
次に、図7(c)に示すように、層間絶縁層12上に画素電極材料層130を形成する。画素電極材料層130は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成することができる。
(3) Pixel Electrode Forming Step Next, as shown in FIG. 7 (c), the pixel electrode material layer 130 is formed on the interlayer insulating layer 12. The pixel electrode material layer 130 can be formed by, for example, a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, or the like.

そして、図7(d)に示すように、画素電極材料層130をエッチングによりパターニングして、副画素ごとに区画された複数の画素電極13を形成する(図6のステップS3)。 Then, as shown in FIG. 7D, the pixel electrode material layer 130 is patterned by etching to form a plurality of pixel electrodes 13 partitioned by sub-pixels (step S3 in FIG. 6).

(4)バンク・画素規制層形成工程
次に、バンク14および画素規制層141を形成する(図6のステップS4)。
(4) Bank / Pixel Restriction Layer Forming Step Next, the bank 14 and the pixel regulation layer 141 are formed (step S4 in FIG. 6).

本実施の形態では、画素規制層141とバンク14を別工程で形成するようにしている。 In the present embodiment, the pixel regulation layer 141 and the bank 14 are formed in separate steps.

(4−1)画素規制層形成
まず、Y方向(図2)における画素電極列を副画素毎に仕切るため、X方向に伸びる画素規制層141を形成する。
(4-1) Formation of Pixel Restriction Layer First, in order to partition the pixel electrode array in the Y direction (FIG. 2) for each sub-pixel, a pixel regulation layer 141 extending in the X direction is formed.

図8(a)に示すように、画素電極13が形成された層間絶縁層12上に、画素規制層141の材料となる感光性の樹脂材料を一様に塗布して、画素規制層材料層1410を形成する。このときの樹脂材料の塗布量は、乾燥後に狙いの画素規制層141の膜厚となるように予め求められている。 As shown in FIG. 8A, a photosensitive resin material used as a material for the pixel regulation layer 141 is uniformly applied onto the interlayer insulating layer 12 on which the pixel electrode 13 is formed, and the pixel regulation layer material layer is formed. Form 1410. The amount of the resin material applied at this time is determined in advance so that the film thickness of the target pixel regulation layer 141 is obtained after drying.

具体的な塗布方法として、例えばダイコート法やスリットコート法、スピンコート法などのウエットプロセスを用いることができる。塗布後には、例えば、真空乾燥及び60℃〜120℃程度の低温加熱乾燥(プリベーク)などを行って不要な溶媒を除去するとともに、画素規制層材料層1410を層間絶縁層12に定着させることが好ましい。 As a specific coating method, for example, a wet process such as a die coating method, a slit coating method, or a spin coating method can be used. After coating, for example, vacuum drying and low-temperature heat drying (pre-baking) at about 60 ° C. to 120 ° C. are performed to remove unnecessary solvents, and the pixel-regulating layer material layer 1410 is fixed to the interlayer insulating layer 12. preferable.

そして、フォトリソグラフィ法を用いて、画素規制層材料層1410をパターニングする。 Then, the pixel regulation layer material layer 1410 is patterned by using a photolithography method.

例えば、画素規制層材料層1410がポジ型の感光性を有する場合は、画素規制層141として残す箇所を遮光し、除去する部分が透明なフォトマスク(不図示)を介して画素規制層材料層1410を露光する。 For example, when the pixel regulation layer material layer 1410 has positive photosensitivity, the portion to be left as the pixel regulation layer 141 is shielded from light, and the portion to be removed is transparent through a photomask (not shown). 1410 is exposed.

次に、現像を行い、画素規制層材料層1410の露光領域を除去することにより、画素規制層141を形成することができる。具体的な現像方法としては、例えば、基板11全体を、画素規制層材料層1410の露光により感光した部分を溶解させる有機溶媒やアルカリ液などの現像液に浸した後、純水などのリンス液で基板11を洗浄すればよい。 Next, the pixel regulation layer 141 can be formed by developing and removing the exposed region of the pixel regulation layer material layer 1410. As a specific developing method, for example, the entire substrate 11 is immersed in a developing solution such as an organic solvent or an alkaline solution that dissolves a portion exposed by exposure of the pixel regulation layer material layer 1410, and then a rinsing solution such as pure water is used. The substrate 11 may be washed with.

その後、所定温度で焼成(ポストベーク)することにより、層間絶縁層12上に、X方向に延伸する画素規制層141を形成することができる(図8(b))。 Then, by firing (post-baking) at a predetermined temperature, a pixel regulation layer 141 extending in the X direction can be formed on the interlayer insulating layer 12 (FIG. 8 (b)).

(4−2)バンク形成
次に、Y方向に伸びるバンク14を上記画素規制層141と同様にして形成する。
(4-2) Bank formation Next, the bank 14 extending in the Y direction is formed in the same manner as the pixel regulation layer 141.

すなわち、上記画素電極13、画素規制層141が形成された層間絶縁層12上に、バンク用の樹脂材料を、ダイコート法などを用いて塗布して、バンク材料層140を形成する(図8(c))。このときの樹脂材料の塗布量は、乾燥後に狙いのバンク14の高さとなるように予め求められている。 That is, the bank material layer 140 is formed by applying a bank resin material on the interlayer insulating layer 12 on which the pixel electrode 13 and the pixel regulation layer 141 are formed by using a die coating method or the like (FIG. 8 (FIG. 8). c)). The amount of the resin material applied at this time is determined in advance so that the height of the target bank 14 is reached after drying.

そして、フォトリソグラフィ法によりバンク材料層140にY方向に延在するバンク14をパターニングした後、所定の温度で焼成してバンク14を形成する(図8(d))。 Then, after patterning the bank 14 extending in the Y direction on the bank material layer 140 by a photolithography method, the bank 14 is formed by firing at a predetermined temperature (FIG. 8 (d)).

なお、上記では、画素規制層141とバンク14のそれぞれの材料層をウエットプロセスで形成した後にパターニングするようにしたが、いずれか一方または双方の材料層をドライプロセスで形成して、フォトリソグラフィ法とエッチング法により、パターニングするようにしてもよい。 In the above, the material layers of the pixel regulation layer 141 and the bank 14 are formed by a wet process and then patterned, but one or both of the material layers are formed by a dry process and a photolithography method is performed. The patterning may be performed by the etching method.

(5)第4の機能層(ホール注入層、ホール輸送層)形成工程
第4の機能層形成工程は、ホール注入層15の形成とホール輸送層16の形成を含む(図6のステップS5)。
(5) Fourth functional layer (hole injection layer, hole transport layer) forming step The fourth functional layer forming step includes the formation of the hole injection layer 15 and the formation of the hole transport layer 16 (step S5 in FIG. 6). ..

まず、ホール注入層15は、PEDOT:PSS(ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物)などの導電性ポリマー材料を含むインクを印刷装置の塗布ヘッド301のノズル3011から吐出して、開口部14a内に塗布し、溶媒を揮発除去させ、および/または焼成することにより形成される。 First, the hole injection layer 15 ejects ink containing a conductive polymer material such as PEDOT: PSS (mixture of polythiophene and polystyrene sulfonic acid) from the nozzle 3011 of the coating head 301 of the printing apparatus into the opening 14a. It is formed by coating, volatilizing and / or firing the solvent.

