KR100600848B1 - Flat Panel Display and Method for fabricating the Same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 평판표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a flat panel display and a manufacturing method thereof.
본 발명의 평판표시장치의 제조방법은 절연기판의 제2영역에 반도체층을 형성하고, 제3영역에 캐패시터의 제1전극을 형성하는 단계와; 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막중 제1영역상에 화소전극을 형성하고, 반도체층상부에 제1도전패턴을 형성하는 단계와; 상기 반도체층과 제1전극에 소정 도전형의 불순물을 이온주입하는 단계와; 상기 화소전극상에 제2도전패턴, 상기 제1도전패턴상에 게이트전극 및 상기 제1전극상부의 게이트 절연막상에 제2전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극 하부의 제1도전패턴을 식각하는 단계와; 기판전면에 층간 절연막을 형성하는 단계와; 상기 소오스/드레인 전극, 화소전극 및 제1전극의 일부분을 각각 노출시키는 제1 내지 제4콘택홀을 형성하는 단계와; 상기 제1콘택홀을 통해 상기 소오스영역과 콘택되는 소오스전극, 상기 소오스 전극으로부터 연장형성되어 제3콘택홀을 통해 제1전극에 연결되는 제3전극 그리고 상기 제2 및 제4콘택홀을 통해 상기 드레인 영역과 화소전극에 연결되는 드레인 전극을 형성하는 단계와; 상기 층간 절연막중 상기 화소전극에 대응하는 부분이 노출되도록 감광막을 형성하는 단계와; 상기 감광막을 이용하여 그하부의 층간 절연막 및 제2도전패턴을 식각하여 개구부를 형성하는 단계를 포함한다. A method of manufacturing a flat panel display device according to the present invention includes forming a semiconductor layer in a second region of an insulating substrate and forming a first electrode of a capacitor in a third region; Forming a gate insulating film; Forming a pixel electrode on a first region of the gate insulating film, and forming a first conductive pattern on the semiconductor layer; Implanting impurities of a predetermined conductivity type into the semiconductor layer and the first electrode; Forming a second conductive pattern on the pixel electrode, a gate electrode on the first conductive pattern, and a second electrode on the gate insulating film on the first electrode; Etching the first conductive pattern under the gate electrode; Forming an interlayer insulating film on the entire surface of the substrate; Forming first to fourth contact holes exposing portions of the source / drain electrode, the pixel electrode, and the first electrode, respectively; A source electrode contacting the source region through the first contact hole, a third electrode extending from the source electrode and connected to the first electrode through a third contact hole, and through the second and fourth contact holes Forming a drain electrode connected to the drain region and the pixel electrode; Forming a photosensitive film such that a portion of the interlayer insulating film corresponding to the pixel electrode is exposed; Etching the lower interlayer insulating layer and the second conductive pattern using the photosensitive layer to form openings.
Description
도 1은 종래의 유기전계 발광표시소자의 단면구조도,1 is a cross-sectional structure diagram of a conventional organic light emitting display device;
도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광표시소자의 단면구조도,2A to 2G are cross-sectional structure diagrams of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention;
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
100 : 절연기판 110 : 버퍼영역100: insulation substrate 110: buffer area
120 : 반도체층 125 : 채널영역120: semiconductor layer 125: channel region
121, 123 : 고농도 및 저농도 소오스 영역121, 123: high and low concentration source region
122, 124 : 고농도 및 저농도 드레인 영역122, 124: high concentration and low concentration drain region
127, 157, 177 : 캐패시터의 제1, 제2 및 제3전극127, 157, and 177: first, second and third electrodes of the capacitor
130 : 게이트 절연막 140 : 화소전극130: gate insulating film 140: pixel electrode
155 : 게이트 160 : 층간 절연막155: gate 160: interlayer insulating film
161 - 164 : 콘택홀 171, 172 : 소오스/드레인 영역161-164: Contact
180 : 보호막 181 : 개구부180: protective film 181: opening
190 : 유기 EL층 200 : 음극190: organic EL layer 200: cathode
본 발명은 평판표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 공정을 단순화하고, 캐패시턴스를 향상시킨 평판표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat panel display and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a flat panel display and a method for manufacturing the same, which simplify the process and improve capacitance.
