KR100659060B1 - Method for fabricating OLED - Google Patents

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Abstract

본 발명은 투명도전막으로 된 애노드전극과 애노드전극하부에 형성된 반사막을 포토리소그라피공정을 수행하지 않고 증착마스크를 이용하여 형성하므로써 비용을 절감하고 공정을 단순화할 수 있는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 개시한다.The present invention provides a method of manufacturing an organic light emitting display device which can reduce costs and simplify the process by forming an anode electrode made of a transparent conductive film and a reflective film formed under the anode using a deposition mask without performing a photolithography process. It starts.

본 발명의 유기전계 발광표시장치의 제조방법은 적어도 소오스/드레인 전극을 구비하는 박막 트랜지스터를 구비한 기판을 제공하는 단계와; 상기 소오스/드레인 전극중 하나의 전극의 일부분을 노출시키는 비어홀을 구비한 제1절연막을 형성하는 단계와; 상기 기판에 제1증착마스크를 정렬시키는 단계와; 상기 제1증착마스크를 이용하여 제1절연막상에 반사막을 증착하는 단계와; 상기 기판에 제2증착마스크를 정렬시키는 단계와; 상기 제2층착 마스크를 이용하여 반사막상에 하부전극막을 증착하여 하부전극을 형성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention includes the steps of providing a substrate having a thin film transistor having at least source and drain electrodes; Forming a first insulating film having a via hole exposing a portion of one of the source / drain electrodes; Aligning a first deposition mask on the substrate; Depositing a reflective film on a first insulating film using the first deposition mask; Aligning a second deposition mask to the substrate; Forming a lower electrode by depositing a lower electrode layer on the reflective layer using the second deposition mask.

Description

유기전계 발광표시장치의 제조방법{Method for fabricating OLED}Manufacturing method of organic light emitting display device {Method for fabricating OLED}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 단면구조도,1 is a cross-sectional structure diagram of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention;

도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 애노드전극을 형성하는 방법을 설명하기 위한 단면도,2A to 2C are cross-sectional views illustrating a method of forming an anode electrode of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention;

도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 애녹드전극을 형성하는 방법을 설명하기 위한 단면도,3A to 3C are cross-sectional views illustrating a method of forming an anode electrode of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention;

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100, 300 : 유리기판 110 : 반도체층100, 300: glass substrate 110: semiconductor layer

111, 115 : 소오스/드레인영역 125 : 게이트전극111, 115 source / drain regions 125: gate electrode

131, 135 : 콘택홀 141 : 소오스 전극131 and 135 contact hole 141 source electrode

145, 345 : 드레인 전극 150, 350 : 보호막145 and 345: Drain electrodes 150 and 350: Protective film

160, 360 : 평탄화막 167, 367 : 비어홀160, 360: planarization film 167, 367: via hole

170, 370 : 애노드전극 180 : 화소분리막170, 370: anode electrode 180: pixel separator

190 : 유기막층 195 : 캐소드전극190: organic film layer 195: cathode electrode

본 발명은 자발광형 평판표시장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 투명도전막으로 된 애노드전극과 애노드전극 하부의 반사막을 증착마스크를 이용하여 형성하여 줌으로써 공정을 단순화하고 비용을 절감시킬 수 있는 유기전계발광표시장치의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a self-luminous flat panel display, and more particularly, an organic field that can simplify a process and reduce costs by forming an anode electrode made of a transparent conductive film and a reflective film under the anode using a deposition mask. A method of manufacturing a light emitting display device.

유기전계 발광표시장치는 자발광형 유기전기 발광표시장치로서, 유기발광층으로부터 광이 발광되는 방향에 따라 배면발광구조와 전면발광구조를 갖는다. 전면발광형 유기전계 발광표시장치는 화소의 유기발광층으로부터 발광되는 광이 화소가 배열되는 TFT 어레이기판과 반대방향으로 방출되는 소자로서, 화소가 배열된 TFT 어레이기판쪽으로 광이 방출되는 배면발광구조에 비하여 개구율을 증가시킬 수 있는 이점이 있다.The organic light emitting display device is a self-luminous organic electroluminescent display device and has a back light emitting structure and a top light emitting structure according to a direction in which light is emitted from the organic light emitting layer. A top emission type organic light emitting display device is a device in which light emitted from an organic light emitting layer of a pixel is emitted in a direction opposite to a TFT array substrate on which pixels are arranged. Compared with this, there is an advantage that the aperture ratio can be increased.

전면발광형 유기전계 발광표시장치는 TFT 어레이기판과 반대방향 즉, 봉지기판쪽으로 광이 방출되는 것으로서, 애노드전극이 반사막과 투명도전막의 적층구조를 갖는다.In the top emission type organic light emitting display device, light is emitted in a direction opposite to a TFT array substrate, that is, toward an encapsulation substrate, and the anode electrode has a stacked structure of a reflective film and a transparent conductive film.

