KR100519658B1 - Probe card - Google Patents
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Abstract
본 발명은 다수개의 프로브 핀 블록이 설치된 프로브 카드에 관한 것으로, 프레스 블록 위에 도포되는 에폭시의 영역을 확대하면서 반도체 소자의 전극 패드에 탄성적으로 접촉하는 프로브 핀의 접촉부의 길이를 확보하기 위해서, 인접한 프로브 핀 블록의 간섭을 피하면서 프로브 핀의 접촉부를 프로브 핀 블록의 경계를 벗어나 인접한 프로브 핀 블록의 상부로 뻗게 하고, 아울러 에폭시의 도포 영역을 거의 프레스 블록 상부면 전체로 확대한 프로브 핀 블록을 갖는 프로브 카드를 제공한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe card provided with a plurality of probe pin blocks, and in order to secure a length of a contact portion of a probe pin elastically contacting an electrode pad of a semiconductor device while enlarging an area of epoxy applied on a press block. The probe pin block extends the contact area of the probe pin to the upper portion of the adjacent probe pin block while avoiding the interference of the probe pin block, and also extends the coating area of the epoxy almost to the entire upper surface of the press block. Provide a probe card.
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼 검사용 프로브 카드에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 다수개의 프로브 핀 블록이 열을 지어 카드 몸체에 설치된 프로브 카드에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe card for semiconductor wafer inspection, and more particularly, to a probe card in which a plurality of probe pin blocks are arranged in a card body.
반도체 소자가 하나의 완성된 반도체 패키지로 그 성능을 다하기 위해서는 수 많은 공정들을 거쳐서 완성되어진다. 그 공정들은 반도체 웨이퍼의 생산, 전공정(FAB; Fabrication), 조립 공정(Assembly)으로 크게 나눌 수 있다.A semiconductor device is completed through a number of processes in order to achieve its performance in a complete semiconductor package. The processes can be broadly divided into the production of semiconductor wafers, fabrication (FAB), and assembly.
특히, FAB 공정에 의해 웨이퍼 상에 복수개의 반도체 소자가 형성되며, 복수개의 반도체 소자는 전기적 특성 검사(Electrical Die Sorting; EDS)를 통하여 양, 불량을 선별하게 된다. 이와 같은 EDS를 하는 목적은 전술된 바와 같이 첫째 웨이퍼 상의 각각의 반도체 소자의 양, 불량품을 선별하기 위해서이며, 둘째 불량 반도체 소자 중에서 수리 가능한 반도체 소자의 수리를 위해서이며, 셋째 FAB 공정에서의 문제점을 조기에 피드-백(Feed-Back)하기 위해서이며, 넷째 불량 반도체 소자의 조기 제거로 조립 및 패키지 검사(Package Test)에서의 원가 절감을 위해서이다.In particular, a plurality of semiconductor devices are formed on the wafer by the FAB process, and the plurality of semiconductor devices are screened for good or bad through electrical die sorting (EDS). As described above, the purpose of the EDS is to select the quantity and defects of each semiconductor element on the first wafer, and to repair the repairable semiconductor element among the second defective semiconductor elements, and to solve the problems in the FAB process. In order to reduce the cost of assembly and package test by early removal of the defective semiconductor device.
이와 같은 EDS에 사용되는 장비는 테스터(Taster)와, 프로브 스테이션(Probe Station)으로 이루어져 있으며, 프로브 스테이션에 웨이퍼 상의 반도체 소자의 전극 패드와 기계적으로 접촉되는 프로브 카드(Probe Card)가 설치되어 있다. 프로브 카드는 아주 가는 프로브 핀(Probe Pin)을 카드 몸체에 고정시켜 놓은 것으로 테스터에서 발생한 신호가 프로브 설비를 통하여 프로브 카드에 설치된 각각의 프로브 핀에 전달되고, 프로브 핀에 전달된 신호는 프로브 핀이 접촉된 웨이퍼 상의 반도체 소자의 전극 패드에 전달되어 반도체 소자가 양품인지 불량품인지를 검사하게 된다.The equipment used in the EDS is composed of a tester and a probe station, and a probe card is installed in the probe station to be in mechanical contact with electrode pads of semiconductor elements on the wafer. The probe card is a very thin probe pin fixed to the card body. The signal generated by the tester is transmitted to each probe pin installed in the probe card through the probe facility. It is delivered to the electrode pad of the semiconductor element on the contacted wafer to check whether the semiconductor element is good or bad.
