KR100532436B1 - 웨이퍼 레벨 패키지가 탑재된 ｐｃｂ 모듈의 양면 몰딩 방법 - Google Patents

웨이퍼 레벨 패키지가 탑재된 ｐｃｂ 모듈의 양면 몰딩 방법 Download PDF

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Abstract

PCB 모듈의 양면 몰딩 방법을 제공한다. 본 발명은 PCB의 상면 및 하면 상에 각각 범퍼가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지를 실장하여 PCB 모듈을 마련한다. 상기 PCB 모듈을 에폭시 몰딩 컴파운드가 채워지는 상부 케비티와 에폭시 몰딩 컴파운드의 주입 통로 역할을 수행하는 상부 게이트를 포함하는 상부 몰드와 상기 상부 몰드의 하부에 에폭시 몰딩 컴파운드가 채워지는 하부 케비티와 상기 에폭시 몰딩 컴파운드의 주입 통로 역할을 수행하는 하부 게이트를 포함하는 하부 몰드 사이에 장착한다. 상기 하부 게이트 및 상부 게이트에 인접한 주입부를 통하여 에폭시 몰드 컴파운드를 주입(플로우)함으로써 상기 PCB의 하면 및 상면에 각각 위치한 하부 게이트 및 상부 게이트를 통하여 하부 케비티 및 상부 케비티에 에폭시 몰드 컴파운드를 채우고 상하부 몰드로부터 상기 몰딩된 PCB 모듈을 분리한다. 상기 주입부에 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드를 제거한 후, 상기 주입부에 인접한 상기 하부 게이트 및 상부 게이트에 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드를 제거한다. 이상과 같이 본 발명은 한번에 PCB의 상면 및 하면을 몰딩하기 때문에 생산성을 향상시킬 수 있다.

Description

웨이퍼 레벨 패키지가 탑재된 ＰＣＢ 모듈의 양면 몰딩 방법{Two side molding method of PCB module mounted wafer level package}
본 발명은 웨이퍼 레벨 패키지(WLP, Wafer Level Package)가 실장된 PCB(printed Circuit Board, 인쇄회로기판) 모듈의 몰딩 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼 레벨 패키지가 실장된 PCB 모듈의 양면 몰딩 방법에 관한 것이다.
일반적으로, PCB 상에 웨이퍼 레벨 패키지를 실장한 PCB 모듈은 외부로부터의 손상을 방지하기 위해 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC, epoxy molding compound)로 몰딩을 한다. 즉, 상기 PCB의 상면 및 하면에 각각 웨이퍼 레벨 패키지가 실장된 PCB 모듈은 외부로부터의 손상을 방지하기 위해 상기 PCB의 상면 및 하면에 각각 에폭시 몰딩 컴파운드로 몰딩을 한다. 여기서, PCB 상에 웨이퍼 레벨 패키지가 실장된 PCB 모듈의 몰딩 방법을 자세히 설명한다.
도 1 내지 도 3은 종래 기술에 의해 웨이퍼 레벨 패키지가 실장된 PCB 모듈의 몰딩 방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.
구체적으로, 반도체 칩(10)의 하부에 범퍼(12)가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지(14)를 준비한다(도 1). 이어서, PCB(18)의 양면 상에, 범퍼(12)가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지(14)를 실장하여 PCB 모듈(20)을 마련한다(도 2).
다음에, 상기 PCB 모듈(20)을 몰드(22) 내에 장착한다. 이어서, 상기 몰드(22)의 일측에 위치하는 게이트(24)를 통하여 에폭시 몰드 컴파운드(26)를 몰드(22) 내로 주입한다. 다시 말해, 도 3의 화살표로 도시한 주입구를 통하여 에폭시 몰딩 컴파운드(26)를 주입하여 상기 PCB 모듈(20)을 보호한다.
계속하여, 상기 에폭시 몰딩 컴파운드(22)로 몰드된 PCB 모듈(20)을 뒤집은 다음 도 1 내지 도 3과 동일한 방법으로 PCB(18)의 하면에 위치하는 제2의 웨이퍼 레벨 패키지를 에폭시 몰드 컴파운드(미도시)로 몰딩한다.
이상과 같은 종래 기술에 의한 PCB 모듈의 몰딩 방법은 PCB의 상면과 하면을 각각 몰딩해야 하기 때문에 생산성이 저하된다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기 PCB 상면과 하면에 각각 웨이퍼 레벨 패키지가 실장된 PCB 모듈의 양면 몰딩 방법을 제공하는 데 있다.
