KR100488251B1 - 개선된 에지 기울기를 갖는 표면 음파 필터 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 개선된 에지 기울기를 갖는 표면 음파 필터에 관한 것이다. 서로 직렬 및/또는 병렬 접속된 적어도 3개의 공진기를 갖는 SAW-필터에서 통과 대역의 에지 기울기는, 다수의 공진기에 인터디지털 트랜스듀서의 상이한 핑거 주기성이 제공될 때, 개선된다.

Description

개선된 에지 기울기를 갖는 표면 음파 필터 {SURFACE ACOUSTIC WAVE FILTER WITH ENHANCED EDGE STEEPNESS}
본 발명은, 손실이 적고 차단 대역 감소 비율이 큰 대역 통과 필터(band pass filter)로서, 특히 무선 전화기 또는 이동 전화기용 입력 필터 또는 출력 필터로서 적합한 공진기 타입의 표면 음파 필터(SAW-필터)에 관한 것이다.
전술한 타입의 SAW-필터는 예를 들어 DE 44 08 989 C에 공지되어 있다. 상기 필터는 서로 직렬 및 병렬로 연결된 다수의 표면 음파 공진기를 포함한다. 각각의 공진기는 2개의 반사기 사이에 배치된 인터디지털 트랜스듀서(transducer)를 포함한다. 인터디지털 트랜스듀서의 전극 핑커 및 예를 들어 격자형으로 배치된 반사기는 공진 주파수의 절반 파장에 상응하는 핑거 주기성(periodicity)을 가진다. 그럼으로써, 개별 전극 핑거 또는 반사기에서 형성되거나 반사된 표면 음파가 구조적 간섭에 의해 최적으로 증폭될 수 있다. 따라서 HF-신호가 거의 손실 없이 표면파 공진기의 한 단자에서 다른 단자로 전송될 수 있다. 이 외에도, 다수 공진기의 직렬 접속 및 병렬 접속에 의해, 통과 대역(pass band) 밖에 위치하는 주파수가 계속해서 약화되고 따라서 차단 대역 억제(suppression)가 확대된다. 통과 대역 밖에서는, 반사기 및 인터디지털 트랜스듀서의 핑거 주기성이 각각 서로 직렬로 접속된 전체 공진기 또는 각각 서로 병렬로 접속된 모든 공진기에 대해서 동일할 때, 공진기 타입의 SAW-필터에서 최적의 차단 대역 억제가 얻어진다. 전술한 독일 특허 출원서에서는 추가적으로 반사기에서의 핑거 주기성 또는 중간 전극 간격을 인터디지털 트랜스듀서에서의 중간 전극 간격과 상이하게 세팅하는 것이 제안된다. 이와 같은 세팅은 특히 서로 직렬로 접속된 공진기의 반사기에서의 중간 전극 간격을 위해 제안된다. 따라서, 공지된 필터의 통과 대역 밖에서 발생하는 간섭 피크(Interference peak)가 제거된다.
그러나, 공진기 타입의 이러한 SAW-필터 및 공지된 다른 SAW-필터에서는, 통과 곡선에서 통과 대역의 에지가 충분히 가파르게 하강하지 않거나, 통과 대역과 차단 대역 사이의 전이가 충분히 명확하게 이루어지지 않아서, 이러한 대역에서의 통과 곡선이 너무 천천히 하강하거나 과도하게 라운딩된 에지를 갖는 것이 단점으로 여겨진다.
도 1은 공진기가 서로 접속될 수 있는 방식에 대한 개략적인 회로도이고,
도 2는 기판상에 배치된 인터디지털 트랜스듀서 전극 및 반사기 전극을 갖는 필터의 개략적인 구성을 도시하며,
도 3은 병렬 공진기 또는 직렬 공진기의, 주파수에 대해 발생하는 임피던스 곡선을 도시하고,
도 4는 필터의 주파수 변화를 도시하며,
도 5는 개선된 좌측 에지를 갖는 필터의 주파수 변화를 도시하고,
도 6은 개선된 우측 에지를 갖는 필터의 주파수 변화를 도시하며,
도 7은 개선된 섹션을 갖는 필터의 주파수 변화를 도시한다.
본 발명의 목적은, 우수한 차단 대역 억제시에도 가파르게 하강하는 에지를 갖는 충분히 넓은 통과 대역을 갖는, 공진기 타입의 SAW-필터를 제공하는 것이다.
상기 목적은 본 발명에 따라 청구항 제 1항의 특징을 갖는 SAW-필터에 의해 달성된다. 본 발명의 바람직한 실시예는 종속항에 제시된다.
