KR20040019186A - Organic electro luminescence display device and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유기 전계 발광 표시장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 유기막에 의해 발생된 광의 집속효율이 개선된 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic electroluminescent display, and more particularly, to an organic electroluminescent display having improved focusing efficiency of light generated by an organic film and a method of manufacturing the same.
통상적으로 유기 전계 발광표시장치는 형광성 유기 화합물을 전기적으로 여기시켜 발광시키는 자발광형 디스플레이로 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 박형화가 용이하며 광시야각, 빠른 응답속도 등 액정표지 장치에 있어서 문제점으로 지적된 결점을 해결할 수 있는 차세대 디스플레이로 주목받고 있다.In general, an organic light emitting display device is a self-luminous display that electrically excites fluorescent organic compounds and emits light, and can be driven at low voltage, is easy to thin, and is pointed out as a problem in liquid crystal display devices such as wide viewing angle and fast response speed. It is attracting attention as the next generation display that can solve the shortcomings.
이러한 유기 전계 발광 표시장치는 유리나 그밖에 투명한 절연기판에 소정 패턴의 유기막이 형성되고 이 유기막의 상하부에는 전극층들이 형성된다. 유기막은 유기 화합물로 이루어진다. 이러한 유기막들을 형성하는 재료로는 프탈로시아닌(CuPc:copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3)등이 이용된다.In the organic light emitting diode display, an organic layer having a predetermined pattern is formed on glass or other transparent insulating substrate, and electrode layers are formed on upper and lower portions of the organic layer. The organic film consists of organic compounds. Materials for forming such organic films include phthalocyanine (CuPc: copper phthalocyanine), N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine (N, N'-Di (naphthalene-1) -yl) -N, N'-diphenyl-benzidine (NPB), tris-8-hydroxyquinoline aluminum (Alq3), etc. are used.
상기와 같이 구성된 유기 전계 발광 표시장치는 전극들에 양극 및 음극 전압이 인가됨에 따라 양극전압이 인가된 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 정공 수송층을 경유하여 발광층으로 이동되고, 전자는 음극전압이 인가된 전극으로부터 전자 수송층을 경유하여 발광층으로 주입된다. 이 발광층에서 전자와 홀이 재결합하여 여기자(exiton)를 생성하고, 이 여기자가 여기상태에서 기저상태로 변화됨에 따라, 발광층의 형광성 분자가 발광함으로써 화상이 형성된다.In the organic light emitting display device configured as described above, as the anode and cathode voltages are applied to the electrodes, holes injected from the electrode to which the anode voltage is applied are moved to the light emitting layer via the hole transport layer, and the electrons have a cathode voltage. It is injected from the applied electrode into the light emitting layer via the electron transport layer. In this light emitting layer, electrons and holes recombine to produce excitons, and as the excitons change from the excited state to the ground state, the fluorescent molecules in the light emitting layer emit light to form an image.
상술한 바와 같이 구동되는 유기 전계 발광표시장치의 광효율은 내부효율(internal efficiency)과 외부효율(external efficiency)로 나누어지는데, 상기 내부효율은 유기 발광물질의 광전변환 효율에 의존하며, 광취출효율(light coupling efficiency)이라고도 불리는 상기 외부효율은 유기 전계 발광 표시장치를 구성하는 각층의 굴절율에 기인한다. 이 중 외부효율인 광취출효율은 유기 전계 발광표시장치의 경우가 음극선관이나 PDP 등 다른 표시장치에 비해 낮은 편인데, 이로 인해 휘도, 수명 등 표시장치의 특성 면에서 개선의 여지가 많다.The light efficiency of the organic light emitting display device driven as described above is divided into internal efficiency and external efficiency. The internal efficiency depends on the photoelectric conversion efficiency of the organic light emitting material, The external efficiency, also called light coupling efficiency, is due to the refractive index of each layer constituting the organic light emitting display. Among them, the light extraction efficiency, which is an external efficiency, is lower than that of other display devices such as cathode ray tubes and PDPs. However, there is much room for improvement in characteristics of display devices such as brightness and lifetime.
이러한, 유기 전계 발광표시장치의 광취출효율이 타 표시장치에 비해 낮은 가장 큰 원인은 상기 유기막에 의해 방출되는 광이 임계각 이상으로 출사될 때 ITO 전극층과 같이 굴절율이 높은 층과 페시베이션막이나 기판과 같이 굴절율이 낮은 층 사이의 계면에서 전반사를 일으키게 되어 외부로 취출되는 것이 방지되어 유기 발광층에서 발생되는 빛의 약 1/4 정도밖에 이용하 수 없기 때문이다.The main reason why the light extraction efficiency of the organic light emitting display device is lower than that of other display devices is that a layer having a high refractive index such as an ITO electrode layer and a passivation film when the light emitted by the organic film is emitted above a critical angle. This is because total reflection occurs at an interface between layers having a low refractive index, such as a substrate, and is prevented from being taken out to the outside, so that only about one quarter of the light generated in the organic light emitting layer can be used.
이와 같은 광취출율의 저하를 방지하기 위한 종래 유기 전계 발광 표시장치의 일예가 일본 공개 특허 공보 소 63-172691호에 개시되어 있다. 개시된 유기 전계 발광 표시 장치는 돌출렌즈 등의 집광성을 가지는 기판을 구비한다. 그러나 이러한 집광을 위한 돌출렌즈는 유기막의 발광에 따른 화소가 매우 작으므로 기판에 형성하기 어렵다.An example of a conventional organic electroluminescent display for preventing such a decrease in light extraction rate is disclosed in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 63-172691. The disclosed organic electroluminescent display includes a substrate having light condensation such as a protruding lens. However, such a convex lens for condensing is difficult to form on the substrate because the pixel according to the emission of the organic film is very small.
