KR100601956B1 - 자기장의 변화를 이용한 온도측정장치 - Google Patents
자기장의 변화를 이용한 온도측정장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100601956B1 KR100601956B1 KR1020040048934A KR20040048934A KR100601956B1 KR 100601956 B1 KR100601956 B1 KR 100601956B1 KR 1020040048934 A KR1020040048934 A KR 1020040048934A KR 20040048934 A KR20040048934 A KR 20040048934A KR 100601956 B1 KR100601956 B1 KR 100601956B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- magnetic field
- wafer
- temperature
- conductor structure
- magnitude
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
- G01K1/02—Means for indicating or recording specially adapted for thermometers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K2215/00—Details concerning sensor power supply
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
Claims (18)
- 웨이퍼의 열처리 공정에서 웨이퍼의 온도를 측정하는 장치에 있어서,상기 웨이퍼의 상부 표면에 배치되며, 온도에 따라 전기전도도가 변화하는 적어도 하나의 전도체 구조물;상기 웨이퍼의 하면 쪽에서 상기 전도체 구조물과 대향하도록 설치된 자기장 생성부; 및상기 전도체 구조물의 상면으로부터 이격되어 설치되는 자기장 측정 센서;를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 온도측정장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 자기장 생성부에 교류 전류를 공급하는 교류전원;상기 자기장 측정 센서에서 측정된 자기장의 세기로부터 웨이퍼의 온도를 계산하는 신호처리부; 및상기 계산된 웨이퍼의 온도를 디스플레이 하는 단말기를 더 포함하는 웨이퍼 온도측정장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 신호처리부는:상기 자기장 측정 센서로부터의 신호를 증폭하는 신호증폭기;상기 증폭된 신호로부터 자기장의 크기를 계산하는 자기장 계산부;자기장 생성부에서 발생한 자기장의 크기와 자기장 계산부에서 계산된 자기장의 크기를 비교하여, 상기 전도체 구조물에서 유도된 자기장의 크기를 계산하는 유도자기장 계산부; 및상기 계산된 유도자기장의 크기로부터 웨이퍼의 온도를 계산하는 온도계산부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 온도측정장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 온도계산부는 유도자기장의 크기와 웨이퍼의 온도 사이의 관계를 미리 측정하여 기록한 룩업테이블을 이용하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 온도측정장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 전도체 구조물은 나선형으로 적어도 1회 권선된 유도코일인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 온도측정장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 웨이퍼의 표면에 다수의 유도코일이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 온도측정장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 다수의 유도코일은, 상기 웨이퍼의 표면 중 반도체 칩이 형성되지 않는 빈 공간에 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 온도측정장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 다수의 유도코일 각각에 대응하는 위치에 다수의 자기장 생성부와 자기장 측정 센서가 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 온도측정장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 교류전원은 소정의 순서에 따라 소정의 시간 간격으로 각각의 자기장 생성부에 순차적으로 교류 전류를 공급하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 온도측정장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 자기장 생성부는 교류 구동 전자석인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 온도측정장치.
- 상부면에 놓여진 웨이퍼를 균일하게 가열하는 핫플레이트 및 상기 핫플레이트를 밀폐하도록 덮는 커버를 포함하는 웨이퍼의 열처리 장치에 있어서,상기 가열되는 웨이퍼의 상면에 배치되며, 온도에 따라 전기전도도가 변화하는 적어도 하나의 전도체 구조물;상기 웨이퍼를 중심으로 상기 전도체 구조물과 대향하도록 설치된 자기장 생성부; 및상기 전도체 구조물의 상방에 설치되는 자기장 측정 센서;를 구비하는 웨이퍼 온도측정장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 열처리 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 온도측정장치는:상기 자기장 생성부에 교류 전류를 공급하는 교류전원;상기 자기장 측정 센서에서 측정된 자기장의 세기로부터 웨이퍼의 온도를 계산하는 신호처리부; 및상기 계산된 웨이퍼의 온도를 디스플레이 하는 단말기를 더 포함하는 웨이퍼 열처리 장치.
- 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,상기 전도체 구조물은 나선형으로 적어도 1회 권선된 유도코일인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 열처리 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 웨이퍼의 표면에 다수의 유도코일이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 열처리 장치.
- 제 14 항에 있어서,상기 다수의 유도코일은, 상기 웨이퍼의 표면 중 반도체 칩이 형성되지 않는 빈 공간에 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 열처리 장치.