본 발명에 따른 SAW-필터는 서로 병렬 및/또는 직렬로 접속된 적어도 2개의 공진기를 가지며, 여기서 직렬 접속 및/또는 병렬 접속 공진기는 인터디지털 트랜스듀서의 적어도 2가지의 상이한 핑거 주기성을 갖는다. 핑거 주기성의 이러한 차이 정도에 의해 통과 대역의 의도한 큰 에지 기울기 및 특히 통과 대역으로부터 차단 대역으로의 명확한 전이가 세팅된다. 이 외에도, 동일하게 낮게 통과 댐핑되는 더 평평한 통과 대역이 얻어진다. 이러한 결과는 놀라운 것이며 이러한 방식의 장치에 대해 예상할 수 있는 값과는 모순되는 것이다. 상이한 핑거 주기성을 갖는 공진기에서는 동일한 핑거 주기성을 갖는, 병렬 또는 직렬 접속 공진기를 구비한 필터에서보다 더 작은 에지 기울기가 예상된다. 그러나, 본 발명에 의해서는 적어도 동일한 에지 기울기를 갖는 SAW-필터가 얻어진다.
이 외에도, 본 발명에 따른 SAW-필터에서는, 통과 대역의 2개의 에지 중 하나가 의도대로 더 급한 경사로 형성될 수 있다. 이것은 통과 대역을 더 높은 주파수쪽으로 제한하는 에지이지만, 통과 대역을 낮은 주파수쪽으로 제한하는 에지일 수도 있다. 이것은, 직렬 접속된 공진기에 대해서만 상이한 핑거 주기성이 세팅되는 경우에 달성되며, 낮은 주파수쪽을 가리키는 좌측 에지는 더 급한 경사로 세팅된다. 다른 한편으로, 병렬 접속된 공진기에서 핑거 주기성을 상이하게 세팅함으로써, 높은 주파수를 가리키는 통과 대역의 우측 에지가 더 급한 경사로 형성될 수 있다. 이 외에도, 통과 대역으로부터 에지(예를 들어 상대적 댐핑의 0 내지 3dB 범위에서)로의 이동이 더 갑작스럽게 이루어진다.
본 발명의 바람직한 실시예에서는, 직렬 접속된 공진기(RS1 내지 RSn)(n ≥ 3)에서 적어도 3가지 상이한 핑거 주기성이 선택되며, 가장 큰 핑거 주기성을 갖는 공진기는 직렬 접속 밖에 배치되는 한편, 가장 작은 핑거 주기성을 갖는 공진기는 중앙에 배치된다. 직렬 배치된 3개 이상의 공진기에서 가장 작은 핑거 주기성을 갖는 공진기는 바람직하게 가장 큰 핑거 주기성을 갖는 공진기에 인접하여 배치되지 않는다.
본 발명의 바람직한 추가 실시예에서는 직렬 접속된 4개의 공진기가 제공되며, 각각 하나의 직렬 공진기는 상기 공진기에 병렬 접속된 공진기와 함께 기본 멤버를 형성하며, 여기서 병렬 접속 공진기는 하나의 기본 멤버에만 또는 인접한 2개의 기본 멤버에 할당될 수 있고, 직렬 공진기 전극 핑거의 핑거 주기성에 대해 상이한 3가지 값이 세팅될 수 있으며, 재차 외부 공진기가 가장 높은 핑거 주기를 가지며, 가장 낮은 핑거 주기를 갖는 공진기는 내부에 위치하고, 다른 외부 공진기 및 내부 공진기는 동일한 핑기 주기를 갖는다. 따라서, 직렬 배치된 4개 공진기(R1 내지 R4)의 핑거 주기(p1 내지 p4)에 대해서는: p2 < p1 = p3 < p4 또는 p3 < p1 = p2 < p4 또는 각각 그 역순이 적용된다.
일반적으로 직렬 접속된 다수의 공진기로는 더 우수한 차단 대역 억제가 얻어진다. 본 발명에 따른 SAW-필터에서 병렬 접속된 공진기의 갯수가 주어진 경우, 최소 갯수의 공진기로 핑기 주기성 배치를 위한 최대 변화 가능성을 얻기 위해, 최대 갯수의 직렬 접속 공진기가 선택된다. 따라서, 2개의 병렬 공진기 및 3개의 직렬 공진기로는 3개의 기본 멤버를 갖는 본 발명에 따른 SAW-필터가 구성될 수 있으며, 4개의 직렬 공진기 및 2개의 병렬 공진기로는 4개의 기본 멤버를 갖는 본 발명에 따른 SAW-필터가 구성될 수 있다.