일본 공개 공보 소 62-172691호에는 투명전극층과 발광층에 제1유전체층을 개재함과 동시에 투명전극측에 상기 제1유전체층과 투명전극 사이 중간의 굴절율을 가지는 제2의 유전체층을 개재한 유기전계 발광 표시 장치가 개시되어 있고, 일본 공개 특허공보 평1-220394호에는 기판상에 하부전극, 절연층, 발광층 및 상부의 전극을 형성하며, 상기 발광층의 편면에 광을 반사시키는 미러가 형성된 유기 전계 발광 표시 장치가 개시되어 있다.Japanese Laid-Open Patent Publication No. 62-172691 discloses an organic electroluminescent display with a first dielectric layer interposed between a transparent electrode layer and a light emitting layer and a second dielectric layer having a refractive index between the first dielectric layer and the transparent electrode on a transparent electrode side. Japanese Patent Laid-Open No. Hei 1-220394 discloses an apparatus, and an organic electroluminescent display in which a lower electrode, an insulating layer, a light emitting layer and an upper electrode are formed on a substrate, and a mirror is formed to reflect light on one surface of the light emitting layer. An apparatus is disclosed.
이러한 유기 전계 발광 표시장치는 발광층의 두께가 매우 얇기 때문에 측면에 반사를 위한 미러를 설치하는 것이 매우 어렵고, 결과적으로 생산원가 상승의 원인이 된다.Since the organic light emitting display device has a very thin thickness of the light emitting layer, it is very difficult to install a mirror for reflection on the side surface, and as a result, the production cost increases.
이러한 문제점들을 해결하기 위하여 일본 공개 특허 공보 평 11-283751호에는 양극과 음극의 사이에 일층 또는 다수층의 유기막을 가지는 유기 전계 발광 표시 장치에 있어서, 구성요소로서 회절격자 또는 존 플레이트를 포함한 구성이 개시되어 있다. 이는 굴절률의 차이가 나는 경계부근에 회절격자를 형성시켜 빛의 산란효과에 의해 유기막의 빛을 취출하는 것이다.In order to solve these problems, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 11-283751 discloses an organic electroluminescent display device having one or more organic layers between an anode and a cathode, and includes a structure including a diffraction grating or a zone plate as a component. Is disclosed. This is to form the diffraction grating near the boundary where the refractive index is different and to extract the light of the organic film by the light scattering effect.
도 1는 상기 일본공개특허공보 평11-283751호에 개시된 회절격자 구조가 적용된 AM(Active Matrix)구동방식의 배면 발광형 유기 전계 발광표시장치를 나타낸다.1 shows a bottom emission type organic electroluminescent display device of an AM (Active Matrix) driving method to which a diffraction grating structure disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 11-283751 is applied.
이 AM형 유기 전계 발광표시장치는 투명한 기판(10)에 버퍼층(11)이 형성되고, 이 버퍼층(11)의 상부에 소정의 패턴으로 배열된 p형 또는 n 형의 반도체층(12)이 게이트 절연층(13)에 의해 매립되고, 상기 게이트 절연층(13)의 상면에는 상기 반도체층(12)과 대응되는 게이트 전극층(14)과 이를 매립하는 제1절연막(15)과, 상기 제1절연막(15)과 게이트 절연층(13)에 형성된 콘택홀(16a)(17a)을 통하여 상기 반도체층(12)의 양측에 각각 연결되며 제1절연막(15)의 상부에 형성된 드레인 전극(16) 및 소스전극(17)으로 이루어진 박막 트렌지스터와, 상기 소스전극(17)과 연결되며 상기 제1 절연막(15)의 상면에 형성된 제1보조전극(23b)과, 이 제1보조전극(23b)과 대향되며 제1 절연막(15)에 매립되는 제2보조전극(23a)으로 이루어진 커패시터(23)로 구동영역을 형성하고, 상기 제1 절연막(15)의 상면에 형성된 제2절연막(18)과, 개구부(19a)가 형성된 평탄화막(19)과, 상기 평탄화막(19)의 개구부의 저면에는 상기 드레인 전극(16)과 전기적으로 연결된 제1전극층(20)이 형성되고, 상기 제1전극층(20)의 상부에는 유기막(21)이 적층되며, 상기 유기막과 평탄화막의 상부에는 제2전극층(22)이 형성되어 화소영역을 이룬다.In the AM organic light emitting display device, a buffer layer 11 is formed on a transparent substrate 10, and a p-type or n-type semiconductor layer 12 arranged in a predetermined pattern on the buffer layer 11 is gated. A gate electrode layer 14 corresponding to the semiconductor layer 12, a first insulating layer 15 filling the gate electrode layer 14, and a first insulating layer 15 buried by the insulating layer 13. Drain electrodes 16 formed on the first insulating layer 15 and connected to both sides of the semiconductor layer 12 through contact holes 16a and 17a formed in the gate insulating layer 13 and 15, respectively. A thin film transistor including a source electrode 17, a first auxiliary electrode 23b connected to the source electrode 17 and formed on an upper surface of the first insulating layer 15, and opposed to the first auxiliary electrode 23b. And a driving region formed of a capacitor 23 formed of a second auxiliary electrode 23a embedded in the first insulating film 15. A first insulating layer 18 formed on the upper surface of the upper surface 15, a planarization film 19 having the openings 19a formed therein, and a bottom surface of the opening of the planarization film 19 electrically connected to the drain electrode 16. An electrode layer 20 is formed, an organic layer 21 is stacked on the first electrode layer 20, and a second electrode layer 22 is formed on the organic layer and the planarization layer to form a pixel region.
상기와 같은 배면 발광형 유기 전계 발광 표시장치에서는 상기 제1전극층(20)은 투명한 도전성 재질인 ITO로 이루어지고, 상기 기판(10), 버퍼층(11), 게이트 절연층(13) 및 제1,2절연막(15)(18)도 투명한 재질로 이루어진다. 이 때, 상기 투명한 제1전극층(20)은 굴절률이 높고, 상기 제2절연층(18)은 굴절률이 낮으므로, 그 부분 확대도에서 볼 수 있는 바와 같이 그 계면에 돌기부(18a)를 형성하여 광취출효율을 높이기 위한 회절격자의 기능을 갖도록 한다.In the bottom emission type organic light emitting display device as described above, the first electrode layer 20 is made of ITO, which is a transparent conductive material, and the substrate 10, the buffer layer 11, the gate insulating layer 13, and the first, The two insulating films 15 and 18 are also made of a transparent material. In this case, since the transparent first electrode layer 20 has a high refractive index and the second insulating layer 18 has a low refractive index, the protrusions 18a are formed at the interface thereof, as shown in a partially enlarged view. It has a function of a diffraction grating to increase the light extraction efficiency.
