KR100581971B1 - An Ag paste composition for forming micro-electrode and the micro-electrode manufactured using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 고점도 Ag 페이스트 조성물 및 상기 조성물을 이용하여 제조된 미세 전극에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 본 발명에 의한 조성물은, a) Ag 분말 60 내지 80 중량%; b) 무기질계 바인더 1 내지 10 중량%; c) 안정제 0.001 내지 1 중량%; 및 d) 미세 도전성 분말 분산용 알칼리 가용성의 네가형 포토레지스트 조성물 15 내지 35 중량%를 포함한다.The present invention relates to a high viscosity Ag paste composition and a fine electrode prepared using the composition, and more particularly, the composition according to the present invention comprises: a) 60 to 80% by weight of Ag powder; b) 1 to 10% by weight of the inorganic binder; c) 0.001 to 1 weight percent stabilizer; And d) 15 to 35% by weight of an alkali-soluble negative photoresist composition for fine conductive powder dispersion.

본 발명의 Ag 페이스트 조성물은, 600℃ 이하의 소성 공정에 적용이 가능하여 플라즈마 디스플레이 패널 제작에 적합하고, 고점도를 가짐으로 인하여 종래의 스크린 인쇄기술로 형성할 수 없었던 미세 정밀 전극의 제작에 적합하고 인쇄성이 우수하며, 별도의 계면활성제 및 유기 용매들을 사용하지 않음으로 인하여 공정이 간단하고, 경제성이 우수하며, 환경친화적이다.The Ag paste composition of the present invention is applicable to the firing process of 600 ° C. or lower, and is suitable for the manufacture of plasma display panels, and is suitable for the production of fine precision electrodes that could not be formed by conventional screen printing techniques due to its high viscosity. It is excellent in printability, and the process is simple, economical and environmentally friendly due to the absence of separate surfactants and organic solvents.

Ag 페이스트 조성물, 포토레지스트 조성물, 미세 전극Ag paste composition, photoresist composition, fine electrode

Description

미세 전극 형성용 고점도 Ag 페이스트 조성물 및 이를 이용하여 제조된 미세 전극{An Ag paste composition for forming micro-electrode and the micro-electrode manufactured using the same}An Ag paste composition for forming micro-electrode and the micro-electrode manufactured using the same}

도 1은 본 발명에 따른 Ag 페이스트 조성물을 이용하여 형성된 50㎛ 패턴의 현상 후 주사 전자 현미경 사진이다.1 is a scanning electron micrograph after development of a 50 μm pattern formed using an Ag paste composition according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 Ag 페이스트 조성물을 이용하여 형성된 50㎛ 패턴의 현상 후 파단면 주사 전자 현미경 사진이다.2 is a cross-sectional scanning electron micrograph after development of a 50 μm pattern formed using the Ag paste composition according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 Ag 페이스트 조성물을 이용하여 형성된 50㎛ 패턴의 소결 후 주사 전자 현미경 사진이다.3 is a scanning electron micrograph after sintering of a 50 μm pattern formed using the Ag paste composition according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 Ag 페이스트 조성물을 이용하여 형성된 50㎛ 패턴의 소결 후 파단면 주사 전자 현미경 사진이다.Figure 4 is a cross-sectional scanning electron micrograph after sintering of the 50㎛ pattern formed using the Ag paste composition according to the present invention.

본 발명은 미세 전극 형성용 고점도 Ag 페이스트 조성물 및 이를 이용하여 제조된 미세 전극에 관한 것이다.The present invention relates to a high viscosity Ag paste composition for forming a fine electrode and a fine electrode prepared using the same.

최근, 디스플레이 장치들에 있어서, 대형화, 고밀도화, 고정밀화, 및 고신뢰 성의 요구가 높아짐에 따라, 여러가지 패턴 가공 기술의 개발이 이루어지고 있으며, 또한 이러한 다양한 패턴 가공 기술에 적합한 각종의 미세 전극 형성용 조성물에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다.In recent years, in the display devices, as the demand for larger size, higher density, higher precision, and higher reliability increases, various pattern processing techniques have been developed, and various fine electrode forming compositions suitable for such various pattern processing techniques have been developed. There is an active research on.

플라즈마 디스플레이 패널 (이하, 'PDP'라 칭함)은 액정 패널과 비교할 때에 응답속도가 빠르고, 대형화가 용이하여 현재 다양한 분야에 이용되고 있다. 종래에 이러한 PDP 상에 전극을 형성하는 방법으로는, 일반적으로 스크린 인쇄법을 이용한 전극 재료의 패터닝 방법이 사용되어 왔다. 그러나, 종래의 스크린 인쇄법은 고도의 숙련도를 요하고, 스크린 인쇄를 행할 시에 점도가 낮아 기판 상에서 페이스트가 흘러 내릴 수 있으며, 스크린에 의한 정밀도가 떨어지기 때문에 스크린 인쇄법을 이용하여 PDP에 요구되는 고정밀도의 대화면 패턴을 얻기가 힘들다. 또한, 종래의 스크린 인쇄법에는 인쇄 시 스크린에 의한 단락 또는 단선이 생길 수 있으며, 소성 온도가 1000℃ 이상으로 고온이라는 단점이 있었다.Plasma display panels (hereinafter referred to as 'PDP') are used in various fields at present because they have a faster response speed and easier size than those of liquid crystal panels. Conventionally, as a method of forming an electrode on such a PDP, the patterning method of the electrode material using the screen printing method has been generally used. However, the conventional screen printing method requires a high level of proficiency, has a low viscosity when performing screen printing, so that the paste can flow down on the substrate, and the precision of the screen is reduced, which is required by the PDP using the screen printing method. It is difficult to obtain a high precision large screen pattern. In addition, the conventional screen printing method may cause a short circuit or disconnection due to the screen during printing, there was a disadvantage that the firing temperature is high temperature 1000 ℃ or more.

따라서, 최근에는 대면적에 적합한 고정밀의 전극회로를 형성하기 위하여 감광성 수지 조성물을 이용한 포토리소그래피법이 개발되었다. 이는, 미세 도전성 분말이 분산된 감광성 수지 조성물을 이용하여, 인쇄법을 통하여 균일한 후막을 형성하고, 형성된 후막을 원하는 형상의 마스크를 사용하여 노광한 다음, 알카리 현상액을 사용하여 필요한 패턴을 구현하는 방법이다.Therefore, in recent years, the photolithography method using the photosensitive resin composition was developed in order to form the high precision electrode circuit suitable for a large area. This uses a photosensitive resin composition in which fine conductive powder is dispersed to form a uniform thick film through a printing method, and exposes the formed thick film using a mask having a desired shape, and then implements a necessary pattern using an alkaline developer. Way.

이 경우, 고정밀의 전극 회로를 형성하기 위해서는 사용되는 감광성 수지 조성물과 미세 도전성 분말과의 혼화성, 현상 공정시 감광성 수지 조성물의 유리 기판에 대한 밀착성 및 소성 공정시 감광성 수지의 내열성 정도가 매우 중요하다. 또 한 무기물인 미세 도전성 분말을 적절하게 유기 감광성 수지 조성물에 분산시키기 위한 전단응력을 부여하기 위하여 점도 3000cP 이상의 고점도를 갖고, 균일한 분산 상태를 유지하기 위하여 미세 분말의 표면에 존재하는 정전기 등의 외부 작용력에 대해서 안정하며, 고분자 레진의 결정화도가 높지 않고, 유리 표면과의 접착력 및 열분해성이 양호한 감광성 수지 조성물이 요구된다.In this case, in order to form a high-precision electrode circuit, the miscibility between the photosensitive resin composition and the fine conductive powder to be used, the adhesion of the photosensitive resin composition to the glass substrate in the developing step, and the degree of heat resistance of the photosensitive resin in the firing step are very important. . In addition, in order to impart the shear stress for dispersing the inorganic fine conductive powder into the organic photosensitive resin composition appropriately, it has a high viscosity of 3000 cP or more, and in order to maintain a uniform dispersion state such as static electricity existing on the surface of the fine powder, etc. There is a need for a photosensitive resin composition which is stable against an acting force, does not have a high degree of crystallinity of a polymer resin, and has good adhesion to a glass surface and good thermal decomposition.

또한, 종래의 감광성 도전성 페이스트들은 800℃ 이상으로 소성 공정을 행하며, 이 경우 일반적으로 탄산나트륨 유리가 사용되기 때문에 600℃ 이하의 소성 온도를 유지하여야 하는 PDP 제작에는 적합하지 않고, 이를 600℃ 이하의 온도로 소성할 경우에는 소성 잔사가 생기고, 도전성의 열화가 생기는 등의 문제점이 있었다.In addition, conventional photosensitive conductive pastes are subjected to a firing process at 800 ° C. or higher. In this case, since sodium carbonate glass is generally used, the photosensitive conductive pastes are not suitable for the production of PDP that should maintain a firing temperature of 600 ° C. or lower, and this is a temperature of 600 ° C. or lower. In the case of firing in a furnace, there are problems such as a calcination residue and deterioration of electrical conductivity.

감광성 수지 조성물이 분산되는 도전성 분말에 있어서도, 종래 널리 사용되던 금 (Au) 및 동 (Cu) 분말은 노광 후 현상을 위하여 별도의 유기 용매 처리를 요한다는 점에서 환경 오염 문제를 야기할 위험성이 있으며, 분말의 가격이 비싸 경제적으로도 문제점이 있으며, 소결 온도가 높아지는 문제점이 있었다.Even in the conductive powder in which the photosensitive resin composition is dispersed, gold (Au) and copper (Cu) powders, which are widely used in the past, have a risk of causing environmental pollution in that they require a separate organic solvent treatment for post-exposure development. There is a problem that the price of the powder is expensive and economically, the sintering temperature is high.

