KR100491053B1 - 폴리머 광소자 제조방법 - Google Patents

폴리머 광소자 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 폴리머 광소자 제조방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상에 폴리머 물질을 도포하여 하부 클래드층을 형성하는 단계와, 상기 하부 클래딩층 상에 폴리머 물질을 도포한 후, 패터닝하여 코어층을 형성하는 단계와, 상기 코어층이 형성된 결과물 상에 폴리머 물질을 도포하여 상부 클래드층을 형성하는 단계와, 상기 상부 클래드층 상에 상기 하부 클래드층이 분리되었을 때 온도에 따른 굴절률 변화를 온도에 따른 길이 변화로 상쇄하도록 적절한 열팽창 계수를 갖는 폴리머 물질을 도포하여 오버 레이어를 형성하는 단계 및 상기 반도체 기판과 소정 영역의 상기 하부 클래드층을 분리하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 폴리머 광소자의 온도 의존성을 최소화할 수 있다.

Description

폴리머 광소자 제조방법{Method of manufacturing polymeric optical device}
본 발명은 폴리머 광소자 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 폴리머 물질을 이용한 평면형 광도파로(optical planar waveguide) 소자에 관한 것이다.
광통신 분야에 널리 사용되고 있는 폴리머 광도파로(optical planar waveguide) 소자, 특히 폴리머 AWG(Arrayed Waveguide Grating) 소자의 문제점 중 하나는 온도에 따라 파장 특성이 변화한다는 것이다. 폴리머 광소자는 실리카(silica) 광소자에 비해서 제작이 용이한 장점 때문에 많은 관심을 갖고 있으나, 실리카 광소자에 비해서 큰 온도 의존성 때문에 응용에 제약을 받고 있다. 실리카 AWG의 경우에는 온도에 따른 중심 파장 차이가 약 0.01 nm/℃ 정도이지만(M. Moroni and S. Vallon, "Athermalized polymer overclad integrated planar optical waveguide device and method",US patent, 6421472, 2002), 폴리머를 이용한 AWG 소자의 경우에는 물질 종류에 따라서 차이가 있지만 온도에 따른 중심 파장 차이가 약 -0.1 nm/℃에 이르러 실리카 AWG보다 약 10 배나 크다(N. Keil, H. H. Yao, C. Zawadzki, J. Bauer, M. Bauer, C. Dreyer, and J. Schneider, "Athermal all-polymer arrayed waveguide grating multiplexer",Electro. Lett. vol. 37, pp. 579-580, 2001, 이하 "참고문헌 2"라 함). 실리카 AWG의 0.01 nm/℃ 차이도 문제가 되는 경우가 있어 이를 더욱 줄이기 위해서 하부클래딩 및 코어부를 포함 기본적으로 실리카로 구성된 위에 실리카와 열광학 계수가 반대인 폴리머를 이용하여 상부 클래딩을 덮어서 온도 의존성을 줄이는 방법 등이 이용되고 있다.
폴리머 광소자의 온도 의존성을 줄이는 방법으로는 폴리머 광소자를 흔히 사용되는 실리콘 웨이퍼(Silicon wafer) 대신 폴리머 기판을 사용하여 폴리머의 온도에 따른 굴절률 변화와 폴리머 기판의 온도에 따른 열팽창에 따른 길이 변화 효과가 상쇄되어 온도 의존성이 크게 향상된 폴리머 AWG가 사용된 바 있으며, 또한 폴리머 AWG 상에 특정 열팽창 계수의 폴리머층을 추가하여 온도 의존성을 보다 줄이는 방법도 사용되었다(Renyuan Gao, Renfeng Gao, K. Takayama, A. Yeniay, and A. F. Garito, "Low-Insertion Loss Athermal AWG Multi/Demultiplexer Based on Perfluorinated Polymers",ECOC 2002, 6.2.2, 2002). 이 두 가지 방법은 폴리머 광소자의 온도 의존성을 줄이는 데 효과적인 방법이지만 아직까지 상용화가 이루어지지 못하고 있는데, 그 이유는 폴리머 기판은 실리콘 기판에 비해 물리적 혹은 화학적으로 안정하지 않으므로 광소자 제작 공정 중에 고온 공정을 피해야 하는 등의 제약 조건이 따르고 패키징 공정에 있어서도 많은 어려움이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 폴리머 광소자의 온도 의존성을 최소화하는 폴리머 광소자 제조방법을 제공함에 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, 반도체 기판 상에 폴리머 물질을 도포하여 하부 클래드층을 형성하는 단계와, 상기 하부 클래딩층 상에 폴리머 물질을 도포한 후, 패터닝하여 코어층을 형성하는 단계와, 상기 코어층이 형성된 결과물 상에 폴리머 물질을 도포하여 상부 클래드층을 형성하는 단계와, 상기 상부 클래드층 상에 상기 하부 클래드층이 분리되었을 때 온도에 따른 굴절률 변화를 온도에 따른 길이 변화로 상쇄하도록 적절한 열팽창 계수를 갖는 폴리머 물질을 도포하여 오버 레이어를 형성하는 단계 및 상기 반도체 기판과 소정 영역의 상기 하부 클래드층을 분리하는 단계를 포함하는 폴리머 광소자 제조방법을 제공한다.
