KR100512909B1 - 열분해 촉매를 이용한 실리콘 검의 연속제조공정 - Google Patents

Abstract

본 발명은 열분해 촉매를 이용한 실리콘 검의 연속제조공정에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 사이클릭 모노머의 수분을 미리 제거한 후, 특정 열분해 촉매와 체인 스톱퍼를 혼합하여 프리믹싱시켜 반응물 내의 촉매의 분산도를 증가시킨 후, 85 ∼ 115 ℃의 온도에서 개환중합 시켜 고점도 실리콘 검을 제조한 후, 촉매 및 미반응 물질을 분해시켜 고점도 실록산 검을 제조함으로써, 기존의 알카리, 산 촉매 사용시 발생하는 중화의 어려움, 반응시간이 길고 반응 온도가 높은 점 등에 대한 단점을 보완하고, 프리믹싱과 효과적인 수분제거 등의 공정을 통하여 사용하는 촉매의 양을 감소시켜 촉매제거 과정의 효율성을 높이고 생산성을 향상시킨 고점도 실리콘 검의 연속제조공정에 관한 것이다.

Description

열분해 촉매를 이용한 실리콘 검의 연속제조공정{A continuous process of silicone gum having high viscosity using decomposition catalyst}

본 발명은 열분해 촉매를 이용한 실리콘 검의 연속제조공정에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 사이클릭 모노머의 수분을 미리 제거한 후, 특정 열분해 촉매와 체인 스톱퍼를 혼합하여 프리믹싱시켜 반응물 내의 촉매의 분산도를 증가시킨 후, 85 ∼ 115 ℃의 온도에서 개환중합 시켜 고점도 실리콘 검을 제조한 후, 촉매 및 미반응 물질을 분해시켜 고점도 실록산 검을 제조함으로써, 기존의 알카리, 산 촉매 사용 시 발생하는 중화의 어려움, 반응시간이 길고 반응 온도가 높은 점 등에 대한 단점을 보완하고, 프리믹싱과 효과적인 수분제거 등의 공정을 통하여 사용하는 촉매의 양을 감소시켜 촉매제거 과정의 효율성을 높이고 생산성을 향상시킨 고점도 실리콘 검의 연속제조공정에 관한 것이다.

일반적으로 고점도 실리콘 검은 분자량이 10만 ∼ 90만에 이르고, 25 ℃에서 10,000,000 ∼ 80,000,000 cp의 점도를 갖는다. 이러한 고점도 실리콘 검은 화학 구조에 따라 디메틸실리콘 검, 메틸비닐실리콘 검, 메틸비닐페닐실리콘 검 또는 메틸비닐불소실리콘 검 등이 있으며, 이들은 열경화형 실리콘 고무(HTV, high temperature vulcanization), 종이 이형제, 화장품용 등 다양한 응용 제품의 원료로 사용되고 있다.

상기와 같은 고점도 실리콘 검은 내열성, 낮은 온도에서의 사슬의 유연성, 전기적 성질과 접착성, 투명성 등에서 우수한 물성을 가지고 있어 각종 실리콘 제품의 원료로서 사용된다. 이 원료는 필러 및 첨가제와 함께 일정 배합으로 투입한 후 컴파운딩하여 제품화되며, 메틸 비닐 검은 주로 각종 기기부품의 가스킷이나 컴퓨터의 키패드, 자동차 산업 등 밀러블 열경화형 실리콘 고무(Millable high temperature vulcanization)와 부가형 종이이형제 등에 사용되고 있고, 디메틸 검은 가장 고전적인 고점도 검의 종류로써 화학적으로 안정하고 투명도가 뛰어나며, 높은 굴절율과 광택성이 좋고 가스에 대한 투과율이 뛰어나다는 장점이 있어 주로 화장품, 머리와 피부 보호용품 등의 제품으로 응용되고 있다. 또한 메틸 페닐 실리콘 검은 -70 ℃와 같은 낮은 온도에 대해서도 유연성을 보이는 내한성과 높은 온도에 대한 내열성이 기존의 실리콘 검보다 높아 이를 이용한 응용 제품에 이용된다. 메틸 불소 검은 특히 내용제성이 뛰어나다.