그런데, 상기와 같은 돌기부(18a)가 형성되어 있는 제 2절연막(18)의 상면에 ITO로 제 1전극층(20)을 형성할 때에 상기 돌기부(18a)를 이루는 제 2절연막(18)의 단차가 제 1전극층(20)에 그대로 반영되어 그림에서 볼 수 있듯이,제 1전극층(20)에도 돌기부(20a)가 형성된다. 따라서, 이 제1전극층(20)의 돌기부(20a)는 제 1전극층(20)의 상면으로 얇은 박막으로 증착되는 유기막층(21)에도 영향을 미쳐 이 유기막층에도 대응되는 모양의 돌기부(21a)가 형성된다. 그런데, 이렇게 유기막층(21)은 그 두께가 매우 얇기 때문에 돌기부(21a)의 측면부근에서 유기막의 증착두께가 얇아질 수 있으며, 이에 따라 그림에서 볼 수 있듯이, 제 1전극층(20)의 돌기부(20a)측면과 제2전극층(22)이 유기막층(21)의 돌기부(21a)측면부에서 단락되는 부분(S)이 발생하게 된다. 상기와 같은 구조의 유기 전계 발광표시장치에서는 상기 제 1전극층(20)의 돌기부를 제거하기는 타 층들로 인하여 매우 곤란하다.However, when the first electrode layer 20 is formed of ITO on the upper surface of the second insulating film 18 on which the protrusions 18a are formed as described above, the step of the second insulating film 18 forming the protrusions 18a is increased. As it is reflected in the first electrode layer 20 as shown in the figure, the protrusion 20a is formed in the first electrode layer 20. Therefore, the protrusion 20a of the first electrode layer 20 also affects the organic film layer 21 deposited as a thin thin film on the upper surface of the first electrode layer 20, and thus the protrusion 21a of the shape corresponding to the organic film layer. Is formed. However, since the thickness of the organic layer 21 is very thin, the deposition thickness of the organic layer may be thin in the vicinity of the side surface of the protrusion 21a. Accordingly, as shown in the figure, the protrusion of the first electrode layer 20 ( A portion S of which the side surface and the second electrode layer 22 are short-circuited at the side portion of the protrusion portion 21a of the organic film layer 21 is generated. In the organic light emitting display device having the above structure, it is very difficult to remove the protrusions of the first electrode layer 20 due to the other layers.
또한, 상기와 같은 구조를 갖는 유기 전계 발광표시장치에 있어서는 TFT와 캐패시터를 구비한 구동영역을 형성한 후에 전극과 유기막을 구비한 화소영역을 형성하기 때문에 유기막층(21)에서 방출되는 빛이 제1전극층(20)과 제 2절연막(18)의 경계를 통과한 후에도 제 2절연막(18)과, 게이트 절연막(13), 버퍼층(11) 및 하부 기판(10) 등을 통과해야 하기 때문에 굴절률이 서로 다른 층들을 또 통과해야 하고, 이 과정에서 광이 산란되어 광의 취출효율은 점차 감소하게 된다.In the organic light emitting display device having the above structure, since the driving region including the TFT and the capacitor is formed and the pixel region including the electrode and the organic layer is formed, the light emitted from the organic layer 21 is removed. Since the second insulating film 18, the gate insulating film 13, the buffer layer 11, the lower substrate 10, and the like must pass through the boundary between the first electrode layer 20 and the second insulating film 18, the refractive index is high. It must pass through the different layers again, and light is scattered in the process, and the light extraction efficiency gradually decreases.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 화소영역의 유기막으로부터 발생된 광의 산란을 방지하고 집속력을 높여 휘도를 향상시킨 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to provide an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, which improve brightness by preventing scattering of light generated from an organic film in a pixel region and increasing focusing power. have.
본 발명의 다른 목적은 내부에서의 산란에 의한 광손실을 줄여 실질적인 발광효율의 증가를 도모할 수 있는 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an organic electroluminescent display device and a method of manufacturing the same, which can reduce the light loss due to scattering therein and can substantially increase the luminous efficiency.
도 1은 종래 유기 전계 발광 표시장치의 단면도,1 is a cross-sectional view of a conventional organic light emitting display device;
도 2는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시장치의 단면도,2 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to the present invention;
도 3 및 도 5는 광집속부들의 실시예들을 나타내 보인 단면도,3 and 5 are cross-sectional views showing embodiments of the light focusing portions,
도 6은 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시장치의 다른 실시예를 나타내 보인 단면도,6 is a cross-sectional view illustrating another embodiment of an organic light emitting display device according to the present invention;
도 7 내지 도 15는 유기 전계발광 표시장치에 있어서, 광 집속부의 제조방법을 나타내 보인 것이다.7 to 15 illustrate a method of manufacturing the light focusing unit in the organic light emitting display device.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은,The present invention for achieving the above object,
투명한 기판과;A transparent substrate;
기판 상에 소정의 패턴으로 형성된 투명한 제1전극층과, 각 제1전극층의 상면에 소정패턴으로 형성된 유기막과, 상기 유기막이 노출되도록 기판의 상면에 형성된 절연층과, 상기 유기막과 절연층의 상면에 소정의 패턴으로 형성된 제2전극층을 포함하는 화소형성부와;A transparent first electrode layer formed in a predetermined pattern on the substrate, an organic film formed in a predetermined pattern on the upper surface of each first electrode layer, an insulating layer formed on the upper surface of the substrate so that the organic film is exposed, and the organic film and the insulating layer A pixel forming part including a second electrode layer formed on a top surface in a predetermined pattern;
상기 투명한 기판 상에 형성된 투명한 제1전극들을 스위칭 시키기 위한 박막트렌지스터들을 포함하는 구동부와;A driver including thin film transistors for switching transparent first electrodes formed on the transparent substrate;
상기 유기막에 의한 광의 취출되는 경로상에 설치되어 상기 유기막으로부터 발생된 광의 산란을 방지하기 위한 광집속수단;을 구비하여 된 것을 그 특징으로 한다.And a light converging means provided on a path for extracting light by the organic film to prevent scattering of light generated from the organic film.