ホール輸送層16は、上記ホール注入層15上に、ホール輸送層16の構成材料を含むインクを塗布した後、溶媒を揮発除去させ、および/または、焼成することにより形成される。ホール輸送層16の構成材料として、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいは、ポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物であって、親水基を備えないものなどである。塗布方法は、ホール注入層15の場合と同じである。 The hole transport layer 16 is formed by applying an ink containing the constituent material of the hole transport layer 16 on the hole injection layer 15 and then volatilizing and removing the solvent and / or firing. Examples of the constituent material of the hole transport layer 16 include polyfluorene and its derivatives, or polymer compounds such as polyarylamine and its derivatives, which do not have a hydrophilic group. The coating method is the same as in the case of the hole injection layer 15.

なお、図9(a)は、ホール注入層15形成後にホール輸送層16を形成している際における表示パネル10の模式断面図を示している。 Note that FIG. 9A shows a schematic cross-sectional view of the display panel 10 when the hole transport layer 16 is formed after the hole injection layer 15 is formed.

(6)有機発光材料層形成工程
次に、上記ホール輸送層16の上方に、発光層17の前駆体として有機発光材料層170(R)、170(G)、170(B)(以下、各発光色を区別しないで、単に「有機発光材料層170」という。)を形成する(図6のステップS6)。
(6) Organic Light Emitting Material Layer Forming Step Next, above the hole transport layer 16, the organic light emitting material layers 170 (R), 170 (G), 170 (B) (hereinafter, each) are used as precursors of the light emitting layer 17. The emission color is not distinguished, and simply “organic light emitting material layer 170”) is formed (step S6 in FIG. 6).

具体的には、図9(b)に示すように、各開口部14aに対応する発光色の有機発光層の構成材料である有機発光材料を含むインクを、印刷装置の塗布ヘッド301のノズル3011から順次吐出して開口部14a内のホール輸送層16上に塗布し、インク塗布後の基板11を真空乾燥室内に搬入して真空環境下で加熱することにより、インク中の有機溶媒を蒸発させる。これにより、有機発光層17を形成できる(図6のステップS6)。 Specifically, as shown in FIG. 9B, an ink containing an organic light emitting material which is a constituent material of an organic light emitting layer of a light emitting color corresponding to each opening 14a is applied to a nozzle 3011 of a coating head 301 of a printing apparatus. The organic solvent in the ink is evaporated by sequentially ejecting from the ink and applying it on the hole transport layer 16 in the opening 14a, carrying the substrate 11 after applying the ink into a vacuum drying chamber and heating it in a vacuum environment. .. As a result, the organic light emitting layer 17 can be formed (step S6 in FIG. 6).

(7)ホールブロック・電子輸送層18(第1の機能層)形成工程
図10(a)に示すように、有機発光層17およびバンク14の上に、真空蒸着法などにより、フッ化ナトリウムを0nmより厚く5nm以下、より好ましくは、1nm以上5nm以下の膜厚、例えば、膜厚を5〔nm〕に成膜して、ホールブロック・電子輸送層18を形成する(図6のステップS7)。ホールブロック・電子輸送層18は、各副画素に共通して成膜することにより形成される。
(7) Hole Block / Electron Transport Layer 18 (First Functional Layer) Formation Step As shown in FIG. 10A, sodium fluoride is deposited on the organic light emitting layer 17 and the bank 14 by a vacuum deposition method or the like. A hole block / electron transport layer 18 is formed by forming a film thickness thicker than 0 nm and 5 nm or less, more preferably 1 nm or more and 5 nm or less, for example, a film thickness of 5 [nm] (step S7 in FIG. 6). .. The hole block / electron transport layer 18 is formed by forming a film in common with each sub-pixel.

(8)電子輸送層191(第2の機能層)形成工程
図10(b)に示すように、ホールブロック・電子輸送層18上に、電子輸送性および電子注入性のうち少なくとも一方の性質を有する第1の有機材料を真空蒸着法により、5nm以上30nm以下の膜厚、例えば膜厚10〔nm〕で成膜して電子輸送層191を形成する(図6のステップS8)。このとき、電子輸送層191の製膜では、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及び希土類元素から選択され、上記金属フッ化物、例えば、フッ化ナトリウムに対する還元性を有する1以上の金属元素M1を含まないように第1の有機材料を蒸着する。電子輸送層191は、各副画素に共通して成膜することにより形成される。
(8) Electron Transport Layer 191 (Second Functional Layer) Formation Step As shown in FIG. 10 (b), at least one of electron transport property and electron injection property is provided on the hole block / electron transport layer 18. An electron transport layer 191 is formed by forming a first organic material having a film thickness of 5 nm or more and 30 nm or less, for example, a film thickness of 10 [nm] by a vacuum deposition method (step S8 in FIG. 6). At this time, the film formation of the electron transport layer 191 contains one or more metal elements M1 selected from alkali metals, alkaline earth metals, and rare earth elements and having a reducing property with respect to the above metal fluoride, for example, sodium fluoride. The first organic material is deposited so that it does not exist. The electron transport layer 191 is formed by forming a film in common with each sub-pixel.

(9)電子注入輸送層192(第3の機能層)形成工程
図10(c)に示すように、電子輸送層191上に、電子輸送性および電子注入性のうち少なくとも一方の性質を有する第2の有機材料と、ドープ金属である金属元素M2を、真空蒸着法を用いた共蒸着により、5nm以上50nm以下の膜厚、例えば膜厚10nm〔nm〕で成膜して、電子注入輸送層192を形成する(図6のステップS9)。濃度は、ドープ金属の重量含有比率が3wt以上60wt%のドープ濃度、例えば10wt%とする。また、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及び希土類元素から選択された金属薄膜でも良い。その場合、膜厚は、0.1nm以上5nm以下の膜厚、例えば1nmで成膜して、電子注入輸送層192を形成する(図6のステップS9)。電子注入輸送層192は、各副画素に共通して成膜することにより形成される。
(9) Electron Injection Transporting Layer 192 (Third Functional Layer) Forming Step As shown in FIG. 10 (c), the electron transporting layer 191 has at least one property of electron transporting property and electron injecting property. The organic material of 2 and the metal element M2 which is a dope metal are co-deposited by a vacuum vapor deposition method to form a film having a film thickness of 5 nm or more and 50 nm or less, for example, a film thickness of 10 nm [nm], and an electron injection transport layer Form 192 (step S9 in FIG. 6). The concentration is such that the weight content ratio of the doped metal is 3 wt or more and 60 wt%, for example, 10 wt%. Further, a metal thin film selected from alkali metals, alkaline earth metals, and rare earth elements may be used. In that case, the film thickness is 0.1 nm or more and 5 nm or less, for example, 1 nm to form the electron injection transport layer 192 (step S9 in FIG. 6). The electron injection transport layer 192 is formed by forming a film in common with each sub-pixel.

以上により、機能層19が形成される。 As a result, the functional layer 19 is formed.

(10)対向電極形成工程
次に、機能層19上に対向電極20を形成する(図6のステップS10)。
(10) Counter electrode forming step Next, the counter electrode 20 is formed on the functional layer 19 (step S10 in FIG. 6).

対向電極形成工程は、まず、機能層19上に銀、アルミニウム等を、スパッタリング法、真空蒸着法により成膜して形成する(図10(d))。 In the counter electrode forming step, first, silver, aluminum, or the like is formed on the functional layer 19 by a sputtering method or a vacuum vapor deposition method (FIG. 10 (d)).