- 제 15 항에 있어서,상기 다수의 유도코일 각각에 대응하는 위치에 다수의 자기장 생성부와 자기장 측정 센서가 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 열처리 장치.
- 제 16 항에 있어서,상기 자기장 생성부는 상기 핫플레이트 내에 설치되며, 상기 자기장 측정 센서는 상기 커버의 내면으로부터 하방으로 설치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 열처리 장치.
- 제 16 항에 있어서,상기 교류전원은 소정의 순서에 따라 소정의 시간 간격으로 각각의 자기장 생성부에 순차적으로 교류 전류를 공급하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 열처리 장치.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040048934A KR100601956B1 (ko) | 2004-06-28 | 2004-06-28 | 자기장의 변화를 이용한 온도측정장치 |
JP2005186453A JP2006013517A (ja) | 2004-06-28 | 2005-06-27 | 磁場の変化を利用した温度測定装置 |
US11/167,093 US7275865B2 (en) | 2004-06-28 | 2005-06-28 | Temperature measuring apparatus using change of magnetic field |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040048934A KR100601956B1 (ko) | 2004-06-28 | 2004-06-28 | 자기장의 변화를 이용한 온도측정장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060000070A KR20060000070A (ko) | 2006-01-06 |
KR100601956B1 true KR100601956B1 (ko) | 2006-07-14 |
Family
ID=35505688
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040048934A KR100601956B1 (ko) | 2004-06-28 | 2004-06-28 | 자기장의 변화를 이용한 온도측정장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7275865B2 (ko) |
JP (1) | JP2006013517A (ko) |
KR (1) | KR100601956B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101521718B1 (ko) * | 2013-11-18 | 2015-05-19 | 전북대학교산학협력단 | 홀센서 어레이를 이용한 임계전이온도 측정장치 및 그 방법 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070230536A1 (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-04 | Mtu Aero Engines Gmbh | Method and apparatus for detection of flaws in a metal component |
US20080085609A1 (en) * | 2006-07-31 | 2008-04-10 | Vasek James E | Method for protecting high-topography regions during patterning of low-topography regions |
US7651267B2 (en) * | 2006-08-08 | 2010-01-26 | Ford Global Technologies, Llc | Sensor arrangement and method for using same |
JP4842195B2 (ja) * | 2007-04-06 | 2011-12-21 | 新日本製鐵株式会社 | 鋳片表面温度の測定装置および鋳片表面温度の測定方法 |
CN102564637B (zh) * | 2010-12-15 | 2015-09-09 | 新科实业有限公司 | 磁隧道结中偏流/偏压引起的升温的测量方法 |
JP2013036941A (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Yamaha Corp | 磁気センサの検査装置及び検査方法 |
US9779872B2 (en) * | 2013-12-23 | 2017-10-03 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and method for fine-tuning magnet arrays with localized energy delivery |
KR101594256B1 (ko) | 2014-08-19 | 2016-02-17 | 세종대학교산학협력단 | 열 감지 마그네틱 센서 |
US10041842B2 (en) * | 2014-11-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Method for measuring temperature by refraction and change in velocity of waves with magnetic susceptibility |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0515356B1 (en) * | 1988-08-24 | 1995-07-12 | Valtion Teknillinen Tutkimuskeskus | Method and apparatus for measuring the temperature of an electrically conductive material |
JP3165938B2 (ja) * | 1993-06-24 | 2001-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス処理装置 |
US5466614A (en) * | 1993-09-20 | 1995-11-14 | At&T Global Information Solutions Company | Structure and method for remotely measuring process data |
US6150809A (en) * | 1996-09-20 | 2000-11-21 | Tpl, Inc. | Giant magnetorestive sensors and sensor arrays for detection and imaging of anomalies in conductive materials |
US6064220A (en) * | 1997-07-29 | 2000-05-16 | Lsi Logic Corporation | Semiconductor integrated circuit failure analysis using magnetic imaging |
US6034357A (en) * | 1998-06-08 | 2000-03-07 | Steag Rtp Systems Inc | Apparatus and process for measuring the temperature of semiconductor wafers in the presence of radiation absorbing gases |
JP3709552B2 (ja) * | 1999-09-03 | 2005-10-26 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP3556549B2 (ja) * | 1999-12-10 | 2004-08-18 | シャープ株式会社 | シート抵抗測定器および電子部品製造方法 |
