KR100506431B1

KR100506431B1 - 면압 분포 센서 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR100506431B1
Application number: KR10-2003-0034689A
Authority: KR
Inventors: 시미즈마꼬또; 미쯔이마사시; 우에다히로유끼
Original assignee: 산요덴키가부시키가이샤
Priority date: 2002-05-31
Filing date: 2003-05-30
Publication date: 2005-08-05
Also published as: CN1469110A; TWI237209B; KR20030094044A; US6993980B2; US20040049363A1; TW200307223A; CN1215316C

Abstract

면압 분포 센서에 있어서 양산하는 경우에 그 재현성이 나쁘므로, 센싱 특성의 안정화나 신뢰성의 확보가 기대되고 있었다. 또한, 그 제조 방법에서는 생산성의 높은 향상과, 수율 향상이 요구되고 있었다. 시일제의 내측에 흐름 방지 수단을 형성하고, 시일제의 모세관 현상에 의한 센서 내부에의 침입을 방지한다. 또한, 대항 전극 필름과 기판과의 갭의 거리를 최적화하고, 센서링 특성을 향상시킨다. 또한, 컨택트의 재질과 배치 위치, 대향 전극 필름의 텐션을 최적화함으로써, 특성의 안정화, 신뢰성의 확보, 생산성의 향상 및 수율 향상을 실현한다.

Description

면압 분포 센서 및 그 제조 방법{SURFACE PRESSURE DISTRIBUTION SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

본 발명은, 가요성 도전 필름을 이용하여 지문 패턴과 같은 미세한 요철 패턴을 검출하는 데 적합한 면압 분포 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

도 14에는, 지문 패턴을 검출하는 액티브 매트릭스형 면압 분포 센서의 일례를 도시한다. 도 14의 (a)는 평면도, 도 14의 (b), 도 14의 (c)는 도 14의 (a)의 D -D선의 단면도이다.

종래의 면압 분포 센서(200)는 다수의 단위 검출 소자로 되는 TFT(204a)가 형성된 유리 또는 세라믹 등의 기판(201)과, 대향 전극 필름(202)으로 구성된다.

단위 검출 소자(204)는 TFT(204a)와 이것에 접속된 접촉 전극을 갖는다. 단위 검출 소자(204)는 유리 등의 기판(201) 위에 매트릭스 형상으로 배치되고, 단위 검출 소자(204)를 구성하는 TFT의 활성층은 비정질 실리콘막이고, 접촉 전극(204b)은 ITO(Indium Tin Oxide)에 의해 형성된다.

대향 전극 필름(202)은 기판(201)과 서로 대향하여 형성되고, 가요성 절연 필름(202a)의 이면(TFT측)에 도전막(202b)을 증착한 구조이다. 이 대향 전극 필름(202)은 기판(201) 주위에 도포한 시일제(203)에 의해 고착되고, 기판(201)과 이격하여 배치된다.

이 면압 분포 센서의 제조 방법의 일례를 나타낸다. 기판(201)에 TFT를 형성한 후, 대향 전극 필름(202)을 접착하기 위해, 기판(201) 주위에 저온의 열 경화성 수지로 이루어지는 시일제(203)를 도포한다. 그 후, 기판(201)의 대향 전극 필름(202)을 접착하고, 열 처리를 행한다. 이에 의해 기판(201)과 대향 전극 필름(202)이 고착된다.

도 14의 (c)에는 이 면압 분포 센서를 이용하여 지문 패턴을 검출하는 예를 도시한다.

면압 분포 센서(200)에 손가락(F)을 올려놓고 가볍게 누르면, 대향 전극 필름(202)은 전체가 눌려지지만, 자세히 관찰하면, 지문의 융선과 골에서 가압력이 서로 다르기 때문에, 융선의 바로 아래 또는 그 바로 근방에 위치하는 단위 검출 소자(204)의 접촉 전극(204b)은 대향 전극 필름(202)과 전기적으로 접촉한다. 그런데 지문의 골의 바로 아래 또는 그 근방에 위치하는 단위 검출 소자(204)의 접촉 전극(204b)은 대향 전극 필름(202)과는 전기적으로 접촉하지 않는다. 이와 같이, 대향 전극 필름(202)과 단위 검출 소자(204)가 접촉한 부분의 신호를 추출하여, 지문 패턴을 검출한다.

상기한 구조 및 제조 방법에 의하면, TFT를 이용한 면 압력 분포 센서를 실현할 수 있는 것은 알려져 있다. 그러나, 양산하는 경우에 그 재현성이 나쁘므로, 센싱 특성의 안정화나 신뢰성의 확보, 생산성의 높은 향상과, 수율 향상이 요구되고 있었다.

본 발명은 상술한 기술적 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 기판 위에 형성된 단위 검출 소자와, 기판과 시일제에 의해 고착되고, 기판과 서로 대향하여 형성된 가요성 도전 필름을 갖는 면압 분포 센서에 있어서, 기판과 가요성 도전 필름과의 이격 거리를 15㎛ 이상 40㎛ 이하로 하는 면압 분포 센서이다.

또한, 단위 검출 소자는 기판 위에 매트릭스 형상으로 배치되고, 스위칭 소자와 이것에 접속된 접촉 전극을 갖으며, 접촉 전극과 가요성 도전 필름과의 도통의 유무를 스위칭 소자를 순차적으로 온함으로써 면압 분포를 계측한다.

또한, 시일제에는 파이버 수지가 혼입되고, 파이버 수지에 의해 기판과 가요성 도전 필름과의 이격 거리를 결정한다.

또한, 파이버 수지는 15㎛ 이상 40㎛ 이하의 직경이다.

또한, 시일제의 내측에 배치하는 흐름 방지 수단과, 시일제의 내측에 배치하는 컨택트 패드를 구비한다.

또한, 기판 위에 단위 검출 소자를 형성하는 공정과, 기판 주위에 흐름 방지 수단을 형성하는 공정과, 흐름 방지 수단의 외주에 파이버 수지를 혼입한 시일제를 도포하는 공정과, 기판과 서로 대향하여 15㎛ 이상 40㎛ 이하의 이격 거리에서 가요성 도전 필름을 접착하는 공정을 포함하는 면압 분포 센서의 제조 방법이다.

또한, 가요성 도전 필름의 접착 공정에서, 기판과 가요성 도전 필름과의 사이에 에어가 봉입된다.

또한, 단위 검출 소자의 형성 공정은, 기판 위에 매트릭스 형상으로 복수의 스위칭 소자를 형성하는 공정과, 스위칭 소자 상에 스위칭 소자에 접속된 접촉 전극을 형성하는 공정을 포함한다.

또한, 본 발명은 기판과, 기판의 외주를 따라 형성된 시일제와, 기판 위의 시일제의 내측에 형성된 단위 검출 소자와, 기판과 시일제에 의해 고착되고, 기판과 서로 대향하여 형성된 가요성 도전 필름을 갖는 면압 분포 센서에 있어서, 시일제의 내측에 배치된 흐름 방지 수단을 포함하는 면압 분포 센서이다.

또한, 단위 검출 소자는 기판 위에 매트릭스 형상으로 배치되고, 스위칭 소자와 이것에 접속된 접촉 전극을 갖고, 접촉 전극과 가요성 도전 필름과의 도통의 유무를 스위칭 소자를 순차적으로 온함으로써 면압 분포를 계측한다.

