KR100598502B1 - 균일 선폭 유지 마스크 - Google Patents

Abstract

본 발명은 균일 선폭 유지 마스크에 관한 것으로, 특히 반도체용 트랜지스터 패턴의 선폭 제조에 있어서 데이터 볼륨을 줄이고 구부러진 라인 패턴에 의한 선폭 패터닝을 보상하고 선폭을 균일하게 유지하도록 한 균일 선폭 유지 마스크에 관한 것이다.

본 발명은, 상위 주패턴과; 상기 상위 주패턴과 비껴서 배치되는 하위 주패턴과; 상기 상위 주패턴의 끝단 모서리와 상기 하위 주패턴의 끝단 모서리가 대각선 방향으로 서로 접촉하는 주패턴 연결부와; 상기 상위 주패턴, 하위 주패턴 및 주패턴 연결부가 구비되는 마스크를 투광하고 레지스트에는 이미지가 나타나지 않도록 한계 패턴 해상력 이하의 선폭을 갖는 미세 보조 패턴을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.

주패턴, 마스크, 해상력, 레지스트, 미세 보조 패턴, 선폭

Description

균일 선폭 유지 마스크{Mask For Maintaining Uniform Line Width}

도 1은 종래의 마스크 층을 나타낸 도면.

도 2는 굽은 주패턴이 형성된 마스크를 나타낸 도면.

도 3은 모서리의 한 부분만 접촉하는 주패턴이 형성된 마스크를 나타낸 도면.

도 4는 광학 근접 보상기술 패턴과 미세 보조 패턴이 동시에 형성된 마스크를 나타낸 도면.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 균일 선폭 유지 마스크를 나타낸 도면.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 균일 선폭 유지 마스크를 나타낸 도면.

도 7은 도 5와 도 6에 있어 주패턴 단면을 나타낸 1차원 광강도 그래프를 나타낸 도면.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

1 : 주패턴 1A : 상위 주패턴

1B : 주패턴 연결부 1C : 하위 주패턴

4 : 미세 보조 패턴

본 발명은 균일 선폭 유지 마스크에 관한 것으로, 특히 반도체용 트랜지스터 패턴의 선폭 제조에 있어서 데이터 볼륨을 줄이고 구부러진 라인 패턴에 의한 선폭 패터닝을 보상하고 선폭을 균일하게 유지하도록 한 균일 선폭 유지 마스크에 관한 것이다.

일반적으로, 마스크 패턴 형성 기술은 반도체 기판에 형성되는 패턴의 정확도에 밀접한 영향을 준다. 특히, 마스크 패턴의 광 근접 효과를 제대로 고려하지 못하면 리소그라피 본래 노광 의도와 달리 패턴 선폭 왜곡이 발생하여 선폭 선형성(Linearity)이 짧아지는 현상이 나타나 반도체 소자 특성에 많은 나쁜 영향을 주게 된다.

반도체 포토 리소그라피 기술은 마스크 설계를 정교하게 해줌으로써 마스크로 투광되어 나오는 빛의 양을 적절히 조절할 수 있게 한다. 이를 위해 광학 근접 보상기술(OPC : Optical Proximity Correction)이라든가 위상반전 마스크 기술(Phase Shifting Mask)이 등장하였고 마스크에 그려진 패턴형상에 의한 빛의 왜곡 현상을 최소화시킬 수 있는 여러 방법들이 모색되었다. 특히 최근 원자외선파 장(248nm or 194nm Wavelength)의 빛에 감광력이 뛰어난 화학증폭형 레지스트의 개발로 더욱 해상도를 증가시킬 수 있는 실질적인 기술들이 등장하였다. 특히 최근에는 패턴과 분리된 형태로 광 근접 효과를 제어하는 보조 패턴, 일종의 더미 패턴(Dummy Pattern) 형성 기술도 해상도 개선에 많은 기여를 하고 있다.

이하, 도 1, 도 2, 도 3 및 도 4를 참조하여 종래의 마스크 제조 기술을 설명한다.

