KR20030014928A - Method for formming active matrix type organic luminescence electro device having separator and apparatus thereby - Google Patents

Method for formming active matrix type organic luminescence electro device having separator and apparatus thereby Download PDF

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Abstract

PURPOSE: A method for manufacturing an active matrix type organic electroluminescence device and an organic electroluminescence device manufactured by the same are provided to prevent oxidation of the cathode electrode by protecting the cathode electrode from water or air. CONSTITUTION: A method comprises a first step of forming a planarization film(52) all over a substrate(40) where a source electrode(51b)/a drain electrode(51b) is formed for forming a pixel; a second step of forming a via hole by etching the planarization film in such a manner that one of the source electrode and the drain electrode is open; a third step of forming a separator(54) for dividing the pixel, on the substrate where the via hole is formed; a fourth step of forming a cathode electrode(56) for burying the via hole, on the substrate where the separator is formed; a fifth step of forming a light emitting layer(58) on the substrate; and a sixth step of forming an anode electrode(60) on the substrate.

Description

세퍼레이터를 구비한 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자의 제조방법 및 이에 따른 유기전계발광소자{METHOD FOR FORMMING ACTIVE MATRIX TYPE ORGANIC LUMINESCENCE ELECTRO DEVICE HAVING SEPARATOR AND APPARATUS THEREBY}TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION A method for manufacturing an active matrix type organic light emitting device having a separator and an organic light emitting device according to the same.

본 발명은 세퍼레이터를 구비한 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자의 제조방법 및 이에 따른 유기전계발광소자에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 세페레이터(Separator)를 이용하여 캐소드전극(Cathode electrode) 및 발광층을 패터닝(Patterning)하는 세퍼레이터를 구비한 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자의 제조방법 및 이에 따른 유기전계발광소자에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an active matrix type organic light emitting display device having a separator and an organic light emitting display device according to the present invention. More specifically, a cathode and a light emitting layer are formed using a separator. The present invention relates to a method of manufacturing an active matrix type organic light emitting display device having a patterning separator, and to an organic light emitting display device according to the present invention.

통상, 유기전계발광소자는 구동방식에 따라 별도의 구동원이 필요한 패시브 매트릭스 타입(Passive Matrix Type)과 스위칭소자로 기능하는 박막트랜지스터를 일체로 구비한 액티브 매트릭스 타입(Active Matrix Type)으로 구분할 수 있다.In general, organic light emitting diodes may be classified into a passive matrix type requiring a separate driving source and an active matrix type integrally provided with a thin film transistor functioning as a switching element.

이러한 액티브 매트릭스 타입의 유기전계발광소자는 각 화소가 스위칭소자인 박막트랜지스터에 의해서 간접적으로 구동되므로 각 화소에 공급되는 전압은 서로 완전히 독립적이고 지속적일 수 있어서 고해상도, 고화질 및 대면적화 등의 장점을 가지고 있다.Since the active matrix type organic light emitting diode is indirectly driven by a thin film transistor which is a switching device, the voltages supplied to the pixels can be completely independent of each other and be continuous, and thus have advantages such as high resolution, high image quality, and large area. have.

또한, 유기전계발광소자는 발광층에서 발광된 빛을 기판의 아래쪽 방향으로 방출하는 배면발광구조와 기판의 위쪽 방향으로 방출하는 전면발광구조로 나눌 수 있다.In addition, the organic light emitting device may be divided into a back light emitting structure emitting light emitted from the light emitting layer in a downward direction of the substrate and a top light emitting structure emitting in an upward direction of the substrate.

도1은 전면발광구조로서 종래의 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자의 제조방법 및 이에 따른 유기전계발광소자를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing a conventional active matrix type organic light emitting display device and a related organic light emitting display device as a front light emitting structure.