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상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일예에 의한 PCB 모듈의 양면 몰딩 방법은 반도체 칩의 하부에 범퍼가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지를 준비한다. 상기 PCB의 상면 및 하면 상에 각각 범퍼가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지를 실장하여 PCB 모듈을 마련한다. 상기 PCB 모듈을, 에폭시 몰딩 컴파운드가 채워지는 상부 케비티와 에폭시 몰딩 컴파운드의 주입 통로 역할을 수행하는 상부 게이트를 포함하는 상부 몰드와 상기 상부 몰드의 하부에 에폭시 몰딩 컴파운드가 채워지는 하부 케비티와 상기 에폭시 몰딩 컴파운드의 주입 통로 역할을 수행하는 하부 게이트를 포함하는 하부 몰드 사이에 장착한다. 상기 하부 게이트 및 상부 게이트에 인접한 주입부를 통하여 에폭시 몰드 컴파운드를 주입(플로우)함으로써 상기 PCB의 하면 및 상면에 각각 위치한 하부 게이트 및 상부 게이트를 통하여 하부 케비티 및 상부 케비티에 에폭시 몰드 컴파운드를 채운다. 상기 상부 몰드, 하부 몰드 및 주입부로부터 상기 몰딩된 PCB 모듈을 분리한다. 상기 주입부에 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드를 제거한다. 상기 주입부에 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드를 제거한 후, 상기 주입부에 인접한 상기 하부 게이트 및 상부 게이트에 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드를 지그를 이용하여 기계적으로 제거한다.본 발명의 다른 예에 의한 PCB 모듈의 양면 몰딩 방법은 반도체 칩의 하부에 범퍼가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지를 준비한다. PCB의 상면 및 하면 상에 각각 범퍼가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지를 실장하여 PCB 모듈을 마련한다. 후에 몰드의 상부 게이트 및 하부 게이트에 해당하는 상기 PCB 모듈의 상하면의 일측면에 테이프를 부착한다. 상기 테이프가 부착된 PCB 모듈을, 에폭시 몰딩 컴파운드가 채워지는 상부 케비티와 에폭시 몰딩 컴파운드의 주입 통로 역할을 수행하는 상부 게이트를 포함하는 상부 몰드와 상기 상부 몰드의 하부에 에폭시 몰딩 컴파운드가 채워지는 하부 케비티와 상기 에폭시 몰딩 컴파운드의 주입 통로 역할을 수행하는 하부 게이트를 포함하는 하부 몰드 사이에 장착한다. 상기 하부 게이트 및 상부 게이트에 인접한 주입부를 통하여 에폭시 몰드 컴파운드를 주입(플로우)함으로써 상기 PCB의 하면 및 상면에 각각 위치한 하부 게이트 및 상부 게이트를 통하여 하부 케비티 및 상부 케비티에 에폭시 몰드 컴파운드를 채운다. 상기 상부 몰드, 하부 몰드 및 주입부로부터 상기 몰딩된 PCB 모듈을 분리한다. 상기 주입부에 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드를 제거한다. 상기 주입부에 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드를 제거한 후, 상기 주입부에 인접한 상기 하부 게이트 및 상부 게이트에 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드를 상기 테이프를 떼어냄으로써 제거한다. 또한, 본 발명의 또 다른 예에 의한 PCB 모듈의 양면 몰딩 방법은 반도체 칩의 하부에 범퍼가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지를 준비한다. 후에 몰드의 상부 게이트 및 하부 게이트에 해당하는 부분의 일측면의 두께가 나머지 본체 두께보다 낮은 PCB를 준비한다. 상기 일측면의 두께가 나머지 본체 두께보다 낮은 PCB의 상면 및 하면 상에 각각 범퍼가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지를 실장하여 PCB 모듈을 마련한다. 상기 PCB 모듈을, 에폭시 몰딩 컴파운드가 채워지는 상부 케비티와 에폭시 몰딩 컴파운드의 주입 통로 역할을 수행하는 상부 게이트를 포함하는 상부 몰드와 상기 상부 몰드의 하부에 에폭시 몰딩 컴파운드가 채워지는 하부 케비티와 상기 에폭시 몰딩 컴파운드의 주입 통로 역할을 수행하는 하부 게이트를 포함하는 하부 몰드 사이에 장착한다. 상기 하부 게이트 및 상부 게이트에 인접한 주입부를 통하여 에폭시 몰드 컴파운드를 주입(플로우)함으로써 상기 PCB의 하면 및 상면에 각각 위치한 하부 게이트 및 상부 게이트를 통하여 하부 케비티 및 상부 케비티에 에폭시 몰드 컴파운드를 채운다. 상기 상부 몰드, 하부 몰드 및 주입부로부터 상기 몰딩된 PCB 모듈을 분리한다. 상기 주입부에 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드를 제거한다. 상기 주입부에 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드를 제거한 후, 상기 주입부에 인접한 상기 하부 게이트 및 상부 게이트에 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드는 제거하지 않는다.