종래에는 하부에 반사막을 구비하는 투명도전막으로 된 애노드전극을 형성할 때, 반사물질과 투명도전물질을 순차 증착한 다음 사진식각공정을 통하여 동시에 식각하여 형성하거나, 또는 반사물질을 증착한 다음 사진식각공정을 통해 반사막을 형성한 다음 투명도전물질을 증착한 다음 사진식각공정을 통해 식각하여 애노드전극을 형성하는 방법이 있었다.Conventionally, when forming an anode electrode made of a transparent conductive film having a reflective film on the lower portion, the reflective material and the transparent conductive material are sequentially deposited and then etched simultaneously through a photolithography process, or the reflective material is deposited and then the photolithography There was a method of forming an anode electrode by forming a reflective film through a process, depositing a transparent conductive material, and then etching through a photolithography process.

그러나, 상기한 바와같은 종래의 반사막과 애노드전극을 형성하는 방법은 세정공정, 증착공정, 포토공정, 식각공정, 스트립공정 및 세정공정을 수행하여야 하 므로 공정수가 많아 공정부담이 크며, 그에 따라 제조비용이 증가하고 상당한 시간이 소요되는 문제점이 있었다.However, the conventional method of forming the reflective film and the anode electrode as described above has to perform a cleaning process, a deposition process, a photo process, an etching process, a strip process, and a cleaning process, so that the number of processes is large, and thus the manufacturing process is large. There was a problem that the cost was increased and the time was considerable.

본 발명은 상기한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 반사막과 애노드전극용 투명도전막을 증착 마스크를 이용하여 형성하여 줌으로써 공정을 단순화하고 비용을 절감할 수 있는 유기전계 발광표시장치의 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the problems of the prior art as described above, by forming a reflective film and a transparent conductive film for the anode electrode using a deposition mask to simplify the process and to reduce the cost of manufacturing an organic light emitting display device The purpose is to provide a method.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 평판표시장치는 적어도 소오스/드레인 전극을 구비하는 박막 트랜지스터를 구비한 기판을 제공하는 단계와; 상기 소오스/드레인 전극중 하나의 전극의 일부분을 노출시키는 비어홀을 구비한 제1절연막을 형성하는 단계와; 상기 기판에 제1증착마스크를 정렬시키는 단계와; 상기 제1증착마스크를 이용하여 제1절연막상에 반사막을 증착하는 단계와; 상기 기판에 제2증착마스크를 정렬시키는 단계와; 상기 제2층착 마스크를 이용하여 반사막상에 하부전극막을 증착하여 하부전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계 발광표시장치의 제조방법을 제공하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the flat panel display device of the present invention comprises the steps of providing a substrate having a thin film transistor having at least a source / drain electrode; Forming a first insulating film having a via hole exposing a portion of one of the source / drain electrodes; Aligning a first deposition mask on the substrate; Depositing a reflective film on a first insulating film using the first deposition mask; Aligning a second deposition mask to the substrate; And forming a lower electrode by depositing a lower electrode layer on the reflective layer using the second deposition mask.

상기 반사막은 상기 하나의 전극을 노출시키는 노출시키는 개구부를 구비하고, 하부전극막은 상기 개구부를 통해 상기 하나의 전극과 전기적으로 콘택되는 투명도전막을 포함한다. The reflective film has an opening for exposing the one electrode and the lower electrode film includes a transparent conductive film electrically contacting the one electrode through the opening.

반사막은 상기 비어홀을 통해 상기 하나의 전극과 전기적으로 콘택되는 반사 막을 포함하고, 하부전극막은 상기 반사막상에 형성되는 투명도전막을 포함한다.The reflective film includes a reflective film electrically contacted with the one electrode through the via hole, and the lower electrode film includes a transparent conductive film formed on the reflective film.

상기 반사막은 Al, Al 합금막, Ag, Ag 합금막, Mo, Mo 합금막, Cr, Cr 합금막, Ni 및 Ni 합금막을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 막으로 구성되고, 상기 투명도전막은 ITO 또는 IZO 막으로 구성된다.The reflecting film is composed of a film selected from the group consisting of Al, Al alloy film, Ag, Ag alloy film, Mo, Mo alloy film, Cr, Cr alloy film, Ni and Ni alloy film, the transparent conductive film is ITO or IZO It consists of a membrane.

상기 제1증착 마스크와 제2증착 마스크는 서로 동일한 마스크이거나 또는 서로 다른 마스크를 사용할 수 있다. 상기 반사막과 하부전극막은 스퍼터 증착법, e-beam 증착법 및 이베포레이션법으로부터 선택되는 증착법을 통해 증착된다.The first deposition mask and the second deposition mask may be the same mask or different masks. The reflective film and the lower electrode film are deposited by a deposition method selected from sputter deposition, e-beam deposition, and evaporation.