종래의 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자의 제조방법은, 도1에 도시된 바와 같이 버퍼층(Buffer layer : 12)이 형성된 기판(10) 상에 폴리실리콘막(Polysilicon layer)을 형성한 다음 패터닝하여 반도체층(14)을 형성한다. 다음으로, 반도체층(14) 상에 게이트 절연막(16)을 형성하고, 그 상부에 게이트 금속물질을 증착한 다음 패터닝하여 반도체층(14) 상부의 게이트 절연막(16) 상에 게이트(18)를 형성한다. 이어서, 게이트(18)을 마스크로 사용하여 n형 또는 p형 불순물 중의 하나를 반도체층(14)으로 이온주입하여 게이트(18) 양측의 반도체층(14)에 고농도 소오스영역/드레인영역(15a, 15b)을 형성한다. 계속해서, 소오스영역/드레인영역(15a, 15b)이 형성된 기판(10) 상에 산화막으로 이루어지는 층간절연막(20)을 형성하고, 후속공정에서 형성될 소오스전극/드레인전극을 연결하기 위한 콘택홀(19a, 19b)을 형성한다. 이때, 상기 콘택홀(19a, 19b)은 소오스영역/드레인영역(15a, 15b)이 노출되도록 층간절연막(20) 및 게이트 절연막(16)을 식각하여 형성된다. 이어서, 콘택홀(19a, 19b)을 포함한 층간절연막(20) 상에 금속물질을 증착한 다음 패터닝하여 콘택홀(19a, 19b)을 통해 상기 소오스영역/드레인영역(15a, 15b)과 각각 콘택되는 소오스전극/드레인전극(21a, 21b)을 형성한다. 다음으로, 상기 소오스전극/드레인전극(21a, 21b)이 형성된 기판(10) 상에 평탄화막(22)을 형성한다. 이어서, 후속공정에서 형성될 캐소드전극을 연결하기 위하여 소오스전극(21a) 또는 드레인전극(21b) 중의 어느 하나 일예로, 소오스전극(21a)이 개방되도록 평탄화막(22)에 비아홀(Via hole : 23)을 형성한다. 계속해서, 비아홀(23)을 포함한 평탄화막(22) 상에 Al, Ag 등과 같이 반사율이 높고 일함수가낮은 불투명 도전성 물질을 증착하여 도전막을 형성한다. 이어서, 도전막 상에 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 식각공정을 수행하여 도전막 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 식각액 등으로 제거한다. 이와 같은 포토리소그래피(Photolithography)공정의 수행에 의해서 비아홀(23)을 통해 소오스전극(21a)과 연결되는 캐소드전극(24)이 형성되고, 상기 캐소드전극(24)은 전면발광구조의 반사막 기능도 동시에 수행하게 된다. 이때, 상기 포토리소그래피공정을 위해서 기판(10)이 이동하는 등의 원인에 의해서 캐소드전극(24)으로 형성될 도전막은 외부환경에 노출됨으로써 도전막은 외부환경의 수분, 공기 등과 반응하여 산화될 수 있다. 다음으로, 캐소드전극(24)이 형성된 기판(10) 상에 소정 회로패턴이 구현된 마스크를 위치시켜 증착공정을 수행함으로써 Alq3. Anthracene, PPV(Poly(p-phenylenevinylene)), 및 PT(polythiophene) 등의 유기물을 캐소드전극(24) 상부에 증착하여 발광층(26)을 형성한다. 이때, 발광층(26)을 증착 형성하기 위하여 캐소드전극(24)이 형성된 기판(10)이 증착설비로 이동하는 과정에 기판(10)이 수분, 공기 등의 외부환경에 노출되어 캐소드전극(24)이 산화될 수 있다. 이어서, 발광층(26)이 형성된 기판(10) 상에 전면 증착공정을 수행함으로써 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(In2O3Zn5) 등과 같이 캐소드전극(24)을 이루는 Al, Ag 등의 금속과 비교하여 상대적으로 일함수가 높은 투명성 도전성 물질을 발광층(26) 상부에 증착하여 애노드전극(Anode electrode : 28)을 형성한다. 마지막으로, 애노드전극(28)이 형성된 기판(10) 상에 보호막(30)을 형성한다.In the conventional method of manufacturing an active matrix type organic light emitting display device, as shown in FIG. 1, a polysilicon layer is formed on a substrate 10 on which a buffer layer 12 is formed, and then patterned to form a semiconductor. Layer 14 is formed. Next, a gate insulating layer 16 is formed on the semiconductor layer 14, a gate metal material is deposited on the semiconductor layer 14, and then patterned to form the gate 18 on the gate insulating layer 16 on the semiconductor layer 14. Form. Subsequently, one of the n-type and p-type impurities is ion implanted into the semiconductor layer 14 using the gate 18 as a mask, so that the high concentration source region / drain region 15a, in the semiconductor layer 14 on both sides of the gate 18, is implanted. 15b). Subsequently, an interlayer insulating film 20 made of an oxide film is formed on the substrate 10 on which the source / drain regions 15a and 15b are formed, and a contact hole for connecting the source electrode / drain electrode to be formed in a subsequent step ( 19a, 19b). In this case, the contact holes 19a and 19b are formed by etching the interlayer insulating film 20 and the gate insulating film 16 to expose the source / drain regions 15a and 15b. Subsequently, a metal material is deposited on the interlayer insulating film 20 including the contact holes 19a and 19b and then patterned to contact the source / drain regions 15a and 15b through the contact holes 19a and 19b, respectively. Source and drain electrodes 21a and 21b are formed. Next, a planarization film 22 is formed on the substrate 10 on which the source and drain electrodes 21a and 21b are formed. Subsequently, in order to connect the cathode electrode to be formed in a subsequent process, one of the source electrode 21a and the drain electrode 21b may be a via hole in the planarization layer 22 so that the source electrode 21a is opened. ). Subsequently, an opaque conductive material having a high reflectance and a low work function, such as Al or Ag, is deposited on the planarization film 22 including the via holes 23 to form a conductive film. Subsequently, after the photoresist pattern is formed on the conductive film, an etching process is performed to form the conductive film pattern, and the photoresist pattern is removed with an etchant. By performing the photolithography process, the cathode electrode 24 connected to the source electrode 21a is formed through the via hole 23, and the cathode electrode 24 simultaneously functions as a reflective film of the top light emitting structure. Will be performed. In this case, the conductive film to be formed as the cathode electrode 24 is exposed to the external environment due to the movement of the substrate 10 for the photolithography process, so that the conductive film may be oxidized in response to moisture, air, etc. in the external environment. . Next, the deposition process is performed by placing a mask having a predetermined circuit pattern on the substrate 10 on which the cathode electrode 24 is formed. Organic materials such as anthracene, poly (p-phenylenevinylene) (PPV), and polythiophene (PT) are deposited on the cathode electrode 24 to form the emission layer 26. At this time, the substrate 10 is exposed to an external environment such as moisture, air, etc. in the process of moving the substrate 10 having the cathode electrode 24 formed thereon to the deposition facility in order to deposit and form the light emitting layer 26. This can be oxidized. Subsequently, an entire surface deposition process is performed on the substrate 10 on which the light emitting layer 26 is formed, such as Al and Ag forming the cathode electrode 24 such as indium tin oxide (ITO) and indium oxide (IZO) (In 2 O 3 Zn5). In comparison, a transparent conductive material having a relatively high work function is deposited on the light emitting layer 26 to form an anode electrode 28. Finally, the protective film 30 is formed on the substrate 10 on which the anode electrode 28 is formed.