도 1은 종래의 유기전계 발광표시소자의 단면구조를 도시한 것이다. 도 1을 참조하여 종래의 유기전계 발광표시소자의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.1 shows a cross-sectional structure of a conventional organic light emitting display device. Referring to FIG. 1, a method of manufacturing a conventional organic light emitting display device is as follows.
먼저, 유리나 합성 수지 등으로 이루어진 투명한 절연 기판(10)이 제공되는 데, 상기 절연기판(10)은 화소전극이 형성될 제1영역(10-1)과 박막 트랜지스터가 형성될 제2영역(10-2) 및 캐패시터가 형성될 제3영역(10-3)으로 구분된다. 상기 기판(10)상에 버퍼층(11)을 형성하고, 상기 버퍼층(11)상에 폴리 실리콘막을 도포하고, 반도체층 형성용 마스크(도면상에는 도시되지 않음)를 이용하여 상기 폴리실리콘막을 패터닝하여 제2영역(10-2)에 반도체층(13)을 형성한다.First, a transparent
이후에, 상기 반도체층(13)을 포함한 버퍼층(11)상에 게이트 절연막(15)을 형성하고, 상기 게이트 절연막(15)상에 게이트 메탈을 증착한다. 게이트 형성용 마스크(도면상에는 도시되지 않음)를 이용하여 상기 게이트메탈을 패터닝하여 상기 게이트 절연막(15)중 반도체층(13)에 대응되는 부분에 게이트 전극(16)을 형성한다. 게이트 전극(16)을 형성할 때 제3영역(10-3)에 캐패시터(52)의 하부전극(17)을 동시에 형성한다. 상기 반도체층(13)으로 N형 또는 P형 불순물중 하나, 예를 들면 P형 불순물을 이온주입하여 소오스/드레인영역(13-1), (13-2)을 형성한다. 이때, 반도체층(13)중 소오스/드레인 영역(13-1), (13-2)사이의 부분(13-3)은 채널층으로 작용한다. Thereafter, a
이어, 게이트 전극(16) 및 캐패시터의 하부전극(17)을 포함한 게이트 절연막(15)상에 층간 절연막(19)을 형성한다. 상기 층간 절연막(19)과 게이트 절연막(15)을 식각하여 상기 소오스/드레인 영역(13-1),(13-2)을 노출시키는 콘택홀(20-1), (20-2)을 형성한다.Next, an
계속해서, 상기 층간절연막(19)상에 소오스/드레인 메탈을 증착하고, 소오스/드레인 전극형성용 마스크(도면상에는 도시되지 않음)를 이용하여 패터닝하여 상기 소오스/드레인 영역(13-1), (13-2)과 콘택홀(20-1), (20-2)을 통해 각각 콘택되는 소오스/드레인 전극(22-1), (22-2)을 형성함과 동시에 상기 소오스/드레인 전극(22-1), (22-2)중 하나, 예를 들면 소오스 전극(22-1)으로부터 연장되는 캐패시터(52)의 상부전극(22-3)이 형성된다. 이로써, 유기전계 발광 표시장치의 박막트랜지스터(51)와 캐패시터(52)가 형성된다. 이때, 층간 절연막(19)중 상기 캐패시터(52)의 상하부 전극(17), (22-3)사이에 형성된 부분은 캐패시터의 유전체 역할을 한다. Subsequently, a source / drain metal is deposited on the
소오스/드레인 전극(22-1), (22-2) 및 상부전극(22-3)을 형성한 후, 층간 절연막(19)상에 패시베이션막(25)을 형성하고, 비어홀 형성용 마스크(도면상에는 도시되지 않음)를 이용하여 상기 패시베이션막(25)을 식각하여 상기 소오스/드레인 전극(22-1), (22-2)중 하나, 예를 들면 드레인 전극(22-2)을 노출시키는 비어홀(26)을 형성한다. After the source / drain electrodes 22-1, 22-2 and the upper electrode 22-3 are formed, a passivation film 25 is formed on the