도 1은 종래의 마스크 층을 나타낸 도면이고, 도 2는 굽은 주패턴이 형성된 마스크를 나타낸 도면이고, 도 3은 모서리의 한 부분만 접촉하는 주패턴이 형성된 마스크를 나타낸 도면이며, 도 4는 광학 근접 보상기술 패턴과 미세 보조 패턴이 동시에 형성된 마스크를 나타낸 도면이다.

먼저, 도 1에 도시된 반도체 마스크는 3개의 층(Layer)을 중첩시켜 놓은 상태를 나타내는 것으로, 종래의 마스크는 활성화층(2)과, 해당 활성화층(2)에 중첩되는 폴리 라인(Poly Line)의 주패턴(1) 층 및 콘택홀(3) 층으로 이루어지는데, 상기 주패턴(1)은 제 1 주패턴(1a)과 제 2 주패턴(1b)으로 구성되고, 해당 제 1 주패턴(1a)은 제 1 상위 주패턴(1aA), 제 1 하위 주패턴(1aC) 및 상기 제 1 상위 주패턴(1aA)과 제 1 하위 주패턴(1aC)을 굽은 형태로 연결하는 제 1 주패턴 연결부(1aB)를 구비하고, 해당 제 2 주패턴(1b)은 제 2 상위 주패턴(1bA), 제 2 하위 주패턴(1bC) 및 상기 제 2 상위 주패턴(1bA)과 제 2 하위 주패턴(1bC)을 굽은 형태로 연결하는 제 2 주패턴 연결부(1bB)를 구비한다.

도 1에서 상기 주패턴(1) 층을 피해서 최대한 많은 콘택홀(3) 층을 활성화층(2)위에 배치하려고 하면 주패턴(1) 층이 직선으로 배치되지 못하고 굽은 형태로 만들어진다. 실제로, 상기 상위 주패턴(1A)과 하위 주패턴(1B)이 이어지지 않고 모서리만 접촉하거나 일부만 비껴서 중첩 배치되는데, 이렇게 하면 마스크 노광시 광 근접 효과에 의해 굽은 형태의 레지스트 패턴이 만들어진다. 이는 상기 상위 주패턴(1A)과 하위 주패턴(1B)을 부분적으로 중첩시킨 형태이다.

도 2는 상기 상위 주패턴(1A)과 하위 주패턴(1C)의 연결 부분, 즉 주패턴 연결부(1B)를 일정각도를 갖고 비껴서 배치한 굽은 폴리 라인 패턴(Bent Poly)이다. 도 2의 경우 주패턴(1) 라인을 구성하는 개개의 패턴중에는 삼각형 패턴이 많아지고 결국은 경사져서 구부러지게 주패턴(Bent Poly) 라인을 배치하기 위해 많은 단위 패턴(Unit Pattern = rectangle)이 필요하게 되어 반복되는 메모리의 경우에는 엄청난 데이터 볼륨(Data volume) 증가의 원인이 된다. 이때 구부러진 폴리 라인 부분인 주패턴 연결부(1B)의 레지스트 패턴(1D)은 어느 정도 설계된 마스크를 따라 움직이나, 정확한 선폭 조절은 쉽지 않다.

도 3은 이러한 데이터 볼륨의 증가를 막기 위해 상기 주패턴 연결부(1B)를 구부러지게 형성하지 않고 상위 주패턴(1A)과 하위 주패턴(1C)의 모서리 한 부분만 접촉하도록 형성한 마스크이다. 그러나, 도 3의 마스크 역시 광 근접 효과를 제대로 보상하지 못한다. 모서리 접촉 부분인 주패턴 연결부(1B)의 레지스트 패턴(1D)은 직선으로 연결된 선폭보다 상대적으로 가늘어져 패턴 단락(Cut-Off)의 한 원인 된다.