그러나, 종래의 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자의 제조방법은, 발광층 하부의 캐소드전극을 형성하기 위하여 사진공정과 식각공정을 수반하는 포토리소그래피공정을 수행하는 과정에 캐소드전극을 형성하기 위한 도전막이 수분, 공기 등의 외부환경에 노출되어 산화되었다.However, in the conventional method of manufacturing an active matrix type organic light emitting display device, a conductive film for forming a cathode electrode is formed during a photolithography process involving a photo process and an etching process to form a cathode under the light emitting layer. Oxidized due to exposure to external environment such as air.

또한, 포토리소그래피공정의 수행에 의해서 캐소드전극을 형성한 후, 발광층을 증착 형성하기 위하여 기판이 증착설비로 이동하는 과정에 기판이 외부환경에 노출됨으로써 캐소드전극 상부가 더욱더 산화되는 문제점이 있었다.In addition, after the cathode is formed by performing the photolithography process, the substrate is exposed to the external environment during the process of moving the substrate to the deposition apparatus to form the light emitting layer, so that the upper portion of the cathode is further oxidized.

따라서, 캐소드전극의 일함수 특성이 저하되어 완성된 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자의 발광효율이 떨어지는 문제점이 있었다.Accordingly, there is a problem in that the light emission efficiency of the active matrix type organic light emitting display device is degraded due to a decrease in the work function of the cathode electrode.

본 발명의 목적은, 세퍼레이터로 각 화소를 분할하며 캐소드전극, 발광층 및 애노드전극을 인라인(In-line)으로 증착 형성함으로써 캐소드전극이 산화되는 것을 방지할 수 있는 세퍼레이터를 구비한 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자의 제조방법 및 이에 따른 유기전계발광소자를 제공하는 데 있다.It is an object of the present invention to divide an individual pixel into a separator and to form a cathode, a light emitting layer, and an anode in-line to form an active matrix type organic field having a separator which can prevent the cathode from being oxidized. The present invention provides a method of manufacturing a light emitting device and an organic light emitting device.

본 발명의 다른 목적은, 세퍼레이터로 각 화소를 분할하며 캐소드전극, 발광층 및 애노드전극을 인라인(In-line)으로 증착 형성함으로써 별도의 마스크 제작공정을 생략하여 공정효율을 향상시킬 수 있는 세퍼레이터를 구비한 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자의 제조방법 및 이에 따른 유기전계발광소자를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a separator capable of improving process efficiency by eliminating a separate mask fabrication process by dividing each pixel into a separator and depositing a cathode electrode, a light emitting layer, and an anode electrode in-line. A method of manufacturing an active matrix type organic light emitting display device and an organic light emitting display device accordingly is provided.

도1은 종래의 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자의 제조방법 및 이에 따른 유기전계발광소자를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a conventional method for manufacturing an active matrix type organic light emitting display device and an organic light emitting display device according to the same.

