KR100534098B1

KR100534098B1 - 보호테이핑 처리된 반도체 웨이퍼의 이물질 검출장치

Info

Publication number: KR100534098B1
Application number: KR10-2003-0076523A
Authority: KR
Inventors: 이창렬
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2003-10-30
Filing date: 2003-10-30
Publication date: 2005-12-06
Also published as: KR20050041383A

Abstract

보호테이핑 처리된 반도체 웨이퍼의 이물질 검출장치는 일면이 테이핑 처리된 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼지지대(제1감지테이블)와 상기 웨이퍼의 상면측으로 소정의 조사광을 조사하여 파티클을 검출하는 이물질감지기(제1감지기)와 상기 웨이퍼지지대(제1감지테이블)을 통해 1차 이물질 검출작업을 마친 상기 웨이퍼를 전달 받아 그 상면에 안착시키는 웨이퍼지지대(제2감지테이블)와 상기 웨이퍼지지대(제2감지테이블)에 안착된 웨이퍼의 상면과 접촉되어 그 상면에서 유발되는 평행도 이탈 감지를 통해 이물질 유무를 검사하는 이물질감지기(제2감지기)를 포함한다.

Description

보호테이핑 처리된 반도체 웨이퍼의 이물질 검출장치{PARTICLE DETECTING APPARATUS OF PROTECTIVE ADHESIVE TAPE FOR SEMICONDUCTOR WAFER}

본 발명은 보호테이핑 처리된 반도체 웨이퍼의 이물질 검출장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼 이면 연마를 하기 위한 라미네이트공정시 발생하는 웨이퍼내 이물질 검출검출 장치 및 방법에 관한 것이다.

최근들어 전자장치들이 소형화를 추구함에 따라, 전자장치에 사용되는 반도체 소자 역시 경박 단소화를 시키기 위해 변화를 거듭하고 있다. 이에 따라 반도체 패키지의 두께를 감소시키기 위해 새로운 형태의 반도체 패키지에 대한 개발이 계속 진행되고 있다.

또한 일반적인 반도체 패키지, 예를 들면, TSOP(THIN SMALL OUT-lINE PACKAGE)등에서는, 와이어 본딩(WIRW BONDING) 공정에서 와이어의 루프 높이(LOOP HEIGHT: 와이어 본딩이 되는 높이)를 낮추고, 반도체 칩(CHIP)의 이면(BACKSIDE)을 연마(GRINDING)하는 공정등이 반도체 패키지의 두께를 감소시키기위해 제공되고 있다. 이때, TSOP의 경우 웨이퍼의 두께가 730∼750㎛인 경우, 약 320㎛까지 웨이퍼(WAFER)의 뒷면을 연마하여 반도체 칩의 두께를 최소화로 유지시키고 있다.

일반적으로 반도체 칩의 이면 연마는, 웨이퍼 단위로 수행되어지며, 반도체 소자의 조립공정(ASSEMBLY PROCESS) 이전에 수행된다. 이러한 웨이퍼 이면 연마공정, 즉 그라인딩 공정은 크게 ①웨이퍼 패턴 형성면에 테이프를 접착하는 라미네이트(LAMINATOR)공정, ②상기 테이프가 접착된 웨이퍼의 이면을 연마하는 공정, ③상기 연마가 완료된 웨이퍼로 부터 테이프를 제거하는 공정으로 이루어 진다. 이때, 웨이퍼 전면에 테이프를 부착하는 이유는, 웨이퍼 이면에 대한 연마가 진행되는 동안 웨이퍼 전면(全面)에 오염물질 및 기타 이물질이 부착되어 반도체 소자의 특성이 열화되는 것을 방지하기 위함이다.

이하 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 웨이퍼 테이핑 장치에 대해 설명한다.

도 1은 종래 기술에 따른 웨이퍼 테이핑 장치를 보여주는 도면이다.

