JP2002110042A - 蛍光表示管及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ボンディングワイヤ自体の断線が生じないよ
うにドライバチップ及びその周囲を絶縁層でコーティン
グする。 【解決手段】 基板１上にドライバチップ２１を接着
し、基板１上の第１の電極とドライバチップ上の第２の
電極とをワイヤで接続する第１の工程と、焼成後に絶縁
性をもつ溶質を溶解した溶液２５Ａに絶縁粒子２６を分
散させた塗布液２７Ａを第１，第２の電極及びワイヤが
覆われるように塗布する第２の工程と、溶液２５Ａを焼
成して絶縁層２５を生成する第３の工程と、基板１とガ
ラス容器９，１０とを封着して外囲器を形成する第４の
工程とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ドライバチップを
管内に搭載した蛍光表示管及びその製造方法に関し、特
に、ドライバチップのボンディングワイヤを絶縁層でコ
ーティングした蛍光表示管及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図５は、ドライバチップを管内に搭載し
た蛍光表示管の一構成例を示す斜視図である。ただし、
この図には一部が切り欠かれた構造が示されている。矩
形状のガラス基板１の上には配線（図示せず）が複数形
成され、これらの配線を覆うようにして黒色絶縁膜３が
ガラス基板１のほぼ全面に亘って形成されている。

【０００３】この黒色絶縁膜３の上には、ガラス基板１
上の配線に電気的に接続されたアノード４が複数形成さ
れ、これらアノード４には、電子の衝突によって発光す
る蛍光体層が付着している。この蛍光体層が付着したア
ノード４の上方にはグリッド５が対向配置されている。
このグリッド５の縁には金属枠５Ａが取り付けられてお
り、この金属枠５Ａはガラス基板１上の配線に電気的に
接続されている。さらに、グリッド５の上方には、ガラ
ス基板１の長手方向に沿って複数の線状のフィラメント
カソード６が互いに平行にかつ離間して配置されてい
る。これらのフィラメントカソード６は、タングステン
等の極細線に電子放射性物質を付着させたものである。

【０００４】これらのフィラメントカソード６は、ガラ
ス基板１の長手方向と直交する方向に配置された２本の
フィラメントサポート６Ａ（一方のみ図示し、他方を図
示せず）の間に張り渡されている。なお、フィラメント
サポート６Ａの上には、フィラメントカソード６以外に
も複数の部品、例えば透明導電膜コンタクト、ゲッター
リング等が取り付けられている。フィラメントサポート
６Ａの下部領域にあたるガラス基板１上に、アノード４
及びグリッド５等への電圧供給を制御して蛍光表示管の
表示動作を制御するための複数のドライバチップ２１が
接着され、これらドライバチップ２１とガラス基板１上
の配線とはボンディングワイヤによって接続されてい
る。このドライバチップ２１は、Ｓｉで形成された半導
体チップであり、その中にはＣＭＯＳ−ＦＥＴ等によっ
て構成されたシフトレジスタ、ラッチ、ドライバ回路等
が内蔵されている。

【０００５】一方、黒色絶縁膜３の上にはその一辺に沿
って金属端子８が複数配置され、これらの金属端子８は
ガラス基板１上の配線に電気的に接続されている。ガラ
ス基板１上の配線は、金属端子８をドライバチップ２１
の入力側に接続し、またドライバチップ２１の出力側を
アノード４及びグリッド５に接続している。また、フィ
ラメントカソード６の上方には透光性を有するフェース
ガラス９が配置され、このフェースガラス９は枠状のス
ペーサガラス１０によりガラス基板１から所定の高さに
保持されている。ガラス基板１とスペーサガラス１０と
フェースガラス９とは低融点のフリットガラスにより封
着され、内部が所定の真空度に保持された外囲器（真空
容器）が形成されている。

【０００６】さらに、２本のフィラメントサポート６Ａ
のそれぞれには、フィラメントカソード６に所定の電圧
を印加するためのリードピン１１が取り付けられ、また
金属端子８のそれぞれには、ドライバチップ２１に制御
信号及び駆動電圧を供給するためのリードピン１２が取
り付けられている。これらのリードピン１１，１２は外
囲器の外に引き出されている。