또한, 기판과 가요성 도전 필름을 접속하는 컨택트를 더 갖고, 컨택트는 시일제의 내측에 배치된다.

또한, 기판과 가요성 도전 필름을 접속하는 컨택트를 더 갖고, 컨택트는 흐름 방지 수단의 외측에 배치된다.

또한, 기판과 가요성 도전 필름을 접속하는 컨택트를 더 갖고, 컨택트는 시일제와, 흐름 방지 수단과의 사이에 배치된다.

또한, 흐름 방지 수단은 시일제와 동일 재료이다.

또한, 기판 위에 단위 검출 소자를 형성하는 공정과, 기판 주위에 열 경화성 수지를 도포하고 제1 열처리를 행하여 흐름 방지 수단을 형성하는 공정과, 열 경화성 수지의 외주에 시일제를 도포하는 공정과, 기판에 가요성 도전 필름을 접착하여 제2 열 처리를 행하는 공정을 포함하는 면압 분포 센서의 제조 방법이다.

또한, 제1 열 처리에서 열 경화성 수지를 반경화시킨다.

또한, 제2 열 처리는, 제1 열 처리보다도 가열 온도가 높아, 시일제를 경화시켜 가요성 도전 필름을 고착함과 함께, 흐름 방지 수단을 더 경화시킨다.

또한, 흐름 방지 수단은, 시일제와 동일 재료로써 형성된다.

또한, 시일제를 도포한 후에, 도전성 입자를 혼입한 열 경화성 수지를 도포하는 공정을 더 포함하고, 제2 열 처리에서 가요성 도전 필름에 접속하는 컨택트를 형성한다.

또한, 본 발명은, 기판 위에 형성된 단위 검출 소자와, 기판과 시일제에 의해 고착되고, 기판과 서로 대향하여 형성된 가요성 도전 필름을 갖는 면압 분포 센서에 있어서, 기판과 가요성 도전 필름 및 시일제로 둘러싸인 공간에는 반응을 촉진하지 않은 불활성의 기체가 봉입되어 있는 면압 분포 센서이다.

또한, 불활성의 기체는, 질소 또는 건조 공기 또는 불활성 원소를 포함하는 기체 중 하나이다.

또한, 기판 위에 단위 검출 소자를 형성하는 제1 공정과, 기판의 외주에 시일제를 도포하는 제2 공정과, 불활성의 기체 분위기 속에서, 기판과 서로 대향하여 가요성 도전 필름을 접착하는 제3 공정을 포함하는 면압 분포 센서의 제조 방법이다.

또한, 제3 공정에서, 기판과 가요성 도전 필름 및 시일제로 둘러싸인 공간에 불활성의 기체가 봉입된다.

또한, 본 발명은, 기판 위에 단위 검출 소자를 형성하는 공정과, 기판의 외주에 시일제를 도포하는 공정과, 기판에 가요성 도전 필름을 중첩하여 배치하고, 가요성 도전 필름 위에 롤러를 회전 이동시켜 가압하고, 열 처리에 의해 시일제를 경화시켜 고착하는 공정을 포함하는 면압 분포 센서의 제조 방법이다.

또한, 롤러는 수지로 이루어지고, 경도가 50도 이상 150도 이하이다.

또한, 롤러는 금속 또는 유리 또는 세라믹으로 이루어진다.

또한, 롤러를 이동시키는 압력은 100g/㎠ 이상 1000g/㎠ 이하이다.

또한, 롤러를 이동시키는 속도는 5㎜/초 이상 50㎜/초 이하이다.

또한, 기판에 가요성 도전 필름을 중첩하여 배치할 때에, 가요성 도전 필름에 대하여, 롤러의 회전 방향으로 100g 이상 3000g 이하의 장력을 가한다.

또한, 본 발명은, 기판 위에 단위 검출 소자를 형성하는 공정과, 기판의 외주에 시일제를 도포하는 공정과, 기판에 가요성 도전 필름을 중첩하여 배치하고, 제1 열 처리에 의해 시일제를 경화시켜 고착하는 공정과, 가요성 도전 필름을 제2 열 처리에 의해 수축시키는 공정을 포함하는 면압 분포 센서의 제조 방법이다.

또한, 제2 열 처리에 의해 가요성 도전 필름의 기재인 고분자막을 1% 이상 3% 이하 수축시킨다.

또한, 제2 열 처리는 가요성 도전 필름의 기재인 고분자막의 유리 전위 온도보다 높고, 연화점 온도보다도 낮은 온도에서 행한다.

또한, 제2 열 처리는 가요성 도전 필름의 기재인 고분자막의 유리 전위 온도보다 10℃ 내지 20℃ 고온이다.

또한, 본 발명은, 기판 위에 형성된 단위 검출 소자와, 기판과 시일제에 의해 고착되고, 기판과 서로 대향하여 형성된 가요성 도전 필름과, 기판과 가요성 도전 필름을 접속하는 컨택트를 갖는 면압 분포 센서에 있어서, 컨택트는 저온 열 경화성 수지에 도전 입자가 혼입되어 있는 면압 분포 센서이다.

또한, 도전 입자는 구체의 수지를 금속막이 피복하여 이루어진다.

또한, 저온 열 경화성 수지는, 시일제와 동일 재료이다.

또한, 기판 위에 단위 검출 소자 및 컨택트 패드를 형성하는 공정과, 기판 위의, 단위 검출 소자를 둘러싼 주위에 열 경화성 수지를 도포하고, 제1 열처리를 행하여 흐름 방지 수단을 형성하는 공정과, 흐름 방지 수단의 외주에 시일제를 도포하는 공정과, 컨택트 패드 위에 도전 입자를 혼입한 컨택트 수지를 도포하는 공정과, 기판과 서로 대향하는 가요성 도전 필름을 중첩하여 배치하고, 제2 열처리를 행하여 가요성 도전 필름을 고착함과 함께, 컨택트 수지를 경화시켜 컨택트 패드와 가요성 도전 필름을 접속하는 컨택트를 형성하는 공정을 포함하는 면압 분포 센서의 제조 방법이다.

또한, 컨택트 수지는 시일제와 동일 재료의 기재에 도전 입자가 혼입되어 있다.

이하, 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.

도 1 내지 도 3은 본 발명에 따른 면압 분포 센서(100)의 전체도이고, 도 1은 그 평면도, 도 2는 도 1의 A-A 단면도, 도 3은 분해 사시도이다.

면압 분포 센서(100)는, 기판(1)과, 가요성 도전 필름으로 이루어지는 대향 전극 필름(2)을 시일제(3)에 의해 고착한 구조이다. 기판(1) 위의 시일제(3)에 둘러싸인 내측에는, 다수의 단위 검출 소자(4)가 매트릭스 형상으로 배치되어 있다. 흐름 방지 수단(5)은 시일제(3) 내주를 따라 배치되고, 시일제(3)와 흐름 방지 수단(5)과의 사이에 컨택트(6)가 배치된다. 기판(1)의 일측변에는, 외부 접속 단자(7)가 배치된다.

기판(1)은 본 실시예에서는 유리로 이루어지지만, 예를 들면 석영이나 세라믹, 플라스틱 등의 다른 절연체 기판이라도 무방하며, 반도체 기판이라도 무방하다.