도 1에서 보는 바와 같이, 종래의 웨이퍼 테이핑 장치는 웨이퍼(W)를 순차적으로 공급하는 웨이퍼 로딩부(110), 그 웨이퍼 로딩부(110)로부터 공급된 웨이퍼(W)를 이송받아 소정의 기준에 맞 추어 정렬시키는 웨이퍼 정렬부(130), 그 웨이퍼 정렬부(130)에서 정렬된 웨이퍼(W)를 이송받아 테이핑을 수행하며 테이핑에 필요한 링(40)을 공급하는 링 공급부(141)와 테이프(30)를 공급하는 테이프 공급부(142)를 포함하는 테이핑부(140), 테이핑이 완료되어 일체화된 링(40) 웨이퍼(W)를 배출하기 위한 웨이퍼 언로딩부(150)로 구성된다.

그러나, 상기 테이핑부(140)에서의 공정, 즉 웨이퍼(W) 전면에 테이프(30)를 접착하는 공정에서 발생한 테이프 찌꺼기와 같은 파티클(Pa)이 웨이퍼(W) 상면에 접차시 테이프 내측 또는 외측에 잔류할 수 있다. 이 경우 작업자의 육안을 통해 전수검사를 진행하므로 웨이퍼(W)의 불량을 검출하지 못하는 경우가 발생한다.

상기와 같은 웨이퍼(W)의 불량이 발생한 경우, 파티클(Pa)의 두께로 인하여 파티클(Pa)이 잔류하는 영역이 웨이퍼(W)가 더 얇게 연마되거나 심한 경우, 웨이퍼 크랙(CRACK)이나, 부분적으로 조각나는 결함(CHIPPING DEFECT), 혹은 웨이퍼 파손(WAFER BROKEN)과 같은 중대한 결함을 초래 할 수 있다.

물론 상기 공정에서 웨이퍼가 안착되는 곳에서의 파티클(Pa)은, 연마가 수행되기 전에 크리닝공정으로 1차 제거 되기때문에 크게는 문제되지 않았으나, 웨이퍼에 접착되어서 장치로 인입하는 파티클(Pa)은 제거가 곤란하고, 이로 인한 공정 결함의 발생이 불가피한 것이 현재의 문제점이다.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 웨이퍼 전면에 테이프를 접착하는 공정에서 웨이퍼 상면에 접착된 테이프 내측 또는 외측에 발생한 파티클을 감지하여 공정 결함을 방지할 수 있는 보호테이핑 처리된 반도체 웨이퍼의 이물질 검출장치를 제공하는데 있다.

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 보호테이핑 처리된 반도체 웨이퍼의 이물질 검출장치는 일면이 테이핑 처리된 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼지지대(제1감지테이블)와; 상기 웨이퍼의 상면측으로 소정의 조사광을 조사하여 파티클을 검출하는 이물질감지기(제1감지기)를 포함한다.

여기서, 상기 이물질감지기(제1감지기)는 회전구동에 의해 소정의 방향으로 회전가능하게 설치되는 상기 웨이퍼지지대(제1감지테이블)의 일측에 설치되어 상기 웨이퍼의 상면과 근접된 위치로 하여 웨이퍼와 평행하게 소정의 조사광을 출사하는 발광부와, 상기 발광부가 설치된 타측에 설치되어 상기 발광부로부터 조사되는 조사광을 수광하는 수광부를 포함하며, 상기 발광부 및 수광부는 수직이동수단에 의해 승·하강 가능하고, 적어도 한 쌍으로 이루어진 것이 바람직하다.

그리고, 본 발명의 테이핑 처리된 웨이퍼의 이물질 검출장치는 상기 웨이퍼지지대(제1감지테이블)을 비롯해 일면이 테이핑 처리된 웨이퍼를 안착시키는 웨이퍼지지대(제2감지테이블)와; 상기 웨이퍼의 상면과 접촉되어 그 상면에서 유발되는 평행도 이탈 감지를 통해 이물질 유무를 검사하는 이물질감지기(제2감지기);를 포함한다.

