KR100479014B1 - 표시장치와 그 제조방법 - Google Patents

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시게미 히라사와
유이치 키지마
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히타치 데바이스 엔지니어링 가부시키가이샤
가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
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Abstract

카본 나노 튜브(13)를 충분한 전자방출이 얻어지는 저저항으로 하고, 또 음극배선(12) 상에 용이하게 이탈하지 않게 고정하여, 진공 내부에서의 노출을 확보하여 고효율의 전자방출 특성을 실현한다.
배면기판(11) 상에 형성한 음극배선(12)에 카본 나노 튜브(13)의 단부 혹은 중간부의 일부를 매설함과 동시에, 해당 카본 나노 튜브(13)끼리의 교차부 접점 혹은 교차부 부근을 접합막(14)으로 접합했다.

Description

표시장치와 그 제조방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 진공중으로의 전자방출을 이용한 표시장치에 관한 것으로, 특히 안정한 전자방출을 가능하게 한 전자원(電子源)을 실현하여 표시특성을 향상시키는 표시장치와 그 제조방법에 관한 것이다.
고휘도, 고정세(高精細)에 우수한 디스플레이 장치로 종래부터 컬러 음극선관이 널리 이용되고 있다. 그러나, 최근의 정보처리장치나 텔레비젼 방송의 고화질화에 따라 고휘도, 고정세의 특성을 가지는 동시에 경량, 공간 절약형의 평판 형상 디스플레이(패널 디스플레이)의 요구가 높아지고 있다.
그 전형적인 예로서 액정표시장치, 플라즈마 표시장치 등이 실용화되고 있다. 또, 특히 고휘도화가 가능한 것으로서 전자원으로부터 진공으로의 전자방출을 이용한 표시장치(이하, 전자방출형 표시장치, 또는 전계방출형 표시장치라고 부른다)나, 저소비전력을 특징으로 하는 유기 EL 디스플레이 등, 여러 형식의 패널형 표시장치의 실용화도 멀지 않다.
이와 같은 패널형 표시장치 중에서, 상기 전계방출형 표시장치로는 C.A. Spindt(씨. 에이. 스핀트) 등에 의해 제안된 전자방출구조를 가지는 것(예컨대, 미국특허 제3453478호 명세서, 일본특허공개 2000-21305호 공보 참조), 메탈-인슐레이터-메탈(MIM)형의 전자방출구조를 가지는 것, 양자론적 터널 효과에 의한 전자방출현상을 이용하는 전자방출구조(표면전도형 전자원으로도 호칭된다; 특허공개 2000-21305 공보 참조)를 가지는 것, 또한 다이아몬드막이나 흑연막, 카본 나노 튜브가 가지는 전자방출현상을 이용하는 것 등이 알려져 있다.
도 10은 전계방출형 표시장치의 기본구성을 설명하는 모식도이다. 도면 중에서, CNT는 음극(K) 상에 설치된 카본 나노 튜브, A는 애노드이고, 양극(A)의 내면에는 형광체(PH)가 형성되어 있다. 그리고, 음극(K)의 근방에 설치된 제어전극(G)과 음극(K)과의 사이에 전압(Vs)을 인가함으로써 카본 나노 튜브(CNT)로부터 전자(e)를 출사시키고, 음극(K)과 양극(A)과의 사이에 고전압(Eb)을 인가하여 전자를 가속시켜 형광체(PH)에 부딪히게 함으로써 형광체(PH)를 여기하여, 해당 형광체(PH)의 조성에 의존하는 색광(L)을 방사한다.
그리고, 음극(K) 근방에 설치한 제어전극(G)에 부여하는 변조전압(Vs)에 의해 전자방출량(방출의 온/오프를 포함한다)을 제어함으로써 색광(L)의 크기(휘도)를 제어할 수 있다. 또, 제어전극(G)과 양극(A)의 사이에 소요 전위의 집속전극(F)을 설치하여 형광체(PH) 상에 전자(e)를 집속시키도록 함으로써, 형광체를 여기하는 전자의 이용효율을 향상 시킬 수 있다.
도 11A ~ 도 11B는 기지(旣知)의 전계방출형 표시장치의 일구성예의 모식도이고, 도 11A는 분해사시도, 도 11B는 조립한 후의 표시장치의 단면도를 나타낸다. 이 전계방출형 표시장치는 내면에 양극과 형광체층을 구비한 전면패널(2)과, 전계방출형의 전자원과 제어전극을 형성한 배면패널(1)을 대향시켜 양자의 내주연에 봉지테(5)를 삽입시켜 봉지하고 해당 전면패널(2)과 배면패널(1) 및 봉지테(5)로 형성되는 내면을 외계의 기압보다 저압(진공을 포함한다) 혹은 진공(이하, 진공이라고 한다)으로 하고 있다.
도 11A에 나타낸 바와 같이, 이 전계방출형 표시장치는 유리 혹은 알루미나 등을 적당하게 한 기판(11)과 전자원을 가지는 배면패널(1)과, 유리 등의 광투과성의 재료로 형성된 기판(21)과 형광체를 가지는 전면패널(2)이 대향하여 배치된다.
배면패널(1)과 전면 패널(2)과의 사이에는 유리 등으로 형성된 봉지테(5)가 배치된다. 이 봉지테(5)는 배면패널(1) 및 전면패널(2)의 각각에 플릿 유리 등에 의해 봉착되어 있다.
배면패널(1)을 구성하는 기판(11)의 내면에는 도시하지 않은 전자원이나 제어전극이 형성되어 있다. 전자원을 구성하는 음극으로부터 인출되는 음극단자(70)와, 음극과는 절연층(16)을 통하여 설치된 제어전극으로부터 인출되는 제어전극단자(50)가 배면패널(1)의 주변에 설치되어 있다. 또, 전면패널(2)을 구성하는 기판(21)의 내면에는, 도시하지는 않았으나 양극이나 형광체가 형성되어 있다.