대향 전극 필름(2)은 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트) 또는 PEN(폴리에틸렌나프탈레이트) 등의 가요성 절연 필름(2a)의 이면(TFT측)에 예를 들면 금과 같은 금속의 도전막(2b)을 증착한 구조이다.

시일제(3)는 경화 전에는 액형이며, 가열함으로써 경화하는 열 경화성 수지이다.

단위 검출 소자(4)는 스위칭 소자인 TFT(4a)와, 이것에 접속된 접촉 전극(4b)을 갖는다. TFT(4a)의 활성층은 실리콘막, 폴리실리콘막이 더 바람직하다. 이하, 스위칭 소자는 TFT를 예시하여 설명하지만, TFT에 한정되는 것은 아니며, 예를 들면 기판(1)이 반도체 기판이면 반도체 기판(1)을 활성층으로 한 트랜지스터라도 되며, 박막 다이오드 등이라도 된다. 접촉 전극(4b)은 TFT(4a)를 피복하는 절연막 위에 형성된 도전막으로서, 예를 들면 ITO(Indium Tin Oxide)에 의해 형성된다.

흐름 방지 수단(5)은 시일제(3)와 동일한 열 경화성 수지로 이루어진다. 흐름 방지 수단(5)에 대해서는 후술하겠다.

컨택트(6)는 대향 전극 필름(2)에 GND 전위를 제공하기 위해 형성되고, 시일제(3)와 흐름 방지 수단(5)과의 사이에 배치된다. 컨택트(6)는, Al로 이루어지는 컨택트 패드(6a) 위에 Au 펄을 혼입시킨 열 경화성 수지로 이루어지는 컨택트 수지(6b)로 구성된다.

외부 단자(7)에는 도시하지 않은 FPC(Flexib1e Printed Circuit) 등을 접속하여 외부 회로와 접속된다.

도 3에 도시한 바와 같이, 기판(1) 위에는 게이트선(8)과 드레인선(9)이 매트릭스 형상으로 배치되어 있다. 후술한 바와 같이, 게이트선(8)에는 게이트 신호가 드레인선(9)에는 주사 신호가 각각 인가된다. 게이트선(8)과 드레인선(9)과의 교점에 각각 대응하여 TFT(4a)가 배치되고, 게이트 전극이 게이트선(8)에, 드레인 단자가 드레인선(9)에, 그리고 소스 단자가 접촉 전극(4b)에 접속되어 있다. 게이트선(8)이나 드레인선(9) 등으로 입력되는 각종 신호를 전달하는 도시하지 않은 배선은, 기판(1)의 측면 모서리에 모이고, 외부 접속 단자(7)에 접속된다.

이어서, 단위 검출 소자(4)에 대하여 도 4를 이용하여 상술한다. 도 4(a)는 하나의 단위 검출 소자(4)의 평면도이고, 도 4(b)는 도 4(a)의 C-C선의 단면도이다. 또한, 도 1과 동일한 참조 숫자는 동일한 구성 부분을 도시하고 있다.

단위 검출 소자(4)의 TFT(4a)는 기판(1) 위에 폴리실리콘층으로 이루어지는 활성층(11)을 형성하고, 기지 방법에 의해 불순물을 도입하여 소스 영역 S 및 드레인 영역 D가 형성되어 있다. 활성층(11)의 전면을 피복하여 게이트 절연막(12)이 형성되고, 그 위에 게이트 전극(8a)이 형성되어 있다. 게이트 전극(8a)은 게이트선(8)과 일체적으로 형성되어 있다. 게이트 전극(8a) 위에 층간 절연막(13)이 형성되고, 컨택트홀을 통하여 활성층(11)의 드레인 단자 D가 드레인선(9)과 접속되며, 소스 단자 S가 추출 전극(9a)과 접속되어 있다. 추출 전극(9a)은 드레인선(9)과 동층의 예를 들면 Al로 이루어진다. 그 위에 평탄화막(14)이 더 적층되어 있고, 하층의 요철을 평탄화하고 있다. 평탄화막(14) 위에는, 컨택트홀을 통하여 추출 전극(9a)과 컨택트하는 ITO로 이루어지는 접촉 전극(4b)이 배치되어 있다.

이어서, 본 발명의 면압 분포 센서(100)의 동작에 대하여, 도 5를 이용하여 설명한다. 도 5의 (a)는 면압 분포 센서(100)에 손가락(F)을 얹어놓은 상태를 도시하며, 도 5의 (b)는 면압 분포 센서(100)의 회로 개념도이다.

면압 분포 센서(100)에 손가락(F)을 얹어 놓고 가볍게 누르면, 도 5의 (a)와 같이 대향 전극 필름(2)의 전체가 눌려진다. 이 때, 지문의 융선과 골에서는 가압력이 서로 다르기 때문에, 융선의 바로 아래 또는 그 바로 근방의 대향 전극 필름(2)은 많이 오목해지고, 골에서는 그다지 오목하게 되지는 않는다. 따라서, 볼록한 위치에 대응하는 단위 검출 소자(4)의 접촉 전극(4b)은 대향 전극 필름(2)의 도전막(2b)과 접촉하고, 골 위치에 대응하는 단위 검출 소자(4)의 접촉 전극(4b)은 도전막(2b)과 접촉하지 않는다.

대향 전극 필름(2)의 도전막(2b)은 저항(15)을 통해 접지되어 있다. 면압 분포 센서(100)의 드레인선(9)은 X 방향 레지스터(70)에 접속되어 있고, 게이트선(8)은 Y 방향 레지스터(80)에 접속되어 있다. Y 방향 레지스터(80)로부터는 소정의 타이밍에서 게이트선(8)에 순차적으로 주사 신호가 전환되어 출력된다. 지금, 임의의 게이트선(8)에 있는 전위(「H」 레벨)의 게이트 신호가 인가된다고 하자. 게이트 신호가 인가된 게이트선(8)에 접속된 TFT(4a)는 모두 도통 상태(온)로 된다. 그 동안에 X 방향 레지스터(70)로부터 소정의 타이밍으로 드레인선(9)에 순차적으로 주사 신호가 전환하여 인가된다.

손가락(F)의 융선에 의해 대향 전극 필름(2)이 휘어져 접촉 전극(4b)과 접촉하면, 주사 신호로서 전압이 일단 상승해도 TFT(4a), 저항(15)을 통해 전류가 빠지기 때문에, 전압은 저하한다. 손가락(F)의 골에서 대향 전극 필름(2)이 접촉 전극(4b)과 접촉하지 않는 경우, 주사 신호의 전압은 저하하지 않고 유지된다. 이것을 검출기(16)에 의해 전압 신호로서 판독하면, 1 행분의 면압 분포를 계측할 수 있다. 그리고, 선택하는 게이트선(8)을 순차적으로 전환하여 게이트 신호를 인가하고, 면압 분포 센서(100)의 모든 단위 검출 소자(4)로부터의 신호를 판독하여, 면 전체의 면압 분포를 계측할 수 있다.

검출기(16)는, 상술한 바와 같이 드레인선(9)으로부터 분기시켜 접속한 전압 계측기라도 되며, 드레인선(9)에 직렬로 삽입한 전류 계측기라도 되지만, 전압 계측기가 회로 구성을 더 단순하게 할 수 있으므로, 본 실시예에서는 전압 계측기를 채용하고 있다.