이와 유사하게 본 발명에 따른 필터는 최대 갯수의 병렬 공진기 및 최소 갯수의 직렬 공진기를 갖는 3개의 기본 멤버를 포함할 수 있으며, 병렬 공진기에서 인터디지털 트랜스듀서의 핑거 주기성은 적어도 2개의 상이한 값을 가지지만, 3개 및 그 이상의 기본 멤버에서는 3개의 상이한 값을 가진다.
또한, 인접한 병렬 공진기를 갖지 않거나 병렬 접속된 공진기 없이 기본 멤버를 형성할 수 있는 직렬 접속된 추가 공진기가 제공될 수도 있다.
본 발명의 개선예에서는 적어도 하나의 직렬 공진기가 각각 입력부 또는 출력부와 서로 접속된 2개의 병렬 접속 공진기로 대체된다.
세팅될 핑거 주기성의 차이와 관련하여 0.1 내지 3 퍼센트의 편차가 적합한 것으로, 그리고 0.5 내지 1 퍼센트의 편차가 특히 적합한 것으로 밝혀졌다. 핑거 주기성 편차가 점점 더 커지면 필터의 특성 및 특히 통과 대역이 다시 악화되지만, 핑거 주기성의 편차가 점점 더 작아지면 본 발명에 따른 효과, 즉 통과 대역 에지의 보다 가파른 세팅이 줄어든다.
단지 하나의 에지에서만 보다 높은 에지 기울기를 특수하게 세팅하는 것은, 인접한 2개의 주파수 대역이 상호 분리될 수 있을 때 장점이 된다. 따라서, 예를 들어 GSM-표준에 따른 이동 무선 통신망은 송신기와 수신기에 대해 상이한 주파수 대역을 갖는다. 상기 주파수 대역은 예를 들어 20 MHz 만큼 서로 분리된다. 입력 필터 또는 출력 필터용으로 예를 들어 본 발명에 따른 SAW-필터가 사용되면, 송신기 대역 또는 수신기 대역의 인접한 통과 대역으로 통과 대역을 제한하는 통과 대역의 에지가 더 급한 경사로 형성될 수 있다. GSM-표준에서 송신 대역이 수신기 대역 아래에 위치하기 때문에, 바람직하게 송신 대역에 대해서는 통과 대역의 경사가 급한 우측 에지(더 높은 주파수쪽으로)를 갖는 필터가 사용되고, 수신 대역에 대해서는 통과 대역의 경사가 급한 좌측 에지(더 낮은 주파수쪽으로)를 갖는 필터가 사용된다.
첨부한 도면을 참고로 본 발명의 실시예를 자세히 살펴보면 하기와 같다.
도 1에서는 다수의 예를 참조하며, 직렬 공진기(RS) 및 병렬 공진기(RP)가 하나의 필터에서 서로 어떻게 접속될 수 있는 지가 도시되어 있다. 도 1A는, 공진기(RS1)가 2개의 단자(A1, A2) 사이에 접속되고 상기 공진기에 병렬로 공진기(RP1)가 접속된, 필터의 기본 멤버를 도시하며, 상기 공진기(RP1)는 임의의 일정한 전위, 예를 들어 접지 전위상에 놓인다. 이때, 기본 멤버는 각각 상기와 같은 공진기(RS 및 RP) 쌍으로 이루어진다. 여기서, 가능한 각각의 쌍은 기본 멤버를 형성하며, 이 경우에는 직렬 및 병렬 공진기가 인접한 2개의 기본 멤버에 속할 수 있다.
도 1B 및 1C는 각각 하나의 기본 멤버(RS1, RP1)를 갖는, 가장 간단한 본 발명에 따른 실시예를 도시한다. 여기서 필터는 추가로, 기본 멤버에 속하지 않는 병렬 또는 직렬 공진기를 포함한다. 도 1B에서는 2개의 공진기(RS1, RS2)가 서로 직렬로 접속되고, 상기 공진기에 대해 공진기 RP1이 병렬로 접속된다. 도 1C에서는 하나의 공진기(RS1)에 2개의 공진기(RP1, RP2)가 병렬로 접속된다.
도 1D 내지 도 1G는 2개의 기본 멤버로 이루어진 필터를 도시한다. 도 1D, 도 1E 및 도 1G에 따른 필터는 2개의 직렬 공진기(RS1, RS2)를 포함하며, 상기 2개의 공진기(RS1, RS2)에 대해 하나의 공진기(RP1)(도 1D) 또는 2개의 공진기(RP1, RP2)가 병렬로 접속된다(도 1E 및 도 1G). 도 1F에서는 하나의 직렬 공진기(RS1)가 2개의 병렬 공진기(RP1, RP2)와 접속된다.