또한, Ag 분말을 사용하는 종래의 시판 감광성 수지 조성물들은 판상의 Ag 입자를 사용한 500 내지 1500cP 정도의 저점도 전도성 페이스트로서 판상의 Ag 입자를 사용하였기 때문에, Ag 분말의 분산 상태가 좋지 않았고, 구상 Ag 입자를 사용하는 경우에도, 평균 입경이 수 ㎛ 내지 수십 ㎛의 큰 Ag 입자를 사용하기 때문에 미세 패턴을 형성할 수 없는 문제점이 있었다.In addition, since conventional commercial photosensitive resin compositions using Ag powder used plate-like Ag particles as low viscosity conductive pastes of about 500 to 1500 cP using plate-shaped Ag particles, the dispersion state of Ag powder was not good, and spherical Ag Even in the case of using the particles, there is a problem in that a fine pattern cannot be formed because large Ag particles having an average particle diameter of several μm to several tens of μm are used.

본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술들의 문제점을 해결하기 위하여, 600℃ 이하의 소성 공정에 적용이 가능하고, 고점도이기 때문에 종래의 스크린 인쇄기술로 형성할 수 없었던 미세 정밀 전극의 제작에 적합하고 인쇄성이 우수하며, 별도의 계면활성제 및 유기 용매들을 사용하지 않음으로 인하여 공정이 간단하고, 경제성이 우수하며, 환경친화적인 미세 전극 형성용 고점도 Ag 페이스트 조성물을 제공하는 것이다. An object of the present invention is applicable to the firing process of 600 ℃ or less, in order to solve the problems of the prior art as described above, and is suitable for the production of fine precision electrode that could not be formed by the conventional screen printing technology because of high viscosity and It is to provide a high viscosity Ag paste composition for the formation of fine electrodes, which is excellent in printability, and is simple in processing, economical and environmentally friendly due to the absence of separate surfactants and organic solvents.

본 발명의 일 구현예는 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여,One embodiment of the present invention to achieve the above technical problem,

a) Ag 분말 60 내지 80 중량%;a) 60 to 80 wt% Ag powder;

b) 붕규산 납 프릿(lead borosilicate frit), 붕규산 비스무스 프릿(bismuth borosilicate frit), B2O3·SiO2·MO 및 B2O3·SiO2·M′O(단, M은 2가 금속이온이고, M′1가 금속이온이다)로 이루어지는 군으로부터 1종 이상 선택되는 무기질계 바인더 1 내지 10 중량%;b) lead borosilicate frit, bismuth borosilicate frit, B 2 O 3 · SiO 2 · MO and B 2 O 3 · SiO 2 · M′O (where M is a divalent metal ion 1 to 10% by weight of an inorganic binder selected from the group consisting of M'1 is a metal ion);

c) 안정제 0.001 내지 1 중량%; 및c) 0.001 to 1 weight percent stabilizer; And

d) 미세 도전성 분말 분산용 알칼리 가용성의 네가형 포토레지스트 조성물 15 내지 35 중량%d) 15 to 35% by weight of alkali-soluble negative photoresist composition for fine conductive powder dispersion

를 포함하는 미세 전극 형성용 고점도 Ag 페이스트 조성물을 제공한다.It provides a high viscosity Ag paste composition for forming a fine electrode comprising a.

본 발명의 일 구현예에 따른 미세 전극 형성용 고점도 Ag 페이스트 조성물에서, 상기 미세 도전성 분말 분산용 알칼리 가용성의 네가형 포토레지스트 조성물은,In the high viscosity Ag paste composition for forming a fine electrode according to an embodiment of the present invention, the alkali-soluble negative photoresist composition for fine conductive powder dispersion,

a) 하기 화학식 1 또는 하기 화학식 2로 표시되는 포토레지스트용 아크릴레이트 공중합체 30 내지 70 중량%;a) 30 to 70% by weight of an acrylate copolymer for photoresist represented by the following general formula (1) or (2);

b) 광중합성 모노머 10 내지 40 중량%;b) 10 to 40% by weight of the photopolymerizable monomer;

c) 광중합 개시제 0.5 내지 10 중량%;c) 0.5 to 10% by weight photopolymerization initiator;

d) 소포제 0.1 내지 10 중량%; 및d) 0.1 to 10 weight percent antifoam; And

e) 레벨링제 0.1 내지 10 중량%e) 0.1 to 10% by weight leveling agent

를 포함한다.It includes.

Figure 112003004664782-pat00001
Figure 112003004664782-pat00001

상기 식에서, R1은 수소, 페닐기, 벤질기, 니트로기로 치환된 페닐기, 할로겐으로 치환된 페닐기, 니트로기로 치환된 벤질기, C1 내지 C10의 알킬기, 또는 C1 내지 C10의 히드록시기로 치환된 알킬기이며; R2는 에틸헥실기, 이소부틸기, tert-부틸기, 옥틸기, 3-메톡시부틸기, 또는 메톡시프로필렌글리콜기이며; R3는 수소 또는 메틸기이며; R4는 수소 또는 메틸기이며; n1은 8 내지 40의 정수이고; n 2는 1 내지 2의 정수이다.Wherein R 1 is hydrogen, a phenyl group, a benzyl group, a phenyl group substituted with a nitro group, a phenyl group substituted with halogen, a benzyl group substituted with a nitro group, an alkyl group substituted with a C1 to C10 hydroxy group, or a C1 to C10 hydroxy group; R 2 is an ethylhexyl group, isobutyl group, tert-butyl group, octyl group, 3-methoxybutyl group, or methoxypropylene glycol group; R 3 is hydrogen or a methyl group; R 4 is hydrogen or a methyl group; n 1 is an integer from 8 to 40; n 2 is an integer of 1 to 2.

Figure 112003004664782-pat00002
Figure 112003004664782-pat00002

상기 식에서, R5는 수소 또는 카르복실기이며; R6는 페닐기, 카르복실기 또는 -OCOCH3기이며; R7은 수소 또는 -CH2COOH기이고; R2, R 4, n1, 및 n2는 상기 정의한 바와 같다.In which R 5 is hydrogen or a carboxyl group; R 6 is a phenyl group, a carboxyl group or an -OCOCH 3 group; R 7 is hydrogen or a —CH 2 COOH group; R 2 , R 4 , n 1 , and n 2 are as defined above.

또한, 본 발명의 다른 구현예는 상기 Ag 페이스트 조성물을 이용하여 제조된 미세 전극을 제공한다.In addition, another embodiment of the present invention provides a fine electrode prepared using the Ag paste composition.

이하, 본 발명의 일 구현예에 따른 Ag 페이스트 조성물을 상세하게 설명한다.Hereinafter, the Ag paste composition according to the embodiment of the present invention will be described in detail.

본 발명은, a) Ag 분말 60 내지 80 중량%; b) 무기질계 바인더 1 내지 10 중량%; c) 안정제 0.001 내지 1 중량%; 및 d) 미세 도전성 분말 분산용 알칼리 가용성의 네가형 포토레지스트 조성물 15 내지 35 중량%를 포함하는 미세 전극 형성용 고점도 Ag 페이스트 조성물을 제공한다. The present invention, a) 60 to 80% by weight of Ag powder; b) 1 to 10% by weight of the inorganic binder; c) 0.001 to 1 weight percent stabilizer; And d) 15 to 35% by weight of an alkali-soluble negative photoresist composition for dispersing fine conductive powder.

본 발명의 일 구현예에 사용된 도전성 분말은 Ag 분말이다. Ag 페이스트 조성물 중 Ag 분말의 함량은, 60 내지 80 중량%, 바람직하게는 65 내지 75 중량%이다.The conductive powder used in one embodiment of the present invention is Ag powder. The content of Ag powder in the Ag paste composition is 60 to 80% by weight, preferably 65 to 75% by weight.

Ag 분말의 함량이 60 중량% 이하인 경우에는, Ag 분말의 밀도가 작아서 패턴 형성 및 소결 후에 표면에 기공이 많아지고, 이로 인해 전기저항이 높아지며, 단선이 생길 수 있고, 점도가 낮아져서 인쇄시 유리 기판에서 흐를 수 있기 때문에 바람직하지 않다.When the content of Ag powder is 60 wt% or less, the density of Ag powder is small, so that the pores on the surface are increased after pattern formation and sintering, resulting in high electrical resistance, disconnection, and low viscosity, resulting in a glass substrate for printing. It is not desirable because it can flow in.

한편, Ag 분말의 함량이 80 중량% 이상인 경우에는, 점도가 너무 높아져서 유리 기판에 인쇄가 되지 않거나, 유리 기판이 스크린 마스크에서 이격되지 않는 등의 인쇄 결함이 생길 우려가 있고, 인쇄 후의 평활도가 낮아져서 국부적인 두께의 차이를 야기하며, 스크린 마스크의 메쉬 자국이 생길 수 있다. 또한, Ag의 밀도가 높아짐으로 인하여, "언더 컷(under cut)" 현상이 심화될 수 있다.On the other hand, when the content of Ag powder is 80% by weight or more, the viscosity may be too high to print on the glass substrate, or the printing defect may occur such that the glass substrate is not separated from the screen mask, resulting in low smoothness after printing. This results in local differences in thickness and can result in mesh marks on the screen mask. In addition, due to the high density of Ag, the "under cut" phenomenon may be intensified.

사용되는 Ag 분말의 형상에는 제한이 없으나, 분산성을 고려할 때 구상의 입자인 것이 바람직하다. 입자의 평균 입경은 0.3 내지 3㎛인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 2㎛, 가장 바람직하게는 0.6 내지 1.3㎛이다.Although there is no restriction | limiting in the shape of Ag powder used, When it considers dispersibility, it is preferable that it is spherical particle. It is preferable that the average particle diameter of particle | grains is 0.3-3 micrometers, More preferably, it is 0.5-2 micrometers, Most preferably, it is 0.6-1.3 micrometers.

Ag 입자의 순도는 96% 이상인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 98% 이상이다. 이는, 입자의 순도가 낮을 경우, 불순물로 인하여 소결 후에 전기저항이 높아질 염려가 있기 때문이다.The purity of the Ag particles is preferably 96% or more, more preferably 98% or more. This is because, when the purity of the particles is low, there is a fear that the electrical resistance increases after sintering due to impurities.