이와 같은 여러 종류의 고점도 실리콘 검은 일반적으로 염기 또는 산 촉매하에서 링 개환 중합법에 의하여 사이클릭 모노머가 높은 분자량의 고점도 폴리머로 점도가 증가하여 평형에 도달하게 된다. 이렇게 분자량을 증가시키고 이를 제어하는 데에는 촉매의 종류와 투입되는 양이 매우 중요하다고 하므로, 이에 관한 종래의 기술을 요약하면 다음과 같다.

(1) 유기실록산을 초기 물질로 하고 알카리 금속 하이드록사이드를 촉매로 하여 높은 분자량의 고점도 실리콘 검을 합성하는 제조법이 있다[미국특허 제3,779,987호, J. Am. Chem. Soc., 76,249 (1954)]. 상기 방법에서는 촉매의 처리과정에 있어 중화하는 방법을 이용하여야 한다. 그러나, 이 기술은 중화 과정에서 많은 양의 염이 발생되기 때문에, 이를 제거하기 위하여 많은 장비와 에너지, 시간, 비용이 필요로 하는 단점이 있어 왔다.

(2) 반응 촉매로서 황산과 같은 강한 산촉매를 사용하여 합성하는 경우에는 염기성 중화제를 이용하여 중화 한 후 이를 물을 이용하여 세척하는 과정을 거친 후, 낮은 분자량의 사이클릭을 제거하여 실리콘 검을 제조한다[Elec. Rev., 49, No.11,14 (1946)]. 그러나, 상기 방법도 위에서 언급한 (1)과 같이 많은 양의 중화제가 필요하고 이로 인한 많은 양의 염이 발생하여 에너지와 비용적인 면에서 소비가 큰 단점이 있다. 특히 물로서 세척하는 과정에서는 많은 양의 물이 소비되기 때문에 이러한 단점을 더욱 부각 시켜왔다.

상기한 종래의 알카리 및 산 촉매를 이용하여 발생하는 위와 같은 문제점을 해결하기 위하여 온도만 가하여 간단히 촉매를 분해시킬 수 있는 열분해용 촉매를 제조하여 실리콘 검을 제조하는 방법이 개발되었으며, 이러한 기술로는 다음과 같은 것이 있다.

열분해용 촉매로서 4급 암모니움 하이드록사이드와 포스포리움 하이드록사이드를 이용하거나 사이클릭 모노머와의 분산성을 좋게 하기 위하여 실라놀레이트를 제조하여 사용하였다. 열분해용 촉매를 이용할 경우에도 촉매가 완전히 제거되지 않으면 냄새가 남아 있을 수 있고 특히 초기 물질인 유기실록산에 아미노와 머캡톤과 같은 기능기가 도입되어 있을 경우에는 만족스러운 평형화가 어려우며, 색깔이 투명하지 않다는 단점이 보고된 바 있다[미국특허 제3,002,951호, J. Polymer Sci. 40,35 (1959)].

또한, 실리콘 검 제조시 사이클릭 모노머(cyclic monomer)에 수분 함유량을 최소화하는 것이 매우 중요하다. 수분은 말단의 체인 스톱퍼(chain-stopper)로 작용하여 분자량에 영향을 주기 때문에 수분제거 공정은 효과적인 검 생산을 위하여 매우 중요하다. 반응물에 존재하는 수분은 검의 말단에 하이드록시 그룹을 가지게 되는데 이는 실리콘 고무 제조시 첨가하는 보강제인 실리카와의 친화력 때문에 크레이프 경화 (crepe-hardening) 현상을 가져오게 된다. 기존의 수분 제거 공정은 칼슘 하이드라이드(calcium hydride)에 의한 증류법이나, 몰레큘라 씨브(Molecular sieve)를 통과하여 수분을 제거하는 공정이 보고된바 있다[미국특허 제4,704,443호]. 전자의 경우에는 큰 규모의 양을 생산하기에는 처리문제가 위험하고 후자의 경우에는 에너지면이나 비용적인 면에서 효율적이지 않으며 시간이 지나면 주기적으로 교체해 주어야 하는 단점이 있다.