도 1H 내지 도 1K는 3개의 기본 멤버를 갖는 필터를 도시한다. 도 1H는 3개의 직렬 공진기(RS1 내지 RS3) 및 이에 대해 병렬 접속된 2개의 공진기(RP1, RP2)로 이루어진다. 도 1I에 따른 필터는 2개의 직렬 공진기와 2개의 병렬 공진기로 이루어진다. 도 1K에 따른 필터는 2개의 직렬 공진기와 3개의 병렬 공진기로 이루어진다.
본 발명에 따른 필터는 또한 도시된 필터에 추가로, 도 1B 및 도 1C에 따른 예와 유사하게, 각각 개별 공진기가 2개의 직렬 또는 병렬 접속 공진기로 분할됨으로써 얻어지는 추가 병렬 공진기 또는 직렬 공진기를 포함할 수 있다. 병렬 분기시에 하나의 공진기(RP)가 직렬 접속된 2개의 공진기로 대체될 수 있는 것과 마찬가지로 접속의 직렬 분기시에는 하나의 공진기(RS)가 서로 병렬 접속된 2개의 공진기로 대체될 수 있다. 도 1L은 정상상태 캐패시턴스(static capacitance)(C0) 및 상기 캐패시턴스(C0)에 병렬로 접속된 인덕턴스(L1), 캐패시턴스(C1) 및 저항(W1)을 포함하는 개별 공진기의 등가 회로도를 도시한다.
도 2는 개별 공진기가 압전 기판(S)상에 조립되어 있는 방식을 개략적으로 도시한다. 이때, 각각의 공진기는 인터디지털 트랜스듀서(IDT) 및 상기 트랜스듀서 측면에 표면파의 주확장 방향으로 놓인 2개의 반사기(Refa, Refb)를 포함한다. 기판으로는 임의의 압전 재료, 바람직하게 단결정 재료가 사용되며, 상기 재료는 필터의 의도한 통과 대역에 따라 선택된다. 이미 언급한 GSM-표준은 예를 들어 25 MHz의 시스템 대역 폭을 갖는다. 따라서, 여기에 적합한 필터의 통과 대역은 적어도 시스템 대역 폭에 상응해야 한다. 이러한 통과 대역은 예를 들어 리튬 탄탈산염(LiTaO3) 또는 리튬니오브산염(LiNbO3) 압전 기판의 특정 결정 단면에서 얻어진다. 반사기(Ref) 및 인터디지털 트랜스듀서(IDT)는 금속 도체 구조로 형성되고 예를 들어 알루미늄으로 이루어진다.
가장 간단한 경우 인터디지털 트랜스듀서(IDT)의 전극 핑거 간격 및 반사기(Fef)의 격자 간격은 동일하다. 이때, 핑거 주기(p)는 하나의 인터디지털 트랜스듀서(IDT)의 인접한 2개 핑거의 중심 간격을 의미한다. 인터디지털 트랜스듀서(IDT)는 다수의 핑거를 포함하며, 상기 핑거의 정확한 갯수 및 상기 핑거의 중첩은, 이득에 의해 얻어지는 의도한 임피던스에 달려있다. 인터디지털 트랜스듀서(IDT)는 통상적으로 20 개 내지 300개의 핑거를 갖는다. 전극 핑거도 통상적으로 다른 인터디지털 트랜스듀서의 인접한 전극 핑거에 대한 간격(d)에 정확히 일치하는 폭(b)을 갖는다. 핑거 주기성이 생성된 표면 음파의 절반 파장에 상응하기 때문에, 이 경우 d = b = λ/4이다. 더 우수한 재생 가능성을 위해 금속 코팅 비율(η)로도 표시된 몫 b/p가 0.6과 0.8 사이의 값을 취할 수 있으며, 여기서 d는 상응하게 작아진다(예를 들어 DE-41 15080 A 참조).
하나의 필터에 대해, 다수의 공진기를 갖는 이러한 다수의 트랙이 위치적으로 서로 병렬로 공통 기판 상에 제공된다. 하나의 공통 기판(S)상에서 개별 공진기의 전기적 접속은 도 1에 도시된 바와 같이 이루어진다. 그러나, 기판(S)상에 상응하게 많은 수의 트랙을 필요로 하는, 다수의 기본 멤버로 이루어진 필터를 구성하는 것도 가능하다.
