JPS62165325A - ランプアニ−ル装置 - Google Patents
ランプアニ−ル装置Info
- Publication number
- JPS62165325A JPS62165325A JP683786A JP683786A JPS62165325A JP S62165325 A JPS62165325 A JP S62165325A JP 683786 A JP683786 A JP 683786A JP 683786 A JP683786 A JP 683786A JP S62165325 A JPS62165325 A JP S62165325A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- thermocouple
- thermocouples
- temperature
- constitution
- Prior art date
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- Pending
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はランプアニール装置に関するものである。
半導体ウェハの、イオン注入後の不純物の活性化のため
の高温アニール法として、不純物の拡散を押さえ大口径
ウェハでの加熱の均一性を向上させることが可能なラン
プアニール法が注目されている。
の高温アニール法として、不純物の拡散を押さえ大口径
ウェハでの加熱の均一性を向上させることが可能なラン
プアニール法が注目されている。
第４図は、従来のランプアニール装置を一部断面で示す
構成図である。石英管４０１の中に石英トレイ４０２が
あり、その上に試料４０３および測温ウェハ４０４が置
かれている。実際にアニールを行なう時は、試料４０３
の酸化等を防止するために窒素などの不治性ガスを流す
。４０５はガス入口であり、４０６はガス出口である。
構成図である。石英管４０１の中に石英トレイ４０２が
あり、その上に試料４０３および測温ウェハ４０４が置
かれている。実際にアニールを行なう時は、試料４０３
の酸化等を防止するために窒素などの不治性ガスを流す
。４０５はガス入口であり、４０６はガス出口である。
試料の加熱はハロゲンランプ４０７で行ない、ここから
出た光は放物面筒４０８によって平行光となって試料に
照射される。また、試料温度の制御は、測温ウェハ４０
４に付けられた熱電対４０９の超電圧を電圧計４１０に
よって測定し、この測定結果を制御回路４１１に通して
ランプ電源４１２の電力を制御し、試料が指定された温
度になるようにフィードバックをかけている。
出た光は放物面筒４０８によって平行光となって試料に
照射される。また、試料温度の制御は、測温ウェハ４０
４に付けられた熱電対４０９の超電圧を電圧計４１０に
よって測定し、この測定結果を制御回路４１１に通して
ランプ電源４１２の電力を制御し、試料が指定された温
度になるようにフィードバックをかけている。
第５図は、第４図の従来のランプアニール装置の測温ウ
ェハ近傍の拡大断面図である。図において４（Ｍは測温
ウェハ、４１９は熱電対であり、接着剤４１Ｂによって
測温ウェハに取り付けられている。接着剤４１３の材料
としては高温にも耐えられるように、アルミナ等の無機
接着剤が用いられる。
ェハ近傍の拡大断面図である。図において４（Ｍは測温
ウェハ、４１９は熱電対であり、接着剤４１Ｂによって
測温ウェハに取り付けられている。接着剤４１３の材料
としては高温にも耐えられるように、アルミナ等の無機
接着剤が用いられる。
熱電対としてはクロメル アルメル、白金・白金ロジウ
ムなど任意の熱電対の使用が可能である。
ムなど任意の熱電対の使用が可能である。
上記の従来のランプアニール装置の測温ウェハでは、上
からランプ光が照射されたとき熱電対を直接加熱したり
、あるいは接着剤の熱容量が大きくシミュレーション結
果との比較など、過渡的に温度測定する場合に正確な温
度が測定出来ないなどの欠点を有していた。
からランプ光が照射されたとき熱電対を直接加熱したり
、あるいは接着剤の熱容量が大きくシミュレーション結
果との比較など、過渡的に温度測定する場合に正確な温
度が測定出来ないなどの欠点を有していた。
本発明のランプアニール装置は、温度制御を行なうなめ
に設けてある測温ウェハとして、内部に熱電対を構成す
る２種類の材料がお互いの一部が接触し、それぞれの一
部はウェハの外部に面しており、熱電対材料とウェハ材
料の間に絶縁薄膜がある構造のウェハを用いたことを特
徴とする。
に設けてある測温ウェハとして、内部に熱電対を構成す
る２種類の材料がお互いの一部が接触し、それぞれの一
部はウェハの外部に面しており、熱電対材料とウェハ材
料の間に絶縁薄膜がある構造のウェハを用いたことを特
徴とする。
以下、本発明め実施例について図面を参照して詳細に説
明する。第１図は、本発明の一実施例を示すランプアニ
ール装置の測温ウェハの平面図である９図において、熱
電対材料１．０２，１．０３はそれぞれウェハ１０１の
中に埋め込まれている。
明する。第１図は、本発明の一実施例を示すランプアニ
ール装置の測温ウェハの平面図である９図において、熱
電対材料１．０２，１．０３はそれぞれウェハ１０１の
中に埋め込まれている。
熱電対の重複部分１０４で２種類の熱電対材料が接して
おり起電圧が発生する。熱電対端部１０５゜１０６の部
分で熱電対が外部と面しており、ここから補償導線１．
０７，１０８を引っ張って電圧を測定する。
おり起電圧が発生する。熱電対端部１０５゜１０６の部
分で熱電対が外部と面しており、ここから補償導線１．
０７，１０８を引っ張って電圧を測定する。
第２図は、第１図の測温ウェハのＡ−Ａ′断面図である
。図において１０１はウェハ、１０９゜］１０は熱電対
材料であり、１０４が両材料１０９．１１０が接してい
る重複部分である。また、熱電対材料１．０９，１．１
０とウェハ１０１との間には絶縁薄膜］１１があり、電
気絶縁されている。
。図において１０１はウェハ、１０９゜］１０は熱電対
材料であり、１０４が両材料１０９．１１０が接してい
る重複部分である。また、熱電対材料１．０９，１．１
０とウェハ１０１との間には絶縁薄膜］１１があり、電
気絶縁されている。
第３図は、第１図の測温ウェハのＢ−Ｂ′断面図である
。図において１０１はウェハ、熱電対材１１０９のこの
部分で熱電対がウェハの外部に露出しており、この部分
に補償導線１０７を圧着等によって付けている。また、
１１１は絶縁薄膜である。
。図において１０１はウェハ、熱電対材１１０９のこの
