KR100568029B1 - 프로브 척 냉각 시스템 및 방법 - Google Patents

프로브 척 냉각 시스템 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 프로브 척 내부를 균일한 밀도로 관통하는 냉각 유로를 구비시키고 냉각 유로에 냉각수를 순환시킴으로써 고온의 프로브 척을 단시간에 냉각시킬 수 있는 프로브 척 냉각 시스템 및 방법에 관한 것으로서,
본 발명에 따른 프로브 척 냉각 시스템은 반도체 웨이퍼가 안착되는 안착부 및 상기 반도체 웨이퍼를 흡착시키는 진공 흡입구를 구비하는 프로브 척;과, 상기 프로브 척 내부를 관통하여 형성되며 일측에 배수관, 다른 일측에 공급관을 구비하는 냉각 유로;와, 상기 냉각 유로의 배수관 및 공급관과 연결되어 있어, 상기 공급관에 냉각수를 공급함과 동시에 상기 배수관으로부터 상기 프로브 척 내부의 냉각 유로를 따라 순환된 냉각수를 공급받아 저장하는 냉각수 저장탱크;와, 상기 냉각수 저장탱크로부터 상기 배수관으로의 냉각수 공급 및 차단을 제어하는 냉각수 공급 제어 수단을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
프로브, EDS, 프로브카드

Description

프로브 척 냉각 시스템 및 방법{Cooling system and method of probe chuck in probe station}
도 1은 종래의 일반적인 프로브 스테이션의 개략적인 구성도.
도 2는 본 발명에 따른 프로브 척 냉각 시스템의 구성도.
도 3은 본 발명에 따른 프로브 척 냉각 방법을 설명하기 위한 순서도.
<도면의 주요 부분에 대한 설명>
201 : 프로브 척 202 : 냉각 유로
203 : 공급관 204 : 배수관
205 : 냉각수 저장탱크 206 : 냉각수 공급 제어 수단
207 : 온도 감지 수단
본 발명은 프로브 척 냉각 시스템 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게 는 프로브 척 내부를 균일한 밀도로 관통하는 냉각 유로를 구비시키고 냉각 유로에 냉각수를 순환시킴으로써 고온의 프로브 척을 단시간에 냉각시킬 수 있는 프로브 척 냉각 시스템 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조공정은 크게 전 공정, 후 공정 및 테스트 공정으로 구분된다. 전 공정은 패브리케이션(Fabrication) 공정이라고도 불리며, 단결정 실리콘 재질의 웨이퍼에 집적회로의 패턴을 형성시키는 공정이다. 후 공정은 어셈블리(Assembly) 공정이라고도 불리며, 상기 웨이퍼를 각각의 칩들로 분리시키고, 외부 장치와 전기적 신호의 연결이 가능하도록 칩에 도전성의 리드(lead)나 볼(ball)을 접속시키고, 칩을 외부 환경으로부터 보호하기 위한 에폭시 수지와 같은 수지로 몰딩(Molding)시킴으로써 집적회로 패키지를 형성하는 공정이다. 테스트 공정은 상기 집적회로 패키지가 정상적으로 동작하는지 여부를 테스트하여 양품과 불량품을 선별하는 공정이다.
한편, 상기 어셈블리(assembly) 공정을 진행하기 전에 웨이퍼를 구성하는 각 칩의 전기적 특성을 검사하는 이디에스(EDS, Electrical Die Sorting) 공정이 진행된다. 상기 EDS 공정은 웨이퍼를 구성하는 칩들 중에서 불량 칩을 판별하여 재생(repair) 가능한 칩은 재생시키고 재생 불가능한 칩은 제거시킴으로써 후속의 어셈블리 공정 및 테스트 공정에서 소요되는 시간 및 원가를 절감하는 역할을 한다.
구체적으로, 상기 EDS 공정은 프로브 스테이션(Probe station)에서 수행된다. 상기 프로브 스테이션(100)은 도 1에 도시한 바와 같이, 25∼30℃의 상온 또는 80∼90℃의 고온으로 변화 가능하며 진공장치의 구동에 의해서 외부의 기체를 흡입함으로써 진공상태가 형성되는 다수의 진공이 표면에 형성되어 있고 구동원의 구동에 의해 Z 축으로 상하이동 가능한 프로브 척(102)이 구비된다. 또한, 상기 프로브 척(102)과 소정 간격 상부로 이격된 위치에는 프로브 척 상에 위치된 웨이퍼의 칩의 패드 부위에 전기 신호를 인가함으로써 칩 내부의 회로에 전기 신호가 전달되도록 하는 역할을 수행하는 다수의 니들(needle)이 구비되는 프로브 카드(probe card)가 테스트 헤드(104)에 구비된다.