도2a 내지 도2j는 본 발명의 일 실시예에 따른 세퍼레이터를 구비한 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자의 제조방법 및 이에 따른 유기전계발광소자를 설명하기 위한 단면도들이다.2A to 2J are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an active matrix type organic light emitting display device having a separator according to an embodiment of the present invention and an organic light emitting display device according to the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

10, 40 : 기판 12, 42 : 버퍼층10, 40: substrate 12, 42: buffer layer

14, 44 : 반도체층 45 : 소오스영역/드레인영역14, 44: semiconductor layer 45: source region / drain region

16, 46 : 게이트 절연막 18, 48 : 게이트16, 46: gate insulating film 18, 48: gate

19, 49 : 콘택홀 20, 50 : 층간절연막19, 49: contact hole 20, 50: interlayer insulating film

21, 51 : 소오스전극/드레인전극 22, 52 : 평탄화막21, 51: source electrode / drain electrode 22, 52: planarization film

23, 53 : 비아홀24, 56 : 캐소드전극23, 53: via hole 24, 56: cathode electrode

26, 58 : 발광층 28, 60 : 애노드전극26, 58: light emitting layer 28, 60: anode electrode

30, 62 : 보호막 54 : 세퍼레이터30, 62: protective film 54: separator

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 세퍼레이터를 구비한 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자의 제조방법은, 화소를 형성하기 위한 소오스전극/드레인전극이 형성된 기판 전면에 평탄화막을 형성하는 단계; 상기 소오스전극/드레인전극 중의 어느 하나를 개방하도록 상기 평탄화막을 식각하여 비아홀(Via hole)을 형성하는 단계; 상기 비아홀이 형성된 기판 상에 상기 화소를 분할하는 소정패턴의 세퍼레이터를 형성하는 단계; 상기 세퍼레이터를 포함하는 상기 기판 상에 상기 비아홀을 매몰하는 캐소드전극을 형성하는 단계; 상기 캐소드전극을 포함하는 상기 기판 상에 전면발광하는 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 발광층을 포함하는 상기 기판 상에 애노드전극을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object of the present invention, a method of manufacturing an active matrix type organic light emitting display device having a separator according to the present invention comprises the steps of: forming a planarization film on the entire surface of a substrate on which a source electrode and a drain electrode are formed to form a pixel; ; Etching the planarization layer so as to open any one of the source electrode and the drain electrode to form a via hole; Forming a separator having a predetermined pattern for dividing the pixel on the substrate on which the via hole is formed; Forming a cathode electrode for embedding the via hole on the substrate including the separator; Forming a light emitting layer having a top emission on the substrate including the cathode electrode; And forming an anode on the substrate including the light emitting layer.

여기서, 상기 캐소드전극, 발광층 및 애노드전극의 형성 두께를 조절함으로써 상기 애노드전극은 상기 세퍼레이터를 넘어 연결된 구조로 형성함이 바람직하다.Here, the anode electrode is preferably formed to have a structure connected beyond the separator by adjusting the thickness of the cathode, the light emitting layer and the anode electrode.

그리고, 상기 세퍼레이터의 두께는 상기 캐소드전극 및 발광층의 적층 두께와 같거나 더 두껍게 형성할 수 있고, 상기 캐소드전극, 발광층 및 애노드전극은 동일 증착설비에서 인라인(In-line)으로 형성할 수 있다.The separator may have a thickness equal to or greater than the thickness of the cathode electrode and the light emitting layer, and the cathode electrode, the light emitting layer, and the anode may be formed in-line in the same deposition apparatus.

또한, 상기 애노드전극이 형성된 상기 기판 상에 보호막을 더 형성할 수 있다.In addition, a protective film may be further formed on the substrate on which the anode electrode is formed.

그리고, 본 발명에 따른 세퍼레이터를 구비한 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자는, 화소를 형성하기 위한 소오스전극/드레인전극 중의 어느 하나를 개방하는 비아홀을 구비하여 기판 상에 형성된 평탄화막; 상기 화소를 분할하도록 상기 평탄화막 상에 형성된 소정패턴의 세퍼레이터; 상기 비아홀을 매몰시키며 상기 세퍼레이터 사이에 형성된 캐소드전극; 상기 캐소드전극 상에 형성된 발광층; 및 상기 발광층 상에 형성된 애노드전극;을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, an active matrix type organic light emitting display device having a separator according to the present invention includes a planarization film formed on a substrate having a via hole for opening one of a source electrode and a drain electrode for forming a pixel; A separator having a predetermined pattern formed on the planarization film so as to divide the pixel; A cathode electrode buried in the via hole and formed between the separators; An emission layer formed on the cathode electrode; And an anode electrode formed on the light emitting layer.

여기서, 상기 세퍼레이터는 포토레지스트 패턴, 산화막 패턴 및 질화규소막 패턴 중의 어느 하나로 이루어질 수 있고, 상기 세퍼레이터는 상부에서 하부방향으로 경사진 역상구조로 이루어질 수 있다.Here, the separator may be made of any one of a photoresist pattern, an oxide film pattern, and a silicon nitride film pattern, and the separator may be formed of an inverted phase structure inclined from the top to the bottom.

그리고, 상기 세퍼레이터의 두께는 상기 캐소드전극 및 발광층의 적층 두께와 같거나 더 두껍게 구비되고, 상기 유기전계발광소자는 전면발광구조로 이루어질 수 있다.The separator may have a thickness equal to or greater than the thickness of the cathode electrode and the light emitting layer, and the organic light emitting diode may have a top light emitting structure.