【０００７】リードピン１１からフィラメントカソード
６に所定の電圧を印加して６５０℃程度に加熱すると、
フィラメントカソード６の電子放射性物質から熱電子が
放射される。このとき、リードピン１２から供給された
制御信号にしたがい、ドライバチップ２１がアノード４
に正電圧が印加した状態で、グリッド５にフィラメント
カソード６よりも高い電圧を与えると、フィラメントカ
ソード６から放射された電子は加速され、その一部はグ
リッド５を通過してアノード４に付着している蛍光体層
に衝突する。この電子線照射により蛍光体層が励起して
発光し、その光がフェースガラス９を透過して外部に放
射される。なお、グリッド５にフィラメントカソード６
よりも低い電圧を与えるか、アノード４に負電圧を与え
ることにより、蛍光体層への電子の入射を妨げることが
できる。

【０００８】図６は、ドライバチップ２１及びその周囲
の構造を示す拡大図である。この図において、図６
（ａ）は平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）におけるVIb
−VIb′線方向の断面図、図６（ｃ）は図６（ａ）にお
けるVIc 部の拡大平面図である。図６（ａ）に示すよう
に、黒色絶縁膜３上に接着されたドライバチップ２１の
上面には、縁に沿って（第２の）電極２２が複数配置さ
れている。また、黒色絶縁膜３の上には、これらの電極
２２と対向して（第１の）電極２３が複数配置されてい
る。これらの電極２３は、図６（ｂ）に示すように、黒
色絶縁膜３に形成されたスルーホール３Ａによって、ガ
ラス基板１上の配線２と接続されている。そして、ドラ
イバチップ２１上の電極２２と黒色絶縁膜３上の電極２
３とは、ウェッジボンディング法によりＡｌ製のワイヤ
２４を介して接続されている。図６（ｃ）に示す隣り合
うワイヤ２４間のピッチｐは、数１０μｍ〜１００μｍ
程度である。

【０００９】ドライバチップ２１及びその周囲、すなわ
ち電極２２，２３及びワイヤ２４が露出していると、管
内に存在する塵が侵入して、ワイヤ２４の断線や、その
塵が導電性を有する場合には隣接二電極２２間（又は、
隣接二電極２３間）の短絡に基づく誤動作が起こること
があった。これを防止する目的で、ドライバチップ２１
及びその周囲を絶縁層によってコーティングする技術が
提案されている。ドライバチップ２１等を絶縁層でコー
ティングする従来の方法として、金属アルコキシドの溶
液をコーティングすべき領域に塗布し、これを焼成して
金属酸化膜を形成する方法が提案されている。こうして
得られた金属酸化膜は耐熱性が高いので、その後の加熱
工程で熱分解しにくい。また、金属アルコキシドはガス
放出特性に優れているので、真空容器内での有害ガスの
放出が極めて少ない。このため、金属アルコキシドを焼
成して金属酸化膜を形成する方法は、蛍光表示管内の絶
縁コーティングに適していると考えられる。

【００１０】また、ドライバチップ２１等を絶縁層でコ
ーティングする他の方法として、ポリイミド樹脂を溶剤
に溶かしたワニスをコーティングすべき領域に塗布し、
これを焼成してポリイミド膜を形成する方法が提案され
ている。ポリイミド膜は耐熱性が高いことに加え、凹凸
に対する被覆性に優れており凹凸の大きい部分の絶縁コ
ーティングに適している。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかし、いずれの方法
でも焼成による硬化収縮が大きいことが問題となる。例
えば金属アルコキシドを焼成して金属酸化膜を形成する
方法では、１００μｍのピッチｐで配列されたワイヤ２
４間の金属アルコキシドの厚みが０．１μｍ程度まで収
縮してしまう。その結果、ワイヤ２４にかかる応力が大
きくなり、図７に示すようにワイヤ２４自体が断線して
しまうことや、ワイヤ２４と電極２２，２３との接続が
切断されてしまうことがあった。このため、従来の方法
によるドライバチップ２１及びその周囲の絶縁層による
コーティングは未だ実用化されていない。なお、図７で
は、金属アルコキシドを焼成して得られた金属酸化膜５
２５を梨子地模様で示している。