한편, 고점도 실리콘 검을 합성하는 데에는 고점도(10,000,000 ∼ 80,000,000 cp)를 제어할 수 있는 믹서의 형태, 열전도도가 좋은 반응기의 선정 등이 필수 조건이다. 그러나 종래의 기술들은 상기에서 제시한 시간, 에너지 면에서 보여준 단점들 때문에 주로 배치(batch) 형태의 반응기에서 제조 공정이 이루어져 왔으나, 배치 형태의 반응기는 제품의 생산성이 떨어지는 문제가 있다.

이에 본 발명자들은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 사이클릭 모노머의 수분을 미리 제거한 후, 특정 열분해 촉매와 체인 스톱퍼를 혼합하여 프리믹싱시켜 반응물 내의 촉매의 분산도를 증가시킨 후, 85 ∼ 115 ℃의 온도에서 개환중합 시켜 고점도 실리콘 검을 제조한 후, 촉매 및 미반응 물질을 분해시켜 고점도 실록산 검을 제조하면, 적은 양의 촉매를 이용하더라도 반응이 평형화에 도달하는 시간과 촉매 처리 과정의 시간이 절약됨을 알게 되어 본 발명을 완성하였다.

따라서, 본 발명은 적은 양의 촉매를 사용하여 에너지와 비용을 절감시키고, 연속 공정을 가능하게 하여 생산성을 향상시킬 수 있으며, 최종 제품의 투명성과 전기적 성질 등이 우수한 고점도 실리콘 검의 연속제조공정을 제공하는데 그 목적이 있다.

본 발명은 고점도 실록산 검의 연속제조공정에 있어서,

1) 다음 화학식 1로 표시되는 사이클릭 모노머를 60 ∼ 65 ℃에서 N₂ 가스 주입과 진공조건하에서 수분을 제거하는 단계,

2) 상기 1 단계의 사이클릭 모노머와 다음 화학식 2로 표시되는 열분해용 촉매 및 체인 스톱퍼를 반응기에 첨가하여 20 ∼ 40 ℃에서 프리믹싱 시키는 단계,

3) 상기 2 단계의 반응기를 85 ∼ 95 ℃로 올려 30 ∼ 60 분 동안 유지한 후, 다시 115 ∼ 120 ℃로 올려 30 ∼ 60 분 동안 유지하여 개환중합시켜 평형화 시키는 단계,

4) 상기 3 단계에 의해 제조된 고점도 실리콘 검을 170 ∼ 175 ℃에서 촉매를 분해시키는 단계,

5) 1 ∼ 10 torr의 진공조건에서 사이클릭 모노머와 미반응 물질을 제거하는 단계,

6) 온도를 60 ∼ 80 ℃로 낮추면서 질소 압에 의해 제조된 검을 배출하는 단계,

7) 제거된 사이클릭 모노머와 수분제거 공정에서 나온 사이클릭 모노머를 다음 반응시에 회수 및 재사용하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 고점도 실리콘 검의 연속제조공정에 관한 것이다.

[(R¹)₂SiO]_m

상기 화학식 1에서; R¹은 C₁ ∼ C₈의 알킬기, 사이클로알킬기, 알케닐기, 또는 알릴기이고, m은 3 ∼ 20의 정수이다.

R² ₄-X-O[SiO]-X-R² ₄

상기 화학식 2에서; R²는 C₁ ∼ C₈의 알킬기, 사이클로알킬기, 비닐기 또는 페닐기이고, X는 N, B 또는 P이다.

이와 같은 본 발명을 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.