US6716303B1 (en) * | 2000-10-13 | 2004-04-06 | Lam Research Corporation | Vacuum plasma processor having a chamber with electrodes and a coil for plasma excitation and method of operating same |
US6639402B2 (en) * | 2001-01-31 | 2003-10-28 | University Of Kentucky Research Foundation | Temperature, stress, and corrosive sensing apparatus utilizing harmonic response of magnetically soft sensor element (s) |
US6671232B1 (en) * | 2001-07-25 | 2003-12-30 | Maxtor Corporation | Method and apparatus for measuring the surface temperature of a disk |
US6794886B1 (en) * | 2001-11-01 | 2004-09-21 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Tank probe for measuring surface conductance |
US20030186519A1 (en) * | 2002-04-01 | 2003-10-02 | Downey Daniel F. | Dopant diffusion and activation control with athermal annealing |
EP2226644A1 (en) * | 2002-11-29 | 2010-09-08 | Yamaha Corporation | Magnetic sensor for obtaining data regarding temperature characteristic of the same |
US6864108B1 (en) * | 2003-10-20 | 2005-03-08 | Texas Instruments Incorporated | Measurement of wafer temperature in semiconductor processing chambers |
JP4433820B2 (ja) * | 2004-02-20 | 2010-03-17 | Tdk株式会社 | 磁気検出素子およびその形成方法ならびに磁気センサ、電流計 |
JP4466487B2 (ja) * | 2005-06-27 | 2010-05-26 | Tdk株式会社 | 磁気センサおよび電流センサ |
-
2004
- 2004-06-28 KR KR1020040048934A patent/KR100601956B1/ko active IP Right Grant
-
2005
- 2005-06-27 JP JP2005186453A patent/JP2006013517A/ja active Pending
- 2005-06-28 US US11/167,093 patent/US7275865B2/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101521718B1 (ko) * | 2013-11-18 | 2015-05-19 | 전북대학교산학협력단 | 홀센서 어레이를 이용한 임계전이온도 측정장치 및 그 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050286607A1 (en) | 2005-12-29 |
US7275865B2 (en) | 2007-10-02 |
JP2006013517A (ja) | 2006-01-12 |
KR20060000070A (ko) | 2006-01-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7275865B2 (en) | Temperature measuring apparatus using change of magnetic field | |
US6676289B2 (en) | Temperature measuring method in pattern drawing apparatus | |
KR20000011356A (ko) | 가열장치,가열장치의평가법및패턴형성방법 | |
US20080238466A1 (en) | Temperature sensing and prediction in ic sockets | |
CN101495821A (zh) | 集成电路插座中的温度感测与预测 | |
JP2012230023A (ja) | 温度測定装置、温度校正装置及び温度校正方法 | |
US6593761B1 (en) | Test handler for semiconductor device | |
JP2001210683A (ja) | プローバのチャック機構 | |
JPH07106392A (ja) | 加工データを遠隔的に測定するための構造ならびにその方法 | |
JP5485936B2 (ja) | 温度校正装置及び温度校正方法 | |
JP2001242014A (ja) | 基板の温度測定方法および処理方法 | |
TWI230952B (en) | Testing method for electronic part and testing device | |
WO2019001105A1 (zh) | 一种基于红外热像仪的发射率测试方法 | |
US6130414A (en) | Systems and methods for controlling semiconductor processing tools using measured current flow to the tool | |
TW528860B (en) | Temperature measuring method and apparatus and semiconductor heat treatment apparatus | |
KR20120121852A (ko) | 온도 측정 장치, 온도 교정 장치 및 온도 교정 방법 | |
KR20160064272A (ko) | 열전박막의 수직방향 열전특성 측정센서유닛 | |
JPH0774218A (ja) | Icのテスト方法およびそのプローブカード | |
CN112098765A (zh) | 一种基于热电堆的设备的自检系统、自检电路及自检方法 | |
CN113557430A (zh) | 传感器设备及用于操作传感器设备的方法 | |
JP2524384B2 (ja) | 極低温用温度計 | |
KR100683587B1 (ko) | 추진제어인버터의 냉각 유니트 성능 시험장치 및 그 방법 | |
JPH06151537A (ja) | 配線寿命の評価方法 | |
JPS62165325A (ja) | ランプアニ−ル装置 | |
JPH0275983A (ja) | 磁性体の鉄損の温度特性測定方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130624 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140619 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150624 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160620 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170619 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180620 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190619 Year of fee payment: 14 |