(11)封止層形成工程
次に、図10(e)に示すように、対向電極20上に、封止層21を形成する(図6のステップS11)。封止層21は、SiON、SiN等を、スパッタリング法、CVD法などにより成膜することにより形成することができる。
(11) Sealing layer forming step Next, as shown in FIG. 10E, the sealing layer 21 is formed on the counter electrode 20 (step S11 in FIG. 6). The sealing layer 21 can be formed by forming a film of SiON, SiN, or the like by a sputtering method, a CVD method, or the like.

以上により図3に示す表示パネル10が製造される。なお、上記の製造方法は、あくまで例示であり、趣旨に応じて適宜変更可能である。 As described above, the display panel 10 shown in FIG. 3 is manufactured. The above manufacturing method is merely an example and can be appropriately changed according to the purpose.

4.有機EL素子2を用いた素子寿命及び駆動電圧の実験結果について
有機EL素子2において、発光層17から対向電極20までの間の積層構成を異ならせて、素子寿命を測定した。表1は、素子寿命の測定結果である。表1における、素子寿命は、輝度が初期値の97%に低下するまでの発光時間であり、サンプル1を基準とした相対値である。
4. Experimental Results of Device Life and Drive Voltage Using Organic EL Element 2 In the organic EL element 2, the device life was measured by differently stacking the light emitting layer 17 to the counter electrode 20. Table 1 shows the measurement results of the device life. The element life in Table 1 is the light emission time until the brightness drops to 97% of the initial value, and is a relative value with respect to the sample 1.

Figure 2021093525
供試サンプルとして、比較例に係るNo.1〜3、実施例に係るサンプル4を用いた。以下に各サンプルの仕様を示す。図11(a)はサンプル3に係る有機EL素子2Zの積層構造を示す模式図、(b)は動作説明図である。なお、有機EL素子2Zでは、第2の機能層を電子輸送層191Z、第3の機能層を電子注入輸送層192Zと表記している。
Figure 2021093525
As a test sample, No. 1 according to a comparative example. Samples 1 to 3 and Examples were used. The specifications of each sample are shown below. FIG. 11A is a schematic view showing a laminated structure of the organic EL element 2Z according to the sample 3, and FIG. 11B is an operation explanatory view. In the organic EL element 2Z, the second functional layer is referred to as an electron transport layer 191Z, and the third functional layer is referred to as an electron injection transport layer 192Z.

No.1:図14(a)に示す有機EL素子2X:発光層17の陰極側の隣接層にフッ化ナトリウム層(NaF)、さらに陰極側の隣接層にフッ化ナトリウムに対する還元性を有する金属元素M1がドープされた有機材料からなる電子注入輸送層(EIL)を配したサンプル
No.2:図14(b)に示す有機EL素子2Y:発光層17の陰極側の隣接層にホールブロック層(HBL)、さらに陰極側の隣接層に電子輸送性を高める金属元素等M2がドープされた有機材料からなる電子注入輸送層(EIL)を配したサンプル
No.3:有機EL素子2の積層構成において、発光層17の陰極側の隣接層(ホールブロック・電子輸送層18)をホールブロック層(HBL)に変更した積層構成:ホールブロック層(HBL)と電子注入輸送層(EIL)との間に、フッ化ナトリウムに対する還元性を有する金属元素M1を含まない有機材料からなる電子輸送層(ETL)を配したサンプル
No.4:有機EL素子2の積層構成において、発光層17の陰極側の隣接層(ホールブロック・電子輸送層18(NaF))のフッ化ナトリウム層の膜厚を5nmとした積層構成:ホールブロック・電子輸送層18(NaF)と電子注入輸送層(EIL)との間に、フッ化ナトリウムに対する還元性を有する金属元素M1を含まない有機材料からなる電子輸送層(ETL)を配したサンプル
なお、サンプルNo.1、2における積層構成及び膜厚は、ホール注入層[50nm]、ホール輸送層[20nm]、発光層[85nm]、発光層の陰極側の隣接層[5nm]、電子注入輸送層[1nm]、対向電極とした。また、サンプルNo.3、4における積層構成及び膜厚は、発光層の陰極側の隣接層と電子注入輸送層との間に、電子輸送層[10nm]を設けた構成である。
No. 1: Organic EL element 2X shown in FIG. 14A: Sodium fluoride layer (NaF) on the cathode side adjacent layer of the light emitting layer 17, and metal element M1 having a reducing property on sodium fluoride on the cathode side adjacent layer. Sample No. 1 with an electron injection transport layer (EIL) made of an organic material doped with sodium fluoride. 2: Organic EL element 2Y shown in FIG. 14 (b): A hole block layer (HBL) is doped in the adjacent layer on the cathode side of the light emitting layer 17, and M2 such as a metal element that enhances electron transportability is doped in the adjacent layer on the cathode side. Sample No. 1 with an electron injection transport layer (EIL) made of organic material. 3: In the laminated structure of the organic EL element 2, the adjacent layer (hole block / electron transport layer 18) on the cathode side of the light emitting layer 17 is changed to the hole block layer (HBL). Sample No. 2 in which an electron transport layer (ETL) made of an organic material containing no metal element M1 having a reducing property for sodium fluoride was arranged between the injection transport layer (EIL). 4: In the laminated structure of the organic EL element 2, the laminated structure in which the thickness of the sodium fluoride layer of the adjacent layer (hole block / electron transport layer 18 (NaF)) on the cathode side of the light emitting layer 17 is 5 nm: hole block. A sample in which an electron transport layer (ETL) made of an organic material containing no metal element M1 having a reducing property against sodium fluoride is arranged between the electron transport layer 18 (NaF) and the electron injection transport layer (EIL). Sample No. The laminated structure and film thickness of 1 and 2 are the hole injection layer [50 nm], the hole transport layer [20 nm], the light emitting layer [85 nm], the adjacent layer [5 nm] on the cathode side of the light emitting layer, and the electron injection transport layer [1 nm]. , The counter electrode was used. In addition, sample No. The laminated structure and film thickness in 3 and 4 are such that an electron transport layer [10 nm] is provided between the adjacent layer on the cathode side of the light emitting layer and the electron injection transport layer.

表1に示すように、素子寿命は値の大きい方から、サンプル4>サンプル1>サンプル2>サンプル3の順となった。具体的には、サンプル1の素子寿命を基準としたとき、サンプル2の素子寿命は約3%、サンプル3の素子寿命は約1%という結果になった。サンプル2、3におけるホールブロック層は、ホールブロック性は高いが電子注入性が低いためにキャリアバランスの悪化に伴い素子寿命が低下するとともに、発光層17中の水分等の電子注入輸送層への浸透を防止し耐環境性を高める機能が不十分であるため、活性な電子注入輸送層の劣化を引き起こし素子寿命が低下したと考えられる。 As shown in Table 1, the device life was in the order of sample 4> sample 1> sample 2> sample 3 in descending order of value. Specifically, when the element life of the sample 1 is used as a reference, the element life of the sample 2 is about 3%, and the element life of the sample 3 is about 1%. Since the hole block layer in Samples 2 and 3 has high hole block property but low electron injection property, the device life is shortened due to deterioration of carrier balance, and water and the like in the light emitting layer 17 are transferred to the electron injection transport layer. It is considered that the function of preventing permeation and enhancing the environmental resistance is insufficient, which causes deterioration of the active electron injection transport layer and shortens the device life.

これに対し、実施例に係るサンプル4では、サンプル1〜3に対し寿命の改善が認められた。 On the other hand, in Sample 4 according to the example, improvement in life was observed as compared with Samples 1 to 3.