상기와 같은 프로브 스테이션에서 상기 EDS 공정은 먼저, 일련의 반도체 소자 제조공정의 수행에 의해서 다수의 칩이 형성된 웨이퍼를(103) 카세트(101)로부터 상기 프로브 척 상에 위치시킨 후, 상기 프로브 척의 온도를 80∼90℃ 정도의 고온으로 변화시킨다. 이후, 구동원의 구동에 의해서 프로브 척 상에 위치된 웨이퍼의 칩의 패드와 프로브 카드의 니들을 접촉시킨 후, 특정 전류를 칩에 인가함으로써 칩의 정상 여부를 테스트하는 프리-레이저(pre-laser) 공정을 진행한다.
상기 프리-레이저 공정의 진행에 의해서 발생된 테스트 결과 데이터를 기준으로 하여 재생(repair) 가능한 칩을 특정 스테이지로 이동시킨 후, 레이저 빔을 이용하여 칩을 재생하는 레이저 재생 공정을 진행한다. 이어, 시간의 경과에 따라 자연 냉각되어 25∼30℃ 정도의 상온을 유지하고 있는 프로브 척 상에 상기 레이저 재생 공정이 완료된 웨이퍼를 위치시켜 재생된 칩의 정상 동작 여부를 체크하는 포스트-레이저(post-laser) 공정을 진행하면 상기 EDS 공정은 완료된다.
종래의 프로브 스테이션을 이용한 EDS(Electrical Die Sorting) 공정에 있어서, 프로브 척에서의 고온 테스트(80∼90℃) 후 상온 테스트(25∼30℃)가 진행되는데 상기 프로브 척이 고온에서 상온으로 냉각될 때 시간의 경과에 따른 자연 냉각 방식을 택하고 있다. 그러나, 상기 프로브 척의 상온으로의 자연 냉각은 설비에 따라 다소 차이가 있지만 45분∼3시간 정도의 시간이 소요되는 문제점이 있다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위해 대한민국 등록특허공보 제274595호에서는 프로브 스테이션 일측에 에어 공급라인, 필터, 에어 방출기 등의 구성요소를 부가하여 외부의 공기를 유입하여 프로브 척을 냉각하는 공랭식 방식을 제안하였다.
그러나, 상기 공랭식 프로브 척 냉각 방식은 외부의 공기를 유입함에 있어 공기 내에 함유되어 있는 미세 먼지로 인한 프로브 척의 오염을 유발할 가능성이 농후하여 후속의 세정 공정이 요구되는 단점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해서 안출한 것으로서, 프로브 척 내부에 소정의 냉각 유로를 구비시켜 프로브 척의 고온에서 상온으로의 냉각을 빠른 시간에 수행할 수 있는 프로브 척 냉각 시스템 및 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 프로브 척 냉각 시스템은 반도체 웨이퍼가 안착되는 안착부 및 상기 반도체 웨이퍼를 흡착시키는 진공 흡입구를 구비 하는 프로브 척;과, 상기 프로브 척 내부를 관통하여 형성되며 일측에 배수관, 다른 일측에 공급관을 구비하는 냉각 유로;와, 상기 냉각 유로의 배수관 및 공급관과 연결되어 있어, 상기 공급관에 냉각수를 공급함과 동시에 상기 배수관으로부터 상기 프로브 척 내부의 냉각 유로를 따라 순환된 냉각수를 공급받아 저장하는 냉각수 저장탱크;와, 상기 냉각수 저장탱크로부터 상기 배수관으로의 냉각수 공급 및 차단을 제어하는 냉각수 공급 제어 수단을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 프로브 척 일측에 구비되어 상기 프로브 척의 온도를 감지하고 감지된 온도를 상기 냉각수 공급 제어부로 전달하는 온도 감지 수단을 더 포함한다.
바람직하게는, 상기 냉각수 저장탱크 일측에 구비되어 상기 냉각수 저장탱크의 냉각수를 순환시키는 냉각수 순환 펌프를 더 포함한다.
