KR100606237B1 - 냉음극형 형광램프용 전극체 제조방법 및 이에 의한 전극체 - Google Patents

냉음극형 형광램프용 전극체 제조방법 및 이에 의한 전극체 Download PDF

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Abstract

본 발명은 HOT 전극체 컵형 전극부에 1차 산화막으로서 Al2O3, Y2O3 또는 ZnO 산화막을 선택적으로 코팅하고, 상기 1차 산화막상에 2차 세슘 또는 바륨박막을 전부 또는 부분 코팅하여, 치밀하고 균일한 박막형성에 의한 암흑시동이 개선된 냉음극형 형광램프용 전극체 제조방법 및 이에 의한 전극체에 관한 것이며, 전극체간 열평형 현상이 개선되고, 수명이 길고, 휘도균일도가 높으며, 제조공정을 단순화할 수 있는 매우 유용한 냉음극형 형광램프용 전극체가 공개된다.
스퍼터링, 세슘 증착, 냉음극형 형광램프, 전극체

Description

냉음극형 형광램프용 전극체 제조방법 및 이에 의한 전극체{Electrodes for CCFL and a method therefor}
도 1a는 통상적인 냉음극형 형광램프의 단면도이며,
도 1b는 종래 냉음극형 형광램프 컵형 전극부 표면 확대도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 HOT 전극체 개략 단면도이며,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 HOT 전극체 개략 단면도이다.
도 4는 냉음극형 형광램프의 제조공정도이다.
*도면 부호의 간단한 설명*
51: 유리관 52: 형광체막 53: 수은, 아르곤가스
50: 전극체 55: 전극 57: 리드선 58: 봉착선
59: 글라스 비드 60: 1차 도포막 70: 박막
본 발명은 LCD 백라이트로 주로 사용되며 최근에는 광고패널 등 특수조명에도 사용되고 있는 냉음극형 형광램프에 장착되는 HOT 또는 GND 전극체 제조방법 및 이에 의한 전극체에 관한 것이다.
컴퓨터의 액정 모니터나 액정 텔레비전 등에 사용되고 있는 액정표시장치(LCD)는 후면에 백라이트(back light)가 조립되고, 백라이트의 광원으로는 통상 냉음극형 형광램프(이하, '형광램프' 또는 '램프'라고 함)가 사용되는데 이 냉음극형 형광램프는 일반적으로 일반 조명용 형광램프에 비해 관경이 작고, 전력을 적게 소비하면서 동시에 휘도 및 휘도균일도가 높고 수명이 긴 것이 특징이다.
냉음극형 형광램프는 도 1a의 구조를 가지는데 경질 유리로 된 관형의 유리관(51)의 양단에 전극체(50)가 봉착되어 있고, 관내에는 유리관의 내벽에 형광체가 도포된 형광체 막(52)이 형성되어 있으며, 방전 매체(53)로서 아르곤, 네온등의 희가스와 수은이 봉입되어 있다. 램프의 양단에 봉착되는 전극체(50)는 니켈 또는 몰리브덴, 네오븀, 탄탈 등의 금속제로 된 컵형 전극(55)과, 상기 전극에 전력을 공급하는 리드선(57)과, 상기 리드선에 연결되며 비드 글라스(59)를 관통하는 봉착선(58)으로 이루어진다. 봉착선(58)은 유리관(51)과 융착되어 양단을 막는 비드 글라스(59)를 관통하므로 비드 글라스와 선팽창 계수가 유사한 KOVAR 선(Ni 29%, Co 17%, Fe 54%) 또는 텅스텐 선이 사용되고, 외부 리드선(57)은 듀멧선 또는 니켈 선이 주로 사용된다. 또, 봉착선(58)은 글라스 비드(59)와의 기밀을 유지하기 위하여 금속의 표면에 미리 적정한 두께의 산화막을 형성하고, 글라스 비드(59)를 형성한다. 상세하게는 전극부(55)는 공동을 가지는 컵 형상이며, 표면에 전자방출물질로서 세슘황화물이 도포되어, 램프의 양 전극체에 고전압이 인가되면, 전극 표면으로부터 전계에 의한 전자방출이 일어난다. 방출된 전자는 수은을 여기시키고, 수은이 여기되면서 발산되는 자외선이 유리관 내부에 도포된 형광체와 충돌하여 최종적으로 가시광선이 발생된다.
