KR100513652B1 - 전계 방출 소자 및 그 제조방법 - Google Patents
전계 방출 소자 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (8)
- 기판; 상기 기판에 일정 간격을 갖으면서 배치되는 게이트 산화막을 포함하는 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극 상이의 기판 상에 배치되는 팁을 포함하는 전계 방출 소자에 있어서,상기 팁은 실린더 형태로 형성되며, 원둘레에 전체적으로 팁이 형성된 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 팁은 불순물이 도핑된 폴리실리콘막인 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 게이트 전극은 몰리브덴인 것을 특징으로 하는 전계방출 소자.
- 기판 상에 디스크 형태로 코어 패턴을 형성하는 단계;상기 코어 패턴을 마스크로 하여, 기판을 소정 깊이만큼 등방성 식각하는 단계;상기 기판 및 코어 패턴 상부에 상기 코어 패턴과 식각 선택비가 상이한 전도층을 형성하는 단계;상기 전도층을 반응성 이온 식각하여, 상기 코어 패턴 및 식각되어진 기판 측벽에 실린더형 스페이서를 형성하는 단계;상기 기판 및 코어 패턴 상부에 게이트 산화막과 게이트 전극을 형성하는 단계; 및상기 코어 패턴을 제거하여, 전도층 팁을 형성하는 단계를 포함하며,상기 코어 패턴을 제거하는 단계시, 상기 코어 패턴 상부에 존재하는 게이트 산화막과 게이트 전극이 동시에 제거되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조방법 .
- 제 4 항에 있어서, 상기 코어 패턴은 불순물이 도핑된 PSG막인 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 PSG막은 10 대 1의 HF 용액으로 제거하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 전도층은 불순물이 도핑된 폴리실리콘막인 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 도핑된 폴리실리콘막은 약 900 내지 1100Å 정도로 증착하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자의 제조방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-1998-0034242A KR100513652B1 (ko) | 1998-08-24 | 1998-08-24 | 전계 방출 소자 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-1998-0034242A KR100513652B1 (ko) | 1998-08-24 | 1998-08-24 | 전계 방출 소자 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20000014698A KR20000014698A (ko) | 2000-03-15 |
KR100513652B1 true KR100513652B1 (ko) | 2005-12-26 |
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ID=19548058
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR10-1998-0034242A KR100513652B1 (ko) | 1998-08-24 | 1998-08-24 | 전계 방출 소자 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100513652B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101034887B1 (ko) * | 2009-09-16 | 2011-05-17 | 한국전기연구원 | Si 팁에 SiC가 코팅된 전계 방출 소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 전계 방출 소자 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100437598B1 (ko) * | 2001-05-25 | 2004-06-26 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 전계 방출 표시소자의 제조방법 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH04312739A (ja) * | 1991-04-12 | 1992-11-04 | Fujitsu Ltd | 微小冷陰極の製造方法 |
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KR960042842A (ko) * | 1995-05-10 | 1996-12-21 | 김준성 | 산화 마그네슘(MgO)이 코팅된 팁을 이용한 필드 에미터 제조방법 |
KR19990043861A (ko) * | 1997-11-29 | 1999-06-15 | 김영남 | 버티컬 웨지형 에미터를 구비하는 전계방출소자의형성방법 |
-
1998
- 1998-08-24 KR KR10-1998-0034242A patent/KR100513652B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20000014698A (ko) | 2000-03-15 |
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