여기서, 상기 이물질감지기(제2감지기)는 상기 웨이퍼 상면과 접촉되고 회전하는 접촉회전부재와; 상기 접촉회전부재의 양단에 설치되며 상기 접촉회전부재를 회전가능하게 지지하는 지지부재와; 상기 지지부재를 고정블럭에 탄력적으로 설치하는 탄성부재와; 상기 고정블럭 하단에 설치되어 상기 지지부재와의 접촉유무에 따라 이물질을 감지하는 접촉감지부;를 포함하는 것이 바람직하다.

그리고, 상기 웨이퍼지지대(제2감지테이블)는 상기 접촉회전부재의 저면에 수평방향을 따라 Y축 이동이 가능하게 설치되는 것이 바람직하다.

나아가, 일면이 테이핑 처리된 웨이퍼를 지지하는 제1감지테이블과; 상기 웨이퍼의 상면측으로 소정의 조사광을 조사하여 파티클을 검출하는 제1감지기와; 상기 제1감지테이블을 통해 1차 이물질 검출작업을 마친 상기 웨이퍼를 전달 받아 그 상면에 안착시키는 제2감지테이블와; 상기 제2감지테이블에 안착된 웨이퍼의 상면과 접촉되어 그 상면에서 유발되는 평행도 이탈 감지를 통해 이물질 유무를 검사하는 제2감지기를 포함한다.

여기서, 상기 제1감지기는 상기 제1감지테이블의 일측에 설치되어 상기 웨이퍼의 상면과 근접된 위치로 하여 웨이퍼와 평행하게 소정의 조사광을 출사하는 발광부와, 상기 발광부가 설치된 타측에 설치되어 상기 발광부로부터 조사되는 조사광을 수광하는 수광부를 포함하는 것이 바람직하다.

그리고, 상기 발광부 및 수광부는 수직이동수단에 의해 승·하강 가능하게 설치되고, 상기 발광부 및 수광부는 적어도 한 쌍으로 이루어지며, 제 1감지테이블은 회전구동에 의해 소정의 방향으로 회전가능하게 설치되는 것이 바림직하다.

또한, 상기 제 2감지기는 상기 웨이퍼 상면과 접촉되는 접촉회전부재와; 상기 접촉회전부재의 양단에 설치되며 상기 접촉회전부재를 회전가능하게 지지하는 지지부재와; 상기 지지부재를 고정블럭에 탄력적으로 설치하는 탄성부재와; 상기 고정블럭 하단에 설치되어 상기 지지부재와의 접촉유무에 따라 이물질을 감지하는 접촉감지부;를 포함하고, 상기 제2감지테이블은 상기 접촉회전부재의 저면에 수평방향을 따라 Y축 이동이 가능하게 설치되는 것이 바람직하다.

도 2는 본 발명에 따른 보호테이핑 처리된 반도체 웨이퍼의 이물질 검출장치를 나타내는 평면도이고, 도 3은 도 2의 1A-1A’를 따른 측단면도이며, 도 4는 도 2의 2B-2B’를 따른 측단면도이다.

이하 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 일 실시예에 의한 구성 및 작용에 대해서 설명한다.

상기 도면에서 보면, 본 발명의 테이핑 처리된 웨이퍼의 이물질 검출장치는 일면이 테이핑 처리된 웨이퍼(W)를 지지하는 웨이퍼지지대(제1감지테이블)(300)와; 상기 웨이퍼(W)의 상면측으로 소정의 조사광을 조사하여 파티클(Pa)을 검출하는 이물질감지기(제1감지기)(320)를 포함한다.