한편 본 출원인은 프로브 핀을 프로브 핀 블록(Probe Pin Block) 단위로 모듈화하여 카드 몸체에 설치하고, 프로브 핀 블록과 카드 몸체의 접촉은 포고핀 접촉으로 구현하는 프로브 카드에 대해서 특허출원(특허출원번호 제65385호(2003.9.20))하였다. 기 출원한 프로브 카드(100)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 카드 몸체(10)의 중심 부분에 설치된 블록 가이드(70)와, 블록 가이드(70)에 내설된 다수개의 프로브 핀 블록(60)을 포함하며, 프로브 핀(40)이 설치된 프로브 핀 블록(60)이 포고핀 접촉 방식으로 카드 몸체(10)에 연결된 구조를 갖는다. 이때, 프로브 핀 블록(60)의 피치는 테스트될 웨이퍼의 반도체 소자의 피치에 대응되게 설치된다. 그리고 프로브 핀 블록의 프로브 핀(40)이 반도체 소자의 전극 패드에 탄성적으로 접촉할 수 있도록, 에폭시(30) 밖으로 돌출된 프로브 핀의 접촉부(43)가 일정 이상의 길이를 가져야 한다. 도면부호 A는 프레스 블록(20) 상부면 상의 접촉부(43)의 길이를 나타내며, 프로브 핀의 고정부(42)는 프레스 블록(20)의 상부면에 형성된 경사면(24)에 위치하여 경사면(24)에 도포된 에폭시(30)에 의해 고정된다.On the other hand, the present applicant is a patent application for a probe card implemented by modularizing the probe pin in the unit of the probe pin block (Probe Pin Block) and installed in the card body, the contact between the probe pin block and the card body by pogo pin contact (patent application number) No. 65385 (2003.9.20). The previously applied probe card 100, as shown in Figures 1 to 3, a block guide 70 installed in the central portion of the card body 10, and a plurality of probe pins built in the block guide 70 It includes a block 60, the probe pin block 60 is provided with a probe pin 40 has a structure connected to the card body 10 in a pogo pin contact manner. At this time, the pitch of the probe pin block 60 is installed to correspond to the pitch of the semiconductor element of the wafer to be tested. In addition, the contact portion 43 of the probe pin protruding out of the epoxy 30 should have a predetermined length or more so that the probe pin 40 of the probe pin block can elastically contact the electrode pad of the semiconductor device. Reference numeral A denotes the length of the contact portion 43 on the upper surface of the press block 20, and the fixing portion 42 of the probe pin is located on the inclined surface 24 formed on the upper surface of the press block 20 and the inclined surface 24 It is fixed by the epoxy 30 applied to).
그런데 전술된 프로브 핀 블록(60)은 웨이퍼의 반도체 소자의 피치에 대응되게 설치되며, 프로브 핀(40)은 프로브 핀 블록(60)을 벗어나지 않기 때문에, 프로브 핀 블록(60)의 한정된 폭에서 프로브 핀의 접촉부(43)의 길이를 확보하기 위해서는 프레스 블록(20) 상부면에서의 에폭시(30)의 영역이 작아질 수 밖에 없으며, 에폭시(30)의 영역이 작아질수록 프로브 핀(40)의 고정이 불안정해질 수 밖에 없다. 더욱이 웨이퍼의 반도체 소자의 크기가 작아지는 추세에서 이러한 영향은 더욱 커지리라 예상된다.However, the probe pin block 60 described above is installed to correspond to the pitch of the semiconductor element of the wafer, and since the probe pin 40 does not deviate from the probe pin block 60, the probe at a limited width of the probe pin block 60 is performed. In order to secure the length of the contact portion 43 of the pin, the area of the epoxy 30 on the upper surface of the press block 20 is inevitably reduced, and as the area of the epoxy 30 decreases, Fixation can only be unstable. Moreover, this effect is expected to be greater in the trend of smaller semiconductor elements in wafers.
따라서, 본 발명의 목적은 프레스 블록 위에 도포되는 에폭시 폭을 확대하면서 반도체 소자의 전극 패드에 탄성적으로 접촉할 수 있는 프로브 핀의 접촉부의 길이를 확보하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to secure the length of the contact portion of the probe pin that can elastically contact the electrode pad of the semiconductor element while expanding the epoxy width applied on the press block.
상기 목적을 달성하기 위하여, 인접한 프로브 핀 블록의 간섭을 피하면서 프로브 핀의 접촉부를 프로브 핀 블록의 경계를 벗어나 인접한 프로브 핀 블록의 상부로 뻗게 하고, 아울러 에폭시의 도포 영역을 거의 프레스 블록 상부면 전체로 확대한 프로브 핀 블록을 갖는 프로브 카드를 제공한다.In order to achieve the above object, the contact portion of the probe pin extends out of the boundary of the probe pin block to the top of the adjacent probe pin block while avoiding interference of the adjacent probe pin block, and also the application area of epoxy is almost the entire upper surface of the press block. Providing a probe card having a probe pin block enlarged.