본 발명의 일 구현예에 의한 Ag 페이스트 조성물은 또한, 도전성 분말을 유리 기판 상에 소성 및 밀착시키기 위하여 붕규산 납 프릿(lead borosilicate frit), 붕규산 비스무스 프릿(bismuth borosilicate frit), B2O3·SiO2·MO 및 B2O3·SiO2 ·M′O(단, M은 2가 금속이온이고, M′1가 금속이온이다)로 이루어지는 군으로부터 1종 이상 선택되무기질계 바인더를 포함한다. 상기 무기질계 바인더의 함량은 Ag 페이스트 조성물의 전체 중량을 기준으로 1 내지 10 중량%, 바람직하게는 2 내지 6 중량%이다.Ag paste composition according to an embodiment of the present invention is also, lead borosilicate frit, bismuth borosilicate frit, B 2 O 3 · SiO to fire and adhere the conductive powder on the glass substrate 2 and MO · B 2 O 3 · SiO 2 · M'O includes an inorganic binder being at least one selected from the group consisting of (where, M is a divalent metal ion and, M'1 is a metal ion) . The content of the inorganic binder is 1 to 10% by weight, preferably 2 to 6% by weight based on the total weight of the Ag paste composition.

무기질계 바인더의 함량이 1 중량% 이하인 경우에는, 소결 후에 유리 기판과 전극 간의 밀착력이 약화되어, 전극이 분리될 염려가 있으며, 10 중량% 이상인 경우에는, 소결 후 전극의 전기저항이 높아지거나, 단선의 위험이 있기 때문에 바람직하지 않다.When the content of the inorganic binder is 1% by weight or less, the adhesion between the glass substrate and the electrode may be weakened after sintering, and the electrode may be separated. When the content of the inorganic binder is 10% by weight or more, the electrical resistance of the electrode after sintering may increase, It is not preferable because there is a risk of disconnection.

무기질계 바인더 입자의 형상은 반드시 구상일 필요는 없으며, 평균 입경은 0.3 내지 3㎛인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 2㎛, 가장 바람직하게는 0.6 내지 1.3㎛이다.The shape of the inorganic binder particles does not necessarily need to be spherical, and the average particle diameter is preferably 0.3 to 3 µm, more preferably 0.5 to 2 µm, most preferably 0.6 to 1.3 µm.

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상기 무기질계 바인더의 유리 전이 온도(Tg)는 360 내지 500℃이고, 유리 연화 온도(Ts)는 400 내지 550℃인 것이 바람직하다. It is preferable that the glass transition temperature (Tg) of the said inorganic binder is 360-500 degreeC, and glass softening temperature (Ts) is 400-550 degreeC.

유리 전이 온도 및 유리 연화 온도가 상기 온도 범위 미만인 경우에는, 유기물이 완전히 분해되지 않은 상태에서 무기 바인더의 소결이 시작되어 제거되지 못한 유기물이 패턴 내에 존재하게 될 가능성이 있으며, 이러한 불순물들이 패턴의 성능을 저하시키는 역할을 하게 된다.If the glass transition temperature and the glass softening temperature are below the above temperature range, there is a possibility that sintering of the inorganic binder starts in the state in which the organic matter is not completely decomposed, and that the organic matter that is not removed may exist in the pattern, and these impurities may cause the performance of the pattern. It will act to lower the.

한편, 유리 전이 온도 및 유리 연화 온도가 상기 온도 범위를 초과할 경우에는, 무기질계 바인더의 미소결이 일어날 수 있으며, 이로 인해 미세 전극과 유리 기판과의 밀착성이 떨어지며 패턴의 특성이 나빠질 뿐 아니라 패턴이 박리될 수 있으므로 바람직하지 않다.On the other hand, when the glass transition temperature and the glass softening temperature exceeds the above temperature range, microparticles of the inorganic binder may occur, which causes poor adhesion between the microelectrode and the glass substrate and deteriorates the characteristics of the pattern as well as the pattern. It is not preferable because it may peel off.

무기질계 바인더의 보관 장소는 가능한 한 수분을 피할 수 있는 곳이 바람직하다. 수분이 무기 바인더 분말에 흡착되면 페이스트의 젤화를 촉진할 염려가 있기 때문이다. 따라서 무기질계 바인더는 80 내지 350℃ 사이에서 건조하여 무기질계 바인더 표면에 이물질이 부착되지 않도록 하는 것이 바람직하다. 그러나, 350℃를 초과하는 온도로 보관 시에는 전이 온도를 넘어 무기질계 바인더가 분말의 형태를 잃고 페이스트 조성물로서 사용될 수 없을 수도 있기 때문에 주의를 요한다.The storage place of the inorganic binder is preferably a place where moisture can be avoided as much as possible. This is because when moisture is adsorbed on the inorganic binder powder, the gelation of the paste may be promoted. Therefore, the inorganic binder is preferably dried between 80 to 350 ° C. to prevent foreign matter from adhering to the surface of the inorganic binder. However, care should be taken when storing at temperatures exceeding 350 ° C., since the inorganic binder may lose the form of powder and cannot be used as a paste composition beyond the transition temperature.

본 발명의 일 구현예에 의한 Ag 페이스트 조성물은, 또한 페이스트의 젤화를 막고, 보관 안정성 및 현상 속도를 조절하기 위하여 안정제를 포함한다. 상기 안정제의 함량은 Ag 페이스트 조성물에 대하여 0.001 내지 1 중량%, 바람직하게는 0.005 내지 1 중량%, 가장 바람직하게는 0.01 내지 0.6 중량%이다.The Ag paste composition according to one embodiment of the present invention also includes a stabilizer to prevent gelation of the paste and to control storage stability and development speed. The content of the stabilizer is 0.001 to 1% by weight, preferably 0.005 to 1% by weight, most preferably 0.01 to 0.6% by weight based on the Ag paste composition.

안정제의 함량이 0.001 중량% 미만인 경우에는 페이스트가 젤화되기 쉽고, 1 중량%를 초과한 경우에는 조성물의 점도가 낮아지거나, 패턴이 형성되지 않을 염려가 있어서 바람직하지 않다.If the content of the stabilizer is less than 0.001% by weight, the paste tends to gel, and if it is more than 1% by weight, the viscosity of the composition may be lowered or a pattern may not be formed, which is not preferable.

안정제로는 일반적으로 사용되는 산화 방지제를 사용할 수 있으며, 벤조트리아졸, 아스코빅산류 및 인산, 아인산 또는 그의 염을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.As the stabilizer, a commonly used antioxidant may be used, and benzotriazole, ascorbic acid and phosphoric acid, phosphorous acid or salts thereof may be used, but is not limited thereto.

본 발명의 일 구현예에 의한 Ag 페이스트 조성물은, 또한 고점도를 나타내어 Ag 분말과 같은 도전성의 미세분말의 분산이 용이하며, 알카리 현상액에서 고속으로 현상이 가능한 미세 도전성 분말 분산용 알칼리 가용성의 네가형 고점도 포토레지스트 조성물을 포함한다. 상기 포토레지스트 조성물의 함량은, Ag 페이스트 조성 물에 대하여 15 내지 35 중량%, 바람직하게는 20 내지 35 중량%, 가장 바람직하게는 25 내지 35 중량%이다.The Ag paste composition according to the embodiment of the present invention also exhibits high viscosity, so that it is easy to disperse conductive fine powder such as Ag powder, and alkali-soluble negative viscosity of high viscosity for fine conductive powder dispersion which can be developed at high speed in alkaline developer. Photoresist composition. The content of the photoresist composition is 15 to 35% by weight, preferably 20 to 35% by weight, most preferably 25 to 35% by weight based on the Ag paste composition.

포토레지스트 조성물의 함량이 35%를 초과하는 경우에는 전극 형성시 전극 내부에 기공이 존재하게 되고, 이로 인해 전극 저항이 높아져 회로 구동시 전극 단선이 발생할 가능성이 있으며, 함량이 15% 이하인 경우에는 원하는 전극 패턴을 얻기가 어려워진다.When the content of the photoresist composition exceeds 35%, pores are present in the electrode when the electrode is formed. As a result, the electrode resistance increases, which may lead to electrode disconnection when driving the circuit. It becomes difficult to obtain an electrode pattern.

상기 포토레지스트 조성물은, 바람직하게는,The photoresist composition is preferably,

a) 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 포토레지스트용 아크릴레이트 공중합체 30 내지 70 중량%; b) 광중합 개시제 0.5 내지 10 중량%; c) 광중합성 모노머 10 내지 40 중량%; d) 소포제 0.1 내지 10 중량%; 및 e) 레벨링제 0.1 내지 10 중량%를 포함한다.a) 30 to 70% by weight of an acrylate copolymer for photoresist represented by the following general formula (1) or (2); b) 0.5 to 10% by weight photopolymerization initiator; c) 10 to 40% by weight of the photopolymerizable monomer; d) 0.1 to 10 weight percent antifoam; And e) 0.1 to 10% by weight leveling agent.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112003004664782-pat00003
Figure 112003004664782-pat00003

상기 식에서, R1은 수소, 페닐기, 벤질기, 니트로기로 치환된 페닐기, 할로겐으로 치환된 페닐기, 니트로기로 치환된 벤질기, C1 내지 C10의 알킬기, 또는 C1 내지 C10의 히드록시기로 치환된 알킬기이며; R2는 에틸헥실기, 이소부틸기, tert- 부틸기, 옥틸기, 3-메톡시부틸기, 또는 메톡시프로필렌글리콜기이며; R3는 수소 또는 메틸기이며; R4는 수소 또는 메틸기이며; n1은 8 내지 40의 정수이고; n 2는 1 내지 2의 정수이다.Wherein R 1 is hydrogen, a phenyl group, a benzyl group, a phenyl group substituted with a nitro group, a phenyl group substituted with halogen, a benzyl group substituted with a nitro group, an alkyl group substituted with a C1 to C10 hydroxy group, or a C1 to C10 hydroxy group; R 2 is an ethylhexyl group, isobutyl group, tert-butyl group, octyl group, 3-methoxybutyl group, or methoxypropylene glycol group; R 3 is hydrogen or a methyl group; R 4 is hydrogen or a methyl group; n 1 is an integer from 8 to 40; n 2 is an integer of 1 to 2.