【００１２】本発明はこのような問題を解決すべくなさ
れたものであり、その目的は、ボンディングワイヤ自体
の断線が生じないようにドライバチップ及びその周囲を
絶縁層でコーティングすることにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明による蛍光表示管の製造方法は、基板
上に配線及びこの配線に接続される第１の電極を複数形
成し、表示動作を制御するドライバチップを基板上に接
着し、基板上の複数の第１の電極とドライバチップ上の
複数の第２の電極とを複数のワイヤで接続する第１の工
程と、焼成後に絶縁性をもつ溶質を溶解した溶液に絶縁
粒子を分散させた塗布液を第１及び第２の電極並びにワ
イヤが覆われるように塗布する第２の工程と、溶液を焼
成してワイヤの間及びワイヤと基板との間に絶縁粒子が
混入した絶縁層を生成する第３の工程と、基板上にガラ
ス容器を配置し、基板とガラス容器とを封着して外囲器
を形成する第４の工程とを備えたことを特徴とする。こ
の製造方法により、第１及び第２の電極並びにワイヤを
覆い、隣り合うワイヤの間及びワイヤと基板との間に絶
縁粒子が混入した絶縁層を備えた蛍光表示管が作成され
る。上述した蛍光表示管の製造方法において、塗布液に
絶縁粒子を分散させると、分散させなかった場合と比較
して、焼成後の収縮量が小さくなる。このため、ワイヤ
にかかる応力が小さくなるので、ワイヤ自体が断線して
しまうことや、ワイヤと第１，第２の電極との接続が切
断されることを防止できる。

【００１４】ここで、溶液の溶質として、金属アルコキ
シドを使用できる。金属アルコキシドを焼成した得られ
た金属酸化膜は耐熱性が高いので、第４の工程で加熱し
ても熱分解しにくい。また、金属アルコキシドはガス放
出特性に優れているので、真空排気後の外囲器内におい
て有害ガスの放出が極めて少ない。したがって、蛍光表
示管の表示の劣化を防止できる。また、溶液の溶質とし
て、ポリイミドを使用することもできる。ポリイミドも
耐熱性が高いので、第４の工程で加熱しても熱分解しに
くい。また、凹凸に対する被覆性に優れているので、ド
ライバチップ及びワイヤの凹凸部が露出しないように効
果的に絶縁コーティングすることができる。

【００１５】また、絶縁粒子の平均粒径は、隣り合うワ
イヤ間のピッチの１／３以下とするとよい。このような
絶縁粒子であればワイヤ間を比較的スムーズに通過でき
るので、隣り合うワイヤ間及びワイヤと基板との間に均
一に絶縁粒子を分散させることができる。また、溶液の
溶質に対する絶縁粒子の重量比は、１／３以上３以下と
するとよい。言い換えれば、絶縁粒子と溶質との重量比
を１：３〜３：１とするとよい。溶液の溶質に対する絶
縁粒子の重量比を１／３以上とすることにより、絶縁粒
子の比率が十分大きくなるので、上述した第１及び第２
の電極とワイヤを覆う部材の収縮が小さくなり、ワイヤ
にかかる応力を小さくすることができる。また、上記重
量比を３以下とすることにより、溶質の比率が十分大き
くなるので、絶縁粒子を強固に接着することができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態を詳細に説明する。ここでは、図５に示した
ような管内にドライバチップを搭載した蛍光表示管に、
本発明による製造方法を適用した例を説明する。 （第１の実施の形態）図１は、本発明の第１の実施の形
態を用いて蛍光表示管を製造する際の主要な工程を示す
断面図である。この図において、図５と同一部分を同一
符号をもって示し、適宜その説明を省略する。

【００１７】まず、矩形状のガラス基板１の上面に、例
えばＡｌをスパッタしたあとエッチングして配線２を複
数形成し、これらの配線２を覆うようにガラスペースト
をスクリーン印刷して、ガラス基板１のほぼ全域に亘っ
て黒色絶縁膜３を形成する。このとき、後の工程で作成
されるアノード４、リードピン１２が接続される金属端
子８、ドライバチップ２１上の電極２２と配線２との電
気的接続をとるためのスルーホールが残るように、ガラ
スペーストを印刷する。