종래 냉음극형 형광램프는 암흑시동이 불량하고, 양단 전극체 열 불균형으로 인하여 유리관 내부에 분포된 수은이 양 전극단으로 이동되는 수은 쏠림현상 등의 단점이 있어 이를 개선하기 위한 방법 등이 제안되었다. 한편, 암흑시동이라 함은 냉음극형 형광램프를 암흑상태 보관 24시간 후, 암흑상태에서 시동시 관전압이 걸린 후 관전류가 뜨기까지의 시간으로 정의되며, 냉음극형 형광램프를 암흑상태에 보관하면 관내의 전자는 완전히 소멸되어, 빛이 없으면 전자 발생이 어려워 결국 방전이 어려워지는 정도를 기술하는 것이다. 또한, 수은쏠림현상이란 유리관 양전극단의 온도차이로 인하여 발생하는 현상으로 종국적으로 수은 소모에 따른 램프 불량을 가져온다.
본 발명자들은 상기 암흑시동 불량의 원인을 종래 전극 표면에 도포된 세슘황화물의 불균일 분포 또는 치밀하지 못한 세슘황화물의 코팅으로 인한 현상로 파악하여 이를 개선하기 위한 방안을 강구하여 실험한 결과 본 발명을 완성하게 되었 다. 종래에는 전극체 전극컵 표면을 처리하기 위하여 전극컵 부위를 세슘황화물(Cs2SO4) 도포액에 순간적으로 디핑하여 건조처리하였으나, 상기와 같은 처리방법으로는 세슘황화물이 전극컵 표면에 균일하게 코팅되지 아니하였을 뿐 아니라 코팅두께 역시 불균일함을 확인하였다. 도1b에 종래 전극체 컵형 전극부 확대도가 도시되며, 세슘황화물이 불균일하게 표면상에 코팅되어 있음을 확인할 수 있다.
본 발명의 목적은 스퍼터링 증착법에 의한 치밀한 세슘 또는 바륨박막을 형성하여, 암흑시동이 개선된 냉음극형 형광램프용 전극체 제조방법 및 이에 의한 전극체를 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 수은쏠림현상이 개선된, 전극체간 열평형이 우수한 냉음극형 형광램프용 전극체 제조방법 및 이에 의한 전극체을 개시하는 것이며, 따라서 본 발명의 궁극적인 목적은 수명이 길고, 휘도균일도가 높으며, 제조공정을 단순화할 수 있는 냉음극형 형광램프용 전극체를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 냉음극형 형광램프용 음극(HOT) 전극체는 원통형 또는 컵형으로 내부에 공동을 가지는 전극; 상기 전극 하부에 삽입되며, 비드글라스를 관통하여 연결되는 봉착선; 및 상기 봉착선과 연결된 외부리드선 을 포함한다. 상기 HOT 전극부 표면에는 알루미나, 이트륨 또는 아연산화막이 1차 도포되며, 상기 산화막상 전부 또는 일부에는 전자방출물질로서 세슘박막이 2차 증착된 것을 특징으로 한다. 한편, 상기 HOT 전극체와 대응되는 양극(GND) 전극체는 원통형 또는 컵형으로 내부에 공동을 가지는 전극; 상기 전극 하부에 삽입되며, 비드글라스를 관통하여 연결되는 봉착선; 및 상기 봉착선과 연결된 외부리드선을 포함하며, 상기 양전극 표면에는 알루미나, 이트륨 또는 아연산화막이 도포된 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 상기 알루미나, 이트륨 또는 아연산화막은, 세슘박막이 일차적으로 증착되고 그 표면에 일부 또는 전부를 겹쳐서 코팅될 수도 있다.