도면 중에서, 배면패널(1)의 기판(11)의 상면에 나타낸 점선(51)은 봉지테(5)의 바깥둘레가 닿는 위치를 나타내고 있다. 배면패널(1)의 표시영역의 외측, 또 봉지테(5)의 내측에는 배기관(6)이 설치되어 있어서, 배면패널(1)과 전면패널(2) 및 봉지테(5)의 각 주면에 둘러싸여 있는 내부를, 예컨대 10-5 ~ 10-7 Torr의 진공으로 배기하여 봉착시키고 있다.
카본 나노 튜브(CNT)는 극히 미세한 침형상의 탄소화합물(엄밀히 말하자면, 탄소원자를 그물 형상의 원주의 형상으로 결합시킨 분자)로서, 이것을 음극배선에 배치하여 전자원으로서 이용할 수 있다.
카본 나노 튜브를 음극배선에 설치하는 경우에는, 카본 나노 튜브를 혼연(混練)한 페이스트를 도포하여 소성하는 방법, 혹은 카본 나노 튜브에 니켈을 도전성 필러로 혼연하여 페이스트를 도포하고 소성하여 연마함으로써 카본 나노 튜브의 단부를 전계공간에 노정(露呈)시키는 방법, 혹은 은(銀) 페이스트에 카본 나노 튜브를 혼연하여 도포하고, 소성하는 방법 등을 채용하고 있었다.
그러나, 카본 나노 튜브를 음극배선 위에 견고하게 고정하고, 또 해당 카본 나노 튜브의 전자방출부인 단연(端緣)을 진공내부에 효율 좋게 노정(露呈)시켜 배치하는 것은 곤란하다. 카본 나노 튜브의 페이스트만을 이용한 것으로는 침 형상 결정인 카본 나노 튜브끼리의 전기저항이 크기 때문에, 니켈 등의 전도 필러와 함께 소성한 경우에 비해 전자방출 기능이 작다.
니켈(Ni) 등을 포함하는 페이스트를 이용한 경우에는, 그 최표면에 노정한 니켈 입자를 연마하여 제거하지 않으면 안된다. 이와 같은 극히 미세한 대상을 연마하는 것은 곤란하고, 양산에 부적절하다. 또, 전계 공간에 노정하는 카본 나노 튜브는 일반적으로 연마면에 충돌한 부분 뿐이고, 전자방출면적은 기대하는 정도의 크기로 되지 않는다.
또, 은(銀) 페이스트를 이용한 경우에는 그 소성공정시에 카본 나노 튜브의 대부분은 은층(銀層) 내에 취입되거나, 혹은 노출부분이 소실되어 버려서, 카본 나노 튜브 본래의 전자빔 방출특성을 충분히 나게 하지 못한다.
카본 나노 튜브는 그 침 형상의 단부가 진공 내부에 노출하고 있는 것이 필요하고, 또 용이하게 캐소드용 전극으로부터 이탈하지 않도록 견고하게 유지하는 것이 요구되지만, 종래 기술에서는 이들이 표시장치로서 실용화하는 데 충분하지 않아, 해결할 과제로 되어 왔다.
본 발명의 목적은, 상기한 과제를 해결하고, 카본 나노 튜브를 충분한 전자방출기능이 얻어지는 저저항으로 하고, 또 음극배선상에 용이하게 이탈하지 않도록 고정하여, 진공내부에서의 노출을 확보하여 고효율의 전자방출특성을 실현하는 표시장치와 그 제조방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 표시장치 및 그 제조방법은 기본적으로 다음과 같은 구성으로 한 것이다.
이하, 본 발명의 대표적인 구성을 기술한다. 먼저, 본 발명의 표시장치의 구성으로서,
(1) 전자원으로부터 방출시킨 전자를 이용하여 행하는 표시장치의 상기 전자원에 있는 복수의 카본 나노 튜브끼리의 접점 부근을 접합재의 막에 의해 접합했다.
이 구성에 의해, 카본 나노 튜브끼리가 접합재의 막으로 접합되어 있음으로써 충분히 카본 나노 튜브의 선단이 노출되어 있음과 동시에 전자원으로서의 강도를 구비한 카본 나노 튜브의 집합체가 형성된다.
또, 카본 나노 튜브 사이의 거리가 안정하므로, 도통저항이 안정하고, 안정한 전자방출기능(emission)이 얻어진다.
(2) (1)에서 상기 접합재의 막이, 소성에 의해 졸-겔 반응을 일으키는 접합재를 소성한 막을 포함하는 것으로 하였다.
이 구성에 의해, 소성시의 수축에 의해 많은 카본 나노 튜브끼리의 접점을 형성할 수 있다. 또, 수축에 의해 카본 나노 튜브 사이의 거리가 작게 되고, 접촉면적이 증대하여, 저항이 작게 된다. 또, 졸-겔 반응을 일으키는 접합재로서는 실리카계 접합재가 적절하다.
(3) (2)에서의 상기 소성에 의해 졸-겔 반응을 일으키는 접합재를 소성한 막을 도전성을 가지는 막으로 하였다.
이 구성에 의해, 접합재가 도전성을 가지는 것으로 했기 때문에, 저저항으로 되어 전자방출기능이 향상된다. 접합재에 첨가되는 도전성 재료로는 ITO 등의 금속산화물, 기타 금속의 입자(초미립자) 등이 있다.
(4) (2)에서의 상기 카본 나노 튜브끼리의 접점 부근에 도전성 재료의 접합재를 가지게 하였다.
(5) (4)에서 상기 도전성 재료의 접합재로서, 금속의 초미립자를 수지로 코팅한 것을 소성한 것을 이용했다. 이 도전성 재료는, 소성에 의해 코팅한 수지가 소실하여, 금속의 초미립자가 카본 나노 튜브의 교차부나 그 근방에 잔류하여 카본 나노 튜브끼리를 연결한다.