【００１８】続いて、黒色絶縁膜３の上に所定の導体パ
ターンをスクリーン印刷して、アノード４、金属端子８
及び電極２３をそれぞれ複数形成する。アノード４等は
上記スルーホールによって配線２に接続される。さらに
アノード４の上に蛍光体をスクリーン印刷し、この蛍光
体を付着したアノード４の上方にグリッド５を対向配置
する。このグリッド５の縁には金属枠５Ａが取り付けら
れており、この金属枠５Ａも上記スルーホールによって
配線２に接続されている。そして、所定位置にドライバ
チップ２１を導電性接着剤で接着し、ドライバチップ２
１上の複数の電極２２と黒色絶縁膜３上の複数の電極２
３との間をウェッジボンディング法によりＡｌ製の複数
のワイヤ２４で接続する。隣り合うワイヤ間のピッチは
１００μｍとする。このようにして作成されたガラス基
板１のドライバチップ２１を含む断面を図１（ａ）に示
す。

【００１９】その一方で、ドライバチップ２１及びその
周囲に塗布する塗布液２７Ａを作成する。この塗布液２
７Ａは、溶質としてＡｌのアルコキシドをアルコールに
溶かした溶液２５Ａに、絶縁粒子２６としてＡｌ₂ Ｏ₃
を分散させて作成する。Ａｌ ₂ Ｏ₃ の平均粒径を１μｍ
とし、Ａｌアルコキシドに対するＡｌ₂ Ｏ₃ の重量比を
１／２とする（すなわち、Ａｌ₂ Ｏ₃ とＡｌアルコキシ
ドとの重量比を１：２とする）。この塗布液２７Ａを、
図１（ｂ）に示すようにドライバチップ２１及びその周
囲が覆われるように塗布する。このとき、少なくともド
ライバチップ２１上の電極２２、黒色絶縁膜３上の電極
２３、及び両電極２２，２３を接続するワイヤ２４が覆
われるように塗布する。塗布方法は、ディスペンサー塗
布又は滴下などを用いることができる。

【００２０】次に、４８０℃の大気雰囲気中で、ドライ
バチップ２１及びその周囲に塗布した塗布液２７Ａを加
熱する。これにより、アルコール分が蒸発し、焼成によ
りＡｌアルコキシドからＡｌ₂ Ｏ₃ の絶縁層２５が生成
される。Ａｌ₂ Ｏ₃ の絶縁粒子２６は、絶縁層２５によ
ってワイヤ２４の間及びワイヤ２４と黒色絶縁膜３との
間に強固に接着される。こうして、ドライバチップ２１
及びその周囲は図１（ｃ）に示すように、絶縁層２５に
絶縁粒子２６が混入したコーティング層２７で覆われ
る。

【００２１】Ａｌ₂ Ｏ₃ からなる絶縁粒子２６は加熱に
より収縮しないので、この絶縁粒子２６及び絶縁層２５
からなるコーティング層２７の焼成による収縮は、絶縁
層５２５のみからなる場合（図７参照）と比較して小さ
くなる。このため、ワイヤ２４にかかる応力が小さくな
るので、ワイヤ２４自体が断線してしまうことや、ワイ
ヤ２４と電極２２，２３との接続が切断されることを防
止できる。実際に上述した条件にしたがってコーティン
グ層２７を形成したところ、図２に示すようにワイヤ２
４の変形すらほとんど観察されなかった。

【００２２】次に、フィラメントカソード６とフィラメ
ントサポート６Ａ、及びリードピン１１，１２等を一体
化した金属部品である所謂リードフレームを用意して、
このリードフレームをガラス基板１上に配置する。この
とき、フィラメントサポート６Ａをドライバチップ２１
の上方位置に配置する。さらに、フェースガラス９の外
周部にフリットガラス１３Ａでスペーサガラス１０を固
着して作成したガラス容器を用意して、このガラス容器
でガラス基板１を上記リードフレームの上から覆い、図
１（ｄ）に示すようにガラス容器のスペーサガラス１０
とガラス基板１との接触部分をフリットガラス１３Ｂで
封着する。なお、フィラメントカソード６等の酸化を防
ぐため、この工程での熱処理は不活性ガス中で行う。最
後に、ガラス容器に取り付けられた排気管（図示せず）
で管内を１０^-3〜１０^-5Ｐａ程度の真空度に排気し、こ
の排気管をガスバーナーで封じ切って、蛍光表示管が完
成する。