본 발명에 있어서, 상기 광집속수단은 제1전극층 또는 기판에 형성된 렌즈부로 이루어질 수 있다.In the present invention, the light converging means may be formed of a lens unit formed on the first electrode layer or the substrate.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 유기 전계 발광 표시장치의 다른 특징은 투명한 기판과,Another aspect of the organic electroluminescent display device of the present invention for achieving the above object is a transparent substrate,
이 기판에 형성된 버퍼층과, 버퍼층에 형성된 박막 트랜지스터와 이 박막 트랜지스터를 매립하는 절연층들과, 상기 절연층들의 상면에 소정의 패턴으로 형성되며 박막 트랜지스터에 의해 선택적으로 전압이 인가되는 제1전극층과, 상기 전극층이 노출되도록 개구부가 형성된 절연성 평탄화막과, 제1전극층의 상면에 형성된 유기막과, 상기 유기막과 평탄화막의 상면에 소정의 패턴으로 형성된 제2전극층을 포함하며,A buffer layer formed on the substrate, a thin film transistor formed on the buffer layer, insulating layers filling the thin film transistor, a first electrode layer formed in a predetermined pattern on the upper surface of the insulating layers, and selectively applied with voltage by the thin film transistor; An insulating planarization film having an opening formed to expose the electrode layer, an organic film formed on an upper surface of the first electrode layer, and a second electrode layer formed in a predetermined pattern on the upper surface of the organic film and the planarization film;
상기 유기막으로부터 발생되어 취출되는 광의 경로상에 광을 집속하는 광집속수단이 형성된 것을 그 특징으로 한다.It is characterized in that the light converging means for condensing light on the path of the light generated and extracted from the organic film is formed.
본 발명에 있어서, 상기 광집속수단은 상기 절연층, 버퍼층 또는 기판의 적어도 일측에 형성된 렌즈부로 이루어진다. 상기 렌즈부는 굴절율이 서로 다르며 절연층에 오목부된 제1절연층과, 이 오목부에 적층된 제2절연층이 채워져 이루어진다. 여기에서 상기 오목부가 형성된 제1절연층를 이루는 재료의 밀도가 제2절연층을 이루는 재료의 밀도 보다 낮다.In the present invention, the light converging means includes a lens unit formed on at least one side of the insulating layer, the buffer layer, or the substrate. The lens part is formed by filling a first insulating layer having a different refractive index and being recessed in the insulating layer and a second insulating layer stacked on the recessed portion. Herein, the density of the material forming the first insulating layer in which the recess is formed is lower than the density of the material forming the second insulating layer.
그리고 상기 광집속수단의 렌즈부는 상기 절연층들 중의 적어도 한 절연층 또는 기판에 렌즈부를 형성하여 된 것이다.The lens unit of the light focusing means is formed by forming a lens unit on at least one of the insulating layers or the substrate.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 유기 전계 발광 표시장치는 투명한 기판과, 상기 기판 상에 소정의 패턴으로 형성된 제1전극층들과, 상기 기판 상에 형성된 것으로, 상기 제1전극층들이 노출되도록 제1 개구부를 구비한 버퍼층과, 상기 버퍼층에 형성되는 것으로 선택된 제1전극층에 소정의 전압을 인가하기 위한 적어도 하나의 구동부와, 상기 구동부를 매립하며 상기 제1전극층이 노출되는 제2개구부가 형성된 평탄화 막과, 상기 각 제1전극층들에 도포되는 유기막과, 상기 평탄화막과 상기 제2개구부에 노출된 유기막 상에 설치되는 제2전극층을 포함하며,The organic electroluminescent display device of the present invention for achieving the above object is a transparent substrate, first electrode layers formed in a predetermined pattern on the substrate, and formed on the substrate, the first electrode layer to expose the first electrode layers A planarization film including a buffer layer having an opening, at least one driving unit for applying a predetermined voltage to the first electrode layer selected to be formed in the buffer layer, and a second opening portion filling the driving unit and exposing the first electrode layer And a second electrode layer formed on the organic film applied to each of the first electrode layers and the organic film exposed to the planarization film and the second opening,
상기 기판에는 상기 유기막으로부터 발생되어 취출되는 경로상에 광을 집속하기 위한 광 집속수단을 구비하여 된 것을 그 특징으로 한다.The substrate is provided with a light focusing means for focusing light on a path generated and extracted from the organic film.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법은 투명한 기판의 상면에 버퍼층을 형성하는 제1단계와, 상기 버퍼층의 상면에 제1절연층을 하는 제2단계와, 상기 제1절연층의 상면에 감광막을 도포하고 이를 노광 및 현상하여 소정의 렌즈부 형성을 위한 에칭패턴을 위한 제3단계와, 상기 소정 에칭패턴의 감광막이 피복된 제1절연층을 식각하여 렌즈부를 갖도록 식각하는 제4단계와, 상기 제1절연층의 상면에 도포된 감광막을 제거하는 제5단계와, 상기 감광막이 제거된 제1절연층의 상면에 제2절연층을 형성하여 렌즈부를 형성하는 제6단계를 포함하여 된 것을 그 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting display device, the method including forming a buffer layer on an upper surface of a transparent substrate, a second step of forming a first insulating layer on an upper surface of the buffer layer, and Applying a photoresist film on the upper surface of the first insulating layer, and exposing and developing the photoresist film, the third step for the etching pattern for forming a predetermined lens portion, and etching the first insulating layer coated with the photosensitive film of the predetermined etching pattern to the lens portion Forming a lens unit by forming a second insulating layer on an upper surface of the first insulating layer from which the photosensitive film is coated on the first surface of the first insulating layer; It is characterized by including the sixth step.
본 발명에 있어서, 상기 제3단계는 상기 에칭 패턴을 가지는 감광막을 고온에셔 열처리 하여 각 패턴의 표면을 볼록한 곡면으로 성형하는 열처리 단계를 더 포함하고, 상기 제4단계에 있어서 식각은 비등방식각으로 이루어진다. 여기에서 상기 제1절연층을 이루는 재질의 밀도가 제2절연층을 이루는 재질의 밀도보다 크다.In the present invention, the third step may further include a heat treatment step of forming a convex curved surface of the surface of each pattern by heat-treating the photoresist film having the etching pattern at a high temperature, the etching in the fourth step is made of boiling angle . Herein, the density of the material forming the first insulating layer is greater than the density of the material forming the second insulating layer.