이어서, 도 2의 G로 나타내는 기판(1)과 대향 전극 필름(2)과의 갭에 대하여 설명한다. 우선, 갭 G가 10㎛ 이하인 경우, 좁은 갭에 의한 문제가 발생할 우려가 있다. 즉, 대향 전극 필름(2)을 접착했을 때, 도 6의 (a)에 도시한 바와 같이, 중앙 부근에서 밀착될 확률이 높아진다. 또한, 대향 전극 필름(2)을 접착했을 때에, 속에 봉입되는 에어량의 변동이 커지기 때문에, 센싱 감도의 변동이 커진다. 반대로, 갭 G가 40㎛ 이상인 경우, 도 6(b)에 도시한 바와 같이, 봉입되는 에어량이 너무 증가하여, 손가락으로 눌러도 대향 전극 필름(2)이 단위 검출 소자(4)와 접촉하지 않고, 센싱 감도가 저하한다는 문제가 발생한다. 따라서, 갭 G는 10㎛∼40㎛이면 실시 가능하다. 갭 G가 작으면 센싱 감도가 높아지고(살짝 만져도 지문을 검출할 수 있음), 갭 G가 크면 센싱 감도의 변동이 작아진다. 대향 전극 필름(2)은 가요성이므로, 장력(텐션)이 낮으면 손가락(F)으로 누르고 있지 않아도 단위 검출 소자(4)와 항상 접촉하게 되어 불량으로 된다. 항상 접촉하는 영역이 작으면(미세 접촉), 손가락(F)을 대면 손가락(F)을 따라 대향 전극 필름(2)이 휘어지므로 지문을 센싱하는데 지장은 없지만, 손가락(F)을 뗀 후에도 압력을 검출하므로 제품의 품질상 문제가 된다. 갭 G가 10㎛ 정도이면, 이러한 미세 접촉이 발생하는 빈도가 높았다. 이 때문에, 갭 G는 15㎛ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 본 실시예에서는, 최적값으로서 25㎛를 채용하였다.

여기서, 갭 G의 간격 25㎛는 예를 들면 LCD(액정 표시 장치)의 기판 간격 6∼7㎛와 비교하여 매우 크다. 통상, LCD에서는 기판 간격을 균일화하기 위해, 기판간 전면에 미크로펄이라고 하는 갭재를 산포한다. 그러나, 본 실시예의 면압 분포 센서(100)는 대향 전극 필름(2)과 단위 검출 소자(4)를 접촉시킬 필요가 있으므로, 갭재를 산포할 수는 없다.

상술한 바와 같이, LCD의 기판간 전면에 산포되어 있는 갭재는 이용할 수 없으므로, 갭 G는 시일제(3)로 확보해야한다. 그래서, 본 실시예에서는 시일제(3) 내에, 직경이 25㎛, 길이 45㎛∼50㎛의 원주 형상의 수지 파이버를 혼입시키고, 갭 G를 고정시켰다. 수지 파이버는 볼 형상의 갭재와 제조 방법이 서로 다르며, 직경의 오차가 25㎛±0.3㎛ 정도로 작아서 최적이다. 또한, 본 실시예와 무관하게, 직경이 약 25㎛의 미크로펄 또는 글래스파이버를 수지 파이버 대신에 이용할 수 있다.

물론, 기판과, 대향 전극 필름의 밀착이나 미세 접촉을 무시하고, 감도를 우선하는 것이면 15㎛이하 10㎛이상의 갭 G이어도 된다. 이 경우에는 15㎛ 이하 10㎛ 이상의 수지 파이버를 채용하면 된다.

이어서, 도 7 내지 도 10을 이용하여 본 발명의 면압 분포 센서(100)의 제조 방법에 대하여 설명한다.

공정1 : 도 7의 (a)는 마더 유리(1)에 복수의 면압 분포 센서(100)가 동시에 형성되어 있는 모습이 도시되어 있고, 도 7의 (b)는 하나의 단위 검출 소자를 도시한 단면도이다. 복수의 면압 분포 센서(100)를 한 장의 마더 유리로 동시에 형성함으로써, 면압 분포 센서의 제조 비용을 저감시킬 수 있다. 우선, 마더 유리(1) 위에 도시하지 않은 산화 실리콘막, 질화 실리콘막으로 이루어지는 버퍼층을 형성한다. 이어서, 비정질 실리콘막을 퇴적하고, 레이저어닐링에 의해 결정화하여 폴리실리콘막을 형성한다. 이어서 게이트 절연막(12)을 형성하고, 크롬으로 이루어지는 금속막을 형성하고, 에칭하여 게이트선(8), 이것에 접속하는 게이트 전극(8a), 도시하지 않은 외부 접속 단자(7)를 형성한다. 이어서 게이트 전극(8a)을 마스크로 하여 기지의 방법에 의해 불순물을 도입하여 소스 영역 S 및 드레인 영역 D를 형성하고, 활성층(11)을 형성한다. 이어서, 층간 절연막(13)을 형성하고, 소정 위치에 컨택트홀을 형성하고, 드레인선(9), 추출 전극(9a), 기판 주위의 컨택트 패드(6a)(도 7에는 도시하지 않음)를 형성한다. 컨택트 패드(6a)는 기판(10) 주위의 코너부에서 층간 절연막(13)을 개구하여 형성되고, 후속 공정에서 형성되는 컨택트 수지(6b)로 컨택트(6)를 형성하고, 대향 전극 필름(2)에 GND 전위를 제공하는 것이다. 또한, ITO로 이루어지는 접촉 전극(4b)을 형성하여, 기판(1) 위에 다수의 단위 검출 소자(4)를 형성한다. 그 후 대부분의 기판(1)을 스크라이브 라인(50)으로 스크라이브하고, 개개의 면압 분포 센서로 되는 기판(1)으로 분할한다.

공정2 : 이어서, 도 8에 도시한 바와 같이, 상기 기판(10) 주위를 둘러싼 창틀 형상으로, 기판(1) 단부면으로부터 일정 거리 떨어진 위치에 열 경화성 수지를 도포한다. 이어서, 70℃ 20분 정도의 열처리를 행하여, 반경화 상태의 흐름 방지 수단(5)을 형성한다. 이후 흐름 방지 수단(5) 형성의 열 처리를 프리베이킹이라고 칭한다. 또한, 본 명세서에서 반경화 상태란, 경화 전의 열 경화성 수지가 100Pa·s 정도의 점도에 대하여, 열 경화성 수지가 2배 이상의 점도로 되는 상태를 의미한다. 반경화이면, 수지가 모세관 현상에 의해 유동되지는 않는다.

공정3 : 이어서, 도 9에 도시한 바와 같이 흐름 방지 수단(5)의 외측을 둘러싸고 25㎛ 직경의 파이버 수지를 혼입한 시일제(3)를 도포한다. 또한, 컨택트(6)를 형성하기 위해 흐름 방지 수단(5)의 외측의 컨택트 패드(6a) 위에 컨택트 수지(6b)용 금속 볼을 혼입한 열 경화성 수지를 코너에 포팅한다. 금속 볼로서는, 균일한 입자 형상의 Au 펄(積水 화학 공업(주) 제조, AU-230, 30㎛)이 바람직하다. Au 펄은 플라스틱 등의 수지구체를 Au 등의 금속막으로 피복한 분체로서, 각 입자의 형상이 균일하다. 예를 들면 Ag 페이스트로 컨택트(6)를 형성하면, Ag 가루 형상이 예리하여 직경에 변동이 있으므로 ITO가 열화할 우려가 있지만, Au 펄이면 이러한 우려를 할 필요가 없다. 또한, Au 펄을 채용함으로써, 저항이 작아지고, 소면적에서도 컨택트(6)의 저항을 저감시킬 수 있다. 컨택트(6)나 시일제(3) 기재로 되는 수지는 저온 경화성 수지를 이용한다.