実施例に係るサンプル4が、サンプル3に比べて素子寿命において大幅な改善が見られた。すなわち、サンプル3では、図11(b)に示すように、ホールブロック層は発光層17中の水分等の電子注入輸送層192Zへの浸透を防止し耐環境性を高める機能が不十分であるため、電子輸送層191Zに金属元素M1が含まれていない場合でも、素子寿命が低い結果となった。これに対し、サンプル4では、ホールブロック・電子輸送層18を構成するフッ化ナトリウム層が優れた耐環境性を有しているためと素子寿命が高まったと推定される。 The sample 4 according to the example showed a significant improvement in the device life as compared with the sample 3. That is, in sample 3, as shown in FIG. 11B, the hole block layer has insufficient function of preventing the permeation of water and the like in the light emitting layer 17 into the electron injection transport layer 192Z and enhancing the environmental resistance. Therefore, even when the electron transport layer 191Z does not contain the metal element M1, the element life is short. On the other hand, in Sample 4, it is presumed that the element life was extended because the sodium fluoride layer constituting the hole block / electron transport layer 18 had excellent environmental resistance.

また、実施例に係るサンプル4が、サンプル1に対し素子寿命が204%に増加する改善が認められた。 Further, in the sample 4 according to the example, an improvement was observed in which the element life was increased to 204% as compared with the sample 1.

この理由は、サンプル4では、ホールブロック・電子輸送層18の陰極側の隣接層にフッ化ナトリウムに対する還元性を有する金属元素M1が含まれていないことから、ホールブロック・電子輸送層18を構成するフッ化ナトリウムの解離を防止することにより、ホールブロック性の低下を防止するとともに、ホール及び励起子の移動を遮断することができたためと考えられる。これより、電子注入輸送層192側にホールが侵入して電子注入輸送層192内で電子と結合して励起子が発生し、電子注入輸送層192の劣化を引き起こす、あるいは、発光層17中で発生した励起子が電子注入輸送層192に拡散し、電子注入輸送層192の劣化を引き起こし素子寿命が低下することを抑止できる。 The reason for this is that in sample 4, the hole block / electron transport layer 18 is formed because the adjacent layer on the cathode side of the hole block / electron transport layer 18 does not contain the metal element M1 having a reducing property for sodium fluoride. It is probable that by preventing the dissociation of sodium fluoride, the deterioration of the hole blocking property could be prevented and the movement of holes and excitons could be blocked. As a result, holes invade the electron injection transport layer 192 side and combine with electrons in the electron injection transport layer 192 to generate excitons, which causes deterioration of the electron injection transport layer 192 or in the light emitting layer 17. It is possible to prevent the generated excitons from diffusing into the electron injection transport layer 192, causing deterioration of the electron injection transport layer 192 and shortening the device life.

また、サンプル4では、ホールブロック・電子輸送層18のフッ化ナトリウムの解離を防止することにより、発光層17中の水分等の電子輸送層191、電子注入輸送層192への浸透を抑止でき、サンプル1に比べて耐環境性が向上したと考えられる。 Further, in sample 4, by preventing the dissociation of sodium fluoride in the hole block / electron transport layer 18, it is possible to suppress the permeation of water and the like in the light emitting layer 17 into the electron transport layer 191 and the electron injection transport layer 192. It is considered that the environmental resistance was improved as compared with Sample 1.

次に、有機EL素子2においてホールブロック・電子輸送層18のフッ化ナトリウム層の膜厚を段階的に異ならせて膜厚と素子寿命との関係を調べた。図12は、有機EL素子2における、ホールブロック・電子輸送層18(第1の機能層)の膜厚と素子寿命との関係を示す実験結果である。図12における、素子寿命は、上記したサンプル1における測定値を基準とした相対値である。 Next, in the organic EL device 2, the film thickness of the sodium fluoride layer of the hole block / electron transport layer 18 was changed stepwise, and the relationship between the film thickness and the device life was investigated. FIG. 12 is an experimental result showing the relationship between the film thickness of the hole block / electron transport layer 18 (first functional layer) and the device life in the organic EL element 2. The element life in FIG. 12 is a relative value based on the measured value in the sample 1 described above.

供試サンプルは、有機EL素子2においてホールブロック・電子輸送層18として膜厚が0.5、1、3、5、6、7nmであるフッ化ナトリウム層を配したサンプルであり、各サンプルにおける積層構成及び膜厚、駆動電圧低下率も同じである。 The test sample is a sample in which a sodium fluoride layer having a film thickness of 0.5, 1, 3, 5, 6, and 7 nm is arranged as a hole block / electron transport layer 18 in the organic EL element 2, and in each sample. The laminated structure, film thickness, and drive voltage reduction rate are also the same.

図12に示すように、ホールブロック・電子輸送層18を構成するフッ化ナトリウム層の膜厚1nm以上5nm以下の範囲において、それ以外の範囲に比べて、素子寿命の急峻に増加するピーク領域が観測された。 As shown in FIG. 12, in the range of the film thickness of the sodium fluoride layer constituting the hole block / electron transport layer 18 of 1 nm or more and 5 nm or less, a peak region in which the device life increases sharply is observed as compared with the other ranges. It was observed.

また、本例では、3nmより大きく5nm以下の範囲において、素子寿命がさらなる向上するピークが観測された。 Further, in this example, a peak was observed in which the device life was further improved in the range larger than 3 nm and 5 nm or less.

膜厚が5nmを超えたとき素子寿命が急激に低下する理由として、寿命初期には、膜厚増加に伴うトンネリングの障壁の増加により電子注入性が悪化し、ホールブロック・電子輸送層18と電子輸送層との界面に電子が蓄積し、電界強くかかる為に電子輸送層の有機材料への負荷が大きくなり、電子輸送層の劣化が促進することが考えられる。そして、電子輸送層の劣化によって、より一層の電子注入性の悪化が進行して短寿命化が促進されるとことが推察される。 The reason why the device life sharply decreases when the film thickness exceeds 5 nm is that at the beginning of the life, the electron injection property deteriorates due to the increase in the tunneling barrier due to the increase in the film thickness, and the hole block / electron transport layer 18 and the electrons. It is considered that electrons are accumulated at the interface with the transport layer and a strong electric field is applied, so that the load on the organic material of the electron transport layer is increased and the deterioration of the electron transport layer is accelerated. Then, it is presumed that the deterioration of the electron transport layer further deteriorates the electron injection property and promotes the shortening of the life.

また、膜厚が1nm未満において素子寿命が低下する理由として、均一な膜を形成することが製造上難しく、ホールブロック・電子輸送層18におけるフッ化ナトリウム層の耐環境性の効果が低下することが考えられる。また、膜厚が1nm未満では、ホールブロック性が低下してキャリアバランスが悪化し、素子寿命が低下すると考えられる。 Further, the reason why the device life is shortened when the film thickness is less than 1 nm is that it is difficult to form a uniform film in manufacturing, and the effect of the environmental resistance of the sodium fluoride layer in the hole block / electron transport layer 18 is lowered. Can be considered. Further, if the film thickness is less than 1 nm, it is considered that the hole blocking property is lowered, the carrier balance is deteriorated, and the device life is shortened.