도 4는 패턴 단락을 막기 위해 모사 프로그램을 써서 광학 근접 보상기술 패 턴과 미세 보조 패턴을 동시에 형성한 마스크이다. 여기서, 상기 광학 근접 보상 패턴 기술은 선폭 및 모서리의 패턴 왜곡을 막기 위해 상보형 보조 패턴을 주패턴에 부착하는 기술이고, 상기 미세 보조 패턴 기술은 고립 패턴과 밀집 패턴의 선폭 해상도 차이를 보상하기 위해 주로 고립 패턴 주변에 이격해서 배치하는 기술이다. 이때, 상기 미세 보조 패턴은 마스크에는 존재하지만 실제로 노광후 반도체 기판상에는 만들어지지 않도록 한계 패턴 해상력 이하의 선폭을 갖는 미세 패턴이다.

여기서, 상기 패턴 해상력(Resolution)의 정의는, 아래와 같이 레일리 방정식(Rayleigh's Equation)으로 결정된다.

해상력 R = k*λ/N.A.

이때, k는 상수, λ는 조명계 파장, N.A.는 조명계 렌즈 구경이므로, k를 0.5 , λ는 0.248 , N.A.는 0.65를 적용하면 해상도 R = 0.19 um를 얻는다. 따라서, 이 값보다 작은 선폭을 갖는 미세 보조 패턴을 마스크에 독립적으로 적용할 경우 물리적으로 마스크만을 투광하고 레지스트에는 이미지가 나타나지 않는 패턴을 정의 할 수 있다.

도 4에서 미세 보조 패턴(4A,4B)은 폴리 라인(1)이 일직선으로 연결되지 않을 때 배치에 문제가 생긴다. 즉, 상위 미세 보조 패턴(4aA,4bA)이 하위 미세 보조 패턴(4aB,4bB)과 일직선 형태로 배치되지 못하고, 주패턴 연결부(1B)에서 어긋나게 배치되는데, 이는 주패턴(1)과 동일한 거리로 이격되어 배치되기 때문이다.

또한, 상기 상위 미세 보조 패턴(4aA,4bA)의 끝단과 상기 하위 미세 보조 패턴(4aB,4bB)의 끝단이 서로 붙어 반도체 기판의 레지스트 표면에 패턴 형태로 해상 되면 안되므로, 상기 상위 미세 보조 패턴(4aA,4bA)의 끝단과 상기 하위 미세 보조 패턴(4aB,4bB)의 끝단끼리도 서로 이격(5)되게 배치되어야 한다. 이렇게 되면, 상기 주패턴 연결부(1B)의 미세 보조 패턴(4A,4B) 보상 효과는 별로 없게 된다. 따라서, 광학 근접 보상기술에 의한 보상 효과로 조절을 할 수 밖에 없는데, 상기 주패턴 연결부(1B)에 근접한 상위 주패턴(1A) 및 하위 주패턴(1B)의 모서리 부분에 광학 근접 보상기술용 쉐립(Serif)(4aC,4bC)을 부착하여 모서리 해상 능력을 보완한다.

그러나, 상술한 바와 같이, 광학 근접 보상기술용 쉐립을 부착하더라도 상기 주패턴 연결부(1B)의 해상 선폭을 직선으로 연결된 부분처럼 해상하기는 어렵고, 노광후 레지스트 상에서 상기 주패턴 연결부(1B)에 근접한 상기 상위 주패턴(1A)과 하위 주패턴(1C)의 모서리 부분은 어느 정도 보상이 가능하지만, 상기 주패턴 연결부(1B)의 상기 상위 주패턴(1A)과 하위 주패턴(1C)의 접촉 부분은 여전히 보상이 제대로 안되고 가는 선폭을 유지하는 문제점이 있다.

상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 반도체용 트랜지스터 패턴의 선폭 제조에 있어서 데이터 볼륨을 줄이고 구부러진 라인 패턴에 의한 선폭 패터닝을 보상하고 선폭을 균일하게 유지하도록 하는데 있다.