상기 (4),(5)의 구성에서 접합재는, 졸-겔 반응에서 막으로 형성되는 재료에 부가하여, (4)의 도전성 재료로서 (5)에 기재한 금속의 초미립자를 수지로 코팅한 것을 접합재로 혼연하고, 이것을 소성함으로써 금속의 초미립자가 카본 나노 튜브의 접점 부근에 잔류한다. 카본 나노 튜브가 안정하고 또 낮은 저항으로 되어, 전자방출기능이 향상된다.
(6) (1)에서 상기 접합재를 도전성의 접합재로 하였다. 접합재를 도전성으로 함으로써, 절연성의 접합재에 비하여 카본 나노 튜브의 저항이 작게 되고, 저항도 안정하다. 이 접합재는 졸-겔 반응에 의해 생성되는 것에 한정되지 않는다.
(7) (6)에서 상기 도전성 재료의 접합재에 금속의 초미립자를 수지로 코팅한 것을 이용함으로써, 카본 나노 튜브와의 결합성이 양호하게 되고, 또 이 수지 코팅은 소성에 의해 분해되어 금속의 초미립자가 접합재로서 기능하기 때문에 절연성의 접합재에 비하여 더 안정한 저저항의 접합재로 된다.
(8) (1)~(7)에서 상기 전자원을 도전성의 음극배선 상에 형성하고, 상기 카본 나노 튜브의 일부를 상기 음극배선에 매립하였다.
(9) (8)에서 상기 음극배선을 150℃~600℃에서 용융 또는 소결하는 도전성 재료를 포함하는 것으로 하였다.
소성공정에서 음극배선의 적어도 표면이 용융 또는 소결하여 카본 나노 튜브의 일부가 음극배선에 매립되기 때문에, 카본 나노 튜브의 탈락이 억제된다. 상기 음극배선은, 구체적으로는 (9)에 기재한 바와 같이. 150℃~600℃에서 용융 또는 소결하는 도전성 재료를 포함하는 것으로 하였다.
이상의 각 구성에 의해, 음극배선 상에 저저항으로 하고, 또 용이하게 이탈하지 않도록 카본 나노 튜브를 고정하여, 진공 내부에서의 선단의 노출을 확보한 고효율의 전자방출기능을 가지는 표시장치를 얻을 수 있다.
또 본 발명의 표시장치의 제조방법으로서,
(10) 음극배선 상에 형성된 카본 나노 튜브를 가지는 전자원으로부터 방출시킨 전자를 이용하여 표시를 행하는 표시장치의 상기 전자원의 형성시에, 상기 음극배선 상에 카본 나노 튜브를 포함하는 페이스트를 도포한 후, 소성에 의해 졸-겔 반응을 일으키는 접합재를 도포하고, 소성하는 방법으로 하였다.
이 방법은, 소위 졸-겔 반응을 이용하여 카본 나노 튜브의 접합재를 생성함으로써, 소성시의 수축으로 카본 나노 튜브끼리의 접촉부가 증가하고, 이와 같은 이 접촉부를 접합함으로써 전자원으로서의 강도를 구비한 카본 나노 튜브의 집합체가 형성된다. 또, 카본 나노 튜브 사이의 거리가 안정하므로, 도통 저항이 안정하고, 안정한 전자방출기능이 얻어진다.
(11) (10)에서 상기 소성에 의해 졸-겔 반응을 일으키는 접합재의 용액에 도전성 재료를 첨가했다. 접합재의 막이 도전성을 가지고, 저항이 적게 된다. 따라서, 전자방출기능이 향상한다.
(12) 음극배선 상에 형성된 카본 나노 튜브를 가지는 전자원으로부터 방출시킨 전자를 이용하여 표시를 행한 표시장치를 제조할 때에, 상기 음극배선 상에 카본 나노 튜브와, 수지로 코팅한 금속의 초미립자를 포함하는 페이스트를 도포한 후, 소성한다.
금속의 초미립자를 수지로 코팅한 것을 이용함으로써, 카본 나노 튜브와의 결합성이 양호하게 되고, 또 그 수지 코팅은 소성에 의해 분해되어 금속의 초미립자가 접합재로서 기능하기 때문에, 절연성의 접합재에 비하여 더 안정하고 저저항의 접합재로 된다.
(13) (12)에서 상기 페이스트의 도포와 소성의 사이에, 소성에 의해 졸-겔 반응을 일으키는 접합재의 용액을 도포한다.
금속의 초미립자를 수지로 코팅한 것에 의한 카본 나노 튜브끼리의 접합에 부가하여, 졸-겔 반응으로 형성한 막의 수축으로 카본 나노 튜브끼리의 접촉이 많게 되고, 더 낮은 저항의 전자원을 구성할 수 있다.
(14) (13)에서 상기 소성에 의해 졸-겔 반응을 일으키는 접합재의 용액에 도전성의 재료를 첨가했다.
졸-겔 반응을 일으키는 접합재의 용액에 도전성의 재료를 더 첨가함으로써 상기 (13)보다도 더 낮은 저항의 전자원을 구성할 수 있다.
(15) (10)~(14)에서 상기 접합재의 분량을 소성 후에 카본 나노 튜브끼리의 접점 부근에서 막을 형성하는 양으로 하였다.
접합재의 분량이 지나치게 과다하면 카본 나노 튜브 전체를 포함해 버리고, 전자방출원인 카본 나노 튜브의 선단 형성을 감쇄시켜 버린다. 지나치게 적으면 카본 나노 튜브의 접점을 충분히 접합할 수 없다. 그 때문에, 접합재의 분량을 카본 나노 튜브끼리의 접점 부근에서 막을 형성하는 양으로 한다.
(16) (10)~(14)에서 상기 음극배선에, 카본 나노 튜브의 페이스트를 소성하는 온도에서 용융 또는 소결하는 재료를 포함시키고, 상기 용융 또는 소결하는 재료상에 상기 카본 나노 튜브의 페이스트를 도포한다.
이 방법에 의해, 소성공정에서 카본 나노 튜브의 일부가 음극배선에 매립되기 때문에, 카본 나노 튜브의 탈락이 억제된다.