또한, 상기 애노드전극은 상기 세퍼레이터를 넘어 연결된 구조로 이루어지고, 상기 애노드전극이 형성된 상기 기판 상에 보호막이 더 구비될 수 있다.In addition, the anode electrode has a structure connected over the separator, a protective film may be further provided on the substrate on which the anode electrode is formed.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 구체적인 실시 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도2a 내지 도2j는 전면발광구조로 이루어지는 본 발명의 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자의 제조방법 및 이에 따른 유기전계발광소자를 설명하기 위한 단면도들이다.2A to 2J are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an active matrix type organic light emitting display device having a top light emitting structure and an organic light emitting display device according to the present invention.

본 발명에 따른 세퍼레이터를 구비한 매트릭스 타입 유기전계발광소자의 제조방법은, 도2a에 도시된 바와 같이 유리, 합성수지 등의 재질로 이루어지는 기판(40) 상에 열산화법 등을 이용하여 산화막으로된 버퍼층(42)을 형성한다. 다음으로, 버퍼층(42) 상부에 폴리실리콘막을 형성한 후 통상의 포토리소그래피공정의 수행에 의해서 화소를 형성하기 위한 소정패턴의 반도체층(44)을 형성한다.In the method of manufacturing a matrix type organic light emitting display device having a separator according to the present invention, as shown in FIG. 2A, a buffer layer of an oxide film is formed on a substrate 40 made of a material such as glass, synthetic resin, or the like by thermal oxidation. To form 42. Next, after the polysilicon film is formed on the buffer layer 42, a semiconductor layer 44 having a predetermined pattern for forming a pixel is formed by performing a normal photolithography process.

다음으로, 도2b에 도시된 바와 같이 반도체층(44)을 포함한 버퍼층(42) 상에 게이트 절연막(46)을 형성한다. 이어서, 상기 게이트 절연막(46) 상에 게이트 금속물질을 증착한 다음 통상의 포토리소그래피공정을 수행하여 반도체층(44) 상부의 게이트 절연막(46) 상에 게이트(48)를 형성한다. 이어서, n형 또는 p형 불순물 중의 하나를 반도체층(44)으로 이온주입하여 게이트(48)의 양측의 반도체층(44)에 고농도 소오스영역/드레인영역(45a, 45b)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 2B, the gate insulating layer 46 is formed on the buffer layer 42 including the semiconductor layer 44. Subsequently, a gate metal material is deposited on the gate insulating layer 46, and then a normal photolithography process is performed to form a gate 48 on the gate insulating layer 46 on the semiconductor layer 44. Subsequently, one of n-type or p-type impurities is implanted into the semiconductor layer 44 to form high concentration source / drain regions 45a and 45b in the semiconductor layers 44 on both sides of the gate 48.

계속해서, 도2c에 도시된 바와 같이 소오스영역/드레인영역(45a, 45b)이 형성된 기판(40) 상에 열산화법 등의 방법으로 산화막으로 이루어지는 층간절연막(50)을 형성한다. 이어서, 후속공정에서 형성될 소오스전극/드레인전극을 연결하기 위한 콘택홀(49a, 49b)을 형성한다. 이때, 상기 콘택홀(49a, 49b)은 소오스영역/드레인영역(45a, 45b)이 노출되도록 층간절연막(50)을 식각하여 형성된다.Subsequently, as shown in Fig. 2C, an interlayer insulating film 50 made of an oxide film is formed on the substrate 40 on which the source / drain regions 45a and 45b are formed by a thermal oxidation method or the like. Subsequently, contact holes 49a and 49b for connecting the source electrode and the drain electrode to be formed in a subsequent step are formed. In this case, the contact holes 49a and 49b are formed by etching the interlayer insulating layer 50 to expose the source / drain regions 45a and 45b.

이어서, 도2d에 도시된 바와 같이 콘택홀(49a, 49b)을 포함한 층간절연막(50) 상에 금속물질을 형성한 다음 통상의 포토리소그래피공정을 수행하여 콘택홀(49a, 49b)을 통해 상기 소오스영역/드레인영역(45a, 45b)과 각각 콘택되는 소오스전극/드레인전극(51a, 51b)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 2D, a metal material is formed on the interlayer insulating layer 50 including the contact holes 49a and 49b, and then the photolithography process is performed to perform the source through the contact holes 49a and 49b. Source / drain electrodes 51a and 51b are formed in contact with the regions / drain regions 45a and 45b, respectively.

다음으로, 도2e에 도시된 바와 같이 상기 소오스전극/드레인전극(51a, 51b)이 형성된 기판(40) 상에 아크릴(Acryl)수지 등의 재질로 평탄화막(52)을 형성한다. 이어서, 후속공정에서 형성될 캐소드전극을 연결하기 위하여 소오스전극(51a) 또는 드레인전극(51b) 중의 하나 일예로, 소오스전극(51a)이 개방되도록 평탄화막(52)을 식각하여 비아홀(53)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 2E, the planarization layer 52 is formed of acryl resin or the like on the substrate 40 on which the source and drain electrodes 51a and 51b are formed. Subsequently, the via hole 53 is etched by etching the planarization layer 52 so that the source electrode 51a is opened as an example of the source electrode 51a or the drain electrode 51b to connect the cathode electrode to be formed in a subsequent process. Form.