상술한 바와 같은 목적을 해결하기 위하여, 본 발명의 균일 선폭 유지 마스크는 상위 주패턴과; 상기 상위 주패턴과 비껴서 배치되는 하위 주패턴과; 상기 상위 주패턴의 끝단 모서리와 상기 하위 주패턴의 끝단 모서리가 대각선 방향으로 서로 접촉하는 주패턴 연결부와; 상기 상위 주패턴, 하위 주패턴 및 주패턴 연결부가 구비되는 마스크를 투광하고 레지스트에는 이미지가 나타나지 않도록 한계 패턴 해상력 이하의 선폭을 갖는 미세 보조 패턴을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.

먼저, 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 균일 선폭 유지 마스크를 설명한다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 균일 선폭 유지 마스크를 나타낸 도면이다.

본 발명의 일 실시예에 따른 균일 선폭 유지 마스크는 상위 주패턴(1A), 하위 주패턴(1C), 주패턴 연결부(1B) 및 미세 보조 패턴(4)을 포함하여 이루어진다.

상기 하위 주패턴(1C)은 상기 상위 주패턴(1A)과 비껴서 배치된다.

상기 주패턴 연결부(1B)는 상기 상위 주패턴(1A)의 끝단 모서리와 상기 하위 주패턴(1C)의 끝단 모서리가 대각선 방향으로 서로 접촉한다.

상기 미세 보조 패턴(4)은 상기 상위 주패턴(1A), 하위 주패턴(1C) 및 주패 턴 연결부(1B)가 구비되는 마스크를 투광하고 레지스트에는 이미지가 나타나지 않도록 한계 패턴 해상력 이하의 선폭을 갖는다.

구체적으로, 상기 미세 보조 패턴(4)은 장방향 미세 보조 패턴(4A)과 단방향 미세 보조 패턴(4B)을 포함하여 이루어지는데, 상기 장방향 미세 보조 패턴(4A)은 주패턴(1)과 이격되어 평행하며 일부분이 해당 주패턴(1)의 끝단과 동일선상에 배치되고, 상기 단방향 미세 보조 패턴(4B)은 상기 장방향 미세 보조 패턴(4A)의 끝단에 주패턴(1) 방향으로 수직으로 부착되어 배치된다. 상기 장방향 미세 보조 패턴(4A)과 단방향 미세 보조 패턴(4B)은 노광 장치의 파장에 대해 반도체 기판에 현상되지 않는 면적을 가진다.

여기서, 상기 장방향 미세 보조 패턴(4A)은 제 1 장방향 미세 보조 패턴(4aA)과 제 2 장방향 미세 보조 패턴(4bA)을 포함하여 이루어지는데, 상기 제 1 장방향 미세 보조 패턴(4aA)은 상기 주패턴 연결부(1B)에서 상기 상위 주패턴(1A) 끝단과의 동일선상 배치 비율보다 상기 하위 주패턴(1C) 끝단과의 동일선상 배치 비율이 더 크게 배치되고, 상기 제 2 장방향 미세 보조 패턴(4bA)은 상기 주패턴 연결부(1B)에서 상기 하위 주패턴(1C) 끝단과의 동일선상 배치 비율보다 상기 상위 주패턴(1A) 끝단과의 동일선상 배치 비율이 더 크게 배치된다.

그리고, 상기 단방향 미세 보조 패턴(4B)은 제 1 단방향 미세 보조 패턴(4aB)과 제 2 단방향 미세 보조 패턴(4bB)을 포함하여 이루어지는데, 상기 제 1 단방향 미세 보조 패턴(4aB)은 상기 제 1 장방향 미세 보조 패턴(4aA)의 끝단에 상기 하위 주패턴(1C) 방향으로 수직으로 부착되어 배치되고, 상기 제 2 단방향 미 세 보조 패턴(4bB)은 상기 제 2 장방향 미세 보조 패턴(4bA)의 끝단에 상기 상위 주패턴(1A) 방향으로 수직으로 부착되어 배치된다.

이하, 보다 구체적으로 도 5에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 균일 선폭 유지 마스크를 설명한다.

도 5에 도시된 균일 선폭 유지 마스크는 상위 주패턴(1A)과 하위 주패턴(1C)의 모서리 부분이 주패턴 연결부(1B)에서 서로 겹치지 않고 접촉만 하도록 폴리 라인, 즉 주패턴(1)을 배치한다. 이때, 해당 주패턴(1)의 선폭은 0.15 um, 노광 장치의 조건은 λ는 0.248 , N.A.는 0.65, 시그마(Sigma)는 0.45인 윤대 조명계를 사용한다.