部分で熱電対がウェハの外部に露出しており、この部分
に補償導線１０７を圧着等によって付けている。また、
１１１は絶縁薄膜である。
ランプアニール装置の測温ウェハの製作方法は、熱酸化
、ＣＶＤ、スパッタリングなど任意の方法でよく、また
熱電対としても銅・コンスタンタン、クロメル・アルメ
ル、白金・白金ロジウムなど任意の熱電対用金属材料の
使用が可能である。
、ＣＶＤ、スパッタリングなど任意の方法でよく、また
熱電対としても銅・コンスタンタン、クロメル・アルメ
ル、白金・白金ロジウムなど任意の熱電対用金属材料の
使用が可能である。
本発明によるランプアニール装置の測温ウェハでは、熱
電対がウェハ内に完全に埋まっているため、熱電対が直
接加熱されることはなく、また熱電対の線幅および絶縁
薄膜の厚さもかなり小さく出来るため、熱容量の影響も
小さく正確な温度測定が可能となり、その結果、試料の
温度制御も正確になるなどの効果がもたらされる。
電対がウェハ内に完全に埋まっているため、熱電対が直
接加熱されることはなく、また熱電対の線幅および絶縁
薄膜の厚さもかなり小さく出来るため、熱容量の影響も
小さく正確な温度測定が可能となり、その結果、試料の
温度制御も正確になるなどの効果がもたらされる。
第１図は、本発明のランプアニール装置の一実雄側にお
ける測温ウェハの平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ′断
面図、第３図は第１図のＢ−Ｂ’断面図、第４図は従来
例の構成図、第５図は第４図中の測温ウェハ近傍の断面
図である。 ］０１・・ウェハ、］。０４・・・重複部分、１０７゜
１０８・・・補償導線、１０９，１１．０・・・熱電対
材料、１１１・・・絶縁薄膜、４０１・・・石英管、４
０２・・・石英トレイ、４０３・・・試料、４０４・・
測温ウェハ、４０７・・・ハロゲンランプ、４０８・・
・放物面筒、４０９゛・・・熱電対、４１０・・・電圧
計、４］１・・・制御回路、４１２・・・ランプ電源。 第 ２図 箭４図 芳左図
ける測温ウェハの平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ′断
面図、第３図は第１図のＢ−Ｂ’断面図、第４図は従来
例の構成図、第５図は第４図中の測温ウェハ近傍の断面
図である。 ］０１・・ウェハ、］。０４・・・重複部分、１０７゜
１０８・・・補償導線、１０９，１１．０・・・熱電対
材料、１１１・・・絶縁薄膜、４０１・・・石英管、４
０２・・・石英トレイ、４０３・・・試料、４０４・・
測温ウェハ、４０７・・・ハロゲンランプ、４０８・・
・放物面筒、４０９゛・・・熱電対、４１０・・・電圧
計、４］１・・・制御回路、４１２・・・ランプ電源。 第 ２図 箭４図 芳左図
Claims (1)
- 温度制御を行なうために設けてある測温ウェハとして、
内部に熱電対を構成する２種類の材料がお互いの一部が
接触し、それぞれの一部はウェハの外部に面しており、
熱電対材料とウェハ材料の間に絶縁薄膜がある構造のウ
ェハを用いたことを特徴とするランプアニール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP683786A JPS62165325A (ja) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | ランプアニ−ル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP683786A JPS62165325A (ja) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | ランプアニ−ル装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62165325A true JPS62165325A (ja) | 1987-07-21 |
Family
ID=11649349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP683786A Pending JPS62165325A (ja) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | ランプアニ−ル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62165325A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04148545A (ja) * | 1990-10-11 | 1992-05-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 光照射加熱基板の温度測定装置 |
| KR20000059127A (ko) * | 2000-07-15 | 2000-10-05 | 홍영희 | 온도 측정용 웨이퍼 제작방법 및 이 웨이퍼를 이용한온도측정 방법 |
| JP2006352145A (ja) * | 2006-07-06 | 2006-12-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置およびその装置に用いられる温度検出ユニット、半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-01-14 JP JP683786A patent/JPS62165325A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04148545A (ja) * | 1990-10-11 | 1992-05-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 光照射加熱基板の温度測定装置 |
| KR20000059127A (ko) * | 2000-07-15 | 2000-10-05 | 홍영희 | 온도 측정용 웨이퍼 제작방법 및 이 웨이퍼를 이용한온도측정 방법 |
| JP2006352145A (ja) * | 2006-07-06 | 2006-12-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置およびその装置に用いられる温度検出ユニット、半導体装置の製造方法 |
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