계속해서, 도2f에 도시된 바와 같이 비아홀(53)을 포함한 평탄화막(52) 상에 포토레지스트를 도포한 후, 통상의 포토리소그래피공정을 수행함으로써 각 화소를 분할하고, 상부방향에서 하부방향으로 경사진 역상구조의 세퍼레이터(Separator : 54) 패턴을 형성한다.Subsequently, after the photoresist is applied onto the planarization film 52 including the via holes 53 as shown in Fig. 2F, each pixel is divided by performing a conventional photolithography process, and the upper direction to the lower direction. A separator pattern 54 having an inclined reversed phase structure is formed.

여기서, 상기 세퍼레이터(54)의 두께는 후속공정으로 형성되는 캐소드전극 및 발광층의 적층 두께와 같거나 더 두껍게 형성하여 후속공정에 의해서 형성되는 발광층이 각 화소의 범위를 초과함으로써 스위칭소자로 기능하는 박막트랜지터에 의해서 제어 불능이 발생하지 않도록 함이 바람직하다. 그리고, 상기 역상 구조의 세퍼레이터(54)는 네가티브형(Negative type) 포토레지스트를 평탄화막(52) 상에 도포하고 픽셀구조에 맞는 사진공정과 현상공정을 수행하여 형성된 것이며, 상기 역상구조의 세퍼레이터(54) 패턴 형성방법은 노광양 또는 현상액을 적절히 조절하여 획득할 수 있는 당업자에게는 공지 기술이다.Here, the thickness of the separator 54 is the same or thicker than the thickness of the cathode electrode and the light emitting layer formed in a subsequent process so that the light emitting layer formed by the subsequent process exceeds the range of each pixel to function as a switching element. It is desirable to prevent uncontrollability by the transistor. The separator 54 having the reverse phase structure is formed by applying a negative type photoresist on the planarization film 52 and performing a photo process and a developing process suitable for the pixel structure. 54) The pattern formation method is known to those skilled in the art that can be obtained by appropriately adjusting the exposure amount or developer.

또한, 본 실시예에서는 포토레지스로 이루어지는 세퍼레이터(54)에 한정하여 설명하였으나 산화막, 질화규소막 등으로 이루어지는 역상구조의 세퍼레이터를 사진공정을 수행하여 채용할 수 있음은 당연하다 할 것이다.In addition, in the present embodiment, the present invention is limited to the separator 54 made of photoresist, but it will be obvious that a reverse phase separator made of an oxide film, a silicon nitride film, or the like can be employed by performing a photo process.

다음으로, 도2g에 도시된 바와 같이 역상구조의 세퍼레이터(54)가 형성된 기판(40) 상에 Al/LiF, Al/Ca/LiF, Ag/Ca, 또는 Mg(Ag) 등과 같이 반사율이 높고 전자의 주입이 쉬운 일함수를 가진 도전성 물질을 전면 증착하여 비아홀(53)을 통해 소오스전극(51a)과 연결되어 전면발광구조의 반사막 기능도 동시에 수행하는 캐소드전극(56)을 패터닝 형성한다.Next, as shown in FIG. 2G, the reflectance is high and the electrons are high on the substrate 40 on which the separator 54 having the reverse phase structure is formed, such as Al / LiF, Al / Ca / LiF, Ag / Ca, or Mg (Ag). The conductive material having a work function, which is easy to inject, is deposited on the entire surface to be patterned to form the cathode electrode 56 connected to the source electrode 51a through the via hole 53 to simultaneously perform the reflective film function of the front light emitting structure.

이때, 평탄화막(52) 상에 역상구조의 세퍼레이터(54)가 구비됨으로써 기판(40) 상에 증착되는 도전성 물질은 세퍼레이터(54)와 소정간격 이격되어 각 화소가 명확하게 분할되며 세퍼레이터(54) 사이의 평탄화막(52) 상부 및 세퍼레이터(54) 상부에 패터닝 증착된다.In this case, the separator 54 having the reverse phase structure is disposed on the planarization layer 52 so that the conductive material deposited on the substrate 40 is spaced apart from the separator 54 by a predetermined interval so that each pixel is clearly divided and the separator 54 is separated. Patterning is deposited over the planarization film 52 and the separator 54 in between.

계속해서, 도2h에 도시된 바와 같이 캐소드전극(56)이 형성된 기판(40) 상에Subsequently, as shown in FIG. 2H, on the substrate 40 on which the cathode electrode 56 is formed.

홀주입층, 홀수송층, 발광층, 전자수송층, 전자 주입층의 유기물질들이 다층으로 이루어진 발광층(58)을 패터닝 형성한다.The light emitting layer 58 is formed by patterning the organic material of the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer.

