KR100526244B1 - 흡습방지형 파워 엠프 모듈및 이를 제조하는 방법 - Google Patents

흡습방지형 파워 엠프 모듈및 이를 제조하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100526244B1
KR100526244B1 KR10-2003-0041386A KR20030041386A KR100526244B1 KR 100526244 B1 KR100526244 B1 KR 100526244B1 KR 20030041386 A KR20030041386 A KR 20030041386A KR 100526244 B1 KR100526244 B1 KR 100526244B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
module
module substrate
substrate
mold portion
outer edge
Prior art date
Application number
KR10-2003-0041386A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050000833A (ko
Inventor
조원창
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR10-2003-0041386A priority Critical patent/KR100526244B1/ko
Publication of KR20050000833A publication Critical patent/KR20050000833A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100526244B1 publication Critical patent/KR100526244B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 통신기기의 안테나측으로 전송되는 송신신호를 증폭하는 모듈에 있어서, 상부면에 인쇄된 패턴회로를 보호하도록 PSR층이 도포되는 모듈기판과, 상기 패턴회로와 와이어를 매개로 연결되도록 상기 모듈기판상의 소정위치에 탑재되는 IC칩과, 상기 모듈기판의 상부면에 탑재되는 IC칩과 수동소자를 보호하도록 상기 모듈기판의 상부공간을 일정높이로 덮는 몰드부를 포함하고, 상기 모듈기판의 외측테두리를 따라 상기 몰드부가 채워지도록 일정깊이의 단턱을 형성하고, 상기 몰드부의 하부면 외측테두리와 상기 모듈기판의 상부면 외측테두리가 상기 단턱을 따라 국부적으로 면접촉된다.
본 발명에 의하면, 외부환경에 의해서 수축변형율이 높은 소재층을 외부로 노출시키지 않고, 그 응력변형을 최소화함으로서 외부환경에 노출되는 측면에서의 층간 미세균열을 억제하고, 이를 통한 외부로부터의 흡습을 차단하여 완제품의 특성저하및 유저불량을 방지하여 제품신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 얻어진다.

Description

흡습방지형 파워 엠프 모듈및 이를 제조하는 방법{A POWER AMPLIFIER MODULE FOR BLOCKING THE ABSORBING MOISTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING IT}
본 발명은 파워엠프모듈및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세히는 외부환경에 의해서 수축변형율이 높은 소재층을 외부로 노출시키지 않고, 그 응력변형을 최소화함으로서 외부환경에 노출되는 측면에서의 층간 미세균열을 억제하고, 이를 통한 외부로부터의 흡습을 차단하여 완제품의 특성저하및 유저불량을 방지하여 제품신뢰성을 향상시킬 수 있는 흡습방지형 파워엠프모듈및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 파워앰프모듈(Power Amplifier Module : 이하, PAM이라함.)은 무선통신기기의 송신신호를 증폭시키는 것으로 휴대폰의 성능에 커다란 영향을 미치고 있다.
이러한 PAM은 모듈기판위에 능동회로가 집적된 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit : 이하, IC칩이라함.)와 입출력 매칭회로, 기본 바이어스회로 및 수동전자부품들을 집적한후 패캐지화하여 만든 조립체로서, 패키지안에 IC칩만 있는 것이 아니라, 마이크로스트립 라인(Microstrip Line)과 L,C소자등으로 회로가 최적화되어서 단말기의 메인보드에 장착될때 복잡한 매칭과정없이 바로 전원과 약간의 소자만 달면 쓸 수 있도록 구성된다. 이에 따라, 단말기 제작자에게 상당한 편의성을 제공할 수 있고, PAM 자체가 신뢰성 테스트를 거친 것이기 때문에 RF특성면의 부담을 덜 수 있게 된다.