【００２３】以上で説明した方法により、金属アルコキ
シドを用いて、ワイヤ２４の断線等を招くことなく、ド
ライバチップ２１及びその周囲を絶縁コーティングする
ことができる。これにより、蛍光表示管の製品完成後に
管内に存在する塵がドライバチップ２１及びその周囲に
侵入して起こる誤動作を防止することができる。また、
金属アルコキシドはガス放出特性に優れており、製品完
成後の管内に放出される有害ガスが極めて少ないので、
蛍光表示管の表示の劣化を防止できる。

【００２４】上述した方法で用いた絶縁粒子２６として
は、ガラス容器をガラス基板１に封着する熱処理工程で
変質しない酸化物が好ましく、上述したＡｌ₂ Ｏ₃ の他
にＳｉＯ₂ 、ＴｉＯ₂ などが適している。また、絶縁粒
子２６の平均粒径は、隣り合うワイヤ２４間のピッチｐ
の１／３以下が好ましい。例えばピッチｐが１００μｍ
である場合には、平均粒径を３３μｍ以下とする。この
ような絶縁粒子２６であればワイヤ２６間を比較的スム
ーズに通過できるので、隣り合うワイヤ２４間及びワイ
ヤ２４と黒色絶縁膜３との間に均一に絶縁粒子２６を分
散させることができる。

【００２５】金属アルコキシドは焼成により絶縁性をも
つものであればよく、上述したＡｌのアルコキシドの他
に、Ｔｉ，Ｔａ，Ｓｉ等のアルコキシドが適している。
例えば（株）槌屋製ＴＳＧ−ＡＭ０１１系インク（Ｓｉ
及びＡｌ等のアルコール化合物で、焼成するとＳｉＯ₂
及びＡｌ₂ Ｏ₃ 等の膜となる）等の既製品を使用しても
よい。また、溶液２５Ａ中の金属アルコキシドに対する
絶縁粒子２６の重量比は、１／３以上３以下とするのが
好ましい。言い換えれば、絶縁粒子２６と金属アルコキ
シドとの重量比を１：３〜３：１とするとよい。金属ア
ルコキシドに対する絶縁粒子２６の重量比が１／３未満
では、絶縁粒子２６の比率が小さいので、コーティング
層２７の収縮が大きくなり、ワイヤ２４が断線する虞が
ある。また、上記重量比が３を超えると、金属アルコキ
シドの比率が小さくなるので、絶縁粒子２６の接着力が
弱くなる。

【００２６】（第２の実施の形態）図３は、本発明の第
２の実施の形態を用いて蛍光表示管を製造する際の主要
な工程を示す断面図である。この図において、図１及び
図４と同一部分を同一符号をもって示し、適宜その説明
を省略する。まず、第１の実施の形態と同様の手順で、
図１（ａ）に示したような構成のガラス基板１を作成す
る。

【００２７】その一方で、ドライバチップ２１及びその
周囲に塗布する塗布液１２７Ａを作成する。この塗布液
１２７Ａは、溶質としてポリイミド樹脂をジメチルアセ
トアミドに溶かした溶液（以下、ポリイミドワニスとい
う）１２５Ａに、絶縁粒子１２６としてＳｉＯ₂ を分散
させて作成する。ＳｉＯ₂ の平均粒径を５μｍとし、Ｓ
ｉＯ₂ のポリイミド樹脂に対する重量比を１とする（す
なわち、ＳｉＯ₂ とポリイミド樹脂との重量比を１：１
とする）。この塗布液１２７Ａを、図３（ａ）に示すよ
うにドライバチップ２１及びその周囲が覆われるように
塗布する。このとき、少なくともドライバチップ２１上
の電極２２、黒色絶縁膜３上の電極２３、及び両電極２
２，２３を接続するワイヤ２４が覆われるように塗布す
る。塗布方法は、ディスペンサー塗布又は滴下などを用
いることができる。

【００２８】次に、ドライバチップ２１及びその周囲に
塗布した塗布液１２７Ａを焼成する。塗布液１２７Ａに
含まれるポリイミドには、化学的に不安定な成分（ＣＯ
ＮＨ基）が含まれており、この成分が焼成後の絶縁層１
２５中に残存していると、蛍光表示管の製品完成後に酸
化されて管内に有害なガスが放出され、表示が不鮮明と
なる。このため、この工程では、塗布液１２７ＡをＯ₂
が含まれる雰囲気中で加熱して焼成する。これにより、
上述した不安定な成分は酸化され、ＣＯ₂ 、ＮＯ₂ 、Ｈ
₂Ｏ となって放出される。このとき、加熱温度が４００
℃に満たないと脱ガス効果がないので、雰囲気を４００
℃以上の温度に加熱する。また、１５分以上加熱するこ
とにより、ポリイミド中の不安定な成分が完全に除去さ
れるので、製品完成後の管内に有害なガスが放出される
ことはない。ただし、ポリイミドは温度が５００℃を超
えると熱分解が起こり、剥離が発生する虞があるので、
雰囲気を５００℃以下の温度に加熱することとする。