이때, 평탄화막(52) 상에 세퍼레이터(54)가 구비됨으로써 기판(40) 상에 증착되는 유기물층은 세퍼레이터(54) 사이의 캐소드전극(56) 상부 및 세퍼레이터(54) 상부의 캐소드전극(56)을 형성하기 위한 도전성 물질 상부에 패터닝 증착된다.In this case, the separator 54 is provided on the planarization layer 52, so that the organic layer deposited on the substrate 40 is disposed on the cathode electrode 56 between the separators 54 and the cathode electrode 56 on the separator 54. Patterning is deposited over the conductive material to form the substrate.

또한, 상기 발광층(58)은 캐소드전극(56)이 형성된 증착설비 내부에서 인라인(In-line)으로 증착 형성됨으로써 외부환경과의 접촉이 차단된다.In addition, the light emitting layer 58 is formed by depositing in-line inside the deposition apparatus in which the cathode electrode 56 is formed, thereby preventing contact with the external environment.

다음으로, 도2i에 도시된 바와 같이 발광층(58)이 형성된 기판(40) 전면에 홀주입이 쉬운 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(In2O3Zn5) 등의 금속물질을 스퍼터(Sputtering) 또는 이빔(E-beam)을 이용하여 전면 증착하여 애노드전극(60)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 2I, sputtering a metal material such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (In 2 O 3 Zn5), which is easy to inject holes, onto the entire surface of the substrate 40 on which the light emitting layer 58 is formed. Alternatively, the anode electrode 60 is formed by depositing the entire surface using an E-beam.

이때, 평탄화막(52) 상에 세퍼레이터(54)가 구비됨으로써 기판(40) 상에 증착되는 금속물질의 일부는 세퍼레이터(54) 사이의 발광층(58) 상부 및 세퍼레이터(54) 상부의 발광층(58)을 형성하기 위한 유기물층 상부에 증착된다.At this time, the separator 54 is provided on the planarization layer 52, so that a part of the metal material deposited on the substrate 40 is deposited on the light emitting layer 58 between the separators 54 and the light emitting layer 58 on the separator 54. Is deposited on top of the organic layer to form).

그리고, 상기 애노드전극(60)은 세퍼레이터(54)를 넘어 연결된 구조로 형성됨으로써 애노드전극(60) 전체를 공통전극으로 사용할 수 있도록 한다.In addition, the anode electrode 60 is formed in a structure connected beyond the separator 54 so that the entire anode electrode 60 can be used as a common electrode.

또한, 상기 애노드전극(60)은 발광층(58)이 형성된 증착설비 내부에서 인라인(In-line)으로 증착 형성됨으로써 외부환경과의 접촉이 차단된다.In addition, the anode electrode 60 is formed by depositing in-line inside the deposition apparatus in which the light emitting layer 58 is formed, thereby preventing contact with the external environment.

마지막으로, 도2j에 도시된 바와 같이 애노드전극(60)이 형성된 기판(40) 상에 보호막(62)을 형성한다.Finally, as shown in FIG. 2J, the passivation layer 62 is formed on the substrate 40 on which the anode electrode 60 is formed.

이상, 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 각 화소를 분할하는 세퍼레이터를 이용하여 캐소드전극과 발광층을 인라인 패터닝 형성하고, 그 상부에 애노드전극을 역시 인라인으로 증착 형성함으로써 캐소드전극이 수분, 공기 등의 외부환경에 노출되어 산화되는 것을 방지할 수 있다.As described above, according to the present invention, the cathode electrode and the light emitting layer are formed in-line patterned by using a separator for dividing each pixel, and the anode electrode is also deposited in-line on top of the cathode electrode, so that the outside of moisture, air, or the like is formed. Exposure to the environment can prevent oxidation.

따라서, 캐소드전극의 일함수 특성이 저하되어 완성된 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자의 발광효율이 떨어지는 문제점을 해결할 수 있는 효과가 있다.Therefore, the work function of the cathode is reduced, thereby reducing the luminous efficiency of the completed active matrix organic light emitting device.

또한, 세퍼레이터를 이용하여 캐소드전극과 발광층을 패터닝 형성함으로써 별도의 마스크 제작공정을 생략하여 공정효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, by forming a cathode and a light emitting layer by using a separator, an additional mask fabrication process is omitted, thereby improving process efficiency.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.

Claims (12)