그리고 제4단계에 있어서, 상기 제1절연층의 식각 패턴은 곡면을 갖는 오목 형상을 갖도록 에칭하고, 상기 제 6단계에 있어서, 상기 제1절연층의 상면에 도포되는 제2절연층이 상기 오목부에 채워져 렌즈부가 형성되며, 여기에서 상기 제4단계에 있어서, 식각은 등방식각으로 이루어진다. 여기에서 상기 제1절연층을 이루는 재질의 밀도가 제2절연층을 이루는 재질의 밀도보다 작다.In the fourth step, the etching pattern of the first insulating layer is etched to have a concave shape having a curved surface. In the sixth step, the second insulating layer applied to the upper surface of the first insulating layer is concave. The lens unit is filled in to form a lens unit, wherein in the fourth step, the etching is performed at an equiaxed angle. Herein, the density of the material forming the first insulating layer is smaller than the density of the material forming the second insulating layer.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 한 바람직한 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2에는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시장치로서 AM 구동방식의 유기 전계 발광 표시장치(AMOLED: Active Matrix Organic Light Emitting Display)의 일예를 나타내 보였다.FIG. 2 illustrates an example of an AM-type organic light emitting display (AMOLED) as an organic light emitting display according to the present invention.
도면을 참조하면, 유기 전계 발광 표시장치는 투명한 기판(100)의 상면에는 버퍼층(111)이 형성되고 이 버퍼층(111)의 상면에 각각 화소와 이의 형성을 위한 제1전극(112)을 가지는 화소형성부(110)와, 박막 트렌지스터(TFT)와 캐패시터 등에 의해 화소영역의 전극들을 구동시키는 구동부(120)로 대별된다.Referring to the drawings, in the organic light emitting display device, a buffer layer 111 is formed on an upper surface of the transparent substrate 100 and a pixel having a pixel on the upper surface of the buffer layer 111 and a first electrode 112 for formation thereof, respectively. The forming unit 110, the thin film transistor TFT, and the capacitor may be roughly divided into a driver 120 driving the electrodes of the pixel region.
상기 구동부(120)은 상기 기판(100)의 상부에 형성된 버퍼층(111)과, 상기버퍼층(111)의 상면으로 박막 트렌지스터(TFT)와 캐패시터 등을 포함한다.The driver 120 includes a buffer layer 111 formed on the substrate 100 and a thin film transistor (TFT), a capacitor, and the like on the upper surface of the buffer layer 111.
상기 구동영역(120)은 상기 버퍼층(111)의 상면에 소정의 패턴으로 배열된 p형 또는 n 형의 반도체층(122), 이 반도체층(122)을 매립하는 게이트 절연층인 제1절연층(123), 상기 제1절연층(123)의 상면에 설치되어 상기 반도체층(122)과 대응되는 게이트 전극층(124), 이를 매립하는 제2절연층(125), 상기 제2절연층(125)과 제1절연층(123)에 형성된 콘택홀(126a)(127a)을 통하여 상기 반도체층(122)의 양측에 각각 연결되며 상기 제2 절연층(125)의 상부에 형성된 드레인 전극(126) 및 소스전극(127)으로 이루어진 박막 트랜지스터와, 상기 소스전극(127)과 연결되며 상기 제2 절연층(125)의 상면에 형성된 제 1 보조전극(128b)과, 이 제 1 보조전극(128b)과 대향되며 상기 내부 절연층(125)에 매립되는 제 2 보조전극(128a)으로 이루어진 캐패시터(128)를 포함한다. 그리고 상기 제2절연층(125)의 상면에는 상기 드레인전극(126)과 소스전극(127)을 매립하는 제3절연층(129)이 형성된다.The driving region 120 is a p-type or n-type semiconductor layer 122 arranged in a predetermined pattern on the upper surface of the buffer layer 111, and a first insulating layer which is a gate insulating layer filling the semiconductor layer 122. 123, a gate electrode layer 124 disposed on an upper surface of the first insulating layer 123 to correspond to the semiconductor layer 122, a second insulating layer 125 filling the second insulating layer 125, and the second insulating layer 125. ) And drain electrodes 126 connected to both sides of the semiconductor layer 122 through contact holes 126a and 127a formed in the first insulating layer 123, respectively, and formed on the second insulating layer 125. And a thin film transistor including a source electrode 127, a first auxiliary electrode 128b connected to the source electrode 127 and formed on an upper surface of the second insulating layer 125, and the first auxiliary electrode 128b. And a capacitor 128 made of a second auxiliary electrode 128a which is opposite to and is embedded in the inner insulating layer 125. A third insulating layer 129 is formed on the top surface of the second insulating layer 125 to fill the drain electrode 126 and the source electrode 127.
여기에서 상기 제1,2,3절연층(123)(125)(129), 상기 버퍼층(111)과 기판의 적어도 일측에는 후술하는 화소형성부(110)의 유기막으로부터 발생되어 취출되는 광을 집속하는 광집속부(150)가 형성된다.Here, at least one side of the first, second, and third insulating layers 123, 125, and 129, the buffer layer 111, and the substrate may emit light that is generated and extracted from the organic layer of the pixel forming unit 110, which will be described later. A light focusing unit 150 that focuses is formed.
상기 광집속부(150)는 제1,2,3절연층(123)(125)(129), 상기 버퍼층(111)과 투명한 기판(100)의 적어도 일측에 이와 일체 또는 두 개의 층이 연개 하여 형성된 렌즈부(151)를 포함하여 이루어질 수 있다. 즉, 상기 렌즈부(151)은 도 3에 도시된 바와 같이 제1,2,3절연층(123)(125)(129)중의 적어도 하나의 측에 소정의 패턴으로 다수개 형성될 수 있다. 그리고 렌즈부(152)는 도 4에 도시된 바와 같이 화소영역(110)의 제1전극(112)과 대응되는 부위에 형성된 하나의 렌즈부로 이루어질 수 있다. 여기에서 상기 렌즈부를 이루는 재질의 밀도는 이에 적층되는 측을 이루는 재질의 밀도보다 높은 재질을 사용함이 바람직하다The light converging unit 150 may include one or two layers of the first, second, and third insulating layers 123, 125, and 129, at least one side of the buffer layer 111, and the transparent substrate 100. It may be formed including a lens unit 151 formed. That is, as shown in FIG. 3, the lens unit 151 may be formed in plural in a predetermined pattern on at least one of the first, second, and third insulating layers 123, 125, and 129. As illustrated in FIG. 4, the lens unit 152 may be formed of one lens unit formed at a portion corresponding to the first electrode 112 of the pixel region 110. Herein, the density of the material forming the lens unit is preferably made of a material higher than the density of the material forming the side laminated thereto.