이후에, 투명도전막, 예를 들어 ITO 를 패시베이션막(25)상에 증착시킨 후에 화소전극 형성용 마스크(도면상에 도시되지 않음)를 이용하여 ITO를 패터닝하여 애노드전극인 화소전극(27)을 형성한다. 이때, 화소전극(27)은 비어홀(26)을 통해서 드레인 전극(22-2)과 전기적으로 연결된다.Thereafter, a transparent conductive film, for example, ITO, is deposited on the passivation film 25, and then patterned ITO using a pixel electrode forming mask (not shown) to form the
이와 같이 애노드 전극(27)이 형성되면, 애노드 전극(27)을 포함한 패시베이션막(25)상에 평탄화막(28)을 형성하고, 개구부 형성용 마스크(도면상에 도시되지 않음)을 이용하여 평탄화막(28)중에서 애노드 전극에 대응되는 부분을 식각하여 개구부(28-1)를 형성하고, 이로써 애노드 전극(27)이 노출되어진다.When the
이후에, 개구부(28-1)를 포함한 평탄화막(28)상에 소정의 색을 갖는 유기 물질을 증착함으로써 전류의 흐름에 의해 적색, 녹색, 청색의 빛을 자체적으로 발산시키는 유기 EL층(29)을 형성한다. 유기 EL층(29)을 포함한 평탄화막(28)상에 캐소드 메탈을 증착시켜 캐소드전극(30)을 형성하여 유기 EL소자(53)를 형성한다.Thereafter, by depositing an organic material having a predetermined color on the
상기한 바와같은 종래의 유기전계 발광표시소자의 제조방법에 따르면, 반도체층을 형성하기 위한 공정, 게이트 전극을 형성하기 위한 공정, 소오스/드레인 전극용 콘택홀을 형성하기 위한 공정, 소오스/드레인 전극을 형성하기 위한 공정, 비어홀을 형성하기 위한 공정, 화소전극을 형성하기 위한 공정, 개구부를 형성하기 위한 공정등 7매의 마스크공정이 요구되어 공정의 복잡성, 제조원가 상승 및 수율저하 등을 초래하는 문제점이 있었다. 마스크공정을 줄이기 위하여, 아크릴등으로된 평탄화막을 사용하지 않는 경우에는, 유기 EL층이 투명전극인 화소전극의 에지부분에 증착되기 때문에 화소전극에 전압인가시 에지부분에 강한 전계가 걸려 유기 물질의 수명을 단축시키는 문제점이 있었다.According to the conventional method of manufacturing an organic light emitting display device as described above, a process for forming a semiconductor layer, a process for forming a gate electrode, a process for forming a contact hole for a source / drain electrode, a source / drain electrode 7 mask processes are required, such as a process for forming a hole, a process for forming a via hole, a process for forming a pixel electrode, and a process for forming an opening, resulting in complexity of the process, an increase in manufacturing cost, and a decrease in yield. There was this. In order to reduce the mask process, when the planarization film made of acryl or the like is not used, since the organic EL layer is deposited on the edge portion of the pixel electrode, which is a transparent electrode, a strong electric field is applied to the edge portion when voltage is applied to the pixel electrode. There was a problem of shortening the life.