본 발명에 따른 프로브 카드는, 일면의 중심 부분에 열을 지어 소정의 간격을 두고 설치된 포고핀을 갖는 카드 몸체와; 상기 카드 몸체 일면에 설치된 상기 포고핀들을 둘러싸도록 설치된 사각틀 형상의 블록 가이드; 및 상기 블록 가이드에 내설되어 상기 포고핀 열에 대응되게 각기 접촉하여 전기적으로 연결되는 적어도 하나 이상의 프로브 핀 블록;을 포함하며,Probe card according to the invention, the card body having a pogo pin installed at a predetermined interval in a row on the central portion of one surface; A block guide having a rectangular frame shape installed to surround the pogo pins installed on one surface of the card body; And at least one probe pin block embedded in the block guide and electrically connected to each other in correspondence with the pogo pin rows.
상기 프로브 핀 블록은, 막대 형상의 프레스 블록과; 상기 프레스 블록의 상부면에 열을 지어 적어도 일층 이상 설치되며, 일단은 상기 포고핀을 통하여 카드 몸체와 전기적으로 연결되고 타단은 웨이퍼의 반도체 소자의 전극 패드와 접촉하는 프로브 핀들; 및 상기 프레스 블록 상부면에 도포되어 상기 프레스 블록 상부면에 위치한 상기 프로브 핀들을 고정하는 에폭시;를 포함하며,The probe pin block may include a press block having a rod shape; Probe pins are arranged on the upper surface of the press block at least one layer, one end is electrically connected to the card body through the pogo pin and the other end is in contact with the electrode pad of the semiconductor element of the wafer; And an epoxy applied to the upper surface of the press block to fix the probe pins positioned on the upper surface of the press block.
인접한 상기 프로브 핀 블록의 간섭을 피하면서 상기 프로브 핀의 타단부는 상기 프로브 핀 블록의 경계를 벗어나 인접한 상기 프로브 핀 블록의 상부로 뻗어 있고, 아울러 상기 에폭시의 도포 영역이 거의 상기 프레스 블록 상부면 전체로 확대된 것을 특징으로 하는 프로브 카드를 제공한다.The other end of the probe pin extends out of the boundary of the probe pin block to the top of the adjacent probe pin block while avoiding interference of the adjacent probe pin block, and the coating area of the epoxy is almost the entire upper surface of the press block. It provides a probe card, characterized in that expanded to.
본 발명의 바람직한 실시 양태에 따른 프로브 핀 블록은, 하부면에 포고핀이 접촉하여 전기적으로 연결되며, 상부면에 프레스 블록이 설치되는 연결 기판을 더 포함한다.The probe pin block according to the preferred embodiment of the present invention further includes a connection substrate on which a pogo pin contacts and is electrically connected to a lower surface thereof, and a press block is installed on an upper surface thereof.
본 발명에 따른 프로브 핀은, 프레스 블록의 외측면에 근접한 연결 기판에 납땜되어 고정되는 접합부와, 접합부와 연결되어 프레스 블록의 외측면을 따라서 프레스 블록의 상부면으로 절곡되어 에폭시에 의해 고정되는 고정부와, 고정부와 연결되어 프레스 블록의 외측면을 벗어나 이웃하는 프로브 핀 블록의 상부쪽으로 뻗어 있고, 끝단이 프레스 블록의 위쪽 방향으로 절곡되어 웨이퍼의 반도체 소자의 전극 패드와 접촉하는 접촉부를 포함한다. 이때, 프로브 핀의 고정부가 위치하는 프레스 블록의 상부면 부분은 고정부와 연결되어 접촉부가 인출되는 부분이 고정부와 연결되어 접합부가 인출되는 부분에 비해서 상대적으로 높게 경사면으로 형성되며, 고정부는 경사면에 대해서 평행하거나 높게 형성하는 것이 바람직하다.The probe pin according to the present invention is a joint portion that is soldered and fixed to a connecting substrate proximate to the outer side of the press block, and is connected to the joint portion and bent to the upper side of the press block along the outer side of the press block and fixed by epoxy. And a contact portion connected to the fixing portion and extending outward from an outer surface of the press block to an upper portion of the neighboring probe pin block, the end of which is bent upwards of the press block to contact the electrode pad of the semiconductor element of the wafer. . At this time, the upper surface part of the press block in which the fixing part of the probe pin is located is connected to the fixing part, and the part from which the contact part is drawn out is connected to the fixing part and is formed to be inclined relatively higher than the part from which the joint part is drawn out. It is preferable to form parallel or high with respect to.