또한, 본 발명은 적어도 소오스/드레인 전극을 구비하는 박막 트랜지스터를 구비한 기판을 제공하고; 상기 소오스/드레인 전극중 하나의 전극의 일부분을 노출시키는 비어홀을 구비한 제1절연막을 형성하며; 상기 제1절연막상에 형성되어 비어홀을 통해 상기 하나의 전극에 연결되는 하부전극을 형성하고; 상기 기판상부와 하부전극사이에 형성된 반사막을 형성하는 것을 포함하며, 상기 하부전극과 반사막중 하나는 증착마스크를 이용하여 형성하고, 나머지 하나는 포토공정을 이용하여 형성하는 유기전계 발광표시장치의 제조방법을 제공하는 것을 특징으로 한다.The present invention also provides a substrate having a thin film transistor having at least source / drain electrodes; Forming a first insulating film having a via hole for exposing a portion of one of the source / drain electrodes; A lower electrode formed on the first insulating layer and connected to the one electrode through a via hole; Forming a reflective film formed between the upper and lower electrodes of the substrate, wherein one of the lower electrode and the reflective film is formed by using a deposition mask, and the other is formed by using a photo process. It is characterized by providing a method.

상기 반사막은 증착마스크를 이용하여 증착되고 상기 하부전극은 포토공정을 통하여 패터닝되거나, 또는 상기 반사막은 포토공정을 통하여 패터닝되고 상기 하부전극은 증착마스크를 이용하여 증착된다.The reflective film is deposited using a deposition mask and the lower electrode is patterned through a photo process, or the reflective film is patterned through a photo process and the lower electrode is deposited using a deposition mask.

이하 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 단면구조를 도시한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치에서는,투명도전막 하 부에 형성된 반사막이 소오스/드레인 전극중 하나에 연결되도록 형성되어 반사막으로서의 역할 뿐만 아니라 애노드전극으로서의 역할도 한다.1 illustrates a cross-sectional structure of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention. In the organic light emitting display device according to the embodiment of the present invention, the reflective film formed under the transparent conductive film is formed to be connected to one of the source / drain electrodes to serve as an anode electrode as well as a reflective film.

도 1을 참조하면, 절연기판(100)상에 버퍼층(105)을 형성한 다음, 버퍼층(105)상에 폴리실리콘막 등으로 된 반도체층(110)을 형성한다. 상기 버퍼층(105)은 산화막 또는 질화막의 단일막으로 구성되거나 또는 산화막과 질화막의 적층막으로 구성할 수도 있다.Referring to FIG. 1, a buffer layer 105 is formed on an insulating substrate 100, and then a semiconductor layer 110 made of a polysilicon film or the like is formed on the buffer layer 105. The buffer layer 105 may be composed of a single film of an oxide film or a nitride film, or a stacked film of an oxide film and a nitride film.

기판상에 게이트 절연막(120)을 증착하고, 게이트 절연막(120)상에 게이트 전극물질을 증착한 다음 패터닝하여 게이트전극(125)을 형성한다. 게이트전극(125)은 상기 반도체층(110)에 대응하는 부분의 게이트 절연막(120)상에 형성된다. 이어서, 소정도전형의 불순물, 예를 들어 p형 불순물을 반도체층(110)으로 주입하여 p형의 소오스/드레인 영역(111), (115)을 형성한다. 상기 소오스/드레인 영역(111), (115)사이의 불순물이 도핑되지 않은 영역은 박막 트랜지스터의 채널영역(117)으로 작용한다.A gate insulating film 120 is deposited on the substrate, and a gate electrode material is deposited on the gate insulating film 120 and then patterned to form a gate electrode 125. The gate electrode 125 is formed on the gate insulating layer 120 in a portion corresponding to the semiconductor layer 110. Subsequently, impurities of a predetermined conductivity type, for example, p-type impurities, are implanted into the semiconductor layer 110 to form p-type source / drain regions 111 and 115. A region not doped with impurities between the source / drain regions 111 and 115 serves as a channel region 117 of the thin film transistor.

게이트 절연막(120)상에 층간 절연막(130)을 증착한 다음, 상기 층간 절연막(130)과 게이트 절연막(120)을 식각하여 상기 반도체층(110)의 소오스/드레인 영역(111), (115)의 일부분을 각각 노출시키는 콘택홀(131), (135)을 형성한다. The interlayer insulating layer 130 is deposited on the gate insulating layer 120, and then the source / drain regions 111 and 115 of the semiconductor layer 110 are etched by etching the interlayer insulating layer 130 and the gate insulating layer 120. Contact holes 131 and 135 are respectively formed to expose a portion of the substrate.