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이상과 같이 본 발명의 PCB 모듈의 양면 몰딩 방법은 종래 기술과 달리 PCB의 상면과 하면을 한번에 몰딩하기 때문에 생산성을 크게 향상시킬 수 있다. 더하여, 본 발명의 PCB 모듈의 양면 몰딩 방법은 주입부에 인접한 상기 하부 게이트 및 상부 게이트에 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드를 효과적으로 제거하거나, PCB의 일측면의 두께를 낮게 하여 하부 게이트 및 상부 게이트에 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드를 제거하지 않아 몰딩을 용이하게 한다. 이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다. 도면에서 막 또는 영역들의 크기 또는 두께는 명세서의 명확성을 위하여 과장되어진 것이다. 또한, 어떤 막이 다른 막 또는 기판의 "위(상)"에 있다라고 기재된 경우, 상기 어떤 막이 상기 다른 막의 위에 직접 존재할 수도 있고, 그 사이에 제3의 다른 막이 개재될 수도 있다.
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도 4 내지 도 8은 본 발명의 제1 실시예에 의해 웨이퍼 레벨 패키지가 실장된 PCB 모듈의 양면 몰딩 방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다. 특히, 도 6 및 도 7은 본 발명의 PCB 모듈의 양면 몰딩 방법에 적용된 몰드가 도시되어 있다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 반도체 칩(101)의 하부에 범퍼(103)가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지(105)를 준비한다(도 4). PCB(107)의 상면 및 하면 상에 각각 범퍼(101)가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지(105)를 실장하여 PCB 모듈(109)을 마련한다(도 5).
도 6을 참조하면, 상기 PCB 모듈(109)을 몰드(115) 내에 장착한다. 상기 몰드(115)는 상부 몰드(111) 및 하부 몰드(113)로 구성된다. 상기 상부 몰드(111)는 에폭시 몰딩 컴파운드가 채워지는 상부 케비티(117) 및 에폭시 몰딩 컴파운드의 주입 통로 역할을 하는 상부 게이트(119)를 포함하며, 하부 몰드(113)는 에폭시 몰딩 컴파운드가 채워지는 하부 케비티(121) 및 에폭시 몰딩 컴파운드의 주입 통로 역할을 하는 하부 게이트(123)를 포함한다. 그리고, 상기 상부 게이트(119) 및 하부 게이트(123)에 접하여 상기 상부 몰드(111) 및 하부 몰드(113)의 일측에 외부의 플런저(미도시, plunger)를 이용하여 에폭시 몰딩 컴파운드가 주입되는 주입부(125)를 포함한다. 도 6에서, 참조번호 127은 에폭시 몰딩 컴파운드가 주입되는 부분이다.
상기 PCB 모듈(109)은 상기 상부 몰드(111) 및 하부 몰드(113) 사이에 장착된다. 특히, 상기 범퍼(101)가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지(105)는 상부 케비티(117) 및 하부 케비티(119) 내에 위치한다. 도 6에서는 상부 몰드(111) 및 하부 몰드(113)로 몰드(115)를 구성하는 것으로 설명되어 있으나, 크게 보아서는 상기 상부 몰드(111), 하부 몰드(113) 및 주입부(125)로 몰드를 구성하는 것으로 설명할 수 도 있다.
도 7을 참조하면, 상기 하부 게이트(123) 및 상부 게이트(119)에 인접한 주입부(125)를 통하여 도 6의 화살표 방향으로 에폭시 몰드 컴파운드(129)를 주입(플로우)한다. 이렇게 되면, 하부 게이트(123)를 통하여 하부 케비티(121)에 에폭시 몰드 컴파운드(129)가 채워지고, 상기 상부 게이트(119)를 통하여 상부 케비티(117)에 에폭시 몰드 컴파운드(129)가 채워진다.