본 발명의 고점도 실리콘 검의 제조방법을 단계별로 상세히 설명하면 다음과 같다.

먼저, 상기 화학식 1로 표시되는 사이클릭 모노머를 60 ∼ 65 ℃에서 N₂ 가스 주입과 진공조건하에서 수분을 제거하는 1 단계이다. 상술한 바와 같이 모노머에 잔존하는 수분은 체인의 말단에 하이드록시 그룹을 가지게 하며 체인 스톱퍼로 작용하여 고점도의 실리콘 검을 제조하기 어렵게 된다. 종래에는 칼슘하이드라이드를 이용한 증류법이나 몰레큘라 씨브를 사용하는 방법이 사용되어 왔으나, 상기 방법들은 처리과정이 위험하고 주기적으로 교체해주어야 하므로 에너지적으로나 경제적으로 부담을 준다. 따라서, 본 발명에서는 60 ∼ 65 ℃에서 N₂ 가스를 반응기 아래에서 샤워식으로 주입해주면서 약 30 torr의 진공을 걸어 3시간 정도 수분을 제거하여 준다. 상기와 같이 N₂ 가스를 통해 수분이 제거된 사이클릭 모노머는 수분 함량이 30 ppm 이하로 제거되어진다. 이 공정에서 수분은 4 ~ 5 중량%의 사이클릭 모노머와 함께 제거되는데 이를 회수하여 다음 반응에서 재사용 가능하다. 상기 화학식 1로 표시되는 사이클릭 모노머는 낮은 분자량을 갖는 사이클릭 유기 실록산으로 예컨대, 헥사메틸사이클로트리실록산, 옥타메틸사이클로테트라실록산, 데카메틸사이클로펜타실록산 또는 도데카메틸사이클로헥사실록산 등의 혼합물을 사용할 수 있으며, 이 중 상기 옥타메틸사이클로테트라실록산을 적어도 60% 이상 사용하는 것이 좋다. 또한, 상기 화학식 1에서 메틸, 에틸, 프로필 등의 알킬기, 사이클로헥실, 사이클로펜틸 등의 사이클로 알킬기, 비닐 등의 알케닐기, 페닐, 디페닐과 같은 알릴 그룹 등을 사용가능하다.

다음으로, 상기 1 단계의 수분이 제거된 사이클릭 모노머와 상기 화학식 2로 표시되는 열분해용 촉매 및 체인 스톱퍼를 반응기에 첨가하여 20 ∼ 40 ℃, 30 torr 진공조건 하에서 30분 동안 질소분위기로 프리믹싱 시키는 2단계이다. 이러한 프리믹싱 공정은 반응물의 분산도를 높여 반응을 원활하게 하며, 이로 인하여 적은 양의 촉매로도 반응이 가능하게 한다. 따라서, 본 발명은 상기 열분해용 촉매를 5 ∼ 40 ppm 사용하여 고점도 실리콘 검을 제조할 수 있으며, 상기 프리믹싱 또한 1 단계에서와 같이 N₂ 가스를 주입하여 주면 메틸비닐 실리콘 검 등이 산소에 의해 비닐기가 분해되는 황변현상을 막을 수 있다.

특히, 본 발명에서는 상기 열분해용 촉매로 다음 화학식 3으로 표시되는 하이드록사이드를 사이클릭 모노머와 반응하여 합성한 상기 화학식 2로 표시되는 실라놀레이트계 촉매를 사용하는데 특징이 있다.

R² ₄-X-OH

상기 화학식 3에서; R²는 C₁ ∼ C₈의 알킬기, 사이클로알킬기, 비닐기 또는 페닐기이고, X는 N, B 또는 P이다.