도 1은 일반적인 PAM의 평면도이고, 도 2는 일반적인 PAM의 단면도로서, 도시한 바와같이, 최종제품인 단말기인 메인보드(200)상에 탑재되는 PAM(100)은 상부면에 인쇄된 패턴회로(111)를 보호하도록 PSR(Photoimageable Solder Resister)(113)이 도포되는 PCB(Printed Circuit Board)형 모듈기판(이하, 모듈기판이라함.)(110)과, 상기 모듈기판(110)상에 Ag페이스트(122)로서 탑재되고, 상기 패턴회로(111)와 금속소재(Au)의 와이어(125)를 매개로 하여 본딩연결되는 IC칩(120)과, 상기 모듈기판(110)상에 탑재되는 복수개의 수동소자(130)로 구성되는 한편, IC칩(120)과 수동소자(130)와 같은 전자부품들이 탑재되는 모듈기판(110)의 상부공간을 외부환경으로부터 보호하도록 에폭시와 같은 수지재로 몰딩처리되는 몰드부(140)로 구성된다.
그리고, 다층기판으로 이루어진 모듈기판(110)에는 상기 IC칩(120)의 구동시 발생되는 열원을 외부로 적절히 방출할 수 있도록 열방출용 비아홀(115)이 복수개 관통형성되어 있으며, 하부면에는 열전도율이 높은 소재로 이루어진 열전도층(117)이 도금되어 있다.
이러한 종래 PAM(100)의 측면을 외부에서 관찰해보면 상기 모듈기판(110)과 몰드부(130)와 더불어 PSR층(113)이 외부로 노출되는 3층구조로 구성되어 있고, 상기 모듈기판(110),PSR층(113)및 몰드부(130)는 각각 경도, 열팽창율이 서로 다른 소재로 이루어져 있을 뿐만 아니라, 상기 PSR층(113)은 이들보다 상대적으로 낮은 경도를 갖는 재질로 구성되어 있다. 또한, 상기 모듈기판(110)상부면에 도포되는 PSR층(113)은 표면이 매우 매끄럽기 때문에 상기 몰드부(130)와 PSR층(113)간의 면접촉부위에서의 결합력이 낮게 형성된다.
여기서, 상기 몰드부(130)는 1.4*10-5 의 열팽창율을 갖는 실리카(SiO2) 92% 재질로 구성되고, 상기 PSR층(113)은 1.4*10-4 의 열팽창율을 갖는 아크리레이트(Acrilate) 재질로 구성되는 한편, 상기 모듈기판(110)은 0.6*10-5 의 열팽창율을 갖는 FR-4(그라스 에폭시(Glass Epoxy))로 구성된다.
따라서, 상기와 같은 재질상의 특성차이및 낮은 결합력으로 인하여 PAM(100)을 제조하는 공정시 이루어지는 여러가지 기계적, 물리적 응력및 특히 모듈기판(110)을 절단라인에 맞추어 절단하는 소잉(Sawing)공정시에 발생되는 진동및 충격등으로 인하여 각각 재질의 층간사이에 미세균열(Fine Delamination)이 발생되기가 매우 용이하게 된다.
또한, 제작된 PAM(100)의 납품후 유저(User)에서 메인보드(200)의 상부면에 PAM(100)을 표면실장하는 공정시에도, PAM(100)실장시 230 내지 270℃의 고온의 열원이 발생되고, 상기 모듈기판(110)과 몰드부(130)사이에 개재되어 외부로 노출되는 PSR층(113)이 이들 보다 높은 열팽창계수를 가지며, 낮은 경도를 갖기 때문에 실장후에도 각각의 층간에 미세균열의 발생이 매우 쉬운 취약한 구조를 갖게 되는 것이다.