상기 HOT 전극체의 제조방법은 전극체를 강산에서 세정·건조시키고, 상기 전극체에서의 컵형 전극 표면에만 Al2O3, Y2O3 또는 ZnO 산화막 (이하 대표적으로 '알루미나 산화막'이라 함)을 도포, 건조시키고, 상기 형성된 알루미나 산화막상 전부 또는 일부에 세슘 스퍼터링 증착막을 형성하여 완성하거나, 코팅 단계를 바꾸어 세슘박막을 먼저 증착시키고, 상기 세슘박막 전부 또는 일부에 알루미나 산화막을 도포, 건조하여 제조될 수 있다. 한편, GND 전극체 제조방법은 HOT 전극체 제조방법과 동일하게 적용될 수 있으나, 세슘박막이 형성되지 아니한다. 각 단계별로 상세히 설명한다. 한편, 세정단계 및 알루미나 산화막 도포단계는 HOT 전극체 및 GND 전극체 공통으로 적용되는 것이며, 세슘박막 증착단계는 HOT 전극체에만 단독으로 진행되는 단계이다.
상기 세정단계는 전극체 전체를 강산, 바람직하게는 pH 2 강산에서, 5분 내지 10분 디핑(dipping)하여 이루어진다. 상기 세정된 전극체는 증류수로 세척하여 건조시킨 후, 250℃에서 10분간 열처리하여 알루미나 산화막 도포단계 또는 세슘박막 증착단계로 이어진다. 상기 세정단계는 알루미나 산화막 또는 세슘박막 증착력을 증진시키기 위한 예비단계로 유용하나, 필수적 단계는 아니다.
상기 알루미나 산화막 도포단계에서는 1차 도포액에 전극체 중 컵형 전극부 전부 또는 일부만을 순간 디핑하여 이루어지며, 알루미나 산화막이 코팅된 전극부를 가지는 전극체는 100℃에서 10분이상 건조된다. 상기 1차 도포액으로는 바람직하게는 5% Al2O3 (알콜 분산매질)를 적용하는 것이나, Y2O3 또는 ZnO 분산액이 선택될 수 있다. 전극부 전부를 코팅할 수도 있으나, 일부 즉 전극 개방단으로부터 약 3/4 정도까지만을 부분적으로 코팅할 수 있다. 산화막 도포후 HOT전극체는 연속하여 세슘박막 증착단계로 이동된다.
상기 세슘 박막 증착단계는 Cs 타켓, 예를들면 CsOH 등,을 포함한 통상의 증착장치를 이용한 스퍼터링 공정으로 수행된다. 스퍼터링(sputtering)은 진공 중에서 불활성 기체(주로 아르곤)의 글로우 방전을 형성하여 양이온들이 음극 바이어스 된 타겟에 충돌하도록 함으로써 운동량 전달에 의해 타겟의 원자가 방출되도록 유도하는 것이다. 방출된 원자들은 진공조 내부에서 자유롭게 운동하며 피착체에 증착층을 형성한다. 스퍼터링된 원자들은 운동량 전달에 의해 비교적 높은 운동에너지를 가지므로 피착체에서 증착층을 형성할 때 열역학적으로 안정한 위치로 표면확산이 일어나게 되어, 따라서 치밀한 조직을 가지는 코팅층을 형성한다. 상기 증착공정을 조절하여 HOT 전극체 1차 산화막상에 전부 또는 일부에 세륨박막을 코팅할 수 있으나, 바람직하게는 알루미나, 이트륨 또는 아연 산화막상 중앙부를 중심으로 밴드 형식으로 증착하는 것이다. 상기 세슘 박막을 적용하는 것은 컵형 전극부 재질이 니켈의 경우에 바람직한 것이나, 이에 국한되지 아니하고 컵형 전극부 재질이 몰리브덴의 경우에는 타겟으로 바륨(Ba)재질을 선택될 수 있다. 상기 세슘 밴드 박막은 산화막 중앙부를 중심으로 산화막 폭의 약 1/3 정도 폭으로 형성되도록 조절될 수 있으나, 밴드 폭은 이에 제한되지 아니한다. 한편, 세슘 밴드 박막은 산화막 중앙부가 아닌, 전극부 개방단 부위, 또는 이에 대향되는 전극부 하부에도 단독으로, 산화막 폭의 약 1/3 정도의 폭으로 형성될 수 있으나, 어떤 위치에 형성되더라도 세슘 밴드 박막은 1차 산화막 표층에 형성되어야 한다.