여기서, 상기 이물질감지기(제1감지기)(320)는 회전구동에 의해 소정의 방향으로 회전가능하게 설치되는 상기 웨이퍼지지대(제1감지테이블)(300)의 일측에 설치되어 상기 웨이퍼(W)의 상면과 근접된 위치로 하여 웨이퍼(W)와 평행하게 소정의 조사광을 출사하는 발광부(321)와, 상기 발광부(321)가 설치된 타측에 설치되어 상기 발광부(321)로부터 조사되는 조사광을 수광하는 수광부(322)를 포함하며, 상기 발광부(321) 및 수광부(322)는 수직이동수단에 의해 승·하강 가능하고, 적어도 한 쌍으로 이루어진 것이 바람직하다.

그리고, 본 발명의 테이핑 처리된 웨이퍼의 이물질 검출장치는 상기 웨이퍼지지대(제1감지테이블)(300)을 비롯해 일면이 테이핑 처리된 웨이퍼(W)를 안착시키는 웨이퍼지지대(제2감지테이블)(400)와 상기 웨이퍼(W)의 상면과 접촉되어 그 상면에서 유발되는 평행도 이탈 감지를 통해 이물질 유무를 검사하는 이물질감지기(제2감지기)(410)를 포함한다.

여기서, 상기 이물질감지기(제2감지기)(410)는 상기 웨이퍼(W) 상면과 접촉되는 접촉회전부재(420)와 상기 접촉회전부재(420)의 양단에 설치되며 상기 접촉회전부재(420)를 회전가능하게 지지하는 지지부재(413)와 상기 지지부재(413)를 고정블럭(414)에 탄력적으로 설치하는 탄성부재(412)와; 상기 고정블럭(414) 하단에 설치되어 상기 지지부재(413)와의 접촉유무에 따라 이물질을 감지하는 접촉감지부(411)를 포함하는 것이 바람직하다.

그리고, 상기 웨이퍼지지대(제2감지테이블)(400)는 상기 접촉회전부재(420)의 저면에 수평방향을 따라 Y축 이동이 가능하게 설치되는 것이 바람직하다.

나아가, 일면이 테이핑 처리된 웨이퍼(W)를 지지하는 제1감지테이블(300)과; 상기 웨이퍼(W)의 상면측으로 소정의 조사광을 조사하여 파티클(Pa)을 검출하는 제1감지기(320)와 상기 제1감지테이블(300)을 통해 1차 이물질 검출작업을 마친 상기 웨이퍼(W)를 전달 받아 그 상면에 안착시키는 제2감지테이블(400)과 상기 제2감지테이블(400)에 안착된 웨이퍼(W)의 상면과 접촉되어 그 상면에서 유발되는 평행도 이탈 감지를 통해 이물질 유무를 검사하는 제2감지기(410)를 포함한다.

여기서, 상기 제1감지기(320)는 상기 제1감지테이블(300)의 일측에 설치되어 상기 웨이퍼(W)의 상면과 근접된 위치로 하여 웨이퍼(W)와 평행하게 소정의 조사광을 출사하는 발광부(321)와, 상기 발광부(321)가 설치된 타측에 설치되어 상기 발광부(321)로부터 조사되는 조사광을 수광하는 수광부(322)를 포함하는 것이 바람직하다.

그리고, 상기 발광부(321) 및 수광부(322)는 수직이동수단에 의해 승·하강 가능하게 설치되고, 상기 발광부(321) 및 수광부(322)는 적어도 한 쌍으로 이루어지며, 제 1감지테이블(300)은 회전구동에 의해 소정의 방향으로 회전가능하게 설치되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 제 2감지기(410)는 상기 웨이퍼(W) 상면과 접촉되는 접촉회전부재(420)와 상기 접촉회전부재(420)의 양단에 설치되며 상기 접촉회전부재(420)를 회전가능하게 지지하는 지지부재(413)와 상기 지지부재(413)를 고정블럭(414)에 탄력적으로 설치하는 탄성부재(412)와 상기 고정블럭(414) 하단에 설치되어 상기 지지부재(413)와의 접촉유무에 따라 이물질(Pa)을 감지하는 접촉감지부(411)를 포함하고, 상기 제2감지테이블(400)은 상기 접촉회전부재(420)의 저면에 수평방향을 따라 Y축 이동이 가능하게 설치되는 것이 바람직하다.