본 발명에 따른 프레스 블록의 상부면에 위치하는 프로브 핀의 고정부는 접촉부를 향하여 상향 단차지게 형성하는 것이 바람직하다.The fixing part of the probe pin located on the upper surface of the press block according to the present invention is preferably formed to be stepped upward toward the contact portion.
본 발명에 따른 이웃하는 프로브 핀 블록들의 프로브 핀의 접촉부 사이의 피치는 테스트될 웨이퍼의 반도체 소자의 피치에 대응된다.The pitch between the contacts of the probe pins of neighboring probe pin blocks according to the invention corresponds to the pitch of the semiconductor element of the wafer to be tested.
그리고 본 발명의 바람직한 다른 실시 양태에 따른 프로브 핀 블록은, 프로브 핀의 끝단쪽의 프레스 블록 상부면과 이웃하는 외측면과, 외측면과 이어진 상부면에 대응되는 하부면에 형성된 패턴부와, 에폭시의 외측면으로 노출된 프로브 핀의 끝단과 프레스 블록의 외측면에 형성된 패턴부의 상단을 연결하는 전기적 연결 수단을 포함한다.And the probe pin block according to another preferred embodiment of the present invention, the outer surface adjacent to the upper surface of the press block end of the probe pin, the pattern portion formed on the lower surface corresponding to the upper surface connected to the outer surface, epoxy It comprises an electrical connection means for connecting the end of the probe pin exposed to the outer surface of the upper end of the pattern portion formed on the outer surface of the press block.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail an embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 핀 블록(160)을 보여주는 단면도이다. 도 5는 블록 가이드(170)에 도 4의 프로브 핀 블록(160)이 설치된 상태를 보여주는 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating the probe pin block 160 according to the first embodiment of the present invention. 5 is a cross-sectional view illustrating a state in which the probe pin block 160 of FIG. 4 is installed in the block guide 170.
도 4 및 도 5를 참조하면, 제 1 실시예에 따른 프로브 핀 블록(160)은 연결 기판(150), 프레스 블록(120), 에폭시(130) 및 프로브 핀(140)을 포함한다. 연결 기판(150)은 프로브 핀(140)과 카드 몸체(10)를 매개하는 배선기판으로서, 상부면에 막대 형상의 프레스 블록(120)이 설치된다. 프로브 핀들(140)은 프레스 블록(120)의 상부면에 열을 지어 2층으로 설치되며, 프레스 블록(120) 상부면에 도포된 에폭시(130)에 의해 고정된다. 프레스 블록(140)으로는 반도체 소자와 유사한 열팽창계수를 갖는 소재를 사용하는 것이 바람직하며, 예컨대 종래의 세라믹 블록을 비롯하여 실리콘 소재의 블록이 사용될 수 있다.4 and 5, the probe pin block 160 according to the first embodiment includes a connection substrate 150, a press block 120, an epoxy 130, and a probe pin 140. The connection board 150 is a wiring board that mediates the probe pin 140 and the card body 10, and a rod-shaped press block 120 is installed on an upper surface thereof. The probe pins 140 are installed in two layers in rows on the upper surface of the press block 120, and are fixed by an epoxy 130 applied to the upper surface of the press block 120. As the press block 140, a material having a thermal expansion coefficient similar to that of a semiconductor device is preferably used. For example, a block of silicon material, including a conventional ceramic block, may be used.
연결 기판(150)은 프레스 블록(120)이 설치되는 상부면의 외측에 프로브 핀(140)이 납땜되는 비아 홀(151)이 형성되어 있으며, 하부면에 비아 홀(151)과 전기적으로 연결되어 포고핀이 접촉하는 접촉 패드(152)가 형성되어 있다. 연결기판(150)으로는 양면에 배선층이 형성된 인쇄회로기판을 사용하는 것이 바람직하다.The connection board 150 has a via hole 151 in which the probe pin 140 is soldered to the outside of the upper surface on which the press block 120 is installed, and is electrically connected to the via hole 151 on the lower surface of the connection board 150. Contact pads 152 are formed in contact with the pogo pins. As the connection board 150, a printed circuit board having wiring layers formed on both surfaces thereof is preferably used.