상기와는 달리, 본 발명에 의한 냉음극형 형광램프용 전극체는 일차적으로 세슘박막을 스퍼터링 증착하고 상기 세슘박막 전부 또는 일부와 겹쳐 알루미나 산화막이 2차 도포막으로 형성될 수 있다. 세슘박막을 증착하는 단계 또는 알루미나 산화막을 2차 도포막으로 형성하는 단계는 상기 기술된 각 코팅단계와 동일한 절차 에 의하여 진행되나, 단지 순서만을 바꾸어 진행하는 것이다. 이하, 본 발명의 일실시예에 해당되는 알루미나 산화막을 1차 도포막으로 형성하고, 증착장치를 이용한 세슘박막 형성 단계에 의한 냉음극형 형광램프 제조방법을 중심으로 설명한다.
따라서, 본 발명에 의한 HOT 전극체는 1차 산화막이 형성되고, 상기 1차 산화막상에, 2차 박막이 형성된 HOT 전극부를 가지며, GND 전극체는 GND 산화막이 형성된 GND 전극부를 가지는 것을 특징으로 한다. 상기 1차 산화막이 알루미나, 이트륨 또는 아연 산화막인 경우 2차 박막은 세슘 또는 바륨증착막이며, 선택적으로 상기 1차 박막이 세슘 또는 바륨 증착막(이하 대표적으로 '세슘증착막'이라 함)인 경우 2차 산화막은 알루미나, 이트륨 또는 아연 산화막(이하 대표적으로 '알루미나 산화막'이라 함)으로 형성된다. 한편, 상기 GND 산화막은 알루미나, 이트륨 또는 아연산화막으로 구성된다. 상기 2차 증착막은 1차 산화막 표면과 동일 표면적으로 코팅되거나, 1차 산화막 표면중 일부에 코팅될 수 있으며, 상기 일부 코팅 위치는 특별히 제한되지 아니한다.
도2는 본 발명에 의한 HOT 전극체 개략 단면도를 도시한 것이고, 컵형 전극부상에 1차 산화막, 바람직하게는 Al2O3 산화막, 상기 1차 산화막 전표면에 겹쳐 2차 증착막, 바람직하게는 Cs 박막,이 도포된 전극체 단면도이다.
도3은 본 발명의 다른 실시예에 의한 HOT 전극체 개략 단면도를 도시한 것이고, 컵형 전극부상에 1차 산화막, 바람직하게는 Al2O3 산화막, 상기 1차 산화막 중간부에 걸쳐 2차 박막, 바람직하게는 세슘박막이 증착된 전극체 단면도이다. 1차 산화막은 선택적으로 Y2O3 또는 ZnO 산화막이 적용될 수 있으며, 2차 박막은 선택적으로 바륨박막이 증착될 수 있다.
상기 HOT 전극체와 매칭되는 GND 전극체 전극부는 GND 산화막, 바람직하게는 Al2O3 산화막이 도포되는 것이며, 선택적으로 Y2O3 또는 ZnO 산화막이 도포될 수 있다.
이하, 본 발명 전극체 제조방법을 바람직한 실시예를 통하여 보다 상세히 설명한다.