본 발명의 일 실시예에 따른 보호테이핑 처리된 반도체 웨이퍼의 이물질 검출장치의 구성을 통한 작용을 상세히 설명하도록 한다.

먼저, 웨이퍼(W) 상면에 테이프(210)를 접착시키기 위해 회전 기능을 갖고 압착하는 고무롤러(220)를 통과하게 되며, 상기 테이핑 된 웨이퍼(W)는 이송장치(230)에 의해 웨이퍼지지대(제 1감지테이블)(300)로 이송된다. 웨이퍼지지대(제 1 감지테이블)(300)로 이송된 웨이퍼(W)는 진공흡착판(310) 상면에 흡착되게 되며, 이때, 이물질감지기(제 1감지기)(320)는 먼저 웨이퍼(W)를 검출하기 위해 홈포지션(HP)에의 적정위치에서 발광기(321)로부터 광(a)을 출사함을 통해 소정의 두께를 가진 웨이퍼(W)를 1차적으로 검출한다. 다음 진공흡착판(310) 하면에 설치된 교류모터(330)에 의해 설정된 시간동안 회전 동작을 수행하며, 이물질감지기(제 1감지기)(320)는 웨이퍼(W)와 테이프(210) 및 파티클(Pa)의 두께를 고려한 소정의 높이(h)로 제 1감지기(320)가 승·하강동작을 수행한다. 이물질감지기(제 1감지기)(320)가 승·하강동작을 수행하면서 웨이퍼(W), 테이프(210), 파티클(Pa)의 두께를 합한 소정의 높이(h)에서 발광기(321)로 부터 조사된 광(a)이 웨이퍼(W) 상면으로 평행하게 출사되고, 이 출사된 광(a)은 웨이퍼(W) 상면에 도포된 테이프(210)내의 파티클(Pa)로 인해 높아진 부분에 부딪혀 반사된다. 다음, 이물질감지기(제 1감지기)(320)가 계속적으로 상승하는 동안 파티클(Pa)의 높이를 포함한 소정 높이(h)에서 광(a)이 수광기(322)에 수광되면 이는 불량 웨이퍼(W)로 인식하고 수량을 카운트하여 카운트기(도시되어 있지 않음)에 입력시키게 된다.

웨이퍼지지대(제 1감지테이블)(300)에서 소정의 작업 수행을 마친 웨이퍼(W)는 웨이퍼지지대(제 2감지테이블)(400)로 이송장치(230)에 의해 이송되고, 척(430)의 상면에 안착된다. 그리고 이물질감지기(제 2감지기)(410) 양끝단에 설치된 접촉회전부재(420)가 회전하면서 모터(도시되어 있지 않음)의 동력에 의해 웨이퍼(W) 상면으로 하강한다. 다음, 웨이퍼지지대(제 2감지테이블)(400)는 접촉회전부재(420)가 하강하는 방향에 수직으로 직선운동을 한다. 이때, 접촉회전부재(420)가 웨이퍼(W) 상면으로 하강하는 경우 평형을 유지하고, 이물질감지기(제 2감지기)(410) 하단에 설치된 지지부재(413)가 접촉감지부(411)에 비접촉하는 경우 인식부(도시되어 있지 않음)에서 정상적인 웨이퍼로 인식한다.