또한, 비어홀 형성후, 화소전극을 형성하기 위한 투명도전막의 식각시, 하부막, 특히 게이트전극 및 소오스/드레인 전극이 손상되는 문제점이 있었다. 게다가, 유기 EL 층으로부터 발광되는 빛이 다층의 절연막, 예를 들면 게이트 절연막, 층간 절연막 및 보호막 등의 여러 막질을 통과하기 때문에 휘도가 저하되는 문제점이 있었다.In addition, after the via hole is formed, the lower layer, particularly the gate electrode and the source / drain electrode, are damaged when the transparent conductive layer for forming the pixel electrode is etched. In addition, since light emitted from the organic EL layer passes through various film qualities such as a multilayer insulating film, for example, a gate insulating film, an interlayer insulating film, and a protective film, there is a problem in that the luminance is lowered.
게다가, 상기한 바와같은 평판표시장치는 박막 트랜지스터의 누설전류에 의해 온/오프전류비가 낮아져 소자의 특성이 저하되는 문제점이 있었는데, 이를 해결하기 위하여 LDD 또는 오프셋구조를 채택하는 경우 별도의 마스크공정이 요구되거나 또는 양극산화와 같은 복잡한 방법을 적용해야 하는 문제점이 있었다. In addition, the flat panel display device described above has a problem in that the on / off current ratio is lowered due to the leakage current of the thin film transistor, thereby degrading the characteristics of the device. There was a problem that required or applied complex methods such as anodization.
따라서, 본 발명은 상기한 바와같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 공정을 단순화하고, 캐패시턴스를 향상시킨 평판표시장치 및 그의 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a flat panel display device and a method of manufacturing the same, which solve the problems of the prior art as described above, simplify the process, and improve capacitance.
본 발명의 다른 목적은 화소전극용 투명도전막을 이온 스톱퍼로 이용하여 추가의 공정없이 LDD 구조 또는 오프셋구조를 형성할 수 있는 평판표시장치 및 그의 제조방법을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a flat panel display device and a method of manufacturing the same, which can form an LDD structure or an offset structure without an additional process by using a transparent conductive film for pixel electrodes as an ion stopper.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 화소전극이 형성될 제1영역과, 박막 트랜지스터가 형성될 제2영역, 및 캐패시터가 형성될 제3영역을 구비한 절연기판과; 상기 제1영역에 형성된 화소전극과; 상기 제2영역에 형성된, 소오스/드레인 영역을 구비한 반도체층, 게이트 전극 및 소오스/드레인 전극을 구비한 박막 트랜지스터와; 상기 제3영역에 형성된 제 1 내지 제 3전극을 구비한 캐패시터를 포함하며, 상기 소오스/드레인 전극중 하나가 상기 화소전극에 연결되고, 상기 소오스/드레인 전극중 다른 하나가 상기 캐패시터의 제3전극에 연결되는 평판표시장치를 제공하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides an insulating substrate including a first region in which a pixel electrode is to be formed, a second region in which a thin film transistor is to be formed, and a third region in which a capacitor is formed; A pixel electrode formed in the first region; A thin film transistor including a semiconductor layer having a source / drain region, a gate electrode, and a source / drain electrode formed in the second region; And a capacitor having first to third electrodes formed in the third region, wherein one of the source / drain electrodes is connected to the pixel electrode, and the other of the source / drain electrodes is a third electrode of the capacitor. It is characterized by providing a flat panel display device connected to.
상기 캐패시터의 제1전극은 상기 반도체층과 동일물질로 이루어져서 상기 소오스/드레인 영역과 동일한 도전형의 물질로 도핑되어 있으며, 제2전극은 게이트전극과 동일 물질로 이루어지고, 제3전극은 소오스/드레인 전극과 동일물질로 이루어진다.The first electrode of the capacitor is made of the same material as the semiconductor layer and is doped with the same conductive material as that of the source / drain region. The second electrode is made of the same material as the gate electrode. It is made of the same material as the drain electrode.