그리고, 상기 PAM(100)의 층간에 미세균열이 발생되면, 시간이 경과함에 따라 이를 통하여 대기중의 습기가 스며드는 흡습현상에 의해서 최종제품인 단말기의 특성이 저하되고, 특히 ACRP(인접채널전력비)와 출력및 효율특성이 저하되는 제품불량을 초래하였다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위하여 제안된 것으로서, 그 목적은 인접하는 소재층에 비하여 경도가 낮고, 열팽창계수가 상대적으로 높아 수축변형율이 높은 소재층의 외부노출을 방지하고, 그 응력변형을 최소화함으로서 외부환경에 노출되는 측면에서의 층간 미세균열을 억제하고, 이를 통한 외부로부터의 흡습을 차단하여 완제품의 특성저하및 유저불량을 예방할 수 있는 흡습방지형 파워엠프모듈및 이를 제조하는 방법을 제공하고자 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 기술적인 구성으로써, 본 발명은,
통신기기의 안테나측으로 전송되는 송신신호를 증폭하는 모듈에 있어서,
상부면에 인쇄된 패턴회로를 보호하도록 PSR층이 도포되는 모듈기판과, 상기 패턴회로와 와이어를 매개로 연결되도록 상기 모듈기판상의 소정위치에 탑재되는 IC칩과, 상기 모듈기판의 상부면에 탑재되는 IC칩과 수동소자를 보호하도록 상기 모듈기판의 상부공간을 일정높이로 덮는 몰드부를 포함하고,
상기 모듈기판의 외측테두리를 따라 상기 몰드부가 채워지도록 일정깊이의 단턱을 형성하고, 상기 몰드부의 하부면 외측테두리와 상기 모듈기판의 상부면 외측테두리가 상기 단턱을 따라 국부적으로 면접촉됨을 특징으로 하는 흡습방지형 파워엠프모듈을 마련함에 의한다.
바람직하게는 상기 단턱의 수직면은 상기 몰드부와의 접촉면적을 넓힐 수 있도록 비선형으로 형성된다.
바람직하게는 상기 PSR층은 상기 모듈기판의 상부테두리로부터 내측으로 일정간격을 두고 이격되어 상기 모듈기판의 상부면에 도포된다.
바람직하게는 상기 PSR층의 외측면은 상기 몰드부와의 접촉면적을 넓힐 수 있도록 비선형으로 형성된다.
또한, 본 발명은 통신기기의 안테나측으로 전송되는 송신신호를 증폭하는 모듈을 제조하는 방법에 있어서,
적어도 하나이상의 층으로 이루어진 PCB기판상부면에 서로 직교하는 복수개의 가로,세로절단홈을 형성하여 일정간격을 두고 매트릭스 배치로 가상의 모듈기판을 복수개로 구획하는 단계;
상기 모듈기판의 상부면에 형성되는 패턴회로를 보호하도록 PSR층을 일정두께로 도포하는 단계;
상기 PCB기판에 매트릭스로 구획배치된 가상의 모듈기판마다 IC칩과 수동소자를 탑재한 상태에서 상기 가로, 세로절단홈내에 몰드부를 채우면서 상기 PCB기판의 상부공간을 덮어 몰딩하는 단계;
상기 몰드부의 하부면외측테두리와 상기 모듈기판의 상부면 외측테두리가 국부적으로 서로 면접촉되는 2층구조를 갖도록 상기 가로,세로절단홈을 따라 상기 PCB기판을 절단하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 흡습방지형 파워에프모듈 제조방법을 마련함에 의한다.
이하, 본 발명에 대하여 보다 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 흡습방지형 파워엠프모듈을 도시한 종단면도이고, 도 4(a)(b)(c)(d)는 본 발명에 따른 흡습방지형 파워엠프모들을 제조하는 공정을 도시한 평면도와 단면도이다.
본 발명의 파워엠프모듈(1)은 도 3에 도시한 바와같이, 열팽창계수가 높아 외부온도의 변화에 의해 수축팽창율이 크고, 경도가 낮은 소재로 이루어진 PSR층이 외부측면으로 노출되지 않도록 모듈기판의 상부면 테두리와 몰딩부의 하부면 테두리가 서로 면접촉되는 구조를 갖는 것으로서, 이러한 파워엠프모듈(1)은 모듈기판(10), IC칩(20), 몰드부(30)및 상기 모듈기판(10)과 몰드부(30)사이의 경계면에 형성되는 단턱(40)으로 구성된다.
즉, 상기 모듈기판(10)은 최종제품인 단말기의 메인보드상에 표면실장되는 적어도 하나이상의 배선층을 갖는 기판부재이며, 그 상부면에는 소정의 패턴회로(11)가 인쇄되어 있다.