공정4 : 이어서, 도 10에 도시한 바와 같이, 수분을 포함하지 않은 질소 분위기 속에, 복수의 기판(1)을 한 방향으로 배열하여 배치하고, 기판(1)으로부터 외부 접속 단자(7)가 노출되는 폭에 맞추어진 한 방향으로 긴 대향 전극 필름(2)을 중첩하여 배치하고, 롤러(51)를 회전시키면서 대향 전극 필름(2) 위에서 이동시키고, 복수의 기판에 동시에 접합한다. 한 방향으로 긴 대향 전극 필름(2)을 이용함으로써, 긴 대향 전극 필름(2)에 적절한 장력(텐션)을 제공하면서 가압할 수 있고, 또한 롤러(51)를 후술하는 조건으로 회전시키면서 압력을 가한다. 롤러(51)의 가압에 의해 기판(1)과 대향 전극 필름(2)과의 사이의 여분의 에어가 방출된다. 이어서, 시일제(3)인 저온 열 경화성 수지가 본 경화하는 90℃ 30분 정도로 열 처리에 가중을 가하면서 행하고, 컨택트 수지(6b)와 시일제(3) 수지를 경화시키고, 대향 전극 필름(2)과 기판(1)을 고착시킴과 동시에 컨택트 패드(6a)와 대향 전극 필름(2)을 접속하는 컨택트(6)를 형성한다. 또한, 이것과 동시에 흐름 방지 수단(5)도 변형된 형태로 본 경화되어, 형상이 고정된다. 본 명세서에서는 이 열 처리를 메인 베이킹이라고 칭한다. 이 때, 기판(1)과 대향 전극 필름(2)과의 갭 G는 가중하면서 메인 베이킹에 의해 파이버 수지의 직경을 따라 최적화된다. 본 실시예인 경우에는 25㎛로 된다. 마지막으로, 대향 전극 필름을 기판(1)에 맞추어 개개로 분할하고, 면압 분포 센서(100)가 완성된다. 시일제(3)와 컨택트(6)에 저온 경화성 수지를 채용하는 것은 대향 전극 필름(2)의 가요성 절연 필름(2a)에 채용되는 PET의 내열 온도(연화 온도)가 120℃ 전후이며, 그 이상의 열 처리를 행할 수 없기 때문이다.

이어서, 흐름 방지 수단(5)에 대하여 설명한다. 통상, LCD에서는 흐름 방지 수단(5)은 형성되지 않고, 양 기판은 시일제(3)만으로 고착된다. 그러나, 면압 분포 센서는 가요성의 대향 전극 필름(2)을 고착할 필요가 있기 때문에, 흐름 방지 수단(5)이 필요하게 된다. 도 11은 흐름 방지 수단(5)을 형성하지 않고 시일제(3)를 형성한 경우의 단면도이다. 우선 도 11의 (a)에 도시한 바와 같이, 기판(1) 위에 시일제(3)를 도포한다. 이어서 대향 전극 필름(2)을 중첩하여 배치시키게 되지만, 경화 전의 열 경화성 수지는 점도가 낮기 때문에, 도 11의 (b)에 도시한 바와 같이 기판(1)과 대향 전극 필름(2)과의 사이에 모세관 현상이 발생하여, 시일제(3) 자체가 센서 중앙부로 침입하여, 불량으로 되는 경우가 있는 것을 알았다. 그래서, 시일제(3) 내측에 미리 흐름 방지 수단(5)을 형성해 두고, 모세관 현상의 발생을 방지함으로써, 내부에의 시일제(3) 진입을 방지하여, 수율을 향상시킬 수 있다.

또한, 대향 전극 필름(2)을 중첩하여 배치시킬 때에, 모세관 현상이 다행히 발생하지 않았다고 해도, 다른 문제가 발생한다. 즉, 열 경화성 수지는 가열 경화시킬 때에, 용제가 증발하여 가스가 발생한다. 이 가스의 일부는 면압 분포 센서 내에 봉입되고, 봉입하는 에어량이 제어 곤란해져, 센싱 감도가 변동되거나, 최악의 경우에는 밀착 부분이 확대되어, 센싱을 할 수 없게 되는 문제가 있었다. 그래서, 상술한 공정2에서는, 흐름 방지 수단(5)을 도포한 후에, 프리베이킹에 의해 반경화시키는 것이다. 대향 전극 필름(2)을 중첩하여 배치시키기 전의 프리베이킹에 의해 흐름 방지 수단(5)으로부터는 가스가 빠져, 대향 전극 필름(2)을 중첩하여 배치시킨 후의 메인 베이킹으로 시일제(3), 컨택트 수지(6b)로부터 발생하는 가스가 센서 내부로 봉입되는 것이 방지되는 것이다.

흐름 방지 수단(5)을 형성하지 않고, 시일제(3)를 한번 열 처리하고, 그 후 본 경화시키는 열 처리를 다시 행함으로써 그 가스의 발생을 저감시킬 수 있다. 그러나, 대향 전극 필름을 구성하는 가요성 절연 필름의 내열 온도가 낮기 때문에, 시일제는 저온 열 경화성 수지를 이용할 필요가 있다. 이 때문에 1번째의 열 처리라도 수지의 경화가 진행되어, 본 경화의 열 처리에서는 대향 전극 필름의 접착 강도가 현저히 저하하게 되어, 수율의 저하, 혹은 센서의 수명이 짧아진다는 문제가 발생한다. 이것에 대하여, 본 실시예에서는, 흐름 방지 수단(5)을 프리베이킹하고, 따로 시일제(3)를 형성하고 있으므로, 접착 강도가 저하하지는 않는다. 또한, 시일제(3)를 기판(1) 외형 가득히 형성할 수 있으므로, 더 높은 접착 강도를 확보할 수 있다.

여기서, 흐름 방지 수단(5)을 반경화시키는 프리베이킹은, 본 경화에 달하지 않도록 할 필요가 있다. 프리베이킹으로 흐름 방지 수단(5)을 본 경화시키면, 후속 공정에서 대향 전극 필름(2)을 접착할 때에 흐름 방지 수단(5)의 유연성이 없어지고, 갭 G가 흐름 방지 수단(5)의 수지 높이에 의존하기 때문이다. 흐름 방지 수단(5)은 대향 전극 필름(2)을 중첩하기 전에 유동성을 없앨 필요가 있기 때문에, 흐름 방지 수단(5)의 높이는 위에서 억제하여 조절할 수 없으며, 도포하는 수지량으로밖에 제어할 수 없다. 따라서, 흐름 방지 수단(5)은반경화한 단계에서의 높이가 최종적인 갭 G, 본 실시예에서는 25㎛보다 동일한 정도 혹은 이보다 낮아질 필요가 있다. 그러나, 흐름 방지 수단(25)의 높이가 너무 낮으면, 모세관 현상의 발생을 억제할 수 없게 된다. 본 경화에 달하지 않은 상태이면, 갭 G보다도 높게 형성하고, 후속 공정인 메인 베이킹시에 변형할 수 있다. 그래서, 흐름 방지 수단(5)의 유동성을 없애고, 또한 메인 베이킹 시의 가압에 의해 변형되는 경도, 즉 반경화로 함으로써, 갭 G는 파이버 수지로 결정하면서, 기판(1)과 대향 전극 필름(2)과의 사이를 흐름 방지 수단(5)으로 매립할 수 있는 것이다.