도 3에는 주파수에 대한 2개의 공진기의 임피던스 곡선(profile) 도시된다. 여기서 직렬 및 병렬 공진기로 이루어진 적어도 하나의 기본 멤버가 존재할 경우에는 통과 대역을 갖는 필터가 얻어진다. 개별 공진기는 각각 최소 임피던스를 갖는 공진 주파수(fr) 및 최대 임피던스를 갖는 안티 공진 주파수(fa)(antiresonant frequency)를 갖는다. 필터의 기본 멤버에서는 직렬 또는 병렬 공진기의 공진 주파수 및 안티 공진 주파수가 위아래로 서로 일치하여, 직렬 공진기(RS)의 공진 주파수(frs)가 이에 대해 병렬로 접속된 공진기(RP)의 안티 공진(fap)에 상응한다. 이러한 방식으로 대략 frs 또는 fap의 통과 대역을 갖는 필터가 얻어진다.
도 4는, 필터 입력부에 인가된 신호에 대한 필터 출력부에서의 상대적인 진폭 비율을 주파수(f)에 대해 도시한, 필터의 주파수 응답을 보여준다. 통과 대역(D)에서 최대 신호가 얻어진다. 통과 대역의 양쪽에서 주파수 응답 곡선(M)이 최소값을 가진 다음에 다시 차단 대역 억제에 상응하는 값으로 상승한다. 우수한 필터 특성을 위해, 통과 대역(D)로부터 차단 대역(S)으로의 경사가 급한 이동을 얻는 것이 추구된다.
우수한 필터 응답을 위해서는 특히 경사가 급한 에지(F)가 추구된다. 또한, 통과 대역으로부터의 에지, 즉 에지 K로의 이동은 가능하게 사각형으로 형성되어야 한다. 따라서, 에지(K) 영역에서 곡선의 최소 곡률 반경이 추구된다.
도 5는 본 발명에 따른 제 1 필터의 전달 함수를 도시하며, 여기서 직렬 공진기(RS)의 공진 주파수(fr) 및 직렬 공진기의 인터디지털 트랜스듀서(IDT)의 핑거 주기성은 서로 상이하다. 측정 곡선은 예를 들어 도 1H에 따라 접속된 3개의 기본 멤버를 갖는 필터에서 얻어진다. 실선 곡선은 직렬 공진기의 핑거 주기성(p)이 일치하는 종래의 필터의 필터 응답을 보여주는 한편, 점선 곡선은 직렬 공진기(RS)의 인터디지털 트랜스듀서(IDT)의 상이한 핑거 주기성(p)을 갖는 본 발명에 따른 필터에 상응한다. 동시에, 병렬 공진기(RP)의 인터디지털 트랜스듀서(IDT)는 동일한 공진 주파수 및 핑거 주기성을 갖는다.
도 5는, 본 발명에 따른 필터의 전달 함수(M)가 통과 대역으로의 에지의 이동시 경사가 급한 좌측 에지(Fli) 및 개선된 에지(Kli)를 갖는다는 것을 분명하게 보여준다. 우측 에지(Fre)는 거의 변동 없이 유지된다. 직렬 공진기의 인터디지털 트랜스듀서(IDT)의 핑거 주기성(p)에 대해서는 p3 > p1, p2 및 p1 < p2, p3가 적용되고, 이것으로부터 산출된 공진 주파수에 대해서는 fr3 < fr1, fr2 및 fr1 > fr2, fr3가 적용된다.
도 6은, 병렬 접속 공진기(RP)의 인터디지털 트랜스듀서의 핑거 주기성이 상이하며, 예를 들어 도 1K에 따라 접속되거나 형성된 본 발명에 따른 필터의 통과 대역을 도시한다. 이 경우에도, 통과 대역의 에지의 개선이 이루어지지만, 상기 에지는 본 실시예에서 더 높은 주파수를 가리키는 우측 에지에 작용한다. 우측 에지(Fre)는 분명히 더 급하게 형성되고, 이에 상응하는 에지(Kre)는 경사가 더 급하게 나타난다.