도 8을 참조하면, 상기 상부 몰드(111), 하부 몰드(113) 및 주입부(125)로부터 상기 몰딩된 PCB 모듈(109)을 분리한다. 이어서, 디게이팅(degating) 공정을 수행한다. 즉, 상기 주입부(125)에 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드를 제거한 후 하부 게이트(123) 및 상부 게이트(119)에 의해 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드를 제거하면 PCB 모듈 패키지 성형품(131)이 완성된다. 상기 하부 게이트(123) 및 상부 게이트(119)에 의해 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드(129)는 다양한 방법에 의해 제거할 수 있다. 본 실시예에서는 하부 게이트(123) 및 상부 게이트(119)에 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드(129)를 지그를 이용하여 기계적으로 제거한다.
도 9 내지 도 11은 본 발명의 제2 실시예에 의해 웨이퍼 레벨 패키지가 실장된 PCB 모듈의 양면 몰딩 방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다. 도 10 및 도 11은 본 발명의 PCB 모듈의 양면 몰딩 방법에 적용된 몰드가 도시되어 있다. 도 9 내지 도 11에서, 도 4 내지 도 8과 동일한 참조번호는 동일한 부재를 나타낸다.
구체적으로, 본 발명의 제2 실시예에 의한 PCB 모듈의 양면 몰딩 방법은 제1 실시예와 비교하여 상부 게이트(119) 및 하부 게이트(123)에 해당하는 PCB(107)의 일측면에 테이프(201)를 부착한 것을 제외하고는 동일하다. 상기 테이프(201)는 에폭시 몰딩 컴파운드(129)를 주입한 후 상기 테이프(201)를 떼어내어 상부 게이트(119) 및 하부 게이트(123)에 의해 형성된 잔류 에폭시 몰딩 컴파운드(129)를 제거하는 데 사용한다.
도 9를 참조하면, 도 4와 같이 반도체 칩(101)의 하부에 범퍼(103)가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지(105)를 준비한다. PCB(107)의 상면 및 하면 상에 각각 범퍼(103)가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지(105)를 실장하여 PCB 모듈(109)을 마련한다. 이어서, 상기 PCB(107)의 상하면의 일측면에 테이프(201)를 부착한다. 상기 테이프(201)는 후에 몰드의 상부 게이트 및 하부 게이트에 대응되는 위치에 부착한다. 결과적으로, 하부 게이트 및 상부 게이트에 대응되는 PCB의 일측면에 테이프가 부착된 PCB 모듈(109)이 준비된다.
도 10을 참조하면, 상기 테이프(201)가 부착된 PCB 모듈(109)을 몰드(115)에 장착한다. 상기 몰드(115)는 제1 실시예와 동일한 구조의 몰드를 사용하기 때문에 편의상 설명은 생략한다.
도 11을 참조하면, 주입부(125)를 통하여 에폭시 몰드 컴파운드(129)를 주입(플로우)한다. 이에 따라, 하부 게이트(123)를 통하여 하부 케비티에 에폭시 몰드 컴파운드(129)가 채워지고, 상기 상부 게이트(119)를 통하여 상부 케비티(117)에 에폭시 몰드 컴파운드(129)가 채워진다.
계속하여, 상기 상부 몰드(111), 하부 몰드(113) 및 주입부(125)로부터 상기 몰딩된 PCB 모듈(109)을 분리하고 디게이팅 공정에 의해 상기 주입부(125) 및 하부 게이트(121), 상부 게이트(117)에 의해 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드(129)를 순차적으로 제거한다. 이렇게 되면, 도 8과 같은 PCB 모듈 패키지 성형품(131)이 완성된다. 상기 하부 게이트(123) 및 상부 게이트(119)에 의해 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드(129)는 다양한 방법을 제거할 수 있다. 본 실시예에서는 앞서 설명한 바와 같이 테이프(201)를 떼어내어 상기 상부 게이트(119) 및 하부 게이트(123)에 의해 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드(129)를 제거한다.
도 12 내지 도 15는 본 발명의 제3 실시예에 의해 웨이퍼 레벨 패키지가 실장된 PCB 모듈의 양면 몰딩 방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다. 도 13 및 도 14는 본 발명의 PCB 모듈의 양면 몰딩 방법에 적용된 몰드가 도시되어 있다. 도 12 내지 도 15에서, 도 4 내지 도 8과 동일한 참조번호는 동일한 부재를 나타낸다.