그리고, 팔꿈치(Elbow) 형태의 미세 보조 패턴(4A,4B)을 상기 주패턴 연결부(1B)에 이격해서 배치한다. 이때, 상기 미세 보조 패턴(4A,4B)의 장축 길이 방향은 상기 주패턴(1)과 평행하게 배치하고 가장 가까운 이격거리는 0.06 um를 유지한다. 또한, 장방향 미세 보조 패턴(4A)의 끝단을 상기 주패턴(1) 방향으로 90도 회전시켜 또 다른 단방향 미세 보조 패턴(4B)을 해당 장방향 미세 보조 패턴(4A)의 끝단에 부착 정렬한다.

여기서, 상기 장방향 미세 보조 패턴(4A)은 노광시 인접한 상기 주패턴 연결부(1B) 끝단의 해상력(직진성)을 높여주는데, 상기 주패턴(1)과 일부분(약 15%)이 평행하게 배치되고, 상기 단방향 미세 보조 패턴(4B)은 상기 주패턴 연결부(1B)의 선폭을 균일하게 해주는 역할을 한다. 즉, 상기 단방향 미세 보조 패턴(4B)의 선폭이 주패턴(1) 방향으로 증가할수록 상기 주패턴 연결부(1B)의 선폭(60A-60B)도 증 가한다. 따라서, 상기 단방향 미세 보조 패턴(4B)을 선택적으로 조절하여 상기 주패턴 연결부(1B)의 선폭을 손쉽게 조절할 수 있다.

다음으로, 도 6을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 균일 선폭 유지 마스크를 설명한다.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 균일 선폭 유지 마스크를 나타낸 도면이다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 균일 선폭 유지 마스크는 상위 주패턴(1A), 하위 주패턴(1C), 주패턴 연결부(1B) 및 미세 보조 패턴(4)을 포함하여 이루어진다.

상기 하위 주패턴(1C)은 상기 상위 주패턴(1A)과 비껴서 배치된다.

상기 주패턴 연결부(1B)는 상기 상위 주패턴(1A)의 끝단 모서리와 상기 하위 주패턴(1C)의 끝단 모서리가 대각선 방향으로 서로 접촉한다.

상기 미세 보조 패턴(4)은 상기 상위 주패턴(1A), 하위 주패턴(1C) 및 주패턴 연결부(1B)가 구비되는 마스크를 투광하고 레지스트에는 이미지가 나타나지 않도록 한계 패턴 해상력 이하의 선폭을 갖는다.

구체적으로, 상기 미세 보조 패턴(4)은 직사각형 미세 보조 패턴(4A)과 사각형 미세 보조 패턴(4B)을 포함하여 이루어지는데, 상기 직사각형 미세 보조 패턴(4A)은 주패턴(1)과 이격되어 평행하며 일부분이 해당 주패턴(1)의 끝단과 동일선상에 배치되고, 상기 사각형 미세 보조 패턴(4B)은 상기 주패턴 연결부(1B)에서 상기 주패턴(1) 끝단 모서리 빗변에 부착되어 배치된다. 상기 직사각형 미세 보 조 패턴(4A)과 사각형 미세 보조 패턴(4B)은 노광 장치의 파장에 대해 반도체 기판에 현상되지 않는 면적을 가진다.

여기서, 상기 직사각형 미세 보조 패턴(4A)은 제 1 직사각형 미세 보조 패턴(4aA)과 제 2 직사각형 미세 보조 패턴(4bA)을 포함하여 이루어지는데, 상기 제 1 직사각형 미세 보조 패턴(4aA)은 상기 주패턴 연결부(1B)에서 상기 상위 주패턴(1A) 끝단과의 동일선상 배치 비율보다 상기 하위 주패턴(1C) 끝단과의 동일선상 배치 비율이 더 크게 배치되고, 상기 제 2 직사각형 미세 보조 패턴(4bA)은 상기 주패턴 연결부(1B)에서 상기 하위 주패턴(1C) 끝단과의 동일선상 배치 비율보다 상기 상위 주패턴(1A) 끝단과의 동일선상 배치 비율이 더 크게 배치된다.