駆動電圧は、図12に示す実験では、膜厚5nmが最も低く、キャリアバランスが最も良い膜厚は5nmであった。しかしながら、キャリアバランスは、積層構成における、他層の構成、例えば、発光層中の電子/ホール移動度、ホール注入層、ホール輸送層の構成材料などにより変動するため、これらの要素を含めて調整することにより、キャリアバランスが最も良い膜厚は適宜調整することができる。 In the experiment shown in FIG. 12, the drive voltage had the lowest film thickness of 5 nm and the best carrier balance was 5 nm. However, since the carrier balance varies depending on the structure of other layers in the laminated structure, for example, the electron / hole mobility in the light emitting layer, the hole injection layer, the constituent material of the hole transport layer, etc., the carrier balance is adjusted including these factors. By doing so, the film thickness having the best carrier balance can be adjusted as appropriate.

5.有機EL素子2を用いた発光効率及び駆動電圧の実験結果について
供試サンプルとして、サンプル3、4を用い駆動電圧及び発光効率を測定した。表2は、駆動電圧低下率及び発光効率の測定結果である。駆動電圧は、電流密度1mA/cm2における印加電圧であり、表2では駆動電圧低下率として相対値で表した。駆動電圧低下率は、[変化前の駆動電圧]/[変化後の駆動電圧]である。表2における、駆動電圧低下率及び発光効率はサンプル3を基準とした相対値である。
5. Experimental results of luminous efficiency and driving voltage using the organic EL element 2 The driving voltage and luminous efficiency were measured using samples 3 and 4 as test samples. Table 2 shows the measurement results of the drive voltage reduction rate and the luminous efficiency. The drive voltage is an applied voltage at a current density of 1 mA / cm 2 , and is represented by a relative value as the drive voltage reduction rate in Table 2. The drive voltage reduction rate is [drive voltage before change] / [drive voltage after change]. The drive voltage reduction rate and the luminous efficiency in Table 2 are relative values with respect to the sample 3.

Figure 2021093525
表2に示すように、実施例に係るサンプル4では、サンプル3に比べて、駆動電圧低下率、発光効率に、それぞれ、5%、18%程度の改善が見られた。ホールブロック層を用いたサンプル3は、ホールブロック性は高いが電子注入性が低いために発光層におけるキャリアバランスが悪く発光効率が低い結果となった。これに対し、実施例に係るサンプル4では、サンプル3に比べて、電子注入性が高く、発光層のキャリアバランスの改善にして駆動電圧が低下したと考えられる。また、サンプル4では、ホールブロック性及び電子注入性が高いことにより、キャリアバランスが改善し発光効率が増加したと考えられる。
Figure 2021093525
As shown in Table 2, in Sample 4 according to the example, improvement of about 5% and 18% was observed in the drive voltage reduction rate and the luminous efficiency, respectively, as compared with Sample 3. In Sample 3 using the hole block layer, the hole block property was high, but the electron injection property was low, so that the carrier balance in the light emitting layer was poor and the luminous efficiency was low. On the other hand, it is considered that the sample 4 according to the example has higher electron injection property than the sample 3, and the drive voltage is lowered due to the improvement of the carrier balance of the light emitting layer. Further, in Sample 4, it is considered that the carrier balance was improved and the luminous efficiency was increased due to the high hole blocking property and electron injection property.

なお、従来の有機EL素子2Xでは、上述のとおり、フッ化ナトリウム等の金属化合物からなる層から構成される中間層は、隣接する電子抽入輸送層に含まれる金属元素M1、例えば、バリウム、セシウム、リチウム等により、中間層のアルカリ金属のフッ化物が還元されて、部分的にアルカリ金属が解離することにより、電子注入性が高められる。 In the conventional organic EL element 2X, as described above, the intermediate layer composed of a layer made of a metal compound such as sodium fluoride is a metal element M1 contained in an adjacent electron extraction transport layer, for example, barium. The fluoride of the alkali metal in the intermediate layer is reduced by cesium, lithium, etc., and the alkali metal is partially dissociated, thereby enhancing the electron injection property.

これに対し、有機EL素子2では、電子輸送層191は、フッ化ナトリウム等の金属フッ化物に対する還元性を有する、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及び希土類元素等の金属元素を含まないことから、フッ化ナトリウムが解離することはない。そのため、ホールブロック・電子輸送層18のフッ化ナトリウムは化合物として存在している。有機EL素子2において、ピーク領域(図12)において、駆動電圧低下性及び発光効率が増加した理由は、第1の有機材料中のフッ化ナトリウムを局所的に存在させることにより、フッ化ナトリウムに局所的に電界集中が生じトンネル現象により電子注入性が高まり、発光層のキャリアバランスが改善したためと考えられる。他方、発明者の検討によると、有機EL素子2では、従来の有機EL素子2Xと比較して駆動電圧低下性及び発光効率において改善が見られることから、有機EL素子2においてフッ化ナトリウムの解離を防止し、フッ化ナトリウムを化合物として存在させることは、ホールブロック性の低下抑制にも寄与していると考えられる。 On the other hand, in the organic EL element 2, the electron transport layer 191 does not contain metal elements such as alkali metals, alkaline earth metals, and rare earth elements, which have a reducing property for metal fluorides such as sodium fluoride. , Sodium fluoride does not dissociate. Therefore, the sodium fluoride of the hole block / electron transport layer 18 exists as a compound. In the organic EL element 2, the reason why the drive voltage lowering property and the luminous efficiency are increased in the peak region (FIG. 12) is that the sodium fluoride in the first organic material is locally present in the sodium fluoride. It is considered that this is because the electric field concentration is locally generated and the electron injection property is improved due to the tunnel phenomenon, and the carrier balance of the light emitting layer is improved. On the other hand, according to the study of the inventor, the organic EL element 2 is improved in the driving voltage lowering property and the luminous efficiency as compared with the conventional organic EL element 2X. Therefore, the dissociation of sodium fluoride in the organic EL element 2 is observed. It is considered that the prevention of the above and the presence of sodium fluoride as a compound also contributes to the suppression of the decrease in the hole blocking property.

なお、有機EL素子におけるトンネル現象については、"Bright high efficiency blue organic light-emitting diodes with Al2O3/Al cathodes" H. Tang, et al.(Applied Physics Letters, November 3, 1997, Volume 71, Issue 18, pp. 2560-2562)において、電子輸送層に電子を注入する陰極に、電子輸送層側にAl23からなる絶縁体の層の形成された アルミニウム膜を用いることで、Al23の層を介してトンネル現象によって電子が電子輸送層に注入され、 電流注入効率が向上することが開示されている。 Regarding the tunnel phenomenon in organic EL devices, "Bright high efficiency blue organic light-emitting diodes with Al 2 O 3 / Al cathodes" H. Tang, et al. (Applied Physics Letters, November 3, 1997, Volume 71, In Issue 18, pp. 2560-2562), by using an aluminum film having an insulator layer made of Al 2 O 3 on the electron transport layer side for the cathode that injects electrons into the electron transport layer , Al 2 electrons by tunneling through the layer of O 3 is injected into the electron transport layer, current injection efficiency is disclosed to be improved.