흐름 방지 수단(5)의 재질은 유동하지 않고 어느 정도의 유연성을 가지고 있으면, 광 경화성 수지나 레지스트 등, 어떠한 재질이라도 무방하지만, 시일제(3)와 흐름 방지 수단(5)을 함께 저온 경화성 수지로 하면 된다. 시일제(3)와 동일한 저온 경화성 수지를 이용하면, 흐름 방지 수단(5)과 시일제(3)와의 친화성도 좋고, 경화 조건이 동일하므로, 한번의 가열로 컨택트(6)와 시일제(3)를 경화시킬 수 있다. 또한, 시일제(3)와 흐름 방지 수단(5)을 일체화시킬 수 있다. 이에 의해, 흐름 방지 수단(5)도 메인 베이킹 후에는 시일제(3) 일부로서 기능하고, 시일 폭을 1.5∼2배로 증가시킬 수 있으므로, 기판(1) 위에 형성된 TFT(4a) 등의 소자의 내습성을 향상시킬 수 있다. 또한, 만일 롤러로 변형된 흐름 방지 수단(5)이 반경화 상태이면, 흐름 방지 수단(5)의 탄성력이 대향 전극 필름(2)을 박리시키는 방향으로 작용한다. 그러나, 흐름 방지 수단(5)을 메인 베이킹에 의해 본 경화시켜 둠으로써 탄성력이 발생하지 않게 되므로, 수율을 향상시킬 수 있다. 게다가, 시일제(3) 본 경화와 동시에 흐름 방지 수단(5)도 본 경화하므로, 별도의 흐름 방지 수단(5)을 경화시키는 공정은 불필요하다.

그런데, 통상 LCD에서는, 컨택트(6)를 Ag 페이스트를 이용하여 형성한다. 본 실시예에서 마찬가지로 컨택트 수지(6b)에 Ag 페이스트를 이용하여 시작한 결과, 대향 전극 필름(2)의 도통 불량이 다발하였다. 이것은, 대향 전극 필름의 기재인 PET의 유리 전위점이 67℃, PEN도 113℃이기 때문에 메인 베이킹으로서 90℃ 30분을 채용한 결과, Ag 페이스트의 경화 온도는 120℃이기 때문에, Ag 페이스트의 기재가 본 경화에 달하지 않고, 계면 강도가 열화하는 것으로 생각된다. 그래서, 본 실시예에서는, 컨택트 수지(6b)에도 시일제(3), 흐름 방지 수단(5)과 동일한 저온 열 경화성 수지에 Au 펄을 혼입한 것을 이용하였다. 컨택트 수지(6b)도 저온 경화성 수지로 함으로써, 컨택트 수지(6b)도 확실하게 경화시킬 수 있으며, 충분한 계면 강도가 얻어진다.

또한, 도 12에는 컨택트(6)부의 단면도를 도시한다. 이것은, 도 1의 B-B선의 단면도이다. 도 12의 (a)에 도시한 바와 같이, 컨택트(6)를 시일제(3)의 내측에 형성함으로써, 컨택트(6)도 외기와 차단할 수 있으므로, 컨택트(6)의 열화를 방지할 수 있다. 또한, 컨택트(6)를 흐름 방지 수단(5)의 외측에 형성함으로써, 경화 전의 컨택트 수지(6b)가 센서부에 침입하는 것도 방지할 수 있다. 따라서, 컨택트(6)는 흐름 방지 수단(5)과 시일제(3)와의 사이에 형성하는 것이 최적이다.

또한, 컨택트(6)를 시일제(3) 내측에 배치하면, 도 12의 (b)에 도시한 바와 같이, 대향 전극 필름(2)의 도전막(2b)도 시일제(3)의 내측까지 할 수도 있다. 시일제(3)에 대응하는 위치의 도전막(2b)을 제거하고나서 고착함으로써, PET 또는 PEN으로 이루어지는 가요성 절연 필름(2a)을 노출시키고, 거기에 시일제(3)를 직접 고착시키면, 가요성 절연 필름(2a)과 도전막(2b)과의 사이에서의 막 박리에 의한 기판(1)과 대향 전극 필름(2)과의 박리가 방지되어, 신뢰성을 더 향상시킬 수 있다. 수지로 기판(1) 위에 형성된 컨택트 패드(6a)를 피복하게 되므로, 컨택트 패드(6a)가 노출되지 않고, 산화 등에 의한 열화도 방지할 수 있다.

이어서, 공정4에서 이용한 롤러(51)에 대하여 설명한다. 우선, 롤러(51)의 재질로서는 실리콘 수지, 폴리카보네이트, ABS 수지 등, 경도가 50도 이상의 것이 바람직하며, 50도∼150도 정도이면 최적이다. 또한, 세라믹, 금속, 유리 등이라도 되며, 에어의 컨트롤을 정확하게 행하기 위해 어느 정도의 경도를 갖는 재질이 좋다. 경도 50도 미만의 연질재에서는, 롤러(51) 자신에게 휘어짐이 생겨, 에어량의 컨트롤이 부정확해진다.

또한, 롤러(51)의 압력은 100g/㎠∼1000g/㎠ 정도로 하고, 롤러의 속도는 5㎜/s∼50㎜/s가 바람직하다. 또한, 접착 시의 대향 전극 필름(2)의 텐션은 100g∼3000g 정도가 최적이다.

이어서, 대향 전극 필름(2)은 센싱에 최적의 텐션이 필요해진다. 대향 전극 필름(2)은 가요성을 갖으며, 또한 봉입물이 기체이다. 특히, 도 13에 도시한 바와 같이 센싱시에는 손가락이 미끄러지기 때문에, 텐션 부족에 의해 대향 전극 필름(2)에 불필요한 휘어짐(150)이 발생하여, 최적의 센싱을 행할 수 없는 경우가 있다. 이 경우에는, 접착 후, 가열 처리에 의해 가요성 도전 필름(PEN 또는 PET)을 수축시키고, 최적의 텐션을 얻는 처리를 행한다(이후 본 명세서에서는 이 가열 처리를 수축 베이킹이라고 칭함). 기재를 수축시키는 수축 베이킹은 가요성 절연 필름(2a)의 유리 전위 온도 이상, 연화점 미만의 온도에서 단시간 행한다. 특히, 유리 전위 온도보다 10℃ 내지 20℃ 고온으로 하는 것이 바람직하다. 예를 들면 PEN이면 113℃, PET이면 80℃가 유리 전위 온도이므로, 그 온도로부터 10℃ 내지 20℃ 고온에서, 3 정도 열 처리를 행한다. 수축 베이킹에 의해, 가요성 절연 필름(2a)의 기재를 1%∼3% 정도 수축시키고, 미끄러져도 불필요한 휘어짐이 발생하지 않는, 최적의 텐션을 얻는 처리를 행한다. 지나치게 수축되면, 가요성 도전 필름(2)이 딱딱해지므로, 2% 정도로 하는 것이 적합하다.

