KR100607662B1 - 메탈 절연체 메탈 커패시터 형성방법 - Google Patents
메탈 절연체 메탈 커패시터 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100607662B1 KR100607662B1 KR1020030049937A KR20030049937A KR100607662B1 KR 100607662 B1 KR100607662 B1 KR 100607662B1 KR 1020030049937 A KR1020030049937 A KR 1020030049937A KR 20030049937 A KR20030049937 A KR 20030049937A KR 100607662 B1 KR100607662 B1 KR 100607662B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- forming
- mim
- primary
- electrode
- metal
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/75—Electrodes comprising two or more layers, e.g. comprising a barrier layer and a metal layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
Claims (6)
- 알루미늄 메탈 배선 상에 1차 유전막과 1차 전극을 순차적으로 형성하는 단계와,상기 1차 전극과 상기 1차 유전막을 동시에 소정형상으로 식각함으로써, 1차 MIM을 형성하는 단계와,상기 1차 MIM이 형성된 상기 하부 알루미늄 메탈 상에 2차 유전막과 2차 전극을 순차적으로 형성하는 단계와,2차 MIM을 형성하기 위하여 포토 리소그라피 공정으로 2차 MIM이 형성될 지역을 패터닝하는 단계와,상기 2차 전극과 상기 2차 유전막을 동시에 식각함으로써, 상기 2차 MIM을 형성하는 단계와,상기 2차 MIM 상에 전도막을 증착한 후, 블랭크 식각함으로써 전도막 스페이서를 형성하는 단계와,IMI 층을 증착한 후, CMP와 같은 공정을 이용하여 평탄화하는 단계와,상기 IMI 층내에 비아(via)를 형성한 후, 상부 알루미늄 메탈 배선을 형성하는 단계를포함하는 것을 특징으로 하는 메탈 절연체 메탈 커패시터 형성방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 1차 유전막은 질화막이나 산화막을 사용하하며, 100 Å 내지 1000 Å 정도의 두께로 증착하고, 1차 전극은 Ti 또는 TiN을 사용하여 500 Å 내지 3000 Å 정도의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 메탈 절연체 메탈 커패시터 형성방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 2차 유전막은 질화막이나 산화막을 사용할 수 있으며 두께는 100 Å 내지 1000 Å 정도로 증착하는 것을 특징으로 하는 메탈 절연체 메탈 커패시터 형성방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 2차 전극은 Ti 또는 TiN을 사용하여 500 Å 내지 3000 Å 정도의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 메탈 절연체 메탈 커패시터 형성방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 전도막은 알루미늄을 사용하여 500 Å 내지 3000 Å 정도의 두께로 증착 하는 것을 특징으로 하는 메탈 절연체 메탈 커패시터 형성방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 전도막 스페이서는 가장 하단의 메탈 배선 알루미늄과 2차 전극을 전기적으로 연결하여 커패시터가 병렬로 연결되게 하는 가장 중요한 역할을 하는 것을 특징으로 하는 메탈 절연체 메탈 커패시터 형성방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030049937A KR100607662B1 (ko) | 2003-07-21 | 2003-07-21 | 메탈 절연체 메탈 커패시터 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030049937A KR100607662B1 (ko) | 2003-07-21 | 2003-07-21 | 메탈 절연체 메탈 커패시터 형성방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050011095A KR20050011095A (ko) | 2005-01-29 |
KR100607662B1 true KR100607662B1 (ko) | 2006-08-02 |
Family
ID=37223197
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030049937A KR100607662B1 (ko) | 2003-07-21 | 2003-07-21 | 메탈 절연체 메탈 커패시터 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100607662B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101100755B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2011-12-30 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 아날로그 회로의 캐패시터 및 그의 제조 방법 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109545179B (zh) * | 2018-12-29 | 2022-02-15 | 江西师范大学 | 一种基于耐火材料的超宽带近完美光吸收体 |
-
2003
- 2003-07-21 KR KR1020030049937A patent/KR100607662B1/ko active IP Right Grant
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101100755B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2011-12-30 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 아날로그 회로의 캐패시터 및 그의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20050011095A (ko) | 2005-01-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100902581B1 (ko) | 반도체 소자의 스택 커패시터 및 그의 형성방법 | |
KR20100057389A (ko) | Mtm 캐패시터를 구비하는 반도체 장치의 제조방법 | |
US6825080B1 (en) | Method for forming a MIM capacitor | |
US7416953B2 (en) | Vertical MIM capacitors and method of fabricating the same | |
US6284619B1 (en) | Integration scheme for multilevel metallization structures | |
KR20090022042A (ko) | 엠아이엠(mim) 캐패시터와 그의 제조방법 | |
US6794702B2 (en) | Semiconductor device and fabrication method thereof | |
KR100607662B1 (ko) | 메탈 절연체 메탈 커패시터 형성방법 | |
KR100705257B1 (ko) | 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
KR100644525B1 (ko) | 반도체 소자의 금속-절연체-금속 커패시터의 제조 방법 | |
KR100988780B1 (ko) | 반도체 소자의 커패시터 제조 방법 | |
KR100482025B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
US20070145599A1 (en) | Metal-insulator-metal (MIM) capacitor and methods of manufacturing the same | |
US20230395649A1 (en) | Metal-insulator-metal (mim) capacitor module | |
KR100834238B1 (ko) | 엠아이엠 캐퍼시터를 가지는 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
KR100688724B1 (ko) | 고용량 mim 구조 커패시터 제조방법 | |
KR100576513B1 (ko) | 반도체 소자의 엠아이엠 캐패시터 제조방법 | |
KR100542496B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
KR100503350B1 (ko) | 박막 커패시터 및 그 제조 방법 | |
KR100667914B1 (ko) | 수평구조의 엠아이엠 캐패시터 및 그 제조 방법 | |
KR100408683B1 (ko) | 반도체 소자의 콘택 형성방법 | |
KR100847839B1 (ko) | 반도체 소자의 커패시터 및 그 형성방법 | |
KR100340900B1 (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
KR100699685B1 (ko) | 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
KR100485180B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130620 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140618 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150617 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160620 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170626 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180618 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190619 Year of fee payment: 14 |