그리고, 상기 패턴회로(11)가 인쇄된 모듈기판(10)의 상부면에는 능동소자인 IC칩(20)과 L,C와 같은 수동소자(29)의 솔더링시 외측으로 비산되는 납땜으로부터 패턴회로(11)를 보호할 수 있도록 PSR층(13)이 20 내지 70㎛의 일정높이로 도포된다.
여기서, 상기 PSR층(13)은 상기 능동,수동소자가 배치되는 모듈기판(10)상부면의 소정위치와 상기 모듈기판(10)의 상부외측테두리부터 일정간격을 두고 이격된 사각테두리를 제외하고, 패턴회로(11)가 형성되는 모듈기판(10)의 상부면전체영역에 일정높이로 도포되는 보호층이다.
또한, 능동소자인 IC칩(20)은 상기 PSR층(13)이 형성되지 않은 모듈기판(10)상부면의 소정위치에는 Ag페이스트(22)를 매개로 하여 탑재되며, 상기 모듈기판(10)에 탑재된 IC칩(20)은 그 상부면에 형성된 패드(미도시)에 일단이 연결되고 상기 패턴회로(11)에 타단이 연결되는 복수개의 와이어(25)에 의해서 와이어본딩연결되어 있다.
그리고, 상기 IC칩(20)이 배치되는 모듈기판(10)의 소정위치에는 IC칩구동시 발생되는 열을 외부로 방출할 수 있도록 복수개이 비아홀(15)이 형성되며,상기 비아홀(15)과 메인보드(200)사이에는 상기 비아홀(15)을 통항 열전도가 원할하게 이루어지도록 열전도층(17)이 도금되어 있다.
이와 더불어 상기 PSR층(13)이 형성되지 않은 모듈기판(10)상부면의 또다른 소정위치에는 복수개의 수동소자(29)가 솔더링방식으로 실장되어 있다.
그리고, 상기 모듈기판(10)의 상부공간에는 이에 탑재된 IC칩(20)과 수동소자(29)들을 외부환경으로부터 보호하도록 에폭시, 실리카 소재로 이루어진 몰드부(30)가 일정높이로 덮여져 있다.
한편, 상기 모듈기판(10)의 전체외측변에는 PCB기판(P)상에 매트릭스로 형성된 가로절단홈(40a), 세로절단홈(40b)에 의해서 일정깊이의 단턱(40)이 형성되어 있고, 상기 단턱(40)에는 몰딩시 몰드부(30)가 채워지게 된다.
이에 따라, 상기 몰드부(30)의 하부면 외측테두리와 상기 모듈기판(10)의 상부면 외측테두리는 외측면에서 보아 상기 단턱(40)을 따라 국부적으로 면접촉되어 외부로 노출되는 2층구조를 갖게 되며, 상기 PSR층(13)은 상기 단턱(40)으로부터 50 내지 200㎛의 일정간격(d)을 두고 내측으로 들어간 위치에 도포되어 있기 때문에 몰딩처리되는 몰딩부(30)에 의해 가려져 외부로 전혀 노출되지 않는다.
여기서, 상기 몰드부(30)가 채워지는 단턱(40)의 수직면은 일직선상의 단면형상을 갖지만, 도 5에 도시한 바와같이, 상기 몰드부(30)와의 접촉면적을 넓혀 몰드부(30)와 모듈기판(10)간의 결합력을 높여서 층간의 미세균열을 가일층 방지할 수 있도록 파형, 톱니형, 나사형의 단면상의 비선형적으로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 몰드부(30)와 접하는 상기 PSR층(13)의 외측면은 상기 몰드부(30)와의 접촉면적을 넓혀 상기 PSR층(13)과 몰드부(30)간의 결합력을 높여 층간에서의 미세균열을 방지할 수 있도록 파형, 나사형 단면상과 같은 비선형적으로 형성되는 것이 바람직하다.