이어서, 대향 전극 필름(2)과 기판(1) 사이에는 수분을 제거한 건조 공기나, 질소 가스를 봉입하면 된다. 내부의 에어가 수분을 포함하면, TFT(4a)는 항상 이 공기 분위기 내에 노출되게 되기 때문에, 열화나 특성 시프트를 초래하게 된다. 그래서 본 실시예에서는, 대향 전극 필름(2)과 기판(1) 및 시일제(3)로 둘러싸인 공간에 수분을 포함하지 않은 질소 가스를 봉입하였다. 이에 의해, TFT(4a)의 수분에 의한 열화, 특성 시프트를 방지할 수 있다. 여기서, 봉입하는 가스는 질소뿐 아니라, 기판(1) 위의 구조나 대향 전극 필름(2)면과 반응하지 않는 불활성의 가스이면 바람직하다. TFT(4a)에의 수분의 침입을 피하고, 반응을 촉진하지 않는 가스라면 건조 공기라도 무방하지만, 산소가 혼입되기 때문에, 질소가 더 적합하다. 또한, Ar, Ne, Kr 등의 소위 불활성 원소로 이루어지는 기체라도 무방하지만, 본 실시예에서는, 보다 염가로 실시할 수 있는 질소를 채용하였다. 또한, TFT(4a)의 열화, 특성 시프트를 고려하지 않아도 되는 경우에는 건조 공기가 아닌, 보통의 공기라도 무방하다.

이상, 설명한 바와 같이, 본 발명은 기판과 가요성 도전 필름과의 이격 거리를 15㎛ 이상으로 하므로, 봉입되는 에어량의 변동을 억제하고, 센싱 감도의 변동을 억제할 수 있다. 또한, 갭이 너무 좁은 것에 의한 시일제(3)의 미경화를 방지하여, 대향 전극 필름(2)이 박리되거나 외기가 센서 내부로 진입하는 것에 기인하는 신뢰성의 저하를 방지할 수 있다. 또한, 대향 전극 필름(2)을 접착할 때에, 중앙 부근에서 기판(1)과 밀착하는 불량을 저감시켜, 제조 수율을 향상시킬 수 있다.

또한, 기판과 가요성 도전 필름과의 이격 거리를 40㎛ 이하로 하므로, 센서 내부에 봉입되는 에어가 너무 많아, 센싱 감도가 현저히 저하하는 문제점을 방지할 수 있다.

또한, 시일제에 혼입된 파이버 수지에 의해 기판과 가요성 도전 필름과의 이격 거리를 결정하므로, LCD 등과 비교하여 이격 거리가 넓어도, 오차를 작게 제조 할 수 있다. 이격 거리의 오차를 작게 함으로써, 센싱 감도의 오차도 작게 할 수 있다.

또한, 본 발명의 제조 방법에 의하면, 양산에서도 균일한 갭을 재현성 좋게 제조할 수 있다. 대향 전극 필름(2)을 접착하는 시일제(3)에 25㎛ 직경의 수지 파이버를 혼입하므로, 센서 내의 봉입물이 기체라도 균일한 갭을 얻을 수 있으며, 안정 생산이 가능해진다.

도 1은 본 발명을 설명하기 위한 평면도.

도 2는 본 발명을 설명하기 위한 단면도.

도 3은 본 발명을 설명하기 위한 분해 사시도.

도 4는 본 발명을 설명하기 위한 (a) 평면도, (b) 단면도.

도 5는 본 발명을 설명하기 위한 (a) 단면도, (b) 동작 회로도.

도 6은 본 발명을 설명하는 단면도.

도 7은 본 발명을 설명하는 단면도.

도 8∼도 10은 본 발명을 설명하는 평면도.

도 11∼도 13은 본 발명을 설명하는 단면도.

도 14는 종래 기술을 설명하기 위한 (a) 평면도, (b) 단면도, (c) 단면도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

200 : 면압 분포 센서

201 : 기판

202 : 대향 전극 필름

203 : 시일제

204 : 단위 검출 소자

Claims

기판 위에 형성된 단위 검출 소자와,

상기 기판과 시일제에 의해 고착되고, 상기 기판과 서로 대향하여 형성된 가요성 도전 필름을 갖고, 상기 단위 검출 소자와 상기 가요성 도전 필름이 접촉하는 부분을 검출하는 면압 분포 센서에 있어서,

상기 기판과 상기 가요성 도전 필름과의 이격 거리를 15㎛ 이상 40㎛ 이하로 하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.
제1항에 있어서,

상기 단위 검출 소자는, 상기 기판 위에 매트릭스 형상으로 배치되고, 스위칭 소자와 이것에 접속된 접촉 전극을 갖고,

상기 접촉 전극과 상기 가요성 도전 필름과의 도통의 유무를 상기 스위칭 소자를 순차적으로 온함으로써 면압 분포를 계측하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.
제1항에 있어서,

상기 시일제에는 파이버 수지가 혼입되고,

상기 파이버 수지에 의해 상기 기판과 상기 가요성 도전 필름과의 이격 거리를 결정하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.
제3항에 있어서,

상기 파이버 수지는 15㎛ 이상 40㎛ 이하의 직경인 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.
제1항에 있어서,

상기 시일제의 내측에 배치하는 흐름 방지 수단과, 상기 시일제의 내측에 배치하는 컨택트 패드를 구비하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.
기판 위에 단위 검출 소자를 형성하는 공정과,

상기 기판 주위에 흐름 방지 수단을 형성하는 공정과,

상기 흐름 방지 수단의 외주에 파이버 수지를 혼입한 시일제를 도포하는 공정과,

상기 기판과 서로 대향하여 15㎛ 이상 40㎛ 이하의 이격 거리에서 가요성 도전 필름을 접착하는 공정

을 포함하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 제조 방법.
제6항에 있어서,

상기 가요성 도전 필름의 접착 공정에 있어서, 상기 기판과 상기 가요성 도전 필름과의 사이에 에어가 봉입되는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 제조 방법.
제6항에 있어서,

상기 단위 검출 소자의 형성 공정은,

상기 기판 위에 매트릭스 형상으로 복수의 스위칭 소자를 형성하는 공정과,

상기 스위칭 소자 위에 상기 스위칭 소자에 접속된 접촉 전극을 형성하는 공정

을 포함하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 제조 방법.
기판과,

상기 기판의 외주를 따라 형성된 시일제와,

상기 기판 위의 상기 시일제의 내측에 형성된 단위 검출 소자와,

상기 기판과 상기 시일제에 의해 고착되고, 상기 기판과 서로 대향하여 형성된 가요성 도전 필름을 갖는 면압 분포 센서에 있어서,

상기 시일제의 내측에 배치된 흐름 방지 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.
제9항에 있어서,

상기 단위 검출 소자는, 상기 기판 위에 매트릭스 형상으로 배치되고, 스위칭 소자와 이것에 접속된 접촉 전극을 갖고,

상기 접촉 전극과 상기 가요성 도전 필름과의 도통의 유무를 상기 스위칭 소자를 순차적으로 온함으로써 면압 분포를 계측하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.
제9항에 있어서,

상기 기판과 상기 가요성 도전 필름을 접속하는 컨택트를 더 갖고,

상기 컨택트는, 상기 시일제의 내측에 배치되는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.
제9항에 있어서,

상기 기판과 상기 가요성 도전 필름을 접속하는 컨택트를 더 갖고,

상기 컨택트는, 상기 흐름 방지 수단의 외측에 배치되는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.
제9항에 있어서,