1. Hot 전극체 제조방법
니켈 재질의 컵형 전극부를 가지는 전극체를 pH 2 강산(상표명 SemiGT)에 10분 동안 담근 후, 건져서 증류수로 완전히 세척하여 건조시킨 후, 250℃에서 10분간 열처리하였다. 상기 전극체 컵 전극부의 상단 개구측 일부 (개구로부터 전극부 3/4에 해당되는 부분)를 5% Al2O3 도포액에 담근 후, 건져서 와이퍼를 이용하여 전극 동공부에 있는 도포액을 제거한 후, 35-40℃, 1-2 m/sec의 미온풍으로 건조한 후, 100℃에서 10분간 열처리하였다. 연속하여, 상기 Al2O3 산화막층 중간부, 도3에 도시된 바와 같이,에 스퍼터링 증착장치를 이용하여 세슘 박막을 증착하여, 1차 산화막 및 세슘 박막이 연속적으로 코팅된 전극부를 가지는 HOT 전극체를 완성하였다.
상기 5% Al2O3 도포액은 분산매질로서 에틸알콜 및 이소프로필알콜 95중량% 매질중, 입경이 300-500nm인 Al2O3 파우더 5중량%가 분산된 용액이었다. 상기 1차 및 2차 코팅층은 5㎛ 이내의 두께로 코팅되었다.
세슘 박막 형성을 위한 증착장치를 개략적으로 설명한다. 진공챔버, 상기 진공챔버내에 HOT 전극체를 고정시킬 수 있는 지그, 및 상기 고정된 전극체와 소정 간격을 두고 설치되는 세슘타겟, 예를들면 CsOH, 상기 타겟에 전원을 인가하는 전원공급부로 구성된 통상의 증착장치이며, 진공챔버내에 플라즈마 소스를 공급하는 소스공급부가 포함된다. 상기 플라즈마 소스로는 아르곤 가스가 사용되었다. 본 발명에 따른 세슘 박막 증착공정은 RF 파워를 이용하며, 지그에 HOT 전극체를 고정시키고, 진공펌프를 이용하여 챔버내의 진공도를 약 2X10-6mmbar 수준까지 떨어뜨리며, 지그에 고정된 전극체 온도를 홀더 히터를 이용하여 약 140-150℃의 범위에서 세팅한다. 진공 펌프가 펌핑을 정지하면 Cs 타겟 표면의 산화막을 제거하기 위하여 약 30분간 예비 스퍼터링을 행할 수 있으나 필수적인 것은 아니다. 스퍼터링 증착 은 사전에 아르곤 가스를 챔버내에 유입하고 증착을 개시한다. 이때, 입력파워는 700-750W로, 전극체와 타겟 간의 거리는 약90mm로 제어하고, 증착 박막의 두께는 5㎛이내로 조절되었다. 상기 증착공정을 통하여 균일한 두께 및 균일한 분포의 세슘 박막층을 형성하였다.
한편, 상기 5% Al2O3 도포액을 대체하여 5% Y2O3 또는 5% ZnO 도포액을 이용하여 각각 Y2O3 또는 ZnO 산화막 도포되고, 상기 1차 산화막상에 세슘박막이 2차 증착된 전극부를 가지는 또 다른 HOT 전극체들을 완성하였다.
2. Ground(GND) 전극체 제조방법
니켈 재질의 컵형 전극부를 가지는 전극체를 pH 2 강산에 10분 동안 담근 후, 건져서 증류수로 완전히 세척하여 건조시킨 후, 250℃에서 10분간 열처리하였다. 상기 전극체의 전극부의 상단 일부(개방구로부터 약 3/4 정도 간격된 부위까지)를 5% Al2O3에 순간적으로 담근 후, 건져서 100℃에서 10분간 열처리하여, Al2O 3 산화막 도포된 전극부를 가지는 GND 전극체를 완성하였다.
상기 실시예와 유사한 방법으로 5% Y2O3 또는 5% ZnO 도포액을 이용하여 각각 Y2O3 또는 ZnO GND산화막이 도포된 전극부를 가지는 다양한 GND 전극체들을 완성 하였다.
3. 조립예.