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112003004664782-pat00004
Figure 112003004664782-pat00004

상기 식에서, R5는 수소 또는 카르복실기이며; R6는 페닐기, 카르복실기 또는 -OCOCH3기이며; R7은 수소 또는 -CH2COOH기이고; R2, R 4, n1, 및 n2는 상기 정의한 바와 같다.In which R 5 is hydrogen or a carboxyl group; R 6 is a phenyl group, a carboxyl group or an -OCOCH 3 group; R 7 is hydrogen or a —CH 2 COOH group; R 2 , R 4 , n 1 , and n 2 are as defined above.

상기 화학식 1의 아크릴레이트 공중합체는 점도가 10000 내지 20000cP인 것이 바람직하다. 또한, 화학식 1의 분자량은 15000 내지 50000인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 25000 내지 30000이다. 또한 고분자의 유리 전이 온도가 100℃ 이상인 것이 인쇄법을 사용하기에 바람직하며, 상기 유리 전이점이 100℃ 이하이면 인쇄시 강한 점착성으로 인해 문제가 발생할 수도 있다.The acrylate copolymer of Formula 1 preferably has a viscosity of 10000 to 20000 cP. In addition, the molecular weight of the formula (1) is preferably 15000 to 50000, more preferably 25000 to 30000. In addition, the glass transition temperature of the polymer is preferably at least 100 ℃ to use the printing method, if the glass transition point is less than 100 ℃ may cause problems due to the strong adhesion during printing.

상기 아크릴레이트 공중합체를 제조할 때 사용되는 단량체로는 불포화 카르복실산, 방향족 단량체, 자체 가소 능력이 있는 단량체, 및 상기 자체 가소 능력이 있는 단량체를 제외한 아크릴 단량체들을 포함한다.The monomers used when preparing the acrylate copolymer include unsaturated carboxylic acids, aromatic monomers, monomers having self-plasticizing ability, and acrylic monomers except for the monomer having self-plasticizing ability.

상기 불포화 카르복실산은 알칼리 가용성을 위해 사용하는 것으로, 구체적 예로서는, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 비닐 초산 또는 이들의 산 무수물 형태들을 들 수 있다. 상기 불포화 카르복실산의 함량은 고분자 조성 중 20 내지 50 중량%가 바람직하다. 불포화 카르복실산의 함량이 50 중량%를 초과하는 경우에는 중합시 젤화가 되기 쉬우며, 중합도 조절이 어려워지고 감광시 수지 조성물의 보존 안정성이 열화된다. 또한, 불포화 카르본산의 함량이 20 중량% 미만일 경우에는 현상공정시 현상 시간이 길어지는 단점이 발생하게 된다.The unsaturated carboxylic acids are used for alkali solubility, and specific examples include acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, vinyl acetic acid or their acid anhydride forms. The content of the unsaturated carboxylic acid is preferably 20 to 50% by weight in the polymer composition. When the content of the unsaturated carboxylic acid exceeds 50% by weight, it is easy to gelate during polymerization, difficult to control the degree of polymerization, and deterioration in the storage stability of the resin composition during photosensitive. In addition, when the content of unsaturated carboxylic acid is less than 20% by weight, there is a disadvantage that the developing time is long during the developing process.

상기 방향족 단량체는 현상시 유리면과의 밀착성과 안정적인 패턴 형성을 위하여 사용된다. 상기 방향족 단량체의 예로는 스티렌, 벤질메타크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 페닐메타크릴레이트, 2 또는 4-니트로페닐아크릴레이트, 2 또는 4-니트로페닐메타크릴레이트, 2 또는 4-니트로벤질메타크릴레이트, 2 또는 4-클로로페닐아크릴레이트, 2 또는 4-클로로페닐메타크릴레이트 등을 들 수 있다. 상기 방향족 단량체의 함량은, 고분자 조성 중 15 내지 45 중량%가 바람직하며, 더욱 바람직하게는 20 내지 40 중량%이다. 상기 방향족 단량체의 함량이 45 중량%를 초과하면, 현상공정시 현상 시간이 길어지는 단점이 발생하게 되며, 내열성이 증가하여 소성공정시 감광성 레진이 제거되지 않고 잔존하여 전극의 고유 특성을 떨어뜨리는 치명적인 문제가 발생하게 된다. 또한, 방향족 단량체의 함량이 15 중량% 미만이면, 현상공정시 유리면과의 밀착성이 떨어져 패턴의 뜯김 현상이 심해지고 형성된 패턴의 직진성이 열화되어 안정적인 패턴 구현이 힘들게 된다.The aromatic monomer is used for adhesion with the glass surface and stable pattern formation during development. Examples of the aromatic monomers include styrene, benzyl methacrylate, benzyl acrylate, phenyl acrylate, phenyl methacrylate, 2 or 4-nitrophenyl acrylate, 2 or 4-nitrophenyl methacrylate, 2 or 4-nitro Benzyl methacrylate, 2 or 4-chlorophenyl acrylate, 2 or 4-chlorophenyl methacrylate, and the like. The content of the aromatic monomer is preferably 15 to 45% by weight in the polymer composition, more preferably 20 to 40% by weight. When the content of the aromatic monomer exceeds 45% by weight, a disadvantage occurs that the development time is long during the development process, and the heat resistance is increased, so that the photosensitive resin is not removed during the firing process and remains fatal to inherent characteristics of the electrode. Problems will arise. In addition, when the content of the aromatic monomer is less than 15% by weight, adhesion to the glass surface is poor during the developing process, the tearing of the pattern is severe, and the straightness of the formed pattern is deteriorated, making it difficult to implement a stable pattern.

특히, 상기 자체 가소 능력이 있는 단량체는 고분자의 중합도 조절과 결정성 을 약화시키는 역할을 한다. 상기 자체 가소 능력이 있는 단량체의 예로서는, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 이소부틸(메타)아크릴레이트, tert-부틸(메타)아크릴레이트, 옥틸(메타)아크릴레이트, 3-메톡시부틸(메타)아크릴레이트, 메톡시프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 상기 자체 가소능이 있는 단량체의 함량은, 고분자 조성 중 3 내지 15 중량%가 바람직하며, 더욱 바람직하게는 5 내지 10 중량%이다. 상기 자체 가소능이 있는 단량체의 함량이 15 중량%를 초과하면 현상공정시 패턴의 뜯김 현상이 심해지며, 형성된 패턴의 직진성이 열화된다. 또한, 자체 가소능이 있는 단량체의 함량이 3 중량% 미만이면 중합도가 증가하게 되어 젤화가 되거나 젤화가 되지 않은 고분자의 경우에도 현상공정 후 형성된 패턴이 쉽게 손상되는 단점이 발생한다.In particular, the monomer having its own plasticizing ability plays a role in controlling the degree of polymerization of polymers and weakening crystallinity. Examples of the monomer having the self-plasticizing ability include 2-ethylhexyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, and 3-methoxybutyl ( Meth) acrylate, methoxy propylene glycol (meth) acrylate, etc. are mentioned. The content of the monomer having its own plasticity is preferably 3 to 15% by weight, more preferably 5 to 10% by weight in the polymer composition. When the content of the monomer having the self-plasticization exceeds 15% by weight, the tearing of the pattern becomes worse during the developing process, and the straightness of the formed pattern is deteriorated. In addition, when the content of the monomer having its own plasticity is less than 3% by weight, the degree of polymerization is increased, and thus, even in the case of a polymer that is gelled or not gelated, a pattern formed after the developing process is easily damaged.

또한, 상기 자체 가소능이 있는 아크릴 단량체를 제외한 아크릴 단량체는 고분자의 유리전이 온도, 기판에 대한 부착력 및 극성을 조절한다. 이러한 아크릴 단량체의 예로는, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시옥틸(메타)아크릴레이트, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이러한 단량체들의 고분자내 함량은 고분자의 유리 전이점과 내열성, 현상액과의 친수성 등을 고려하여 고분자 조성 중 10 내지 30 중량%로 사용되는 것이 바람직하다.In addition, the acrylic monomers except for the acrylic monomer having self-plasticity control the glass transition temperature, adhesion to the substrate, and polarity of the polymer. Examples of such acryl monomers include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxyoctyl (meth) acrylate, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-butyl acrylate, and the like. Can be mentioned. The content of these monomers in the polymer is preferably used in 10 to 30% by weight of the polymer composition in consideration of the glass transition point and heat resistance of the polymer, hydrophilicity with the developer.

상기 아크릴레이트 공중합체는 상기 네 종류 단량체들의 젤화를 방지할 수 있는 적당한 극성을 갖는 용매에서 중합하여 얻을 수 있다. 상기 용매로 바람직한 예는 카비톨아세테이트, 감마부티로락톤, 디에틸렌글리콜부틸에테르, 트리메틸펜탄 디올모노이소부티레이트, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르 등이 있다.The acrylate copolymer can be obtained by polymerization in a solvent having a suitable polarity to prevent gelation of the four monomers. Preferred examples of the solvent include carbitol acetate, gamma butyrolactone, diethylene glycol butyl ether, trimethylpentane diol monoisobutyrate, dipropylene glycol monoethyl ether and the like.

상기 화학식 1의 아크릴레이트 공중합체 수지의 함량은 30 내지 70 중량%로 사용된다. 상기 공중합체 수지의 함량이 30 중량% 미만이면 패턴 형성에 문제가 있고, 70 중량%를 초과하면 분산 분말의 특성 구현에 문제가 있다.The content of the acrylate copolymer resin of Formula 1 is used in 30 to 70% by weight. If the content of the copolymer resin is less than 30% by weight, there is a problem in pattern formation, and when the content of the copolymer resin is higher than 70% by weight, there is a problem in implementing the characteristics of the dispersed powder.