그러나, 도 4에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W) 상면에 도포된 테이프(210) 내면에 파티클(Pa)이 끼어 있는 경우 이물질감지기(제 2감지기)(410)하부에 설치되어 있는 접촉회전부재(420)가 웨이퍼(W)상면의 테이프(210)내에 끼인 파티클(Pa)의 높이차로 인하여 평형이 유지 되지 않으며, 아울러 지지부재(413)가 접촉감지부(411)에 접촉함으로 인해 인식부(도시되어 있지 않음)에서 불량 웨이퍼(W)로 인식하여 판별한다.

상술한 바와 같이 본 발명의 실시예에 의하면, 웨이퍼 테이핑 공정에서 테이핑 되어진 후 웨이퍼 상면에 존재하는 파티클로 인한 불량 웨이퍼를 검출할 수 있도록 두종류의 감지테이블을 설치하고, 웨이퍼에 대한 연마가 진행되기 전에 이를 가동시켜 불량 웨이퍼를 자동으로 검출함으로써 작업자의 전수검사를 간소화하고, 후속 공정에서 발생하는 웨이퍼 크랙(CRACK), 부분적으로 조각나는 결함(CHIPPING DEFECT), 웨이퍼 파손(BROKEN)과 같은 공정 결함을 미연에 방지 할 수 있다.

도 1은 종래 기술에 따른 반도체 웨이퍼 테이핑 장치를 보여주는 도면,

도 2는 본 발명에 따른 보호테이핑 처리된 반도체 웨이퍼의 이물질 검출장치를 나타내는 평면도,

도 3은 도 2의 1A-1A’를 따른 측단면도,

도 4는 도 2의 2B-2B’를 따른 측단면도이다.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >

200 : 웨이퍼 테이핑부 210 : 보호 테이프

220 : 고무롤러 230 : 이송장치

300 : 웨이퍼지지대(제 1감지테이블) 310 : 진공흡착판

320 : 이물질감지기(제 1감지기) 321 : 발광기

322 : 수광기 330 : 교류모터

400 : 웨이퍼지지대(제2 감지테이블) 410 : 이물질감지기(제 2감지기)

411 : 접촉감지부 412 : 탄성부재

413 : 지지부재 420 : 접촉회전부재

430 : 척 W : 웨이퍼

HP : 홈포지션 Pa : 파티클

Claims

일면이 테이핑 처리된 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼지지대(제1감지테이블);

상기 웨이퍼의 상면측으로 소정의 조사광을 조사하여 파티클을 검출하는 이물질감지기(제1감지기)를 포함하는 것을 특징으로 하는 보호테이핑 처리된 반도체 웨이퍼의 이물질 검출장치.
제 1항에 있어서,

상기 이물질감지기(제1감지기)는 상기 웨이퍼지지대(제1감지테이블)의 일측에 설치되어 상기 웨이퍼의 상면과 근접된 위치로 하여 웨이퍼와 평행하게 소정의 조사광을 출사하는 발광부와, 상기 발광부가 설치된 타측에 설치되어 상기 발광부로부터 조사되는 조사광을 수광하는 수광부를 포함하는 것을 특징으로 하는 보호테이핑 처리된 반도체 웨이퍼의 이물질 검출장치.
제 2항에 있어서,

상기 발광부 및 수광부는 수직이동수단에 의해 승·하강 가능하게 설치된 것을 특징으로 하는 보호테이핑 처리된 반도체 웨이퍼의 이물질 검출장치.
제 2항에 있어서,

상기 발광부 및 수광부는 적어도 한 쌍으로 이루어진 것을 특징으로 하는 보호테이핑 처리된 반도체 웨이퍼의 이물질 검출장치.
제 2항에 있어서,

상기 웨이퍼지지대(제1감지테이블)는 회전구동에 의해 소정의 방향으로 회전가능하게 설치된 것을 특징으로 하는 보호테이핑 처리된 반도체 웨이퍼의 이물질 검출장치.
일면이 테이핑 처리된 웨이퍼를 안착시키는 웨이퍼지지대(제2감지테이블);