상기 콘택홀(131), (135)과 층간 절연막(130)상에 MoW 등과 같은 소오스/드레인 전극물질을 증착한 다음 패터닝하여 소오스/드레인 전극(141), (145)을 형성한다. 상기 소오스/드레인 전극(141), (145)은 콘택홀(131), (135)을 통해 각각 소오스/드레인영역(111), (115)과 전기적으로 콘택된다.Source / drain electrode materials such as MoW are deposited on the contact holes 131 and 135 and the interlayer insulating layer 130, and then patterned to form source / drain electrodes 141 and 145. The source / drain electrodes 141 and 145 are electrically contacted with the source / drain regions 111 and 115 through the contact holes 131 and 135, respectively.

층간 절연막(130)과 소오스/드레인전극(141), (145)상에 보호막(150)을 증착한 다음 패터닝하여 상기 소오스/드레인 전극(141), (145)중 하나, 예를 들어 드레인 전극(145)의 일부분을 노출시키는 제1개구부(155)을 형성한다. 상기 보호막(150)은 질화막 또는 산화막의 단일막을 사용하거나 또는 질화막과 산화막의 적층막을 사용한다.The passivation layer 150 is deposited on the interlayer insulating layer 130 and the source / drain electrodes 141 and 145 and then patterned to form one of the source / drain electrodes 141 and 145, for example, a drain electrode ( A first opening 155 is formed to expose a portion of 145. The protective film 150 uses a single film of a nitride film or an oxide film or a laminated film of a nitride film and an oxide film.

상기 제1개구부(155)를 포함한 보호막(150)상에 유기 절연막으로 된 평탄화막을 증착한 다음 식각하여 상기 드레인 전극(145)의 일부분을 노출시키는 제2개구부(165)를 형성한다. 상기 제1개구부(155)와 제2개구부(165)는 소오스/드레인 전극(141), (145)중 드레인전극(145)과 후속공정에서 형성되는 EL 소자의 하부전극을 연결시켜 주기위한 비어홀(167)을 구성한다.A planarization film made of an organic insulating layer is deposited on the passivation layer 150 including the first opening 155 and then etched to form a second opening 165 exposing a portion of the drain electrode 145. The first opening 155 and the second opening 165 are via holes for connecting the drain electrode 145 of the source / drain electrodes 141 and 145 and the lower electrode of the EL element formed in a subsequent process ( 167).

비어홀(167)을 포함한 평탄화막(160)상에 반사막(171)과 투명도전막(175)을 구비하는 EL소자의 하부전극(170)을 형성한다. 상기 반사막은 Al, Al 합금막, Ag, Ag 합금막, Mo, Mo 합금막, Cr, Cr 합금막, Ni 및 Ni 합금막을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 막으로 구성된다. 상기 투명도전막은 ITO 또는 IZO 막으로 구성된다.The lower electrode 170 of the EL element including the reflective film 171 and the transparent conductive film 175 is formed on the planarization film 160 including the via hole 167. The reflecting film is composed of a film selected from the group consisting of Al, Al alloy film, Ag, Ag alloy film, Mo, Mo alloy film, Cr, Cr alloy film, Ni, and Ni alloy film. The transparent conductive film is composed of an ITO or IZO film.

상기 하부전극(170)은 비어홀(167)을 통해 소오스/드레인전극(141),(145)중 노출된 드레인전극(145)에 전기적으로 콘택된다. 이때, 상기 반사막(171)은 상기 드레인전극(145)의 일부분을 노출시키는 제3개구부(177)를 구비하며, 투명도전막(175)이 상기 제3개구부(177)를 통해 상기 드레인전극(145)과 연결되도록 형성된다.The lower electrode 170 is electrically contacted to the exposed drain electrode 145 of the source / drain electrodes 141 and 145 through the via hole 167. In this case, the reflective film 171 includes a third opening 177 that exposes a portion of the drain electrode 145, and the transparent conductive film 175 passes through the third opening 177 to the drain electrode 145. It is formed to connect with.

기판상에 화소분리막(180)으로 평탄화용 유기 절연막을 형성한 다음 상기 하부전극(170)의 일부분을 노출되도록 상기 화소분리막(180)을 식각하여 제4개구부(185)를 형성한다. 상기 개구부(185)내의 하부전극(170)과 화소분리막(180)상에 발광층을 구비하는 유기막층(190)을 형성하고, 기판상에 캐소드전극인 상부전극(195)을 형성한다.A planarization organic insulating layer is formed on the substrate using the pixel isolation layer 180, and then the fourth opening 185 is formed by etching the pixel isolation layer 180 to expose a portion of the lower electrode 170. An organic layer 190 including an emission layer is formed on the lower electrode 170 and the pixel isolation layer 180 in the opening 185, and an upper electrode 195, which is a cathode electrode, is formed on the substrate.