프로브 핀(140)은 텅스텐 핀으로서, 프레스 블록(120)의 외측면에 근접한 연결 기판(150)에 납땜되어 고정되는 접합부(141)와, 접합부(141)와 연결되어 프레스 블록(120)의 외측면을 따라서 프레스 블록(120)의 상부면으로 절곡되어 에폭시(130)에 의해 고정되는 고정부(142)와, 고정부(142)와 연결되어 프레스 블록(120)의 위쪽 방향으로 절곡되어 웨이퍼의 반도체 소자의 전극 패드와 접촉하는 접촉부(143)를 포함한다.The probe pin 140 is a tungsten pin, and is bonded to the connection board 150 adjacent to the outer surface of the press block 120 and is fixed to the bonding portion 141, and the bonding portion 141 is connected to the outside of the press block 120. The fixing part 142 bent to the upper surface of the press block 120 along the side surface and fixed by the epoxy 130, and connected to the fixing part 142 to be bent upwards of the press block 120 to form a wafer. And a contact portion 143 in contact with the electrode pad of the semiconductor device.
특히 프레스 블록(120) 위에 도포되는 에폭시(130)의 영역을 확대하면서 반도체 소자의 전극 패드에 탄성적으로 접촉할 수 있는 프로브 핀의 접촉부(143)의 길이를 확보할 수 있도록, 접촉부(143)는 프레스 블록(120)의 외측면을 벗어나 이웃하는 프로브 핀 블록의 상부쪽으로 뻗어 있고, 끝단은 프레스 블록(120)의 위쪽 방향으로 절곡되어 웨이퍼의 반도체 소자의 전극 패드와 접촉하게 된다. 이때 에폭시(130)는 거의 프레스 블록(120)의 상부면 전체에 도포된다. 도면부호 B는 접촉부(143)의 길이를 나타낸다.In particular, the contact portion 143 may be secured so as to secure the length of the contact portion 143 of the probe pin, which may elastically contact the electrode pad of the semiconductor device, while expanding the area of the epoxy 130 applied on the press block 120. Is extended beyond the outer surface of the press block 120 to the upper side of the neighboring probe pin block, the end is bent in the upward direction of the press block 120 is in contact with the electrode pad of the semiconductor element of the wafer. At this time, the epoxy 130 is almost applied to the entire upper surface of the press block 120. Reference numeral B denotes the length of the contact portion 143.
한편 블록 가이드(170)에 다수개의 프로브 핀 블록(160)이 설치될 때 프레스 블록(120)의 외측면으로 연장된 프로브 핀의 접촉부(143)가 이웃하는 프로브 핀 블록의 에폭시(130)와 간섭하지 않도록, 제 1 실시예에서는 프레스 블록(120)의 상부면이 경사지게 경사면(124)으로 형성되며, 그 경사면(124)에 평행하거나 높게 프로브 핀의 고정부(142)가 위치하여 에폭시(130)에 덮여 고정된다. 그리고 고정부(142)와 일체로 형성된 접촉부(143)는 고정부(142)에서 연장되어 이웃하는 프로브 핀 블록의 에폭시(130) 위에 배치된다. 물론 프레스 블록의 경사면(124)은 고정부(142)와 연결되어 접촉부(143)가 인출되는 부분이 고정부(142)와 연결되어 접합부(142)가 인출되는 부분에 비해서 상대적으로 높게 형성된다.Meanwhile, when a plurality of probe pin blocks 160 are installed in the block guide 170, the contact portions 143 of the probe pins extending to the outer surface of the press block 120 interfere with the epoxy 130 of the neighboring probe pin blocks. In the first embodiment, the top surface of the press block 120 is formed to be inclined with an inclined surface 124, and the fixing part 142 of the probe pin is positioned parallel to or higher than the inclined surface 124 so that the epoxy 130 is positioned. It is fixed covered in. The contact part 143 integrally formed with the fixing part 142 extends from the fixing part 142 and is disposed on the epoxy 130 of the neighboring probe pin block. Of course, the inclined surface 124 of the press block is connected to the fixed portion 142, the portion in which the contact portion 143 is drawn out is connected to the fixed portion 142 is formed relatively higher than the portion in which the junction 142 is drawn out.