구체적으로, 본 발명이 제3 실시예에 의한 PCB 모듈의 양면 몰딩 방법은 제1 실시예와 비교하여 상부 게이트(119) 및 하부 게이트(123)에 대응하는 부분(301)의 PCB(107)의 두께가 얇게 단차진 것을 제외하고는 동일하다. 도 15에 도시한 바와 같이 상기 얇은 두께 부분(301)에 해당하는 상부 게이트(119) 및 하부 게이트(123)에 위치한 잔류 에폭시 몰딩 컴파운드(129)는 제거하지 않고 남겨둔다.
도 12를 참조하면, 반도체 칩(101)의 하부에 범퍼(103)가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지(105)를 준비한다. 상기 PCB(107)의 일측면이 얇은 두께로 된 PCB(109)를 준비한다. 상기 얇은 두께에 해당하는 PCB(107)는 후에 몰드(115)의 상부 게이트(119) 및 하부 게이트(123)에 대응되는 위치에 설치된다. 이어서, 일측면이 얇은 두께로 된 PCB(107)의 상면 및 하면 상에 각각 범퍼(103)가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지를 실장하여 PCB 모듈(109)을 마련한다.
도 13을 참조하면, 상기 일측면이 얇은 두께로 된 PCB 모듈(109)을 몰드(115)에 장착한다. 상기 몰드(115)는 제1 실시예와 동일한 구조의 몰드를 사용하기 때문에 편의상 설명은 생략한다.
도 14를 참조하면, 주입부(129)를 통하여 도 15의 화살표 방향으로 에폭시 몰드 컴파운드(129)를 주입(플로우)한다. 이에 따라, 하부 게이트(123)를 통하여 하부 케비티(121)에 에폭시 몰드 컴파운드(129)가 주입되고, 상기 상부 게이트(119)를 통하여 상부 케비티(117)에 에폭시 몰드 컴파운드(129)가 주입된다.
도 15를 참조하면, 상기 상부 몰드(111), 하부 몰드(113) 및 주입부(125)로부터 상기 몰딩된 PCB 모듈(109)을 분리하고 디게이팅 공정에 의해 상기 주입부(125)에 의해 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드(129)를 제거하면 PCB 모듈 패키지 성형품(303)이 완성된다. 특히, 본 발명의 제3 실시예에 의한 PCB 모듈 방법은 상기 얇은 두께의 PCB(107) 상의 하부 게이트(123) 및 상부 게이트(119)에 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드(129)는 제거하지 않고 남겨둔다.
상술한 바와 같이 본 발명의 PCB 모듈의 양면 몰딩 방법은 종래 기술과 달리 PCB의 상면과 하면을 한번에 몰딩하기 때문에 생산성을 크게 향상시킬 수 있다. 더하여, 본 발명은 PCB 모듈의 양면 몰딩시 주입부에 인접한 상기 하부 게이트 및 상부 게이트에 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드를 효과적으로 제거하거나, PCB의 일측면의 두께를 낮게 하여 하부 게이트 및 상부 게이트에 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드를 제거하지 않고 몰딩을 용이하게 한다.
도 1 내지 도 3은 종래 기술에 의해 웨이퍼 레벨 패키지가 실장된 PCB 모듈의 몰딩 방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.
도 4 내지 도 8은 본 발명의 제1 실시예에 의해 웨이퍼 레벨 패키지가 실장된 PCB 모듈의 양면 몰딩 방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.
도 9 내지 도 11은 본 발명의 제2 실시예에 의해 웨이퍼 레벨 패키지가 실장된 PCB 모듈의 양면 몰딩 방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.
도 12 내지 도 15는 본 발명의 제3 실시예에 의해 웨이퍼 레벨 패키지가 실장된 PCB 모듈의 양면 몰딩 방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.