상기 반도체 기판 상에 상기 하부 클래드층을 형성하기 전에, 상기 반도체 기판과 상기 하부 클래드층의 분리를 용이하게 하기 위하여 상기 반도체 기판으로부터 분리될 영역 상에 상기 반도체 기판과 상기 하부 클래드층의 폴리머 물질에 대하여 접착력이 약한 금속층을 증착하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 반도체 기판 상에 상기 하부 클래드층을 형성하기 전에, 상기 반도체 기판과 상기 하부 클래드층의 분리를 용이하게 하기 위하여 상기 반도체 기판으로부터 분리될 영역 상에 유기 용매에 녹는 촉진제를 도포하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 반도체 기판으로부터 상기 하부 클래드층을 분리하기 전에 폴리머 광소자 칩을 쏘잉(sawing)하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 하부 및 상부 클래드층 또는 상기 코어층에 도포하는 폴리머 물질의 열팽창 계수가 온도에 따른 굴절률 변화를 상쇄할 수 있는 것이 바람직하나, 상기 하부 및 상부 클래드층, 코어층의 물질이 이를 만족하지 못하는 경우에는 상기 오버 레이어에 도포하는 폴리머 물질의 열팽창 계수가 온도에 따른 굴절률 변화를 상쇄할 수 있는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 이하의 실시예는 이 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 이하의 설명에서 어떤 층이 다른 층의 위에 존재한다고 기술될 때, 이는 다른 층의 바로 위에 존재할 수도 있고, 그 사이에 제3의 층이 게재될 수도 있다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되었다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
본 발명은 폴리머 물질을 이용한 평면형 광도파로(optical planar waveguide) 소자, 특히 AWG (Arrayed Waveguide Grating) 소자의 제작 방법에 관한 것으로, 폴리머 AWG 소자의 문제 점 중 하나인 온도에 따른 파장 특성 변화를 해소하는 간단하면서 효과적인 방법을 제시한다. 본 발명에서는 폴리머 기판을 사용하지 않고 실리콘 기판 위에 폴리머 광소자를 제작한 후에, 폴리머 광소자의 특정 부분만을 실리콘 기판에서 분리시켜서 온도 의존성을 줄이는 방법을 제시한다. 본 발명에서 온도 의존성의 미세 조절은 특정 열팽창 계수의 상부층을 첨가해서 이루어진다. 본 발명에 의하면 일반적인 폴리머 광소자 제작 공정상에 약간의 변화로 폴리머 광소자의 최대 약점 중 하나인 온도 의존성을 줄일 수 있는 장점이 있다.
도 2 내지 도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 폴리머 광소자 제조방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.
도 2를 참조하면, 기판(substrate, 예를 들면 silicon wafer)(100) 상에 하부 클래드(cladd)층으로 사용될 폴리머 물질(102)을 스핀 코팅(spin coating)한다. 상기 폴리머 물질(102)로는 플루오리네이트 폴리에테르(fluorinated polyethers) 계열, 아크릴레이트(acrylate) 계열, 실리콘 레진(silicone resin) 계열, 폴리이미드(polyimide) 계열 또는 퍼플루오네이트 사이클로부탄(perfluorinated cyclobutane) 계열 등을 사용할 수 있다. 상기 스핀 코팅은 200∼3000 rpm 정도의 속도로 실시하는 것이 바람직하며, 상기 폴리머 물질(102)은 5㎛ ∼ 20 ㎛ 정도의 두께로 도포한다.
도 3을 참조하면, 폴리머 물질(102)에 따라서 열 경화(thermal curing) 혹은 UV(UltraViolet) 조사를 통한 경화 과정(104)을 거친다. 상기 열 경화 및 UV 조사는 각각의 물질에 따라서 적절한 경화 조건 및 시간에 맞추어 실시하는 것이 바람직하다.
도 4를 참조하면, 폴리머 물질(102) 상에 코어(core)층으로 사용될 물질(106)을 스핀 코팅한 후, 경화 과정을 수행한다. 상기 코어로 사용될 물질(106)로는 플루오리네이트 폴리에테르(fluorinated polyethers) 계열, 아크릴레이트(acrylate) 계열, 실리콘 레진(silicone resin) 계열, 폴리이미드(polyimide) 계열 또는 퍼플루오네이트 사이클로부탄(perfluorinated cyclobutane) 계열 등을 사용할 수 있다. 상기 경화 과정은 열 경화 또는 UV 조사을 이용하여 실시하며 각각의 물질에 따라서 적절한 경화 조건 및 시간에 맞추어 실시하는 것이 바람직하다. 상기 코어로 사용될 물질(106)은 1∼10㎛ 정도의 두께로 도포하는 것이 바람직하다.
도 5를 참조하면, 코어로 사용될 물질(106)의 경화 과정을 거친 후에 사진식각공정(Photolithography)을 통해서 광도파로(waveguide) 패턴을 정의하는 포토레지스트 패턴(108)을 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴(108) 대신에 음각된 포토레지스트를 이용한 금속 패턴을 형성할 수도 있음은 물론이다.
도 6을 참조하면, 포토레지스트 패턴(108) 또는 음각된 포토레지스트를 이용한 금속 패턴을 식각 마스크로 사용하여 코어로 사용될 물질(106)을 건식 식각하여 광도파로 코어층((106a)을 형성한다. 상기 건식 식각 공정은 산소(O2) 가스를 사용하여 100∼400W 정도의 RF 파워(Radio Frequency Power) 조건에서 실시할 수 있다. 이때, 주입되는 가스의 유량은 10∼100 sccm 정도로 하여 수행할 수 있다.
도 7을 참조하면, 코어층(106a) 상에 상부 클래드층으로 사용될 폴리머 물질(110)을 스핀 코팅하고, 경화 공정을 실시한다. 상기 폴리머 물질(110)로는 플루오리네이트 폴리에테르(fluorinated polyethers) 계열, 아크릴레이트(acrylate) 계열, 실리콘 레진(silicone resin) 계열, 폴리이미드(polyimide) 계열 또는 퍼플루오네이트 사이클로부탄(perfluorinated cyclobutane) 계열 등을 사용할 수 있다. 상기 스핀 코팅은 200∼3000 rpm 정도의 속도로 실시하는 것이 바람직하며, 상기 폴리머 물질(102)은 5㎛ ∼ 20 ㎛ 정도의 두께로 도포한다. 상기 경화 과정은 열 경화 또는 UV 조사을 이용하여 실시하며 각각의 물질에 따라서 적절한 경화 조건 및 시간에 맞추어 실시하는 것이 바람직하다.
도 1을 참조하면, 완성된 폴리머 도파로 상에 상부 및 하부 클래드층에 도포된 폴리머 물질의 온도에 따른 굴절률 변화를 보상할 수 있는 적당한 크기의 열팽창 계수를 갖는 폴리머를 충분한 두께로 형성하여 오버 레이어(Over Layer)(미도시)를 형성한다. 상기 오버 레이어로 사용되는 폴리머 물질로는 각종의 폴리머 물질들 중 적당한 열팽창 계수의 물질을 선택하여 사용할 수 있다. 상기 폴리머 물질의 열팽창 계수가 온도에 따른 굴절률 변화를 상쇄하기에 적당한 경우에는 클래드 두께보다 2배 이상 충분히 두껍게 형성하는 것이 바람직하며, 열팽창 계수가 낮은 경우에는 클래드 두께에 대비하여 그 두께를 조절함으로써 전체적으로 클래드의 열팽창 계수와 오버 레이어 열팽창 계수의 사이에 적절한 열팽창 계수 효과를 갖도록 할 수 있다. 이어서, 완성된 폴리머 디바이스의 특정 부위를 실리콘 기판으로부터 분리하여 일부는 완전 폴리머(all-polymer) 특성을 갖고 나머지 부분은 실리콘 기판 상의 폴리머(polymer-on-Si) 특성을 갖도록 한다. 예를 들면, 실리콘 기판으로부터 자유전파영역(free propagation region)(140) 및 격자채널도파로(grating channel waveguide)(150) 부분에 해당하는 하부 클래드층(도 7에서 '102' 참조) 및 그 상부층들(106a, 110 및 오버 레이어)을 실리콘 기판으로부터 분리한다. 도 1에서 미설명된 참조 부호 '120'은 '입력부'를, '130'은 '출력부'를 지칭한다.
본 발명의 바람직한 실시예에서는 도 8a 및 도 8b와 같은 16 x 16 채널 AWG를 제작하였다. 제작에 사용된 폴리머 물질은 젠 포토닉스(Zen Photonics)사의 상용 제품으로 코어에는 굴절률 1.501의 플루오리네이트 폴리에테르(fluorinated polyethers) 계열(상품명 ZP1010)이 사용되고, 상부 및 하부 클래드층에는 굴절률 1.484의 플루오리네이트 폴리에테르(fluorinated polyethers) 계열(상품명 ZP2145)이 사용되었다. 본 실시예에서 사용된 ZP1010 물질의 경우에는 도포 후 250℃에서 2시간 가량 열 경화를 하였으며, ZP2145 물질의 경우에는 250℃에서 2시간 가량 열 경화를 하였다. 본 발명의 바람직한 실시예로서 제작된 AWG의 광도파로 구조는 도 8a 및 도 8b에서와 같이 11 ㎛ 정도 두께의 하부 클래드층(102), 약 6 x 6 ㎛의 코어(106a), 그리고 코어(106a) 바닥으로부터 두께 약 16 ㎛ 이상의 상부 클래드층(110)으로 구성된다. 6 x 6 ㎛ 코어(106a)는 하부 클래드층(102) 상에 두께 6 ㎛의 코어층(106)을 형성한 후에 이를 사진식각공정(photolithography)으로 형성된 광도파로 패턴을 따라서 약 7 mm 두께로 식각하여 형성하였다. 이후 상부에 ZP2145를 약 22 mm 가량 덮어서 상부 클래드층(110)을 형성하고, 그 위에 열팽창 계수를 고려하여 플루오리네이트 폴리에테르(fluorinated polyethers) 계열의 폴리머 물질을 덮었다. 사용된 ZP2145의 열팽창 계수는 약 120 ppm/K로 참고 문헌 2에서 이야기된 적정 열팽창 계수 70 ppm/K 보다 높았다.
본 발명의 바람직한 실시예에서는 폴리머 AWG 일반 제조 공정이 끝난 후에 도 1과 같이 폴리머 필름의 일부를 실리콘 기판으로부터 분리한다. 실리카 AWG의 경우에는 실리카 특성상 필름의 일부를 분리하기 힘들지만, 폴리머는 유연한(flexible) 특성을 활용하여 특정 일부를 분리하여 그 부분은 기판의 영향을 받지 않도록 할 수가 있다. AWG의 온도 특성에 영향을 주는 부분은 AWG의 격자 채널 도파로(grating channel waveguide) 부분으로 도 1에서와 같이 이 부분만을 분리하게 되면 AWG는 완전 폴리머(all-polymer) AWG의 기능을 하면서도 입출력부를 비롯한 기타 부위에서는 실리콘 기판 상에 고정된 이점을 사용할 수 있다. 실리콘 기판 상에 있으면 입출력부의 광섬유와 패키징하는 것이 용이하며 실리콘 기판의 효과적인 열전도 특성을 활용할 수 있는 장점이 있으며, 이러한 장점은 폴리머 광소자의 상용화에 큰 기여를 할 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에서와 같이 폴리머 필름의 특정 부위만을 분리하는 방법으로는 제조 공정 초기에 실리콘 기판 상의 일부분에 금(Au)과 같이 접착이 약한 금속층을 입힌(증착한) 후에 폴리머 광소자의 제작을 마치고 쏘잉(sawing) 공정을 거치게 되면 금속층이 입혀진 부분만을 쉽게 분리할 수 있다. 또 다른 방법으로는 제조 공정 초기에 폴리머와 실리콘 기판의 접착을 용이하게 하는 촉진제(promoter)를 도포한 후 폴리머 광소자의 제작한 후, 일반적인 공정으로 제조된 AWG 칩(chip)을 유기 용매에 분리하고자 하는 부분만을 담구게 되면, 용매에 의해 촉진제(promoter) 성분이 녹아서 폴리머 필름이 분리되도록 하는 방법을 사용할 수 있다. 상기 유기 용매로는 유기물이 잘 용해되는 알칼리 용액을 사용할 수 있다. 상기 촉진제로는 젠 포토닉스사의 ZAP1010 같은 물질을 사용할 수 있다. 이 경우에는 폴리머 광소자가 제작되어 광섬유와 결합 공정을 거친 이후에 용매에 담그는 것도 가능하다. 폴리머 필름의 일부가 분리된 후에는 기계적인 안정성을 위해서 분리된 필름의 끝 부분을 실리콘 기판에 접착제로 고정하는 방법을 쓰는 것이 좋다. 도 9는 이러한 방법으로 제작되어 광섬유와 연결된 온도에 무관한 폴리머 AWG 사진이다.
도 10은 제작된 폴리머 AWG의 온도 의존 특성을 보여주는 그래프로서, 도 10에서와 같이 일부 폴리머 필름이 분리되기 이전의 실리콘 기판 상의 AWG(a)는 -0.1 nm/℃의 온도 의존성을 갖고, 폴리머 필름의 일부가 분리된 후(b)에는 +0.08 nm/℃로 온도 의존성이 역전되었으며, 80 ppm/K 열팽창 계수를 갖는 오버 레이어(over layer)를 첨가한 샘플(c)의 경우에는 +0.01 nm/℃로 온도 의존성이 실리카 AWG 수준으로 낮아졌다. 80 ppm/K 열팽창 계수 물질을 보다 낮은 열팽창 계수 예로서 이론적으로 예측된 70 ppm/K의 물질을 사용하게 되면 온도 의존성은 더욱 낮아질 것으로 기대된다.
도 11은 도 10의 +0.01 nm/℃ 온도 의존성을 갖는 AWG의 25 ℃, 50 ℃ 및 70 ℃에서의 투과 스펙트럼을 보여주고 있다. 도 11로부터 온도에 따른 손실 및 누화율의 변화는 크지 않음을 알 수 있다.
이상의 결과로부터 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 실리콘 기판상에 폴리머 AWG를 제작한 후 일부 폴리머 필름을 분리하는 방법은 실리콘 기판을 그 장점을 살리면서 완전 폴리머(all-polymer) 소자의 기능을 갖도록 하는 방법으로 향후 폴리머 광소자 산업에 크게 기여할 것으로 보인다. 본 발명의 방법은 실리콘 기판 외에도 실리카 기판 등 어느 기판을 사용해도 적용할 수 있는 방법이며, AWG 외에 마크 젠더(Mach Zehnder) 간섭계 및 방향 커플러(directional coupler) 그리고 MMI(Multimode Interference) 소자 등 온도에 민감한 여러 종류 소자에 응용될 수 있다.
본 발명에 의한 폴리머 광소자 제조방법에 의하면, 폴리머 광소자의 최대 약점 중 하나인 온도 의존성을 간단한 공정의 추가로 상쇄시켜 온도에 무관한 폴리머 AWG를 구현하였고, 이 방법을 이용하면 다른 폴리머 광소자의 온도 의존성도 크게 개선될 것이며, 현재 주로 사용되고 있는 실리카 광소자와 폴리머 광소자 간의 경쟁 구도에 혁신적인 변화를 줄 것으로 기대된다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상의 범위내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능하다.