이와같은 본 발명의 상기 화학식 2의 실라놀레이트계 촉매의 합성은 다음과 같이 수행하였다. 낮은 분자량의 사이클릭 모노머와 상기 화학식 3으로 표시되는 하이드록사이드와 약 80 ∼ 90 ℃에서 1 시간 반응시킨 후 진공(10 ~ 30 torr)을 이용하거나 질소를 주입하여 8 시간동안 완전히 물을 제거하여 합성한다. 이때, 화학식 3으로 표시되는 하이드록사이드는 사이클릭 모노머 100 중량부에 대하여 2 ∼ 5 중량부를 사용한다. 상기 화학식 3으로 표시되는 하이드록사이드로는 암모니움 하이드록사이드 또는 포스포니움 하이드록사이드를 사용하며, 특히, 4급 암모니움 하이드록사이드의 종류로는 테트라메틸-, 테트라페닐기를 가진 하이드록사이드가 가능하며, 주로 테트라메틸을 많이 사용하며, 4급 포스포니움 하이드록사이드의 종류로는 테트라-n-부틸-, 테트라페닐-, 테트라메틸기를 가진 하이드록사이드가 가능하며, 주로 테트라-n-부틸을 많이 사용한다.

그리고, 상기 체인 스톱퍼로는 헥사메틸디실록산, 옥타메틸트리실록산 등의 양말단 메틸 저분자 직쇄상 오르가노폴리실록산과 같은 메틸 말단용 체인 스톱퍼와 디비닐테트라메틸디실록산, 디비닐헥사메틸트리실록산, 디비닐도데카메틸헥사실록산 등의 양말단 비닐 저분자 직쇄상 오르가노 폴리실록산과 같은 비닐 말단용 체인 스톱퍼를 사용한다. 이들의 양을 조절하여 최종 실리콘 검의 분자량과 점도를 조절할 수 있는바, 분자량 500,000 ∼ 900,000의 고점도 실리콘 검을 얻기 위해서는 체인 스톱퍼가 헥사메틸디실록산의 경우 저점도 실록산 모노머에 대하여 0.02 ∼ 0.07 중량%, 디비닐도데카메틸헥사실록산의 경우 0.07 ∼ 0.18 중량%를 사용하는 것이 좋으며 디비닐테트라메틸디실록산의 경우 0.02 ∼ 0.05 중량% 사용하는 것이 바람직하다.

다음, 상기 2 단계의 반응기를 85 ∼ 95 ℃로 올려 30 ∼ 60 분 동안 유지시킨 후, 115 ∼ 120 ℃로 올려 30 ∼ 60 분 동안 개환 중합시켜 평형화시키는 3단계이다. 본 발명의 고점도 실리콘 검은 열분해 촉매에 의한 개환중합에 의해 제조되어지는 바, 버티칼 실린더 타입의 반응기를 이용하여 반응기의 온도를 먼저 85 ∼ 95 ℃로 올려 점도를 증가시킨 후, 다시 고효율의 버티칼 믹서 타입의 반응기를 이용하여 온도를 115 ∼ 120 ℃로 올려 개환 중합시켜 평형상태에 이르게 하여 고점도 실리콘 검을 제조한다. 이와 같이, 본 발명은 열분해용 촉매를 사용하여 기존의 알카리, 산 촉매에 비하여 중화공정이 필요없으며, 반응온도가 낮고 평형화 시간이 빠르다는 장점을 가진다.

그리고, 상기 3 단계에 의해 제조된 고점도 실리콘 검을 170 ∼ 175 ℃의 온도에서 촉매의 활성을 제거하는 4단계를 진행한다. 열분해 촉매는 단순히 상기와 같은 온도를 올리는 열분해 방법으로 촉매의 활성을 제거할 수 있다. 그리고, 열분해시켜 발생되는 분해물질은 상온 하에서 진공과 냉각트랩을 이용한 스트립핑을 통해 제거한다.

다음, 상기 4단계와 동일한 온도와 1 ∼ 10 torr의 진공조건 하에서 사이클릭 모노머 및 미반응 물질을 효과적으로 제거하는 5 단계를 진행하며, 실리콘 검에 남아 있는 미제거된 사이클릭 모노머는 1 ∼ 3 중량%가 바람직하다.