그리고, 상기 사각형 미세 보조 패턴(4B)은 제 1 사각형 미세 보조 패턴(4aB)과 제 2 사각형 미세 보조 패턴(4bB)을 포함하여 이루어지는데, 상기 제 1 사각형 미세 보조 패턴(4aB)은 상기 상위 주패턴(1A) 끝단 모서리 빗변과 상기 하위 주패턴(1C) 끝단 모서리 빗변에 부착되어 배치되고, 상기 제 2 사각형 미세 보조 패턴(4bB)은 상기 상위 주패턴(1A) 끝단 모서리 빗변과 상기 하위 주패턴(1C) 끝단 모서리 빗변에 부착되어 상기 제 1 사각형 미세 보조 패턴(4aB)과 대각선으로 마주보며 배치된다.

이하, 보다 구체적으로 도 6에 도시된 본 발명의 다른 실시예에 따른 균일 선폭 유지 마스크를 설명한다.

도 6에 도시된 균일 선폭 유지 마스크는 주패턴(1)과 평행하게 상기 직사각형 미세 보조 패턴(4A)만을 배치하고, 상기 주패턴의 연결부(1b) 양쪽에 동일한 크 기(0.03*0.03 um)의 사각형 미세 보조 패턴(4B)을 부착한다. 이때, 해당 사각형 미세 보조 패턴(4B)의 면적을 증가시키면 상기 주패턴 연결부(1B)의 선폭(60A-60B)도 역시 증가한다.

이하, 도 7을 참조하여 도 5와 도 6에 도시된 균일 선폭 유지 마스크의 주패턴(1) 단면(A-B)을 나타낸 1차원 광강도 그래프를 설명한다.

도 7은 도 5와 도 6에 있어 주패턴 단면을 나타낸 1차원 광강도 그래프를 나타낸 도면이다.

주패턴(1)의 단면(A-B)의 선폭이 노광후 패턴의 해상 선폭이다. 주패턴 연결부(1B)의 단면(60A-60B)과 동일한 광강도 및 선폭을 갖는다.

또한, 본 발명에 따른 실시예는 상술한 것으로 한정되지 않고, 본 발명과 관련하여 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 범위 내에서 여러 가지의 대안, 수정 및 변경하여 실시할 수 있다.

이상과 같이, 본 발명은 활성화층과 중첩되는 굽은 폴리 라인의 주패턴 연결부를 2종류의 미세 보조 패턴을 이격시켜 조절함으로써 균일한 연결 선폭을 갖게 할 수 있고, 주패턴의 끝단이 중첩되지 않음으로써 데이터 볼륨을 최소화 할 수 있으며, 콘택홀의 밀집도를 높일 수 있고, 종래의 미세 보조 패턴으로 보상 할 수 없었던 부분을 보상함으로써 미세 보조 패턴으로 광학 근접 보상기술용 쉐립 효과를 동시에 얻을 수 있으며, 주패턴에서 상위 또는 하위 주패턴 직선부와 주패턴 연결부 모두 정확한 선폭 해상이 가능하므로 수율을 향상시킬 수 있다.

Claims (10)

1. 상위 주패턴과;

   상기 상위 주패턴과 비껴서 배치되는 하위 주패턴과;

   상기 상위 주패턴의 끝단 모서리와 상기 하위 주패턴의 끝단 모서리가 대각선 방향으로 서로 접촉하는 주패턴 연결부와;

   상기 상위 주패턴, 하위 주패턴 및 주패턴 연결부가 구비되는 마스크를 투광하고 레지스트에는 이미지가 나타나지 않도록 한계 패턴 해상력 이하의 선폭을 갖는 미세 보조 패턴을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 균일 선폭 유지 마스크.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 미세 보조 패턴은,