또한, 본 발명은 화소전극이 형성될 제1영역과, 박막 트랜지스터가 형성될 제2영역, 및 캐패시터가 형성될 제3영역을 구비한 절연기판을 제공하는 단계와; 상기 제2영역에 반도체층을 형성하고, 제3영역에 캐패시터의 제1전극을 형성하는 단계와; 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막중 제1영역상에 화소전극을 형성하고, 반도체층상부에 제1도전패턴을 형성하는 단계와; 상기 반도체층과 제1전극에 소정 도전형의 불순물을 이온주입하는 단계와; 상기 화소전극상에 제2도전패턴, 상기 제1도전패턴상에 게이트전극 및 상기 제1전극상부의 게이트 절연막상에 제2전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극 하부의 제1도전패턴을 식각하는 단계와; 기판전면에 층간 절연막을 형성하는 단계와; 상기 소오스/드레인 전극의 일부분을 각각 노출시키는 제1 및 제2콘택홀과, 상기 화소전극 및 제1전극 의 일부분을 각각 노출시키는 제3 및 제4콘택홀을 형성하는 단계와; 상기 제1콘택홀을 통해 상기 소오스영역과 콘택되는 소오스전극, 상기 소오스 전극으로부터 연장형성되어 제3콘택홀을 통해 제1전극에 연결되는 제3전극 그리고 상기 제2 및 제4콘택홀을 통해 상기 드레인 영역과 화소전극에 연결되는 드레인 전극을 형성하는 단계와; 상기 층간 절연막중 상기 화소전극에 대응하는 부분이 노출되도록 감광막을 형성하는 단계와; 상기 감광막을 이용하여 그하부의 층간 절연막 및 제2도전패턴을 식각하여 개구부를 형성하는 단계를 포함하는 평판표시장치의 제조방법을 제공하는 것을 특징으로 한다.The present invention also provides an insulating substrate having a first region where a pixel electrode is to be formed, a second region where a thin film transistor is to be formed, and a third region where a capacitor is to be formed; Forming a semiconductor layer in the second region, and forming a first electrode of the capacitor in the third region; Forming a gate insulating film; Forming a pixel electrode on a first region of the gate insulating film, and forming a first conductive pattern on the semiconductor layer; Implanting impurities of a predetermined conductivity type into the semiconductor layer and the first electrode; Forming a second conductive pattern on the pixel electrode, a gate electrode on the first conductive pattern, and a second electrode on the gate insulating film on the first electrode; Etching the first conductive pattern under the gate electrode; Forming an interlayer insulating film on the entire surface of the substrate; Forming first and second contact holes exposing portions of the source / drain electrodes, respectively, and third and fourth contact holes exposing portions of the pixel electrode and the first electrodes, respectively; A source electrode contacting the source region through the first contact hole, a third electrode extending from the source electrode and connected to the first electrode through a third contact hole, and through the second and fourth contact holes Forming a drain electrode connected to the drain region and the pixel electrode; Forming a photosensitive film such that a portion of the interlayer insulating film corresponding to the pixel electrode is exposed; And forming an opening by etching the interlayer insulating layer and the second conductive pattern thereunder using the photosensitive film.
상기 제1도전패턴은 상기 화소전극과 동일물질로 이루어져, 상기 이온주입공정시 이온스톱퍼로서 작용하고, 상기 게이트 전극은 상기 제1도전패턴의 폭보다 작게 형성하여, 제1도전패턴의 식각시 식각 배리어로서 작용하며, 상기 제2도전패턴은 상기 화소전극의 폭과 같거나 크게 형성되어 상기 제1도전패턴의 식각시 식각배리어로 작용하여 화소전극을 보호한다.The first conductive pattern is formed of the same material as the pixel electrode, and serves as an ion stopper during the ion implantation process, and the gate electrode is formed to be smaller than the width of the first conductive pattern, thereby etching the first conductive pattern. The second conductive pattern is formed to be the same as or larger than the width of the pixel electrode to act as an etch barrier when the first conductive pattern is etched to protect the pixel electrode.