프레스 블록의 경사면(124)은 프레스 블록(120)의 폭과, 그에 따른 블록 가이드(170)에 설치되는 프로브 핀 블록(160) 사이의 거리에 따라서 경사각을 조절하여 프로브 핀의 접촉부(143)가 이웃하는 프로브 핀 블록의 에폭시(130)와 간섭하지 않도록 형성하면 된다. 아울러 블록 가이드(170)에 프로브 핀 블록(160) 설치시 프레스 블록(120)의 외측면으로 연장된 프로브 핀의 접촉부(143)로 인한 간섭을 방지하기 위해서, 프로브 핀의 접촉부가 형성된 쪽에 이웃하는 프로브 핀 블록이 없는 프로브 핀 블록부터 차례로 설치해야 한다. 예컨대, 도 5에서는 오른쪽에서 왼쪽으로 프로브 핀 블록(160)을 블록 가이드(170)에 차례로 삽입 설치하게 된다.The inclined surface 124 of the press block adjusts the inclination angle according to the width of the press block 120 and the distance between the probe pin block 160 installed in the block guide 170 so that the contact portion 143 of the probe pin is formed. What is necessary is just to form so that it may not interfere with the epoxy 130 of a neighboring probe pin block. In addition, in order to prevent interference due to the contact portion 143 of the probe pin extending to the outer surface of the press block 120 when the probe pin block 160 is installed in the block guide 170, the contact portion of the probe pin is adjacent to the side where the contact portion is formed. Probe pin blocks without probe pin blocks must be installed in order. For example, in FIG. 5, the probe pin block 160 is inserted into the block guide 170 in order from right to left.
따라서 프로브 핀의 접촉부(143)를 프레스 블록(120)의 외측면으로 연장하여 형성함으로써, 웨이퍼의 반도체 소자의 크기의 축소에 따른 프레스 블록(120)의 폭이 축소하더라도, 반도체 소자의 전극 패드에 탄성적으로 접촉할 수 있는 프로브 핀의 접촉부(143)의 길이를 확보할 수 있다. 프레스 블록(120)의 상부면에 위치하는 프로브 핀의 고정부(142)를 에폭시(130)로 고정할 때, 도 3에 비하여 에폭시(130)의 도포 영역을 거의 프레스 블록(120) 상부면 전체로 확대함으로써 프레스 블록(120) 위에 프로브 핀(140)을 안정적으로 고정할 수 있다.Therefore, by forming the contact portion 143 of the probe pin to the outer surface of the press block 120, even if the width of the press block 120 is reduced due to the reduction in the size of the semiconductor element of the wafer, the electrode pad of the semiconductor element It is possible to secure the length of the contact portion 143 of the probe pin that can be elastically contacted. When fixing the fixing part 142 of the probe pin positioned on the upper surface of the press block 120 with the epoxy 130, the application area of the epoxy 130 is almost the entire upper surface of the press block 120 as compared with FIG. 3. The probe pin 140 may be stably fixed to the press block 120 by enlarging to.
한편, 제 1 실시예에 따른 프레스 블록의 경사면(124)은 프로브 핀의 접촉부(143)가 웨이퍼의 반도체 소자의 전극 패드에 탄성적으로 접촉할 때 이웃하는 프로브 핀 블록의 에폭시(130)의 상부면과 간섭하지 않는 경사각을 갖도록 형성하는 것이 바람직하다.Meanwhile, the inclined surface 124 of the press block according to the first embodiment has an upper portion of the epoxy 130 of the neighboring probe pin block when the contact portion 143 of the probe pin elastically contacts the electrode pad of the semiconductor element of the wafer. It is preferable to form the inclination angle that does not interfere with the surface.
본 발명의 제 1 실시예에서는 프로브 핀의 접촉부(143)를 프레스 블록(120)의 외측으로 연장시키기 위해서 프레스 블록(120)의 상부면을 경사면(124)으로 형성한 예를 개시하였지만, 프레스 블록의 상부면을 수평면으로 유지한 상태에서 프로브 핀의 고정부를 상향 단차지게 형성하여 접촉부가 프레스 블록의 외측으로 연장되게 형성할 수도 있다. 즉, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 제 2 실시예에 따른 프로브 핀 블록(260)은 프레스 블록(220)의 상부면(224)을 수평면으로 유지하면서 고정부(242)는 프로브 핀의 접촉부(243)를 향하여 상향 단차지게 형성된다. 아울러 상향 단차지게 형성된 고정부(242)는 접촉부(243)를 향하여 경사지게 형성된다. 에폭시(230)는 거의 프레스 블록 상부면(224) 전체에 도포되어 프레스 볼록 상부면(224)에 위치하는 고정부(242)를 고정하며, 종래에 비하여 에폭시(230)의 도포되는 영역이 확대되기 때문에, 프레스 블록(220) 위에 프로브 핀의 고정부(242)를 안정적으로 고정할 수 있다. 물론 접촉부(243)는 프레스 블록(220)의 외측면에서 연장되게 형성된다. 도면부호 C는 접촉부(242)의 길이를 나타낸다.In the first embodiment of the present invention, an example in which the upper surface of the press block 120 is formed as the inclined surface 124 in order to extend the contact portion 143 of the probe pin to the outside of the press block 120 is disclosed. The fixing part of the probe pin may be formed to be stepped upward in a state where the upper surface of the substrate is maintained in a horizontal plane so that the contact part may extend outward of the press block. That is, as shown in FIGS. 6 and 7, the probe pin block 260 according to the second embodiment maintains the upper surface 224 of the press block 220 in a horizontal plane, while the fixing part 242 is a probe pin. It is formed to be stepped upward toward the contact portion 243. In addition, the fixing portion 242 formed to be stepped upward is inclined toward the contact portion 243. The epoxy 230 is applied to the entire press block upper surface 224 to fix the fixing part 242 located on the press convex upper surface 224, and the area to be coated of the epoxy 230 is enlarged as compared with the conventional art. Therefore, the fixing part 242 of the probe pin can be stably fixed on the press block 220. Of course, the contact portion 243 is formed to extend from the outer surface of the press block 220. Reference numeral C denotes the length of the contact portion 242.