상기 웨이퍼의 상면과 접촉되어 그 상면에서 유발되는 평행도 이탈 감지를 통해 이물질 유무를 검사하는 이물질감지기(제2감지기);를 포함하는 것을 특징으로 하는 보호테이핑 처리된 반도체 웨이퍼의 이물질 검출장치.
제 6항에 있어서,

상기 이물질감지기(제2감지기)는 상기 웨이퍼 상면과 접촉되는 접촉회전부재와; 상기 접촉회전부재의 양단에 설치되며 상기 접촉회전부재를 회전가능하게 지지하는 지지부재와; 상기 지지부재를 고정블럭에 탄력적으로 설치하는 탄성부재와; 상기 고정블럭 하단에 설치되어 상기 지지부재와의 접촉유무에 따라 이물질을 감지하는 접촉감지부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 보호테이핑 처리된 반도체 웨이퍼의 이물질 검출장치.
제 6항에 있어서,

상기 웨이퍼지지대(제2감지테이블)는 상기 접촉회전부재의 저면에 수평방향을 따라 Y축 이동이 가능하게 설치된 것을 특징으로 하는 보호테이핑 처리된 반도체 웨이퍼의 이물질 검출장치.
일면이 테이핑 처리된 웨이퍼를 지지하는 제1감지테이블;

상기 웨이퍼의 상면측으로 소정의 조사광을 조사하여 파티클을 검출하는 제1감지기;

상기 제1감지테이블을 통해 1차 이물질 검출작업을 마친 상기 웨이퍼를 전달 받아 그 상면에 안착시키는 제2감지테이블;

상기 제2감지테이블에 안착된 웨이퍼의 상면과 접촉되어 그 상면에서 유발되는 평행도 이탈 감지를 통해 이물질 유무를 검사하는 제2감지기를 포함하는 것을 특징으로 하는 보호테이핑 처리된 반도체 웨이퍼의 이물질 검출장치.
제 9항에 있어서, 상기 제1감지기는 상기 제1감지테이블의 일측에 설치되어 상기 웨이퍼의 상면과 근접된 위치로 하여 웨이퍼와 평행하게 소정의 조사광을 출사하는 발광부와, 상기 발광부가 설치된 타측에 설치되어 상기 발광부로부터 조사되는 조사광을 수광하는 수광부를 포함하는 것을 특징으로 하는 보호테이핑 처리된 반도체 웨이퍼의 이물질 검출장치.
제 10항에 있어서, 상기 발광부 및 수광부는 수직이동수단에 의해 승·하강 가능하게 설치된 것을 특징으로 하는 보호테이핑 처리된 반도체 웨이퍼의 이물질 검출장치.
제 10항에 있어서, 상기 발광부 및 수광부는 적어도 한 쌍으로 이루어진 것을 특징으로 하는 보호테이핑 처리된 반도체 웨이퍼의 이물질 검출장치.
제 9항에 있어서, 제 1감지테이블은 회전구동에 의해 소정의 방향으로 회전가능하게 설치된 것을 특징으로 하는 보호테이핑 처리된 반도체 웨이퍼의 이물질 검출장치.
제 9항에 있어서, 상기 제 2감지기는 상기 웨이퍼 상면과 접촉되는 접촉회전부재와; 상기 접촉회전부재의 양단에 설치되며 상기 접촉회전부재를 회전가능하게 지지하는 지지부재와; 상기 지지부재를 고정블럭에 탄력적으로 설치하는 탄성부재와; 상기 고정블럭 하단에 설치되어 상기 지지부재와의 접촉유무에 따라 이물질을 감지하는 접촉감지부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 보호테이핑 처리된 반도체 웨이퍼의 이물질 검출장치.
제 9항에 있어서, 상기 제2감지테이블은 상기 접촉회전부재의 저면에 수평방향을 따라 Y축 이동이 가능하게 설치된 것을 특징으로 하는 보호테이핑 처리된 반도체 웨이퍼의 이물질 검출장치.