도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 애노드전극을 형성하는 방법을 설명하기 위한 공정단면도이다. 일 실시예에 따른 애노드전극을 형성하는 방법은 애노드전극이 도 1에 도시된 바와같이 반사막과 투명도전막을 구비하고, 상기 반사막이 드레인 전극의 일부분을 노출시키는 개구부를 구비하지 않고 소오스/드레인 전극과 직접 접촉되는 경우에 대하여 도시한 것이다.2A to 2C are cross-sectional views illustrating a method of forming an anode electrode of an organic light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention. According to an embodiment, a method of forming an anode electrode includes an anode electrode having a reflective film and a transparent conductive film as shown in FIG. 1, and the reflective film having a source / drain electrode without an opening exposing a portion of the drain electrode. The case of direct contact is shown.

도 2a을 참조하면, 기판의 층간 절연막(130)상에 소오스/드레인 전극(145)을 형성한다. 상기 드레인전극(145)의 일부분을 노출시키는 제1개구부(155)를 구비하는 보호막(150)을 형성하고, 이어서 상기 드레인전극(145)의 일부분을 노출시키는 제2개구부(165)를 구비하는 평탄화막(160)을 형성한다. 상기 제1개구부(165)와 제2개구부(165)는 비어홀(167)을 구성한다.Referring to FIG. 2A, a source / drain electrode 145 is formed on the interlayer insulating layer 130 of the substrate. A passivation layer 150 including a first opening 155 exposing a portion of the drain electrode 145 is formed, and then a planarization including a second opening 165 exposing a portion of the drain electrode 145. A film 160 is formed. The first opening 165 and the second opening 165 constitute a via hole 167.

도 2b를 참조하면, 애노드전극중 반사막을 증착하기 위한 증착마스크(210)를 기판과 얼라인시킨 다음, 제2개구부(165)를 포함한 평탄화막(160)상에 반사물질을 증착시켜 반사막(171)을 형성한다. 상기 반사막(171)은 스퍼터 증착법, e-beam 증착법 및 이베포레이션(evaporation)법중 하나를 이용하여 증착한다. 상기 반사막(171)은 상기 드레인 전극(145)의 일부분을 노출시키는 제3개구부(177)를 구비하도 록 증착되어진다.Referring to FIG. 2B, the deposition mask 210 for depositing the reflective film of the anode electrode is aligned with the substrate, and then the reflective material is deposited on the planarization film 160 including the second opening 165. ). The reflective film 171 is deposited using one of sputter deposition, e-beam deposition, and evaporation. The reflective film 171 is deposited to include a third opening 177 that exposes a portion of the drain electrode 145.

도 2c를 참조하면, 애노드전극중 투명도전막을 증착하기 위한 증착마스크(220)를 기판과 얼라인시킨 다음, 제3개구부(177)를 포함한 반사막(171)과 평탄화막(160)상에 투명도전물질을 증착시켜 투명도전막(175)을 형성한다. 이때, 상기 투명도전막(175)은 스퍼터 증착법, e-beam 증착법 및 이베포레이션(evaporation)법중 하나를 이용하여 증착한다.Referring to FIG. 2C, the deposition mask 220 for depositing the transparent conductive film of the anode electrode is aligned with the substrate, and then the transparent conductive film is formed on the reflective film 171 including the third opening 177 and the planarization film 160. A material is deposited to form the transparent conductive film 175. In this case, the transparent conductive film 175 is deposited using one of sputter deposition, e-beam deposition, and evaporation.

따라서, 하부전극인 애노드전극(170)은 반사막(171)과 투명도전막(175)을 포함하며, 상기 투명도전막(175)이 상기 제3개구부(177)를 통해 상기 드레인전극(145)과 전기적으로 콘택된다.Accordingly, the anode electrode 170, which is a lower electrode, includes a reflective film 171 and a transparent conductive film 175, and the transparent conductive film 175 is electrically connected to the drain electrode 145 through the third opening 177. Contact is made.

이때, 도 2b 및 도 2c에 도시된 바와같이 반사막(171)과 투명도전막(175)이 서로 다른 폭을 갖으며, 반사막(171)에 비하여 투명도전막(175)의 폭이 더 크도록 형성되었으나, 반사막(171)과 투명도전막(175)이 동일한 폭을 갖도록 형성될 수도 있다.In this case, as shown in FIGS. 2B and 2C, the reflective film 171 and the transparent conductive film 175 have different widths, and the width of the transparent conductive film 175 is greater than that of the reflective film 171. The reflective film 171 and the transparent conductive film 175 may be formed to have the same width.