【００２９】このようにＯ₂ が含まれる雰囲気を４００
℃以上５００℃以下の温度範囲にして、塗布液１２７Ａ
を１５分以上加熱して焼成することで、ポリイミド膜か
らなる絶縁層１２５が生成され、この絶縁層１２５によ
ってＳｉＯ₂ の絶縁粒子１２６はワイヤ２４の間及びワ
イヤ２４と黒色絶縁膜３との間に強固に接着される。こ
うして、ドライバチップ２１及びその周囲は図３（ｂ）
に示すように、絶縁層１２５に絶縁粒子１２６が混入し
たコーティング層１２７で覆われる。このコーティング
層１２７は良好な絶縁性を示し、ワイヤ２４の変形や、
ワイヤ２４自体の断線、ワイヤ２４と電極２２，２３と
の接続断は観察されなかった。

【００３０】続いて、第１の実施の形態と同様に、ガラ
ス基板１とガラス容器との間にリードフレームを挟んだ
状態で、ガラス基板１とガラス容器とを封着する。な
お、この工程での加熱温度は４００℃以上５００以下の
範囲とする。その後、管内を排気して蛍光表示管が完成
する。以上で説明した方法により、ポリイミドを用い
て、ワイヤ２４の断線等を招くことなく、ドライバチッ
プ２１及びその周囲を絶縁コーティングすることができ
る。これにより、蛍光表示管の製品完成後に管内に存在
する塵がドライバチップ２１及びその周囲に侵入して起
こる誤動作を防止することができる。また、ポリイミド
は凹凸に対する被覆性に優れているので、ドライバチッ
プ２１及びワイヤ２４の凹凸部が露出しないように効果
的に絶縁コーティングすることができる。

【００３１】なお、ポリイミドワニス１２５Ａに分散さ
せる絶縁粒子１２６の条件、及びポリイミドワニス１２
５Ａ中のポリイミドに対する絶縁粒子１２６の重量比の
範囲は、第１の実施の形態と同じでよい。また、ポリイ
ミドは、ガラス容器をガラス基板１に封着する熱処理工
程の温度で変質しないものであればよく、例えばユニチ
カ（株）製Ｕイミド等の既製品を使用してもよい。

【００３２】以上では、図５に示したような蛍光表示管
に本発明による製造方法を適用した例を説明したが、管
内にドライバチップを搭載した蛍光表示管であればよ
く、例えば図４に示すような蛍光表示管にも適用でき
る。図４に示す蛍光表示管は、複数のアノード２０４を
ドライバチップ２２１上面に一体形成し、このドライバ
チップ２２１をガラス基板１の黒色絶縁膜３上に配置し
て得られる表示面を備えたものである。ドライバチップ
２２１の一辺に沿って複数形成された（第２の）電極２
２２と黒色絶縁膜３の上に複数形成された電極２３とは
ボンディングワイヤ２４を介して接続されており、これ
らの電極２２２，２３及びワイヤ２４を覆うコーティン
グ層２７，１２７を上述した方法で形成することによ
り、ワイヤ２４の断線等を招くことなく、ドライバチッ
プ２１及びその周囲を絶縁コーティングすることができ
る。なお、図４では、図１、図３、図５及び図６と同一
部分又は相当する部分を同一符号で示している。

【００３３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、焼成
後に絶縁性をもつ溶質を溶解した溶液に絶縁粒子を分散
させた塗布液を焼成して、基板上の第１の電極、ドライ
バチップ上の第２の電極及びこれらの二電極を接続する
ワイヤを絶縁コーティングする。絶縁粒子を分散させた
塗布液を焼成したときの収縮量は、絶縁粒子を分散させ
なかった場合と比較して小さい。このため、ワイヤにか
かる応力が小さくなるので、ワイヤ自体が断線してしま
うことや、ワイヤと第１，第２の電極との接続が切断さ
れることを防止できる。したがって本発明により、ドラ
イバチップ及びその周囲を絶縁層でコーティングする技
術が実用可能となるので、蛍光表示管の製品完成後に管
内に存在する塵がドライバチップ及びその周囲に侵入し
て起こる誤動作を防止することができるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施の形態を用いて蛍光表示
管を製造する際の主要な工程を示す断面図である。