6.まとめ
以上のとおり、本開示の実施の形態に有機EL素子2は、画素電極13の上方に配された有機発光材料を含む発光層17と、発光層17の上に配され、フッ化ナトリウムからなる第1の機能層(ホールブロック・電子輸送層)18と、第1の機能層18の上に配され、電子輸送性および電子注入性のうち少なくとも一方の性質を有する第1の有機材料を含み、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及び希土類元素から選択され、フッ化ナトリウム等の金属フッ化物に対する還元性を有する1以上の金属元素M1を含まない第2の機能層(電子輸送層)191と、第2の機能層の上方に配された対向電極20とを備えたことを特徴とする。
6. Summary As described above, in the embodiment of the present disclosure, the organic EL element 2 is arranged on the light emitting layer 17 containing the organic light emitting material arranged above the pixel electrode 13 and the light emitting layer 17, and is made of sodium fluoride. A first organic material arranged on the first functional layer (hole block / electron transport layer) 18 and the first functional layer 18 and having at least one property of electron transport property and electron injection property. A second functional layer (electron transport layer) 191 that contains, is selected from alkali metals, alkaline earth metals, and rare earth elements, and does not contain one or more metal elements M1 having a reducing property for metal fluorides such as sodium fluoride. And a counter electrode 20 arranged above the second functional layer.

係る構成により、フッ化ナトリウム等の金属フッ化物に対する還元性を有する金属元素M1がホールブロック・電子輸送層18に波及して、ホールブロック・電子輸送層18中のフッ化ナトリウムが還元されて、部分的にナトリウムが解離することを防止して、ホールブロック性が低下することを防止できる。併せて、発光層17への電子注入性を良化させることができる。これにより、ホールブロック性と電子注入性とを担保して、発光層におけるキャリアバランスを向上できる。また、ホールブロック・電子輸送層18のフッ化ナトリウムの解離を防止することにより、発光層17中の水分等の電子注入輸送層192への浸透を抑止でき耐環境性を向上できる。これにより、有機EL素子では、ホールブロック性、電子注入性、及び耐環境性を確保して、素子寿命を向上することができる。 With this configuration, the metal element M1 having a reducing property for metal fluoride such as sodium fluoride spreads to the hole block / electron transport layer 18, and the sodium fluoride in the hole block / electron transport layer 18 is reduced. It is possible to prevent partial dissociation of sodium and prevent deterioration of hole blocking property. At the same time, the electron injection property into the light emitting layer 17 can be improved. As a result, the hole blocking property and the electron injecting property can be ensured, and the carrier balance in the light emitting layer can be improved. Further, by preventing the dissociation of sodium fluoride in the hole block / electron transport layer 18, it is possible to suppress the permeation of water in the light emitting layer 17 into the electron injection transport layer 192 and improve the environmental resistance. As a result, in the organic EL device, hole blockability, electron injection property, and environmental resistance can be ensured, and the device life can be improved.

また、金属元素M1は、バリウム、リチウム、セシウム、及びイッテルビウムから選択される1以上の金属元素である構成としてもよい。 Further, the metal element M1 may be composed of one or more metal elements selected from barium, lithium, cesium, and ytterbium.

係る構成により、ホールブロック性と電子注入性とを担保して、発光層におけるキャリアバランスを向上し、素子寿命を向上する有機EL素子を具体的に実現できる。 With such a configuration, it is possible to specifically realize an organic EL device that secures hole blockability and electron injection property, improves carrier balance in the light emitting layer, and improves device life.

従来の有機EL素子2Xでは、上述のとおり、フッ化ナトリウム等の金属化合物からなる層から構成される中間層は、隣接する電子注入輸送層19Xに含まれる金属元素M1、例えば、バリウム、セシウム、リチウム等により、中間層のアルカリ金属のフッ化物が還元されて、部分的にアルカリ金属が解離することにより、電子注入性が高められていた。 In the conventional organic EL element 2X, as described above, the intermediate layer composed of a layer made of a metal compound such as sodium fluoride is a metal element M1 contained in the adjacent electron injection transport layer 19X, for example, barium, cesium, etc. Fluoride of the alkali metal in the intermediate layer is reduced by lithium or the like, and the alkali metal is partially dissociated, thereby enhancing the electron injection property.

これに対し、有機EL素子2では、上述のとおり、フッ化ナトリウム等の金属フッ化物に対する還元性を有する金属元素M1が電子輸送層191中に存在しないことにより、電子注入輸送層192に含まれる金属元素等M2の影響が、ホールブロック・電子輸送層18中のフッ化ナトリウムには波及しない構成を採る。そのため、電子注入輸送層192に含まれる金属元素等M2の含有量を電子注入輸送層192における電子注入性及び電子輸送性に対して最適に設定することができる。ホールブロック・電子輸送層18におけるアルカリ金属のフッ化物が還元性を考慮して金属元素等M2の含有量を決定する必要がなく、電子注入輸送層192における電子注入性及び電子輸送性をより一層高めることができる。 On the other hand, in the organic EL element 2, as described above, the metal element M1 having a reducing property for metal fluoride such as sodium fluoride is not present in the electron transport layer 191 and is therefore included in the electron injection transport layer 192. The structure is such that the influence of M2 such as a metal element does not spread to the sodium fluoride in the hole block / electron transport layer 18. Therefore, the content of M2 such as a metal element contained in the electron injection transport layer 192 can be optimally set with respect to the electron injection property and the electron transport property in the electron injection transport layer 192. It is not necessary to determine the content of M2 such as a metal element in consideration of the reducing property of the alkali metal fluoride in the hole block / electron transport layer 18, and the electron injection property and the electron transport property in the electron injection transport layer 192 are further improved. Can be enhanced.

≪変形例≫
以上、実施の形態に係る有機EL素子2等を説明したが、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、有機EL素子、有機EL表示パネルの変形例を説明する。
≪Modification example≫
Although the organic EL element 2 and the like according to the embodiment have been described above, the present invention is not limited to the above embodiment except for its essential characteristic components. For example, it is realized by arbitrarily combining the components and functions in each embodiment within the range obtained by applying various modifications to each embodiment and the gist of the present invention. Forms are also included in the present invention. Hereinafter, as an example of such a form, a modified example of the organic EL element and the organic EL display panel will be described.

(1)実施の形態に係る有機EL素子では、画素電極と発光層の間に、ホール注入層、ホール輸送層が存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、ホール注入層、ホール輸送層を用いずに、ホール輸送層又は電子注入輸送層が存在する構成としてもよい。また、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入輸送層の何れかを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。 (1) The organic EL device according to the embodiment has a configuration in which a hole injection layer and a hole transport layer are present between the pixel electrode and the light emitting layer, but the present invention is not limited to this. For example, the hole transport layer or the electron injection transport layer may be present without using the hole injection layer and the hole transport layer. Further, a configuration may include any one of a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron injection transport layer, or a configuration including a plurality or all of them at the same time. Further, all of these layers do not have to be made of an organic compound, and may be made of an inorganic substance or the like.

(2)上記実施の形態に係る表示パネル10では、図2に示すように、画素規制層141の延伸方向が表示パネル10の長軸X方向、バンク14の延伸方向が表示パネル10の短軸Y方向であったが、画素規制層141とバンク14の延伸方向は、逆であってもよい。また、画素絶縁層及びバンクの延伸方向は、表示パネル10の形状とは無関係な方向であってもよい。 (2) In the display panel 10 according to the above embodiment, as shown in FIG. 2, the stretching direction of the pixel regulation layer 141 is the long axis X direction of the display panel 10, and the stretching direction of the bank 14 is the short axis of the display panel 10. Although it was in the Y direction, the stretching directions of the pixel restricting layer 141 and the bank 14 may be opposite. Further, the stretching direction of the pixel insulating layer and the bank may be a direction irrelevant to the shape of the display panel 10.