또한, 상기 포토레지스트 조성물에 있어서, 상기 광중합 개시제는 트리아진계, 벤조페논계, 아세토페논계, 이미다졸계, 티오크산톤계 등의 화합물들을 하나 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 그 구체적인 예로 2,4-비스트리클로로메틸-6-p-메톡시스티릴-s-트리아진, 2-p-메톡시스티릴-4,6-비스트리클로로메틸-s-트리아진, 2,4-트리클로로메틸-6-트리아진, 2,4-트리클로로메틸-4-메틸나프틸-6-트리아진, 벤조페논, p-(디에틸아미노)벤조페논, 2,2-디클로로-4-페녹시아세토페논, 2,2'-디에톡시아세토페논, 2,2'-디부톡시아세토페논, 2-히드록시-2-메틸프로리오페논, p-t-부틸트리클로로아세토페논, p-t-부틸디클로로아세토페논, 4,4'-에틸아미노벤조페논, 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2-이소부틸티오크산톤, 2-도데실티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 및 2,4-디에틸티오크산톤-2,2'-비스-2-클로로페닐-4,5,4',5'-테트라페닐-2'-1,2'-바이이미다졸 화합물 등이 있다. 상기 광중합 개시제의 함량은 0.5 내지 10 중량%로 사용하는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 2 내지 4 중량%가 좋다. 상기 광중합 개시제의 양이 10 중량%를 초과하면 보존 안정성에 문제가 발생할 수 있으며, 높은 경화도로 인해 현상시 패턴의 박리 현상이 심해질 수 있으며, 반면 0.5 중량% 미만이면 낮은 감도로 인하여 정상적인 패턴 구현이 힘들어지고 패턴의 직진성에도 이롭지 못하다.In addition, in the photoresist composition, the photopolymerization initiator may be used by mixing one or more compounds such as triazine-based, benzophenone-based, acetophenone-based, imidazole-based, thioxanthone-based. Specific examples thereof include 2,4-bistrichloromethyl-6-p-methoxystyryl-s-triazine, 2-p-methoxystyryl-4,6-bistrichloromethyl-s-triazine, 2 , 4-trichloromethyl-6-triazine, 2,4-trichloromethyl-4-methylnaphthyl-6-triazine, benzophenone, p- (diethylamino) benzophenone, 2,2-dichloro- 4-phenoxyacetophenone, 2,2'-diethoxyacetophenone, 2,2'-dibutoxyacetophenone, 2-hydroxy-2-methylproriophenone, pt-butyltrichloroacetophenone, pt-butyl Dichloroacetophenone, 4,4'-ethylaminobenzophenone, thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methyl thioxanthone, 2-isobutyl thioxanthone, 2-dodecyl thioxanthone, 2,4 Dimethyl thioxanthone and 2,4-diethyl thioxanthone-2,2'-bis-2-chlorophenyl-4,5,4 ', 5'-tetraphenyl-2'-1,2'- Biimidazole compounds and the like. The content of the photopolymerization initiator is preferably used in 0.5 to 10% by weight, more preferably 2 to 4% by weight. If the amount of the photopolymerization initiator exceeds 10% by weight may cause a problem in storage stability, the pattern may be severely peeled during development due to the high degree of cure, whereas less than 0.5% by weight is a normal pattern implementation due to low sensitivity It is difficult and does not benefit the straightness of the pattern.

상기 포토레지스트 조성물에 있어서, 상기 광중합성 모노머는 다관능성 아크릴레이트 유도체들을 하나 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 그 구체적인 예로 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨키사아크릴레이트, 디펜타에리스리톨히드록시펜타아크릴레이트, 글리세롤디아크릴레이트, 트리메티올프로판트리메타크릴레이트, 펜타에리스리톨트리메타크릴레이트, 펜타에리스리톨디메타크릴레이트, 솔비톨트리메타크릴레이트, 비스페놀A 디아크릴레이트 유도체, 트리메틸로프로판트리아크릴레이트, 및 디펜타에리스리톨폴리아크릴레이트 등이 있다. 상기 광중합성 모노머의 함량은 10 내지 40 중량%가 바람직하며, 더욱 바람직하게는 20 내지 30 중량%가 좋다. 상기 광중합성 모노머의 함량이 40 중량%를 초과하면 높은 경화도로 인하여 현상시 패턴의 뜯김 현상이 심해지고 패턴의 직진성이 악화되며, 10 중량% 미만이면 낮은 감도와 경화도로 인하여 정상적인 패턴 구현이 힘들어지고 패턴의 직진성도 악화된다.In the photoresist composition, the photopolymerizable monomer may be used by mixing one or more polyfunctional acrylate derivatives. Specific examples thereof include 1,4-butanediol diacrylate, 1,3-butylene glycol diacrylate, ethylene glycol diacrylate, diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, di Pentaerythritol kisaacrylate, dipentaerythritol hydroxypentaacrylate, glycerol diacrylate, trimethol propane trimethacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol dimethacrylate, sorbitol trimethacrylate, bisphenol A diacrylate derivative, trimethyllopropane triacrylate, dipentaerythritol polyacrylate, and the like. The content of the photopolymerizable monomer is preferably 10 to 40% by weight, more preferably 20 to 30% by weight. If the content of the photopolymerizable monomer exceeds 40% by weight, the pattern is more severe due to the high degree of curing, and the straightness of the pattern is deteriorated.When the content of the photopolymerizable monomer is less than 10% by weight, it is difficult to realize a normal pattern due to the low sensitivity and the degree of curing. The straightness of the pattern is also worsened.

상기 포토레지스트 조성물에 있어서, 상기 소포제는 인쇄법을 이용한 코팅시에 Ag 분말과의 혼합과정에서 발생한 마이크로 버블들이 고점도로 인하여 후막에 존재하여 소성 과정에서 핀홀로 변화하여 전극의 단선을 유발하는 것을 방지한다. 상기 레벨링 첨가제는 포토레지스트 조성물의 표면장력으로 인하여 Ag 분말과 포토레지스트 조성물의 혼화성이 감소되는 현상을 완화시키고, 막의 불균일성에 의해 발생할 수 있는 불량을 줄이기 위하여 첨가된다.In the photoresist composition, the antifoaming agent prevents the microbubbles generated during the mixing process with the Ag powder in the thick film due to the high viscosity in the thick film due to the high viscosity to change into pinholes during the firing process to cause disconnection of the electrode do. The leveling additive is added to alleviate the phenomenon that the miscibility between the Ag powder and the photoresist composition is reduced due to the surface tension of the photoresist composition, and to reduce the defects that may be caused by the nonuniformity of the film.

그 구체적인 예로 레벨링제는 음이온계의 공중합체 및 아랄킬 변성 폴리메틸알킬실록산계 등이 있으며, 소포제로는 폴리에스테르 변성 폴리메틸알킬실록산계, 폴리실록산계, 비실리콘계 고분자 화합물, 변성 우레아 용액, 폴리에스테르 변성 디메틸폴리실록산, 및 폴리에스테르 변성 디메틸폴리실록산 공중합체 등이 있다. Specific examples thereof include anionic copolymers and aralkyl modified polymethylalkylsiloxanes, and antifoaming agents include polyester-modified polymethylalkylsiloxanes, polysiloxanes, non-silicone polymers, modified urea solutions, and polyesters. Modified dimethylpolysiloxanes, polyester modified dimethylpolysiloxane copolymers, and the like.

상기 소포제 및 레벨링 첨가제의 함량은 소포제 0.1 내지 10 중량%, 레벨링 첨가제 0.1 내지 10 중량%를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 소포제 및 레벨링 첨가제의 함량이 각각 10 중량%를 초과하면 현상 공정시 잔막이 남는 경우가 발생하기 쉽고, 0.1 중량% 미만이면 원하는 특성을 기대하기 어렵다는 문제점이 있다.The amount of the antifoaming agent and the leveling additive is preferably used 0.1 to 10% by weight of the defoaming agent, 0.1 to 10% by weight of the leveling additive. When the content of the antifoaming agent and the leveling additive is more than 10% by weight, the residual film is likely to be left during the development process, and if it is less than 0.1% by weight, it is difficult to expect desired properties.

본 발명에 의한 Ag 페이스트 조성물은, 상기 설명한 바와 같은, Ag 분말, 무기질계 바인더, 안정제 및 미세 도전성 분말 분산용 알칼리 가용성의 네가형 포토레지스트 조성물을 혼합하고, 플레니터리 믹서(planetary mixer)와 같은 혼합기로 사전 혼합(pre-mixing)을 행하고, 3-롤 밀(3-roll mill)과 같은 분쇄기를 사용하여 Ag 분말과 무기질계 바인더 및 안정제를 상기 포토레지스트 조성물에 고르게 분산시켜 페이스트 상을 형성시킴으로써 제조된다. 상기와 같이 제조된 페이스트 조성물은, 3000 내지 60000cP의 점도를 가지며, 수도플라스틱(pseudoplastic)의 거동을 가지며, 이러한 특성은, 인쇄시에 가해지는 응력에 대해 낮은 저항력을 갖고, 고점도임에도 불구하고 인쇄 특성이 향상되고 인쇄 후에 높은 평활도를 갖는 미세 전극 제조용 조성물의 제조를 가능하게 한다.The Ag paste composition according to the present invention is a mixture of Ag powder, an inorganic binder, a stabilizer, and an alkali-soluble negative photoresist composition for dispersing fine conductive powder, as described above, such as a planetary mixer. Pre-mixing with a mixer, and using a grinder such as a 3-roll mill to uniformly disperse Ag powder, inorganic binder and stabilizer in the photoresist composition to form a paste phase Are manufactured. The paste composition prepared as described above has a viscosity of 3000 to 60000 cP, has a behavior of pseudoplastic, and this characteristic has a low resistance to stress applied during printing, and has a high viscosity even though it has high viscosity. This improves and enables the production of a composition for producing a fine electrode having high smoothness after printing.