【図２】 図１（ｃ）に示す工程で絶縁コーティングさ
れたワイヤの平面図である。

【図３】 本発明の第２の実施の形態を用いて蛍光表示
管を製造する際の主要な工程を示す断面図である。

【図４】 ドライバチップを管内に搭載した蛍光表示管
の他の構成例を示す斜視図である。

【図５】 ドライバチップを管内に搭載した蛍光表示管
の一構成例を示す斜視図である。

【図６】 ドライバチップ及びその周囲の構造を示す拡
大図である。

【図７】 従来の蛍光表示管の製造方法により絶縁コー
ティングされたワイヤの平面図である。

【符号の説明】

１…ガラス基板、２…配線、３…黒色絶縁膜、６Ａ…フ
ィラメントサポート、９…フェースガラス、１０…スペ
ーサガラス、１３Ａ，１３Ｂ…フリットガラス、２１，
２２１…ドライバチップ、２２，２２２…（第２の）電
極、２３…（第１の）電極、２４…ワイヤ、２５、１２
５…絶縁層、２５Ａ，１２５Ａ…溶液、２６…絶縁粒
子、２７Ａ，１２７Ａ…塗布液、２７，１２７…コーテ
ィング層。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表示動作を制御するドライバチップを外
   囲器内に搭載した蛍光表示管の製造方法において、 基板上に配線及びこの配線に接続される第１の電極を複
   数形成し、前記基板上に前記ドライバチップを接着し、
   前記基板上の複数の第１の電極と前記ドライバチップ上
   の複数の第２の電極とを複数のワイヤで接続する第１の
   工程と、 焼成後に絶縁性をもつ溶質を溶解した溶液に絶縁粒子を
   分散させた塗布液を前記第１及び第２の電極並びに前記
   ワイヤが覆われるように塗布する第２の工程と、 前記溶液を焼成して隣り合う前記ワイヤの間及び前記ワ
   イヤと前記基板との間に前記絶縁粒子が混入した絶縁層
   を生成する第３の工程と、 前記基板上にガラス容器を配置し、前記基板と前記ガラ
   ス容器とを封着して前記外囲器を形成する第４の工程と
   を備えたことを特徴とする蛍光表示管の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の蛍光表示管の製造方法に
   おいて、 前記溶質を金属アルコキシドとすることを特徴とする蛍
   光表示管の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１記載の蛍光表示管の製造方法に
   おいて、 前記溶質をポリイミドとすることを特徴とする蛍光表示
   管の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項１〜３何れか１項記載の蛍光表示
   管の製造方法において、 前記絶縁粒子の平均粒径を、隣り合う前記ワイヤ間のピ
   ッチの１／３以下とすることを特徴とする蛍光表示管の
   製造方法。
5. 【請求項５】 請求項１〜４何れか１項記載の蛍光表示
   管の製造方法において、 前記絶縁粒子の前記溶質に対する重量比を１／３以上と
   することを特徴とする蛍光表示管の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項１〜５何れか１項記載の蛍光表示
   管の製造方法において、 前記絶縁粒子の前記溶質に対する重量比を３以下とする
   ことを特徴とする蛍光表示管の製造方法。
7. 【請求項７】 基板と、この基板上に複数形成された配
   線と、この配線と電気的に接続された複数の第１の電極
   と、前記基板上に接着されると共に上面に第２の電極が
   複数配置されかつ表示動作を制御するドライバチップ
   と、前記基板上の第１の電極と前記ドライバチップ上の
   第２の電極とを接続する複数のワイヤと、前記基板を覆
   うガラス容器とを備えた蛍光表示管において、 前記第１及び第２の電極並びに前記ワイヤを覆い、隣り
   合う前記ワイヤの間及び前記ワイヤと前記基板との間に
   絶縁粒子が混入した絶縁層を備えたことを特徴とする蛍
   光表示管。