본 발명의 프로브 척 냉각 방법은 프로브 척 내부에 소정의 냉각 유로가 관통되어 있는 프로브 척 냉각 방법에 있어서, 소정의 냉각수 저장 탱크가 상기 냉각 유로로 냉각수를 공급하도록 냉각수 공급 명령 정보를 냉각수 공급 제어부가 발생시키는 단계;와, 상기 냉각수 공급 제어부로부터 발생된 냉각 공급 명령 정보를 바탕으로 냉각수 저장 탱크가 상기 소정의 공급관을 통해 냉각 유로로의 냉각수 공급을 시작하여 냉각수 저장 탱크 및 냉각 유로로 구성되는 일종의 루프를 순환하는 단계;와, 상기 프로브 척 일측에 구비되어 있는 온도 감지 수단이 상기 프로브 척의 온도 정보를 지속적으로 체크하여 상기 냉각수 공급 제어부로 전달하는 단계;와, 상기 프로브 척의 온도 정보를 바탕으로 상기 냉각수 공급 제어부가 상기 냉각 수 순환의 지속 여부를 결정하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 특징에 따르면, 프로브 척 내부를 균일한 밀도로 관통하는 냉각 유로를 구비시키고 냉각 유로에 냉각수를 순환시킴으로써 고온의 프로브 척을 단시간에 냉각시킬 수 있게 된다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 프로브 척 냉각 시스템을 상세히 설명하기로 한다. 도 2는 본 발명에 따른 프로브 척 냉각 시스템의 구성도이고, 도 3은 본 발명에 따른 프로브 척 냉각 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 프로브 척 냉각 시스템은 먼저, 반도체 웨이퍼가 안착되는 안착부 및 상기 웨이퍼를 흡입, 고정하는 진공 흡입구(도시하지 않음)가 형성되어 있는 프로브 척(201)이 구비된다. 상기 프로브 척(201) 내부에는 소정의 냉각 유로(202)가 구비되어 있다. 상기 냉각 유로(202)는 상기 프로브 척 내부를 관통하여 형성되어 있으며 평면상으로 볼 때, 상기 프로브 척의 평면 전체적으로 균일한 밀도로 형성될 수 있다. 상기 냉각 유로의 일측에는 상기 냉각 유로에 냉각수를 공급되는 공급관(203)이 구비되고 다른 일측에는 상기 냉각 유로로부터 배출되는 냉각수를 배수하는 배수관(204)이 구비되어 있다.
또한, 상기 배수관(203)과 공급관(204)은 소정의 냉각수 저장 탱크(205)와 연결되어 있어 상기 공급관으로의 냉각수 공급 및 배수관으로부터의 냉각수 배수가 원활하도록 되어 있다. 상기 냉각수 공급 탱크(205)는 소정의 통신연결 관계를 통해 냉각수 공급 제어 수단(206)과 연결되어 있다. 상기 냉각수 공급 제어 수단(206)은 상기 냉각수 저장 탱크(205)로부터 냉각 유로로의 냉각수 공급 및 차단을 제어하는 역할을 수행한다.
상기와 같은 구성 요소 외에 상기 냉각수 저장 탱크(205) 일측에는 냉각수 공급시 물리적 동력을 제공하는 냉각수 순환 펌프(도시하지 않음)가 구비될 수 있다. 또한, 상기 프로브 척 일측에는 상기 프로브 척의 온도를 감지하고 감지된 온도를 상기 냉각수 공급 제어부로 전달하는 온도 감지 수단(207)을 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 배수관(204) 및 공급관(203)은 프로브 척이 상하 운동하는 관계로 충분한 길이가 확보되어야 하며, 연성(flexible)의 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.
이와 같은 구성을 갖는 본 발명의 프로브 척 냉각 시스템을 이용한 프로브 척 냉각 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 3에 도시한 바와 같이 먼저, 테스트 대상인 반도체 웨이퍼의 고온(80∼90℃) 테스트를 위해 온도가 상승되어 있는 프로브 척을 상온의 테스트 실시를 위해 프로브 척의 냉각을 실시하고자 한다면, 상기 냉각수 공급 제어 수단은 프로브 스테이션 내의 제어부로부터 소정의 냉각수 공급 명령 데이터를 수신한다(S301).
냉각수 공급 명령 데이터를 수신한 냉각수 공급 제어 수단은 상기 냉각수 저장 탱크로 상기 명령을 전달하여 냉각수 저장 탱크로 하여금 공급관으로의 냉각수 공급을 실시하도록 한다(S302).