상기 감광막을 도포하기 전에 보호막을 형성하는 단계와; 상기 감광막을 마스크로 하여 상기 보호막, 층간 절연막 및 상기 제1도전패턴을 식각하여 개구부를 형성하는 단계와; 상기 남아있는 감광막을 제거하는 단계를 더 포함한다.Forming a protective film before applying the photosensitive film; Etching the passivation layer, the interlayer insulating layer, and the first conductive pattern using the photosensitive layer as a mask to form an opening; The method may further include removing the remaining photoresist film.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 평판표시장치의 제조방법을 첨부된 도면에 의거하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a manufacturing method of a flat panel display device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광표시소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도를 도시한 것이다. 2A through 2F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2a를 참조하면, 화소전극을 포함한 유기전계 발광소자가 형성될 제1영역(101)과, TFT가 형성될 제2영역(101)과, 캐패시터가 형성될 제3영역(103)을 구비한 투명한 절연기판(100)이 제공된다. 상기 절연기판(100)상에 버퍼층(110)을 형성하고, 그위에 비정질 실리콘막을 증착한다. 상기 비정질 실리콘막을 통상적인 결정화방법을 이용하여 폴리실리콘막으로 결정화한 다음, 제1마스크(도면상에는 도시되지 않음)를 이용하여 상기 폴리실리콘막을 패터닝하여 제2영역(102)에 TFT용 반도체층(120)과 제3영역(103)에 캐패시터용 제1전극(127)을 형성한다.Referring to FIG. 2A, a
도 2b를 참조하면, 반도체층(120)과 제1전극(127)을 포함한 버퍼층(110)상에 게이트 절연막(130)을 증착하고, 상기 게이트 절연막(130)상에 투명도전막을 전면 증착한다. 이어서, 제2마스크(도면상에는 도시되지 않음)를 이용하여 상기 투명도전막을 패터닝하여 제1영역(101)에 화소전극(140)을 형성함과 동시에 상기 제2영역(102)의 반도체층(120)상부에 제1도전패턴(142)을 형성한다. 이때, 제1도전패턴(142)은 후속공정에서 형성될 게이트전극의 폭보다는 큰 폭을 갖도록 패터닝된다. Referring to FIG. 2B, a
다음, 상기 제1도전패턴(142)을 마스크로 하여 상기 반도체층(120)으로 n형 또는 p형 고농도 불순물, 예를 들면 P형 불순물을 이온주입하여 고농도 소오스/드레인 영역(121), (122)을 형성한다. 이때, 캐패시터의 제1전극(127)에도 P형 고농도 불순물이 이온주입되므로, 제1전극(127)은 도핑된 폴리실리콘막으로 되어 도전성 물질로 된다.Next, a high concentration source /
도 2c를 참조하면, 기판전면에 게이트 전극물질을 증착한 다음, 제3마스크( 도면상에는 도시되지 않음)를 이용하여 게이트 전극물질을 패터닝하여 제1도전패턴(142)상에 게이트전극용 제3도전패턴(152), 화소전극(140)상에 제2도전패턴(151), 그리고 제3영역(103)의 제1전극(127)상부에 캐패시터용 제2전극(157)을 형성한다.Referring to FIG. 2C, the gate electrode material is deposited on the entire surface of the substrate, and then the gate electrode material is patterned using a third mask (not shown in the drawing) to form a third gate electrode material on the first
본 발명의 실시예에서는 캐패시터용 제2전극(157)이 단일의 게이트 전극물질로 이루어졌으나, 단일의 게이트 전극물질 대신에 도 2b 의 공정에서 ITO 막으로 형성할 수도 있으며, 또한 ITO 막과 게이트 전극물질의 적층구조로 형성할 수도 있다. In the embodiment of the present invention, the
이어서, 상기 제3도전패턴(152)을 마스크로 하여 그하부의 제1도전패턴(142)을 식각하면, 게이트 전극물질(152)과 투명도전물질(142)로 이루어진 적층구조의 게이트전극(155)을 형성한다. 이때, 제2도전패턴(151)은 그 하부의 화소전극(140)의 폭과 같거나 또는 크게 형성하여, 상기 제1도전패턴(142)의 식각시 식각배리어로서 작용한다.Subsequently, when the first