본 발명의 다른 구현예는 또한 본 발명에 의한 Ag 페이스트 조성물을 이용하여 제조된 미세 전극을 제공한다. 미세 전극은 미세 패턴의 형성 과정 및 소성 과 정을 통하여 제조된다.Another embodiment of the present invention also provides a fine electrode prepared using the Ag paste composition according to the present invention. The fine electrode is manufactured through the formation process and the firing process of the fine pattern.

미세 패턴의 형성 과정은, 상기와 같이 제조된 Ag 페이스트 조성물을 SUS 325메쉬나 SUS 400메쉬와 같은 스크린 마스크를 사용한 스크린 인쇄기를 이용하여 기판 표면에 인쇄를 행하고, 코팅된 시편을 컨벡션 오븐(convection oven)에서 80 내지 120℃의 온도로, 10 내지 40분 동안 건조시킨 다음, 형성된 Ag 페이스트 코팅 막 위에 적당한 광원을 사용하여 365nm 복합 파장의 수은등으로 패턴이 형성되도록 노광을 행하고, Na2CO3 용액, KOH, TMAⅡ 등과 같은 적당한 알칼리 현상액으로 상온 내지 50℃의 온도에서 현상함으로써 이루어진다.In the process of forming the fine pattern, the Ag paste composition prepared as described above is printed on the surface of the substrate using a screen printing machine using a screen mask such as SUS 325 mesh or SUS 400 mesh, and the coated specimen is subjected to a convection oven. ), Dried at a temperature of 80 to 120 ° C. for 10 to 40 minutes, and then exposed to form a pattern with a mercury lamp having a 365 nm composite wavelength using a suitable light source on the formed Ag paste coating film, a Na 2 CO 3 solution, It is made by developing at a temperature of room temperature to 50 ° C. with a suitable alkaline developer such as KOH, TMA II and the like.

또한, 소성 과정은, 상기와 같이 형성된 미세 패턴을 전기로 등에서 500 내지 600℃로 10 내지 60분간 소성함으로써 이루어진다. 이러한 소성 과정 도중에는, 미세 도전성 분말 분산용 알칼리 가용성의 네가형 포토레지스트 조성물을 완전히 제거하기 위하여 약 300℃ 내지 400℃ 정도의 온도에서, 10 내지 60분간 유지해주는 유지 과정이 포함되는데, 이는 완전히 제거되지 않은 포토레지스트 조성물 중의 유기물이 탄화되어 남아 있게 되면 Ag 분말이 완전히 소결되지 않을 수 있으며, 소결 후에 전기 저항을 높게 하거나, 절연체 역할을 하며, 소결 후 미세 패턴이 형성된 후에도 패턴에 미세 크랙(crack)을 만들 수 있기 때문이다.In addition, the firing process is performed by firing the fine pattern formed as described above in an electric furnace or the like for 10 to 60 minutes at 500 to 600 ° C. During this firing process, a holding process is performed for 10 to 60 minutes at a temperature of about 300 ° C. to 400 ° C. to completely remove the alkali-soluble negative photoresist composition for fine conductive powder dispersion, which is not completely removed. If the organic material in the photoresist composition is left carbonized, the Ag powder may not be completely sintered, and may have a high electrical resistance after sintering, or may serve as an insulator, and may have fine cracks in the pattern even after a fine pattern is formed after sintering. Because you can make.

이하, 본 발명을 실시예를 통하여 더욱 상세히 설명하나, 본 발명의 범위가 하기 실시예로 한정되는 것은 아니다. 한편, 하기 실시예에 있어서 별도의 언급이 없는 경우, 수치는 중량%를 나타낸 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the scope of the present invention is not limited to the following Examples. On the other hand, in the following examples unless otherwise indicated, the numerical values represent weight percent.

[실시예]EXAMPLE

실시예 1 내지 4Examples 1-4

(미세 도전성 분말 분산용 알칼리 가용성의 네가형 포토레지스트 조성물 성분 중 포토레지스트용 아크릴레이트 공중합체의 제조)(Production of Photoresist Acrylate Copolymer in Alkali Soluble Negative Photoresist Composition Component for Fine Conductive Powder Dispersion)

하기 표 1과 같은 조성과 함량으로 중합하여 화학식 1의 아크릴레이트 공중합체를 제조하였다. 이때, 중합시 사용되는 용매로는 실시예 1 내지 3의 경우 각각 감마부티로락톤(GBL) 50 중량%를 사용하였고, 실시예 4는 디프로필렌글리콜모노에틸에테르(DPGME) 50 중량%를 사용하였다.To polymerize the composition and content as shown in Table 1 to prepare an acrylate copolymer of Formula 1. In this case, 50 wt% of gamma butyrolactone (GBL) was used in Examples 1 to 3, and 50 wt% of dipropylene glycol monoethyl ether (DPGME) was used in Examples 1 to 3, respectively. .

실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 벤질메타크릴레이트 (mol %)Benzyl methacrylate (mol%) 3535 3030 4141 4141 메타크릴산 (mol %)Methacrylic acid (mol%) 5050 4545 4545 4545 2-히드록시에틸메타크릴레이트 (mol %)2-hydroxyethyl methacrylate (mol%) 88 -- 77 77 에틸헥실메타크릴레이트 (mol %)Ethylhexyl methacrylate (mol%) 77 77 77 77 메틸메타크릴레이트 (mol %)Methyl methacrylate (mol%) -- 1818 -- -- 분자량Molecular Weight 3000030000 2800028000 2800028000 3500035000 점도 (cP)Viscosity (cP) 1500015000 1200012000 1200012000 20000 이상More than 20000

실시예 5 내지 9Examples 5-9

(미세 도전성 분말 분산용 알칼리 가용성의 네가형 포토레지스트 조성물의 제조)(Preparation of alkali-soluble negative photoresist composition for fine conductive powder dispersion)

하기 표 2와 같은 조성과 함량으로 상기 실시예 5 내지 9의 아크릴레이트 공중합체에 광중합 개시제, 소포제 및 레벨링 첨가제를 첨가하여 용해시키고 2시간 동안 상온에서 교반한 후, 광중합성 모노머를 첨가하여 다시 4시간 동안 상온에서 교반하여 미세 도전성 분말 분산용 알칼리 가용성의 네가형 포토레지스트 조성물을 얻었다. 얻어진 포토레지스트 조성물을 400 메쉬를 이용하여 여과를 통해 불순물을 제거하였다.To the acrylate copolymers of Examples 5 to 9 in the composition and content as shown in Table 2 below, the photopolymerization initiator, the antifoaming agent and the leveling additive were added to dissolve and stirred at room temperature for 2 hours, followed by the addition of a photopolymerizable monomer. Stirring at room temperature for a time to obtain an alkali-soluble negative photoresist composition for fine conductive powder dispersion. Impurities were removed by filtration using the obtained photoresist composition using 400 mesh.

실시예 5Example 5 실시예 6Example 6 실시예 7Example 7 실시예 8Example 8 실시예 9Example 9 아크릴레이트 공중합체Acrylate copolymer 실시예 1Example 1 -- -- 60.160.1 51.151.1 -- 실시예 2Example 2 -- -- -- -- 60.160.1 실시예 3Example 3 -- 68.068.0 -- -- -- 실시예 4Example 4 71.771.7 -- -- -- -- 광중합 개시제Photopolymerization initiator 1.61.6 2.02.0 2.82.8 2.82.8 2.82.8 광중합 모노머Photopolymerization monomer 14.314.3 28.128.1 30.830.8 40.940.9 30.830.8 소포제Antifoam 3.73.7 0.10.1 4.04.0 3.13.1 4.04.0 레벨링제Leveling agent 22 0.10.1 2.02.0 2.02.0 2.02.0 안정제stabilizator 0.010.01 -- 0.20.2 0.10.1 0.20.2 기타Etc 6.696.69 0.80.8 0.10.1 -- 0.10.1

실시예 10Example 10

(Ag 페이스트 조성물의 제조)(Preparation of Ag Paste Composition)

Ag 분말 65 중량%, 무기질계 바인더 3 중량%, 안정제 0.05 중량%, 및 미세 도전성 분말 분산용 알칼리 가용성의 네가형 포토레지스트 조성물 31.95 중량%를 혼합하고, 플레니터리 믹서(planetary mixer)로 사전 혼합(pre-mixing)한 다음, 3-롤 밀(3-roll mill)을 사용하여 고르게 분산시킴으로써 Ag 페이스트 조성물을 제조하였다.65 wt% Ag powder, 3 wt% inorganic binder, 0.05 wt% stabilizer, and 31.95 wt% alkali-soluble negative photoresist composition for dispersing fine conductive powder were mixed and premixed with a planetary mixer. Ag paste composition was prepared by pre-mixing and then evenly dispersed using a 3-roll mill.