그리고, 제조된 검의 배출을 위해 온도를 60 ∼ 80 ℃까지 낮추면서 질소 압에 의해 배출하는 6단계 및 제거된 사이클릭 모노머와 수분제거 공정에서 나온 사이클릭 모노머를 회수 및 재사용하는 7단계로 이루어진 고점도 실리콘 검의 연속공정에 관한 것이다.

상기와 같은 공정을 통해 제조된 본 발명의 실리콘 검은 수율이 85 ∼ 89%이며, 점도는 10,000,000 ∼ 80,000,000 cp로 고점도이다.

이와 같이, 본 발명에 따른 고점도 실리콘 검의 제조방법은 열분해용 촉매를 사용하여 평형화시간이 빠르며, 반응온도도 낮으며 반응후 중화공정이 필요없으므로 촉매 처리과정이 에너지 및 비용면에서 경제적이다.

한편, 본 발명은 열분해용 촉매 하에서 고분자량의 실리콘 검의 연속 제조 과정에 관한 것으로 고점도 실리콘 검 중 디메틸 실리콘 검, 메틸 비닐 실리콘 검, 메틸 비닐 페닐 실리콘 검, 또는 메틸 비닐 불소 실리콘 검등을 포함한 실리콘 검의 연속 제조에 사용 가능하다.

이하 본 발명을 실시예에 의거 더욱 상세히 설명하겠는 바, 본 발명이 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.

제조예

헥사메틸사이클로트리실록산, 옥타메틸사이클로테트라실록산 및 데카메틸사이클로펜타실록산, 도데카메틸사이클로헥사실록산의 혼합물(4% : 66% : 25% : 5%) 70 g과 테트라메틸암모늄하이드록사이드 3 g을 혼합하여 80 ℃에서 1시간 반응후 질소가스를 투입하며 30 torr의 진공하에서 8시간 동안 물을 제거하여 합성하여 불투명한 용액 상태의 열분해용 촉매인 테트라메틸암모늄 실라놀레이트를 제조하였다. 상기의 방법으로 제조된 촉매의 열분해 온도는 TGA(Thermogravimetric analyzer)로 측정한 결과 163 ℃에서 분해됨을 확인할 수 있었다.

실시예 1

연속 공정의 반응을 진행하기 전에 다음과 같이 저분자량 사이클릭 모노머의 수분제거 과정을 거쳤다. 63 ℃에서 수분제거용 컬럼을 이용하여 아래 부분에서 샤워식으로 질소주입을 하고 동시에 진공을 30 torr 걸었다. 이 과정을 2.5 시간 진행한 후 수분을 측정하였더니 22 ppm이었다. 적은 양의 촉매로도 효과적으로 반응하기 위하여 온도 센서, 압력 게이지 등이 달려있는 연속 반응기를 이용하여 헥사메틸사이클로트리실록산, 옥타메틸사이클로테트라실록산 및 데카메틸사이클로펜타실록산, 도데카메틸사이클로헥사실록산의 혼합물(4% : 66% : 25% : 5%)을 0.22 mole% 투입하고 동시에 테트라메틸암모늄 실라놀레이트를 20 ppm 첨가하였다. 또한 디비닐테트라메틸디실록산인 비닐 말단 체인 스톱퍼를 전체 사이클릭 모노머에 대하여 0.03 중량% 투입하여 30 ℃에서 1시간 동안 충분히 혼합시키는 프리믹싱 공정을 거치고 반응물을 질소 분위기로 유지하였다. 그 후 온도를 90 ℃로 올려 버티칼 실리더 타입의 반응기를 이용하여 30분 동안 점도를 증가시켰다. 그 다음 온도를 115 ℃로 올려 고효율의 버티칼 믹서 타입의 반응기를 통과시켜 60분 동안 평형상태에 이르게 하였다. 그 후 평형화 시킨 후 170 ℃에서 3시간 동안 촉매를 분해시켰다. 그 후 5 torr에서 진공을 걸어 사이클릭 모노머를 효과적으로 제거한 후 재사용하였다. 제거된 사이클릭 모노머의 함량은 13%이며, 실리콘 검의 수율은 87 %를 보였다. 제조된 실리콘 검의 분자량은 800,000이고, 점도는 고점도용 브룩필드(Brookfield) 점도계를 이용하여 측정한 결과 25 ℃에서 60,000,000 cp였다.