이상의 각 제조방법에 의해, 음극배선상에 저저항으로 하고, 또 용이하게 이탈하지 않도록 카본 나노 튜브를 고정하여, 진공내부에서의 선단의 노출을 확보한 고효율의 전자방출기능을 가지는 표시장치를 얻을 수 있다.
또, 본 발명은, 상기의 구성 및 후술하는 실시예의 구성에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술사상을 일탈하지 않고 여러 변형이 가능한 것은 말할 것도 없다.
(바람직한 실시예의 상세한 설명)
이하, 본 발명의 실시형태에 대해, 실시예의 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 의한 전계방출형 표시장치의 제1 실시예를 설명하는 전자원의 모식단면도이다. 도 1에서, 참조부호 11은 배면패널(1)을 구성하는 기판이고, 여기에서는 유리판을 이용하였다. 이 기판(11)의 내면(도면의 상측면)에 음극배선(12)이 형성되어 있다. 음극배선(12)은 인쇄방식, 혹은 잉크젯 방식 등의 직접 묘화(描畵)로 형성하지만, 본 실시예에서는 은(銀) 페이스트의 스크린 인쇄로 형성하였다.
이 음극배선(12) 상에는 다수의 카본 나노 튜브(13)가 그 일부의 단부(또는 중간부)를 음극배선(12)에 매립된 상태로 심어지고 있다 그래서, 다수의 카본 나노 튜브(13)끼리는 교차하고, 그 교차부의 일부에 접점(교차부)을 가지며, 그 접점 또는 교차부 부근에 접합재의 막(접합막)(14)을 가지고 있다.
접합막(14)은, 소위 졸-겔 반응을 일으켜서 접합막을 형성한다. 이 접합막(14)의 재료로서는 실리카계 등의 접착제를 이용하고, 접점을 가지고 카본 나노 튜브(13)끼리와 이 접점에 근접하는 카본 나노 튜브(13)의 사이에 형성하여, 다수의 카본 나노 튜브(13)를 전체로서 연결된 집단으로서 일체화하는 기능을 가지고 있다.
따라서, 음극배선(12)에 단부 또는 그 중간부가 매립된 카본 나노 튜브(13)가 해당 음극배선(12)으로부터 떨어져 있는 카본 나노 튜브(13)를 접합막(14)으로 연결하여, 카본 나노 튜브(13)의 전체가 음극배선(12)에 고정되어 있다.
접합막(14)은 카본 나노 튜브(13)의 페이스트가 도포된 후, 소성에 의해 졸-겔 반응을 일으키는 접합재를 소성한 막이다. 즉, 접합재의 소성시에, 그 수축작용으로 카본 나노 튜브(13)끼리가 교차하여 접점을 가지거나, 혹은 상호 근접하고, 이 접점 혹은 근접한 교차부분에 접합막(14)이 형성된다.
그 때문에, 카본 나노 튜브(13) 전체로서의 저항이 작게 되고, 또 카본 나노 튜브(13)끼리의 거리가 안정한 상태로 유지된다.
졸-겔 반응을 일으키는 접합재로서는, 테트라 메톡시 실란(Si(OCH3)4) 등의 금속 알콕시드를 들 수 있다. 금속 알콕시드는 금속 + 알콕시드기라는 구성을 취한다. 알콕시드 기(基)란, 알콜로부터 수소(H)가 떨어진 것으로, 예컨대 메탄올로부터 수소가 빠진 메톡시기(OCH3)로 된다.
금속의 일부가 Si인 경우는 실리카계라고 불리워진다. Si의 대신에, 티탄(Ti), 알미늄(Al), 질콘(Zr) 등을 이용한 알콕시드를 사용하여도 좋다. 또, Si를 이용한 것에는, Ti, Al, Zr 등을 이용한 것을 첨가하여 이용하도 좋다.
또, 금속 알콕시드의 용액중에 수 %의 SnO2로 도핑된 In2O3(In2O3-SnO2:ITO)를 첨가한 것을 이용하여, 소성에 의해 졸-겔 반응시킴으로써 가능한 한 접합막에 도전성을 가지게 할 수 있다. 또, ITO에 대신하여 ATO(인듐(In)의 대신에 안티몬(Sb)을 이용한 것)이나 IZO(Sn에 대신하여 Zn을 이용한 것)로 하여도 좋다.
도전성을 가지는 재료를 첨가한 페이스트를 도포하여 소성함으로써, 그 졸-겔 반응으로 생성한 접합막(14)에 도전성이 부여되고, 카본 나노 튜브(13)의 전자원의 저항을 저감하여, 전자방출기능을 더 향상시킬 수 있다. 또, 본 실시예에서는 음극배선(12)의 재료로서 소성할 때의 온도(150℃~600℃, 바람직하게는 300℃~600℃, 더 바람직하게는, 400℃~600℃)에서, 용융(예컨대, Au,Ag 등) 또는 소결(예컨대 Ni 등)을 하는 재료를 포함시키고 있다. 이것에 의해, 소성공정에서 카본 나노 튜브(13)의 일부를 음극배선(12)에 매립할 수 있고, 카본 나노 튜브(13)를 견고하게 고정하는 것이 가능하게 된다. 또, 이와 같은 재료를 이용하지 않아도, 접합막(14)에 의해 카본 나노 튜브(13)와 음극배선(12)을 고정시켜도 좋다. 다만, 상술한 바와 같이 매립하는 방법이 보다 견고하게 고정시키는 데에 바람직하다. 아래의 실시예에 대하여도 마찬가지이다.
도 2a~도 2b는 도 1에 나타낸 전자원을 표시장치에 적용한 구성예의 설명도이고, 도 2a는 1화소를 구성하는 전자원의 평면도, 도 2b는 도 2a의 D-D선에 따라 절단한 1화소 부근의 단면도이다.