상기 HOT 전극체 및 GND 전극체를 도4 절차를 따라 냉음극형 형광램프를 제작하였다.
(1) 형광체를 유리관 내면에 적정한 두께로 도포하고 가열하여 건조하고 소성하는 단계 (유리관 컷팅, 세척, 도포, 넥클리닝, 베이킹), (2) 유리관의 한쪽에 Hot 전극체를 삽입한 후 떨어지지 않도록 핀칭하고 (마운팅 및 가실링), Ground 전극체를 삽입한 후 완전 실링 (마운팅 및 실링 1차) 단계, (3) 수은을 겟터-타입으로 Hot 측에 주입하고 (수은 주입), 내부를 진공으로 만드는 단계 (배기), (4) 적정 압력의 아르곤, 네온 또는 그 혼합가스를 봉입한 후, 수은이 유리관 안으로 들어가도록 강제 확산시키고 (1차 수은 확산), 버너에 의해 기밀 실링하는 단계, (5) 불필요한 부분의 컷팅, 실링과정에서 검게 그을린 리드선을 환원처리하고, 수은을 유리관 내부에 골고루 퍼지도록 고온으로 확산 (2차 수은 확산)하여 냉음극형 형광램프를 조립하였다.
실험예 1.
상기 실시예에서 제조된 전극체들을 적용한 냉음극형 형광램프 특성 (온도측정, 시동전압, 암흑시동시간) 을 측정하여 하기와 같은 결과를 얻었다.
Al2O3 산화막이 도포된 GND 전극부
전극조건 온도측정결과(℃) 시동전압 (V) 암흑시동시간(ms)
HOT GND HOT CENTER GND H/G 편차
세정:Al2O3:Cs증착 Al2O3 125.0 54.9 115.1 -9.9 795 21
세정:Al2O3:Cs증착 Al2O3 127.9 55.9 118.2 -9.7 788 9
세정:Al2O3:Cs증착 Al2O3 123.1 55.4 115.9 -7.7 793 14
비교실험예
전극조건 온도측정결과(℃) 시동전압 (V) 암흑시동시간(ms)
HOT GND HOT CENTER GND H/G 편차
Cs2SO4 도포 무처리 90.1 58.2 122.5 32.5 781 300
본 발명에 의한 냉음극형 형광램프 전극체를 장착하여 램프 특성을 측정한 결과, 램프의 바람직한 특성, 즉 암흑시동시간을 30ms 이하로 유지하며, Hot 전극 온도가 GND 전극 온도보다 최소한 0-10℃ 높아, 실장시 수은 쏠림 문제를 해결할 수 있는 램프를 제작할 수 있었다. 한편, 도시되지 아니하였지만 HOT 전극부 산화막이 Y2O3 또는 ZnO를 적용한 전극의 경우에도 표 1과 유사하게 암흑시동, 온도편차 특성이 비교예와 대비하여 개선된 적용 가능한 결과를 주었다.
실험예 2.
한편, 실험예 1와 동일한 HOT 전극부 전극체 및 ZnO 산화막이 도포된 GND 전극 전 극체를 적용하여, 램프특성을 측정하여 표 2와 같은 결과를 얻었다.
ZnO 산화막이 도포된 GND 전극부
전극조건 온도측정결과(℃) 시동전압 (V) 암흑시동시간(ms)
HOT GND HOT CENTER GND H/G 편차
세정:Al2O3:Cs증착 ZnO 129.0 57.1 118.2 -9.8 798 15
본 발명에 의한 냉음극형 형광램프 전극체, 특히 ZnO 산화막이 코팅된 GND 전극부를 장착하여 램프 특성을 측정한 결과, 상기에서 언급된 램프의 바람직한 특성, 즉 암흑시동시간을 30ms 이하로 유지하며, Hot 전극 온도가 GND 전극 온도보다 최소한 0-10℃ 높아, 실장시 수은 쏠림 문제를 해결할 수 있는 램프를 제작할 수 있었다. 한편, 도시되지 아니하였지만 HOT 전극부 1차 산화막이 Y2O3 또는 ZnO를 적용한 HOT 전극의 경우에도 표 2와 유사하게 암흑시동, 온도편차 특성이 비교예와 대비하여 개선된 적용가능한 결과를 주었다.