그리고 상기 광집속수단의 다른 실시예로서는 도 5에 상기 절연층들 중 한 개의 층에 오목부(153)를 형성하고, 이에 적층되는 층이 상기 오목부(153)에 채워져 렌즈부(154)를 형성하도록 함이 바람직하다. 예컨대, 상기 오목부(153)은 기판(100), 버퍼층, 제1,2,3절연층(123)(125)(129)중의 적어도 하나에 형성될 수 있다. 이 경우 상기 기판(100)에 오목부가 형성되는 경우에는 상기 버퍼층(111)이 렌즈부에 채워져 렌즈부(154)를 형성하게 되며, 상기 제3절연층(129)에 오목부(153)가 형성되는 경우에는 투명전극(112)이 제3절연층(129)에 형성된 오목부(153)에 채워져 렌즈부(154)를 이루게 된다. 이와 같이 오목부(153)가 형성되는 층과 이에 채워지는 층에 의해 렌즈부가 형성되는 경우 이 두 개 층의 굴절율은 서로 다르게 형성되며, 또한 이들을 이루는 재질의 밀도가 서로 다르다. 상기 재질의 밀도는 오목부가 형성되는 층을 이루는 재질의 밀도가 형성되지 않은 층의 재질의 밀도보다 낮게 함이 바람직하다. 예컨대, 밀도가 상대적으로 높은 절연층의 재질로는 SiNx(굴절율 2.05)를 사용함이 바람직하고, 밀도가 낮은 재질로는 SiO2(굴절율 1.46)나 SiOxNy(굴절율 1.6-1.88)를 사용함이 바람직하다.In another embodiment of the light converging means, a recess 153 is formed in one of the insulating layers in FIG. 5, and a layer stacked thereon is filled in the recess 153 to form a lens unit 154. It is desirable to. For example, the recess 153 may be formed in at least one of the substrate 100, the buffer layer, and the first, second, and third insulating layers 123, 125, and 129. In this case, when the recess is formed in the substrate 100, the buffer layer 111 is filled in the lens to form the lens 154, and the recess 153 is formed in the third insulating layer 129. In this case, the transparent electrode 112 is filled in the recess 153 formed in the third insulating layer 129 to form the lens unit 154. As described above, when the lens part is formed by the layer in which the concave portion 153 is formed and the layer filled therein, the refractive indices of the two layers are different from each other, and the densities of the materials forming them are different. The density of the material is preferably lower than the density of the material of the layer is not formed the density of the material forming the layer is formed. For example, it is preferable to use SiNx (refractive index 2.05) as the material of the insulating layer having a relatively high density, and SiO 2 (refractive index 1.46) or SiOxNy (refractive index 1.6-1.88) is preferably used as the material having a low density.
한편, 상기 화소형성부(110)은 도 2에 도시된 바와 같이 투명기판(100)에 적층된 제3절연층(129)의 상면에 형성되며, 상기 드레인전극(112)와 전기적으로 연결연결되는 제1전극(112)와, 상기 제3절연층의 상면에 상기 투명전극(112)를 노출시키는 개구부(141)가 형성된 평탄화막(140)를 포함한다. 상기 평탄화막(140)의 개구부(141)에 의해 노출된 상기 투명전극(112)의 상면에는 유기막(160)이 형성되고, 이 유기막(160)과 상기 평탄화막(140)의 상면에는 소정의 패턴으로 제2전극(170)이 형성되는데, 상기 화소형성부(110)의 투명전극에는 광집속부을 설치할 수 있다. 이 광집속부은 상술한 바와 같이 제1전극(112)에 렌즈부를 형성하고나 상기 실시예와 같이 제1전극(112)와 대응되는 제3절연층(129)에 오목부를 형성하여 투명전극(112)이 채워짐으로써 형성될 수 있다. 이 경우 상기 유기막(160)과 제2전극(170)은 제1전극(112)에 형성된 렌즈부의 형성으로 인하여 요철이 형성되므로 상기 제2전극(170)으로부터의 외광반사를 줄일 수 있다.Meanwhile, as illustrated in FIG. 2, the pixel forming unit 110 is formed on the upper surface of the third insulating layer 129 stacked on the transparent substrate 100 and electrically connected to the drain electrode 112. The planarization layer 140 includes a first electrode 112 and an opening 141 exposing the transparent electrode 112 on an upper surface of the third insulating layer. An organic layer 160 is formed on an upper surface of the transparent electrode 112 exposed by the opening 141 of the planarization layer 140, and a predetermined surface is formed on the upper surface of the organic layer 160 and the planarization layer 140. The second electrode 170 is formed in a pattern of. A light condenser may be provided on the transparent electrode of the pixel forming unit 110. As described above, the light converging part forms a lens part on the first electrode 112 or forms a concave part on the third insulating layer 129 corresponding to the first electrode 112 as in the above-described embodiment. ) Can be formed by being filled. In this case, since the unevenness of the organic layer 160 and the second electrode 170 is formed by the formation of the lens part formed on the first electrode 112, the external light reflection from the second electrode 170 can be reduced.
도 6에는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시장치의 다른 실시예를 나타내 보였다. 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시장치는 박막 트랜지스터와 캐패시터로 이루어진 구동부(120)와 상기 구동부(120)에 의해 구동되는 화소형성부(180)으로 대별되는데, 상기 구동부(120)은 상술한 실시예와 실질적으로 동일하므로 차이점이 있는 부분만을 설명하기로 한다.6 illustrates another embodiment of an organic light emitting display device according to the present invention. The organic light emitting display according to the present invention is roughly divided into a driver 120 including a thin film transistor and a capacitor and a pixel forming unit 180 driven by the driver 120. Since it is substantially the same as, only the differences will be described.