도 2a~도 2b에서, 1은 배면패널이며, 전면패널(2)과의 사이가 진공으로 이끌리고 있다. 배면패널(1)은 배면기판(11)의 내면에 해당 배면기판(11)의 y방향으로 연재하는 음극배선(12)을 가지고, 이 음극배선(12)상에 형성된 절연층(16)에 열린 개구(61)에 도 1에 나타낸 접합막(14)에 의해 일체화된 카본 나노 튜브(13)로 구성한 전자원을 가진다. 절연층(16)의 개구(61)에 임하여 제어전극(3)이 형성되어 있다.
음극배선(12)은 x 방향으로 복수 배치된 전자원이 x-y 방향으로 매트릭스 형상으로 배치되며, 2차원의 표시영역을 형성한다. 또, 전면패널(2)의 내면에는 양극(22)이 모두 형성되어 있으며, 그 상층에는 형광체(23)를 가지고 있다. 형광체(23)의 양측에는 광흡수층(블랙 매트릭스)(24)이 형성되고, 콘트라스트를 향상시킨 구성으로 이루어져 있다.
카본 나노 튜브(13)로부터 발생한 전자(도면 중에 ○로 둘러싼 e로 표시)는 음극배선(12)과 양극(22)의 사이에 인가되는 전압에 의해 양극(22)으로 지향된다. 제어전극(3)은 음극배선(12)과의 사이에 인가되는 전압(즉, 카본 나노 튜브(13)와의 사이의 전압) △V의 크기에 따라 전자의 방출량(방출의 온·오프를 포함한다)을 콘트롤하여 형광체(23)의 발광 휘도를 제어한다.
또, 도시하지는 않았으나, 제어전극(3)과 양극(22)의 사이에 집속전극을 배치하여 카본 나노 튜브(13)에서 발생한 전자를 양극(22)에 집속하도록 구성할 수도 있다.
본 실시예에 의해, 전자원인 카본 나노 튜브(13)가 음극배선(12)로부터 탈락하지 않으며, 또 진공 내에 카본 나노 튜브(13)가 충분히 노정(露呈)됨으로써 전자방출기능의 저하가 없는 표시장치가 얻어진다.
본 발명의 제2 실시예로서, 상기 절연성 접합재료에 도전성 재료를 함유시켰다. 함유시킨 도전성 재료는 ITO 등의 도전재나 금속 등의 도전성 입자를 미세한 필러(filler)로서의 실리카계의 접착제에 혼연(混練)시켜 이용한다. 또, 그 소성시에 음극배선(12)의 적어도 표면과 그 근방이 용융 또는 소결하고, 카본 나노 튜브(13)의 단부 혹은 중간부를 취입하여 고정한다.
본 실시예에 의해서도, 낮은 저항의 전자원을 실현할 수 있다. 또, 전자원인 카본 나노 튜브(13)가 음극배선(12)으로부터 탈락하지 않으며, 또 진공 내에 카본 나노 튜브(13)가 충분히 노정함으로써, 전자방출기능의 저하가 없는 표시장치가 얻어진다.
또, 본 발명의 제3 실시예로서, 이 접합재로서 금, 은 등의 금속의 초미립자의 수지로 코팅한 도전성 접합재를 이용한다. 이 접합재를 소성함으로써 금속의 초미립자를 코팅한 수지가 소실되고, 잔류한 금속의 초미립자가 카본 나노 튜브의 교차부나 그 근방에서 해당 카본 나노 튜브끼리를 접합한다. 또, 그 소성시에 음극배선(12)의 적어도 표면과 그 근방이 용융 또는 소결하고, 카본 나노 튜브의 단부 혹은 중간부를 취입하여 매설 고정한다.
본 실시예에 의해서도, 전자원인 카본 나노 튜브(13)가 음극배선(12)로부터 탈락하지 않으며, 또 진공내에 카본 나노 튜브(13)가 충분히 노정됨으로써 전자방출기능의 저하가 없는 표시장치가 얻어진다.
상기한 각 실시예에서 소성온도는 150℃~600℃, 바람직하게는 300℃~600℃, 더 바람직하게는, 400℃~600℃ 정도이고, 이 온도에서의 소성으로, 접합재의 졸-겔 반응, 도전성 접합재의 수지 소산(消散) 및 음극배선(12)의 표면 근방의 용융 또는 소결에 의한 카본 나노 튜브(13)의 해당 음극배선(12)에의 매설(埋設)이 얻어진다.
다음에, 본 발명에 의한 표시장치의 제조방법을 설명한다. 본 발명에 의한 이 제조방법은, 배면패널(1)의 제조공정과 전면패널(2)의 제조공정 및 제조된 배면패널(1)과 전면패널(2)의 결합공정으로 이루어진다.
도 3은 본 발명에 의한 표시장치의 제조방법의 일실시예의 전체공정의 설명도이다. 각 공정은 "P"로 표시한다. 먼저, 배면패널(1)의 기판(11)을 구성하는 유리기판을 어닐한 후, 음극배선(12)을 형성한다(P-1). 음극배선(12)은 유리기판(기판(11))상에 일방향으로 화소 밀도에 맞춘 복수개를 병렬로 형성한다. 이 음극배선(12)은 은, 동, 알미늄, 기타 도전성 페이스트를 인쇄법으로 혹은 이들의 도전성 박막의 포토리소그래피 수법을 이용한 패터닝으로 형성된다.
음극배선(12)을 덮어 절연층(16)을 형성한다(P-2). 절연층(16)은 납 글라스계 유전체 등의 내열재료를 이용한다. 절연층(16) 상에 제어전극(3)으로 되는 도전층을 형성한다(P-3). 그리고, 절연층(16)의 화소에 대응하는 부분을 도전층과 함께 제거하고, 음극배선(12)이 저부에 노출한 개구(61)를 설치한다(P-4). 개구(61)의 형성은 상기 도전층과 절연층(16)의 재료특성에 따른 습식 포토리소그래피 수법을 이용하지만, 건식 가공법 등의 다른 가공수법을 이용할 수 있다. 혹은, 사이드 브래스트법 등의 기계적 가공수단을 이용할 수도 있다. 또, 개구(61)의 형성 후에 제어전극(3)을 형성하는 것도 가능하다.