   상기 주패턴과 이격되어 평행하며 일부분이 상기 주패턴의 끝단과 동일선상에 배치되는 장방향 미세 보조 패턴과;

   상기 장방향 미세 보조 패턴의 끝단에 상기 주패턴 방향으로 수직으로 부착되어 배치되는 단방향 미세 보조 패턴을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 균일 선폭 유지 마스크.
3. 제 2 항에 있어서,

   상기 장방향 미세 보조 패턴은,

   상기 주패턴 연결부에서 상기 상위 주패턴 끝단과의 동일선상 배치 비율보다 상기 하위 주패턴 끝단과의 동일선상 배치 비율이 더 크게 배치되는 제 1 장방향 미세 보조 패턴과;

   상기 주패턴 연결부에서 상기 하위 주패턴 끝단과의 동일선상 배치 비율보다 상기 상위 주패턴 끝단과의 동일선상 배치 비율이 더 크게 배치되는 제 2 장방향 미세 보조 패턴을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 균일 선폭 유지 마스크.
4. 제 2 항에 있어서,

   상기 단방향 미세 보조 패턴은,

   상기 제 1 장방향 미세 보조 패턴의 끝단에 상기 하위 주패턴 방향으로 수직으로 부착되어 배치되는 제 1 단방향 미세 보조 패턴과;

   상기 제 2 장방향 미세 보조 패턴의 끝단에 상기 상위 주패턴 방향으로 수직으로 부착되어 배치되는 제 2 단방향 미세 보조 패턴을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 균일 선폭 유지 마스크.
5. 제 2 항에 있어서,

   상기 장방향 미세 보조 패턴은,

   노광시 인접한 주패턴 연결부 끝단의 해상력을 높여주는 것을 특징으로 하는 균일 선폭 유지 마스크.
6. 제 2 항에 있어서,

   상기 단방향 미세 보조 패턴은,

   주패턴 연결부의 선폭을 균일하게 해주는 것으로 선폭이 상기 주패턴 방향으로 증가할수록 주패턴 연결부의 선폭도 증가함을 특징으로 하는 균일 선톡 유지 마스크.
7. 제 1 항에 있어서,

   상기 미세 보조 패턴은,

   상기 주패턴과 이격되어 평행하며 일부분이 상기 주패턴의 끝단과 동일선상에 배치되는 직사각형 미세 보조 패턴과;

   상기 주패턴 연결부에서 상기 주패턴 끝단 모서리 빗변에 부착되어 배치되는 사각형 미세 보조 패턴을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 균일 선폭 유지 마스크.
8. 제 7 항에 있어서,

   상기 직사각형 미세 보조 패턴은,

   상기 주패턴 연결부에서 상위 주패턴 끝단과의 동일선상 배치 비율보다 하위 주패턴 끝단과의 동일선상 배치 비율이 더 크게 배치되는 제 1 직사각형 미세 보조 패턴과;

   상기 주패턴 연결부에서 상기 하위 주패턴 끝단과의 동일선상 배치 비율보다 상기 상위 주패턴 끝단과의 동일선상 배치 비율이 더 크게 배치되는 제 2 직사각형 미세 보조 패턴을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 균일 선폭 유지 마스크.
9. 제 7 항에 있어서,

   상기 사각형 미세 보조 패턴은,

   상위 주패턴 끝단 모서리 빗변과 하위 주패턴 끝단 모서리 빗변에 부착되어 배치되는 제 1 사각형 미세 보조 패턴과;

   상기 상위 주패턴 끝단 모서리 빗변과 상기 하위 주패턴 끝단 모서리 빗변에 부착되어 상기 제 1 사각형 미세 보조 패턴과 대각선으로 마주보며 배치되는 제 2 사각형 미세 보조 패턴을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 균일 선폭 유지 마스크.
10. 제 7 항에 있어서,

    상기 사각형 미세 보조 패턴은,

    면적을 증가시키면 상기 주패턴 연결부의 선폭도 증가함을 특징으로 하는 균일 선폭 유지 마스크.

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