도면을 참조하면, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시장치의 화소영역(180)은 상기 버퍼층(111)과 제1,2,3절연층(123)(125)(129) 및 평탄화막(140)에는 제1전극(181)이 노출되도록 상기 개구부(182)가 형성되고, 상기 개구부(182)에 의해 노출된 제1전극(181)의 상면에는 유기막(183)이 형성되고, 상기 유기막(183)의 상면과 평탄화막(140)의 상면에는 소정패턴의 제2전극(170)이형성된다. 그리고 상기 드레인 전극(126)은 제1,2,3절연층(123)(125)(129) 및 버퍼층(111)을 통하여 제1전극(181)과 전기적으로 연결된다. 상기 제1전극(181)과 기판(100)의 적어도 일측에는 광집속부가 설치되는데, 이 광집속부(150)은 상기 기판(100)에 렌즈부가 형성되어 이루어지거나 상기 투명기판에 오목부가 형성되고 이에 투명전극(181)이 매립되어 이루어질 수 있다.Referring to the drawings, the pixel region 180 of the organic light emitting display device according to the present invention includes the buffer layer 111, the first, second, and third insulating layers 123, 125, 129, and the planarization layer 140. An opening 182 is formed in the first electrode 181 to expose the first electrode 181, and an organic film 183 is formed on an upper surface of the first electrode 181 exposed by the opening 182. The second electrode 170 of the predetermined pattern is formed on the top surface of the 183 and the top surface of the planarization film 140. The drain electrode 126 is electrically connected to the first electrode 181 through the first, second, and third insulating layers 123, 125, 129, and the buffer layer 111. A light concentrator is installed on at least one side of the first electrode 181 and the substrate 100. The light concentrator 150 includes a lens unit formed on the substrate 100 or a concave unit formed on the transparent substrate. In this case, the transparent electrode 181 may be embedded.
상술한 바와 같이 구성된 본 발명에 따른 유기 전계 발광표시장치는 상기 구동부와 도 2 및 도 6에 도시된 바와 같이 선택된 박막 트랜지스터에 의해 제1전극(112)에 소정의 전압이 인가됨과 아울러 제2전극(170)에 전압이 인가되면, 제1전극(112)으로부터 주입된 정공(hole)이 유기막을 이루는 정공 수송층을 경유하여 발광층으로 이동되고, 전자는 제2전극 전극(170)으로부터 전자 수송층을 경유하여 발광층으로 주입된다. 이 발광층에서 전자와 정공이 재 결합하여 여기자(exiton)를 생성하고, 이 여기자가 여기상태에서 기저상태로 변화됨에 따라, 발광층(73)의 형광성 분자가 발광한다. 이때에 발생된 광은 제1전극(112)와 제1,2,3절연층(123)(125)(129)과 버퍼층(111) 및 투명기판(100)을 경유하여 취출되는데. 이 과정에서 상기 광 취출 경로상에는 광집속부(150)가 설치되어 있으므로 취출되는 광을 한곳으로 모을 수 있어 휘도의 효율을 극대화 시킬 수 있다. 즉, 상기 광취출경로인 제1,2,3절연층(123)(125)(129), 투명한 기판(100), 버퍼층(111) 중 적어도 일측 또는 적층되는 경계층에는 렌즈부(151)(렌즈부)가 형성되어 광을 집속하게 되는 것이다. 이때에 상기 제1,2,3절연층(123)(125)(129), 투명기판(100), 버퍼층(111)에 볼록 렌즈부가 형성된 경우 볼록 렌즈부를 형성한층을 이루는 재질의 밀도가 이에 적층된 층의 밀도보다 높게 형성되어 있으므로 볼록 렌즈의 효과를 얻을 수 있다. 그리고 상기 제1,2,3절연층(123)(125)(129), 투명한 기판(100), 버퍼층(111)에 오목부가 형성되고 이에 적층된 층이 채워지는 경우에는 볼록부가 형성된 층을 이루는 재료의 밀도가 적층되는 층의 재료 밀도보다 낮게 형성되어 있으므로 동일한 볼록렌즈의 효과를 기대할 수 있다. 따라서 유기막으로부터 조사되는 광의 집속효율을 높여 집속효율을 높일 수 있는 것이다.In the organic light emitting display according to the present invention configured as described above, a predetermined voltage is applied to the first electrode 112 by the driver and the thin film transistor selected as shown in FIGS. 2 and 6, and a second electrode. When a voltage is applied to the 170, holes injected from the first electrode 112 are moved to the light emitting layer via the hole transport layer forming the organic layer, and electrons are transferred from the second electrode electrode 170 to the electron transport layer. Is injected into the light emitting layer. Electrons and holes recombine in this light emitting layer to generate excitons, and as the excitons change from the excited state to the ground state, the fluorescent molecules of the light emitting layer 73 emit light. Light generated at this time is extracted through the first electrode 112, the first, second, and third insulating layers 123, 125, 129, the buffer layer 111, and the transparent substrate 100. In this process, since the light converging unit 150 is installed on the light extraction path, the light collected can be collected in one place to maximize the efficiency of luminance. That is, at least one side of the first, second, and third insulating layers 123, 125, and 129, the transparent substrate 100, and the buffer layer 111, which are the light extraction paths, or the boundary layer stacked on the lens unit 151 (lens). A) is formed to focus light. In this case, when the convex lens portion is formed on the first, second, and third insulating layers 123, 125, 129, the transparent substrate 100, and the buffer layer 111, the density of the material forming the layer forming the convex lens portion is stacked thereon. Since it is formed higher than the density of the layer, the effect of the convex lens can be obtained. When the first, second, and third insulating layers 123, 125, 129, the transparent substrate 100, and the buffer layer 111 are formed with recesses and the stacked layers are filled, the convex portions form a layer. Since the density of the material is formed lower than the material density of the layer to be laminated, the effect of the same convex lens can be expected. Therefore, the focusing efficiency of the light irradiated from the organic film can be increased to increase the focusing efficiency.
도 7 내지 도 11에는 상술한 바와 같이 구성된 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시장치에 있어서 광집속부인 렌즈부를 형성하는 방법의 일 실시예를 단계적으로 나타내 보였다. 이 실시예에서는 제1,2,3절연층(123)(125)(129)들에 렌즈부를 형성하는 것으로 한정되어 있으나 이에 한정되지는 않는다.7 through 11 illustrate one embodiment of a method of forming a lens unit, which is a light focusing unit, in the organic light emitting display device according to the present invention configured as described above. In this embodiment, the lens unit is formed on the first, second, and third insulating layers 123, 125, and 129, but is not limited thereto.