도 7은 간섭 대역 억제를 강화하는 본 발명에 따른 필터의 바람직한 추가 개선예를 도시한다. 본 실시예에서는 병렬 공진기(RP)에 공간적으로 매우 가깝게 상기 공진기(RP)로부터 전기적으로 절연된 금속 코팅된 면이 배치되고, 상기 면은 A0에 접속된다. 금속 코팅된 이러한 면에 의해, 직렬 공진기(RS)의 정적 캐패시턴스(C0S)에 대한 C0P/C0S 비율이 높아지도록, 공진기(RP)(도 1L의 C0 참조)의 정적 캐패시턴스(C0P)를 목적한 대로 조절할 수 있다. 지금 까지는, 높은 간섭 대역 억제를 얻기 위해, 정적 캐패시턴스의 직접적인 변동에 의해, 예를 들어 인터디지털 트랜스듀서의 개구(aperture) 또는 핑거수를 변경함으로써, 이러한 비율을 상승시키는 것이 공지되어 있다. 그러나 이때에는 필연적 결과로서 통과 대역(D), 에지 기울기 및 통과 댐핑이 악화되어, 필터가 전체적으로 개선되지 않는다. 그러나, 병렬 공진기에 인접하여 있는 본 발명에 따른 추가 금속 코팅면에 의해, 언급한 부정적인 부작용 없이, 정적 캐패시턴스의 이러한 비율이 긍정적으로 영향을 받는다. 이것은 간섭 대역 억제를 상승시키는(도 7의 점선 참조) 한편, 통과 대역은 추가 금속 코팅면 없는 필터(도 7의 실선 곡선 참조)와 비교해서 변동없이 유지된다.
본 발명에 따른 전술한 실시예와 무관하게 본 발명에 따른 필터는 종래의 필터에 의해 이미 공지된 추가 실시예를 포함한다. 따라서, 예를 들어 직렬 공진기(RS)는 공진 주파수(frs)를 가지며, 상기 공진 주파수(frs)는 병렬 공진기(RP)의 안티 공진 주파수(fap)와 일치하거나 또는 약간 더 위에 있다. 병렬 공진기 및/또는 직렬 공진기에 있는 반사기의 핑거 주기성은 계속 변화한다. 상기 병렬 공진기 및/또는 직렬 공진기는 본 발명에 무관하게 해당 인터디지털 트랜스듀서의 핑거와 동일하거나 상이한 주기를 가질 수 있다. 추가로, 모든 직렬 또는 병렬 공진기의 반사기는 각각 모두 동일한 주기를 갖거나, 추가 실시예에서는 또한 상이한 주기를 갖는다. 인터디지털 트랜스듀서(IDT)와 반사기(REF) 사이의 간격도 λ/4의 홀수 배수이거나 상기 값에서 약간 벗어날 수 있다.

Claims (9)

  1. 2개의 게이트 및 적어도 3개의 공진기(RS, RP)를 구비하고, 상기 공진기가 표면 음파용 기판상에 상호 병렬로 배치된 트랙에 배치되어 있는 표면 음파 필터(SAW-Filter)로서,
    - 상기 SAW 필터는 래더형(ladder) 구조를 가지며,
    - 각각의 공진기가 2개의 반사기 사이에 배치된 인터디지털 트랜스듀서(IDT)를 포함하며,
    - 상기 인터디지털 트랜스듀서(IDT)는 각각 한쌍의 전기 단자 및 한가지 핑거 주기성(p)으로 배치된 다수의 전극 핑거를 포함하며,
    - 상기 단자를 통해 공진기(RS)는 서로 직렬로 접속되고, 공진기(RP)와는 병렬로 접속되며,
    - 상기 직렬 접속된 공진기(RS) 또는 병렬 접속된 공진기(RP)중 적어도 2개의 공진기는 상이한 주기성을 가지며, 상기 상이성은 통과 대역의 에지 경사도를 세팅하기 위해 이용되는 SAW-필터.
  2. 제 1항에 있어서,
    - 직렬 접속된 n개의 공진기(RS1,..RSx,..RSn)에 인터디지털 트랜스듀서(IDT)의 전극 핑거의 상이한 핑거 주기성(pS1,..pSx,..pSn)이 제공되고, 이경우 n, x는 n ≥ 3 및 1 < x < n인 정수이며,
    - pS1,..pSx,..pSn으로부터 선택된 최대 핑거 주기성(pmax)을 갖는 공진기가 외부에 배치되고, pS1,..pSx,..pSn으로부터 선택된 최소 핑거 주기성을 갖는 공진기는 내부에 배치됨으로써, 적어도 하나의 값 x에 대해 pSx < pS1, pSx < pSn이 적용되는 SAW-필터.