도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 애노드전극을 형성하는 방법을 설명하기 위한 공정단면도이다. 일 실시예에 따른 애노드전극을 형성하는 방법은 애노드전극이 도 1에 도시된 바와같이 반사막과 투명도전막을 구비하지만, 상기 반사막이 드레인 전극의 일부분을 노출시키는 개구부를 구비하지 않은 경우에 대하여 도시한 것이다.3A to 3C are cross-sectional views illustrating a method of forming an anode electrode of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention. A method of forming an anode according to an embodiment is illustrated in the case where the anode electrode has a reflective film and a transparent conductive film as shown in FIG. 1, but the reflective film does not have an opening for exposing a part of the drain electrode. will be.

도 3a을 참조하면, 기판상에 일 실시예에서와 마찬가지로 반도체층, 게이트 전극 및 소오스/드레인 전극을 구비한 박막 트랜지스터(도면상에는 도시되지 않음) 를 형성한다. 층간 절연막(330)상에 형성된 소오스/드레인 전극중 하나의 전극, 예를 들어 드레인전극(345)의 일부분을 노출시키는 제1개구부(355)를 구비하는 보호막(350)을 형성한다.Referring to FIG. 3A, a thin film transistor (not shown) is formed on a substrate with a semiconductor layer, a gate electrode, and a source / drain electrode as in one embodiment. A passivation film 350 including a first opening 355 exposing a portion of one of the source / drain electrodes, for example, the drain electrode 345, formed on the interlayer insulating layer 330 is formed.

이어서, 상기 보호막(350)상에 상기 드레인전극(345)의 일부분을 노출시키는 제2개구부(365)를 구비하는 평탄화막(360)을 형성한다. 상기 제1개구부(355)와 제2개구부(365)는 상기 드레인 전극(345)과 후속공정에서 형성될 EL 소자의 하부전극 즉, 애노드전극과의 연결을 위한 비어홀을 구성한다.Subsequently, a planarization layer 360 having a second opening 365 exposing a portion of the drain electrode 345 is formed on the passivation layer 350. The first opening 355 and the second opening 365 constitute a via hole for connecting the drain electrode 345 and the lower electrode of the EL element to be formed in a subsequent process, that is, the anode electrode.

도 3b를 참조하면, 애노드전극중 반사막을 증착하기 위한 증착마스크(410)를 기판과 얼라인시킨 다음, 제2개구부(365)를 포함한 평탄화막(360)상에 반사물질을 증착시켜 반사막(371)을 형성한다. 이때, 상기 반사막(371)은 스퍼터 증착법, e-beam 증착법 및 이베포레이션법중 하나를 이용하여 증착한다.Referring to FIG. 3B, the deposition mask 410 for depositing the reflective film of the anode electrode is aligned with the substrate, and then a reflective material is deposited on the planarization film 360 including the second opening 365 to deposit the reflective material. ). In this case, the reflective film 371 is deposited using one of sputter deposition, e-beam deposition, and evaporation.

도 3c를 참조하면, 애노드전극중 투명도전막을 증착하기 위한 증착마스크(420)를 기판과 얼라인시킨 다음, 반사막(371)과 평탄화막(360)상에 투명도전물질을 증착시켜 투명도전막(375)을 형성한다. 이때, 상기 투명도전막(375)은 스퍼터 증착법, e-beam 증착법 및 이베포레이션법중 하나를 이용하여 증착한다. Referring to FIG. 3C, the deposition mask 420 for depositing the transparent conductive film of the anode electrode is aligned with the substrate, and then the transparent conductive material is deposited on the reflective film 371 and the planarization film 360. ). In this case, the transparent conductive film 375 is deposited using one of sputter deposition, e-beam deposition, and evaporation.

따라서, 애노드전극(370)은 반사막(371)과 투명도전막(375)을 포함하며, 상기 애노드전극(370)의 반사막(371)이 제2개구부(365)를 통해 드레인전극(245)과 전기적으로 콘택된다. 이때, 애노드전극용 투명도전막은 80 내지 300Å의 두께로 매우 얇게 형성되므로, 증착마스크를 이용하여 증착 형성하는 것이 공정상 유리하다.Accordingly, the anode electrode 370 includes a reflective film 371 and a transparent conductive film 375, and the reflective film 371 of the anode electrode 370 is electrically connected to the drain electrode 245 through the second opening 365. Contact is made. At this time, since the transparent conductive film for the anode electrode is formed very thin with a thickness of 80 to 300Å, it is advantageous in the process to form a deposition using a deposition mask.

이때, 도 3b 및 도 3c에 도시된 바와같이 반사막(371)과 투명도전막(375)이 서로 다른 폭을 갖으며, 반사막(371)에 비하여 투명도전막(375)의 폭이 더 크도록 형성되었으나, 반사막(371)과 투명도전막(375)이 동일한 폭을 갖도록 형성될 수도 있다. 이 경우, 반사막(371)과 투명도전막(375)을 서로 다른 증착 마스크를 사용하여 증착하거나 또는 동일한 마스크를 이용하여 증착할 수도 있다.At this time, as shown in FIGS. 3B and 3C, the reflective film 371 and the transparent conductive film 375 have different widths, and the width of the transparent conductive film 375 is greater than that of the reflective film 371. The reflective film 371 and the transparent conductive film 375 may be formed to have the same width. In this case, the reflective film 371 and the transparent conductive film 375 may be deposited using different deposition masks or may be deposited using the same mask.