실험예 3.
한편, 실험예 1와 동일한 HOT 전극부 전극체 및 Y2O3 산화막이 코팅된 GND 전극 전극체를 적용하여, 램프특성을 측정하여 표 3와 같은 결과를 얻었다.
Y2O3 산화막이 도포된 GND 전극부
전극조건 온도측정결과(℃) 시동전압 (V) 암흑시동시간(ms)
HOT GND HOT CENTER GND H/G 편차
세정:Al2O3:Cs증착 Y2O3 124.9 54.8 117.3 -7.6 792 8
Y2O3 산화막이 코팅된 GND 전극부를 장착하여 램프 특성을 측정한 결과, 암흑시동시간을 30ms 이하로 유지하며, Hot 전극 온도가 GND 전극 온도보다 최소한 0-10℃ 높아, 실장시 수은 쏠림 문제를 해결할 수 있는 램프를 제작할 수 있었다. 한편, HOT 전극부 1차 산화막이 Y2O3 또는 ZnO를 적용한 전극의 경우에도 표 3과 유사하게 암흑시동, 온도편차 특성이 비교예와 대비하여 개선된 적용가능한 결과를 주었다.
상기와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명되었지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명은 음극 전극체 컵형 전극부에 1차 산화막으로서 Al2O3, Y2O3 또는 ZnO 산화막을 선택적으로 코팅하고, 상기 1차 산화막상에 바람직하게는 2차 세슘박막을 전부 또는 부분 코팅함으로써, 또는 코팅순서를 바꾸어 코팅함으로써, 치밀하고도 균일한 박막형성이 가능하여 암흑시동이 개선된 냉음극형 형광램프용 전극체 제조방법 및 이에 의한 전극체를 개시하는 것이며, 상기 기술적 구성에 따라 전극간 열평형을 달성할 수 있어 수은 쏠림 현상이 극복된 냉음극형 형광램프용 전극체 제조방법 및 이에 의한 전극체을 제안하는 것이며, 본 발명의 기술적 사상에 의해 수명이 길고, 휘도균일도가 높으며, 제조공정을 단순화할 수 있는 매우 유용한 냉음극형 형광램프용 전극체가 공개된다.

Claims (6)

  1. 세정된 전극체의 컵형 전극부 표면에 알루미나, 이트륨 또는 아연 산화막을 도포하는 단계 ; 상기 산화막 표면 전부 또는 일부에 스퍼터링 증착법으로 세슘 또는 바륨 증착 박막을 형성하는 단계를 포함하는, 냉음극형 형광램프용 전극체 제조방법.
  2. 세정된 전극체의 컵형 전극부 표면에 스퍼터링 증착법으로 세슘 또는 바륨 증착 박막을 형성하는 단계 ; 상기 박막 표면 전부 또는 일부에 알루미나, 이트륨 또는 아연 산화막을 도포하는 단계를 포함하는, 냉음극형 형광램프용 전극체 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 알루미나, 이트륨 또는 아연산화막을 도포하는 단계는 알콜매질에 Al2O3, Y2O3 또는 ZnO 파우더가 분산된 도포액에 전극부를 디핑하여 도포하는 것을 특징으로 하는, 냉음극형 형광램프용 전극체 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 컵형 전극부를 포함하는 냉음극형 형광램프용 전극체를 알루미나, 이트륨 또는 아연 산화막 도포단계 전 강산에서 세정하는 단계를 더욱 포함하는, 냉음극형 형광램프용 전극체 제조방법.
  5. 제1항에 의해 제조되는 냉음극형 형광램프용 전극체.
  6. 제2항에 의해 제조되는 냉음극형 형광램프용 전극체.
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