화소를 형성하기 위한 소오스전극/드레인전극이 형성된 기판 전면에 평탄화막을 형성하는 단계;Forming a planarization film on the entire surface of the substrate on which source and drain electrodes are formed to form pixels; 상기 소오스전극/드레인전극 중의 어느 하나를 개방하도록 상기 평탄화막을 식각하여 비아홀(Via hole)을 형성하는 단계;Etching the planarization layer so as to open any one of the source electrode and the drain electrode to form a via hole; 상기 비아홀이 형성된 기판 상에 상기 화소를 분할하는 소정패턴의 세퍼레이터를 형성하는 단계;Forming a separator having a predetermined pattern for dividing the pixel on the substrate on which the via hole is formed; 상기 세퍼레이터를 포함하는 상기 기판 상에 상기 비아홀을 매몰하는 캐소드전극을 형성하는 단계;Forming a cathode electrode for embedding the via hole on the substrate including the separator; 상기 캐소드전극을 포함하는 상기 기판 상에 전면발광하는 발광층을 형성하는 단계; 및Forming a light emitting layer having a top emission on the substrate including the cathode electrode; And 상기 발광층을 포함하는 상기 기판 상에 애노드전극을 형성하는 단계;Forming an anode on the substrate including the light emitting layer; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 세퍼레이터를 구비한 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자의 제조방법.A method of manufacturing an active matrix type organic light emitting display device having a separator, characterized in that it comprises a. 제 1 항에 있어서, 상기 캐소드전극, 발광층 및 애노드전극의 형성 두께를 조절함으로써 상기 애노드전극은 상기 세퍼레이터를 넘어 연결된 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 세퍼레이터를 구비한 액티브 매트릭스타입 유기전계발광소자의 제조방법.The method of claim 1, wherein the anode electrode is formed in a structure connected over the separator by controlling the formation thickness of the cathode electrode, the light emitting layer and the anode electrode of the active matrix type organic light emitting device having a separator. Way. 제 1 항에 있어서, 상기 세퍼레이터의 두께는 상기 캐소드전극 및 발광층의 적층 두께와 같거나 더 두껍게 형성하는 것을 특징으로 하는 세퍼레이터를 구비한 액티브 매트릭스타입 유기전계발광소자의 제조방법.The method of claim 1, wherein the separator is formed to have a thickness equal to or greater than the thickness of the cathode electrode and the light emitting layer. 제 1 항에 있어서, 상기 캐소드전극, 발광층 및 애노드전극은 동일 증착설비에서 인라인(In-line)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 세퍼레이터를 구비한 액티브 매트릭스타입 유기전계발광소자의 제조방법.The method of claim 1, wherein the cathode electrode, the light emitting layer, and the anode electrode are formed in-line in the same deposition apparatus. 제 1 항에 있어서, 상기 애노드전극이 형성된 상기 기판 상에 보호막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 세퍼레이터를 구비한 액티브 매트릭스타입 유기전계발광소자의 제조방법.The method of manufacturing an active matrix type organic light emitting display device with a separator according to claim 1, further comprising a protective film formed on the substrate on which the anode electrode is formed. 화소를 형성하기 위한 소오스전극/드레인전극 중의 어느 하나를 개방하는 비아홀을 구비하여 기판 상에 형성된 평탄화막;A planarization film formed on a substrate with a via hole for opening one of a source electrode and a drain electrode for forming a pixel; 상기 화소를 분할하도록 상기 평탄화막 상에 형성된 소정패턴의 세퍼레이터;A separator having a predetermined pattern formed on the planarization film so as to divide the pixel; 상기 비아홀을 매몰시키며 상기 세퍼레이터 사이에 형성된 캐소드전극;A cathode electrode buried in the via hole and formed between the separators; 상기 캐소드전극 상에 형성된 발광층; 및An emission layer formed on the cathode electrode; And 상기 발광층 상에 형성된 애노드전극;An anode formed on the light emitting layer; 을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 세퍼레이터를 구비한 액티브 매트릭스타입 유기전계발광소자.An active matrix type organic light emitting display device having a separator, comprising: a separator. 제 6 항에 있어서, 상기 세퍼레이터는 포토레지스트 패턴, 산화막 패턴 및 질화규소막 패턴 중의 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 세퍼레이터를 구비한 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자.The active matrix type organic light emitting device according to claim 6, wherein the separator comprises one of a photoresist pattern, an oxide film pattern, and a silicon nitride film pattern. 제 7 항에 있어서, 상기 세퍼레이터는 상부에서 하부방향으로 경사진 역상구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 세퍼레이터를 구비한 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자.8. The active matrix type organic light emitting device according to claim 7, wherein the separator has an inverted phase structure inclined from top to bottom. 제 6 항에 있어서, 상기 세퍼레이터의 두께는 상기 캐소드전극 및 발광층의 적층 두께와 같거나 더 두껍게 구비된 것을 특징으로 하는 세퍼레이터를 구비한 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자.7. The active matrix type organic light emitting device according to claim 6, wherein the separator has a thickness equal to or greater than a thickness of the cathode electrode and the light emitting layer. 제 6 항에 있어서, 상기 유기전계발광소자는 전면발광구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 세퍼레이터를 구비한 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자.7. The active matrix type organic light emitting display device according to claim 6, wherein the organic light emitting display device has a front light emitting structure. 제 6 항에 있어서, 상기 애노드전극은 상기 세퍼레이터를 넘어 연결된 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 세퍼레이터를 구비한 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자.The active matrix type organic light emitting display device according to claim 6, wherein the anode electrode is formed to be connected beyond the separator. 제 6 항에 있어서, 상기 애노드전극이 형성된 상기 기판 상에 보호막이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 세퍼레이터를 구비한 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자.The active matrix type organic light emitting device according to claim 6, wherein a protective film is further provided on the substrate on which the anode electrode is formed.
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