다음, 상기 게이트전극(155)을 마스크로 하여 반도체층(120)으로 상기 고농도 소오스/드레인 영역(121), (122)과 동일 도전형의 저농도 불순물을 이온주입하여 저농도 소오스/드레인 영역(123), (124)을 형성하여 LDD 구조를 형성한다. 이때, 저농도 불순물의 이온주입공정을 생략하면, 저농도 소오스/드레인 영역(123), (124)은 오프셋영역으로 작용하여 오프셋구조를 형성할 수도 있다.Next, a low concentration source /
따라서, 본 발명에서는 제1도전패턴(142)이 고농도 소오스/드레인 영역(121), (122)을 형성하기 위한 이온주입공정시 이온 스톱퍼로서 작용하고, 게 이트전극(155)은 저농도 소오스/드레인 영역을 형성하기 위한 이온주입시 이온 스톱퍼로서 작용하므로, 별도의 LDD 영역 또는 오프셋영역을 위한 마스크공정이 요구되지 않으므로, 1매의 마스크공정을 생략할 수 있다.Therefore, in the present invention, the first
도 2d를 참조하면, 기판전면에 층간 절연막(160)을 증착한 다음, 제4마스크(도면상에는 도시되지 않음)를 마스크로 이용하여 상기 층간 절연막(160)을 식각하여 콘택홀(161-164)을 형성한다. 제1 및 제2콘택홀(161, 162)은 상기 고농도 소오스/드레인 영역(121), (122)의 일부분이 노출되도록 형성되고, 제3콘택홀(163)은 캐패시터의 제1전극(127)의 일부분이 노출되도록 형성되며, 제4전극(164)은 화소전극(140) 상부의 제2도전패턴(151)이 일부분이 노출되도록 형성된다.Referring to FIG. 2D, the
본 발명의 실시예에서는, 소오스/드레인 전극과 소오스/드레인 영역을 전기적으로 연결하기 위한 콘택홀 형성하기 위한 공정시 소오스/드레인 전극중 하나와 화소전극을 전기적으로 연결하기 위한 콘택홀을 동시에 형성하여 줌으로써, 1매의 마스크공정을 생략할 수 있다. In an embodiment of the present invention, in the process of forming a contact hole for electrically connecting the source / drain electrode and the source / drain region, a contact hole for electrically connecting one of the source / drain electrodes and the pixel electrode is formed at the same time. By zooming in, one mask process can be omitted.
도 2e를 참조하면, 상기 제1 내지 제4콘택홀(161-164)을 포함한 층간 절연막(160)상에 소오스/드레인 전극물질을 증착한 다음, 제5마스크(도면상에는 도시되지 않음)를 이용하여 상기 소오스/드레인 전극물질을 패터닝하여 상기 제1콘택홀(161)을 통해 소오스영역(121)과 전기적으로 콘택되는 소오스전극(171)과, 제2 및 제4콘택홀(162), (164)을 통해 드레인 영역(122) 및 화소전극(140)과 전기적으로 콘택되는 드레인 전극(172)을 형성한다. Referring to FIG. 2E, a source / drain electrode material is deposited on the
이와 동시에 상기 소오스 전극(171)으로부터 연장 형성되어 상기 제3콘택홀(163)을 통해 제1전극(127)과 전기적으로 콘택되는 제3전극(177)이 형성된다. 따라서, 캐패시터는 제1전극(127)과 제2전극(157) 그리고 이들사이에 형성된 게이트 절연막(130)으로된 유전막으로 이루어진 제1캐패시터와 제2전극(157)과 제3전극(177)과 이들사이에 형성된 층간 절연막으로된 유전막으로 이루어진 제2캐패시터가 병렬로 연결되므로, 통상적으로 단일의 캐패시터로 구성된 소자에서보다 캐패시턴스를 향상시킬 수 있으며, 이에 따라 개구율을 향상시킬 수 있다.At the same time, a
도 2g에 도시된 바와같이, 상기 소오스/드레인 전극(171), (172) 및 캐패시터의 제3전극(177)을 포함한 층간 절연막(160)상에 보호막(180)을 형성한다. 상기 보호막(180)상에 감광막(도면상에는 도시되지 않음)을 도포한 다음 제6마스크(도면상에는 도시되지 않음)를 이용하여 상기 감광막을 패터닝하고, 상기 패터닝된 감광막을 마스크로 이용하여 상기 보호막(180)을 식각하여 상기 화소전극(140)의 일부분을 노출시키는 개구부(181)를 형성한다. 개구부(181) 형성후 남아있는 감광막을 제거한다. 상기 보호막(180)으로는 질화막 또는 산화막 등이 사용된다.As shown in FIG. 2G, a