상기한 구성을 갖는 파워엠프모듈(1)을 제조하기 위해서는, 먼저 적어도 하나이상의 배선층을 가지며, 상기 모듈기판(10)과 동일한 판두께로 이루어진 PCB기판(P)상부면에 일정간격을 두고 서로 직교하는 복수개의 가로,세로절단홈(40a)(40b)을 일정깊이로 형성한다.
이에 따라, 서로 직각으로 교차하는 복수개의 가로, 세로절단홈(40a)(40b)에 의해서 하나의 PCB기판(P)의 상부면에는 일정간격을 두고 매트릭스 배치로 가상의 모듈기판(10a)이 복수개 구획되어지는 것이다.
여기서, 상기 가로, 세로절단홈(40a)(40b)은 상기 가상의 모듈기판(10a)의 절단가공이 용이하도록 상기 PCB기판(P)의 판두께(T)에 대하여 0.2T 내외 정도의 깊이로 함물형성되는 것이 바람직하며, 수동,능동소자의 실장시 외력에 의한 크랙, 파손을 방지할 수 있도록 'V'단면상보다 'ㄷ'단면상으로 형성되는 것이 좋다.
그리고, 상기 PCB기판(P)상에 구획된 가상의 모듈기판(10a)의 상부면마다 사전에 설정된 패턴회로(11)를 인쇄하고, 그 상부면은 능동,수동소자의 솔더링시 비산되는 납땜에 의한 패턴회로(11)의 손상을 방지하도록 이를 보호하는 PSR층(13)을 20 내지 70㎛의 두께로 도포한다.
이때, 상기 PSR층(13)은 각 외측변이 상기 가로,세로절단홈(40a)(40b)으로부터 50 내지 200㎛ 의 이격거리(d)를 두고 도포되는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 PCB기판(P)에 매트릭스로 구획배치된 가상의 모듈기판(10a)의 상부면에는 능동소자인 IC칩(20)이 Ag페이스트(22)를 매개로 하여 탑재됨과 동시에 복수개의 수동소자(29)도 탑재하고, 상기 IC칩(20)은 복수개의 와이어(25)를 매개로 하여 상기 패턴회로(11)의 단자부와 전기적으로 연결된다.
여기서, 상기 능동, 수동소자가 탑재되는 가상의 모듈기판(10a)상부면의 소정위치에는 PSR층(13)이 도포되지 않고, 상기 능동,수동소자의 하부면에 형성된 외부단자와 연결될 수 있도록 패턴회로(11)가 인쇄된다.
연속하여, 상기 PCB기판(P)에 매트릭스로 구획배치된 가상의 모듈기판(10a)마다 IC칩(20)과 수동소자(29)를 탑재한 상태에서 이를 일정높이로 덮어 보호하도록 일정높이로 몰드부(30)로서 PCB기판(P)의 상부전체를 덮는다.
이에 따라, 상기 PCB기판(P)에 매트릭스로 구획배치된 복수개의 모듈기판(10a)의 경계부위인 가로, 세로절단홈(40a)(40b)내에도 몰드부(30)가 직접적으로 채워진다.
그리고, 상기 몰드부(30)의 몰딩이 종료된후 상기 가로,세로절단홈(40a)(40b)의 폭중앙을 따라 그려지는 절단선(S)을 따라 몰드부(30)와 모듈기판(10)을 소잉머신을 이용하여 수직하게 절단하게 되면, 상기 가로, 세로절단홈(40a)(40b)에 의해서 절단된 모듈기판(10)의 외측변마다 몰드부(30)가 채워진 단턱(40)이 각각 형성되는 것이다.
이러한 경우, 상기 몰드부(30)의 하부면외측테두리와 상기 절단된 모듈기판(10)의 상부면 외측테두리는 상기 단턱(40)을 경계로 하여 국부적으로 서로 면접촉되어 밀착됨으로서 측면에서 보아 외형상 2층구조를 가지게 되고, 열팽창계수가 높고, 경도가 낮은 PSR층(13)은 외부로 노출되지 않으면서 상기 단턱(40)을 제외한 모듈기판(10)의 상부면 대부분에서 몰드부(30)와 모듈기판(10)사이에 배치되는 것이다.