상기 투명한 기판(100)의 상면에 버퍼층(111)을 형성하는 제1단계(도 7참조)와, 상기 버퍼층의 상면에 제1절연층(123)을 하는 제2단계와, 상기 제1절연층의 상면에 감광막을 도포하고 이를 노광 및 현상하여 소정의 렌즈의 형성을 위한 에칭패턴(201)을 위한 제3단계(도 8 참조)포함한다. 이 단계에서 상기 에칭 패턴(201)을 형성하는 과정에서 가지는 감광막을 고온에서 열처리하여 각 패턴의 외표면을 곡면으로 성형하는 열처리 단계(도 9 참조)를 더 포함할 수 있다. 상기 열처리의 온도는 상기 감광막이 연화되어 그 외주면이 곡면을 이루도록 함이 바람직하다.A first step of forming a buffer layer 111 on the upper surface of the transparent substrate 100 (see FIG. 7), a second step of forming a first insulating layer 123 on an upper surface of the buffer layer, and the first insulating layer And a third step (see FIG. 8) for the etching pattern 201 for forming a predetermined lens by applying a photoresist film to the upper surface of the photoresist and exposing and developing the same. The method may further include a heat treatment step (see FIG. 9) for forming the outer surface of each pattern into a curved surface by heat-treating the photoresist film in the process of forming the etching pattern 201 at a high temperature. The temperature of the heat treatment is preferably to soften the photosensitive film so that the outer peripheral surface is curved.
상기 소정 패턴의 감광막이 피복된 제1절연층을 식각하여 곡면을 식각하는 제4단계(도 10 참조)를 시행한다 상기 식각은 외주면이 곡면을 이루는 에칭패턴(201)을 이용하여 비등방식각을 행할 수 있으며, 도 11에 도시된 바와 같이 에칭패턴의 형성과정에서 열처리를 하지 않고 단순 패턴을 형성한 후 에칭하는 등방식각을 행할 수 있다.A fourth step (see FIG. 10) is performed to etch the curved surface by etching the first insulating layer coated with the photoresist of the predetermined pattern. The etching may be performed by using an etching pattern 201 having an outer circumferential surface to be curved. As shown in FIG. 11, an isotropic angle of etching after forming a simple pattern without performing heat treatment in the process of forming the etching pattern may be performed.
상기 제1절연층의 상면에 도포된 감광막을 제거하는 제5단계(도 12참조)를 수행한다. 상기 제5단계에 있어서, 비등방식각인 경우에는 도 10에 도시된 바와 같이 상기 제1절연층에 볼록렌즈부가 형성되게 되며, 등방식각인 경우에는 도 13에 도시된 바와 같이 제1절연층(123)에 오목부(153)가 형성된다.A fifth step (see FIG. 12) is performed to remove the photoresist film coated on the upper surface of the first insulating layer. In the fifth step, in the case of the boiling angle, as shown in FIG. 10, the convex lens part is formed in the first insulating layer, and in the case of the equal angle, the first insulating layer 123 as shown in FIG. 13. Is formed in the recess 153.
상기와 같이 제1절연층(123)의 상면에 감광막이 제거되면 제1절연층(123)의 상면에 제2절연층(125)을 형성한다. 이때에 상기 비등방식각에 의해 형성된 볼록렌즈는 제2절연층에 매립되어 도 14에 도시된 바와 같이 렌즈부를 이루게 되며, 상기 등방식각인 경우에는 도 15에 도시된 바와 같이 오목부에 제2절연층이 채워져 렌즈부를 이루게 된다. 이때에 상기 제1,2절연층을 이루는 재료의 밀도는 상술한 구성에서 언급하였으므로 다시 언급하지 않기로 한다.As described above, when the photoresist film is removed from the upper surface of the first insulating layer 123, the second insulating layer 125 is formed on the upper surface of the first insulating layer 123. At this time, the convex lens formed by the boiling angle is embedded in the second insulating layer to form a lens portion as shown in FIG. 14. In the case of the equal angle, the second insulating layer is formed in the concave portion as shown in FIG. 15. Is filled to form the lens part. At this time, the density of the material forming the first and second insulating layers is mentioned in the above configuration and will not be described again.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 유기 전계발광장치 및 이의 제조방법은 유기막으로부터 발생되는 광경로상에 광집속부가 형성되어 있으므로 취출되는 광의 산란을 방지하여 광 집속효율을 높일 수 있으며, 나아가서는 화상의 휘도를 높일 수 있다. 또한 상기 투명전극층에 렌즈부를 형성하는 경우 유기막이 도포되는 표면적을 넓힐 수 있으며, 유기막의 상부에 도포되는 캐소오드 전극층에 굴곡을 형성함으로써 캐소오드 전극층에 의한 반사효율을 낮출 수 있는 있다.In the organic electroluminescent device of the present invention and the method of manufacturing the same, the light converging portion is formed on the optical path generated from the organic film, thereby preventing light scattering and improving the light concentrating efficiency. Can increase the luminance. In addition, when the lens unit is formed on the transparent electrode layer, the surface area on which the organic layer is applied may be widened, and the reflection efficiency by the cathode electrode layer may be lowered by forming a bend on the cathode electrode layer applied on the organic layer.
본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하드는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해서 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to one embodiment shown in the drawings, this is merely exemplary and one of ordinary skill in the art will understand that various modifications and variations are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.
Claims (7)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020020050522A KR100669686B1 (en) | 2002-08-26 | 2002-08-26 | Organic electro luminescence display device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020020050522A KR100669686B1 (en) | 2002-08-26 | 2002-08-26 | Organic electro luminescence display device and method of manufacturing the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040019186A true KR20040019186A (en) | 2004-03-05 |
KR100669686B1 KR100669686B1 (en) | 2007-01-17 |
Family
ID=37324165
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020020050522A KR100669686B1 (en) | 2002-08-26 | 2002-08-26 | Organic electro luminescence display device and method of manufacturing the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100669686B1 (en) |
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US10396129B2 (en) | 2015-10-30 | 2019-08-27 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101982073B1 (en) | 2012-10-12 | 2019-05-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode and organic light emitting diode display |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP4073510B2 (en) * | 1996-12-13 | 2008-04-09 | 出光興産株式会社 | Organic EL light emitting device |
JPH10223367A (en) * | 1997-02-04 | 1998-08-21 | Mitsubishi Chem Corp | Organic electric field luminescence element |
JP2002164163A (en) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Stanley Electric Co Ltd | Organic el writing light source device |
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- 2002-08-26 KR KR1020020050522A patent/KR100669686B1/en active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100669686B1 (en) | 2007-01-17 |
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140102 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141231 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151230 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170102 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180102 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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