다음에, 이 개구(61)에 인쇄법 혹은 잉크젯 방식의 직접묘화로 카본 나노 튜브(13)를 포함하는 페이스트를 도포하고, 상호간의 교차부분과 그 근방을 접합재(접합막(14))로 접합함과 동시에, 음극배선(12)에 단부 혹은 중간부를 매설한 전자원인 카본 나노 튜브(13)를 형성한다(P-5). 카본 나노 튜브(13)를 포함하는 페이스트는 셀룰로오스계 수지에 카본 나노 튜브(13)를 혼합한 것이다. 또 분산제를 첨가하여도 좋다. 혹은 이 셀룰로오스계 수지 자체가 분산제로서의 기능을 가지고 있어도 좋다.
각 화소 또는 x 방향이나 y 방향의 화소열의 사이에 간격유지부재를 형성한다(P-6). 이 간격유지부재는, 예컨대 유리섬유(glass fiber)를 인접하는 화소 또는 화소열의 사이에 배치함으로써 형성된다.
한편, 전면패널(2)은 유리기판의 내면에 ITO를 적절하게 한 도전성 박막을 이용하여 전면 전체의 양극(22)을 형성하고(P-1'), 또 화소마다 형광체(23)를 형성한다(P-2'). 또, 이 방법에 의하지 않고, 형광체(23)를 형성한 후(P-2'), 그 위에서 Al 등의 금속박막을 형성하고(P-1'), 양극(22)으로 할 수도 있다. 이것은 금속백으로도 불리우는 구조이다.
그리고, 상기 배면패널(1)과 전면패널(2)의 각 내면을 대향시켜, 각 패널의 주변의 사이에 유리 재료로 형성한 봉지테(5)를 삽입하고, 배면패널(1)과 전면패널(2)의 위치 맞춤을 행하며(P-7), 플릿 유리를 이용하여 봉지(봉착)하고, 배기하여 배기완료를 행한다(P-8). 이 공정을 거쳐 카본 나노 튜브(13)를 전자원으로 한 전계방출형 표시장치가 완성된다.
또, 상기의 배면패널(1)의 유리 기판(기판(11))의 일부(통상은 표시영역의 외측 모서리)에 배기를 위한 홀을 가지고, 이 홀에 유리의 배기관(6)(도 11b 참조)을 장착하여 배기를 행한다.
도 4는 도 3에서 전자원인 카본 나노 튜브의 형성공정의 일실시예를 설명하는 부분공정도이다. 또, 도 5~도 7은 도 4의 각 공정에 대응한 1화소 부분의 모식단면도이다. 이하, 도 4의 공정을 도 5~도 7을 참조하여 설명한다.
도 3의 개구 형성공정(P-4)의 뒤에, 도 5에 나타낸 바와 같이 해당 개구(61)에 카본 나노 튜브(CNT)(13)를 함유한 페이스트(13A)를 도포한다(P-5A). 또, 이 개구(61)에 졸-겔 반응접합재의 페이스트(14A)를 도포한다(P-5B). 이것을 도 6에 나타낸다. 졸-겔 반응접합재(14A)의 도포는 카본 나노 튜브(13)를 함유한 페이스트(13A)의 도포와 같은 인쇄법 또는 잉크젯 묘화법 혹은 스프레이법을 이용한다.
그 후, 이것을 소성로에서 150℃~600℃의 온도로 소성한다(P-5C). 이 소성공정에 의해, 졸-겔 반응 접합재의 페이스트(14A)가 졸-겔 반응을 일으켜 수축하고, 동시에 카본 나노 튜브(13)끼리 근접하여 교차하거나, 혹은 접근하여 동시에 해당 교차부나 근접부에 접합막(14)가 형성된다(도 7).
이와 동시에, 음극배선(12)의 표면근방이 용융 또는 소결하여 카본 나노 튜브(13)의 단부 혹은 중간부의 일부가 음극배선(12)에 매설되어, 전체로서 카본 나노 튜브(13)가 음극배선(12)에서 심어진 상태로 된다.
도 8은 도 3에서 전자원인 카본 나노 튜브의 형성공정의 다른 실시예를 설명하는 부분공정도이다. 본 실시예에서는, 도 3의 개구형성공정(P-4)의 다음에, 해당 개구(61)에 카본 나노 튜브(CNT)(13)와 수지로 코팅한 도전성 재료로서의 금 미립자를 혼연한 페이스트를 도포한다(P-5A'). 이 페이스트의 도포에는 인쇄법 또는 인크젯 묘화법이나 스프레이법을 이용한다.
그 후, 이것을 소성로에서 150℃~600℃의 온도에서 소성한다(P-5B'). 이 소성공정에 의해, 금의 미립자를 코팅한 수지가 소실하고, 잔류한 금의 초미립자가 카본 나노 튜브(13)의 교차부나 그 근방에서 해당 카본 나노 튜브(13)끼리를 접합한다. 이 소성시에 음극배선(12)의 표면 근방이 용융 또는 소결하여 카본 나노 튜브(13)의 단부 혹은 중간부의 일부가 음극배선(12)에 매설되고, 전체로서 카본 나노 튜브(13)가 음극배선(12)에서 심어진 상태로 된다.
또, 도 8의 P-5A'에서 도포하는 페이스트에, 또 도 4에서 설명한 실리카계 접합재를 혼입할 수도 있다. 이상의 제조방법에 의해, 카본 나노 튜브(13)를 충분한 전자방출기능이 얻어지는 낮은 저항으로, 또 음극배선(12) 상에 용이하게 이탈하지 않도록 고정하여 진공 내부에서의 노출을 확보하여 고효율의 전자방출특성을 실현한 표시장치를 제조할 수 있다.