상기 냉각수 저장 탱크로부터 공급관으로 공급된 냉각수는 프로브 척 내부를 관통하여 형성된 냉각 유로를 따라 흘러 냉각 유로 일측에 형성되어 있는 배수관을 통해 다시 냉각수 저장 탱크로 배수된다.
상기 프로브 척의 온도가 원하는 온도에 도달할 때까지 상기와 같은 냉각수의 냉각수 저장 탱크-공급관-냉각 유로-배수관으로 이어지는 일련의 순환을 계속 진행한다(S303).
한편, 상기 프로브 척 일측에는 프로브 척의 온도를 감지하고 감지된 온도 데이터를 상기 냉각수 공급 제어 수단에 전달하는 온도 감지 수단이 구비되어 있어, 상기 냉각수의 순환에 의해 냉각되는 프로브 척의 온도를 지속적으로 감지하여 상기 냉각수 공급 제어 수단으로 전달한다(S304). 냉각수 공급 제어 수단은 상기 온도 감지 수단으로부터 전달되는 프로브 척의 온도 정보를 바탕으로 냉각수의 순환의 지속 여부를 결정한다(S305). 즉, 상기 프로브 척의 온도가 설정된 온도와 같게 되면 상기 냉각수의 순환은 중단(S306)되고 설정된 온도보다 높다면 냉각수의 순환은 지속되는 것이다.
본 발명에 따른 프로브 척의 냉각 시스템은 다음과 같은 효과가 있다.
프로브 척 내부를 균일한 밀도로 관통하는 냉각 유로를 구비시키고 냉각 유로에 냉각수를 순환시킴으로써 고온의 프로브 척을 단시간에 냉각시킬 수 있게 된다.

Claims (4)

  1. 반도체 웨이퍼가 안착되는 안착부 및 상기 반도체 웨이퍼를 흡착시키는 진공 흡입구를 구비하는 프로브 척;
    상기 프로브 척 내부를 균일한 밀도로 관통하여 형성되며 일측에 배수관, 다른 일측에 공급관을 구비하는 냉각 유로;
    상기 냉각 유로의 배수관 및 공급관과 연결되어 있어, 상기 공급관에 냉각수를 공급함과 동시에 상기 배수관으로부터 상기 프로브 척 내부의 냉각 유로를 따라 순환된 냉각수를 공급받아 저장하는 냉각수 저장탱크;
    상기 냉각수 저장탱크로부터 상기 배수관으로의 냉각수 공급 및 차단을 제어하는 냉각수 공급 제어 수단; 및
    을 포함하여 냉각수 저장 탱크, 공급관, 냉각 유로 및 배수관으로 구성되는 냉각수 순환 루프를 갖는 특징으로 하는 프로브 척 냉각 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 프로브 척 일측에 구비되어 상기 프로브 척의 온도를 감지하고 감지된 온도를 상기 냉각수 공급 제어부로 전달하는 온도 감지 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 척 냉각 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 냉각수 저장탱크 일측에 구비되어 상기 냉각수 저장 탱크의 냉각수를 순환시키는 냉각수 순환 펌프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 척 냉각 시스템.
  4. 프로브 척 내부에 소정의 냉각 유로가 관통되어 있는 프로브 척 냉각 방법에 있어서,
    소정의 냉각수 저장 탱크가 상기 프로브 척 내부를 균일한 밀도로 관통하여 형성된 냉각 유로로 냉각수를 공급하도록 냉각수 공급 명령 정보를 냉각수 공급 제어부가 발생시키는 단계;
    상기 냉각수 공급 제어부로부터 발생된 냉각 공급 명령 정보를 바탕으로 냉각수 저장 탱크가 상기 소정의 공급관을 통해 냉각 유로로의 냉각수 공급을 시작하여 냉각수 저장 탱크, 공급관, 냉각 유로 및 배수관으로 구성되는 루프를 순환하는 단계;
    상기 프로브 척 일측에 구비되어 있는 온도 감지 수단이 상기 프로브 척의 온도 정보를 지속적으로 체크하여 상기 냉각수 공급 제어부로 전달하는 단계;
    상기 프로브 척의 온도 정보를 바탕으로 상기 냉각수 공급 제어부가 상기 냉각수 순환의 지속 여부를 결정하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 프로브 척 냉각 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190003217A (ko) * 2017-06-30 2019-01-09 한국전력공사 결빙접합특성 측정장치 및 이를 이용한 결빙접합특성 측정방법
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