상술한 바와같은 본 발명에 의하면, 패턴회로를 보호하는 PSR층이 모듈기판의 상부테두리로부터 일정간격을 두고 이격되어 도포되고, 몰드부와 모듈기판이 외부테두리에서 국부적으로 서로 면접촉되어 견고하게 밀착되는 2층구조를 갖춤으로서 열팽창계수가 높고, 경도가 낮은 소재로 이루어져 외부온도및 충격에 수축변형이 용이한 PSR층이 외부로 전혀 노출되지 않기 때문에, 외부로부터 습기가 내부유입되는 것을 차단하도록 층간의 미세균열을 방지할 수 있는 것이다. 이로 인하여 PAM제품의 신뢰성을 향상시키고, 납품후 발생하는 유저에서의 출력, 효율및 ACPR특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 효과가 얻어진다.
본 발명은 특정한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 청구범위에 의해 마련되는 본 발명의 정신이나 분야를 벗어나지 않는 한도내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변화될수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진자는 용이하게 알 수 있음을 밝혀두고자 한다.
도 1은 메인보드상에 PAM이 조립된 상태를 도시한 평면도이다.
도 2는 메인보드상에 PAM이 조립된 상태를 도시한 종단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 흡습방지형 파워엠프모듈을 도시한 종단면도,
도 4(a)(b)(c)(d)는 본 발명에 따른 흡습방지형 파워엠프모들을 제조하는 공정을 도시한 평면도와 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 흡습방지형 파워엠프모듈에서 몰드부와 모듈기판이 서로 면접촉하는 부위를 도시한 단면상세도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10 ...... 모듈기판 11 ...... 패턴회로
13 ...... PSR층 15 ...... 열방출용 비아홀
20 ...... IC칩 22 ...... Ag페이스트
25 ...... 와이어 29 ...... 수동소자
30 ...... 몰드부 40 ...... 단턱
40a,40b ... 가로,세로절단홈 200 ..... 메인보드

Claims (7)

  1. 통신기기의 안테나측으로 전송되는 송신신호를 증폭하는 모듈에 있어서,
    상부면에 인쇄된 패턴회로를 보호하도록 PSR층이 도포되는 모듈기판과, 상기 패턴회로와 와이어를 매개로 연결되도록 상기 모듈기판상의 소정위치에 탑재되는 IC칩과, 상기 모듈기판의 상부면에 탑재되는 IC칩과 수동소자를 보호하도록 상기 모듈기판의 상부공간을 일정높이로 덮는 몰드부를 포함하고,
    상기 모듈기판의 외측테두리를 따라 상기 몰드부가 채워지도록 일정깊이의 단턱을 형성하고, 상기 몰드부의 하부면 외측테두리와 상기 모듈기판의 상부면 외측테두리가 상기 단턱을 따라 국부적으로 면접촉됨을 특징으로 하는 흡습방지형 파워엠프모듈.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 단턱의 수직면은 상기 몰드부와의 접촉면적을 넓힐 수 있도록 비선형으로 형성됨을 특징으로 하는 흡습방지형 파워엠프모듈.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 PSR층은 상기 모듈기판의 상부테두리로부터 내측으로 일정간격을 두고 이격되어 상기 모듈기판의 상부면에 도포됨을 특징으로 하는 흡습방지형 파워엠프모듈.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 PSR층의 외측면은 상기 몰드부와의 접촉면적을 넓힐 수 있도록 비선형으로 형성됨을 특징으로 하는 흡습방지형 파워엠프모듈.