また、上記実施の形態に係る表示パネル10では、一例として画像表示面を長方形状としたが、画像表示面の形状に限定はなく、適宜変更可能である。 Further, in the display panel 10 according to the above embodiment, the image display surface is rectangular as an example, but the shape of the image display surface is not limited and can be changed as appropriate.

また、上記実施の形態に係る表示パネル10では、画素電極13を長方形平板状の部材としたが、これに限られない。 Further, in the display panel 10 according to the above embodiment, the pixel electrode 13 is a rectangular flat plate-shaped member, but the present invention is not limited to this.

さらに、上記実施の形態においてはラインバンク方式の有機EL表示パネルについて説明したが、一つの副画素ごとにその四方をバンクで囲むようにした、いわゆるピクセルバンク方式の表示パネルであっても構わない。 Further, although the line bank type organic EL display panel has been described in the above embodiment, it may be a so-called pixel bank type display panel in which each sub-pixel is surrounded by banks on all four sides. ..

(3)上記実施の形態では、ホール注入層15、ホール輸送層16、発光層17の全てについて印刷法(塗布法)により形成したが、そのうち1層のみを印刷法で形成された塗布膜としてもよい。なお、表示パネル10の完成品において、ある特定の層が塗布膜であるか否かは、その膜に残存する水分や溶媒を検出することにより容易に判別できる。 (3) In the above embodiment, all of the hole injection layer 15, the hole transport layer 16, and the light emitting layer 17 are formed by a printing method (coating method), but only one of them is used as a coating film formed by the printing method. May be good. In the finished product of the display panel 10, whether or not a specific layer is a coating film can be easily determined by detecting the water content or solvent remaining on the film.

(4)上記実施の形態では、ホール注入層15を、導電性ポリマー材料を含むインクを用いて、印刷法により形成したが、遷移金属の酸化物を蒸着法もしくはスパッタ法により成膜してもよい。遷移金属の酸化物は、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホールの注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。このような酸化金属として、酸化タングステンが好適である。 (4) In the above embodiment, the hole injection layer 15 is formed by a printing method using an ink containing a conductive polymer material, but a transition metal oxide may be formed by a vapor deposition method or a sputtering method. Good. Since the oxide of the transition metal has a plurality of oxidation numbers, it is possible to take a plurality of levels, and as a result, the injection of holes can be facilitated and the driving voltage can be reduced. Tungsten oxide is suitable as such a metal oxide.

これにより、電子注入量の増加に合わせてホール注入量も増加することができ、より励起子量の多い状態でのキャリアバランスを達成でき、発光効率のさらなる向上が望める。 As a result, the hole injection amount can be increased in accordance with the increase in the electron injection amount, the carrier balance can be achieved in a state where the exciton amount is larger, and further improvement in luminous efficiency can be expected.

この場合には、画素電極の金属材料層と酸化タングステンの層を先に積層してから、フォトリソグラフィ法およびウエットエッチング法を用いてパターニングして画素電極13とホール注入層15を同時に形成し、その後、バンク14や画素規制層141を形成することにより製造工程が簡易化できる。 In this case, the metal material layer of the pixel electrode and the tungsten oxide layer are first laminated, and then patterning is performed using a photolithography method and a wet etching method to form the pixel electrode 13 and the hole injection layer 15 at the same time. After that, the manufacturing process can be simplified by forming the bank 14 and the pixel regulation layer 141.

(5)上記実施の形態に係る表示パネル10では、R、G、B色にそれぞれ発光する副画素100R、100G、100Bが配列されていたが、副画素の発光色はこれに限られず、例えば、R、G、Bに加えて黄色(Y)の4色であってもよい。また、一つの画素Pにおいて、副画素は1色あたり1個に限られず、複数配置されてもよい。また、画素Pにおける副画素の配列は、図2に示すような、赤色、緑色、青色の順番に限られず、これらを入れ替えた順番であってもよい。 (5) In the display panel 10 according to the above embodiment, sub-pixels 100R, 100G, and 100B that emit light in R, G, and B colors are arranged, but the emission color of the sub-pixels is not limited to this, for example. , R, G, B and may be four colors of yellow (Y). Further, in one pixel P, the number of sub-pixels is not limited to one per color, and a plurality of sub-pixels may be arranged. Further, the arrangement of the sub-pixels in the pixel P is not limited to the order of red, green, and blue as shown in FIG. 2, and may be in the order in which these are interchanged.

(6)また、上記実施の形態に係る表示パネル10は、アクティブマトリクス方式を採用したが、これに限られず、パッシブマトリクス方式を採用してもよい。 (6) Further, the display panel 10 according to the above embodiment adopts an active matrix method, but the present invention is not limited to this, and a passive matrix method may be adopted.

また、トップエミッション型の有機EL表示パネルだけでなくボトルエミッション型の有機EL表示パネルにも適用可能である。 Further, it can be applied not only to the top emission type organic EL display panel but also to the bottle emission type organic EL display panel.

なお、ボトムエミッション型の場合には、対向電極20を光反射性の陽極とし、画素電極13を光透過性(半光透過性を含む)の材料で構成して陰極とする。これに合せて他の第1機能層22、中間層18、第2機能層19等の積層順も異なる。 In the case of the bottom emission type, the counter electrode 20 is a light-reflecting anode, and the pixel electrode 13 is made of a light-transmitting (including semi-light-transmitting) material to serve as a cathode. The stacking order of the other first functional layer 22, the intermediate layer 18, the second functional layer 19, and the like is also different accordingly.

また、コロイド状量子ドット(Quantum Dot)を用いた量子ドットディスプレイ装置などの自発光表示パネルに適用することもできる。 It can also be applied to a self-luminous display panel such as a quantum dot display device using colloidal quantum dots (Quantum Dot).

≪補足≫
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
≪Supplement≫
Each of the embodiments described above shows a preferable specific example of the present invention. Numerical values, shapes, materials, components, arrangement positions and connection forms of components, processes, order of processes, etc. shown in the embodiments are examples, and are not intended to limit the present invention. Further, among the components in the embodiment, the steps not described in the independent claims showing the highest level concept of the present invention will be described as arbitrary components constituting the more preferable form.

また、上記の工程が実行される順序は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時(並列)に実行されてもよい。 Further, the order in which the above steps are executed is for exemplifying for the purpose of specifically explaining the present invention, and may be an order other than the above. Further, a part of the above steps may be executed at the same time (parallel) with other steps.

また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。 Further, for the sake of easy understanding of the invention, the scale of the component of each figure given in each of the above embodiments may be different from the actual scale. Further, the present invention is not limited to the description of each of the above embodiments, and can be appropriately modified without departing from the gist of the present invention.

また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。 Further, at least a part of the functions of each embodiment and its modifications may be combined.

さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。 Further, the present invention also includes various modifications in which modifications within the range that can be conceived by those skilled in the art are made to the present embodiment.

本開示に係る有機EL素子等は、例えば、家庭用もしくは公共施設、あるいは業務用の各種表示装置、テレビジョン装置、携帯型電子機器用ディスプレイ等として用いられる有機EL素子および有機ELパネルの製造方等に好適に利用可能である。 The organic EL element and the like according to the present disclosure are, for example, a method for manufacturing an organic EL element and an organic EL panel used as various display devices, television devices, displays for portable electronic devices, etc. for home use, public facilities, or business use. Etc., it can be suitably used.