도 9는 본 발명에 의한 표시장치의 구동방식을 설명하는 등가회로이다. 이 표시장치는, y 방향으로 연장되는 n개의 음극배선(12)이 x 방향으로 나란히 설치되어 있다. 또, x 방향으로 연장되는 m개의 제어전극(3)이 y 방향으로 나란히 설치되어, 음극배선(12)과 함께 m행×n열의 매트릭스를 구성하고 있다.
이 표시장치를 구성하는 배면패널(1)의 주변에는 주사회로(51)와 영상신호회로(71)가 배치되어 있다. 제어전극(3)의 각각에는 주사회로(51)가 제어전극단자(50)(Y1, Y2, .... Ym)에 접속되어 있다. 그리고, 음극배선(12)의 각각에는 영상신호회로(71)가 음극배선(70)(X1,X2,....Xn)에 접속되어 있다.
매트릭스 배열된 화소마다 상기 실시예에서 설명한 전자원이 설치되어 있다. 이 전자원은 1화소당 1개로 한정되는 것은 아니며, 2개 이상으로 할 수 있다. 도면 중의 R,G,B는 각각 적, 녹, 청의 화소이며, 각각의 색에 대응하는 색을 형광체(23)로부터 방출시킨다.
주사회로(51)에는 동기신호(52)가 입력된다. 주사회로(51)는 제어전극단자(50)를 통해 제어전극(12)에 접속되고, 매트릭스의 행을 선택하여 제어전극(3)에 주사신호전압을 인가한다.
한편, 영상신호회로(71)에는 영상신호(72)가 입력된다. 영상신호회로(71)는 음극단자(70)(X1,X2,....Xn)를 통하여 음극배선(12)에 접속되고, 매트릭스의 열을 선택하여 선택된 음극배선(12)에 영상신호(72)에 따른 전압을 인가한다. 이것에 의해, 제어전극(3)과 음극배선(12)으로 순차 선택된 소정의 화소가 소정의 색광에서 발광하고, 2차원의 영상을 표시한다.
본 실시예에 의한 카본 나노 튜브(13)를 전자원으로 한 표시장치에 의해, 비교적 저전압에서 고효율의 플랫 패널형의 표시장치가 실현된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 카본 나노 튜브(13)를 충분한 전자방출기능이 얻어지는 저저항으로 하고, 또 음극배선(12)상에 용이하게 이탈하지 않도록 고정하여, 진공내부에서의 노출을 확보하여 고효율의 전자방출특성을 실현한 저전압에서의 고효율의 표시장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명에 의한 전계방출형 표시장치의 제1 실시예를 설명하는 전자원의 모식단면도,
도 2a~도2b는 도 1에 나타낸 전자원을 표시장치에 적용한 구성예의 설명도이고, 도 2a는 1화소를 구성하는 전자원의 평면도, 도 2b는 도 2a의 D-D선에 따라 절단한 1화소 부근의 단면도,
도 3은 본 발명에 의한 표시장치의 제조방법의 일실시예의 전체공정의 설명도,
도 4는 도 3에서 전자원인 카본 나노 뉴브의 형성공정의 일실시예를 설명하는 부분공정도,
도 5는 도 4의 각 공정에 대응한 1 화소부분의 모식단면도,
도 6은 도 4의 각 공정에 대응한 1 화소부분의 도 5에 계속되는 모식단면도,
도 7은 도 4의 각 공정에 대응한 1 화소부분의 도 6에 계속되는 모식단면도,
도 8은 도 3에서의 전자원인 카본 나노 튜브의 형성공정의 다른 실시예를 설명하는 부분공정도,
도 9는 본 발명에 의한 표시장치의 구동방식을 설명하는 등가회로,
도 10은 전계방출형 표시장치의 기본구성을 설명하는 모식도,
도 11a~도 11b는 기지의 전계방출형 표시장치의 일구성예의 모식도이고, 도 11a는 분해사시도, 도 11b는 조립 후의 표시장치의 단면도를 나타낸다.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
1...배면패널, 2...전면패널,
3...제어전극, 11...배면패널의 기판,
12...음극배선, 13...카본 나노 튜브,
13A...카본 나노 튜브의 페이스트, 14...접합재,
14A...접합재의 페이스트, 16...절연층,
21...전면패널기판, 22...양극,
23...형광체, 24...차광층,
50...(Y1, Y2, .... Ym) 제어전극단자,
51...주사회로, 52...동기신호,
70...(X1, X2, .... Xn) 음극단자,
71...영상신호회로, 72...영상신호.