본 발명의 실시예에서는 반사막이 소오스/드레인 전극중 드레인전극과 전기적으로 연결되어 반사막과 하부전극의 역할을 수행하는 경우에 대하여 예시하였으나, 다른 실시예로서 하부전극이 투명도전막과 같은 전극물질만으로 구성되고 반사막은 드레인전극과 전기적으로 연결되지 않고 반사막으로서의 역할만을 수행하는 구조를 갖는 유기전계 발광표시장치에서도, 하부전극용 투명도전막과 반사막을 증착마스크를 이용하여 형성할 수도 있다. 이때, 반사막은 보호막과 평탄화막사이에 상기 소오스/드레인 전극중 하나의 전극과는 분리되도록 형성될 수도 있다.In the exemplary embodiment of the present invention, the reflective film is electrically connected to the drain electrode of the source / drain electrodes to serve as the reflective film and the lower electrode, but as another embodiment, the lower electrode is composed of only an electrode material such as a transparent conductive film. In addition, even in the organic light emitting display device having a structure in which the reflective film is not electrically connected to the drain electrode and serves only as a reflective film, the transparent conductive film and the reflective film for the lower electrode may be formed using a deposition mask. In this case, the reflective film may be formed to be separated from one of the source / drain electrodes between the passivation film and the planarization film.

또한, 본 발명의 실시예에서는 반사물질과 하부전극물질을 모두 증착마스크를 이용하여 증착하여 반사막과 하부전극을 형성하는 것을 예시하였으나, 반사막은 증착마스크를 이용하여 형성하고 하부전극은 통상적인 포토공정을 이용하여 형성하거나 또는 반사막을 통상적인 포토공정을 통해 형성하고 하부전극은 증착마스크를 이용하여 형성하는 것도 가능하다.In addition, in the exemplary embodiment of the present invention, the reflective material and the lower electrode material are all deposited using a deposition mask to form the reflective film and the lower electrode, but the reflective film is formed using the deposition mask and the lower electrode is a conventional photo process. It is also possible to form using or to form a reflective film through a conventional photo process and the lower electrode using a deposition mask.

본 발명의 실시예에서는 하부전극과 드레인전극간에 보호막과 평탄화막이 형성되는 구조에 대하여 예시하였으나, 하부전극과 드레인전극간에 평탄화막만이 존재하고 비어홀이 평탄화막에 존재하는 개구부만으로 구성되는 구조에도 적용가능하다. In the exemplary embodiment of the present invention, a structure in which the passivation layer and the planarization layer are formed between the lower electrode and the drain electrode is illustrated. It is possible.

본 발명의 실시예는 화소영역의 유기전계 발광표시장치가 콘택홀과 비어홀이 오버랩되는 구조를 예시하였으나, 화소영역에 형성되는 유기전계 발광표시장치의 구조에 관계없이 모두 적용가능하다. The embodiment of the present invention exemplifies a structure in which the organic light emitting display device in the pixel region overlaps the contact hole and the via hole, but may be applicable regardless of the structure of the organic light emitting display device formed in the pixel region.

본 발명의 실시예는 반사막과 투명도전막의 애노드전극을 구비하는 유기전계 발광표시장치에 대하여 예시하였으나, 반사막과 투명도전막을 구비하는 평판표시장치의 제조방법에는 모두 적용가능하다.The embodiment of the present invention exemplifies an organic light emitting display device having an anode electrode of a reflective film and a transparent conductive film, but is applicable to a method of manufacturing a flat panel display device having a reflective film and a transparent conductive film.

상기한 바와같은 본 발명에 따르면, 투명도전막으로 된 애노드전극과 애노드전극하부에 형성된 반사막을 포토리소그라피공정에 의하지 않고 증착마스크를 이용하여 형성하므로써 비용을 절감하고 공정을 단순화할 수 있는 이점이 있다.According to the present invention as described above, by forming the anode electrode and the reflective film formed under the anode electrode using a deposition mask instead of the photolithography process there is an advantage that can be reduced cost and simplify the process.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

Claims (15)