Claims (8)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 반도체 칩의 하부에 범퍼가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지를 준비하는 단계;
    PCB의 상면 및 하면 상에 각각 범퍼가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지를 실장하여 PCB 모듈을 마련하는 단계;
    상기 PCB 모듈을, 에폭시 몰딩 컴파운드가 채워지는 상부 케비티와 에폭시 몰딩 컴파운드의 주입 통로 역할을 수행하는 상부 게이트를 포함하는 상부 몰드와 상기 상부 몰드의 하부에 에폭시 몰딩 컴파운드가 채워지는 하부 케비티와 상기 에폭시 몰딩 컴파운드의 주입 통로 역할을 수행하는 하부 게이트를 포함하는 하부 몰드 사이에 장착하는 단계;
    상기 하부 게이트 및 상부 게이트에 인접한 주입부를 통하여 에폭시 몰드 컴파운드를 주입(플로우)함으로써 상기 PCB의 하면 및 상면에 각각 위치한 하부 게이트 및 상부 게이트를 통하여 하부 케비티 및 상부 케비티에 에폭시 몰드 컴파운드를 채우는 단계;
    상기 상부 몰드, 하부 몰드 및 주입부로부터 상기 몰딩된 PCB 모듈을 분리하는 단계;
    상기 주입부에 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드를 제거하는 단계; 및
    상기 주입부에 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드를 제거한 후, 상기 주입부에 인접한 상기 하부 게이트 및 상부 게이트에 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드를 지그를 이용하여 기계적으로 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 PCB 모듈의 양면 몰딩 방법.
  5. 반도체 칩의 하부에 범퍼가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지를 준비하는 단계;
    PCB의 상면 및 하면 상에 각각 범퍼가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지를 실장하여 PCB 모듈을 마련하는 단계;
    후에 몰드의 상부 게이트 및 하부 게이트에 해당하는 상기 PCB 모듈의 상하면의 일측면에 테이프를 부착하는 단계;
    상기 테이프가 부착된 PCB 모듈을, 에폭시 몰딩 컴파운드가 채워지는 상부 케비티와 에폭시 몰딩 컴파운드의 주입 통로 역할을 수행하는 상부 게이트를 포함하는 상부 몰드와 상기 상부 몰드의 하부에 에폭시 몰딩 컴파운드가 채워지는 하부 케비티와 상기 에폭시 몰딩 컴파운드의 주입 통로 역할을 수행하는 하부 게이트를 포함하는 하부 몰드 사이에 장착하는 단계;
    상기 하부 게이트 및 상부 게이트에 인접한 주입부를 통하여 에폭시 몰드 컴파운드를 주입(플로우)함으로써 상기 PCB의 하면 및 상면에 각각 위치한 하부 게이트 및 상부 게이트를 통하여 하부 케비티 및 상부 케비티에 에폭시 몰드 컴파운드를 채우는 단계;
    상기 상부 몰드, 하부 몰드 및 주입부로부터 상기 몰딩된 PCB 모듈을 분리하는 단계;
    상기 주입부에 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드를 제거하는 단계; 및
    상기 주입부에 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드를 제거한 후, 상기 주입부에 인접한 상기 하부 게이트 및 상부 게이트에 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드를 상기 테이프를 떼어냄으로써 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 PCB 모듈의 양면 몰딩 방법.
  6. 반도체 칩의 하부에 범퍼가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지를 준비하는 단계;
    후에 몰드의 상부 게이트 및 하부 게이트에 해당하는 부분의 일측면의 두께가 나머지 본체 두께보다 낮은 PCB를 준비하는 단계;
    상기 일측면의 두께가 나머지 본체 두께보다 낮은 PCB의 상면 및 하면 상에 각각 범퍼가 부착된 웨이퍼 레벨 패키지를 실장하여 PCB 모듈을 마련하는 단계;
    상기 PCB 모듈을, 에폭시 몰딩 컴파운드가 채워지는 상부 케비티와 에폭시 몰딩 컴파운드의 주입 통로 역할을 수행하는 상부 게이트를 포함하는 상부 몰드와 상기 상부 몰드의 하부에 에폭시 몰딩 컴파운드가 채워지는 하부 케비티와 상기 에폭시 몰딩 컴파운드의 주입 통로 역할을 수행하는 하부 게이트를 포함하는 하부 몰드 사이에 장착하는 단계;
    상기 하부 게이트 및 상부 게이트에 인접한 주입부를 통하여 에폭시 몰드 컴파운드를 주입(플로우)함으로써 상기 PCB의 하면 및 상면에 각각 위치한 하부 게이트 및 상부 게이트를 통하여 하부 케비티 및 상부 케비티에 에폭시 몰드 컴파운드를 채우는 단계;
    상기 상부 몰드, 하부 몰드 및 주입부로부터 상기 몰딩된 PCB 모듈을 분리하는 단계;
    상기 주입부에 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드를 제거하는 단계; 및
    상기 주입부에 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드를 제거한 후, 상기 주입부에 인접한 상기 하부 게이트 및 상부 게이트에 잔류한 에폭시 몰딩 컴파운드는 제거하지 않는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 PCB 모듈의 양면 몰딩 방법.
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