Claims (16)

  1. 전자원으로부터 방출된 전자를 이용하여 표시를 행하는 표시장치에 있어서,
    상기 전자원은 복수의 카본 나노 튜브를 가지고, 상기 카본 나노 튜브끼리가 교차하는 접점을 가지는 동시에, 상기 카본 나노 튜브의 상기 접점 부근이 접합재의 막에 의해 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 접합재의 막은 소성에 의해 졸-겔 반응을 일으키는 접합재를 소성한 막을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 소성에 의해 졸-겔 반응을 일으키는 접합재를 소성한 막은 도전성을 가지는 막인 것을 특징으로 하는 표시장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 카본 나노 튜브끼리의 접점 부근에 도전성 재료의 접합재를 가지는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 도전성 재료의 접합재는 금속의 초미립자를 수지로 코팅한 것을 소성한 접합재인 것을 특징으로 하는 표시장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 접합재는 도전성 재료의 접합재인 것을 특징으로 하는 표시장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 도전성 재료의 접합재는 금속의 초미립자를 수지로 코팅한 것을 소성한 접합재인 것을 특징으로 하는 표시장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전자원은 도전성의 음극배선 상에 형성하고, 상기 카본 나노 튜브의 일부가 상기 음극배선에 매립되어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 음극배선은 150℃~600℃에서 용융 또는 소결하는 도전성 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  10. 음극배선 상에 형성된 카본 나노 튜브를 가지는 전자원으로부터 방출시킨 전자를 이용하여 표시를 행하는 표시장치의 제조방법에 있어서,
    상기 전자원을 형성할 때, 상기 음극배선 상에 카본 나노 튜브를 포함하는 페이스트를 도포한 후, 소성에 의해 졸-겔 반응을 일으키는 접합재를 도포하고, 소성하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 소성에 의해 졸-겔 반응을 일으키는 접합재의 용액에는 도전성 재료가 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
  12. 음극배선 상에 형성된 카본 나노 튜브를 가지는 전자원으로부터 방출시킨 전자를 이용하여 표시를 행하는 표시장치의 제조방법에 있어서,
    상기 음극배선 상에 카본 나노 튜브와, 수지로 코팅한 금속의 초미립자를 포함하는 페이스트를 도포한 후, 소성한 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 페이스트의 도포와 소성의 사이에, 소성에 의해 졸-겔 반응을 일으키는 접합재의 용액을 도포하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 소성에 의해 졸-겔 반응을 일으키는 접합재의 용액에는 도전성의 재료를 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
  15. 삭제
  16. 제10항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 음극배선은, 소성하는 온도에서 용융 또는 소결하는 재료를 포함하고, 상기 용융 또는 소결하는 재료 상에 상기 카본 나노 튜브를 포함하는 페이스트를 도포하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100763890B1 (ko) * 2001-08-06 2007-10-05 삼성에스디아이 주식회사 Ｃｎｔ를 적용한 전계방출표시소자의 제조방법
KR100796678B1 (ko) * 2001-09-28 2008-01-21 삼성에스디아이 주식회사 평면 표시 소자용 전자 방출원 조성물, 이를 이용한 평면 표시 소자용 전자 방출원의 제조방법 및 이를 포함하는 평면 표시 소자
US7462498B2 (en) * 2001-10-19 2008-12-09 Applied Nanotech Holdings, Inc. Activation of carbon nanotubes for field emission applications
JP3839713B2 (ja) * 2001-12-12 2006-11-01 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 平面ディスプレイの製造方法
JP2004071433A (ja) * 2002-08-08 2004-03-04 Hitachi Ltd 画像表示装置およびその製造方法
FR2851737B1 (fr) * 2003-02-28 2006-05-26 Commissariat Energie Atomique Catalyseur structure notamment pour la realisation d'ecrans plats a emission de champ
WO2004079766A1 (ja) * 2003-03-06 2004-09-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 電子放射素子、蛍光体発光素子及び画像描画装置
JP3772983B2 (ja) * 2003-03-13 2006-05-10 セイコーエプソン株式会社 電子装置の製造方法
US7521851B2 (en) * 2003-03-24 2009-04-21 Zhidan L Tolt Electron emitting composite based on regulated nano-structures and a cold electron source using the composite
CN100437876C (zh) * 2003-03-27 2008-11-26 清华大学 一种场发射元件
US7062848B2 (en) * 2003-09-18 2006-06-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printable compositions having anisometric nanostructures for use in printed electronics
US7459839B2 (en) * 2003-12-05 2008-12-02 Zhidan Li Tolt Low voltage electron source with self aligned gate apertures, and luminous display using the electron source
US7125308B2 (en) * 2003-12-18 2006-10-24 Nano-Proprietary, Inc. Bead blast activation of carbon nanotube cathode
FR2865946B1 (fr) * 2004-02-09 2007-12-21 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une couche de materiau sur un support
KR20050086237A (ko) * 2004-02-25 2005-08-30 삼성에스디아이 주식회사 전자방출표시장치용 전자방출원의 형성방법과 이를 이용한전지방출표시장치
KR20050088791A (ko) * 2004-03-03 2005-09-07 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치용 캐소드 기판의 제조 방법 및제조된 캐소드 기판을 포함하는 평판 디스플레이 장치
US20060008578A1 (en) * 2004-07-09 2006-01-12 Jin-Shou Fang Method of fabricating electrode structure of field-emission display
US7736209B2 (en) * 2004-09-10 2010-06-15 Applied Nanotech Holdings, Inc. Enhanced electron field emission from carbon nanotubes without activation
US20080012461A1 (en) * 2004-11-09 2008-01-17 Nano-Proprietary, Inc. Carbon nanotube cold cathode
US20060205313A1 (en) * 2005-03-10 2006-09-14 Nano-Proprietary, Inc. Forming a grid structure for a field emission device
KR100670330B1 (ko) * 2005-04-12 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출원 및 상기 전자 방출원을 포함하는 전자 방출소자
US20080278062A1 (en) * 2007-05-10 2008-11-13 Samsung Sdi Co., Ltd. Method of fabricating electron emission source, electron emission device, and electron emission display device including the electron emission device
KR101043790B1 (ko) * 2008-12-23 2011-06-22 주식회사 모닝아트 구이기
US20100285715A1 (en) * 2009-05-08 2010-11-11 Yuan-Yao Li Method of manufacturing carbon nanotube (cnt) field emission source
DE102010002447A1 (de) * 2010-02-26 2011-09-01 Tutech Innovation Gmbh Klebstoff mit anisotroper elektrischer Leitfähigkeit sowie Verfahren zu dessen Herstellung und Verwendung
JP6130157B2 (ja) * 2013-02-06 2017-05-17 国立大学法人東北大学 電界電子放出素子およびそれを用いた発光素子の製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3453478A (en) * 1966-05-31 1969-07-01 Stanford Research Inst Needle-type electron source
JP2000021305A (ja) 1998-07-01 2000-01-21 Canon Inc 画像表示装置の製造方法
JP4069532B2 (ja) 1999-01-11 2008-04-02 松下電器産業株式会社 カーボンインキ、電子放出素子、電子放出素子の製造方法、および画像表示装置
US6250984B1 (en) * 1999-01-25 2001-06-26 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising enhanced nanotube emitter structure and process for fabricating article
US6504292B1 (en) * 1999-07-15 2003-01-07 Agere Systems Inc. Field emitting device comprising metallized nanostructures and method for making the same
US6525453B2 (en) * 2001-05-02 2003-02-25 Huang Chung Cheng Field emitting display

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