  5. 통신기기의 안테나측으로 전송되는 송신신호를 증폭하는 모듈을 제조하는 방법에 있어서,
    적어도 하나이상의 층으로 이루어진 PCB기판상부면에 서로 직교하는 복수개의 가로,세로절단홈을 형성하여 일정간격을 두고 매트릭스 배치로 가상의 모듈기판을 복수개로 구획하는 단계;
    상기 모듈기판의 상부면에 형성되는 패턴회로를 보호하도록 PSR층을 일정두께로 도포하는 단계;
    상기 PCB기판에 매트릭스로 구획배치된 가상의 모듈기판마다 IC칩과 수동소자를 탑재한 상태에서 상기 가로, 세로절단홈내에 몰드부를 채우면서 상기 PCB기판의 상부공간을 덮어 몰딩하는 단계;
    상기 몰드부의 하부면외측테두리와 상기 모듈기판의 상부면 외측테두리가 국부적으로 서로 면접촉되는 2층구조를 갖도록 상기 가로,세로절단홈을 따라 상기 PCB기판을 절단하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 흡습방지형 파워에프모듈 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 가로,세로절단홈은 ㄷ'단면상으로 형성됨을 특징으로 하는 흡습방지형 파워에프모듈 제조방법.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 PCB기판을 절단하는 단계는 상기 가로,세로절단홈의 폭중앙을 따라 그려지는 절단선을 따라 몰드부와 모듈기판을 수직하게 절단함을 특징으로 하는 흡습방지형 파워에프모듈 제조방법.
KR10-2003-0041386A 2003-06-25 2003-06-25 흡습방지형 파워 엠프 모듈및 이를 제조하는 방법 KR100526244B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0041386A KR100526244B1 (ko) 2003-06-25 2003-06-25 흡습방지형 파워 엠프 모듈및 이를 제조하는 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0041386A KR100526244B1 (ko) 2003-06-25 2003-06-25 흡습방지형 파워 엠프 모듈및 이를 제조하는 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050000833A KR20050000833A (ko) 2005-01-06
KR100526244B1 true KR100526244B1 (ko) 2005-11-08

Family

ID=37216716

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2003-0041386A KR100526244B1 (ko) 2003-06-25 2003-06-25 흡습방지형 파워 엠프 모듈및 이를 제조하는 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100526244B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5614362B2 (ja) * 2011-04-07 2014-10-29 三菱電機株式会社 パワーモジュールの冷却器への固定方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050000833A (ko) 2005-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100213955B1 (ko) 와이어 본드형 칩용 유기 칩 캐리어
US6586274B2 (en) Semiconductor device, substrate for a semiconductor device, method of manufacture thereof, and electronic instrument
US8724334B2 (en) Circuit module and manufacturing method for the same
JP3408987B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
KR970067892A (ko) 고주파 집적회로장치 및 그 제조방법
US20050248009A1 (en) Circuit device
KR20010109149A (ko) 면설치형 전자회로유닛
KR100825784B1 (ko) 휨 및 와이어 단선을 억제하는 반도체 패키지 및 그제조방법
KR100629830B1 (ko) 반도체 장치
KR100526244B1 (ko) 흡습방지형 파워 엠프 모듈및 이를 제조하는 방법
CN102420202B (zh) 半导体装置及其制造方法
US8232481B2 (en) Wiring board with columnar conductor and method of making same
JPH07321160A (ja) 半導体装置
KR100207902B1 (ko) 리드 프레임을 이용한 멀티 칩 패키지
KR100388287B1 (ko) 웨이퍼의 백그라인딩 방법과 이를 이용한 반도체패키지 및 그 제조방법
KR20020054476A (ko) 반도체 칩 패키지용 인쇄회로기판
JP2004048617A (ja) 高周波用伝送線路基板
KR20020004241A (ko) 증기를 배출하는 인쇄회로기판 및 그를 이용한 볼 그리드어레이 패키지
JP3831173B2 (ja) 半導体モジュール
KR100401148B1 (ko) 반도체 패키지 제조용 부재
KR20040075683A (ko) 전력용 반도체모듈패키지 및 그 제조방법
JP2007201517A (ja) 半導体装置
KR100449626B1 (ko) 파워 엠프 모듈 조립체
KR100388291B1 (ko) 반도체패키지 구조
KR100357879B1 (ko) 반도체 패키지용 인쇄회로기판

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20101011

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee