KR100489300B1 - 진공증착에 의한 중성자 검출용 후막 제조방법 및 그후막을 포함하는 중성자 검출용 금속판 - Google Patents

Abstract

본 발명은 중성자 검출을 위한 후막 및 알루미늄 기판을 포함하는 중성자 검출용 금속판에 있어서, 상기 알루미늄 기판의 상부면에 부착되고 보호막의 하부면에 부착되며, 두께 10∼50㎛인 희토류금속막;및 상기 희토류금속막의 상부면에 부착되고, 두께 200∼1000Å이며, 상기 희토류금속막의 산화를 방지하기 위해, 금속산화물을 소스로 하여 증착한 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 중성자 검출용 금속판을 제공한다. 또한, 상기 알루미늄 기판 상부면에 부착되고, 상기 희토류금속막 하부면에 부착되며, 산화알루미늄을 소스로 하여 증착된 계면막을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 중성자 검출용 금속판을 제공한다.

본 발명의 방법에 따라 제조된 후막을 포함하는 금속판을 중성자 검출에 사용할 경우, 제조원가가 낮고 두께 조절이 용이하며, 또한 다양한 형태의 기판에 적용이 가능하여, 중성자 검출기는 물론 중성자를 이용하는 다양한 실험에 경제적이며 효과적으로 이용이 가능하다.

Description

진공증착에 의한 중성자 검출용 후막 제조방법 및 그 후막을 포함하는 중성자 검출용 금속판{Manufacturing method of thick film for detecting a neutron by vacuum evaporation and metal plate having the thick film for detecting a neutron}

본 발명은 진공증착에 의한 중성자 검출용 후막 제조방법 및 그 후막을 포함하는 중성자 검출용 금속판에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 진공증착법을 이용하여 밀착력이 우수한 중성자 검출용 후막의 피막 형성 방법 및 그 후막을 포함하는 중성자 검출용 금속판에 관한 것이며, 더욱 더 상세하게는 물체의 내부 사진촬영시 감광지로 사용되거나, 중성자 검출에 사용되는 가돌리늄(Gd)이나 디스프로슘 (Dy) 등의 희토류 금속 후막을, 진공증착에 의해 형성하는 방법 및 그 후막을 포함하는 중성자 검출용 금속판에 관한 것이다.

중성자란 핵반응에 의해 생성되며, 일반적으로 고속중성자와 열중성자로 구분한다. 열중성자란 고속중성자를 감속기를 이용하여 감속시켜 형성되는 것으로, 이러한 열중성자는 물질의 비파괴 분석은 물론, 의료용 진단에 이르기까지 그 응용분야가 매우 다양하다. 열중성자를 검출하거나 사진에 감광시키는데 사용되는 물질로는, 가돌리늄(Gd), 디스프로슘(Dy), 보론(B) 등이 이용되는데, 대부분은 얇은 포일 형태로 제작하여 이용하고 있다. 일예로 가돌리늄의 경우, 100㎛ 두께의 포일을 중성자와 반응성이 거의 없는 알루미늄 판에 붙여, 중성자 검출 및 감광용으로 이용하는 것이 일반적이다.

그러나, 두께가 얇은 포일을 금속판에 부착하여 사용할 경우, 취급이나 부착과정에서 포일이 겹쳐지거나 찢어지는 등 여러가지 문제가 발생하고 있다. 이를 방지하기 위해 진공흡착 방식을 이용하여 해결하고 있으나, 여전히 많은 문제가 드러나고 있는 것이 현실이다. 또한, 상기와 같이 압연에 의해 포일을 제조하는 경우, 압연기술의 한계로 약 100㎛의 두께의 포일을 사용하여 왔으나, 중성자 검출시 희토류 금속막은 15∼50㎛이 가장 바람직하다. 따라서, 포일을 이용할 경우에는 다양한 두께에서 최적의 효율을 도출하는 것이 어려우며, 포일 제조 및 실험을 위한 제조 단가가 많이 든다는 단점이 있다.

본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 진공증착법을 이용하여 두께가 두꺼운 피막을 판상의 재료에 코팅하여 포일을 대체하는 것을 목적으로 하고 있다.

진공증착이란, 물리증착 기술의 일종으로 여기서 물리증착이란, 진공이나 플라즈마 분위기에서 물질을 가열하거나 운동량 전달을 이용하여, 피막 물질을 증발시켜서 코팅하고자 하는 기판에 피막을 제조하는 방법을 총칭한다. 물리증착법은 일반적으로 순도가 높고, 표면이 평활한 금속피막을 손쉽게 제조가 가능한 것으로 잘 알려져 있다.

물리증착에는 크게 진공증착, 스퍼터링 그리고 이온플레이팅이 있으며, 금속 피막을 제조할 경우는 특수한 경우를 제외하고는 진공증착법이 많이 이용되고 있다. 이는 진공증착법이 비교적 공정이 간단하고, 증발율이 다른 방법에 비해 높기 때문이다. 진공증착법은 가열원의 형태 및 가열방법에 따라, 저항가열식 진공증착, 전자빔 가열식 진공증착 그리고 유도가열식 진공증착으로 구분하는데, 산업용 대형 플렌트 등 특수한 경우를 제외하면 저항가열식과 전자빔 가열식 진공증착법이 많이 사용되고 있다.

저항가열식 진공증착은 보트나 도가니 또는 필라멘트 형태의 내화물 금속이나 금속간 화합물에 전류를 직접 통과시켜, 가열시킴에 의해 증발원 내에 담겨있는 물질을 녹여 증발시키는 진공증착법이며, 전자빔 가열식 진공증착은 음의 고전압이 인가된 필라멘트를 가열시켜 전자를 방출시킨 후, 이 전자를 수냉이 되는 구리 도가니에 집속시켜 물질을 증발시켜 피막을 형성하는 진공증착 방식이다. 저항가열식 진공증착은 가열원 전체가 가열되므로, 증발물과 증발원이 반응하거나 증발원이 파손되기 때문에, 구리나 아연, 은 등과 같이 반응성이 작고 비교적 증기화 온도가 낮은 물질의 증발에 이용된다. 반면, 전자빔 가열식은 수냉이 되는 도가니를 이용하므로, 실제적으로 주기율표상의 모든 물질의 증발이 가능하다.

진공증착에서 피막의 특성을 좌우하는 중요한 변수로는 증발율과 진공도 그리고 기판온도 등이 있다. 이들은 피막과 기판 사이의 밀착력은 물론 피막의 밀도와 표면 평활도 등에 영향을 미친다. 따라서, 진공증착법을 이용하여 중성자 검출용 피막을 제조하는 데는 여러가지 제약이 따르는데, 그 중에 가장 큰 문제점이 피막의 두께이다. 진공증착으로 제조된 종래의 피막은, 일반적으로 피막내에 많은 기공이 존재하고 피막 밀도가 고체상의 재료와 다르게 나타나며, 10㎛이상이 되면 피막의 응력이 발생하여, 그 응력의 영향으로 피막이 박리되거나 가루상의 분말(분화라 칭함)이 발생하며, 따라서 피막의 수명이 짧아진다는 단점이 있다.

따라서, 본 발명의 목적은 중성자 검출에 사용할 수 있고, 박리나 분화 현상이 없는 수십㎛ 이상의 두꺼운 피막의 제조방법 및 그 후막을 포함하는 중성자 검출용 금속판을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 적정 제조 조건(증발율, 기판온도, 두께 등)에서, 진공증착법에 의한 수십㎛ 이상의 두꺼운 피막의 제조방법 및 그 후막을 포함하는 중성자 검출용 금속판을 제공하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 알루미늄 기판; 상기 기판의 상부면에 부착되고 두께가 10∼50㎛인 희토류금속막;및 상기 희토류금속막 상부면에 부착되고 두께가 200∼1000Å이며, 금속산화물로 증착한 보호막을 포함하는 것을 특징으로 하는 중성자 검출용 후막을 제공한다. 상기 알루미늄 기판과 희토류금속막 사이에 산화알루미늄으로 증착한 계면막을 더욱 포함할 수 있다.

본 발명은 중성자 검출용 금속판에 있어서, 알루미늄 기판을 미러 처리한 후, 세척을 하는 단계; 상기 기판의 상부면에 희토류금속물질을 소스로 하고 증발율을 분당 0.3∼1㎛로 하여, 10㎛이상의 희토류금속막을 진공증착 시키는 단계;및 상기 희토류금속막 상부면에 금속산화물을 소스로 하여 두께 200 ∼1000Å의 보호막을 진공증착 시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 중성자 검출용 후막 제조방법을 제공한다. 상기 희토류금속막 형성의 전단계에서, 상기 기판 상부면에 산화알루미늄을 소스로 하여 200∼1000Å의 계면막을 더욱 진공증착하는 단계를 포함할 수 있다.

이하, 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.

본 발명은 후막을 기판 상부에 증착하는 경우, 상기의 전자빔 가열식 진공증착 방법(이하 진공증착이라 약함)을 이용하는 것을 특징으로 하고 있다.

도1은 본 발명을 설명하기 위한 진공증착 장치의 단면도이다.

도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 중성자 검출용 금속판을 도시한 것으로서, 도시된 바에 따르면, 중성자 검출용 금속판은 알루미늄 기판(100); 상기 기판 (100) 상부면에 부착된 희토류금속막(300);및 상기 희토류금속막(300) 상부면에 부착된 보호막(400)으로 이루어질 수 있다.

기판(100)은 중성자의 이동을 방해하지 않는 물질로 이루어진 판을 사용할 수 있고, 통상 가격이 싼 알루미늄판을 사용한다. 희토류금속막(300)은 중성자 검출을 위해, 중성자를 검출하는데 통상 사용되는 1종이상의 희토류금속물질을 본 발명의 피막물질로서 사용할 수 있으며, 더욱 바람직하게는 가돌리늄(Gd), 디스프로슘(Dy) 및 붕소(B) 등을 사용할 수 있다.

상기 희토류금속막(300)의 두께는 10㎛이상이 바람직하고, 10∼50㎛가 더욱 바람직하고, 15∼50㎛가 가장 바람직하다. 상기 희토류금속막(300)의 두께가 10㎛ 미만이면 중성자 검출에 사용하기 부적절할 수 있다. 두께가 50㎛ 초과시에는 중성자 검출시 사용할 수 있으나, 중성자 검출시 15∼50㎛의 희토류금속막이 적당하므로, 상기 희토류금속막(300)이 50㎛ 초과하는 것은 불필요하거나 본 발명의 효과를 나타내지 못할 우려가 있다.

희토류금속막(300)이 대기중에 노출되었을 때, 산화에 의한 부식을 방지하기 위해 최종적으로 금속산화물을 소스로 하여 보호막(400)을 증착한다. 상기 보호막 (400)의 두께는 200∼1000Å이 바람직하고, 600∼1000Å이 가장 바람직하다. 상기 보호막(400)의 두께가 200Å 미만이면 희토류금속막의 산화를 방지하는 효과가 떨어질 우려가 있고, 1000Å의 초과는 산화방지 효과를 상승시키기 어려워 불필요할 수 있다.

따라서, 상기 희토류금속막(300)의 두께는 10∼50㎛이고, 상기 보호막(400)의 두께는 200∼1000Å인 것이 바람직하다.

도3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 것으로서, 알루미늄 기판(100); 상기 기판(100)과 희토류금속막(300) 사이에 부착된 계면막(200); 상기 계면막(200)과 보호막(400) 사이에 부착된 희토류금속막 (300);및 상기 희토류금속막(300) 상부면에 부착된 보호막(400)으로 이루어진 중성자 검출용 금속판의 단면도이다.

도3에 도시된 바와 같이, 상기 알루미늄 기판(100)과 희토류금속막(300) 사이에, 산화알루미늄을 소스로 한 계면막(200)을 더욱 포함할 수 있다. 상기 계면막 (200)은 기판(100)과 희토류금속막(300) 사이의 밀착력을 향상시키기 위한 것으로, 200∼1000Å 정도의 두께가 바람직하고, 200∼600Å이 더욱 더 바람직하다. 계면막 (200)의 두께가 200Å 미만이면 밀착력 향상 효과가 감소할 수 있고, 1000Å을 초과하면 계면막(200) 자체가 박리될 수 있기 때문이다.

중성자 검출에서 가장 중요한 것은 중성자가 검출용 물질 이외에 다른 물질에 의해서 흡수나 산란이 발생하면 안된다는 점이다. 즉, 원자번호가 큰 물질을 계면막(200)이나 보호막(400)에 코팅할 경우, 그 물질이 중성자의 이동을 방해하여 효율을 크게 낮추거나 감마선의 다량 발생으로 검출 효율을 떨어뜨리기 때문이다. 따라서, 계면막(200)의 소스로는 알루미늄 기판(100)과 희토류금속막(300) 사이의 밀착력을 증진시키고, 중성자의 이동을 방해하지 않는 산화알루미늄이 가장 바람직하고, 보호막(400)의 소스로는 희토류금속의 산화를 막고, 중성자의 이동을 방해하지 않는 원자번호가 작은 1종이상의 금속산화물을 사용하는 것이 바람직하며, 그 예로는 산화알루미늄, 산화마그네슘 등이 있다.

이하에서는 상기 중성자 검출용 후막의 제조방법에 대해 설명한다.

본 발명은 중성자 검출용 금속판에 있어서, 알루미늄 기판(100)을 미러 처리한 후, 세척을 하는 단계; 상기 기판(100) 상부면에 희토류금속물질을 소스로 하고 증발율을 분당 0.3∼1㎛로 하여, 10㎛이상의 희토류금속막(300)을 진공증착 시키는 단계;및 상기 희토류금속막 (300) 상부면에 금속산화물을 소스로 하여, 두께 200∼1000Å의 보호막(400)을 진공증착 시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 중성자 검출용 후막 제조방법을 제공한다.

피막형성 시스템은 도1에 도시한 바와 같이 전자빔 증발원(2)이 장착된 통상의 진공증착 시스템을 이용하였다. 상기 전자빔 증발원(2)은 다층막 형성을 위해 4개의 포켓으로 이루어진 구리 도가니를 이용하였다.

상기 기판(100)에 피막이 형성되는 표면은 버퍼연마를 통해 미러 처리를 실시하였다. 알루미늄판에 미러 처리를 실시하는 이유는 표면의 거칠음이 중성자 산란을 야기시키는 것을 방지하기 위한 것이다. 미러 처리를 실시한 알루미늄 기판 (100)은 표면에 존재하는 불순물을 제거하기 위해, 비눗물로 세척한 후, 다시 트리클로로엑실렌(Trichloroxylyene), 아세톤 및 알코올을 이용한 초음파 세척을 실시하여, 진공실(1) 내의 기판홀더(7)에 장착하였다. 상기 세척과정이 잘 이루어지지 않는 경우에는 상기 희토류금속막의 밀착력이 떨어질 우려가 있으며, 상기 알코올 초음파 세척은 아세톤 초음파 세척으로 남은 잔유물을 제거하기 위한 것이다. 세척후, 피막형성 물질(3)인 희토류금속물질과 금속산화물을 전자빔 증발원(2)에 넣은 다음, 진공실(1)을 닫고 진공펌프(도면에 표시하지 않음)를 이용하여 배기하였다. 진공도가 10^-5토르 이하가 되면, 기판 가열장치(8)를 이용하여 기판(100)을 가열한 후, 희토류금속물질의 피막을 증착하였다. 이때, 통상의 진공증착시 기판 온도에서 진공증착을 할 수 있으며, 다만 기판이 얇아지면 온도에 민감해져서 온도가 높을수록 기판이 휘기 쉽고 헤이징(hazing) 현상이 나타나 표면이 거칠어 질 수 있다.

상기 희토류금속막(300)의 증착시 전자빔 증발원(2)의 전력은 8kV, 300mA로 조절하여, 증발율이 분당 0.3∼1㎛가 되도록 하며, 더욱 바람직하게는 약0.5㎛가 되도록 한다. 증발율이 분당 0.3㎛ 미만이면 밀착력 저하 및 피막의 박리 발생 확률이 높으며, 증발율이 1㎛를 초과하면 표면이 거칠어질 뿐만 아니라, 전자빔 전력의 상승에 한계가 있어 가격이 비싼 전자총을 이용해야 할 수 있다. 상기 희토류금속막(300)은 사용용도에 따라 다양한 두께로 피막할 수 있고, 또한 본 발명에서는 박리나 분화현상 없이 10㎛이상으로 피막할 수 있다. 증착시 두께 측정은 쿼츠 단결정을 이용한 두께 측정기(10)를 이용하여 두께를 모니터링 하였으며, 두께 분포를 고르게 하기 위해 기판회전장치(9)를 이용하여 기판을 회전시켰다.

희토류금속막(300)의 증착이 완료된 후, 희토류금속막(300)이 대기중에 노출되었을 때, 산화에 의한 부식을 방지하기 위해 최종적으로 금속산화물을 소스로 한 보호막(400)을 증착한다. 상기 보호막(400)의 두께는 200∼1000Å이 바람직하고, 600∼1000Å이 가장 바람직하다. 상기 보호막(400)의 두께가 200Å 미만이면 희토류금속막(300)의 산화방지 효과가 감소할 우려가 있고, 1000Å 초과시는 산화방지 효과의 증가를 얻기 어려울 수 있으므로 불필요할 수 있다.

상기 피막을 형성할 때, 가스도입구(11)를 이용하여 불활성가스나 반응가스를 진공실(1)내에 주입할 수 있는데, 이는 가스를 주입하여 증발된 소스를 산란시켜 두께 편차를 줄이고, 피막의 조직을 변화시켜 특성이 우수한 피막을 제조하기 위한 것이다.

또한, 본 발명은 상기 희토류금속막(300) 형성의 전단계에서, 상기 기판 (100) 상부면에 산화알루미늄을 소스로 하여, 200∼1000Å의 계면막(200)을 더욱 진공증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 중성자 검출용 후막 제조방법을 제공한다.

상기 계면막(200)의 증착시, 전자빔 증발원(2)의 전력은 8kV, 140mA로 조절하여 증발율이 약 분당 400Å가 되도록 하였는데, 이는 산화알루미늄이 가장 효율적으로 증발할 수 있는 조건이다. 계면막(200)의 증착이 완료되면, 포켓을 희토류금속물질이 담긴 곳으로 옮긴 후, 희토류금속막(300)을 제조하면 된다.

다음으로, 본 발명의 이해를 돕기 위해 바람직한 실시예를 제시한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것이며, 본 발명을 한정하는 것이 아니다.

[실시예1] 계면막(200)이 없는 중성자 검출용 금속판의 제조

이하의 실시예에서 사용한 피막형성 시스템은 제1도에 도시한 바와 같이 전자빔 증발원(2)이 장착된 통상의 진공증착 시스템을 이용하였다. 상기 전자빔 증발원(2)은 다층막 형성을 위해 4개의 포켓으로 이루어진 구리 도가니를 이용하였다

두께가 1mm이고 가로, 세로가 각각 200mm인 알루미늄 기판(100)을 준비하고, 피막이 형성되는 표면을 버퍼연마로 미러 처리를 실시하였다. 미러 처리를 실시한 알루미늄 기판(100)은 표면에 존재하는 불순물을 제거하기 위해, 비눗물로 세척한 후, 트리클로로엑실렌(Trichloroxylyene), 아세톤 및 알코올을 이용한 초음파 세척을 차례로 실시한 후, 진공실(1) 내의 기판홀더(7)에 장착하였다. 세척이 끝난 후, 피막형성 물질(3)인 산화알루미늄과 가돌리늄을 전자빔 증발원(2)에 넣은 다음, 진공실(1)을 닫고 진공펌프(도면에 표시하지 않음)를 이용하여 배기하였다. 진공도가 10^-5토르 이하가 되면, 기판 가열장치(8)를 이용하여 기판(100)을 200℃까지 가열한 후, 가돌리늄 피막을 20㎛ 두께로 형성하였다. 상기 가돌리늄 증착시, 전자빔 증발원(2)의 전력은 8kV, 300mA로 조절하여 증발율이 분당 0.5mm가 되도록 하였다. 증착시 두께 측정은 쿼츠 단결정을 이용한 두께 측정기(10)를 이용하여 두께를 모니터링 하였으며, 두께 분포를 고르게 하기 위해 기판회전장치(9)를 이용하여 기판을 분당 5회 회전시켰다. 가돌리늄 증착이 완료된 후, 최종적으로 산화알루미늄을 900Å의 두께로 증착하였다. 산화알루미늄 증착시, 전자빔 증발원(2)의 전력은 8kV, 140mA로 조절하여, 증발율이 약 분당 400Å가 되도록 하였다.