특히 프로브 핀 블록들(260)이 근접하게 블록 가이드(270)에 설치될 때, 프레스 블록(220)에서 연장된 프로브 핀의 접촉부(243)가 이웃하는 프로브 핀 블록의 에폭시(230)와 간섭하는 것을 방지하기 위해서, 에폭시(230) 또한 고정부의 단차부(242a)에 대응되게 단차지게 형성된다. 물론 에폭시(230)를 단차지게 형성함으로써, 프레스 블록(220)의 외측면으로 연장된 접촉부(243)는 이웃하는 프로브 핀 블록의 에폭시의 단차부(232) 위에 위치하게 된다.In particular, when the probe pin blocks 260 are installed in close proximity to the block guide 270, the contacts 243 of the probe pins extending from the press block 220 may interfere with the epoxy 230 of the neighboring probe pin blocks. In order to prevent that, the epoxy 230 is also formed to be stepped to correspond to the stepped portion 242a of the fixing part. Of course, by forming the epoxy 230 stepped, the contact portion 243 extending to the outer surface of the press block 220 is positioned on the stepped portion 232 of the epoxy of the neighboring probe pin block.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다. 예컨대, 본 발명은 연결 기판을 갖는 프로브 핀 블록에 적용된 예를 개시하였지만, 본 출원인이 기 출원한(특허출원번호 제77277호(2003.11.03)) 연결기판 대신에 패턴부를 갖는 프로브 핀 블록에도 적용할 수 있음은 물론이다. 즉, 패턴부와 전기적 연결 수단으로 연결된 프로브 핀의 접촉부를 프레스 블록의 외측면으로 연장하고, 그에 따라서 에폭시의 도포 영역을 거의 프레스 블록의 상부면 전체로 확대하는 것은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.On the other hand, the embodiments of the present invention disclosed in the specification and drawings are merely presented specific examples to aid understanding and are not intended to limit the scope of the present invention. In addition to the embodiments disclosed herein, it is apparent to those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention may be implemented. For example, although the present invention discloses an example applied to a probe pin block having a connection substrate, the present invention also applies to a probe pin block having a pattern portion instead of the connection substrate previously applied by the applicant (Patent Application No. 77277 (2003.11.03)). Of course you can. That is, it is common in the art to extend the contact portion of the probe pin connected by the pattern portion and the electrical connection means to the outer surface of the press block, and thus to expand the application area of the epoxy to almost the entire upper surface of the press block. Self-evident to those who have knowledge of
따라서, 본 발명의 구조를 따르면 프로브 핀의 접촉부를 프레스 블록의 외측면으로 연장하여 형성함으로써, 웨이퍼의 반도체 소자의 크기의 축소에 따른 프레스 블록의 폭이 축소하더라도, 반도체 소자의 전극 패드에 탄성적으로 접촉할 수 있는 프로브 핀의 접촉부의 길이를 확보할 수 있다.Therefore, according to the structure of the present invention, by forming the contact portion of the probe pin to the outer surface of the press block, it is elastic to the electrode pad of the semiconductor element, even if the width of the press block due to the reduction of the size of the semiconductor element of the wafer is reduced It is possible to secure the length of the contact portion of the probe pin that can be contacted.
아울러 에폭시의 도포 영역을 거의 프레스 블록의 상부면 전체로 확대함으로써, 프레스 블록의 상부면에 프로브 핀을 안정적으로 고정할 수 있다.In addition, the probe pin can be stably fixed to the upper surface of the press block by enlarging the application area of epoxy to almost the entire upper surface of the press block.
도 1은 다수개의 프로브 핀 블록이 설치된 프로브 카드를 보여주는 평면도이다.1 is a plan view illustrating a probe card in which a plurality of probe pin blocks are installed.