실시예 11 내지 14Examples 11-14

(Ag 분말 함량에 따른 Ag 페이스트 조성물의 특성)(Characteristics of Ag Paste Composition According to Ag Powder Content)

실시예 11Example 11 실시예 12Example 12 실시예 13Example 13 실시예 14Example 14 Ag 분말Ag powder 6363 6767 7171 7373 무기질계 바인더Inorganic binder 2.952.95 2.952.95 2.952.95 2.952.95 안정제stabilizator 0.050.05 0.050.05 0.050.05 0.050.05 포토레지스트 조성물Photoresist composition 3434 3030 2626 2424 현상성Developability 양호Good 양호Good 양호Good 양호Good 패턴 형성 (㎛)Pattern Formation (μm) 5050 5050 5050 5050 현상 후 두께 (㎛)Thickness after development (㎛) 88 99 1111 1111 소결 후 두께 (㎛)Thickness after sintering (㎛) 44 55 66 77 점도 (cP)Viscosity (cP) 1000010000 1300013000 1400014000 2000020000

사용된 Ag 분말의 평균 입경은 1.2㎛, 무기질계 바인더는 붕규산 납 프릿, 안정제는 아인산을 사용하였으며, 포토레지스트 조성물은 아클릴계 공중합체 68%, 광중합 모노머 28.2%, 광중합 개시제 2% 및 기타 첨가물 1.9%를 포함한다.The average particle diameter of the Ag powder used was 1.2 μm, the inorganic binder was lead borosilicate lead frit, and the phosphorus acid was used as the stabilizer. The photoresist composition was 68% acryl-based copolymer, 28.2% photopolymerization monomer, 2% photopolymerization initiator and other additives 1.9. Contains%

Ag 분말의 함량을 표 3의 실시예 11 내지 14에 기재된 함량으로 변경한 것을 제외하고는 실시예 10과 동일한 방법으로 Ag 페이스트 조성물을 제조하였다. 이러한 Ag 분말의 함량에 따른 Ag 페이스트 조성물의 특성 실험 결과, 현상성이 우수하였으며, 수도플라스틱 (pseudoplastic) 특성을 갖는 점도 특성을 갖고, 인쇄성 및 소결 후 패턴 두께가 양호하였다.An Ag paste composition was prepared in the same manner as in Example 10 except that the Ag powder content was changed to the content described in Examples 11 to 14 of Table 3. As a result of the characteristic test of the Ag paste composition according to the content of the Ag powder, the developability was excellent, it had a viscosity characteristic having pseudoplastic properties, and the printability and the pattern thickness after sintering were good.

실시예 15 내지 18Examples 15-18

(안정제 함량에 따른 Ag 페이스트 조성물의 특성)(Characteristics of Ag Paste Composition According to Stabilizer Content)

실시예 15Example 15 실시예 16Example 16 실시예 17Example 17 실시예 18Example 18 Ag 분말Ag powder 6767 6767 6767 6767 무기질계 바인더Inorganic binder 2.952.95 2.952.95 2.952.95 2.952.95 안정제stabilizator 00 -- -- -- -- 0.050.05 -- -- -- -- 0.30.3 -- -- -- -- 1One 포토레지스트 조성물Photoresist composition 3030 3030 3030 3030 현상성Developability 양호Good 양호Good 양호Good 보통usually 패턴 형성 (㎛)Pattern Formation (μm) 5050 5050 5050 -- 젤화 및 보관안정성Gelation and Storage Stability 젤화됨Gelled 젤화되지 않음Not gelled 젤화되지 않음Not gelled 젤화되지 않음Not gelled

사용된 Ag 분말의 평균 입경은 1.2㎛, 무기질계 바인더는 붕규산 납 프릿, 안정제는 아인산을 사용하였으며, 포토레지스트 조성물은 아클릴계 공중합체 68%, 광중합 모노머 28.2%, 광중합 개시제 2% 및 기타 첨가물 1.9%를 포함한다.The average particle diameter of the Ag powder used was 1.2 μm, the inorganic binder was lead borosilicate lead frit, and the phosphorus acid was used as the stabilizer. The photoresist composition was 68% acryl-based copolymer, 28.2% photopolymerization monomer, 2% photopolymerization initiator and other additives 1.9. Contains%

안정제의 함량에 따른 테스트 결과는, 안정제의 양이 극미량이거나 또는 불포함된 경우에는 조성물의 안정성에 영향을 주게 되며, 반면에 너무 많은 양이 포함된 경우에는 패턴 형성에 문제가 있다는 점을 보여 주었다.The test results according to the amount of stabilizer showed that if the amount of the stabilizer was very small or not included, it would affect the stability of the composition, whereas if too large amount was included, there was a problem in pattern formation.

실시예 19 내지 실시예 22Examples 19-22

(안정제 종류에 따른 Ag 페이스트 조성물의 특성)(Characteristics of Ag Paste Composition According to Stabilizer Type)

실시예 19Example 19 실시예 20Example 20 실시예 21Example 21 실시예 22Example 22 Ag 분말Ag powder 6767 6767 6767 6767 무기질계 바인더Inorganic binder 2.952.95 2.952.95 2.952.95 2.952.95 안정제stabilizator 아인산Phosphorous acid 0.050.05 -- -- -- 인산Phosphoric Acid -- 0.050.05 -- -- 아르코빅산류Arcobic acid -- -- 0.050.05 -- 벤조트리아졸류Benzotriazoles -- -- -- 0.050.05 포토레지스트 조성물Photoresist composition 3030 3030 3030 3030 현상성Developability 양호Good 양호Good 양호Good 양호Good 패턴 형성 (㎛)Pattern Formation (μm) 5050 5050 5050 5050 젤화 및 보관안정성Gelation and Storage Stability 젤화되지 않음Not gelled 젤화되지 않음Not gelled 젤화되지 않음Not gelled 젤화되지 않음Not gelled

사용된 Ag 분말의 평균 입경은 1.2㎛, 무기질계 바인더는 붕규산 납 프릿, 안정제는 상기 열거한 산화 방지제들을 사용하였으며, 포토레지스트 조성물은 아크릴계 공중합체 68%, 광중합 모노머 28.1%, 광중합 개시제 2% 및 기타 첨가물 1.9%를 포함한다.The average particle diameter of the Ag powder used was 1.2 µm, the inorganic binder was lead borosilicate frit, the stabilizer was used the antioxidants listed above, the photoresist composition was 68% acrylic copolymer, 28.1% photopolymerization monomer, 2% photopolymerization initiator and 1.9% of other additives.

안정제의 종류에 따른 조성물 테스트 결과는 안정제의 종류에 관계 없이 양호한 결과를 나타내었다.The composition test results according to the type of stabilizer showed good results regardless of the type of stabilizer.

실시예 23 내지 26Examples 23-26

(노광량 변화에 따른 Ag 페이스트 조성물의 특성)(Characteristics of Ag Paste Composition According to Exposure Amount)

실시예 23Example 23 실시예 24Example 24 실시예 25Example 25 실시예 26Example 26 Ag 분말Ag powder 6767 6767 6767 6767 무기질계 바인더Inorganic binder 2.952.95 2.952.95 2.952.95 2.952.95 안정제stabilizator 0.050.05 0.050.05 0.050.05 0.050.05 포토레지스트 조성물Photoresist composition 3030 3030 3030 3030 노광량 (mJ)Exposure amount (mJ) 300300 OO -- -- -- 400400 -- OO -- -- 800800 -- -- OO -- 10001000 -- -- -- OO 현상성Developability 양호Good 양호Good 양호Good 양호Good 패턴 형성 (㎛)Pattern Formation (μm) 5050 5050 5050 5050

사용된 Ag 분말의 평균 입경은 1.2㎛, 무기질계 바인더는 붕규산 납 프릿, 안정제는 아인산을 사용하였으며, 포토레지스트 조성물은 아크릴계 공중합체 68%, 광중합 모노머 28.1%, 광중합 개시제 2% 및 기타 첨가물 1.9%를 포함한다.The average particle diameter of the Ag powder used was 1.2 µm, the inorganic binder was lead borosilicate lead frit, and the phosphorus acid was used as the stabilizer. The photoresist composition was 68% acrylic copolymer, 28.1% photopolymerization monomer, 2% photopolymerization initiator and 1.9% other additives. It includes.

노광량 변화에 따른 테스트 결과에서는, 본 발명에 의한 Ag 페이스트 조성물이, 노광량에 있어서의 차이에도 불구하고 현상성 및 패턴 형성 등에 있어서, 양호한 결과를 나타내었다.In the test results according to the exposure dose change, the Ag paste composition according to the present invention showed good results in developability, pattern formation, and the like despite the difference in the exposure dose.

실시예 27Example 27

(미세 전극의 제조)(Preparation of Fine Electrode)

앞선 실시예들에서 제조된 Ag 페이스트 조성물을 SUS 325메쉬의 스크린 마스크를 사용한 스크린 인쇄기를 이용하여 유리 기판 표면에 인쇄를 행하고, 코팅된 시편을 컨벡션 오븐에서 90℃의 온도로, 20분 동안 건조시킨 다음, 형성된 Ag 페이스트 코팅 막 위에 수은등을 사용하는 노광기를 사용하여 365nm의 파장으로 패턴이 형성되도록 노광을 행하고, NaCO3 현상액으로 30℃의 온도에서 현상하였다. 현상된 미세 패턴을 전기로를 사용하여 상온에서 소결을 시작하여 350℃에 도달한 순간부터 30분간 유지하여 유기물질을 태운 후 550℃로 온도를 올려 이 온도에서 30분간 소결함으로써 미세 전극을 제조하였다.The Ag paste composition prepared in the previous examples was printed on the surface of the glass substrate using a screen printer using a screen mask of SUS 325 mesh, and the coated specimen was dried at a temperature of 90 ° C. in a convection oven for 20 minutes. Next, exposure was performed so that a pattern was formed at a wavelength of 365 nm using an exposure machine using a mercury lamp on the formed Ag paste coating film, and developed at a temperature of 30 ° C. with a NaCO 3 developer. The developed fine pattern was sintered at room temperature using an electric furnace and maintained for 30 minutes from the moment it reached 350 ° C. to burn the organic material, and then heated to 550 ° C. for 30 minutes to prepare a fine electrode.

본 발명에 의할 경우, 600℃ 이하의 소성 공정에 적용이 가능하여 PDP 제작에 적합하고, 고점도를 가짐으로 인하여 종래의 스크린 인쇄기술로 형성할 수 없었던 미세 정밀 전극의 제작에 적합하고 인쇄성이 우수하며, 별도의 계면활성제 및 유기 용매들을 사용하지 않음으로 인하여 공정이 간단하고, 경제성이 우수하며, 환경친화적인 미세 전극 형성용 조성물을 제공할 수 있다.According to the present invention, it can be applied to a firing process of 600 ° C. or less, which is suitable for PDP production, and because of its high viscosity, it is suitable for the production of fine precision electrodes that could not be formed by conventional screen printing technology and printability. It is excellent, it is possible to provide a composition for forming a simple electrode, the process is simple, economical, and environmentally friendly by not using a separate surfactant and organic solvents.