[실시예2] 계면막(200)을 포함하는 중성자 검출용 금속판의 제조

상기 실시예1과 동일한 방법으로 실시하나 다만, 가돌리늄 피막을 형성하기 전에, 알루미늄 기판(100) 상부면에 산화알루미늄을 500Å 두께로 증착하였다. 산화알루미늄 증착시, 전자빔 증발원(2)의 전력은 8kV, 140mA로 조절하여 증발율이 약 분당 400Å가 되도록 하였다. 산화 알루미늄 증착이 완료되면, 포켓을 가돌리늄이 담긴 곳으로 옮긴 후, 20㎛의 두께로 가돌리늄 피막을 제조하였다.

실시예1의 방법으로 제조된 중성자 검출용 금속판의 가돌리늄을 피막을, 종래의 진공증착에 의해 제조된 피막과 밀착력을 비교한 결과, 본 발명에 따라 제조된 시편의 밀착력이 2배이상으로 향상되었음을 확인하였다. 상기 밀착력 시험은 피막층에 격자모양의 가공을 거친 다음, 테이프를 붙여 떼어낸 후, 테이프에 묻어난 격자의 수를 비교하여 평가하였다.

본 발명의 방법에 따라 제조된 후막을 포함하는 금속판을 중성자 검출에 사용할 경우, 제조원가가 낮고 두께 조절이 용이하며, 또한 다양한 형태의 기판에 적용이 가능하여, 중성자 검출기는 물론 중성자를 이용하는 다양한 실험에 경제적이며 효과적으로 이용이 가능하다.

도1은 본 발명을 설명하기 위한 진공증착 장치의 단면도.

도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 것으로서 계면막을 갖지 않는 중성자 검출용 금속판의 단면도.

도3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 것으로서 계면막을 갖는 중성자 검출용 금속판의 단면도.

<도면의 주요부에 대한 부호의 설명>

1 : 진공실 2 : 전자빔 증발원

3 : 피막물질 4 : 증발원 셔터

5 : 기판 셔터

7 : 기판 홀더 8 : 기판 가열 히터

9 : 기판 회전 장치 10 : 두께 측정기

11 : 가스 도입구

100 : 알루미늄 기판 200 : 계면막

300 : 희토류금속막 400 : 보호막

Claims (4)

1. 알루미늄 기판(100)을 포함하는 중성자 검출용 금속판에 있어서,

   상기 알루미늄 기판(100)의 상부면에 부착되고 두께 10∼50㎛인 희토류금속막(300);

   및 상기 희토류금속막의 산화를 방지하기 위해 금속산화물을 소스로 하여, 상기 희토류금속막(300)의 상부면에 두께 200∼1000Å이 되도록 증착된 보호막 (400)

   을 포함하는 것을 특징으로 하는 중성자 검출용 금속판.
2. 제1항에 있어서, 상기 기판(100)과 상기 희토류금속막(300)의 밀착력을 높이기 위해 산화알루미늄을 소스로 하여,

   상기 알루미늄 기판(100)과 상기 희토류금속막(300) 사이에 두께 200∼1000Å이 되도록 증착된 계면막(200)

   을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 중성자 검출용 금속판.
3. 알루미늄 기판(100)을 포함하는 중성자 검출용 금속판에 있어서,

   알루미늄 기판(100)을 미러 처리한 후, 세척을 하는 단계;

   상기 기판(100)을 기판 홀더에 장착한 후, 희토류금속물질을 소스로 하고 증발율을 분당 0.3∼1㎛로 하여, 상기 기판(100) 상부면에 두께가 10㎛이상인 희토류금속막(300)을 진공증착 시키는 단계;

   및 금속산화물을 소스로 하여, 상기 희토류금속막(300) 상부면에 두께 200∼ 1000Å이 되도록 보호막(400)을 진공증착 시키는 단계

   를 포함하는 것을 특징으로 하는 중성자 검출용 후막 제조방법.
4. 제3항에 있어서, 상기 기판(100)과 상기 희토류금속막(300)의 밀착력을 높이기 위해 산화알루미늄을 소스로 하여,

   상기 희토류금속막(300) 진공증착의 전단계로서, 상기 기판(100)상부면에 두께 200∼1000Å이 되도록 계면막(200)을 더욱 진공증착하는 단계

   를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 중성자 검출용 후막 제조방법.