적어도 소오스/드레인 전극을 구비하는 박막 트랜지스터를 구비한 기판을 제공하는 단계와;Providing a substrate having a thin film transistor having at least source / drain electrodes; 상기 소오스/드레인 전극중 하나의 전극의 일부분을 노출시키는 비어홀을 구비한 제1절연막을 형성하는 단계와;Forming a first insulating film having a via hole exposing a portion of one of the source / drain electrodes; 상기 기판에 제1증착마스크를 정렬시키는 단계와;Aligning a first deposition mask on the substrate; 상기 제1증착마스크를 이용하여 제1절연막상에 반사막을 증착하는 단계와;Depositing a reflective film on a first insulating film using the first deposition mask; 상기 기판에 제2증착마스크를 정렬시키는 단계와;Aligning a second deposition mask to the substrate; 상기 제2증착 마스크를 이용하여 반사막상에 하부전극막을 증착하여 하부전극을 형성하는 단계를 포함하되,Forming a lower electrode by depositing a lower electrode layer on the reflective layer using the second deposition mask; 상기 제1증착마스크와 제2증착마스크는 동일 마스크인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광표시장치의 제조방법.The first deposition mask and the second deposition mask is a manufacturing method of the organic light emitting display device, characterized in that the same mask. 제1항에 있어서, 반사막은 상기 하나의 전극을 노출시키는 개구부를 구비하고, 하부전극막은 상기 개구부를 통해 상기 하나의 전극과 전기적으로 콘택되는 투명도전막을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광표시장치의 제조방법.The organic light emitting display device of claim 1, wherein the reflective film has an opening exposing the one electrode, and the lower electrode film includes a transparent conductive film electrically contacting the one electrode through the opening. Manufacturing method. 제2항에 있어서, 상기 반사막은 Al, Al 합금막, Ag, Ag 합금막, Mo, Mo 합금막, Cr, Cr 합금막, Ni 및 Ni 합금막을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 막으로 구성되고, 상기 투명도전막은 ITO 또는 IZO 막인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광표시장치의 제조방법.The method of claim 2, wherein the reflective film is composed of a film selected from the group consisting of Al, Al alloy film, Ag, Ag alloy film, Mo, Mo alloy film, Cr, Cr alloy film, Ni and Ni alloy film, A transparent conductive film is an ITO or IZO film manufacturing method of an organic light emitting display device, characterized in that. 제1항에 있어서, 반사막은 상기 비어홀을 통해 상기 하나의 전극과 전기적으로 콘택되고, 하부전극막은 상기 반사막상에 형성되는 투명도전막을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광표시장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the reflective film is electrically contacted with the one electrode through the via hole, and the lower electrode film includes a transparent conductive film formed on the reflective film. 제4항에 있어서, 상기 반사막은 Al, Al 합금막, Ag, Ag 합금막, Mo, Mo 합금막, Cr, Cr 합금막, Ni 및 Ni 합금막을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 막으로 구성되고, 상기 투명도전막은 ITO 또는 IZO 막인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광표시장치의 제조방법.The method of claim 4, wherein the reflective film is composed of a film selected from the group consisting of Al, Al alloy film, Ag, Ag alloy film, Mo, Mo alloy film, Cr, Cr alloy film, Ni and Ni alloy film, The transparent conductive film is an ITO or IZO film manufacturing method of an organic light emitting display device characterized in that 제1항에 있어서, 반사막은 상기 소오스/드레인 전극과는 전기적으로 절연되도록 형성되고, 하부전극막은 비어홀을 통해 상기 소오스/드레인 전극중 하나의 전극에 전기적으로 연결되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광표시장치의 제조방법.The organic field of claim 1, wherein the reflective film is formed to be electrically insulated from the source / drain electrodes, and the lower electrode film is formed to be electrically connected to one of the source / drain electrodes through a via hole. Method of manufacturing a light emitting display device. 제1항에 있어서, 상기 제1절연막은 The method of claim 1, wherein the first insulating film 상기 소오스/드레인 전극중 하나를 노출시키는 제1개구부를 구비하는 보호막과, 상기 소오스/드레인 전극중 하나를 노출시키는 제2개구부를 구비하는 평탄화막을 포함하며, A planarization film having a first opening for exposing one of the source / drain electrodes and a second opening for exposing one of the source / drain electrodes; 상기 비어홀은 상기 제1개구부와 제2개구부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광표시장치의 제조방법.The via hole includes the first opening and the second opening. 제1항에 있어서, 상기 제1절연막은 The method of claim 1, wherein the first insulating film 상기 소오스/드레인 전극중 하나를 노출시키는 개구부를 구비하는 평탄화막 을 포함하며, A planarization film having an opening that exposes one of the source / drain electrodes, 상기 비어홀은 상기 개구부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광표시장치의 제조방법.The via hole includes the opening. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 반사막과 하부전극막은 스퍼터 증착법, e-beam 증착법 및 이베포레이션법으로부터 선택되는 증착법을 통해 증착되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광표시장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the reflective film and the lower electrode film are deposited by a deposition method selected from a sputter deposition method, an e-beam deposition method, and an evaporation method. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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