Claims (11)

a) Ag 분말 60 내지 80 중량%;a) 60 to 80 wt% Ag powder; b) 붕규산 납 프릿(lead borosilicate frit), 붕규산 비스무스 프릿(bismuth borosilicate frit), B2O3·SiO2·MO 및 B2O3·SiO2·M′O(단, M은 2가 금속이온이고, M′1가 금속이온이다)로 이루어지는 군으로부터 1종 이상 선택되는 무기질계 바인더 1 내지 10 중량%;b) lead borosilicate frit, bismuth borosilicate frit, B 2 O 3 · SiO 2 · MO and B 2 O 3 · SiO 2 · M′O (where M is a divalent metal ion And M'1 is a metal ion) 1 to 10% by weight of the inorganic binder; c) 안정제 0.001 내지 1 중량%; 및c) 0.001 to 1 weight percent stabilizer; And d) 미세 도전성 분말 분산용 알칼리 가용성의 네가형 포토레지스트 조성물 15 내지 35 중량%d) 15 to 35% by weight of alkali-soluble negative photoresist composition for fine conductive powder dispersion 를 포함하는 미세 전극 형성용 고점도 Ag 페이스트 조성물.High viscosity Ag paste composition for forming a fine electrode comprising a. 제1항에 있어서, 상기 Ag 분말의 평균 입경이 0.5 내지 3㎛인 것을 특징으로 하는 Ag 페이스트 조성물.The Ag paste composition according to claim 1, wherein the Ag powder has an average particle diameter of 0.5 to 3 µm. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 무기질계 바인더는 유리 전이 온도가 360 내지 500℃이고, 유리 연화 온도가 400 내지 550℃인 것을 특징으로 하는 Ag 페이스트 조성물.The Ag paste composition of claim 1, wherein the inorganic binder has a glass transition temperature of 360 to 500 ° C and a glass softening temperature of 400 to 550 ° C. 제1항에 있어서, 상기 안정제는 벤조트리아졸, 아스코빅산류 및 인산, 아인산, 아인산 또는 그의 염으로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 Ag 페이스트 조성물.The Ag paste composition of claim 1, wherein the stabilizer is selected from the group consisting of benzotriazole, ascorbic acid and phosphoric acid, phosphorous acid, phosphorous acid or salts thereof. 제1항에 있어서, 상기 미세 도전성 분말 분산용 알칼리 가용성의 네가형 포토레지스트 조성물은,The alkali-soluble negative photoresist composition of claim 1, wherein a) 하기 화학식 1 또는 화학식2로 표시되는 포토레지스트용 아크릴레이트 공중합체 30 내지 70 중량%;a) 30 to 70% by weight of an acrylate copolymer for photoresist represented by the following general formula (1) or (2); b) 광중합성 모노머 10 내지 40 중량%;b) 10 to 40% by weight of the photopolymerizable monomer; c) 광중합 개시제 0.5 내지 10 중량%;c) 0.5 to 10% by weight photopolymerization initiator; d) 소포제 0.1 내지 10 중량%; 및d) 0.1 to 10 weight percent antifoam; And e) 레벨링제 0.1 내지 10 중량%;e) 0.1 to 10% by weight leveling agent; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 Ag 페이스트 조성물:Ag paste composition comprising: [화학식 1][Formula 1]
Figure 112005051601226-pat00005
Figure 112005051601226-pat00005
상기 식에서, R1은 수소, 페닐기, 벤질기, 니트로기로 치환된 페닐기, 할로겐으로 치환된 페닐기, 니트로기로 치환된 벤질기, C1 내지 C10의 알킬기, 또는 C1 내지 C10의 히드록시기로 치환된 알킬기이며; R2는 에틸헥실기, 이소부틸기, tert-부틸기, 옥틸기, 3-메톡시부틸기, 또는 메톡시프로필렌글리콜기이며; R3는 수소 또는 메틸기이며; R4는 수소 또는 메틸기이며; n1은 8 내지 40의 정수이고; n2는 1 내지 2의 정수이다.Wherein R 1 is hydrogen, a phenyl group, a benzyl group, a phenyl group substituted with a nitro group, a phenyl group substituted with halogen, a benzyl group substituted with a nitro group, an alkyl group substituted with a C1 to C10 hydroxy group, or a C1 to C10 hydroxy group; R 2 is an ethylhexyl group, isobutyl group, tert-butyl group, octyl group, 3-methoxybutyl group, or methoxypropylene glycol group; R 3 is hydrogen or a methyl group; R 4 is hydrogen or a methyl group; n 1 is an integer from 8 to 40; n 2 is an integer of 1 to 2. [화학식 2][Formula 2]
Figure 112005051601226-pat00006
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상기 식에서, R5는 수소 또는 카르복실기이며; R6는 페닐기, 카르복실기 또는 -OCOCH3기이며; R7은 수소 또는 -CH2COOH기이고; R2, R4, n1, 및 n2는 상기 정의한 바와 같다.In which R 5 is hydrogen or a carboxyl group; R 6 is a phenyl group, a carboxyl group or an -OCOCH 3 group; R 7 is hydrogen or a —CH 2 COOH group; R 2 , R 4 , n 1 , and n 2 are as defined above.
제6항에 있어서, 상기 광중합 개시제는 2,4-비스트리클로로메틸-6-p-메톡시스티릴-s-트리아진, 2-p-메톡시스티릴-4,6-비스트리클로로메틸-s-트리아진, 2,4-트리클로로메틸-6-트리아진, 2,4-트리클로로메틸-4-메틸나프틸-6-트리아진, 벤조페논, p-(디에틸아미노)벤조페논, 2,2-디클로로-4-페녹시아세토페논, 2,2'-디에톡시아세토페논, 2,2'-디부톡시아세토페논, 2-히드록시-2-메틸프로리오페논, p-t-부틸트리클로로아세토페논, p-t-부틸디클로로아세토페논, 4,4'-에틸아미노벤조페논, 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2-이소부틸티오크산톤, 2-도데실티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 및 2,4-디에틸티오크산톤-2,2'-비스-2-클로로페닐-4,5,4',5'-테트라페닐-2'-1,2'-바이이미다졸 화합물로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 Ag 페이스트 조성물.The method of claim 6, wherein the photopolymerization initiator is 2,4-bistrichloromethyl-6-p-methoxystyryl-s-triazine, 2-p-methoxystyryl-4,6-bistrichloromethyl -s-triazine, 2,4-trichloromethyl-6-triazine, 2,4-trichloromethyl-4-methylnaphthyl-6-triazine, benzophenone, p- (diethylamino) benzophenone , 2,2-dichloro-4-phenoxyacetophenone, 2,2'-diethoxyacetophenone, 2,2'-dibutoxyacetophenone, 2-hydroxy-2-methylproriophenone, pt-butyltrichloro Loacetophenone, pt-butyldichloroacetophenone, 4,4'-ethylaminobenzophenone, thioxanthone, 2-chloro thioxanthone, 2-methyl thioxanthone, 2-isobutyl thioxanthone, 2-dode Silthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, and 2,4-diethyl thioxanthone-2,2'-bis-2-chlorophenyl-4,5,4 ', 5'-tetraphenyl-2 Ag face, characterized in that at least one selected from the group consisting of '-1,2'-biimidazole compound Composition. 제6항에 있어서, 상기 광중합성 모노머는 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨키사아크릴레이트, 디펜타에리스리톨히드록시펜타아크릴레이트, 글 리세롤디아크릴레이트, 트리메티올프로판트리메타크릴레이트, 펜타에리스리톨트리메타크릴레이트, 펜타에리스리톨디메타크릴레이트, 솔비톨트리메타크릴레이트, 비스페놀A 디아크릴레이트 유도체, 트리메틸로프로판트리아크릴레이트, 및 디펜타에리스리톨폴리아크릴레이트로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 Ag 페이스트 조성물.The method of claim 6, wherein the photopolymerizable monomer is 1,4-butanediol diacrylate, 1,3-butylene glycol diacrylate, ethylene glycol diacrylate, diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate , Polyethylene glycol diacrylate, dipentaerythritol chisa acrylate, dipentaerythritol hydroxypentaacrylate, glycerodiacrylate, trimethol propane trimethacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol dimethacrylate Ag paste composition, characterized in that at least one selected from the group consisting of latex, sorbitol trimethacrylate, bisphenol A diacrylate derivative, trimethyllopropane triacrylate, and dipentaerythritol polyacrylate. 제6항에 있어서, 상기 소포제 및 레벨링 첨가제는 음이온계의 공중합체, 아랄킬 변성 폴리메틸알킬실록산계, 폴리에스테르 변성 폴리메틸알킬실록산계, 폴리실록산계, 비실리콘계 고분자 화합물, 변성 우레아 용액, 폴리에스테르 변성 디메틸폴리실록산, 및 폴리에스테르 변성 디메틸폴리실록산 공중합체로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 Ag 페이스트 조성물.The method of claim 6, wherein the antifoaming agent and the leveling additive is an anionic copolymer, aralkyl modified polymethylalkylsiloxane, polyester modified polymethylalkylsiloxane, polysiloxane, non-silicone polymer compound, modified urea solution, polyester Ag paste composition, characterized in that at least one selected from the group consisting of modified dimethylpolysiloxane, and polyester-modified dimethylpolysiloxane copolymer. 제1항에 있어서, 상기 Ag 페이스트 조성물은 점도가 3000 내지 60000cP인 것을 특징으로 하는 Ag 페이스트 조성물.The Ag paste composition of claim 1, wherein the Ag paste composition has a viscosity of 3000 to 60000 cP. 제1항, 제2항 및 제4항 내지 제10항 중의 어느 한 항에 의한 Ag 페이스트 조성물을 이용하여 제조된 미세 전극.A fine electrode prepared using the Ag paste composition according to any one of claims 1, 2 and 4 to 10.
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