상기에서와 같이, 본 발명은 효과적인 수분제거로 목표하는 분자량에 도달할 수 있었고, 프리믹싱 공정을 통하여 적은 양의 촉매로도 평형화가 충분히 이뤄졌으며 촉매량이 적어 중화공정없이 촉매의 분해도 효과적으로 이루면서 연속적으로 실리콘 검을 생산할 수 있었다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 고점도 실리콘 검의 제조방법은 효과적인 수분 제거 공정과 프리믹싱 등의 공정을 통하여 사용하는 촉매의 양을 감소시켜 촉매제거 과정의 효율성을 높일 수 있으며, 연속제조공정이 가능하게 하여 생산성을 향상시킬 수 있었다.

Claims (3)

1. 고점도 실록산 검의 제조방법에 있어서,

   1) 다음 화학식 1로 표시되는 사이클릭 모노머를 60 ∼ 65 ℃에서 N₂ 가스 주입과 진공 조건 하에서 수분을 제거하는 단계,

   2) 상기 1 단계의 사이클릭 모노머와 다음 화학식 2로 표시되는 열분해용 촉매 및 체인 스톱퍼를 반응기에 첨가하여 20 ∼ 40 ℃에서 프리믹싱 시키는 단계,

   3) 상기 2 단계의 반응기를 85 ∼ 95 ℃로 올려 30 ∼ 60 분 동안 유지한 후, 다시 115 ∼ 120 ℃로 올려 30 ∼ 60 분 동안 유지하여 개환중합시켜 평형화 시키는 단계,

   4) 상기 3 단계에 의해 제조된 고점도 실리콘 검을 170 ∼ 175 ℃에서 촉매를 분해시키는 단계,

   5) 1 ∼ 10 torr의 진공조건에서 사이클릭 모노머와 미반응 물질을 제거하는 단계,

   6) 온도를 60 ∼ 80 ℃로 낮추면서 질소 압에 의해 제조된 검을 배출하는 단계,

   7) 제거된 사이클릭 모노머와 수분제거 공정에서 나온 사이클릭 모노머를 다음 반응시에 회수 및 재사용하는 단계

   로 이루어진 것을 특징으로 하는 고점도 실리콘 검의 연속제조공정.

   [화학식 1]

   [(R¹)₂SiO]_m

   상기 화학식 1에서; R¹은 C₁ ∼ C₈의 알킬기, 사이클로알킬기, 알케닐기, 또는 알릴기이고, m은 3 ∼ 20의 정수이다.

   [화학식 2]

   R² ₄-X-O[SiO]-X-R² ₄

   상기 화학식 2에서; R²는 C₁ ∼ C₈의 알킬기, 사이클로알킬기, 비닐기 또는 페닐기이고, X는 N, B 또는 P이다.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 2 단계의 촉매는 5 ∼ 40 ppm 첨가하는 것임을 특징으로 하는 고점도 실리콘 검의 연속제조공정.
3. 제 1 항에 있어서, 상기 2 단계의 화학식 2로 표시되는 열분해용 촉매는 사이클릭 모노머 100 중량부에 대하여 다음 화학식 3으로 표시되는 하이드록사이드를 2 ∼ 5 중량부 80 ∼ 90 ℃에서 반응시켜 얻은 것임을 특징으로 하는 고점도 실리콘 검의 연속제조공정.

   [화학식 3]

   R² ₄-X-OH

   상기 화학식 3에서; R²는 C₁ ∼ C₈의 알킬기, 사이클로알킬기, 비닐기 또는 페닐기이고, X는 N, B 또는 P이다.