  3. 제 2항에 있어서,
    - 4개의 기본 멤버를 포함하며, 하나의 기본 멤버는 하나의 직렬 접속 공진기(RS) 및 병렬 접속 공진기(RP)를 포함하며, 상기 공진기들(RS, RP) 중에서 하나의 공진기는 하나 또는 2개의 기본 멤버에 속하며,
    - 상기 직렬 공진기(RS)의 전극 핑거의 핑거 주기성에 대해 pS2 < pS1 = pS3 < pS4 또는 pS3 < pS1 = pS2 < pS4가 적용되는 SAW-필터.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    SAW-필터의 통과 대역의 중심 주파수에 상응하는 표준 핑거 주기성(pStd)에 대한 인터디지털 트랜스듀서(IDT)의 핑거 주기성(p)의 차가 0.1 내지 3 퍼센트인 SAW-필터.
  5. 제 4항에 있어서,
    표준 핑거 주기성(pStd)을 갖는 r개의 직렬 공진기 및 상기 표준 핑거 주기성(pStd)과 상이한 핑거 주기성(p)을 갖는 s개의 직렬 공진기를 포함하며, 이 경우 s/r ≤ 2 및 p ≠ pStd가 적용되는 SAW-필터.
  6. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    적어도 하나의 기본 멤버의 직렬 접속 공진기(RS)의 공진 주파수(frS)가 상기 기본 멤버에 속하는 병렬 공진기(RP)의 안티 공진 주파수(faP)와 동일한 SAW-필터.
  7. 제 6항에 있어서,
    적어도 하나의 기본 멤버의 직렬 접속 공진기(RS)의 공진 주파수(frS)가 상기 기본 멤버에 속하는 병렬 공진기(RP)의 안티 공진 주파수(faP)보다 큰 SAW-필터.
  8. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    적어도 하나의 병렬 접속 공진기(RP)이외에, 공진기의 부품 또는 공급 라인과 함께 캐패시턴스를 형성함으로써 병렬 접속 공진기(RP)의 정적 캐패시턴스(C0P) 및 직렬 접속 공진기(RS)의 정적 캐패시턴스(C0S)에 대한 비율(C0P/C0S)에 영향을 미치는 금속 코팅이 SAW-필터의 표면에 배치되는 SAW-필터.
  9. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    인터디지털 트랜스듀서 핑거 폭(b)의 몫(b/p) 및 주기(p)로부터 형성된 금속 코팅 비율(η)이 0.6 내지 0.8의 값을 갖는 SAW-필터.
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3228223B2 (ja) * 1998-05-26 2001-11-12 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ
DE19932649A1 (de) * 1999-07-13 2001-02-08 Epcos Ag SAW-Filter des Reaktanzfiltertyps mit verbesserter Sperrbereichsunterdrückung und Verfahren zur Optimierung der Sperrbereichsunterdrückung
US6570470B2 (en) * 2000-06-30 2003-05-27 Kyocera Corporation Surface acoustic wave ladder filter utilizing parallel resonators with different resonant frequencies
DE10111959B4 (de) * 2001-03-13 2014-11-20 Epcos Ag Mit akustischen Wellen arbeitende Wandlerstruktur
EP1296454B1 (en) * 2001-09-25 2013-05-22 TDK Corporation SAW element and SAW device
JP3963253B2 (ja) 2001-12-14 2007-08-22 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波素子及びこれを用いた分波器
JP4056762B2 (ja) * 2002-02-25 2008-03-05 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波装置
DE10301934A1 (de) * 2003-01-20 2004-07-29 Epcos Ag Elektrisches Bauelement mit verringerter Substratfläche
KR100674816B1 (ko) * 2004-08-16 2007-01-31 심호웅 압축인삼(흑설삼(黑雪蔘)을 제조하는 방법
CN1825759B (zh) * 2005-02-24 2011-11-16 京瓷株式会社 声表面波元件、分波器和通信设备
DE102005009359B4 (de) * 2005-03-01 2014-12-11 Epcos Ag Bandpassfilter
DE102008023374B4 (de) 2008-05-13 2010-02-11 Epcos Ag Filterschaltung mit laddertype-ähnlicher Struktur und Verfahren zu ihrer Optimierung
JP4586897B2 (ja) * 2008-06-24 2010-11-24 株式会社村田製作所 分波器
DE102008045346B4 (de) 2008-09-01 2018-06-07 Snaptrack Inc. Duplexer und Verfahren zum Erhöhen der Isolation zwischen zwei Filtern
DE102008063740B4 (de) 2008-12-18 2014-04-03 Epcos Ag Trimmbares Oberflächenwellenbauelement
JP5356194B2 (ja) * 2009-11-30 2013-12-04 太陽誘電株式会社 フィルタ、分波器、通信モジュール
JP5333654B2 (ja) * 2010-03-19 2013-11-06 株式会社村田製作所 ラダー型フィルタ及びデュプレクサ
DE102010046794B4 (de) * 2010-09-28 2015-07-16 Epcos Ag Mit akustischen Wellen arbeitendes Filter mit verringerten Nichtlinearitäten
US8508316B2 (en) * 2010-10-21 2013-08-13 Epcos Ag Bulk acoustic wave filter of ladder-type structure