1 有機EL表示装置
2 有機EL素子
10 有機ELパネル
11 基板
12 層間絶縁層
13 画素電極(陽極)
15 ホール注入層
16 ホール輸送層
17 発光層
170 有機発光材料層
18 ホールブロック・電子輸送層(第1の機能層)
19 電子輸送層/電子注入輸送層
191 電子輸送層(第2の機能層)
192 電子注入輸送層(第3の機能層)
20 対向電極(陰極)
21 封止層
23 透明導電膜
1 Organic EL display device 2 Organic EL element 10 Organic EL panel 11 Substrate 12 Interlayer insulation layer 13 Pixel electrode (anode)
15 hole injection layer 16 hole transport layer 17 light emitting layer 170 organic light emitting material layer 18 hole block / electron transport layer (first functional layer)
19 Electron transport layer / Electron injection transport layer 191 Electron transport layer (second functional layer)
192 Electron injection transport layer (third functional layer)
20 Opposite electrode (cathode)
21 Sealing layer 23 Transparent conductive film

Claims (17)

画素電極と、
前記画素電極の上方に配された発光材料を含む発光層と、
前記発光層の上に配され、金属フッ化物からなる第1の機能層と、
前記第1の機能層の上に配され、電子輸送性および電子注入性のうち少なくとも一方の性質を有する第1の有機材料を含む第2の機能層と、
前記第2の機能層の上方に配された対向電極とを備え、
前記第2の機能層には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及び希土類元素から選択され、前記金属フッ化物に対する還元性を有する1以上の金属元素を含まない
自発光素子。
With pixel electrodes,
A light emitting layer containing a light emitting material arranged above the pixel electrode and
A first functional layer arranged on the light emitting layer and made of metal fluoride, and
A second functional layer arranged on the first functional layer and containing a first organic material having at least one of electron transporting property and electron injecting property.
A counter electrode arranged above the second functional layer is provided.
The second functional layer is a self-luminous element selected from alkali metals, alkaline earth metals, and rare earth elements, and does not contain one or more metal elements having a reducing property with respect to the metal fluoride.
前記金属フッ化物は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及び希土類元素のフッ化物である
請求項1に記載の自発光素子。
The self-luminous element according to claim 1, wherein the metal fluoride is a fluoride of an alkali metal, an alkaline earth metal, and a rare earth element.
前記金属フッ化物は、フッ化ナトリウムである
請求項1又は2に記載の自発光素子。
The self-luminous device according to claim 1 or 2, wherein the metal fluoride is sodium fluoride.
前記金属元素は、バリウム、リチウム、セシウム、及びイッテルビウムから選択される1以上の金属元素である
請求項1〜3の何れか1項に記載の自発光素子。
The self-luminous element according to any one of claims 1 to 3, wherein the metal element is one or more metal elements selected from barium, lithium, cesium, and ytterbium.
前記第1の機能層の膜厚は、5nm以下である
請求項1〜4の何れか1項に記載の自発光素子。
The self-luminous element according to any one of claims 1 to 4, wherein the film thickness of the first functional layer is 5 nm or less.
前記第1の機能層の膜厚は、1nm以上5nm以下である
請求項5に記載の自発光素子。
The self-luminous element according to claim 5, wherein the film thickness of the first functional layer is 1 nm or more and 5 nm or less.
前記第2の機能層の膜厚は、5nm以上30nm以下である
請求項1〜6の何れか1項に記載の自発光素子。
The self-luminous element according to any one of claims 1 to 6, wherein the film thickness of the second functional layer is 5 nm or more and 30 nm or less.
前記第1の機能層の膜厚は、前記第2の機能層の膜厚以下である
請求項1〜7の何れか1項に記載の自発光素子。
The self-luminous element according to any one of claims 1 to 7, wherein the film thickness of the first functional layer is equal to or less than the film thickness of the second functional layer.
さらに、前記第2の機能層の上であって、前記対向電極の下方に、電子輸送性又はおよび電子注入性のうち少なくとも一方の性質を有する第2の有機材料に、アルカリ金属、アルカリ土類金属および希土類金属から選択された1以上の金属元素がドープされてなる第3の機能層を備えた
請求項1〜8の何れか1項に記載の自発光素子。
Further, on the second functional layer and below the counter electrode, a second organic material having at least one of electron transporting property and electron injecting property is added to an alkali metal and an alkaline earth. The self-luminous element according to any one of claims 1 to 8, further comprising a third functional layer doped with one or more metal elements selected from metals and rare earth metals.
さらに、前記第2の機能層の上であって、前記対向電極の下方に、アルカリ金属、アルカリ土類金属および希土類金属から選択された1以上の金属元素からなる第3の機能層を備えた請求項1〜8の何れか1項に記載の自発光素子。 Further, above the second functional layer and below the counter electrode, a third functional layer composed of one or more metal elements selected from alkali metals, alkaline earth metals and rare earth metals is provided. The self-luminous element according to any one of claims 1 to 8. 前記第3の機能層に含まれる金属元素がイッテルビウムである
請求項9又は10に記載の自発光素子。
The self-luminous element according to claim 9 or 10, wherein the metal element contained in the third functional layer is ytterbium.
前記第3の機能層に含まれる金属元素は、前記第1の機能層に含まれる金属元素と異なる
請求項1〜9の何れか1項に記載の自発光素子。
The self-luminous element according to any one of claims 1 to 9, wherein the metal element contained in the third functional layer is different from the metal element contained in the first functional layer.
前記画素電極は光反射性であり、前記対向電極は半透光性である
請求項1〜12の何れか1項に記載の自発光素子。
The self-luminous element according to any one of claims 1 to 12, wherein the pixel electrode is light reflective and the counter electrode is semipermeable.
前記画素電極の上方であって、前記発光層の下方に、ホール輸送性およびホール注入性のうち少なくとも一方の性質を有する有機材料を含む第4の機能層を備えた
請求項1〜13の何れか1項に記載の自発光素子。
Any of claims 1 to 13, wherein a fourth functional layer containing an organic material having at least one of hole transportability and hole injection property is provided above the pixel electrode and below the light emitting layer. The self-luminous element according to item 1.
前記発光層および前記第4の機能層のうち少なくとも一方の膜厚は、前記発光層の発する光の波長に応じて異なる
請求項14に記載の自発光素子。
The self-luminous element according to claim 14, wherein the film thickness of at least one of the light emitting layer and the fourth functional layer differs depending on the wavelength of the light emitted by the light emitting layer.
前記発光層および前記第4の機能層のうち少なくとも一方は塗布膜である
請求項14又は15に記載の自発光素子。
The self-luminous element according to claim 14 or 15, wherein at least one of the light emitting layer and the fourth functional layer is a coating film.
基板上方に、請求項1から16までのいずれか1項に記載の自発光素子を複数、行列状に配列し、行方向に隣接する自発光素子における発光層は、列方向に延在するバンクによって仕切られている
自発光表示パネル。
A plurality of self-luminous elements according to any one of claims 1 to 16 are arranged in a matrix on the substrate, and the light emitting layers in the self-luminous elements adjacent to each other in the row direction extend in the column direction. Self-luminous display panel separated by.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2023002289A1 (en) * 2021-07-21 2023-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 Light emitting device
WO2023120218A1 (en) * 2021-12-20 2023-06-29 キヤノン株式会社 Organic light emitting element
WO2024080039A1 (en) * 2022-10-14 2024-04-18 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 Display device, electronic apparatus, and method for manufacturing display device

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