이때, 개구부(181)를 형성할 때, 상기 화소전극(140)의 에지부분은 상기 보호막(180)에 의해 덮혀져 노출되지 않도록 한다. 이는 후속공정에서 형성되는 유기 EL 층이 화소전극(140)의 에지부분에 형성되는 강한 전계에 의한 손상을 방지하기 위함이다.In this case, when the
본 발명의 실시예에서는, 상기 보호막(180)을 증착한 다음 감광막을 도포하여 개구부를 형성하였으나, 상기 층간 절연막(160)상에 보호막(180)을 증착함없이 바로 감광막을 도포하고, 개구부 형성시 마스크로 이용된 남아있는 감광막을 보호 막으로 이용할 수도 있다.In the exemplary embodiment of the present invention, an opening is formed by depositing the
도 2g와 같이, 상기 개구부(140)에 유기 EL 층(190)을 형성하고, 그위에 음극(200)을 형성하면 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광표시소자가 얻어진다.As shown in FIG. 2G, when the
상기한 바와같은 본 발명의 유기전계 발광표시소자의 제조방법에 따르면, 화소전극용 투명도전막을 이온스톱퍼로 이용하여 LDD 구조 또는 오프셋구조의 소오스/드레인 영역을 형성하여 줌으로써, 추가의 마스크공정을 생략할 수 있다. 또한, 소오스/드레인 전극과 화소전극을 별도의 마스크공정없이 형성함으로써 추가의 마스크공정을 생략할 수 있다. 따라서, LDD 또는 오프셋구조의 박막 트랜지스터를 구비한 유기전계 발광표시소자를 제조하는 데 6매의 마스크공정만이 진행되므로 공정을 단순화할 수 있다.According to the manufacturing method of the organic light emitting display device as described above, an additional mask process is omitted by forming a source / drain region of the LDD structure or the offset structure using the transparent conductive film for pixel electrodes as an ion stopper. can do. In addition, the additional mask process can be omitted by forming the source / drain electrodes and the pixel electrode without a separate mask process. Therefore, since only six mask processes are performed to fabricate an organic light emitting display device having a thin film transistor having an LDD or offset structure, the process can be simplified.
또한, 보호막이 아닌 게이트 절연막상에 화소전극이 형성되므로, 종래보다 유기 EL 층으로부터 발광되는 빛의 다중 반사에 의한 휘도 저하를 방지할 수 있을 뿐만 아니라 화소전극 형성에 따른 소오스/드레인 전극 등과 같은 하부막의 손상을 방지할 수 있다.In addition, since the pixel electrode is formed on the gate insulating film instead of the protective film, it is possible to prevent the lowering of luminance due to multiple reflections of light emitted from the organic EL layer as well as lower portions such as source / drain electrodes according to the pixel electrode formation. Damage to the membrane can be prevented.
게다가, 캐패시터는 2개의 캐패시터가 병렬로 연결된 구조를 가지므로, 캐패시턴스를 향상시킬 수 있으며, 이에 따라 개구율을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.In addition, since the capacitor has a structure in which two capacitors are connected in parallel, the capacitance can be improved, and thus the aperture ratio can be improved.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.
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