US9979377B1 (en) * 2013-05-28 2018-05-22 Qorvo Us, Inc. Frequency filter
WO2016027707A1 (ja) * 2014-08-22 2016-02-25 株式会社村田製作所 ラダー型フィルタ
CN107710610B (zh) * 2015-07-03 2019-04-23 株式会社村田制作所 高频模块
DE102016114071B3 (de) * 2016-07-29 2018-01-25 Snaptrack, Inc. Elektroakustisches Filter mit reduzierten Plattenmoden
DE102017121221A1 (de) * 2017-09-13 2019-03-14 RF360 Europe GmbH SAW-Resonator und diesen umfassendes Filter
JP2020123854A (ja) 2019-01-30 2020-08-13 太陽誘電株式会社 フィルタおよびマルチプレクサ
WO2020261808A1 (ja) * 2019-06-28 2020-12-30 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ
US11824522B2 (en) 2020-11-11 2023-11-21 Rf360 Singapore Pte. Ltd. Electroacoustic filter with modified phase characteristics

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0614272A1 (de) * 1993-03-04 1994-09-07 Siemens Aktiengesellschaft Oberflächenwellen-Resonatorfilter

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4115080C2 (de) * 1991-05-08 1999-11-25 Siemens Ag Oberflächenwellenanordnung mit verminderter Abhängigkeit der Eigenschaften gegenüber herstellungsbedingten Ungenauigkeiten
JP2800905B2 (ja) * 1991-10-28 1998-09-21 富士通株式会社 弾性表面波フィルタ
JPH0661783A (ja) * 1992-08-14 1994-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP3181158B2 (ja) * 1993-10-28 2001-07-03 日本無線株式会社 複合弾性表面波フィルタおよび複合弾性表面波フィルタを用いた移動体通信機
JPH06338756A (ja) * 1993-05-27 1994-12-06 Fujitsu Ltd 共振子型弾性表面波フィルタ
DE4431612C2 (de) * 1993-09-06 1998-07-16 Sanyo Electric Co Akustisches Oberflächenwellenfilter
JPH07154200A (ja) * 1993-11-26 1995-06-16 Oki Electric Ind Co Ltd 共振器型弾性表面波フィルタ
US5471178A (en) * 1994-02-03 1995-11-28 Motorola, Inc. Ladder filter and method for producing conjugately matched impedance
JP3390537B2 (ja) * 1994-08-22 2003-03-24 富士通株式会社 弾性表面波フィルタ
JP3243976B2 (ja) * 1995-08-14 2002-01-07 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ
US5638036A (en) * 1995-09-11 1997-06-10 Motorola, Inc. Acoustic wave ladder filter with unequal series and shunt transducer periodicities and method of making
JP3442202B2 (ja) * 1995-09-26 2003-09-02 富士通株式会社 表面弾性波フィルタ
DE19638627B4 (de) * 1996-09-20 2007-09-27 Epcos Ag Oberflächenwellen(OFW)-Filter
JP3720930B2 (ja) * 1996-11-18 2005-11-30 株式会社東芝 弾性表面波フィルタおよび通過周波数帯域の形成方法
JPH10242799A (ja) * 1997-02-26 1998-09-11 Kyocera Corp 弾性表面波フィルタ
JP3576350B2 (ja) * 1997-04-23 2004-10-13 沖電気工業株式会社 弾性表面波フィルタ
JP3241293B2 (ja) * 1997-04-25 2001-12-25 富士通株式会社 弾性表面波素子およびこれを用いた分波器
US5933062A (en) * 1997-11-04 1999-08-03 Motorola Inc. Acoustic wave ladder filter with effectively increased coupling coefficient and method of providing same
JP3576367B2 (ja) * 1998-01-30 2004-10-13 沖電気工業株式会社 弾性表面波フィルタ
JP3228223B2 (ja) * 1998-05-26 2001-11-12 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ
US6201457B1 (en) * 1998-11-18 2001-03-13 Cts Corporation Notch filter incorporating saw devices and a delay line
US6025762A (en) * 1999-01-11 2000-02-15 Cts Corporation Delay line incorporating a surface acoustic wave ladder filter and method of providing same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0614272A1 (de) * 1993-03-04 1994-09-07 Siemens Aktiengesellschaft Oberflächenwellen-Resonatorfilter

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