상기 기판과 상기 가요성 도전 필름을 접속하는 컨택트를 더 갖고,

상기 컨택트는, 상기 시일제와, 상기 흐름 방지 수단과의 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.
제9항에 있어서,

상기 흐름 방지 수단은 상기 시일제와 동일 재료인 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.
기판 위에 단위 검출 소자를 형성하는 공정과,

상기 기판 주위에 열 경화성 수지를 도포하여 제1 열처리를 행하여 흐름 방지 수단을 형성하는 공정과,

상기 열 경화성 수지의 외주에 시일제를 도포하는 공정과,

상기 기판에 가요성 도전 필름을 접착하여 제2 열 처리를 행하는 공정

을 포함하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 제조 방법.
제15항에 있어서,

상기 제1 열 처리에 있어서 상기 열 경화성 수지를 반경화시키는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 제조 방법.
제15항에 있어서,

상기 제2 열 처리는, 상기 제1 열 처리보다도 가열 온도가 높고,

상기 시일제를 경화시켜 상기 가요성 도전 필름을 고착함과 함께, 상기 흐름 방지 수단을 더 경화시키는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 제조 방법.
제15항에 있어서,

상기 흐름 방지 수단은, 상기 시일제와 동일 재료로써 형성되는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 제조 방법.
제15항에 있어서,

상기 시일제를 도포한 후에, 도전성 입자를 혼입한 열 경화성 수지를 도포하는 공정을 더 포함하고,

상기 제2 열 처리에 있어서 상기 가요성 도전 필름에 접속하는 컨택트를 형성하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 제조 방법.
기판 위에 형성된 단위 검출 소자와,

상기 기판과 시일제에 의해 고착되고, 상기 기판과 서로 대향하여 형성된 가요성 도전 필름을 갖는 면압 분포 센서에 있어서,

상기 기판과 상기 가요성 도전 필름 및 시일제로 둘러싸인 공간에는, 반응을 촉진시키지 않는 불활성의 기체가 봉입되어 있는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.
제20항에 있어서, 상기 불활성의 기체는 질소인 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.
제20항에 있어서, 상기 불활성의 기체는 건조 공기인 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.
제20항에 있어서,

상기 불활성의 기체는 불활성 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.
기판 위에 단위 검출 소자를 형성하는 제1 공정과,

상기 기판의 외주에 시일제를 도포하는 제2 공정과,

불활성의 기체 분위기 속에서, 상기 기판과 서로 대향하여 가요성 도전 필름을 접착하는 제3 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 제조 방법.
제24항에 있어서,

상기 제3 공정에 있어서, 상기 기판과 가요성 도전 필름 및 상기 시일제로 둘러싸인 공간에 상기 불활성의 기체가 봉입되는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 제조 방법.
제24항에 있어서,

상기 불활성의 기체는 질소인 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 제조 방법.
제24항에 있어서,

상기 불활성의 기체는 건조 공기인 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 제조 방법.
제24항에 있어서, 상기 불활성의 기체는 불활성 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 제조 방법.
기판 위에 단위 검출 소자를 형성하는 공정과,

상기 기판의 외주에 시일제를 도포하는 공정과,

상기 기판에 가요성 도전 필름을 중첩하여 배치하고, 가요성 도전 필름 위에 롤러를 회전 이동시켜 가압하고, 열 처리에 의해 상기 시일제를 경화시켜 고착하는 공정

포함하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 제조 방법.
제29항에 있어서,

상기 롤러는 수지로 이루어지며, 경도가 50도 이상 150도 이하인 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 제조 방법.
제29항에 있어서,

상기 롤러는 금속 또는 유리 또는 세라믹으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 제조 방법.
제29항에 있어서,

상기 롤러를 이동시키는 압력은, 100g/㎠ 이상 1000g/㎠ 이하인 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 제조 방법.
제29항에 있어서,

상기 롤러를 이동시키는 속도는 5㎜/초 이상 50㎜/초 이하인 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 제조 방법.
제29항에 있어서,

상기 기판에 상기 가요성 도전 필름을 중첩하여 배치할 때에, 상기 가요성 도전 필름에 대하여, 상기 롤러의 회전 방향으로 100g 이상 3000g 이하의 장력을 가하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 제조 방법.
기판 위에 단위 검출 소자를 형성하는 공정과,

상기 기판의 외주에 시일제를 도포하는 공정과,

상기 기판에 가요성 도전 필름을 중첩하여 배치하고, 제1 열 처리에 의해 상기 시일제를 경화시켜 고착하는 공정과,

상기 가요성 도전 필름을 제2 열 처리에 의해 수축시키는 공정

을 포함하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 제조 방법.
제35항에 있어서,

상기 제2 열 처리에 의해, 상기 가요성 도전 필름의 기재인 고분자막을 1% 이상 3% 이하 수축시키는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 제조 방법.
제35항에 있어서,

상기 제2 열 처리는 상기 가요성 도전 필름의 기재인 고분자막의 유리 전위 온도보다 높고, 연화점 온도보다도 낮은 온도에서 행하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 제조 방법.
제35항에 있어서,

상기 제2 열 처리는 상기 가요성 도전 필름의 기재인 고분자막의 유리 전위 온도보다 10℃ 내지 20℃ 고온인 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 제조 방법.
기판 위에 형성된 단위 검출 소자와,

상기 기판과 시일제에 의해 고착되고, 상기 기판과 서로 대향하여 형성된 가요성 도전 필름과,

상기 기판과 상기 가요성 도전 필름을 접속하는 컨택트를 갖는 면압 분포 센서에 있어서,

상기 컨택트는 저온 열 경화성 수지에 도전 입자가 혼입되어 있는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.
제39항에 있어서,

상기 단위 검출 소자는, 상기 기판 위에 매트릭스 형상으로 배치되고, 스위칭 소자와 이것에 접속된 접촉 전극을 갖고,

상기 접촉 전극과 상기 가요성 도전 필름과의 도통의 유무를 상기 스위칭 소자를 순차적으로 온함으로써 면압 분포를 계측하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.
제39항에 있어서,

상기 도전 입자는 구체의 수지를 금속막이 피복하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.
제39항에 있어서,

상기 저온 열 경화성 수지는, 상기 시일제와 동일 재료인 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서.
기판 위에 단위 검출 소자 및 컨택트 패드를 형성하는 공정과,

상기 기판 위의, 상기 단위 검출 소자를 둘러싼 주위에 열 경화성 수지를 도포하여 제1 열처리를 행하여 흐름 방지 수단을 형성하는 공정과,

상기 흐름 방지 수단의 외주에 시일제를 도포하는 공정과,

상기 컨택트 패드 위에 도전 입자를 혼입한 컨택트 수지를 도포하는 공정과,

상기 기판과 서로 대향하는 가요성 도전 필름을 중첩하여 배치하고, 제2 열처리를 행하여 상기 가요성 도전 필름을 고착함과 함께, 상기 컨택트 수지를 경화시켜 상기 컨택트 패드와 가요성 도전 필름을 접속하는 컨택트를 형성하는 공정

을 포함하는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 제조 방법.
제43항에 있어서,

상기 컨택트 수지는, 상기 시일제와 동일 재료의 기재에 도전 입자가 혼입되어 있는 것을 특징으로 하는 면압 분포 센서의 제조 방법.