도 2는 도 1의 2-2선 단면도로서, 블록 가이드에 프로브 핀 블록이 설치된 상태를 보여주는 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line 2-2 of FIG. 1 and showing a state in which a probe pin block is installed in the block guide.
도 3은 도 1의 프로브 핀 블록을 보여주는 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating the probe pin block of FIG. 1.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프로브 핀 블록을 보여주는 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a probe pin block according to a first embodiment of the present invention.
도 5는 블록 가이드에 도 4의 프로브 핀 블록이 설치된 상태를 보여주는 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a state in which the probe pin block of FIG. 4 is installed in a block guide.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프로브 핀 블록을 보여주는 단면도이다.6 is a cross-sectional view illustrating a probe pin block according to a second exemplary embodiment of the present invention.
도 7은 블록 가이드에 도 6의 프로브 핀 블록이 설치된 상태를 보여주는 단면도이다.7 is a cross-sectional view illustrating a state in which the probe pin block of FIG. 6 is installed in a block guide.
* 도면의 주요 부분에 대한 설명 *Description of the main parts of the drawing
10 : 카드 몸체 20, 120, 220 : 프레스 블록10: card body 20, 120, 220: press block
30, 130, 230 : 에폭시 40, 140, 240 : 프로브 핀30, 130, 230: epoxy 40, 140, 240: probe pin
41, 141, 241 : 접합부 42, 142, 242 : 고정부41, 141, 241: junction 42, 142, 242: fixing
43, 143, 243 : 접촉부 50, 150, 250 : 연결 기판43, 143, 243: contacts 50, 150, 250: connection board
60, 160, 260 : 프로브 핀 블록 70, 170, 270 : 블록 가이드60, 160, 260: probe pin block 70, 170, 270: block guide
100 : 프로브 카드100: probe card
Claims (8)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2003-0086403A KR100519658B1 (en) | 2003-12-01 | 2003-12-01 | Probe card |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2003-0086403A KR100519658B1 (en) | 2003-12-01 | 2003-12-01 | Probe card |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050052837A KR20050052837A (en) | 2005-06-07 |
| KR100519658B1 true KR100519658B1 (en) | 2005-10-10 |
Family
ID=37248666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2003-0086403A KR100519658B1 (en) | 2003-12-01 | 2003-12-01 | Probe card |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100519658B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100671342B1 (en) | 2005-09-14 | 2007-01-19 | 주식회사 매크론 | Apparatus and method for inspecting electricity-driven device |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100718460B1 (en) * | 2005-06-08 | 2007-05-16 | 한성규 | A needle used in electrical die sortingprocess and probe card having the same |
| KR101133407B1 (en) * | 2010-01-20 | 2012-04-09 | 양희성 | A method of manufacturing for a probe and a probe device |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0666833A (en) * | 1992-04-28 | 1994-03-11 | Nippon Denshi Zairyo Kk | Probe for probe card |
| JPH07318586A (en) * | 1994-05-30 | 1995-12-08 | Nec Kansai Ltd | Probe card |
| KR20020005821A (en) * | 2000-07-10 | 2002-01-18 | 이국상 | Probe card for testing semiconductor device |
| KR20020096779A (en) * | 2001-06-18 | 2002-12-31 | 김연환 | Probe used in display test |
| KR20050029066A (en) * | 2003-09-20 | 2005-03-24 | (주)티에스이 | Probe card |
| KR20050042563A (en) * | 2003-11-03 | 2005-05-10 | (주)티에스이 | Probe pin block of probe card |
-
2003
- 2003-12-01 KR KR10-2003-0086403A patent/KR100519658B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0666833A (en) * | 1992-04-28 | 1994-03-11 | Nippon Denshi Zairyo Kk | Probe for probe card |
| JPH07318586A (en) * | 1994-05-30 | 1995-12-08 | Nec Kansai Ltd | Probe card |
| KR20020005821A (en) * | 2000-07-10 | 2002-01-18 | 이국상 | Probe card for testing semiconductor device |
| KR20020096779A (en) * | 2001-06-18 | 2002-12-31 | 김연환 | Probe used in display test |
| KR20050029066A (en) * | 2003-09-20 | 2005-03-24 | (주)티에스이 | Probe card |
| KR20050042563A (en) * | 2003-11-03 | 2005-05-10 | (주)티에스이 | Probe pin block of probe card |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100671342B1 (en) | 2005-09-14 | 2007-01-19 | 주식회사 매크론 | Apparatus and method for inspecting electricity-driven device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20050052837A (en) | 2005-06-07 |
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