도 1은 폴리머 광소자의 소정 영역이 반도체 기판으로부터 분리된 모습을 보여주는 도면이다.
도 2 내지 도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 폴리머 광소자 제조방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 16 x 16 채널 AWG(Arrayed Waveguide Grating)를 제작한 모습을 보여주는 도면들이다.
도 9는 광섬유와 연결된 온도에 무관한 폴리머 AWG 사진이다.
도 10은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제작된 폴리머 AWG의 온도 의존 특성을 보여주는 그래프이다.
도 11은 도 10의 +0.01 nm/℃ 온도 의존성을 갖는 AWG의 25 ℃, 50 ℃ 및 70 ℃에서의 투과 스펙트럼을 보여주는 그래프이다.
<도면의 주요 부분에 부호의 설명>
100: 반도체 기판 102: 하부 클래드층
106a: 코어층 110: 상부 클래드층
120: 입력부 130: 출력부
140: 자유전파영역(free propagation region)
150: 격자채널도파로(grating channel waveguide)

Claims (8)

  1. 반도체 기판 상에 폴리머 물질을 도포하여 하부 클래드층을 형성하는 단계;
    상기 하부 클래딩층 상에 폴리머 물질을 도포한 후, 패터닝하여 코어층을 형성하는 단계;
    상기 코어층이 형성된 결과물 상에 폴리머 물질을 도포하여 상부 클래드층을 형성하는 단계;
    상기 상부 클래드층 상에 상기 하부 클래드층이 분리되었을 때 온도에 따른 굴절률 변화를 온도에 따른 길이 변화로 상쇄하도록 적절한 열팽창 계수를 갖는 폴리머 물질을 도포하여 오버 레이어를 형성하는 단계; 및
    상기 반도체 기판과 소정 영역의 상기 하부 클래드층을 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리머 광소자 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판 상에 상기 하부 클래드층을 형성하기 전에, 상기 반도체 기판과 상기 하부 클래드층의 분리를 용이하게 하기 위하여 상기 반도체 기판으로부터 분리될 영역 상에 상기 반도체 기판과 상기 하부 클래드층의 폴리머 물질에 대하여 접착력이 약한 금속층을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리머 광소자 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판 상에 상기 하부 클래드층을 형성하기 전에, 상기 반도체 기판과 상기 하부 클래드층의 분리를 용이하게 하기 위하여 상기 반도체 기판으로부터 분리될 영역 상에 유기 용매에 녹는 촉진제를 도포하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리머 광소자 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 하부 및 상부 클래드층에 도포하는 폴리머 물질은 플루오리네이트 폴리에테르(fluorinated polyethers) 계열, 아크릴레이트(acrylate) 계열, 실리콘 레진(silicone resin) 계열, 폴리이미드(polyimide) 계열 또는 퍼플루오네이트 사이클로부탄(perfluorinated cyclobutane) 계열 물질인 것을 특징으로 하는 폴리머 광소자 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 코어층에 도포하는 폴리머 물질은 플루오리네이트 폴리에테르(fluorinated polyethers) 계열, 아크릴레이트(acrylate) 계열, 실리콘 레진(silicone resin) 계열, 폴리이미드(polyimide) 계열 또는 퍼플루오네이트 사이클로부탄(perfluorinated cyclobutane) 계열 물질인 것을 특징으로 하는 폴리머 광소자 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 오버 레이어에 도포하는 폴리머 물질로는 상기 하부 및 상부 클래드층보다 작은 열팽창 계수를 갖는 플루오리네이트 폴리에테르(fluorinated polyethers) 계열, 아크릴레이트(acrylate) 계열, 실리콘 레진(silicone resin) 계열, 폴리이미드(polyimide) 계열 또는 퍼플루오네이트 사이클로부탄(perfluorinated cyclobutane) 계열 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 폴리머 광소자 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 폴리머 광소자 제조방법.
  8. 삭제
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